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JPH1168504A - 表面波装置 - Google Patents

表面波装置

Info

Publication number
JPH1168504A
JPH1168504A JP9216494A JP21649497A JPH1168504A JP H1168504 A JPH1168504 A JP H1168504A JP 9216494 A JP9216494 A JP 9216494A JP 21649497 A JP21649497 A JP 21649497A JP H1168504 A JPH1168504 A JP H1168504A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
acoustic wave
surface acoustic
electrode
bonding
adhesive
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP9216494A
Other languages
English (en)
Inventor
Makoto Shibuya
誠 渋谷
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Murata Manufacturing Co Ltd filed Critical Murata Manufacturing Co Ltd
Priority to JP9216494A priority Critical patent/JPH1168504A/ja
Priority to US09/129,065 priority patent/US6087756A/en
Priority to CNB981183417A priority patent/CN1144359C/zh
Priority to EP98402035A priority patent/EP0897215A3/en
Publication of JPH1168504A publication Critical patent/JPH1168504A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 接着剤の硬化収縮やケースの歪みに起因する
応力による特性変動が生じ難く、ボンディングワイヤに
よる接合強度を高め得る信頼性に優れた表面波装置を得
る。 【解決手段】 ケース材４ａに軟質接着剤８を用いて表
面波素子３を固定してなり、表面波素子３のボンディン
グ電極９ａ，９ｂが複数の貫通孔１１を有し、該ボンデ
ィング電極９ａ，９ｂにボンディングワイヤ１４，１５
の一端がワイヤボンディングされている表面波装置１。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、表面波共振子や表
面波フィルタなどの弾性表面波を利用した表面波装置に
関し、より詳細には、ボンディングワイヤが接合される
電極構造が改良された表面波装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】表面波共振子や共振子フィルタなどの弾
性表面波を利用した表面波装置では、通常、表面波素子
がケース内に収納されている。この種の表面波装置の一
例を、図９に示す。表面波装置５１では、ケース５２内
に表面波素子５３が収納されている。ケース５２は、ア
ルミナなどの絶縁性セラミックスよりなるケース材５２
ａ上に同じく絶縁性セラミックスよりなる矩形枠状のケ
ース材５２ｂ及び枠材５２ｃを積層し、さらに蓋材５２
ｄを積層した構造を有する。ケース材５２ａは、上面に
凹部５２ｄを有し、凹部５２ｄの底面に、接着剤５４を
用いて表面波素子５３が固定されている。接着剤５４と
しては、表面波素子５３を確実に固定するために、硬化
物の強度が高いエポキシ系接着剤などが用いられてい
る。
【０００３】また、ケース材５２ａの上面には、外側面
に至る外部電極５５ａ，５５ｂが形成されている。外部
電極５５ａ，５５ｂは、表面波素子５３上の電極５３
ａ，５３ｂにボンディングワイヤ５６ａ，５６ｂを介し
て接合されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】表面波装置５１におい
ては、表面波素子５３をケース材５２ａに固定するに際
し、接着剤５４が用いられているが、接着剤５４は硬化
に際して収縮する。そのため、硬化収縮により、図１０
に矢印で示すように、ケース材５２ａ及び表面波素子５
３の接着面に対し引張方向の応力が発生し、表面波装置
５１の特性が変動するという問題があった。
【０００５】また、ケース５２に外力等が加えられて歪
みが発生することがあり、この場合には、接着剤５４を
介して表面波素子５３に該応力が与えられることにな
る。すなわち、例えば、ケース５２に反り歪みが発生し
た場合、図９に矢印で示すように表面波素子５３の表面
に、引張応力または圧縮応力が加わる。従って、このよ
うな引張応力または圧縮応力によっても、表面波装置５
１の特性が変動することがあった。
【０００６】すなわち、従来の表面波装置５１では、接
着剤５４の硬化収縮による応力やケース５２の歪みによ
る応力により特性が変動するという問題があり、このよ
うな応力は、表面波装置５１の製造時だけでなく、表面
波装置５１の使用時においても発生するため、実使用時
に特性が変動することもあった。
【０００７】他方、ボンディングワイヤ５６ａ，５６ｂ
は、表面波素子５３の電極５３ａ，５３ｂに超音波ボン
ディングにより接合されているが、接合強度の向上が強
く求められている。そこで、図１１に示すように、表面
波素子５３のボンディングワイヤ５６ａが接合される電
極部分に、Ｃｒよりなる電極層５３ｃ及びボンディング
ワイヤによる接合性が良好なＡｕからなる電極層５３ｄ
を積層する方法や、図１２に示すように、ボンディング
ワイヤ５６ａが接合される電極部分の膜厚を増大させる
方法が試みられている。しかしながら、いずれの方法に
おいても、電極形成工程が増加するため、製造コストが
増大するという問題があった。
【０００８】本発明の目的は、接着剤の硬化収縮やケー
スの歪みに起因する応力による特性変動が生じ難い表面
波装置を提供することにある。本発明の他の目的は、製
造工程を増加させることなくボンディングワイヤによる
接合強度を高めることができ、従って、安価でありかつ
信頼性に優れた表面波装置を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、表面波素子がケース材に接着剤を用いて固定されて
おり、かつボンディングワイヤにより電気的接続が図ら
れている表面波装置において、前記接着剤が、軟質接着
剤であり、かつ前記表面波素子のボンディングワイヤが
接合される電極が、該電極下地まで貫通する貫通孔を有
することを特徴とする。
【００１０】また、請求項２に記載の発明は、インター
デジタル電極（ＩＤＴ電極）と、ボンディングワイヤに
接合される電極とを有する表面波素子と、表面波素子に
接合されるボンディングワイヤとを備える表面波装置に
おいて、前記インターデジタル電極及びボンディングワ
イヤが接合される表面波素子上の電極が同一材料で同じ
膜厚となるように形成されており、かつ前記ボンディン
グワイヤが接合される電極は、電極下地まで貫通する貫
通孔を有することを特徴とする。
【００１１】請求項１または２に記載の発明に係る表面
波装置では、好ましくは、上記貫通孔は複数形成され
る。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しつつ本発明に
係る弾性表面波装置の非限定的な実施例につき説明す
る。
【００１３】図１は、本発明の第１の実施例に係る表面
波装置の断面図である。表面波装置１は、ケース２内に
表面波素子３を収納した構造を有する。ケース２は、ケ
ース材４〜６及び蓋材７を順に積層した構造を有する。
ケース材４〜６は、アルミナなどの絶縁性セラミックス
または合成樹脂等の適宜の材料からなる。ケース材４の
上面４ａ中央には、凹部４ｂが形成されており、凹部４
ｂ内に表面波素子３が配置されている。すなわち、凹部
４ｂの底面に接着剤８を介して表面波素子３が固定され
ている。本実施例の一つの特徴は、この接着剤８が、軟
質接着剤、例えばシリコーン系接着剤、変性エポキシ接
着剤などのように、硬化物が柔軟性を有する接着剤によ
り構成されていることにある。
【００１４】表面波素子３は、図２に平面図で示すよう
に、表面波基板３ａの上面に入力側ＩＤＴ電極９及び出
力側ＩＤＴ電極１０を形成した構造を有する。ＩＤＴ電
極９，１０は、互いに間挿し合う１本以上の電極指を有
する一対のくし歯電極により構成されている。
【００１５】ＩＤＴ電極９の各くし歯電極には、それぞ
れ、ボンディングワイヤが接続されるボンディング電極
９ａ，９ｂがＩＤＴ電極９と連なるように形成されてい
る。ＩＤＴ電極１０側においても、ボンディングワイヤ
が接合されるボンディング電極１０ａ，１０ｂがＩＤＴ
電極１０の各くし歯電極に連なるように形成されてい
る。
【００１６】ボンディング電極９ａ，９ｂ，１０ａ，１
０ｂは、それぞれ、ボンディングワイヤが接続される部
分を構成するために設けられており、本実施例では、Ｉ
ＤＴ電極９，１０と同じ材料で同じプロセスにより同一
膜厚となるように形成されている。
【００１７】本実施例の表面波装置１の第２の特徴は、
上記ボンディング電極９ａ，９ｂ，１０ａ，１０ｂが、
それぞれ、複数の貫通孔１１を有することにある。図３
に示すように、貫通孔１１は、電極下地、すなわち表面
波基板３ａの上面に至るようにボンディング電極９ｂを
貫通している。
【００１８】なお、本発明において、表面波素子３にお
けるＩＤＴ電極の構成及び数等については、図２に示し
た表面波素子３のようなトランスバーサル型表面波フィ
ルタを構成するものに限定されず、様々な表面波共振子
や表面波フィルタを構成するように、適宜変形し得る。
【００１９】図１に戻り、表面波装置１では、ケース材
４の上面４ａに外部電極１２，１３が形成されている。
外部１２，１３は、ケース材４の上面から側面に至るよ
うに形成されている。外部電極１２，１３は、導電性材
料をめっき、スパッタリング、蒸着等の適宜の薄膜形成
方法により付与することにより、あるいは導電性ペース
トの塗布・焼付け等の適宜の方法により形成することが
できる。
【００２０】外部電極１２，１３が、表面波素子３上の
ボンディング電極９ａ，９ｂに、ボンディングワイヤ１
４，１５により接合されている。ボンディングワイヤ１
４，１５は、Ａｕ、Ａｌ、Ｃｕ及びこれらを主とする合
金などのワイヤボンディング法に用いられる適宜の金属
材料により構成することができるが、本実施例では、Ａ
ｕよりなるボンディングワイヤをボールボンディング法
によりボンディング電極９ａ，９ｂに接続している。
【００２１】なお、ボンディング方法についても、上記
ボールボンディング法以外に、ウエッジボンディング法
などの他の方法を用いることができる。ケース材５は、
アルミナなどの絶縁性セラミックスもしくは合成樹脂な
どの適宜の絶縁性材料により構成されており、かつ矩形
枠状の形状を有する。また、ケース材５の上面に積層さ
れているケース材６についても、金属、絶縁性セラミッ
クス、合成樹脂などの適宜の材料より構成され、矩形枠
状の形状を有する。ケース材６の上面には、金属よりな
る蓋材７が積層されている。蓋材７についても、合成樹
脂などの他の材料で構成することができる。上記ケース
材４〜６及び蓋材７は、適宜の接着剤、例えばエポキシ
系接着剤により接着され、相互に接合されている。
【００２２】本実施例の表面波装置１では、表面波素子
３が軟質接着剤８によりケース材４に固定されている。
接着剤８が軟質性であるため、接着剤８の硬化収縮に際
しての応力が小さく、従って、表面波素子３に加えられ
る応力が低減される。また、ケース２側に歪みが生じた
場合であっても、例えば、ケース材４が反り歪みを有す
るように外力を受けた場合であっても、接着剤８により
応力が吸収されることになるため、ケース材２側の歪み
に起因する応力による表面波素子３への影響も低減する
ことができる。すなわち、表面波素子３に加わる応力が
低減されるので、表面波装置１の特性変動の抑制が図ら
れる。
【００２３】加えて、単に軟質接着剤８を用いて表面波
素子３を固定しただけでは、ワイヤボンディングによる
接合強度が低下するおそれがあるが、本実施例では、引
出し電極９ａ，９ｂ，１０ａ，１０ｂが複数の貫通孔１
１を有するため、ボンディングワイヤの接合強度も高め
られる。
【００２４】すなわち、超音波振動を利用したワイヤボ
ンディング法では、固相拡散によりボンディングワイヤ
と電極が接合されるが、固相拡散接合を達成するにはワ
イヤと電極金属の清浄面を接触させる必要がある。
【００２５】ところが、一般的に表面波素子のＩＤＴ電
極では、Ａｌなどの卑金属が使用されているため、接合
に際して清浄面を形成するには電極表面の酸化膜を破壊
する工程が必要不可欠である。
【００２６】他方、表面波素子の固定に軟質接着剤を用
いると、ワイヤボンディングに際して加えられる超音波
エネルギが軟質接着剤に吸収される。超音波を利用した
ワイヤボンディングでは、超音波振幅によりワイヤと電
極の間に相対運動を与え接合面同士を摺動させることが
必要である。金属同士の摺動により摩擦が生じ金属表層
を塑性変形させることで酸化膜が破壊され清浄面が露出
するが、素子固定接着剤が軟質な場合は、ワイヤに与え
た振幅に素子が同期し、接合面間に十分な摺動を与える
ことができない。
【００２７】これに対して本実施例では、上記引出し電
極９ａ，９ｂ，１０ａ，１０ｂが複数の貫通孔１１を有
する。ボンディングに際し、貫通孔１１のエッジ部、す
なわち貫通孔１１と電極主表面との端縁が容易に塑性変
形し酸化膜が破壊され清浄面を露出するため、これが酸
化膜破壊及び接合の起点となり接合が達成される。平滑
な電極の表層を塑性変形させ酸化膜を破壊する従来のワ
イヤボンディングに対して貫通孔を形成した電極では、
貫通孔エッジ部における電極膜は形状的に機械的強度が
低いうえ、貫通孔にワイヤが噛み込み同エッジ部に応力
が加わるため、小さい振幅エネルギで容易に塑性変形が
生じ、これにより電極表面の酸化膜が破壊されて清浄面
を露出する。
【００２８】図４に貫通孔エッジ部を起点とする接合の
模式図を示す。接合初期の状態を図４（ａ）に示す。ボ
ンディングワイヤ２１が貫通孔２２ａに噛み込む状態で
電極２２と摺動するため、機械的強度が低い貫通孔２２
ａのエッジ部２２ｂにおける電極部分は容易に塑性変形
し電極表面の酸化膜が破壊される。接合後期の状態を図
４（ｂ）に示す。一旦、酸化膜が破壊され清浄面が露出
すると、これを起点に酸化膜破壊が進み接合面積が拡大
する特性があるため、貫通孔エッジ部２２ｂを起点とし
て超音波振幅方向に酸化膜破壊と接合が進行する。
【００２９】加えて、本実施例では、上記ボンディング
電極９ａ〜１０ｂは、ＩＤＴ電極９，１０と同一材料を
用いて同一プロセスにより形成される。従って、付加的
な工程を必要とすることなく、ボンディングワイヤに対
する接合性が良好なボンディング電極を形成することが
できる。これを、図５及び図６を参照して説明する。
【００３０】図５は、上記引出し電極９ａとＩＤＴ電極
９が形成されている部分の一部を拡大して示す平面図で
あり、図６（ａ）〜（ｅ）は、ＩＤＴ電極９及び引出し
電極９ａの形成工程を示す各断面図であり、図５のＢ−
Ｂ線に相当する部分の断面図である。
【００３１】まず、図６（ａ）に示すように、表面波基
板３ａ上に、導電膜１５を全面に形成する。導電膜１５
の形成は、Ａｌを表面波基板３ａの上面の全面に蒸着・
めっき等の薄膜形成方法により付与することにより行わ
れる。次に、導電膜１５上にフォトレジスト１６を全面
に付与する（図６（ｂ））。
【００３２】しかる後、フォトレジスト１６の上面にマ
スクを載置し、露光することにより、ＩＤＴ電極９の形
成される部分及びボンディング電極９ａの形成される部
分と、貫通孔１１が形成される領域を除く部分とを残
し、他の部分、すなわち電極外の部分及び貫通孔１１を
形成する部分のレジスト１６を露光・現像により除去す
る。このようにして、図６（ｃ）に示すように、最終的
に貫通孔が形成される部分及びＩＤＴ電極９及びボンデ
ィング電極９ａが形成される領域以外の部分に貫通穴１
６ａ，１６ｂ，１６ｃが形成される。図６（ｃ）におい
て、貫通穴１６ａは、ＩＤＴ電極９の電極外の領域に相
当する部分であり、貫通穴１６ｂ，１６ｃは、最終的に
貫通孔１１を形成する部分に相当する。
【００３３】次に、レジスト１６を侵さないが、導電膜
１５をエッチングし得るエッチャントを用い、エッチン
グを施す。その結果、図６（ｄ）に示すように、貫通穴
１６ａ〜１６ｃの下方の導電膜部分が除去され、ＩＤＴ
電極９及びボンディング電極９ａが形成され、さらにボ
ンディング電極９ａ中の貫通孔１１も形成されることに
なる。
【００３４】最後に、レジスト１６を除去することによ
り、図６（ｅ）に示すように、図５に示した電極構造を
得ることができる。図５及び図６を参照した上記製造方
法の説明から明らかなように、複数の貫通孔１１を有す
るボンディング電極９ａは、ＩＤＴ電極９の形成工程に
おいて同時に形成し得る。従って、上記のように、ボン
ディングワイヤによる接合が容易であり、接合信頼性に
優れたボンディング電極９ａ〜１０ｂを、工程数を増加
させることなく容易に形成し得ることがわかる。
【００３５】また、上記方法で形成されたボンディング
電極９ａは、ＩＤＴ電極９と同一材料を用いて同じプロ
セスで形成されるため、ボンディング電極９ａはＩＤＴ
電極９と同じ膜厚に形成される。言い換えれば、ＩＤＴ
電極９と同じ材料及び同じ膜厚となるようにボンディン
グ電極９ａを形成する場合、図５及び図６に示したよう
に同一プロセスで両者を形成し得る。
【００３６】図７及び図８は、ＩＤＴ電極９及びボンデ
ィング電極９ａの形成方法の他の例を説明するための図
である。図７は、ＩＤＴ電極９及びボンディング電極９
ａが設けられている部分の平面図であり、図８（ａ）〜
（ｄ）は、電極形成に際しての各工程を示す部分切欠断
面図であり、図７のＣ−Ｃ線に沿う部分に相当する断面
図である。
【００３７】この方法では、まず、図８（ａ）に示すよ
うに、表面波基板３ａの上面に全面にフォトレジスト１
７を付与する。次に、フォトレジスト１７を露光・現像
し、図８（ｂ）に示すように、ＩＤＴ９及びボンディン
グ電極９ａが存在しない領域においてのみフォトレジス
ト１７Ａ〜１７Ｃを残し、他の領域のフォトレジストを
除去する。レジスト材１７Ａは、ＩＤＴ電極９及びボン
ディング電極９ａが形成されない領域に載置されてお
り、レジスト材１７Ｂ，１７Ｃは貫通孔１１が形成され
る部分に配置されている。
【００３８】次に、図８（ｃ）に示すように、全面にＡ
ｌからなる導電膜１８を形成する。この場合、導電膜１
８は、表面波基板３ａの上面と、残存しているフォトレ
ジスト材１７Ａ〜１７Ｃの上面とに形成されることにな
る。
【００３９】次に、上面導電膜が形成されているフォト
レジスト材１７Ａ〜１７Ｃを除去することにより、図８
（ｄ）に示すように、図７に示した電極構造を表面波基
板３ａ上に形成することができる。
【００４０】図７及び図８を参照して説明した上記方法
においても、ＩＤＴ電極９とボンディング電極９ａとを
同一プロセスにより同一材料を用いて形成し得るため、
工程数を増加させることなくボンディングワイヤによる
接合性に優れたボンディング電極を容易にかつ確実に形
成することができる。
【００４１】なお、図１に示した表面波装置１では、ケ
ース２は、ケース材４〜６及び蓋材７を積層することに
より構成されていたが、ケース２を構成する材料及びケ
ースの構造については図１に示したケース２に限定され
るものではない。例えば、絶縁性基板上に金属キャップ
を接合してなるケースを用いてもよい。
【００４２】
【発明の効果】請求項１に記載の発明によれば、表面波
素子がケース材に軟質の接着剤により固定されているた
め、接着剤の硬化収縮に際しての応力が小さく、かつケ
ース材に外力等が加えられて歪みが生じたとしても、該
歪みに起因する応力が接着剤により緩和されるので、表
面波素子にさまざまな応力が伝わり難い。従って、これ
らの応力に起因する特性の劣化が生じ難く、かつ経時に
よる特性の変動も生じ難い表面波装置を提供することが
できる。
【００４３】しかも、軟質の接着剤を用いて表面波素子
が固定されているが、ボンディングワイヤが接合される
電極が上記貫通孔を有するため、ワイヤボンディングに
よりボンディングワイヤをボンディングワイヤが接合さ
れる電極に接合するにあたっては、貫通孔のエッジ部に
おける電極部分が容易に塑性変形し電極表面の酸化膜が
破壊されることで接合の起点となるため、ボンディング
ワイヤをボンディングワイヤが接合される電極に確実に
かつ強固に接合することができる。すなわち、ボンディ
ングワイヤによる接合の信頼性も高められる。
【００４４】請求項２に記載の発明では、インターデジ
タル電極及びボンディングワイヤが接合される表面波素
子上の電極が同一材料で同じ膜厚となるように形成され
ている。従って、上記インターデジタル電極及びボンデ
ィングワイヤが接合される電極を、同じ材料を用い、例
えばフォトリソグラフィー技術を用い同一プロセスによ
り形成することができる。従って、インターデジタル電
極を形成する工程に加えて、余分な工程を施すことな
く、貫通孔を有するボンディング電極を容易にかつ確実
に形成することができる。すなわち、製造工程を煩雑化
することなく、ボンディングワイヤに対する接合性が良
好なボンディング電極を容易にかつ確実に形成すること
が可能となる。
【００４５】好ましくは、請求項３に記載のように、上
記貫通孔を複数形成した場合には、ボンディングワイヤ
によるボンディングワイヤが接合される電極に対する接
合をより確実にかつ強固に行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施例に係る表面波装置の断面
図及びその要部を拡大して示す部分拡大断面図。
【図２】図１に示した表面波装置に用いられている表面
波素子の平面図。
【図３】（ａ）及び（ｂ）は、図２に示した表面波素子
におけるボンディング電極の拡大平面図及び断面図。
【図４】（ａ）及び（ｂ）は、それぞれ、貫通孔エッジ
部を起点としたボンディングワイヤ接合工程の進行状態
を示す模式的斜視図。
【図５】図１に示した表面波装置の表面波素子上の電極
の一部を拡大して示す部分切欠平面図。
【図６】（ａ）〜（ｅ）は、それぞれ、図５のＢ−Ｂ線
に沿う部分に相当する断面図であり、図５に示した電極
構造を得るための各工程を示す断面図。
【図７】図１に示した表面波装置の表面波素子上の電極
の一部を拡大して示す部分切欠平面図。
【図８】（ａ）〜（ｄ）は、それぞれ、図７のＣ−Ｃ線
に沿う部分に相当する断面図であり、図７に示した電極
構造を得るための各工程を示す断面図。
【図９】従来の表面波装置の一例を示す断面図。
【図１０】図９に示した表面波装置の組立に際し、接着
剤の硬化収縮に起因する応力の方向を説明するための部
分断面図。
【図１１】ボンディングワイヤによる接合の信頼性を高
めるための従来の接合構造の一例を説明するための部分
切欠断面図。
【図１２】ボンディングワイヤによる接合の信頼性を高
めるための従来の接合構造の他の例を説明するための部
分切欠断面図。
【符号の説明】
１…表面波装置 ２…ケース ３…表面波素子 ３ａ…表面波基板 ４，５，６…ケース材 ７…蓋材 ８…軟質接着剤 ９，１０…ＩＤＴ電極 ９ａ，９ｂ，１０ａ，１０ｂ…ボンディング電極 １１…貫通孔 １４，１５…ボンディングワイヤ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０３Ｈ 9/64 Ｈ０３Ｈ 9/64 Ｚ

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 表面波素子がケース材に接着剤を用いて
    固定されており、かつボンディングワイヤにより電気的
    接続が図られている表面波装置において、 前記接着剤が、軟質接着剤であり、かつ前記表面波素子
    のボンディングワイヤが接合される電極が、該電極下地
    まで貫通する貫通孔を有することを特徴とする、表面波
    装置。
  2. 【請求項２】 インターデジタル電極と、ボンディング
    ワイヤに接合される電極とを有する表面波素子と、表面
    波素子に接合されるボンディングワイヤとを備える表面
    波装置において、 前記インターデジタル電極及びボンディングワイヤが接
    合される表面波素子上の電極が同一材料で同じ膜厚とな
    るように形成されており、かつ前記ボンディングワイヤ
    が接合される電極は、電極下地まで貫通する貫通孔を有
    することを特徴とする、表面波装置。
  3. 【請求項３】 前記貫通孔が複数形成されている請求項
    １または２に記載の表面波装置。
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