JPH1174190A - Ｘ線露光装置 - Google Patents
Ｘ線露光装置Info
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- JPH1174190A JPH1174190A JP10026337A JP2633798A JPH1174190A JP H1174190 A JPH1174190 A JP H1174190A JP 10026337 A JP10026337 A JP 10026337A JP 2633798 A JP2633798 A JP 2633798A JP H1174190 A JPH1174190 A JP H1174190A
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- magnification
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
-
- G—PHYSICS
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- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
- G03F9/7023—Aligning or positioning in direction perpendicular to substrate surface
- G03F9/703—Gap setting, e.g. in proximity printer
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 マスク倍率を補正した場合にも高精度の露光
を可能にする。 【解決手段】 マスクと被露光体との平面方向およびそ
れと垂直な方向の相対位置ずれを測定するＡＡおよびＡ
Ｆ手段と、このＡＡおよびＡＦ手段の測定値に応じてマ
スクと被露光体とを前記各方向に相対移動させるステー
ジと、マスク倍率補正機構とを備えたＸ線露光装置にお
いて、マスクの倍率補正によるマスクパターンの位置ず
れ量を検出する手段と、その検出結果に応じてＡＡおよ
びＡＦ測定値またはステージ駆動量を補正する手段を設
ける。
を可能にする。 【解決手段】 マスクと被露光体との平面方向およびそ
れと垂直な方向の相対位置ずれを測定するＡＡおよびＡ
Ｆ手段と、このＡＡおよびＡＦ手段の測定値に応じてマ
スクと被露光体とを前記各方向に相対移動させるステー
ジと、マスク倍率補正機構とを備えたＸ線露光装置にお
いて、マスクの倍率補正によるマスクパターンの位置ず
れ量を検出する手段と、その検出結果に応じてＡＡおよ
びＡＦ測定値またはステージ駆動量を補正する手段を設
ける。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子等の製
造に用いられる、Ｘ線露光装置に関する。
造に用いられる、Ｘ線露光装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、ＬＳＩなどで固体素子の集積度お
よび動作速度向上のため、回路パターンの微細化が進ん
でいる。これらのＬＳＩを製造する過程の回路パターン
形成では、将来的な露光技術として、ＳＯＲ光源等から
の高輝度Ｘ線を利用した微細パターンの形成が注目され
ている。Ｘ線露光方法には、大別して軟Ｘ線のうち波長
０．５ｎｍから２ｎｍのものを用いた近接等倍Ｘ線露光
方法と、４ｎｍから２０ｎｍのものを用い、反射型マス
クを用いた縮小投影露光方法がある。
よび動作速度向上のため、回路パターンの微細化が進ん
でいる。これらのＬＳＩを製造する過程の回路パターン
形成では、将来的な露光技術として、ＳＯＲ光源等から
の高輝度Ｘ線を利用した微細パターンの形成が注目され
ている。Ｘ線露光方法には、大別して軟Ｘ線のうち波長
０．５ｎｍから２ｎｍのものを用いた近接等倍Ｘ線露光
方法と、４ｎｍから２０ｎｍのものを用い、反射型マス
クを用いた縮小投影露光方法がある。
【０００３】前者では、本出願人から特開平２−１００
３１１に示す露光装置が提案されている。この方式にお
いては、露光波長が短いため、原理的に０．１μｍ以下
の高い解像度が得られる可能性がある。近接等倍Ｘ線露
光法では、等倍Ｘ線マスクと呼ばれる透過型マスクが用
いられる。上記等倍Ｘ線マスクにおけるＸ線が透過する
部分は、メンブレンと呼ばれるＳｉＮ・ＳｉＣ等の軽元
素材料で形成され、通常厚さ２μｍ程度で、３５ｍｍ□
程度の薄膜から成っている。上記等倍Ｘ線マスクにおけ
るＸ線を吸収する部分としては、吸収体と呼ばれるＷや
Ｔａ等の重金属からなる厚さ０．５から１．０μｍ程度
の回路パターンが上記メンブレン上に形成されている。
また、近接等倍Ｘ線露光法の光学系は、例えば光源から
のＸ線をＸ線ミラーにより所定のフィールドサイズに拡
大しＸ線マスクを通してＸ線マスクと対峙しているウエ
ハ基板にパターンを転写する。
３１１に示す露光装置が提案されている。この方式にお
いては、露光波長が短いため、原理的に０．１μｍ以下
の高い解像度が得られる可能性がある。近接等倍Ｘ線露
光法では、等倍Ｘ線マスクと呼ばれる透過型マスクが用
いられる。上記等倍Ｘ線マスクにおけるＸ線が透過する
部分は、メンブレンと呼ばれるＳｉＮ・ＳｉＣ等の軽元
素材料で形成され、通常厚さ２μｍ程度で、３５ｍｍ□
程度の薄膜から成っている。上記等倍Ｘ線マスクにおけ
るＸ線を吸収する部分としては、吸収体と呼ばれるＷや
Ｔａ等の重金属からなる厚さ０．５から１．０μｍ程度
の回路パターンが上記メンブレン上に形成されている。
また、近接等倍Ｘ線露光法の光学系は、例えば光源から
のＸ線をＸ線ミラーにより所定のフィールドサイズに拡
大しＸ線マスクを通してＸ線マスクと対峙しているウエ
ハ基板にパターンを転写する。
【０００４】しかしながら、上記従来技術で説明したよ
うな、近接等倍Ｘ線露光法は、従来の光露光装置（紫外
線等）と異なる構成のため、ウエハ基板上に転写される
露光転写倍率をＸ線光学系を用いて可変にすることが困
難である。これは、レンズ群を用いた光学系による光露
光装置のような倍率補正が、Ｘ線光学系では、困難なた
め発生する固有の問題である。
うな、近接等倍Ｘ線露光法は、従来の光露光装置（紫外
線等）と異なる構成のため、ウエハ基板上に転写される
露光転写倍率をＸ線光学系を用いて可変にすることが困
難である。これは、レンズ群を用いた光学系による光露
光装置のような倍率補正が、Ｘ線光学系では、困難なた
め発生する固有の問題である。
【０００５】そこで、Ｘ線露光装置における、倍率補正
方法としてはマスク基板に面内応力や面外応力を作用さ
せ、マスク基板を積極的に変形させメンブレン上のパタ
ーン倍率を制御する方法が提案されている。例えば、面
内応力をマスク基板に作用させる従来例としては、特公
平４−６６０９５に示すように、マスクチャックのクラ
ンプ機構に機械的手段（電歪素子を利用）を設け、マス
ク支持フレームに変形を与える結果として支持フレーム
上のマスク基板が伸縮させられるものである。
方法としてはマスク基板に面内応力や面外応力を作用さ
せ、マスク基板を積極的に変形させメンブレン上のパタ
ーン倍率を制御する方法が提案されている。例えば、面
内応力をマスク基板に作用させる従来例としては、特公
平４−６６０９５に示すように、マスクチャックのクラ
ンプ機構に機械的手段（電歪素子を利用）を設け、マス
ク支持フレームに変形を与える結果として支持フレーム
上のマスク基板が伸縮させられるものである。
【０００６】
【発明が解決しようとしている課題】しかしながら、上
記従来技術で説明したようなＸ線露光装置のパターン倍
率補正機構では、マスクに面内、面外応力を作用させマ
スクを基準面等に押し当て変形させてパターンの倍率を
補正するために、パターンの位置がずれてしまう。その
ため、パターンの位置合わせ精度が悪化するという問題
があった。本発明は、上述の従来例における問題点に鑑
みてなされたもので、マスク倍率を補正した場合にも高
精度の露光が可能なＸ線露光装置を提供することを目的
とする。
記従来技術で説明したようなＸ線露光装置のパターン倍
率補正機構では、マスクに面内、面外応力を作用させマ
スクを基準面等に押し当て変形させてパターンの倍率を
補正するために、パターンの位置がずれてしまう。その
ため、パターンの位置合わせ精度が悪化するという問題
があった。本発明は、上述の従来例における問題点に鑑
みてなされたもので、マスク倍率を補正した場合にも高
精度の露光が可能なＸ線露光装置を提供することを目的
とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段および作用】上記課題を解
決するために、本発明のＸ線露光装置は、マスク倍率補
正機構によるマスクパターンの位置ずれ量により、ＡＡ
もしくはＡＦ測定値、またはステージ駆動量を補正する
ことを特徴とする。このように構成することにより、倍
率補正を行なっても、パターンの重ね合わせ精度が悪化
することが無くなる。
決するために、本発明のＸ線露光装置は、マスク倍率補
正機構によるマスクパターンの位置ずれ量により、ＡＡ
もしくはＡＦ測定値、またはステージ駆動量を補正する
ことを特徴とする。このように構成することにより、倍
率補正を行なっても、パターンの重ね合わせ精度が悪化
することが無くなる。
【０００８】マスクパターンの位置ずれ量は、例えばマ
スク倍率補正機構によるマスク倍率補正後露光前に再度
のＡＡもしくはＡＦ測定を行ない、この測定値とマスク
倍率補正前のＡＡもしくはＡＦ測定による測定値とから
算出する。または予めマスクの倍率補正量とそれによる
パターンの移動量との関係を測定しておき、その関係を
表わすテーブルを露光装置の制御装置に持たせ、マスク
倍率補正機構によるマスク倍率補正を行なったときは、
その倍率補正量に対応するパターン移動量をテーブルか
ら読み出し、マスクパターンの位置ずれ量を算出する。
スク倍率補正機構によるマスク倍率補正後露光前に再度
のＡＡもしくはＡＦ測定を行ない、この測定値とマスク
倍率補正前のＡＡもしくはＡＦ測定による測定値とから
算出する。または予めマスクの倍率補正量とそれによる
パターンの移動量との関係を測定しておき、その関係を
表わすテーブルを露光装置の制御装置に持たせ、マスク
倍率補正機構によるマスク倍率補正を行なったときは、
その倍率補正量に対応するパターン移動量をテーブルか
ら読み出し、マスクパターンの位置ずれ量を算出する。
【０００９】テーブルを用いる方法によれば、マスク倍
率補正によるパターンの移動量を補正するために被露光
体（例えば半導体ウエハ）毎にＡＡ、ＡＦ計測をする必
要がなく、スループットが向上する。
率補正によるパターンの移動量を補正するために被露光
体（例えば半導体ウエハ）毎にＡＡ、ＡＦ計測をする必
要がなく、スループットが向上する。
【００１０】
【実施例】以下、図面を用いて本発明の実施例を説明す
る。実施例１ 図１は本発明の一実施例に係る近接等倍Ｘ線露光装置の
構成を示す。同図において、１はマスク、２はメンブレ
ンが蒸着されている薄板（マスク基板）、３はマスク倍
率補正機構、４はマスク突き当てピン、５はマスクチャ
ックである。６は半導体ウエハ、７はウエハチャック、
８はウエハステージ、９はマスク１上のアライメントマ
ークの座標を計測するための基準マークである。１０は
マスク上のアライメントマークとウエハ上のアライメン
トマークの面内位置ずれ計測（以下、ＡＡ計測という）
と、ギャップ計測（以下、ＡＦ計測という）を行なうた
めの計測装置（ピックアップ）である。１１は露光装置
を制御する制御装置である。
る。実施例１ 図１は本発明の一実施例に係る近接等倍Ｘ線露光装置の
構成を示す。同図において、１はマスク、２はメンブレ
ンが蒸着されている薄板（マスク基板）、３はマスク倍
率補正機構、４はマスク突き当てピン、５はマスクチャ
ックである。６は半導体ウエハ、７はウエハチャック、
８はウエハステージ、９はマスク１上のアライメントマ
ークの座標を計測するための基準マークである。１０は
マスク上のアライメントマークとウエハ上のアライメン
トマークの面内位置ずれ計測（以下、ＡＡ計測という）
と、ギャップ計測（以下、ＡＦ計測という）を行なうた
めの計測装置（ピックアップ）である。１１は露光装置
を制御する制御装置である。
【００１１】図２は、マスクの倍率補正により起こるマ
スクパターンの移動を示したものである。上記構成にお
ける本発明を適用したグローバルアライメント時のステ
ージ駆動パターンの決定方法について説明する。
スクパターンの移動を示したものである。上記構成にお
ける本発明を適用したグローバルアライメント時のステ
ージ駆動パターンの決定方法について説明する。
【００１２】まず、第１回目のグローバルＡＡ計測、Ａ
Ｆ計測を行なう。この計測結果よりウエハ上のパターン
の倍率を算出する。この結果よりマスクの倍率補正が必
要であれば、倍率補正機構３により変更する。図２に示
したように、マスクの倍率補正を行なったことによりマ
スクパターンは（Δｘ、Δｙ、Δｚ）移動している。こ
の量を補正するために、もう一度グローバルＡＡ計測、
ＡＦ計測を行なう。この結果よりステージの駆動パター
ンを決定し、ウエハを露光する。
Ｆ計測を行なう。この計測結果よりウエハ上のパターン
の倍率を算出する。この結果よりマスクの倍率補正が必
要であれば、倍率補正機構３により変更する。図２に示
したように、マスクの倍率補正を行なったことによりマ
スクパターンは（Δｘ、Δｙ、Δｚ）移動している。こ
の量を補正するために、もう一度グローバルＡＡ計測、
ＡＦ計測を行なう。この結果よりステージの駆動パター
ンを決定し、ウエハを露光する。
【００１３】図３は、このグローバルアライメントシー
ケンスをフローチャートで示したものである。
ケンスをフローチャートで示したものである。
【００１４】以上説明したようなグローバルアライメン
トシーケンスを行なうことにより、マスクの倍率補正を
したことによるマスクパターンの移動量を補正すること
が可能となり、高精度のパターンの重ね合わせが可能と
なる。
トシーケンスを行なうことにより、マスクの倍率補正を
したことによるマスクパターンの移動量を補正すること
が可能となり、高精度のパターンの重ね合わせが可能と
なる。
【００１５】実施例２ 図４は本発明の第２の実施例におけるマスク倍率補正時
のマスク上アライメントマークの移動を示したものであ
る。同図において、２１〜２４はマスク上アライメント
マークである。この第２の実施例は、上記第１の実施例
よりさらにスループットを向上するために、予め、マス
クの倍率補正によるパターンの移動量をテーブルとして
露光装置内に記憶させておくようにしたものである。図
５は第２の実施例の計測シーケンスをフローチャートで
示したものである。以下に図１、図４および図５を参照
しながら本実施例の流れについて説明する。
のマスク上アライメントマークの移動を示したものであ
る。同図において、２１〜２４はマスク上アライメント
マークである。この第２の実施例は、上記第１の実施例
よりさらにスループットを向上するために、予め、マス
クの倍率補正によるパターンの移動量をテーブルとして
露光装置内に記憶させておくようにしたものである。図
５は第２の実施例の計測シーケンスをフローチャートで
示したものである。以下に図１、図４および図５を参照
しながら本実施例の流れについて説明する。
【００１６】テーブル作成、保存処理は以下のように実
行する。まず、マスク１をマスクチャック５に付ける。
基準マーク９上のアライメントマークがマスク上のマー
ク２１の真下の所定のギャップの位置に来るように、ピ
ックアップ１０でＡＡ、ＡＦ計測しながらステージ８を
駆動する。この時のステージの座標を制御装置１１に保
存する。これをマーク２２〜２４についても同様に繰り
返し、マスク上アライメントマーク２１〜２４の座標を
確定する。次に、マスク倍率補正機構３を駆動し、マス
クの倍率を変化させる。所定の倍率に設定した後、基準
マーク９を先に計測したウエハ上のアライメントマーク
２１の座標の位置に駆動する。ここでＡＡ、ＡＦ計測を
行ない、マークの移動量を計測する。これをマーク２２
〜２４についても同様に繰り返し行ない、各マークの移
動量を計測する。４つのマーク２１〜２４の移動量よ
り、マスクの中心の移動量を算出する。以上の計測を各
マスク倍率で所定の回数行ない、マスクの倍率に対する
マスク中心の移動量のテーブルを作成し、制御装置１１
に保存する。
行する。まず、マスク１をマスクチャック５に付ける。
基準マーク９上のアライメントマークがマスク上のマー
ク２１の真下の所定のギャップの位置に来るように、ピ
ックアップ１０でＡＡ、ＡＦ計測しながらステージ８を
駆動する。この時のステージの座標を制御装置１１に保
存する。これをマーク２２〜２４についても同様に繰り
返し、マスク上アライメントマーク２１〜２４の座標を
確定する。次に、マスク倍率補正機構３を駆動し、マス
クの倍率を変化させる。所定の倍率に設定した後、基準
マーク９を先に計測したウエハ上のアライメントマーク
２１の座標の位置に駆動する。ここでＡＡ、ＡＦ計測を
行ない、マークの移動量を計測する。これをマーク２２
〜２４についても同様に繰り返し行ない、各マークの移
動量を計測する。４つのマーク２１〜２４の移動量よ
り、マスクの中心の移動量を算出する。以上の計測を各
マスク倍率で所定の回数行ない、マスクの倍率に対する
マスク中心の移動量のテーブルを作成し、制御装置１１
に保存する。
【００１７】露光処理は、まず、ウエハ６をウエハチャ
ック７にチャッキングし、グローバルアライメントのＡ
Ａ、ＡＦ計測を行なう。この結果より、ウエハにすでに
焼き付けられているパターンの位置と倍率を算出する。
ここで、このウエハの露光のためのステージの駆動パタ
ーンが決められるが、この時倍率補正によるマスク中心
の移動量をテーブルより求め、その値分だけステージの
駆動パターンを補正する。
ック７にチャッキングし、グローバルアライメントのＡ
Ａ、ＡＦ計測を行なう。この結果より、ウエハにすでに
焼き付けられているパターンの位置と倍率を算出する。
ここで、このウエハの露光のためのステージの駆動パタ
ーンが決められるが、この時倍率補正によるマスク中心
の移動量をテーブルより求め、その値分だけステージの
駆動パターンを補正する。
【００１８】次に、この補正後の駆動パターンにしたが
って、ウエハをステップ移動しながら各ショットの露光
（ステップアンドリピート露光）を行なう。１枚のウエ
ハ上の全ショットの露光を終了すると、その露光済ウエ
ハを回収し、新たなウエハについて上記の露光処理を繰
り返す。
って、ウエハをステップ移動しながら各ショットの露光
（ステップアンドリピート露光）を行なう。１枚のウエ
ハ上の全ショットの露光を終了すると、その露光済ウエ
ハを回収し、新たなウエハについて上記の露光処理を繰
り返す。
【００１９】以上説明したように、マスクの倍率とマス
ク中心の移動量のテーブルを持つことにより、倍率補正
後にもう一度ＡＡ、ＡＦ計測をする必要がなく、スルー
プットの向上が測れる。
ク中心の移動量のテーブルを持つことにより、倍率補正
後にもう一度ＡＡ、ＡＦ計測をする必要がなく、スルー
プットの向上が測れる。
【００２０】また、本実施例では、マスク倍率とマスク
中心の移動量を露光装置にマスク１を付けて測定した
が、あらかじめ露光装置とは別の装置で計測してテーブ
ルを作成し、マスク固有のデータとしてマスク１を露光
装置に付ける際に、制御装置１１にマスクデータとして
ダウンロードするようにしても同様の効果が得られるの
は当然のことである。
中心の移動量を露光装置にマスク１を付けて測定した
が、あらかじめ露光装置とは別の装置で計測してテーブ
ルを作成し、マスク固有のデータとしてマスク１を露光
装置に付ける際に、制御装置１１にマスクデータとして
ダウンロードするようにしても同様の効果が得られるの
は当然のことである。
【００２１】なお、上記テーブルの作成方法としては、
倍率とマスク中心の移動量の関係をシミュレーションで
求め、それをもとにテーブルを作成してもよく、あるい
は、露光装置で、マスクの倍率補正をしなかった場合
と、した場合それぞれでウエハに焼かれたパターンの位
置を計測し、マスク中心の移動量を求め、テーブルを作
成してもよい。
倍率とマスク中心の移動量の関係をシミュレーションで
求め、それをもとにテーブルを作成してもよく、あるい
は、露光装置で、マスクの倍率補正をしなかった場合
と、した場合それぞれでウエハに焼かれたパターンの位
置を計測し、マスク中心の移動量を求め、テーブルを作
成してもよい。
【００２２】さらに、上述の実施例においてはＡＡ計測
およびＡＦ計測の双方を行なう例について述べたが、Ａ
Ａ計測とＡＦ計測のいずれか一方しか行なわない場合に
も本発明は適用可能である。
およびＡＦ計測の双方を行なう例について述べたが、Ａ
Ａ計測とＡＦ計測のいずれか一方しか行なわない場合に
も本発明は適用可能である。
【００２３】以上、グローバルアライメントの場合につ
いて説明したが、ダイバイダイアライメントの場合でも
同様である。テーブルを持つことにより、位置合わせの
ためのステージ駆動量をパターン位置ずれ量により補正
することにより位置合わせ時間を短縮することが可能と
なる。
いて説明したが、ダイバイダイアライメントの場合でも
同様である。テーブルを持つことにより、位置合わせの
ためのステージ駆動量をパターン位置ずれ量により補正
することにより位置合わせ時間を短縮することが可能と
なる。
【００２４】
【デバイス生産方法の実施例】次に上記説明した露光装
置または露光方法を利用したデバイスの生産方法の実施
例を説明する。図６は微小デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の
半導体チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、
マイクロマシン等）の製造のフローを示す。ステップ１
（回路設計）ではデバイスのパターン設計を行なう。ス
テップ２（マスク製作）では設計したパターンを形成し
たマスクを製作する。一方、ステップ３（ウエハ製造）
ではシリコンやガラス等の材料を用いてウエハを製造す
る。ステップ４（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、
上記用意したマスクとウエハを用いて、リソグラフィ技
術によってウエハ上に実際の回路を形成する。次のステ
ップ５（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステップ４によ
って作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程
であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディン
グ）、パッケージング工程（チップ封入）等の工程を含
む。ステップ６（検査）ではステップ５で作製された半
導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査
を行なう。こうした工程を経て半導体デバイスが完成
し、これが出荷（ステップ７）される。
置または露光方法を利用したデバイスの生産方法の実施
例を説明する。図６は微小デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の
半導体チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、
マイクロマシン等）の製造のフローを示す。ステップ１
（回路設計）ではデバイスのパターン設計を行なう。ス
テップ２（マスク製作）では設計したパターンを形成し
たマスクを製作する。一方、ステップ３（ウエハ製造）
ではシリコンやガラス等の材料を用いてウエハを製造す
る。ステップ４（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、
上記用意したマスクとウエハを用いて、リソグラフィ技
術によってウエハ上に実際の回路を形成する。次のステ
ップ５（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステップ４によ
って作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程
であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディン
グ）、パッケージング工程（チップ封入）等の工程を含
む。ステップ６（検査）ではステップ５で作製された半
導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査
を行なう。こうした工程を経て半導体デバイスが完成
し、これが出荷（ステップ７）される。
【００２５】図７は上記ウエハプロセスの詳細なフロー
を示す。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸化
させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶縁
膜を形成する。ステップ１３（電極形成）ではウエハ上
に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオン
打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１５
（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ステ
ップ１６（露光）では上述したＸ線露光装置によってマ
スクの回路パターンをウエハに焼付露光する。ステップ
１７（現像）では露光したウエハを現像する。ステップ
１８（エッチング）では現像したレジスト像以外の部分
を削り取る。ステップ１９（レジスト剥離）ではエッチ
ングが済んで不要となったレジストを取り除く。これら
のステップを繰り返し行なうことによって、ウエハ上に
多重に回路パターンが形成される。
を示す。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸化
させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶縁
膜を形成する。ステップ１３（電極形成）ではウエハ上
に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオン
打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１５
（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ステ
ップ１６（露光）では上述したＸ線露光装置によってマ
スクの回路パターンをウエハに焼付露光する。ステップ
１７（現像）では露光したウエハを現像する。ステップ
１８（エッチング）では現像したレジスト像以外の部分
を削り取る。ステップ１９（レジスト剥離）ではエッチ
ングが済んで不要となったレジストを取り除く。これら
のステップを繰り返し行なうことによって、ウエハ上に
多重に回路パターンが形成される。
【００２６】本実施例の生産方法を用いれば、従来は製
造が難しかった高集積度のデバイスを低コストに製造す
ることができる。
造が難しかった高集積度のデバイスを低コストに製造す
ることができる。
【００２７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
Ｘ線露光装置はマスク倍率補正機構によるマスクパター
ンの位置ずれ量により、ＡＡもしくはＡＦ測定値、また
はステージ駆動量を補正することにより、倍率補正を行
なっても、パターンの重ね合わせ精度が悪化することが
無くなる。
Ｘ線露光装置はマスク倍率補正機構によるマスクパター
ンの位置ずれ量により、ＡＡもしくはＡＦ測定値、また
はステージ駆動量を補正することにより、倍率補正を行
なっても、パターンの重ね合わせ精度が悪化することが
無くなる。
【００２８】また、マスクの倍率補正量とそれによるパ
ターンの移動量とのテーブルを露光装置の制御装置に持
ち、前記テープルによりマスクの倍率補正によるマスク
パターンの位置ずれ量を算出し、ＡＡもしくはＡＦ測定
値、またはステージ駆動量を補正するようにすれば、ウ
エハ毎にマスクの倍率補正によるマスクパターンの位置
ずれ量を補正するためのＡＡおよびＡＦ計測をする必要
がなく、スループットの向上が可能となる。
ターンの移動量とのテーブルを露光装置の制御装置に持
ち、前記テープルによりマスクの倍率補正によるマスク
パターンの位置ずれ量を算出し、ＡＡもしくはＡＦ測定
値、またはステージ駆動量を補正するようにすれば、ウ
エハ毎にマスクの倍率補正によるマスクパターンの位置
ずれ量を補正するためのＡＡおよびＡＦ計測をする必要
がなく、スループットの向上が可能となる。
【図１】 本発明の第１の実施例に係る露光装置を説明
する図である。
する図である。
【図２】 マスクの倍率補正によるパターンの位置ずれ
を説明する図である。
を説明する図である。
【図３】 本発明の第１の実施例のグローバルＡＡ、Ａ
Ｆ計測シーケンスを説明する図である。
Ｆ計測シーケンスを説明する図である。
【図４】 本発明の第２の実施例のマスクの倍率補正に
よるパターンの位置ずれの計測方法を説明する図であ
る。
よるパターンの位置ずれの計測方法を説明する図であ
る。
【図５】 本発明の第２の実施例のグローバルＡＡ、Ａ
Ｆ計測シーケンスを説明する図である。
Ｆ計測シーケンスを説明する図である。
【図６】 微小デバイスの製造の流れを示す図である。
【図７】 図６におけるウエハプロセスの詳細な流れを
示す図である。
示す図である。
１：マスク、２：マスク基板、３：倍率補正機構、４：
マスク突き当てピン、５：マスクチャック、６：ウエ
ハ、７：ウエハチヤック、８：ウエハステージ、９：基
準マーク、１０：面内、面外位置ずれ計測装置、１１：
制御装置、２１〜２４：マスク上アライメントマーク。
マスク突き当てピン、５：マスクチャック、６：ウエ
ハ、７：ウエハチヤック、８：ウエハステージ、９：基
準マーク、１０：面内、面外位置ずれ計測装置、１１：
制御装置、２１〜２４：マスク上アライメントマーク。
Claims (5)
- 【請求項１】 マスクと被露光体との平面方向またはそ
れと垂直な方向の相対位置ずれを測定するＡＡまたはＡ
Ｆ手段と、このＡＡまたはＡＦ手段の測定値に応じてマ
スクと被露光体とを前記各方向に相対移動させるステー
ジと、マスク倍率補正機構とを備えたＸ線露光装置にお
いて、 マスクの倍率補正によるマスクパターンの位置ずれ量に
応じてＡＡもしくはＡＦ測定値またはステージ駆動量を
補正する手段とを有することを特徴とするＸ線露光装
置。 - 【請求項２】 前記補正手段は、マスク倍率補正機構に
よるマスク倍率補正後前記ＡＡまたはＡＦ手段による測
定を再度行なわせ、その再度の測定値と前記ＡＡまたは
ＡＦ測定値とに基づいて前記位置ずれ量を検出すること
を特徴とする請求項１記載のＸ線露光装置。 - 【請求項３】 前記補正手段は、マスクの倍率補正量と
それによるマスク上複数位置におけるパターンの移動量
とのテーブルを備え、該テーブルに基づいて前記位置ず
れ量を算出することを特徴とする請求項１記載のＸ線露
光装置。 - 【請求項４】 マスクと被露光体とを微小間隙をおいて
対向させ、Ｘ線を照射することにより、マスクの像を等
倍で被露光体に転写する近接等倍Ｘ線露光装置である請
求項１〜３のいずれか１つに記載のＸ線露光装置。 - 【請求項５】 請求項１〜４のいずれか１つに記載のＸ
線露光装置を用いて製造したことを特徴とする半導体デ
バイス。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10026337A JPH1174190A (ja) | 1997-07-01 | 1998-01-26 | Ｘ線露光装置 |
| US09/106,893 US6078640A (en) | 1997-07-01 | 1998-06-30 | X-ray exposure apparatus |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9-188958 | 1997-07-01 | ||
| JP18895897 | 1997-07-01 | ||
| JP10026337A JPH1174190A (ja) | 1997-07-01 | 1998-01-26 | Ｘ線露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1174190A true JPH1174190A (ja) | 1999-03-16 |
Family
ID=26364105
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10026337A Pending JPH1174190A (ja) | 1997-07-01 | 1998-01-26 | Ｘ線露光装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6078640A (ja) |
| JP (1) | JPH1174190A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6580491B2 (en) | 2000-12-26 | 2003-06-17 | International Business Machines Corporation | Apparatus and method for compensating for distortion of a printed circuit workpiece substrate |
| JP2005268439A (ja) * | 2004-03-17 | 2005-09-29 | Tadahiro Omi | 等倍ｘ線露光方法及び等倍ｘ線露光装置 |
| US7807065B2 (en) | 2005-12-09 | 2010-10-05 | Canon Kabushiki Kaisha | Processing method |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3592666B2 (ja) * | 2001-12-04 | 2004-11-24 | 株式会社東芝 | 露光用マスクパターンの補正方法、プログラム、マスクパターン形成方法、及び半導体装置の製造方法 |
| JP4418665B2 (ja) * | 2003-11-28 | 2010-02-17 | キヤノン株式会社 | 測定装置、並びに、それを利用した露光装置 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3168018B2 (ja) * | 1991-03-22 | 2001-05-21 | キヤノン株式会社 | 基板吸着保持方法 |
-
1998
- 1998-01-26 JP JP10026337A patent/JPH1174190A/ja active Pending
- 1998-06-30 US US09/106,893 patent/US6078640A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6580491B2 (en) | 2000-12-26 | 2003-06-17 | International Business Machines Corporation | Apparatus and method for compensating for distortion of a printed circuit workpiece substrate |
| JP2005268439A (ja) * | 2004-03-17 | 2005-09-29 | Tadahiro Omi | 等倍ｘ線露光方法及び等倍ｘ線露光装置 |
| US7807065B2 (en) | 2005-12-09 | 2010-10-05 | Canon Kabushiki Kaisha | Processing method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6078640A (en) | 2000-06-20 |
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