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JPH1186287A - Optical memory equipment - Google Patents

Optical memory equipment

Info

Publication number
JPH1186287A
JPH1186287A JP9251103A JP25110397A JPH1186287A JP H1186287 A JPH1186287 A JP H1186287A JP 9251103 A JP9251103 A JP 9251103A JP 25110397 A JP25110397 A JP 25110397A JP H1186287 A JPH1186287 A JP H1186287A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
recording
film
super
optical
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP9251103A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP3462375B2 (en
Inventor
Toshihiko Nagase
俊彦 永瀬
Katsutaro Ichihara
勝太郎 市原
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP25110397A priority Critical patent/JP3462375B2/en
Priority to US09/042,542 priority patent/US6187406B1/en
Publication of JPH1186287A publication Critical patent/JPH1186287A/en
Priority to US09/765,685 priority patent/US6606291B2/en
Priority to US10/429,702 priority patent/US6744717B2/en
Application granted granted Critical
Publication of JP3462375B2 publication Critical patent/JP3462375B2/en
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  • Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
  • Optical Recording Or Reproduction (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide optical memory equipment enabling verification of a recorded state in a short time. SOLUTION: Regarding an optical disk 10 having a recording layer 14 wherein information is recorded by casting light thereon in conformity with a recording-erasing signal series 20 and a superresolution reproduction film 12 which is disposed on the light incidence side of the recording layer, the emission accompanying de-excitation of excited electrons of the superresolution reproduction film 12, which occurs after reproduction light from a light source 21 is cast on the disk, is detected by a photodetector 32. By comparing an emission detection signal from this photodetector 32 with thresholds TH1 and TH2 by comparators 33 and 34, verification of a recorded state of the recording layer 14 is conducted, and by inputting a verification signal 35 to an arithmetic circuit 36 and collating it with the recording-erasing signal series 20, a re-recording- erasing signal series 37 is generated at the time of miswrite or miserase.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、光ディスクのよう
な光記録媒体に光を照射して情報の記録や再生を行う光
メモリ装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an optical memory device for irradiating an optical recording medium such as an optical disk with light to record and reproduce information.

【0002】[0002]

【従来の技術】光の照射により情報の再生または記録・
再生を行う光ディスク装置に代表される光メモリ装置
は、大容量性、高速アクセス性、媒体可搬性を兼ね備え
た情報記憶装置として音声、画像、計算機データなどの
各種ファイルに実用化されており、今後もその発展が期
待されている。
2. Description of the Related Art Information is reproduced or recorded by irradiation of light.
Optical memory devices, such as optical disc devices that perform playback, have been put to practical use for various files such as audio, images, and computer data as information storage devices that have large capacity, high-speed access, and medium portability. Its development is expected.

【0003】光メモリ装置の高密度化技術としては、光
ディスク製造のための原盤カッティング用ガスレーザの
短波長化、また記録・再生用の光源である半導体レーザ
の短波長化、対物レンズの高開口数化、光ディスクの薄
板化等のアプローチがあり、さらに記録可能な光ディス
クにおいてはマーク長記録、ランド・グルーブ記録など
種々のアプローチがある。
Techniques for increasing the density of an optical memory device include shortening the wavelength of a gas laser for cutting a master for manufacturing an optical disk, shortening the wavelength of a semiconductor laser which is a light source for recording and reproduction, and increasing the numerical aperture of an objective lens. In addition, there are approaches such as thinning of an optical disk, and there are various approaches for a recordable optical disk such as mark length recording and land / groove recording.

【0004】一方、これらのアプローチの他に、光ディ
スクの高密度化に効果的な技術として、媒体膜を利用し
た超解像再生技術が検討されている。超解像再生技術
は、当初は光磁気ディスクに特有の技術として提案され
た。光磁気記録での超解像再生では、記録層に対して再
生光の入射側に超解像機能を有する磁性膜(超解像再生
膜)を設け、両者を交換結合または静磁結合させた媒体
を用いる。そして、再生光の照射により超解像再生膜を
昇温させて層間の交換力または静磁力を変化させること
で、超解像再生膜に再生光スポットに対する部分的な光
学マスクまたは光学開口を形成し、実効的に再生光スポ
ットのサイズを小さくすることにより、高分解能の再生
が可能となる。
On the other hand, in addition to these approaches, a super-resolution reproduction technique using a medium film is being studied as a technique effective for increasing the density of an optical disc. Super-resolution reproduction technology was initially proposed as a technology specific to magneto-optical disks. In super-resolution reproduction by magneto-optical recording, a magnetic film having a super-resolution function (super-resolution reproduction film) is provided on the recording light incident side with respect to the recording layer, and both are exchange-coupled or magnetostatically coupled. Use medium. Then, by raising the temperature of the super-resolution reproduction film by irradiation of the reproduction light and changing the exchange force or the magnetostatic force between the layers, a partial optical mask or an optical aperture for the reproduction light spot is formed on the super-resolution reproduction film. By effectively reducing the size of the reproduction light spot, high-resolution reproduction can be performed.

【0005】その後、光磁気記録のみでなくROMディ
スクにおいても、記録層に対して再生光照射後に、再生
光の照射により光の透過率が変化する超解像再生膜を設
けて超解像再生を行う試みが報告されている。このよう
に超解像再生技術は、光磁気ディスク、CD−ROM、
CD−R、WORM、相変化型光記録媒体など全ての光
ディスクに適用可能であることが明らかになってきてい
る。
[0005] Then, not only in magneto-optical recording but also in ROM disks, after irradiating the recording layer with reproducing light, a super-resolution reproducing film whose light transmittance is changed by irradiation of the reproducing light is provided. Attempts to do so have been reported. As described above, the super-resolution reproduction technology uses a magneto-optical disk, a CD-ROM,
It is becoming clear that the present invention can be applied to all optical disks such as CD-R, WORM, and phase-change optical recording media.

【0006】ところで、この種の光メモリ装置において
は、一般に記録時にベリファイ、つまり記録状態の検証
が実施される。従来の光メモリ装置では、記録時のベリ
ファイ動作はある程度の記録動作が終了してから行って
いる。例えば、1ビームの光メモリ装置においては、記
録マーク列形成後、少なくとも光ディスク一回転分の時
間を経過した後に、試し再生と呼ばれる再生動作を行っ
て記録状態のベリファイを実施し、このベリファイの結
果、もしエラーが発生した場合には、光ディスクの最初
に記録した場所と同一もしくは異なる場所に再記録を行
う方式を採用していた。
Incidentally, in this type of optical memory device, verification is generally performed at the time of recording, that is, verification of the recording state is performed. In the conventional optical memory device, the verify operation at the time of recording is performed after a certain recording operation is completed. For example, in a one-beam optical memory device, after at least one rotation of the optical disk has elapsed after the formation of a recording mark array, a reproducing operation called test reproduction is performed to verify the recording state, and as a result of the verification, If an error occurs, a method of re-recording at the same or different location from the first recorded location on the optical disc has been adopted.

【0007】従って、エラーの発生がない通常の記録動
作においても、記録→ベリファイ(試し再生)と、ディ
スク二回転分の時間を要し、エラー発生時は記録→ベリ
ファイ(試し再生)→再記録(→再ベリファイ)と、デ
ィスク3〜4回転分の時間を要していた。
Therefore, even in a normal recording operation in which no error occurs, it takes time for recording → verify (test reproduction) and two rotations of the disk. When an error occurs, recording → verify (test reproduction) → re-recording. (→ re-verify) and time for 3 to 4 rotations of the disk.

【0008】一方、再生時のベリファイは、一般には光
メモリ装置が持っているエラー検出訂正機能により実現
できる。しかし、超解像再生膜を有する光記録媒体を用
いた場合、後に詳しく説明するが、超解像再生膜の特性
に起因して再生信号に歪みが発生しやすく、これが新た
なエラー増大の原因となるため、エラー検出訂正能力を
これまで以上に強力しなければならないという困難が発
生する。
On the other hand, verification at the time of reproduction can be generally realized by an error detection and correction function of an optical memory device. However, when an optical recording medium having a super-resolution reproduction film is used, as will be described in detail later, distortion is likely to occur in the reproduction signal due to the characteristics of the super-resolution reproduction film, which causes a new error increase. Therefore, there arises a difficulty that the error detection and correction capability must be enhanced more than ever.

【0009】[0009]

【発明が解決しようとする課題】上述したように、従来
の光メモリ装置においては記録時のベリファイに長い時
間を必要とし、また超解像再生膜を有する光記録媒体を
用いた場合、超解像再生膜の特性に起因して再生信号に
歪みが発生しやすく、これがエラー増大の原因となると
いう問題があった。
As described above, in the conventional optical memory device, a long time is required for verification at the time of recording, and when an optical recording medium having a super-resolution reproduction film is used, the super-resolution There is a problem that distortion is apt to occur in the reproduction signal due to the characteristics of the reproduction film, which causes an increase in error.

【0010】本発明は、このような従来の問題点を解決
すべくなされたもので、その目的は記録状態のベリファ
イを短時間で行うことができる光メモリ装置を提供する
ことにある。本発明の他の目的は、超解像再生膜を有す
る光記録媒体を用いた場合の再生信号の歪みを補正でき
る光メモリ装置を提供することにある。
An object of the present invention is to solve such a conventional problem, and an object of the present invention is to provide an optical memory device capable of verifying a recording state in a short time. Another object of the present invention is to provide an optical memory device capable of correcting distortion of a reproduction signal when using an optical recording medium having a super-resolution reproduction film.

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
め、本発明は第1に光の照射により情報の記録を行う記
録層および該記録層の光入射側に配置された光照射に伴
い発光する発光体膜を有する光記録媒体を用いた光メモ
リ装置において、この光記録媒体に光を照射した後に起
こる発光体膜の発光を検出し、その発光検出信号を用い
て光記録媒体の記録状態を検証するようにしたことを特
徴とする。記録状態の検証は、より具体的には発光検出
信号のレベルと所定のしきい値を比較することにより行
うことができる。
In order to solve the above-mentioned problems, the present invention firstly relates to a recording layer for recording information by irradiating light and a light irradiation arranged on the light incident side of the recording layer. In an optical memory device using an optical recording medium having a luminous film that emits light, the light emission of the luminous film occurring after irradiating the optical recording medium with light is detected, and the recording state of the optical recording medium is detected using the light emission detection signal. Is verified. More specifically, the verification of the recording state can be performed by comparing the level of the light emission detection signal with a predetermined threshold value.

【0012】一つの態様によれば、光記録媒体は上記の
発光体膜として光照射による電子励起に伴い光学的変化
を生じ、該光照射後の励起電子の脱励起に伴い発光を生
じる超解像再生膜を有する。この場合には、光記録媒体
に光を照射した後に起こる超解像再生膜の励起電子の脱
励起に伴う発光を検出し、その発光検出信号を用いて光
記録媒体の記録状態を検証すればよい。発光体膜として
は、蛍光体膜なども使用できる。
According to one embodiment, the optical recording medium, as the above-mentioned luminous film, undergoes an optical change upon electronic excitation by light irradiation, and emits light upon deexcitation of excited electrons after the light irradiation. It has an image reproducing film. In this case, the light emission accompanying the deexcitation of the excited electrons of the super-resolution reproduction film that occurs after irradiating the optical recording medium with light is detected, and the recording state of the optical recording medium is verified using the emission detection signal. Good. A phosphor film or the like can be used as the light emitting film.

【0013】光記録媒体に光を照射した後に起こる発光
体膜の発光を検出して得られる発光検出信号は、記録層
の記録状態に依存して例えばそのレベルが変化するの
で、この発光検出信号を用いて光記録媒体の記録状態を
検証することができる。このようにすると、記録と並行
して記録状態の検証を行うことが可能であるため、記録
後に試し再生を行って記録状態の検証を行う従来のベリ
ファイ法に比較して、ベリファイに要する時間が大幅に
短縮される。
The level of the light emission detection signal obtained by detecting the light emission of the light emitting film generated after irradiating the optical recording medium with light, for example, varies depending on the recording state of the recording layer. Can be used to verify the recording state of the optical recording medium. In this way, the recording state can be verified in parallel with the recording, so that the time required for the verification is longer than the conventional verification method in which test reproduction is performed after recording to verify the recording state. It is greatly reduced.

【0014】また、本発明は第2に光の照射により情報
の再生を行う記録層および該記録層の光入射側に配置さ
れた光照射に伴い発光する発光体膜を有する光記録媒体
を用いた光メモリ装置において、光記録媒体に光を入射
した後に起こる発光体膜の発光を検出し、その発光検出
信号を参照して光記録媒体からの再生信号を補正するこ
とを特徴とする。この再生信号の補正は、発光検出信号
を参照して発光体膜の特性に合わせて行うことが好まし
い。
The present invention also relates to an optical recording medium having a recording layer for reproducing information by irradiating light and a luminous film disposed on the light incident side of the recording layer and emitting light upon irradiation with light. The optical memory device according to the present invention is characterized in that the light emission of the light emitting film that occurs after light is incident on the optical recording medium is detected, and the reproduction signal from the optical recording medium is corrected with reference to the light emission detection signal. This correction of the reproduction signal is preferably performed in accordance with the characteristics of the luminous body film with reference to the light emission detection signal.

【0015】一つの態様では、光記録媒体は上記の発光
体膜として光照射による電子励起に伴い光学的変化を生
じ、該光照射後の励起電子の脱励起に伴い発光を生じる
超解像再生膜を有する。この場合には、光記録媒体に光
を照射した後に起こる超解像再生膜の励起電子の脱励起
に伴う発光を検出し、その発光検出信号を参照して光記
録媒体からの再生信号を補正すればよい。また、発光体
膜としては蛍光体膜なども使用可能である。
In one embodiment, the optical recording medium serves as the luminous film as described above, which undergoes an optical change upon electron excitation by light irradiation, and emits light upon deexcitation of the excited electrons after the light irradiation, thereby achieving super-resolution reproduction. Having a membrane. In this case, the light emission accompanying the deexcitation of the excited electrons of the super-resolution reproduction film that occurs after irradiating the optical recording medium with light is detected, and the reproduction signal from the optical recording medium is corrected with reference to the light emission detection signal. do it. Also, a phosphor film or the like can be used as the light emitting film.

【0016】上述したように光記録媒体に光を照射した
後に起こる発光体膜の発光を検出して得られる発光検出
信号は記録層の記録状態のみならず、光記録媒体に超解
像再生膜のように再生信号の歪み要因となる膜が存在す
る場合、その膜に起因する歪みをモニタすることができ
るので、この発光検出信号を利用して再生信号を歪みが
除去または低減されるように補正することが可能であ
る。超解像再生膜を用いた場合は、さらにその超解像再
生膜の特性を参照して再生信号の補正を行うことで、よ
り的確な補正を行うことができる。このようにして再生
信号を補正することにより、低エラーレートの再生情報
を得ることができる。
As described above, the light emission detection signal obtained by detecting the light emission of the luminous film generated after irradiating the light on the optical recording medium is not only the recording state of the recording layer but also the super-resolution reproduction film on the optical recording medium. When there is a film that causes a distortion of the reproduction signal as described above, the distortion due to the film can be monitored, so that the reproduction signal can be removed or reduced by using this emission detection signal. It is possible to correct. When a super-resolution reproduction film is used, more accurate correction can be performed by further correcting the reproduction signal with reference to the characteristics of the super-resolution reproduction film. By correcting the reproduction signal in this manner, reproduction information with a low error rate can be obtained.

【0017】[0017]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を説明
する。まず、発光体膜として超解像再生膜を使用した例
を示す。超解像再生膜は、光照射による電子励起に伴い
光学的変化を生ずる。励起した電子は脱励起時に発光を
伴う。本実施形態では、この発光を検出して記録状態の
検証(記録ベリファイ)を行う。
Embodiments of the present invention will be described below. First, an example in which a super-resolution reproducing film is used as a light emitting film will be described. The super-resolution reproduction film undergoes an optical change due to electronic excitation by light irradiation. The excited electrons emit light upon deexcitation. In this embodiment, the light emission is detected to verify the recording state (record verification).

【0018】図1に、本発明の一実施形態に係る光ディ
スクの断面構造を示す。光ディスク10は、ディスク基
板11上に超解像再生膜12、中間層13、記録層14
および保護層15が順次形成された構成となっている。
なお、中間層13および保護層15は必要に応じて設け
られる。記録層14には、記録情報に対応した記録マー
ク列が形成されているものとする。
FIG. 1 shows a sectional structure of an optical disk according to an embodiment of the present invention. The optical disk 10 has a super-resolution reproduction film 12, an intermediate layer 13, and a recording layer 14 on a disk substrate 11.
And a protective layer 15 are sequentially formed.
Note that the intermediate layer 13 and the protective layer 15 are provided as necessary. It is assumed that a recording mark sequence corresponding to recording information is formed on the recording layer 14.

【0019】この光ディスク10に記録された情報を再
生する場合、再生光が基板11側から超解像再生膜12
および中間層13を通して、記録層14中に形成された
記録マーク列に照射される。すなわち、超解像再生膜1
2は記録層14に対して再生光の入射側に形成される。
When information recorded on the optical disk 10 is reproduced, reproduction light is applied from the substrate 11 side to the super-resolution reproduction film 12.
Then, the recording mark train formed in the recording layer 14 is irradiated through the intermediate layer 13. That is, the super-resolution reproduction film 1
2 is formed on the incident side of the reproduction light with respect to the recording layer 14.

【0020】ここで、超解像再生膜12について詳細に
説明する。図2は、超解像再生膜の一般的な特性を示す
図であり、膜に入射するフォトン数Npに対する膜の透
過率Trの関係を示している。この例では、入射フォト
ン数Npが小さい状態では透過率Trは低く、Npが大
きくなるとTrは高くなっている。超解像再生膜の材質
によっては、逆にNpが小さい状態でTrが高く、Np
が大きくなるとTrが低くなる特性の場合もある。要す
るに、入射フォトン数に対して透過率が変化するという
のが超解像再生膜の本質的な特性である。
Here, the super-resolution reproducing film 12 will be described in detail. FIG. 2 is a diagram showing general characteristics of the super-resolution reproduction film, and shows a relationship between the number Np of photons incident on the film and the transmittance Tr of the film. In this example, when the number Np of incident photons is small, the transmittance Tr is low, and when Np is large, Tr is high. On the contrary, depending on the material of the super-resolution reproduction film, Tr is high when Np is small and Np is small.
When Tr increases, Tr may decrease. In short, the essential characteristic of the super-resolution reproduction film is that the transmittance changes with the number of incident photons.

【0021】この図2の例のようにNpの増加に対して
Trが単調増加する場合には、再生光のスポット中央部
付近の入射フォトン数の多い部分で透過率が高く、周辺
部で透過率が低くなるので、再生光の実効的なスポット
サイズが小さくなり、記録層に狭ピッチで記録マークを
形成できる。
When Tr monotonically increases with an increase in Np as in the example of FIG. 2, the transmittance is high in a portion where the number of incident photons is large near the center of the spot of the reproduction light, and the light is transmitted in the peripheral portion. Since the efficiency is low, the effective spot size of the reproduction light is small, and recording marks can be formed on the recording layer at a narrow pitch.

【0022】本実施形態で使用される超解像再生膜は、
基本的に光照射により電子励起し、励起に関わる少なく
も二つの準位に存在する電子密度の変化によって膜が光
学的に変化するものである。具体的には、励起に関わる
二準位間のエネルギー差が光メモリ装置の光源波長とほ
ぼ一致する半導体材料を用いる。利用する準位は、伝導
帯、価電子帯、不純物準位、励起準位など二準位間のエ
ネルギー差が光源波長と一致すれば、特に制限されな
い。連続膜状の半導体膜も超解像再生膜として使用可能
であるが、半導体を微粒子化して誘電体中に分散させる
形態を用いる方が準位間エネルギー差の制御、脱励起の
時定数制御の点から好ましい。また、超解像再生膜は半
導体を積層した量子井戸構造など、量子サイズ効果が望
める構造であってもよい。
The super-resolution reproducing film used in this embodiment is
Basically, the film is electronically excited by light irradiation, and the film is optically changed by a change in electron density existing in at least two levels involved in the excitation. Specifically, a semiconductor material whose energy difference between two levels relating to excitation is substantially equal to the light source wavelength of the optical memory device is used. The level to be used is not particularly limited as long as the energy difference between two levels such as a conduction band, a valence band, an impurity level, and an excitation level matches the light source wavelength. A continuous film-like semiconductor film can also be used as a super-resolution reproduction film. However, it is better to control the energy difference between levels and to control the time constant of de-excitation by using a form in which the semiconductor is finely divided and dispersed in a dielectric. Preferred from the point. Further, the super-resolution reproducing film may have a structure in which a quantum size effect can be expected, such as a quantum well structure in which semiconductors are stacked.

【0023】この超解像再生膜の動作原理は、電子励起
により下位準位の電子密度が減少、上位準位の電子密度
が増加することにより、励起確率が低下する、すなわち
光の吸収が低下することにある。励起確率が大幅に低下
した場合は、それ以上の確率の低下は小さく吸収飽和す
ることから、本実施形態の超解像再生は吸収飽和による
透過率変化と見做すこともできる。
The principle of operation of this super-resolution reproducing film is that the electron density of the lower level is reduced by the electron excitation and the electron density of the upper level is increased, so that the excitation probability is reduced, that is, the light absorption is reduced. Is to do. When the excitation probability is significantly reduced, a further decrease in the probability is small and the absorption is saturated. Therefore, the super-resolution reproduction of the present embodiment can be regarded as a transmittance change due to the absorption saturation.

【0024】図3(a)は、この超解像再生膜が吸収飽
和による透過率Trの変化(この場合は、吸収飽和でT
rが最大になる)が完了した時点t=0から、脱励起に
伴い透過率が変化前の値(この場合は、透過率が最小)
になるまでの様子を示した図である。また、図3(b)
には超解像再生膜の脱励起時の発光量を併せて示してい
る。脱励起の寿命を“td”とすると、時刻td付近で
脱励起時の発光量は最大となる。なお、図3(b)の特
性は超解像再生膜に限らず、一般の発光体膜においても
同様である。
FIG. 3 (a) shows the change in transmittance Tr due to absorption saturation in this super-resolution reproduction film (in this case, T
From the time point t = 0 when r is maximized), the value before the transmittance changes with de-excitation (in this case, the transmittance is minimum)
It is a figure showing a situation until it becomes. FIG. 3 (b)
2 also shows the amount of light emission at the time of deexcitation of the super-resolution reproducing film. Assuming that the life of the de-excitation is “td”, the light emission amount at the time of de-excitation becomes maximum around time td. It should be noted that the characteristics shown in FIG. 3B are not limited to the super-resolution reproduction film, but are the same for a general light-emitting film.

【0025】半導体微粒子を分散させた超解像再生膜に
おいて吸収飽和を起こす2つの準位は、価電子帯、伝導
帯、励起子準位、不純物準位などの中から選択すること
ができる。また、半導体微粒子を分散させた超解像再生
膜における脱励起の寿命は、非常に高速な例では数10
ns程度であり、発光を検出するのは困難であるが、微
粒子サイズを小さくしたり、適当な不純物準位を設けて
多段脱励起にする等の工夫を施すことによって、記録/
再生光ビームの照射位置から十分に離れた位置で脱励起
に伴う発光を最大にすることができ、検出が容易とな
る。例えばディスク線速を20m/sとした場合、脱励
起寿命が1msの超解像再生膜を使用すれば、記録/再
生光ビームの照射位置と脱励起に伴う発光の検出位置を
20mm程度離すことができ、通常のレンズ集光による
検出系を採用することができる。
The two levels that cause absorption saturation in the super-resolution reproducing film in which the semiconductor fine particles are dispersed can be selected from a valence band, a conduction band, an exciton level, an impurity level, and the like. In addition, the lifetime of de-excitation in a super-resolution reproduction film in which semiconductor fine particles are dispersed is several tens in a very high-speed example.
ns, and it is difficult to detect the light emission. However, by taking measures such as reducing the particle size or providing an appropriate impurity level to perform multi-step deexcitation, the recording /
Emission accompanying de-excitation can be maximized at a position sufficiently distant from the irradiation position of the reproduction light beam, and detection becomes easy. For example, when the linear velocity of the disk is 20 m / s, if the super-resolution reproduction film having a de-excitation life of 1 ms is used, the irradiation position of the recording / reproduction light beam and the detection position of the light emission due to the de-excitation are separated by about 20 mm. And a detection system based on ordinary lens condensing can be employed.

【0026】次に、本発明に基づく記録・消去時のベリ
ファイ動作の原理を図1のように発光体膜として超解像
再生膜を用いた場合を例にとり説明する。本実施形態で
は、記録層14の記録マークが非晶質部で形成されると
し、非記録マーク部である結晶部の反射率(Rc)が非
晶質部の反射率(Ra)よりも大きい相変化型光記録媒
体を図1の光ディスク10として使用するものとする。
また、非晶質部を形成する過程での溶融状態の部分の反
射率(Rm)は、結晶部の反射率(Rc)よりも小さい
とする。
Next, the principle of the verify operation at the time of recording / erasing according to the present invention will be described with reference to an example in which a super-resolution reproducing film is used as a light emitting film as shown in FIG. In the present embodiment, it is assumed that the recording mark of the recording layer 14 is formed of an amorphous portion, and the reflectance (Rc) of the crystal portion, which is a non-recording mark portion, is larger than the reflectance (Ra) of the amorphous portion. It is assumed that a phase change type optical recording medium is used as the optical disk 10 of FIG.
Further, it is assumed that the reflectance (Rm) of the portion in the molten state in the process of forming the amorphous portion is smaller than the reflectance (Rc) of the crystal portion.

【0027】図4は、本実施形態における記録・消去時
のベリファイ動作を説明するためのタイミング図であ
り、(a)は記録・消去光、(b)(d)は超解像再生
膜12からの反射光の検出信号、(c)は(b)に対応
する記録ベリファイ信号であるミスライト検出信号、
(e)は消去ベリファイ信号であるミスイレーズ検出信
号、(f)は発光の検出信号を積算した信号である。
FIGS. 4A and 4B are timing charts for explaining the verify operation at the time of recording / erasing in this embodiment. FIG. 4A shows the recording / erasing light, and FIGS. 4B and 4D show the super-resolution reproducing film 12. (C) is a miswrite detection signal which is a recording verify signal corresponding to (b),
(E) is a mis-erase detection signal which is an erase verify signal, and (f) is a signal obtained by integrating light emission detection signals.

【0028】まず、記録時のベリファイ動作を説明す
る。図4(a)に示すように記録パワーPwと消去パワ
ーPeとの間でパルス状に変化する記録・消去光を光デ
ィスク10に基板11側から照射したとする。パワーP
wのパルスを記録パルス、パワーPeのパルスを消去パ
ルスと呼ぶ。超解像再生膜12は、光入射により透過率
が変化して光学開口部(透過率の高い部分)を形成し、
この光学開口部を通して記録層14に光が照射される。
記録は、記録層14の結晶部が非晶質化して記録マーク
を形成することにより行われる。超解像再生膜12への
入射光の強度は、始めに入射した光と記録層14から反
射された光の強度の和となる。
First, the verify operation at the time of recording will be described. As shown in FIG. 4A, it is assumed that the optical disk 10 is irradiated with the recording / erasing light that changes in a pulsed manner between the recording power Pw and the erasing power Pe from the substrate 11 side. Power P
The pulse of w is called a recording pulse, and the pulse of power Pe is called an erasing pulse. The super-resolution reproduction film 12 changes its transmittance due to the incidence of light to form an optical opening (a portion having a high transmittance).
The recording layer 14 is irradiated with light through the optical opening.
Recording is performed by forming a recording mark by making the crystal part of the recording layer 14 amorphous. The intensity of the light incident on the super-resolution reproduction film 12 is the sum of the intensity of the light initially incident and the intensity of the light reflected from the recording layer 14.

【0029】ここで、図4(b)に示すように、図4
(a)の記録・消去光の2番目の記録パルスのとき、誤
って記録ができない、いわゆるミスライトが起こったと
する。ミスライトがない場合、超解像再生膜12に入射
する光の強度は、始めに光ディスク10に記録パワーP
wの光が照射されたときに入射する光の強度Ioと、記
録層14の結晶部が非晶質になる過程で溶融状態になっ
た部分からの反射光の強度Trw×Rm×Ioとの和
(1+Trw×Rm)Ioとなる。但し、Trwは光デ
ィスク10に記録パワーPwの光が照射されたときに形
成された超解像再生膜12の光学開口部の透過率であ
る。
Here, as shown in FIG.
It is assumed that, at the time of the second recording pulse of the recording / erasing light in FIG. When there is no miswrite, the intensity of the light incident on the super-resolution reproduction film 12 first
between the intensity Io of the light incident upon irradiation with the light of w and the intensity Trw × Rm × Io of the reflected light from the molten portion of the recording layer 14 in the process of becoming amorphous. The sum is (1 + Trw × Rm) Io. Here, Trw is the transmittance of the optical opening of the super-resolution reproduction film 12 formed when the optical disk 10 is irradiated with the light of the recording power Pw.

【0030】一方、ミスライトが生じた場合に超解像再
生膜12に入射する光の強度は、始めに光ディスク10
に記録パワーPwの光が照射されたときに入射する光の
強度Ioと、記録層12の溶融状態にならずに結晶状態
を保持している部分からの反射光の強度Trw×Rc×
Ioの和(1+Trw×Rc)Ioである。
On the other hand, the intensity of the light incident on the super-resolution reproducing film 12 when a miswrite occurs
And the intensity Io of light incident when the recording layer 12 is irradiated with light having the recording power Pw, and the intensity Trw × Rc × of the reflected light from a portion of the recording layer 12 which is not in a molten state but in a crystalline state.
The sum of Io (1 + Trw × Rc) Io.

【0031】記録層14の結晶部の反射率Rcと非晶質
部を形成する過程での溶融状態の部分の反射率Rmの関
係はRc>Rmであるので、超解像再生膜12からの反
射光の検出信号は、図4(b)に示すようにミスライト
が生じた場合の信号レベルは正しく記録された場合に検
出される信号レベルに比べて大きくなる。従って、図4
(b)の検出信号を所定のしきい値TH1でしきい値処
理することにより、図4(c)に示すようなミスライト
検出信号を得ることができる。
Since the relationship between the reflectance Rc of the crystal portion of the recording layer 14 and the reflectance Rm of the portion in the molten state in the process of forming the amorphous portion is Rc> Rm, the relationship from the super-resolution reproduction film 12 As shown in FIG. 4B, the detection signal of the reflected light has a higher signal level in the case where miswriting has occurred than the signal level detected in the case where the recording has been performed correctly. Therefore, FIG.
By performing threshold processing on the detection signal of (b) with a predetermined threshold value TH1, a miswrite detection signal as shown in FIG. 4 (c) can be obtained.

【0032】次に、消去時のベリファイ動作を説明す
る。記録層14の記録マークの消去は、非晶質部が再結
晶化することにより行われる。図4(a)に示した記録
・消去光を光ディスク10に入射したとき、2番目と3
番目の記録パルスの間の消去パルスのとき、消去ができ
ないミスイレーズが起こったとする。完全に消去ができ
た場合、超解像再生膜12に入射する光の強度は、始め
に光ディスク10に消去パワーPeの光が照射されたと
きに入射する光の強度Ioと、記録層14の非晶質部が
再結晶化した部分からの反射光の強度Tre×Rc×I
oの和(1+Tre×Rc)Ioとなる。但し、Tre
は光ディスク10に消去パワーPeの光が照射されたと
きに形成された超解像再生膜12の光学開口部の透過率
である。
Next, the verify operation at the time of erasing will be described. The erasure of the recording marks in the recording layer 14 is performed by recrystallizing the amorphous portion. When the recording / erasing light shown in FIG.
It is assumed that an erase pulse that cannot be erased occurs during an erase pulse between the third recording pulse. When the erasing is completed completely, the intensity of the light incident on the super-resolution reproducing film 12 is determined by the intensity Io of the light incident when the optical disk 10 is first irradiated with the light of the erasing power Pe and the intensity of the recording layer 14. Intensity Tre x Rc x I of reflected light from the recrystallized portion of the amorphous portion
The sum of o is (1 + Tre × Rc) Io. However, Tre
Is the transmittance of the optical aperture of the super-resolution reproduction film 12 formed when the optical disk 10 is irradiated with light of the erasing power Pe.

【0033】一方、ミスイレーズが生じた場合に超解像
再生膜12に入射する光の強度は、始めに光ディスク1
0に消去パワーPeの光が照射されたときに入射する光
の強度Ioと、記録層12の再結晶化せずに非晶質状態
を保持している部分からの反射光の強度Tre×Ra×
Ioの和(1+Tre×Ra)Ioである。
On the other hand, the intensity of light incident on the super-resolution reproducing film 12 when a mis-erasure occurs
0, the intensity Io of the light incident upon irradiating the light with the erasing power Pe, and the intensity Tre × Ra of the reflected light from the portion of the recording layer 12 which is not recrystallized and maintains an amorphous state. ×
The sum of Io is (1 + Tre × Ra) Io.

【0034】記録層14の結晶部の反射率Rcと再結晶
化せずに非晶質状態を保持している部分の反射率Raの
関係はRc>Raであるので、超解像再生膜12からの
反射光の検出信号は、図4(d)に示すようにミスイレ
ーズが生じた場合の信号レベルが正しく消去できた場合
の信号レベルに比べて小さくなる。従って、図4(d)
の検出信号を所定のしきい値TH2でしきい値処理する
ことにより、図4(e)に示すようなミスイレーズ検出
信号を得ることができる。
Since the relationship between the reflectance Rc of the crystal portion of the recording layer 14 and the reflectance Ra of the portion where the amorphous portion is maintained without recrystallization is Rc> Ra, the super-resolution reproduction film 12 As shown in FIG. 4 (d), the detection signal of the reflected light from the signal becomes lower than the signal level in the case where the miserasing has occurred and the signal level in the case where the erasing has been performed correctly. Therefore, FIG.
Is subjected to threshold processing with a predetermined threshold value TH2, a mis-erase detection signal as shown in FIG. 4E can be obtained.

【0035】なお、ここでは記録層14の結晶部の反射
率Rcが非晶質部Raの反射率より大きい場合を例に挙
げたが、逆に非晶質部の反射率Raが結晶部の反射率R
cより大きい場合でも、検出信号の極性が逆になるだけ
なので、上記と同様にしてミスライトおよびミスイレー
ズの検出、すなわち記録・消去時のベリファイを行うこ
とができる。
Here, the case where the reflectance Rc of the crystal part of the recording layer 14 is higher than the reflectance of the amorphous part Ra has been described as an example. Reflectivity R
Even when c is larger than c, the polarity of the detection signal is only reversed, so that the detection of the miswrite and the erase, that is, the verification at the time of recording / erasing can be performed in the same manner as described above.

【0036】次に、上述した記録・消去時のベリファイ
機能を有する光ディスク装置の実施形態について説明す
る。図5は、この光ディスク装置の記録・再生系の構成
を示している。光ディスク10はこれまで説明した通
り、ディスク基板11上に超解像再生膜12、中間層1
3、記録層14および保護層15が順次形成された構成
である。
Next, an embodiment of an optical disk device having the above-described verify function at the time of recording / erasing will be described. FIG. 5 shows a configuration of a recording / reproducing system of the optical disk device. As described above, the optical disk 10 includes the super-resolution reproduction film 12 and the intermediate layer 1 on the disk substrate 11.
3, a configuration in which the recording layer 14 and the protective layer 15 are sequentially formed.

【0037】光ディスク10の記録・消去に際しては、
記録・消去信号系列20によって光源(例えば半導体レ
ーザ)21が駆動され、図4(a)に示した記録・消去
光が発生される。この記録・消去光は、ビームスプリッ
タ22を介して第1の対物レンズ23に導かれ、この対
物レンズ23により光ディスク10に基板11側から微
小なスポットとして照射される。
When recording / erasing the optical disk 10,
A light source (for example, a semiconductor laser) 21 is driven by the recording / erasing signal sequence 20, and the recording / erasing light shown in FIG. The recording / erasing light is guided to a first objective lens 23 via a beam splitter 22, and is irradiated on the optical disk 10 as a minute spot from the substrate 11 side by the objective lens 23.

【0038】光ディスク10からの反射光は、第1の対
物レンズ23を入射光と逆方向に通過して、ビームスプ
リッタ22により第1の光検出器24に導かれ、電気信
号として検出される。第1の光検出器24は、例えば受
光面を複数に分割(例えば2または4分割)した分割光
検出器であり、その各分割面に対応した複数の出力信号
は図示しない後述する演算回路に入力され、この演算回
路によって再生信号やフォーカシングおよびトラッキン
グのための誤差信号が生成される。
The reflected light from the optical disk 10 passes through the first objective lens 23 in the direction opposite to the incident light, is guided to the first photodetector 24 by the beam splitter 22, and is detected as an electric signal. The first photodetector 24 is, for example, a divided photodetector obtained by dividing the light receiving surface into a plurality (for example, two or four), and outputs a plurality of output signals corresponding to each of the divided surfaces to an arithmetic circuit (not shown) which will be described later. The arithmetic circuit generates a reproduced signal and an error signal for focusing and tracking.

【0039】一方、記録・消去時のベリファイを行うた
めに、第2の対物レンズ31、第2の光検出器32、第
1、第2のコンパレータ33、34および演算回路36
が設けられている。第1、第2のコンパレータ33,3
4は、それぞれミスライトおよびミスイレーズを検出し
てベリファイ信号系列35を生成するためのものであ
る。演算回路36は、コンパレータ33,34の比較結
果であるベリファイ信号系列35と記録・消去信号系列
20から光ディスク10に再記録・消去を行う場合の再
記録・消去信号系列37を生成する。
On the other hand, in order to perform verification at the time of recording / erasing, a second objective lens 31, a second photodetector 32, first and second comparators 33 and 34, and an arithmetic circuit 36 are provided.
Is provided. First and second comparators 33 and 3
Numeral 4 is for generating a verify signal sequence 35 by detecting a miss write and a miss erase, respectively. The arithmetic circuit 36 generates a re-recording / erasing signal sequence 37 for performing re-recording / erasing on the optical disk 10 from the verifying signal sequence 35 and the recording / erasing signal sequence 20 which are the comparison results of the comparators 33 and 34.

【0040】次に、本実施形態における記録・消去時の
ベリファイ動作を説明する。この記録・消去時のベリフ
ァイ動作を行うために、記録・消去直後の光ディスク1
0からの反射光(超解像再生膜12の脱励起時の発光
光)が第2の対物レンズ31によって集光され、この光
が第2の光検出器32により電気信号として検出され
る。第2の光検出器32からの発光検出信号は、第1、
第2のコンパレータ33,34に入力される。
Next, the verify operation at the time of recording / erasing in this embodiment will be described. In order to perform the verify operation at the time of recording / erasing, the optical disk 1 immediately after recording / erasing is performed.
The reflected light from 0 (light emitted at the time of de-excitation of the super-resolution reproducing film 12) is collected by the second objective lens 31, and this light is detected as an electric signal by the second photodetector 32. The light emission detection signal from the second photodetector 32 is
The signals are input to the second comparators 33 and 34.

【0041】第1のコンパレータ33は、光源21から
発生される記録・消去光が記録パワーPwを通過してか
らtd秒後(発光量が最大となる付近の時刻)に発生す
る超解像再生膜12の脱励起時の発光に基づく光検出器
32からの発光検出信号をしきい値TH1と比較して、
検出信号の信号レベルがしきい値TH1以上であればミ
スライト検出信号を出力する。同様に、第2のコンパレ
ータ34は光検出器32からの発光検出信号をしきい値
TH2と比較し、検出信号がしきい値TH2以下であれ
ばミスイレーズ検出信号を出力する。
The first comparator 33 detects the super-resolution reproduction that occurs td seconds after the recording / erasing light generated from the light source 21 has passed the recording power Pw (at a time near the maximum light emission amount). A light emission detection signal from the light detector 32 based on light emission at the time of deexcitation of the film 12 is compared with a threshold value TH1,
If the signal level of the detection signal is equal to or higher than the threshold value TH1, a miswrite detection signal is output. Similarly, the second comparator 34 compares the light emission detection signal from the photodetector 32 with a threshold value TH2, and outputs a mis-erase detection signal if the detection signal is equal to or smaller than the threshold value TH2.

【0042】第1、第2のコンパレータ33,34の出
力は合成されて、記録・消去状態の検証結果である記録
・消去ベリファイ信号系列35となり、演算回路36に
入力される。演算回路36は、記録・消去信号系列20
と記録・消去ベリファイ信号系列35を照合して再記録
・消去信号系列37を生成する。具体的には、例えば記
録・消去ベリファイ信号系列35から光ディスク10上
のミスライトやミスイレーズが生じた場所を認識し、こ
れらの場所または他の場所に再記録、再消去を行うため
の再記録・消去信号系列37を生成する。
The outputs of the first and second comparators 33 and 34 are combined to form a write / erase verify signal sequence 35 which is a result of verifying the write / erase state, and is input to an arithmetic circuit 36. The arithmetic circuit 36 controls the recording / erasing signal sequence 20
The re-recording / erasing signal sequence 37 is generated by collating the recording / erasing verify signal sequence 35 with the recording / erasing verify signal sequence 35. Specifically, for example, from the recording / erasing verify signal sequence 35, a place on the optical disc 10 where a miswrite or miserasure has occurred is recognized, and re-recording / re-erasing for re-recording / re-erasing at these places or other places. An erasure signal sequence 37 is generated.

【0043】なお、超解像再生膜12の脱励起時の発光
量が微弱な場合には、光源21から発生される記録・消
去光が記録パワーPwを通過してからtd秒後の時点に
対して±Δt秒間の期間にわたり発光量を積算すること
が望ましい。具体的には、第2の光検出器32から検出
信号を上記時点を中心に±Δt秒間の2ΔTの期間にわ
たり積算してから、第1、第2のコンパレータ33,3
4に入力するようにする。ここで、Δtは図3(b)に
示したように、超解像再生膜12の脱励起時の発光によ
り透過率が変化する時間幅である。
When the amount of light emission at the time of de-excitation of the super-resolution reproducing film 12 is weak, the recording / erasing light generated from the light source 21 passes the recording power Pw at a time td seconds later. On the other hand, it is desirable to integrate the light emission amount over a period of ± Δt seconds. Specifically, the detection signals from the second photodetector 32 are integrated over a period of 2ΔT of ± Δt seconds around the above time, and then the first and second comparators 33 and 3 are integrated.
Input to 4. Here, Δt is a time width in which the transmittance changes due to light emission at the time of deexcitation of the super-resolution reproduction film 12, as shown in FIG.

【0044】この場合、例えば図4(b)に示した記録
時の光検出器32からの発光検出信号に対して±Δt秒
間の積算を行うと、図4(f)に示すような信号を得る
ことができる。このように積算して得られた図4(f)
の信号に対して第1、第2のコンパレータ33,34し
きい値TH1,TH2を設定することにより、超解像再
生膜12の脱励起時の発光量が微弱な場合でも、ミスイ
ラスト、ミスイレーズの検出を確実に行うことができ
る。
In this case, for example, when the light emission detection signal from the photodetector 32 at the time of recording shown in FIG. 4B is integrated for ± Δt seconds, a signal as shown in FIG. Obtainable. FIG. 4 (f) obtained by integrating in this manner.
By setting the first and second thresholds TH1 and TH2 for the first and second comparators 33 and 34 for the signal of the above, even if the amount of light emission at the time of de-excitation of the super-resolution reproducing film 12 is weak, a mis-illustration, a mis-erase Can be reliably detected.

【0045】以上、記録層の光入射側に配置される発光
体膜として超解像再生膜を用いた場合について説明した
が、超解像再生膜以外の発光体膜を使用した場合も、同
様の原理でミスライト、ミスイレ−ズを検出して記録・
消去状態のベリファイを行うことができる。
Although the case where the super-resolution reproducing film is used as the luminous film disposed on the light incident side of the recording layer has been described above, the same applies to the case where the luminous film other than the super-resolution reproducing film is used. Detects and records miswrites and erases based on the principle of
Verification of the erased state can be performed.

【0046】すなわち、特に超解像特性を示さなくと
も、伝導帯、価電子帯、不純物準位、励起子準位などの
準位間の遷移による発光やF中心、遷移金属イオン、希
土類金属イオンやπ電子を持つ有機化合物などの局在中
心による発光など、ある準位に励起された電子がエネル
ギ−の低い準位に脱励起するときに生じる発光など、発
光を示すものなら何でも利用することができる。
That is, light emission due to transition between levels such as a conduction band, a valence band, an impurity level, and an exciton level, an F center, a transition metal ion, and a rare earth metal ion without exhibiting super-resolution characteristics. Use anything that exhibits luminescence, such as luminescence generated when electrons excited to a certain level de-excit to a lower energy level, such as luminescence due to the localized center of an organic compound having π or π electrons. Can be.

【0047】次に、再生信号の補正動作について説明す
る。本実施形態で使用される超解像再生膜12を有する
光ディスク10では、超解像再生膜のない場合に比べ
て、狭ピッチの記録マークを識別再生できる利点を有す
る反面、記録状態に応じて再生信号に歪み(揺らぎ)が
発生しやすい。これは以下の理由で起こる。
Next, the operation of correcting the reproduced signal will be described. The optical disc 10 having the super-resolution reproduction film 12 used in the present embodiment has an advantage that the recording mark having a narrow pitch can be identified and reproduced, as compared with the case without the super-resolution reproduction film, but it has an advantage in that it depends on the recording state. Distortion (fluctuation) is likely to occur in the reproduced signal. This occurs for the following reasons.

【0048】前述したミスライトおよびミスイレーズの
検出時と同様に考えて、強度Ioの再生光を照射して光
ディスク10に記録されている情報を再生する場合、超
解像再生膜12に入射する光は、記録層14の記録マー
ク部(非晶質部)を再生しているときは(1+Trr×
Ra)Io、非記録マーク部(結晶部)を再生している
ときは(1+Trr×Rc)Ioとなる。すなわち、記
録層14の記録状態に依存して超解像再生膜12への入
射フォトン数が変調される。但し、Trrは光ディスク
10に再生光が照射されたときの超解像再生膜12の光
照射により形成された光学開口部の透過率である。
When reproducing the information recorded on the optical disk 10 by irradiating the reproducing light with the intensity Io in the same manner as when detecting the above-described miswrite and mis-erase, the light incident on the super-resolution reproducing film 12 is considered. Is (1 + Trr ×) when a recording mark portion (amorphous portion) of the recording layer 14 is being reproduced.
Ra) Io, and (1 + Trr × Rc) Io when reproducing a non-recorded mark portion (crystal portion). That is, the number of photons incident on the super-resolution reproduction film 12 is modulated depending on the recording state of the recording layer 14. Here, Trr is the transmittance of the optical opening formed by light irradiation of the super-resolution reproduction film 12 when the optical disk 10 is irradiated with reproduction light.

【0049】記録層14の記録マーク部(非晶質部)の
方が非記録マーク部(結晶部)より反射率が低い場合、
図6(a)に示すように、再生光のスポットが主に斜線
で示す記録マーク部Mを照射しているときには光学開口
部(超解像再生膜12中の透過率が高い部分)Aaは小
さく、また図6(b)に示すように、再生光のスポット
が主に記録マーク部以外を照射しているときには光学開
口部Acは大きい、というように光学開口部が記録マー
ク部の有無によって変調を受けることになる。このよう
な超解像再生膜12の光学開口部の変調は再生信号を歪
ませ、再生信号のCNR(キャリアノイズ比)を低下さ
せる要因となる。
When the recording mark portion (amorphous portion) of the recording layer 14 has a lower reflectance than the non-recording mark portion (crystal portion),
As shown in FIG. 6A, when the spot of the reproduction light mainly irradiates the recording mark portion M indicated by oblique lines, the optical aperture (the portion of the super-resolution reproduction film 12 where the transmittance is high) Aa As shown in FIG. 6B, when the spot of the reproduction light mainly irradiates the area other than the recording mark section, the optical opening Ac is large. Modulation. Such modulation of the optical aperture of the super-resolution reproduction film 12 distorts the reproduction signal and causes a reduction in the CNR (carrier noise ratio) of the reproduction signal.

【0050】これを図2で説明すると、超解像再生膜1
2への入射光の実効フォトン数が記録マーク部に対して
はNa、非記録マークに対してはNcというように異な
ることになる。実際、本実施形態のような光ディスク1
0に対して超解像再生膜12を積層して一定の再生パワ
ーで超解像再生動作を試みた結果、超解像再生膜のない
場合に比較して、狭ピッチのマークを識別再生できた
が、超解像再生膜のない場合に比較してノイズレベルが
高かった。
This will be described with reference to FIG.
The effective photon number of the light incident on 2 is different for a recorded mark portion, such as Na, and for a non-recorded mark, Nc. Actually, the optical disc 1 as in this embodiment
As a result of superimposing the super-resolution reproducing film 12 with respect to 0 and attempting a super-resolution reproducing operation with a constant reproducing power, a mark with a narrow pitch can be discriminated and reproduced as compared with the case without the super-resolution reproducing film. However, the noise level was higher than that without the super-resolution reproduction film.

【0051】従って、再生信号の品質を向上させるため
に、再生信号を超解像再生膜12の特性(具体的には、
図2に示した入射フォトン数Npと透過率Trの関係)
に合わせて補正することが望ましい。
Accordingly, in order to improve the quality of the reproduction signal, the reproduction signal is converted into the characteristics of the super-resolution reproduction film 12 (specifically,
(Relationship between incident photon number Np and transmittance Tr shown in FIG. 2)
It is desirable to correct according to

【0052】次に、上述した再生信号の補正機能を有す
る光ディスク装置の実施形態について説明する。図7
は、この光ディスク装置の記録・再生系の構成を示して
いる。光ディスク10はこれまで説明した通り、ディス
ク基板11上に超解像再生膜12、中間層13、記録層
14および保護層15が順次形成された構成である。
Next, an embodiment of an optical disk apparatus having the above-described reproduction signal correcting function will be described. FIG.
Shows the configuration of the recording / reproducing system of the optical disk device. As described above, the optical disk 10 has a configuration in which a super-resolution reproduction film 12, an intermediate layer 13, a recording layer 14, and a protective layer 15 are sequentially formed on a disk substrate 11.

【0053】光ディスク10に記録された情報の再生に
際しては、光源21から一定のパワーPrの再生光が発
生される。この再生光はビームスプリッタ22を介して
第1の対物レンズ23に導かれ、この対物レンズ23に
より光ディスク10に基板11側から微小なスポットと
して照射される。
At the time of reproducing information recorded on the optical disk 10, a reproduction light having a constant power Pr is generated from the light source 21. The reproduction light is guided to the first objective lens 23 via the beam splitter 22, and is irradiated as a minute spot on the optical disk 10 from the substrate 11 side by the objective lens 23.

【0054】光ディスク10からの反射光は、第1の対
物レンズ23を入射光と逆方向に通過して、ビームスプ
リッタ22により第1の光検出器24に導かれ、電気信
号として検出される。第1の光検出器24は、例えば受
光面を複数に分割(例えば2または4分割)した分割光
検出器であり、その各分割面に対応した複数の出力信号
は図示しない演算回路25に入力され、この演算回路2
5によって再生信号系列26やフォーカシングおよびト
ラッキングのための誤差信号が生成される。これらの処
理は周知であるので、詳細な説明は省く。
The reflected light from the optical disk 10 passes through the first objective lens 23 in the direction opposite to the incident light, is guided to the first photodetector 24 by the beam splitter 22, and is detected as an electric signal. The first photodetector 24 is, for example, a divided photodetector obtained by dividing the light receiving surface into a plurality (for example, two or four), and outputs a plurality of output signals corresponding to the respective divided surfaces to an arithmetic circuit 25 (not shown). And this arithmetic circuit 2
5, a reproduction signal sequence 26 and an error signal for focusing and tracking are generated. Since these processes are well known, a detailed description will be omitted.

【0055】一方、再生信号の補正を行うために、第2
の対物レンズ31、第2の光検出器32および補正回路
41が設けられている。補正回路41は、第2の光検出
器32からの超解像再生膜12の脱励起時の発光に対す
る発光検出信号40を参照して、演算回路25からの再
生信号系列25を補正するものである。
On the other hand, in order to correct the reproduced signal, the second
, An objective lens 31, a second photodetector 32, and a correction circuit 41 are provided. The correction circuit 41 corrects the reproduced signal sequence 25 from the arithmetic circuit 25 with reference to the light emission detection signal 40 from the second photodetector 32 for light emission at the time of de-excitation of the super-resolution reproduction film 12. is there.

【0056】次に、本実施形態における再生信号の補正
動作を説明する。再生信号の補正時には、再生直後の光
ディスク10からの反射光が第2の対物レンズ31によ
って集光され、この光が第2の光検出器32により電気
信号として検出される。すなわち、光源21から発生さ
れる再生光が再生パワーPrを通過してからtd秒後
(発光量が最大となる付近の時刻)に発生する超解像再
生膜12の脱励起時の発光が光検出器32で検出され
る。この光検出器32からの発光検出信号40は、補正
回路41に参照信号として入力される。
Next, the operation of correcting a reproduced signal in the present embodiment will be described. When correcting the reproduction signal, the reflected light from the optical disk 10 immediately after reproduction is collected by the second objective lens 31, and this light is detected as an electric signal by the second photodetector 32. That is, the light emitted when the de-excitation of the super-resolution reproduction film 12 occurs td seconds after the reproduction light generated from the light source 21 has passed the reproduction power Pr (near the time when the amount of light emission becomes maximum). It is detected by the detector 32. The light emission detection signal 40 from the light detector 32 is input to the correction circuit 41 as a reference signal.

【0057】補正回路41は、超解像再生膜12の特性
(超解像再生膜12の入射フォトン数Npと透過率Tr
の関係)から、記録層14の記録マーク部の有無による
超解像再生膜12の光学開口部の変調に起因する再生信
号系列26の歪みを推定し、この歪みが除去または減少
されるように再生信号系列26の波形を補正した再生信
号系列43を出力する。
The correction circuit 41 determines the characteristics of the super-resolution reproduction film 12 (the number of incident photons Np and the transmittance Tr of the super-resolution reproduction film 12).
), The distortion of the reproduction signal sequence 26 due to the modulation of the optical aperture of the super-resolution reproduction film 12 due to the presence or absence of the recording mark portion of the recording layer 14 is estimated, and the distortion is removed or reduced. A reproduced signal sequence 43 in which the waveform of the reproduced signal sequence 26 has been corrected is output.

【0058】なお、この再生信号の補正時においても、
超解像再生膜12の脱励起時の発光量が微弱な場合に
は、光源21から発生される再生光が再生パワーPrを
通過してからtd秒後の時点に対して±Δt秒間の期間
の発光量を積算することが望ましい。具体的には、第2
の光検出器32からの発光検出信号40を上記時点を中
心に±Δt秒間の2ΔTの期間にわたり積算してから、
補正回路41に入力するようにする。ここで、Δtは図
3(b)に示したように、超解像再生膜12の脱励起時
の発光により透過率が変化する時間幅である。
It should be noted that, even when correcting the reproduced signal,
When the amount of light emission at the time of de-excitation of the super-resolution reproducing film 12 is weak, a period of ± Δt seconds from a point of time td seconds after the reproducing light generated from the light source 21 passes the reproducing power Pr. It is desirable to integrate the amount of light emission of. Specifically, the second
After integrating the light emission detection signal 40 from the photodetector 32 over a period of 2ΔT of ± Δt seconds centering on the above time,
The data is input to the correction circuit 41. Here, Δt is a time width in which the transmittance changes due to light emission at the time of deexcitation of the super-resolution reproduction film 12, as shown in FIG.

【0059】図8は、再生信号の補正機能を有する光デ
ィスク装置の他の実施形態を示す図であり、図7の構成
に加えてROM42が設けられている。ROM42に
は、超解像再生膜12の特性データ、具体的には例えば
図2に示した入射フォトン数Npと透過率Trの関係が
テーブルとして予め格納されている。本実施形態では、
補正回路41はこのROM42に格納された特性データ
に従って、発光検出信号40を参照して再生信号系列2
5の補正を行う。
FIG. 8 is a diagram showing another embodiment of an optical disk device having a function of correcting a reproduced signal, and a ROM 42 is provided in addition to the configuration of FIG. In the ROM 42, characteristic data of the super-resolution reproducing film 12, specifically, for example, the relationship between the number Np of incident photons and the transmittance Tr shown in FIG. 2 is stored in advance as a table. In this embodiment,
The correction circuit 41 refers to the light emission detection signal 40 in accordance with the characteristic data stored in the ROM 42 and reproduces the reproduced signal sequence 2.
5 is corrected.

【0060】以下、上述した実施形態をさらに具体化し
た実施例について述べる。 [実施例1]本実施例で用いた光ディスクは基本的に図
1に示した構成であり、ディスク基板11としてトラッ
キンググルーブの設けられたポリカーボネイト基板を用
い、この上に超解像再生膜12として発光体膜の機能も
有する半導体微粒子分散形超解像再生膜、中間層13と
して第1光学干渉膜である150nm厚のZnS−Si
2 膜、記録層14として15nm厚のGeSbTe相
変化記録層、そして保護層15として、第2光学干渉膜
の機能を有する25nm厚のZnS−SiO2膜および
反射膜としての100nm厚のAlMo膜の積層膜を形
成した。基板11上への膜形成後の貼合せ、初期化は通
常の方法に従って実施される。
Hereinafter, an example that further embodies the above-described embodiment will be described. [Embodiment 1] The optical disk used in this embodiment has basically the configuration shown in FIG. 1. A polycarbonate substrate provided with a tracking groove is used as a disk substrate 11, and a super-resolution reproduction film 12 is formed thereon. A semiconductor fine particle-dispersed super-resolution reproducing film also having a function of a light emitting film, and a 150 nm thick ZnS-Si film as a first optical interference film as an intermediate layer 13.
O 2 film, 15 nm thick GeSbTe phase change recording layer as the recording layer 14, 25 nm thick ZnS—SiO 2 film having the function of the second optical interference film as the protective layer 15, and 100 nm thick AlMo film as the reflection film Was formed. Lamination and initialization after the film is formed on the substrate 11 are performed according to a usual method.

【0061】半導体微粒子分散形超解像再生膜は、バン
ドギャップが550nm相当のZnTeを微粒子化し、
SiO2 母材中に一様に分散した構造のもので、価電子
帯付近に形成された欠陥準位と伝導帯下部の励起子準位
間で波長650nmの光を吸収遷移し、この遷移によっ
て吸収率の変化、すなわち光透過率の変化が起こるよう
に調整される。この超解像再生膜は、入射光の強度が高
いと励起により欠陥準位の電子数が減少して吸収率が低
下し、透過率が上がる。励起子準位からの脱励起の寿命
は微粒子化の効果により10ns以上に調整されてお
り、十分な透過率変化量が得られている。記録・消去時
には入射光強度が再生時に比較して非常に高いので、光
スポットのほとんどの部分で透過率が高くなっており、
記録・消去過程では超解像再生膜は存在しないのと等価
である。
The semiconductor fine particle-dispersed super-resolution reproducing film is a fine particle of ZnTe having a band gap corresponding to 550 nm,
It has a structure uniformly dispersed in the SiO 2 matrix, and absorbs and transitions light of a wavelength of 650 nm between a defect level formed near the valence band and an exciton level below the conduction band. It is adjusted so that a change in absorptivity, that is, a change in light transmittance occurs. In the super-resolution reproducing film, when the intensity of incident light is high, the number of electrons at the defect level is reduced by excitation, the absorptance is reduced, and the transmissivity is increased. The lifetime of de-excitation from the exciton level is adjusted to 10 ns or more due to the effect of atomization, and a sufficient change in transmittance is obtained. At the time of recording / erasing, the incident light intensity is very high compared to that at the time of reproduction, so the transmittance is high in most parts of the light spot,
In the recording / erasing process, this is equivalent to the absence of the super-resolution reproducing film.

【0062】また、本実施例では光ディスク10の超解
像再生膜12以外の膜としては、極く通常の相変化型媒
体と同様のものを使用しており、特に吸収率調整は行っ
ていないが、超解像再生膜12と第1光学干渉膜の間に
半透明膜を挿入するか、もしくは反射膜の代わりに半透
明膜を用いる等により吸収率調整膜構造を用いても構わ
ない。本実施例の通常の膜構造においては、記録マーク
部(非晶質部)の反射率(Ra)は非記録マーク部(結
晶部)の反射率(Rc)よりも低い。
In this embodiment, as the film other than the super-resolution reproducing film 12 of the optical disk 10, the same film as that of an ordinary phase change type medium is used, and the absorption rate is not particularly adjusted. However, a translucent film may be inserted between the super-resolution reproducing film 12 and the first optical interference film, or an absorptivity adjusting film structure may be used by using a translucent film instead of the reflective film. In the ordinary film structure of this embodiment, the reflectance (Ra) of the recording mark portion (amorphous portion) is lower than the reflectance (Rc) of the non-recording mark portion (crystal portion).

【0063】上記した構成の光ディスク10を用いた場
合について、ベリファイを以下の手順で実施した。図5
に示した構成の光ディスク装置において、光ディスク1
0を図示しないスピンドルモータにより線速度10m/
sで回転させるとともに、光源21として用いた波長6
50nmの半導体レーザを駆動して、第1の光検出器2
4の出力に接続された演算回路からのフォーカシングエ
ラー信号およびトラッキングエラー信号に基づいてフォ
ーカシングおよびトラッキングサーボを行い、光ディス
ク10の所定のトラック上に光ビームを照射する。
In the case where the optical disk 10 having the above configuration was used, verification was performed in the following procedure. FIG.
In the optical disk device having the configuration shown in FIG.
0 by a spindle motor (not shown) with a linear velocity of 10 m /
s and the wavelength 6 used as the light source 21
The first photodetector 2 is driven by driving a semiconductor laser of 50 nm.
Focusing and tracking servo are performed based on a focusing error signal and a tracking error signal from an arithmetic circuit connected to the output of the optical disk 10, and a light beam is irradiated on a predetermined track of the optical disk 10.

【0064】次に、試験用データ(記録・消去信号系列
20)に従って光源21としての半導体レーザを駆動
し、所定の記録マーク列を光ディスク10のトラック上
に記録し、かつ記録した情報を再生した。本実施例の場
合、記録パワーPwは12〜14mW、消去パワーPe
は7mWとして、パルス波によるオーバーライトを行っ
た。また、再生パワーPrは1mWとした。
Next, the semiconductor laser as the light source 21 was driven in accordance with the test data (recording / erasing signal sequence 20), a predetermined record mark sequence was recorded on the track of the optical disk 10, and the recorded information was reproduced. . In the case of this embodiment, the recording power Pw is 12 to 14 mW, and the erasing power Pe is
Was set to 7 mW, and overwriting by a pulse wave was performed. The reproduction power Pr was 1 mW.

【0065】そして、この条件で図5の説明で示したよ
うな記録・消去時のベリファイ動作を行った。但し、第
2の光検出器32からの検出信号を前述した積算を行う
ことなくコンパレータ33,34に入力して、しきい値
TH1,TH2と比較することにより、記録・消去ベリ
ファイ信号系列35を生成した。
Then, under this condition, the verify operation at the time of recording / erasing as shown in the description of FIG. 5 was performed. However, the detection signal from the second photodetector 32 is input to the comparators 33 and 34 without performing the above-described integration, and is compared with the threshold values TH1 and TH2, thereby forming the write / erase verify signal sequence 35. Generated.

【0066】図9に、記録パワーPwと記録・消去ベリ
ファイ信号系列35として検出される記録時の書き込み
エラー発生回数の関係を示した。また、図9には比較の
ために、記録終了後に記録した領域を再生して書き込み
エラー発生回数を調べた結果を従来例として併せて示し
た。この結果より、本実施例の場合の検出される書き込
みエラー発生回数が従来例と一致していることが分か
る。この例では、上述のように光検出器32からの検出
信号の積算(光量の積算)を行わなかったため、信号強
度は弱かったが、書き込みエラー発生回数が従来例と一
致しており、上述した本発明の実施形態による脱励起時
の発光を利用した記録・消去時のベリファイが十分に可
能であることが確認された。
FIG. 9 shows the relationship between the recording power Pw and the number of write error occurrences during recording detected as the recording / erasing verify signal sequence 35. FIG. 9 also shows, as a conventional example, the result of examining the number of write error occurrences by reproducing the area recorded after the end of recording for comparison. From this result, it can be seen that the number of write error occurrences detected in the present embodiment matches the conventional example. In this example, as described above, since the integration of the detection signals from the photodetector 32 (integration of the amount of light) was not performed, the signal intensity was weak, but the number of write error occurrences was the same as in the conventional example. It has been confirmed that verification at the time of recording / erasing using light emission at the time of de-excitation according to the embodiment of the present invention is sufficiently possible.

【0067】[実施例2]本実施形態では、記録層の光
入射側に配置される発光体膜としても機能する半導体微
粒子分散形超解像再生膜に、SiO2 母材中にCdSe
を微粒化して分散させたものを用いた以外は、実施例1
と同様の構成を有する光ディスクを用いた。CdSeの
励起子準位は680nmに相当するが、微粒子化により
励起子準位を短波長側にシフトさせ、波長650nmの
光を照射することにより、価電子帯から励起子準位に遷
移が起こるように超解像再生膜を調整してある。励起子
準位からの脱励起の寿命は微粒子化の効果により10n
s以上に調整されており、十分な透過率変化量が得られ
ている。
[Example 2] In this embodiment, a semiconductor fine particle dispersed super-resolution reproduction film which also functions as a luminous film disposed on the light incident side of the recording layer is made of CdSe in a SiO 2 base material.
Example 1 was repeated except that a fine powder of
An optical disk having the same configuration as that of the above was used. The exciton level of CdSe is equivalent to 680 nm, but the exciton level is shifted to the shorter wavelength side by micronization and irradiation with light having a wavelength of 650 nm causes a transition from the valence band to the exciton level. The super-resolution reproduction film is adjusted as described above. The lifetime of deexcitation from the exciton level is 10n due to the effect of micronization.
s or more, and a sufficient transmittance change amount is obtained.

【0068】上記した構成の光ディスク10を用いた場
合について、ベリファイを以下の手順で実施した。図5
に示した構成の光ディスク装置において、光ディスク1
0を図示しないスピンドルモータにより線速度10m/
sで回転させるとともに、光源21として用いた波長6
50nmの半導体レーザ21を駆動して、第1の光検出
器24の出力に接続された演算回路からのフォーカシン
グエラー信号およびトラッキングエラー信号に基づいて
フォーカシングおよびトラッキングサーボを行い、光デ
ィスク10の所定のトラック上に光ビームを照射した。
In the case where the optical disk 10 having the above configuration was used, verification was performed in the following procedure. FIG.
In the optical disk device having the configuration shown in FIG.
0 by a spindle motor (not shown) with a linear velocity of 10 m /
s and the wavelength 6 used as the light source 21
A 50 nm semiconductor laser 21 is driven to perform focusing and tracking servo based on a focusing error signal and a tracking error signal from an arithmetic circuit connected to the output of the first photodetector 24, and to perform a predetermined track on the optical disc 10. The top was irradiated with a light beam.

【0069】次に、試験用データ(記録・消去信号系列
20)に従って光源21としての半導体レーザを駆動
し、所定の記録マーク列を光ディスク10のトラック上
に記録し、かつ記録した情報を再生した。本実施例の場
合、記録パワーPwは12〜14mW、消去パワーPe
は7mWとして、パルス波によるオーバーライトを行っ
た。また、再生パワーPrは1mWとした。
Next, the semiconductor laser as the light source 21 was driven in accordance with the test data (recording / erasing signal sequence 20), a predetermined record mark sequence was recorded on the track of the optical disk 10, and the recorded information was reproduced. . In the case of this embodiment, the recording power Pw is 12 to 14 mW, and the erasing power Pe is
Was set to 7 mW, and overwriting by a pulse wave was performed. The reproduction power Pr was 1 mW.

【0070】そして、この条件で図5の説明で示したよ
うな記録・消去時のベリファイ動作を行った。但し、本
実施例では第2の光検出器32からの検出信号を前述の
ように±Δt秒間積算して信号強度を増加させた後、コ
ンパレータ33,34に入力してしきい値TH1,TH
2と比較することによって、記録・消去ベリファイ信号
系列35を生成した。
Then, under this condition, the verify operation at the time of recording / erasing as shown in the description of FIG. 5 was performed. However, in the present embodiment, the detection signal from the second photodetector 32 is integrated by ± Δt seconds as described above to increase the signal strength, and then input to the comparators 33 and 34 to output the threshold values TH1 and TH.
By comparison with No. 2, a recording / erasing verify signal sequence 35 was generated.

【0071】図10に、記録パワーPwと記録・消去ベ
リファイ信号系列35として検出される記録時の書き込
みエラー発生回数の関係を示した。また、図10には比
較のために、記録終了後に記録した領域を再生して書き
込みエラー発生回数を調べた結果を従来例として併せて
示した。この結果より、本実施例の場合の検出される書
き込みエラー発生回数が従来例と一致していることが分
かる。この例においても、やはり書き込みエラー発生回
数が従来例と一致しており、上述した本発明の実施形態
による脱励起時の発光を利用した記録・消去時のベリフ
ァイが十分に可能であることが確認された。
FIG. 10 shows the relationship between the recording power Pw and the number of write error occurrences during recording detected as the recording / erasing verify signal sequence 35. FIG. 10 also shows, as a conventional example, a result of examining the number of write errors by reproducing a recorded area after the end of recording for comparison. From this result, it can be seen that the number of write error occurrences detected in the present embodiment matches the conventional example. Also in this example, the number of times of occurrence of the write error coincides with that of the conventional example, and it is confirmed that the verifying at the time of recording / erasing using the light emission at the time of de-excitation according to the above-described embodiment of the present invention is sufficiently possible. Was done.

【0072】[実施例3]本実施例においては、記録層
の光入射側に配置される発光体膜として、蛍光体である
3.5MgO・0.5MgF2 ・GeO2 :Mn2+を用
いた以外は、実施例1と同様の構成を有する光ディスク
を用いた。この光ディスク10を用いた場合について、
ベリファイを以下の手順で実施した。図5に示した構成
の光ディスク装置において、光ディスク10を図示しな
いスピンドルモータにより線速度10m/sで回転させ
るとともに、波長430nmの光を発生させ、第1の光
検出器24の出力に接続された演算回路からのフォーカ
シングエラー信号およびトラッキングエラー信号に基づ
いてフォーカシングおよびトラッキングサーボを行い、
光ディスク10の所定のトラック上に光ビームを照射す
る。波長430nmの光としては、光源21として赤外
領域で発振させた半導体レーザを用い、その出力光の2
次高調波を利用した。
[0072] [Example 3] In this embodiment, as the light emitter layer disposed on the light incident side of the recording layer, 3.5MgO · 0.5MgF 2 · GeO 2 is a phosphor: use the Mn 2+ An optical disk having the same configuration as in Example 1 was used except for the above. In the case where this optical disk 10 is used,
Verification was performed in the following procedure. In the optical disk device having the configuration shown in FIG. 5, the optical disk 10 was rotated at a linear velocity of 10 m / s by a spindle motor (not shown), and light having a wavelength of 430 nm was generated and connected to the output of the first photodetector 24. Performs focusing and tracking servo based on the focusing error signal and tracking error signal from the arithmetic circuit,
A light beam is irradiated on a predetermined track of the optical disc 10. As the light having a wavelength of 430 nm, a semiconductor laser oscillated in the infrared region is used as the light source 21, and the output light 2
The second harmonic was used.

【0073】次に、試験用データ(記録・消去信号系列
20)に従って光源21としての半導体レーザを駆動
し、所定の記録マーク列を光ディスク10のトラック上
に記録し、かつ記録した情報を再生した。本実施例の場
合、記録パワーPwは10mW、消去パワーPeは6m
Wとして、パルス波によるオーバーライトを行った。ま
た、再生パワーPrは1mWとした。
Next, the semiconductor laser as the light source 21 was driven in accordance with the test data (recording / erasing signal sequence 20), a predetermined record mark sequence was recorded on the track of the optical disk 10, and the recorded information was reproduced. . In the case of this embodiment, the recording power Pw is 10 mW and the erasing power Pe is 6 m
As W, overwriting by a pulse wave was performed. The reproduction power Pr was 1 mW.

【0074】そして、この条件で図5の説明で示したよ
うな記録・消去時のベリファイ動作を行った。但し、本
実施例では第2の光検出器32からの検出信号を前述の
ように±Δt秒間積算して信号強度を増加させた後、コ
ンパレータ33,34に入力してしきい値TH1,TH
2と比較することにより、記録・消去ベリファイ信号系
列35を生成した。
Then, under this condition, the verify operation at the time of recording / erasing as shown in the description of FIG. 5 was performed. However, in the present embodiment, the detection signal from the second photodetector 32 is integrated by ± Δt seconds as described above to increase the signal strength, and then input to the comparators 33 and 34 to output the threshold values TH1 and TH.
By comparing with No. 2, a recording / erasing verify signal sequence 35 was generated.

【0075】記録パワーPwと記録・消去ベリファイ信
号系列35として検出される記録時の書き込みエラー発
生回数の関係を調べたところ、検出される書き込みエラ
ー発生回数は記録終了後に記録した領域を再生して書き
込みエラー発生回数を調べた従来例と従来例と一致し、
上述した本発明の実施形態による脱励起時の発光を利用
した記録・消去時のベリファイが十分に可能であること
が確認された。
When the relationship between the recording power Pw and the number of write error occurrences at the time of recording detected as the write / erase verify signal sequence 35 was examined, the number of write error occurrences detected was determined by reproducing the recorded area after the end of recording. According to the conventional example and the conventional example where the number of write error occurrences was checked,
It has been confirmed that verification at the time of recording / erasing using light emission at the time of de-excitation according to the above-described embodiment of the present invention is sufficiently possible.

【0076】[実施例4]実施例1と同様な光記録媒体
を用いて、再生信号の補正を以下の手順に従って実施し
た。図7に示した構成の光ディスク装置において、光デ
ィスク10を図示しないスピンドルモータにより線速度
10m/sで回転させるとともに、光源21として用い
た波長650nmの半導体レーザを駆動して、第1の光
検出器24の出力に接続された演算回路からのフォーカ
シングエラー信号およびトラッキングエラー信号に基づ
いてフォーカシングおよびトラッキングサーボを行い、
光ディスク10の所定のトラック上に光ビームを照射し
た。
[Embodiment 4] Using the same optical recording medium as in Embodiment 1, the reproduction signal was corrected according to the following procedure. In the optical disk device having the configuration shown in FIG. 7, the optical disk 10 is rotated at a linear velocity of 10 m / s by a spindle motor (not shown), and the semiconductor laser having a wavelength of 650 nm used as the light source 21 is driven to form the first optical detector. Focusing and tracking servo are performed based on a focusing error signal and a tracking error signal from an arithmetic circuit connected to the output of 24.
A light beam was irradiated on a predetermined track of the optical disc 10.

【0077】次に、試験用データ(記録・消去信号系列
20)に従って光源21としての半導体レーザを駆動
し、所定の記録マーク列を光ディスク10のトラック上
に記録した後、記録した情報を再生した。本実施例の場
合、記録パワーPwは12mW、消去パワーPeは7m
Wのオーバライトモードで、マークピッチを0.67μ
m〜0.33μmの間(ビットピッチで0.4μm〜
0.2μm)で変え、トラック毎に単一周波数のオーバ
ライト記録を行った。記録は、各トラック共複数回行
い、CNRと消去率を測定した。
Next, the semiconductor laser as the light source 21 is driven in accordance with the test data (recording / erasing signal sequence 20), a predetermined record mark sequence is recorded on the track of the optical disk 10, and the recorded information is reproduced. . In the case of this embodiment, the recording power Pw is 12 mW and the erasing power Pe is 7 m
In overwrite mode of W, mark pitch 0.67μ
m to 0.33 μm (at a bit pitch of 0.4 μm to
0.2 μm), and a single frequency overwrite recording was performed for each track. Recording was performed a plurality of times for each track, and the CNR and erasure rate were measured.

【0078】予め比較例として作製した超解像再生膜の
ない光ディスクに対する記録再生試験を行った結果で
は、マークピッチが0.67μmではCNRは54d
B、消去比は−33dBと実用上十分な値を示したが、
ピッチが0.6μm以下で急激にCNR、消去比共に劣
化した。この比較例のように吸収率調整のない相変化媒
体では、オーバライトジッタの増加も相俟って隣接する
マーク間の符号間干渉が大きく、超解像再生を行わない
場合にはマークピッチ0.58μm(ビットピッチ:
0.35μm)が線密度の限界であった。補足ではある
が、超解像再生膜がない場合でも、吸収率調整を行った
光ディスクではマークピッチ0.5μm(ビットピッ
チ:0.3μm)の線密度まで詰めることが可能であっ
た。
As a result of performing a recording / reproducing test on an optical disk having no super-resolution reproducing film produced in advance as a comparative example, the CNR is 54d when the mark pitch is 0.67 μm.
B, the erasure ratio was -33 dB, which is a practically sufficient value.
When the pitch was 0.6 μm or less, both the CNR and the erasing ratio deteriorated rapidly. In the phase change medium without the adjustment of the absorptivity as in this comparative example, the intersymbol interference between adjacent marks is large due to the increase of the overwrite jitter, and the mark pitch is 0 when super-resolution reproduction is not performed. .58 μm (bit pitch:
0.35 μm) was the limit of linear density. As a supplement, even if there is no super-resolution reproducing film, it is possible to reduce the mark density to a line density of 0.5 μm (bit pitch: 0.3 μm) on an optical disk whose absorption rate has been adjusted.

【0079】そして、以上のように記録マークの形成を
行った光ディスクからの再生を以下の手順で行った。超
解像再生を実施する場合、再生時の超解像再生膜12へ
の入射フォトン数(図2のNp)が重要であるので、先
ず再生パワーPrを変えて最適なパワーを選んだ。超解
像再生膜がない場合は、吸収率調整膜構成においても十
分なCNRが得られないマークピッチ0.4μmの記録
マーク列に対して、再生パワーPrを変えながら再生動
作を行い、再生CNRが最大になるパワーを最適再生パ
ワーとして選んだ。このときのCNRは、超解像再生膜
のない従来構造の光ディスク(吸収率調整膜構造も含め
て)よりも高く、本発明の実施に用いた超解像再生膜1
2が符号間干渉の低減化に十分に機能していることが明
らかとなった。
Then, reproduction from the optical disk on which the recording marks were formed as described above was performed in the following procedure. When super-resolution reproduction is performed, the number of photons incident on the super-resolution reproduction film 12 during reproduction (Np in FIG. 2) is important. Therefore, the reproduction power Pr was first changed to select the optimum power. When there is no super-resolution reproducing film, the reproducing operation is performed while changing the reproducing power Pr on a recording mark array having a mark pitch of 0.4 μm, where a sufficient CNR cannot be obtained even in the configuration of the absorptivity adjusting film. Was selected as the optimum reproduction power. At this time, the CNR is higher than that of an optical disc having a conventional structure without a super-resolution reproducing film (including the absorption adjusting film structure).
2 has been found to function sufficiently to reduce intersymbol interference.

【0080】但し、信号レベルだけを見ると、確かに狭
ピッチのマーク列を識別再生できていたが、雑音レベル
が高く、CNR値は実用上十分とは言えなかった。第1
の光検出器24からの検出信号を演算回路25に通して
生成した再生信号系列26を見ると、記録信号は単一周
波数の正弦波であるにも関わらず、図7中に示したよう
に反射率の高い非記録マーク部(結晶部)からの信号が
反射率の低い記録マーク部(非晶質部)からの信号より
も助長されており、かつ立上り、立下がり部のノイズが
顕著であった。この再生信号系列26のノイズの原因は
前述した通り、超解像再生膜12に形成される光学開口
が記録状態(記録マーク部の有無)によって変調される
ためである。
However, looking at only the signal level, it was possible to identify and reproduce a narrow pitch mark row, but the noise level was high and the CNR value was not practically sufficient. First
Looking at the reproduced signal sequence 26 generated by passing the detection signal from the photodetector 24 through the arithmetic circuit 25, the recorded signal is a single frequency sine wave, as shown in FIG. The signal from the non-recording mark portion (crystal portion) having a high reflectance is promoted more than the signal from the recording mark portion (amorphous portion) having a low reflectance, and the noise at the rising and falling portions is remarkable. there were. As described above, the cause of the noise in the reproduction signal sequence 26 is that the optical aperture formed in the super-resolution reproduction film 12 is modulated by the recording state (the presence or absence of a recording mark).

【0081】一方、超解像再生膜12の脱励起時の発光
を第1の対物レンズ31で集光し、第2の光検出器32
で検出して得られた発光検出信号40は、記録層14上
の記録マーク部の有無を反映した信号であり、この発光
検出信号40を参照して補正回路41により再生信号系
列26の波形を補正する。具体的には、記録層14の非
晶質部および結晶部にそれぞれ再生光のスポットが入射
しているときの超解像再生膜12への実効的入射光強度
をIa* ,Ic* とすると、これらは Ia* =(1+Tr1×Ra)Io Ic* =(1+Tr2×Rc)Io と近似的におくことができる。ここで、Ioは光源21
からの再生光の強度、RaおよびRcは記録層14の非
晶質部および結晶部の反射率、Tr1およびTr2は強
度Ioの再生光が反射率RaおよびRcで反射された後
に超解像再生膜12に入射したときの超解像再生膜12
の透過率であり、これらはいずれも予め求めておくこと
ができる。
On the other hand, the light emitted when the super-resolution reproducing film 12 is de-excited is condensed by the first objective lens 31, and the second light detector 32
Is a signal reflecting the presence or absence of a recording mark portion on the recording layer 14. The correction circuit 41 refers to the light emission detection signal 40 to change the waveform of the reproduced signal sequence 26. to correct. More specifically, if the effective incident light intensity on the super-resolution reproduction film 12 when the spot of the reproduction light is incident on the amorphous portion and the crystal portion of the recording layer 14, respectively, it is assumed that Ia * and Ic *. , These can be approximated as Ia * = (1 + Tr1 × Ra) Io Ic * = (1 + Tr2 × Rc) Io. Here, Io is the light source 21
Ra and Rc are the reflectivities of the amorphous portion and the crystalline portion of the recording layer 14, and Tr1 and Tr2 are the super-resolution reproduction light after the reproduction light of intensity Io is reflected at the reflectances Ra and Rc. Super-resolution reproduction film 12 when incident on film 12
, Which can be determined in advance.

【0082】そこで、補正回路41は再生信号系列26
のボトム(非晶質部からの反射光強度に対応する部分)
に対しては、1/Io(1+Tr1×Ra)の補正係
数、再生信号系列26のピーク(結晶部からの反射光強
度に対応する部分)に対しては、1/Io(1+Tr2
×Rc)の補正係数、そしてボトムとピークの中間強度
部に対しては、1/Io(1+Tr1×Ra)と1/I
o(1+Tr2×Rc)の相加平均値からなる補正係数
を有する補正信号を演算により求め、この補正信号によ
って再生信号系列26を補正した。
Therefore, the correction circuit 41 outputs the reproduction signal sequence 26
Bottom (part corresponding to the reflected light intensity from the amorphous part)
, The correction coefficient of 1 / Io (1 + Tr1 × Ra), and the peak of the reproduced signal sequence 26 (the portion corresponding to the intensity of light reflected from the crystal part) is 1 / Io (1 + Tr2).
× Rc), and 1 / Io (1 + Tr1 × Ra) and 1 / I
A correction signal having a correction coefficient consisting of an arithmetic mean value of o (1 + Tr2 × Rc) was obtained by calculation, and the reproduction signal sequence 26 was corrected using the correction signal.

【0083】このようにして補正回路41で補正された
後の再生信号系列43は、記録信号とほぼ同一の単一周
波数の歪みの少ない波形となった。この再生信号系列4
3を図示しない再生信号処理系に送って元の情報を識別
再生することによって、狭ピッチの記録マーク列に対し
てもエラーレートの低い良好な再生が可能となり、マー
クピッチ0.33μmでも十分に安定した動作が成立す
ることが明らかとなった。
The reproduced signal sequence 43 corrected by the correction circuit 41 in this way has a waveform with a single frequency and almost the same distortion as that of the recording signal, which has almost no distortion. This reproduced signal sequence 4
3 is sent to a reproduction signal processing system (not shown) to discriminate and reproduce the original information, thereby enabling good reproduction with a low error rate even for a narrow pitch recording mark row. It became clear that stable operation was established.

【0084】[実施例5]次に、図8に示したようにR
OM42に格納された超解像再生膜12の特性データ
(図2の入射フォトン数Npと透過率Trの関係)に従
って再生信号系列26を補正する例について説明する。
本実施例では再生信号系列26のボトム(非晶質部から
の反射光強度に対応する部分)に対しては、1/Io
(1+Tr1×Ra)の補正係数、再生信号系列26の
ピーク(結晶部からの反射光強度に対応する部分)に対
しては、1/Io(1+Tr2×Rc)の補正係数、そ
してボトムとピークの中間強度部に対しては、1/Io
(1+Tr1×Ra)と1/Io(1+Tr2×Rc)
の相加平均値からなる補正係数を有する補正信号を演算
により求め、この補正信号によって再生信号系列26を
補正する点は実施例4と同様であるが、この際にROM
42に格納されている特性から求まる透過率Tr1,T
r2を使用する点が実施例4と異なっている。
[Embodiment 5] Next, as shown in FIG.
An example in which the reproduction signal sequence 26 is corrected according to the characteristic data of the super-resolution reproduction film 12 stored in the OM 42 (the relationship between the number Np of incident photons and the transmittance Tr in FIG. 2) will be described.
In this embodiment, 1 / Io is applied to the bottom of the reproduced signal sequence 26 (the portion corresponding to the intensity of the reflected light from the amorphous portion).
The correction coefficient of (1 + Tr1 × Ra), the correction coefficient of 1 / Io (1 + Tr2 × Rc) for the peak of the reproduction signal sequence 26 (the portion corresponding to the intensity of light reflected from the crystal part), and the bottom and peak 1 / Io for intermediate strength part
(1 + Tr1 × Ra) and 1 / Io (1 + Tr2 × Rc)
In the same manner as in the fourth embodiment, a correction signal having a correction coefficient consisting of an arithmetic average value of the above is calculated, and the reproduction signal sequence 26 is corrected by the correction signal.
The transmittances Tr1 and T determined from the characteristics stored in 42
The difference from the fourth embodiment is that r2 is used.

【0085】さらに詳細に説明すると、前述したように
記録層14の記録状態に依存して超解像再生膜12への
入射フォトン数が変調されるため、再生信号系列26の
レベルもこれに依存して、記録層14からの反射率の変
化のみに依存した本来のレベルから変化する。従って、
演算回路41で再生信号系列26のレベルに対応してR
OM42のアドレスを生成すれば、ROM42から再生
信号系列26のレベル、つまり超解像再生膜12への入
射フォトン数に対応した透過率のデータが読み出される
ことになる。
More specifically, as described above, since the number of photons incident on the super-resolution reproducing film 12 is modulated depending on the recording state of the recording layer 14, the level of the reproduced signal sequence 26 also depends on this. As a result, the level changes from the original level depending only on the change in the reflectance from the recording layer 14. Therefore,
In the arithmetic circuit 41, R
When the address of the OM 42 is generated, the data of the transmittance corresponding to the level of the reproduction signal sequence 26, that is, the number of photons incident on the super-resolution reproduction film 12 is read from the ROM 42.

【0086】すなわち、実施例4では図1に示した入射
フォトン数Npと透過率Trの関係を直線近似して用い
ていたのに対して、本実施例では実際のとNpとTrの
関係を使用して再生信号系列26を補正することによ
り、補正後の再生信号系列43としてより正確に原信号
波形を再現することが可能となる。
That is, in the fourth embodiment, the relationship between the number Np of incident photons and the transmittance Tr shown in FIG. By correcting the reproduced signal sequence 26 by using this, it is possible to more accurately reproduce the original signal waveform as the corrected reproduced signal sequence 43.

【0087】なお、以上説明した実施形態では超解像再
生膜あるいは他の発光体膜を記録層の光入射側に配置し
た相変化型光記録媒体を用いた場合について説明した
が、本発明は超解像再生膜あるいは他の発光体膜を記録
層の光入射側に配置した光記録媒体であれば、相変化型
以外の光記録媒体を用いた場合にも適用できる。
In the embodiment described above, a case is described in which a phase-change optical recording medium in which a super-resolution reproducing film or another luminous film is arranged on the light incident side of the recording layer is used. As long as the optical recording medium has a super-resolution reproducing film or another luminous film disposed on the light incident side of the recording layer, the present invention can be applied to the case where an optical recording medium other than the phase change type is used.

【0088】また、上述した実施形態では超解像再生膜
として半導体微粒子分散形超解像再生膜を用いたが、光
により超解像再生膜が発光を示すものであれば適用でき
る。さらに、DVD−ROM、WORM、CD−R等に
も本発明を適用することが可能である。
Further, in the above-described embodiment, the semiconductor fine particle-dispersed super-resolution reproducing film is used as the super-resolution reproducing film. However, the present invention can be applied as long as the super-resolution reproducing film emits light by light. Further, the present invention can be applied to a DVD-ROM, a WORM, a CD-R, and the like.

【0089】[0089]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば記
録層の光入射側に光照射に伴い発光する発光体膜を有す
る光記録媒体を用いた光メモリ装置において、光記録媒
体に光を照射した後に起こる発光体膜の発光を検出し、
その発光検出信号を用いて光記録媒体の記録状態を検証
するため、記録と並行して記録状態の検証を行うことが
可能であり、従来のベリファイ法に比較してベリファイ
に要する時間を大幅に短縮することができる。
As described above, according to the present invention, in an optical memory device using an optical recording medium having a luminous film which emits light upon irradiation with light on the light incident side of the recording layer, light is applied to the optical recording medium. Detecting the luminescence of the luminous body film that occurs after irradiation,
Since the recording state of the optical recording medium is verified using the light emission detection signal, it is possible to verify the recording state in parallel with the recording, and the time required for the verification is greatly reduced as compared with the conventional verification method. Can be shortened.

【0090】また、本発明によれば同様の光記録媒体に
光を入射した後に起こる発光体膜の発光を検出し、その
発光検出信号を参照して、あるいは発光体膜が超解像再
生膜の場合、さらに超解像再生膜の特性を参照して再生
信号を補正することにより、再生信号の歪みを除去また
は低減させることができ、低エラーレートの再生情報を
得ることができる。
Further, according to the present invention, the light emission of the luminous film occurring after the light is incident on the same optical recording medium is detected, and the luminous film is referred to as the super-resolution reproducing film by referring to the luminescence detection signal. In this case, by further correcting the reproduction signal with reference to the characteristics of the super-resolution reproduction film, distortion of the reproduction signal can be removed or reduced, and reproduction information with a low error rate can be obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の一実施形態に係る光メモリ装置におけ
る光記録媒体の基本的な構成を示す断面図
FIG. 1 is a sectional view showing a basic configuration of an optical recording medium in an optical memory device according to an embodiment of the present invention.

【図2】同光ディスクにおける超解像再生膜の入射フォ
トン数と透過率の関係を示す特性図
FIG. 2 is a characteristic diagram showing a relationship between the number of incident photons and the transmittance of a super-resolution reproducing film in the optical disc.

【図3】同光ディスクにおける超解像再生膜における透
過率の時間変化および脱励起時の発光量の時間変化を示
す特性図
FIG. 3 is a characteristic diagram showing a time change of a transmittance and a time change of a light emission amount at the time of de-excitation in a super-resolution reproducing film of the optical disc.

【図4】同実施形態における記録・消去時のベリファイ
動作を説明するためのタイミングチャート
FIG. 4 is a timing chart for explaining a verify operation at the time of recording / erasing in the embodiment;

【図5】同実施形態に係る記録・消去時のベリファイ機
能を有する光メモリ装置の記録再生系の構成図
FIG. 5 is a configuration diagram of a recording / reproducing system of the optical memory device having a verify function at the time of recording / erasing according to the embodiment;

【図6】超解像再生の原理を示す図FIG. 6 is a diagram showing the principle of super-resolution reproduction.

【図7】同実施形態における再生信号補正機能を有する
光メモリ装置の記録再生系の構成図
FIG. 7 is a configuration diagram of a recording / reproducing system of the optical memory device having a reproduced signal correction function according to the embodiment;

【図8】同実施形態における再生信号補正機能を有する
光メモリ装置の記録再生系の他の構成図
FIG. 8 is another configuration diagram of a recording / reproducing system of the optical memory device having a reproduced signal correction function according to the embodiment.

【図9】本発明の実施例1および従来例における書き込
みエラー回数と記録パワーの関係を示す図
FIG. 9 is a diagram showing the relationship between the number of write errors and the recording power in the first embodiment of the present invention and the conventional example.

【図10】本発明の実施例2および従来例における書き
込みエラー回数と記録パワーの関係を示す図
FIG. 10 is a diagram showing the relationship between the number of write errors and the recording power in Example 2 of the present invention and the conventional example.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10…光ディスク 11…光ディスク基板 12…超解像再生膜 13…中間層 14…記録層 15…保護層 20…記録・消去信号系列 21…半導体レーザ 22…ビームスプリッタ 23…第1の対物レンズ 24…第1の光検出器 25…演算回路 26…再生信号系列 31…第1の対物レンズ 32…第2の光検出器 33…ミスライト検出用コンパレータ 34…ミスイレーズ検出用コンパレータ 35…記録・消去ベリファイ信号系列 36…演算回路 40…発光検出信号 41…補正回路 42…超解像再生膜の特性データを格納したROM 43…補正後の再生信号系列 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Optical disk 11 ... Optical disk substrate 12 ... Super-resolution reproduction | regeneration film 13 ... Intermediate layer 14 ... Recording layer 15 ... Protective layer 20 ... Recording / erasing signal series 21 ... Semiconductor laser 22 ... Beam splitter 23 ... 1st objective lens 24 ... First photodetector 25 arithmetic circuit 26 reproduced signal sequence 31 first objective lens 32 second photodetector 33 mis-write detection comparator 34 mis-erase detection comparator 35 recording / erasing verify signal Sequence 36 arithmetic circuit 40 emission detection signal 41 correction circuit 42 ROM storing characteristic data of the super-resolution reproduction film 43 reproduction signal sequence after correction

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】光の照射により情報の記録を行う記録層お
よび該記録層の光入射側に配置された光照射に伴い発光
する発光体膜を有する光記録媒体と、 この光記録媒体に光を照射した後に起こる前記発光体膜
の発光を検出する発光検出手段と、 この発光検出手段より出力される発光検出信号を用いて
前記光記録媒体の記録状態を検証する検証手段とを具備
することを特徴とする光メモリ装置。
1. An optical recording medium having a recording layer on which information is recorded by irradiation of light, a light-emitting film disposed on the light incident side of the recording layer and emitting light upon irradiation with light, Light emission detection means for detecting light emission of the luminous body film occurring after irradiating light, and verification means for verifying a recording state of the optical recording medium using a light emission detection signal output from the light emission detection means. An optical memory device characterized by the above-mentioned.
【請求項2】光の照射により情報の記録を行う記録層お
よび該記録層の光入射側に配置され、光照射による電子
励起に伴い光学的変化を生じ、該光照射後の励起電子の
脱励起に伴い発光を生じる超解像再生膜を有する光記録
媒体と、 この光記録媒体に光を照射した後に起こる前記超解像再
生膜の励起電子の脱励起に伴う発光を検出する発光検出
手段と、 この発光検出手段より出力される発光検出信号を用いて
前記光記録媒体の記録状態を検証する検証手段とを具備
することを特徴とする光メモリ装置。
2. A recording layer on which information is recorded by irradiation of light, and a recording layer disposed on the light incident side of the recording layer, wherein an optical change is caused by electron excitation by light irradiation, and the removal of excited electrons after the light irradiation. An optical recording medium having a super-resolution reproduction film that emits light in response to excitation; and an emission detection unit that detects light emission accompanying de-excitation of excited electrons in the super-resolution reproduction film that occurs after irradiating the optical recording medium with light. An optical memory device comprising: a light emission detection signal output from the light emission detection means; and a verification means for verifying a recording state of the optical recording medium.
【請求項3】前記検証手段は、前記発光検出信号のレベ
ルと所定のしきい値を比較することにより前記光記録媒
体の記録状態を検証することを特徴とする請求項1また
は2記載の光メモリ装置。
3. The optical memory according to claim 1, wherein said verifying means verifies a recording state of said optical recording medium by comparing a level of said light emission detection signal with a predetermined threshold value. apparatus.
【請求項4】光の照射により情報の再生を行う記録層お
よび該記録層の光入射側に配置された光照射に伴い発光
する発光体膜を有する光記録媒体と、 この光記録媒体に光を入射した後に起こる前記発光体膜
の発光を検出する発光検出手段と、 この発光検出手段より出力される発光検出信号を参照し
て前記光記録媒体からの再生信号を補正する補正手段と
を具備することを特徴とする光メモリ装置。
4. An optical recording medium having a recording layer for reproducing information by irradiating light, a light emitting film disposed on the light incident side of the recording layer and emitting light upon irradiation with light, Light emission detection means for detecting light emission of the luminous body film occurring after light is incident thereon, and correction means for correcting a reproduction signal from the optical recording medium with reference to a light emission detection signal output from the light emission detection means. An optical memory device, comprising:
【請求項5】光の照射により情報の再生を行う記録層お
よび該記録層の光入射側に配置され、光照射による電子
励起に伴い光学的変化を生じ、該光照射後の励起電子の
脱励起に伴い発光を生じる超解像再生膜を有する光記録
媒体と、 この光記録媒体に光を照射した後に起こる前記超解像再
生膜の励起電子の脱励起に伴う発光を検出する発光検出
手段と、 この発光検出手段より出力される発光検出信号を参照し
て前記光記録媒体からの再生信号を補正する補正手段と
を具備することを特徴とする光メモリ装置。
5. A recording layer for reproducing information by irradiation of light and a recording layer disposed on a light incident side of the recording layer, wherein an optical change is caused by electron excitation by the light irradiation, and the removal of excited electrons after the light irradiation. An optical recording medium having a super-resolution reproduction film that emits light in response to excitation; and an emission detection unit that detects light emission accompanying de-excitation of excited electrons in the super-resolution reproduction film that occurs after irradiating the optical recording medium with light. An optical memory device comprising: a correction unit that corrects a reproduction signal from the optical recording medium with reference to a light emission detection signal output from the light emission detection unit.
【請求項6】前記補正手段は、前記発光検出信号を参照
して前記超解像再生膜の特性に従って前記光記録媒体か
らの再生信号を補正することを特徴とする請求項5記載
の光メモリ装置。
6. The optical memory device according to claim 5, wherein said correction means corrects a reproduction signal from said optical recording medium in accordance with characteristics of said super-resolution reproduction film with reference to said emission detection signal. .
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