JPH1158056A - レーザテクスチャー加工装置 - Google Patents
レーザテクスチャー加工装置Info
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- JPH1158056A JPH1158056A JP9216904A JP21690497A JPH1158056A JP H1158056 A JPH1158056 A JP H1158056A JP 9216904 A JP9216904 A JP 9216904A JP 21690497 A JP21690497 A JP 21690497A JP H1158056 A JPH1158056 A JP H1158056A
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- laser
- laser beam
- power
- depolarizer
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- G11B5/8404—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers manufacturing base layers
-
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- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
- B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
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- Laser Beam Processing (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 バンプの径を微細化する場合にも、容易に均
一な高さのバンプを形成できるレーザテクスチャー加工
装置を提供する。 【解決手段】 光源であるレーザ発振器1と、レーザ光
をハードディスク9の表面上に集光する対物レンズ8と
を有し、ハードディスク9の表面を溶融しリング状の溶
融痕を形成するレーザテクスチャー加工装置であって、
レーザ発振器1から対物レンズ8までのレーザ光の光路
中に、入射するレーザ光を無偏光にするデポラライザ7
を備えている。
一な高さのバンプを形成できるレーザテクスチャー加工
装置を提供する。 【解決手段】 光源であるレーザ発振器1と、レーザ光
をハードディスク9の表面上に集光する対物レンズ8と
を有し、ハードディスク9の表面を溶融しリング状の溶
融痕を形成するレーザテクスチャー加工装置であって、
レーザ発振器1から対物レンズ8までのレーザ光の光路
中に、入射するレーザ光を無偏光にするデポラライザ7
を備えている。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、レーザテクスチャ
ー加工装置に関し、特にハードディスクのコンタクトス
タートストップゾーンにレーザ光を用いてテクスチャー
加工を行うレーザテクスチャー加工装置に関する。
ー加工装置に関し、特にハードディスクのコンタクトス
タートストップゾーンにレーザ光を用いてテクスチャー
加工を行うレーザテクスチャー加工装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来のこの種のレーザテクスチャー加工
装置は、ハードディスクの表面のある限られた範囲に、
集光したレーザ光を照射して溶融させ、100〜300
Åの一定の高さの微細なリング状の盛り上がり(以下、
バンプという。)を数十万個形成させ、コンタクトスタ
ートストップゾーンを作成するのに用いられている。
装置は、ハードディスクの表面のある限られた範囲に、
集光したレーザ光を照射して溶融させ、100〜300
Åの一定の高さの微細なリング状の盛り上がり(以下、
バンプという。)を数十万個形成させ、コンタクトスタ
ートストップゾーンを作成するのに用いられている。
【0003】図4は従来のレーザテクスチャー加工装置
の概略構成図である。
の概略構成図である。
【0004】レーザテクスチャー加工装置は、レーザ光
源21と、ハードディスク22表面にレーザ光を集光す
るレンズ23と、ハードディスク22に照射するレーザ
光のパワーを減衰し所定のパワーにコントロールするビ
ーム減衰器24と、これらを搭載しハードディスク22
の径方向に移動するリニアステージ25と、ハードディ
スクを回転させるスピンドル26とを有している。ビー
ム減衰器24によりレーザ光のパワーを変化させあるい
はレーザ光のパルス幅を変化させることにより、バンプ
の高さを変化させることができる。
源21と、ハードディスク22表面にレーザ光を集光す
るレンズ23と、ハードディスク22に照射するレーザ
光のパワーを減衰し所定のパワーにコントロールするビ
ーム減衰器24と、これらを搭載しハードディスク22
の径方向に移動するリニアステージ25と、ハードディ
スクを回転させるスピンドル26とを有している。ビー
ム減衰器24によりレーザ光のパワーを変化させあるい
はレーザ光のパルス幅を変化させることにより、バンプ
の高さを変化させることができる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら形成する
バンプの径が小さくなるほど、レーザ出力値の変化量に
対するバンプ高さの変化量(以下、加工感度という。)
が高くなり、レーザ光の安定度によってバンプ高さが顕
著に影響を受けるので、従来の技術では、均一な高さの
バンプ形成が非常に困難であった。
バンプの径が小さくなるほど、レーザ出力値の変化量に
対するバンプ高さの変化量(以下、加工感度という。)
が高くなり、レーザ光の安定度によってバンプ高さが顕
著に影響を受けるので、従来の技術では、均一な高さの
バンプ形成が非常に困難であった。
【0006】本発明の目的は、バンプの径を微細化する
場合にも、容易に均一な高さのバンプを形成できるレー
ザテクスチャー加工装置を提供することにある。
場合にも、容易に均一な高さのバンプを形成できるレー
ザテクスチャー加工装置を提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】請求項1に記載の本発明
のレーザテクスチャー加工装置は、光源であるレーザ発
振器(図1の1)と、レーザ光をハードディスク(図1
の9)の表面上に集光する対物レンズ(図1の8)とを
有し、ハードディスク(図1の9)の表面を溶融しリン
グ状の溶融痕を形成するレーザテクスチャー加工装置で
あって、レーザ発振器(図1の1)から対物レンズ(図
1の8)までのレーザ光の光路中に、入射するレーザ光
を疑似的に無偏光にするデポラライザ(図1の7)を備
えている。
のレーザテクスチャー加工装置は、光源であるレーザ発
振器(図1の1)と、レーザ光をハードディスク(図1
の9)の表面上に集光する対物レンズ(図1の8)とを
有し、ハードディスク(図1の9)の表面を溶融しリン
グ状の溶融痕を形成するレーザテクスチャー加工装置で
あって、レーザ発振器(図1の1)から対物レンズ(図
1の8)までのレーザ光の光路中に、入射するレーザ光
を疑似的に無偏光にするデポラライザ(図1の7)を備
えている。
【0008】この発明によれば、対物レンズで集光され
るレーザ光を無偏光状態とし直線偏光のレーザ光を集光
してハードディスク表面上に溶融痕を形成する場合、小
さなスポットに集光しても加工感度を大きくすることを
防止できる。
るレーザ光を無偏光状態とし直線偏光のレーザ光を集光
してハードディスク表面上に溶融痕を形成する場合、小
さなスポットに集光しても加工感度を大きくすることを
防止できる。
【0009】請求項2に記載の本発明のレーザテクスチ
ャー加工装置は、デポラライザ(図1の7)に入射する
レーザ光のパワーを減衰し調整するビーム減衰器(図1
の2)を更に備えている。
ャー加工装置は、デポラライザ(図1の7)に入射する
レーザ光のパワーを減衰し調整するビーム減衰器(図1
の2)を更に備えている。
【0010】この発明によれば、ハードディスクに照射
されるレーザ光のパワーを加工に適正なパワーに減衰す
ると共に、デポラライザに入射するレーザ光のパワーに
より加工感度を低減する効果が変動する場合にも、所定
の効果を確保できる。
されるレーザ光のパワーを加工に適正なパワーに減衰す
ると共に、デポラライザに入射するレーザ光のパワーに
より加工感度を低減する効果が変動する場合にも、所定
の効果を確保できる。
【0011】請求項3に記載の本発明のレーザテクスチ
ャー加工装置は、デポラライザ(図1の7)に入射する
レーザ光のビーム径を拡大し調整するエキスパンダ(図
1の6)を更に備えている。
ャー加工装置は、デポラライザ(図1の7)に入射する
レーザ光のビーム径を拡大し調整するエキスパンダ(図
1の6)を更に備えている。
【0012】この発明によれば、対物レンズにより集光
されるスポットを小さくすると共に、デポラライザに入
射するレーザ光のパワー密度により加工感度が変動する
場合にも適正なパワー密度にすることができる。
されるスポットを小さくすると共に、デポラライザに入
射するレーザ光のパワー密度により加工感度が変動する
場合にも適正なパワー密度にすることができる。
【0013】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して詳細に説明する。
て図面を参照して詳細に説明する。
【0014】図1は本発明のレーザテクスチャー加工装
置の概略構成図である。
置の概略構成図である。
【0015】レーザ発振器1は、テクスチャー加工を行
うための光源である。例えば、Qスイッチパルスレーザ
発振器を用いる。ビーム減衰器2は、レーザ発振器1よ
り出力されたレーザ出力を減衰し、テクスチャー加工を
行うレーザ光のパワーを所定のパワーに調整する。な
お、ビーム減衰器2の出力側に設置されたビームスプリ
ッタ3によりパワーモニタ4にレーザ光が導かれレーザ
光のパワーを検知し、これを参照して後述する制御部1
2がビーム減衰器2を制御し、パワー調整を行う。
うための光源である。例えば、Qスイッチパルスレーザ
発振器を用いる。ビーム減衰器2は、レーザ発振器1よ
り出力されたレーザ出力を減衰し、テクスチャー加工を
行うレーザ光のパワーを所定のパワーに調整する。な
お、ビーム減衰器2の出力側に設置されたビームスプリ
ッタ3によりパワーモニタ4にレーザ光が導かれレーザ
光のパワーを検知し、これを参照して後述する制御部1
2がビーム減衰器2を制御し、パワー調整を行う。
【0016】ビームスプリッタ3を通過したレーザ光
は、ミラー5で反射されエキスパンダ6によってビーム
径が拡大されて調整され、デポラライザ7を通過しレー
ザ光の偏光状態は疑似的に無偏光状態にされる。
は、ミラー5で反射されエキスパンダ6によってビーム
径が拡大されて調整され、デポラライザ7を通過しレー
ザ光の偏光状態は疑似的に無偏光状態にされる。
【0017】デポラライザ7を通過したレーザ光は対物
レンズ8によりスピンドル10により回転されるハード
ディスク9の表面上に集光される。また、スピンドル1
0の回転によりハードディスク表面が移動するのに追従
するため対物レンズ8は、光軸方向に移動するフォーカ
ス機構11により移動される。また、スピンドル10は
リニアステージ13によりリニアに移動する。制御部1
2は、これらビーム減衰器2と、ハードディスク9の回
転制御と、フォーカス機構11のフォーカス制御と、リ
ニアステージ13の移動制御とを所定のタイミングで行
う。また、制御部12は、ハードディスク9の材質、厚
さ、加工を行う環境条件等の加工条件から適した所定の
パワーおよびパルス点灯間隔でレーザ光の点灯を制御す
る制御信号を作成しレーザ発振器1に出力する。これら
の条件と制御信号の対応関係は、レーザ発振器制御条件
テーブルとして制御部12内のメモリに記憶されてお
り、制御部12はそのレーザ発振器制御条件テーブルを
参照してレーザ発振器1に出力する制御信号を作成す
る。
レンズ8によりスピンドル10により回転されるハード
ディスク9の表面上に集光される。また、スピンドル1
0の回転によりハードディスク表面が移動するのに追従
するため対物レンズ8は、光軸方向に移動するフォーカ
ス機構11により移動される。また、スピンドル10は
リニアステージ13によりリニアに移動する。制御部1
2は、これらビーム減衰器2と、ハードディスク9の回
転制御と、フォーカス機構11のフォーカス制御と、リ
ニアステージ13の移動制御とを所定のタイミングで行
う。また、制御部12は、ハードディスク9の材質、厚
さ、加工を行う環境条件等の加工条件から適した所定の
パワーおよびパルス点灯間隔でレーザ光の点灯を制御す
る制御信号を作成しレーザ発振器1に出力する。これら
の条件と制御信号の対応関係は、レーザ発振器制御条件
テーブルとして制御部12内のメモリに記憶されてお
り、制御部12はそのレーザ発振器制御条件テーブルを
参照してレーザ発振器1に出力する制御信号を作成す
る。
【0018】次に本発明のレーザテクスチャー加工装置
のテクスチャー加工動作を説明する。
のテクスチャー加工動作を説明する。
【0019】図2は図1のレーザテクスチャー加工装置
のテクスチャー加工動作を示すフローチャートである。
のテクスチャー加工動作を示すフローチャートである。
【0020】スピンドル10にハードディスク9がセッ
トされると、スピンドル10を所定の回転数で回転させ
る(ステップS1)。次に、リニアステージ13を制御
してレーザ発振器1からのレーザ光が、ハードディスク
9に照射されない位置に照射位置を設定し、レーザ光を
出射し、パワーモニタ4でレーザ光のパワーを検知して
ビーム減衰器2でパワー調整を行う(ステップS2)。
パワー調整が完了し所定のパワーとなったら、レーザ光
発振器1の出射を止め(ステップS3)、リニアステー
ジ13を制御して所定の加工位置にレーザ光の照射位置
を移動する(ステップS4)。そして、所定の位置で、
ハードディスク9が加工されないパワーでレーザ光を出
射し、フォーカス機構により、フォーカス調整を行う
(ステップS5)。フォーカス調整が完了したら、スピ
ンドル10が所定の速度で定速回転していることを確認
し(ステップS6)、ハードディスク9の材質、厚さ、
加工を行う環境条件等およびハードディスク9上の位置
により加工条件から適した所定のパワーおよびパルス点
灯間隔でレーザ光の点灯を制御する制御信号を制御部で
作成し、その制御信号に基づいてレーザ発振器1がパル
ス状のレーザ光を出射し、テクスチャー加工を行う(ス
テップS7)。加工が終了したらスピンドル10の回転
を停止する(ステップS8)。
トされると、スピンドル10を所定の回転数で回転させ
る(ステップS1)。次に、リニアステージ13を制御
してレーザ発振器1からのレーザ光が、ハードディスク
9に照射されない位置に照射位置を設定し、レーザ光を
出射し、パワーモニタ4でレーザ光のパワーを検知して
ビーム減衰器2でパワー調整を行う(ステップS2)。
パワー調整が完了し所定のパワーとなったら、レーザ光
発振器1の出射を止め(ステップS3)、リニアステー
ジ13を制御して所定の加工位置にレーザ光の照射位置
を移動する(ステップS4)。そして、所定の位置で、
ハードディスク9が加工されないパワーでレーザ光を出
射し、フォーカス機構により、フォーカス調整を行う
(ステップS5)。フォーカス調整が完了したら、スピ
ンドル10が所定の速度で定速回転していることを確認
し(ステップS6)、ハードディスク9の材質、厚さ、
加工を行う環境条件等およびハードディスク9上の位置
により加工条件から適した所定のパワーおよびパルス点
灯間隔でレーザ光の点灯を制御する制御信号を制御部で
作成し、その制御信号に基づいてレーザ発振器1がパル
ス状のレーザ光を出射し、テクスチャー加工を行う(ス
テップS7)。加工が終了したらスピンドル10の回転
を停止する(ステップS8)。
【0021】上述の動作において、ハードディスク9を
一定速度で回転させ、バンプを形成するハードディスク
9上の径方向の位置をリニアステージ13からの位置信
号によって、レーザ光のパルス間隔を変化させ、一定の
間隔でバンプが形成されるようにしても良い。
一定速度で回転させ、バンプを形成するハードディスク
9上の径方向の位置をリニアステージ13からの位置信
号によって、レーザ光のパルス間隔を変化させ、一定の
間隔でバンプが形成されるようにしても良い。
【0022】逆に、ハードディスク9の速度をリニアス
テージ13からの位置信号に基づいた速度に設定し、レ
ーザ光のパルス間隔を一定としてもかまわない。
テージ13からの位置信号に基づいた速度に設定し、レ
ーザ光のパルス間隔を一定としてもかまわない。
【0023】以上の実施形態の具体的な実施例について
説明する。
説明する。
【0024】図3は、加工径φ10μmの時の加工特性
を示しており、黒丸はデポラライザ7が光路中にない場
合、黒三角はデポラライザ7が光路中にある場合のレー
ザ出力に対するバンプ高さの特性を示している。
を示しており、黒丸はデポラライザ7が光路中にない場
合、黒三角はデポラライザ7が光路中にある場合のレー
ザ出力に対するバンプ高さの特性を示している。
【0025】図3より、バンプ高さ200Å付近の加工
感度は、デポラライザ7が無い時は12.4Å/mW、
デポラライザ7がある時は、4.5Å/mWであり、デ
ポラライザ7を入れることで加工感度が1/2.76に
低下することがわかる。
感度は、デポラライザ7が無い時は12.4Å/mW、
デポラライザ7がある時は、4.5Å/mWであり、デ
ポラライザ7を入れることで加工感度が1/2.76に
低下することがわかる。
【0026】なお、以上の実施の形態では、ハードディ
スク9に照射するレーザ光を一つのスポットとする構成
としているが、レーザ光を分岐して、複数のスポットを
照射するものとしても良い。この場合には、高速に加工
ができる。
スク9に照射するレーザ光を一つのスポットとする構成
としているが、レーザ光を分岐して、複数のスポットを
照射するものとしても良い。この場合には、高速に加工
ができる。
【0027】また、デポラライザ7はエキスパンダ6と
対物レンズ8の間に設置するものとしたが、デポラライ
ザが無い場合に対する加工感度の低減効果が確保されれ
ばそれ以外の位置でも構わない。
対物レンズ8の間に設置するものとしたが、デポラライ
ザが無い場合に対する加工感度の低減効果が確保されれ
ばそれ以外の位置でも構わない。
【0028】また、対物レンズ8に入射するビーム径を
調整するマスクを更に設けても良い。
調整するマスクを更に設けても良い。
【0029】また、デポラライザ7から出射されたレー
ザ光のパワーを更に減衰させるフィルターを設けても良
い。
ザ光のパワーを更に減衰させるフィルターを設けても良
い。
【0030】これらにより、デポラライザ7を通過する
レーザ光のパワー及びパワー密度により加工感度の低減
効果が変動する場合に、ハードディスクに照射するレー
ザ光のスポット径及びパワーの設定値と、デポラライザ
を通過するレーザ光のパワー及びパワー密度の設定値と
をそれぞれ独立に設定することも可能になる。
レーザ光のパワー及びパワー密度により加工感度の低減
効果が変動する場合に、ハードディスクに照射するレー
ザ光のスポット径及びパワーの設定値と、デポラライザ
を通過するレーザ光のパワー及びパワー密度の設定値と
をそれぞれ独立に設定することも可能になる。
【0031】また、スピンドル10を固定としてその他
のものを移動して、ハードディスク9上へのレーザ光の
照射位置を移動させても構わない。
のものを移動して、ハードディスク9上へのレーザ光の
照射位置を移動させても構わない。
【0032】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のレーザテ
クスチャー加工装置は、光路中にデポラライザを入れる
ことによってハードディスクに照射するレーザ光を無偏
光とすることによって加工感度を低下させることがで
き、レーザ光の出力変動が起きてもバンプ高さへの影響
を減少させることができ、形成するバンプ高さの安定度
が向上する。
クスチャー加工装置は、光路中にデポラライザを入れる
ことによってハードディスクに照射するレーザ光を無偏
光とすることによって加工感度を低下させることがで
き、レーザ光の出力変動が起きてもバンプ高さへの影響
を減少させることができ、形成するバンプ高さの安定度
が向上する。
【図1】本発明のレーザテクスチャー加工装置の概略構
成図である。
成図である。
【図2】図1のレーザテクスチャー加工装置の制御動作
を示すフローチャートである。
を示すフローチャートである。
【図3】本発明のレーザテクスチャー加工装置の1実施
例におけるレーザ出力変動に対するバンプ高さの変動特
性である。
例におけるレーザ出力変動に対するバンプ高さの変動特
性である。
【図4】従来のレーザテクスチャー加工装置の構成図で
ある。
ある。
1 レーザ発振器 2 ビーム減衰器 3 ビームスプリッタ 4 パワーモニタ 5 ミラー 6 エキスパンダ 7 デポラライザ 8 対物レンズ 9 ハードディスク 10 スピンドル 11 フォーカス機構 12 制御部 13 リニアステージ
Claims (3)
- 【請求項1】 光源であるレーザ発振器と、前記レーザ
発振器から出射されたレーザ光を加工対象の表面上に集
光する対物レンズとを有し、前記加工対象の表面を溶融
しリング状の溶融痕を形成するレーザテクスチャー加工
装置において、 前記レーザ発振器から前記対物レンズまでのレーザ光の
光路中に、入射するレーザ光を疑似的に無偏光にするデ
ポラライザを備えたことを特徴とするレーザテクスチャ
ー加工装置。 - 【請求項2】 前記デポラライザに入射するレーザ光の
パワーを減衰し調整するビーム減衰器を更に備えたこと
を特徴とする請求項1記載のレーザテクスチャー加工装
置。 - 【請求項3】 前記デポラライザに入射するレーザ光の
ビーム径を拡大し調整するエキスパンダを更に備えたこ
とを特徴とする請求項1記載のレーザテクスチャー加工
装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9216904A JPH1158056A (ja) | 1997-08-12 | 1997-08-12 | レーザテクスチャー加工装置 |
US09/132,739 US6091047A (en) | 1997-08-12 | 1998-08-12 | Laser texture processing apparatus and method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9216904A JPH1158056A (ja) | 1997-08-12 | 1997-08-12 | レーザテクスチャー加工装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH1158056A true JPH1158056A (ja) | 1999-03-02 |
Family
ID=16695746
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9216904A Pending JPH1158056A (ja) | 1997-08-12 | 1997-08-12 | レーザテクスチャー加工装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6091047A (ja) |
JP (1) | JPH1158056A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002158184A (ja) * | 2000-11-16 | 2002-05-31 | Mitsubishi Electric Corp | レーザ熱処理用のレーザ光学系 |
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