JPH11340516A - 表示装置および照明装置 - Google Patents
表示装置および照明装置Info
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- JPH11340516A JPH11340516A JP14416898A JP14416898A JPH11340516A JP H11340516 A JPH11340516 A JP H11340516A JP 14416898 A JP14416898 A JP 14416898A JP 14416898 A JP14416898 A JP 14416898A JP H11340516 A JPH11340516 A JP H11340516A
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- light
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高輝度、高解像度、低消費電力、薄型の表示
装置および照明装置を提供する。 【解決手段】 基板１上にＧａＮ系発光ダイオードアレ
イを設け、各ＧａＮ系発光ダイオード２に対応して赤色
蛍光体５、緑色蛍光体６および青色蛍光体７を設け、各
ＧａＮ系発光ダイオード２から発せられる光によりこれ
らの赤色蛍光体５、緑色蛍光体６および青色蛍光体７を
励起して発光させるカラー表示装置において、赤色蛍光
体５、緑色蛍光体６および青色蛍光体７を粒径が励起子
ボーア半径の２倍以下の結晶により構成する。青色蛍光
体７を設けず、ＧａＮ系発光ダイオード２から発せられ
る青色の光をそのまま用いてもよい。蛍光体として白色
蛍光体を用いることにより、白色の照明装置を得ること
ができる。
装置および照明装置を提供する。 【解決手段】 基板１上にＧａＮ系発光ダイオードアレ
イを設け、各ＧａＮ系発光ダイオード２に対応して赤色
蛍光体５、緑色蛍光体６および青色蛍光体７を設け、各
ＧａＮ系発光ダイオード２から発せられる光によりこれ
らの赤色蛍光体５、緑色蛍光体６および青色蛍光体７を
励起して発光させるカラー表示装置において、赤色蛍光
体５、緑色蛍光体６および青色蛍光体７を粒径が励起子
ボーア半径の２倍以下の結晶により構成する。青色蛍光
体７を設けず、ＧａＮ系発光ダイオード２から発せられ
る青色の光をそのまま用いてもよい。蛍光体として白色
蛍光体を用いることにより、白色の照明装置を得ること
ができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、表示装置および
照明装置に関し、特に、窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半
導体を用いた発光素子およびこの発光素子から発せられ
る光により励起される蛍光体を用いた表示装置および照
明装置に適用して好適なものである。
照明装置に関し、特に、窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半
導体を用いた発光素子およびこの発光素子から発せられ
る光により励起される蛍光体を用いた表示装置および照
明装置に適用して好適なものである。
【０００２】
【従来の技術】ＧａＮ系半導体は直接遷移半導体であ
り、その禁制帯幅は１．９ｅＶから６．２ｅＶに亘って
おり、可視領域から紫外線領域におよぶ発光が可能な発
光素子の実現が可能であることから、近年注目を集めて
おり、その開発が活発に進められている。
り、その禁制帯幅は１．９ｅＶから６．２ｅＶに亘って
おり、可視領域から紫外線領域におよぶ発光が可能な発
光素子の実現が可能であることから、近年注目を集めて
おり、その開発が活発に進められている。
【０００３】このようなＧａＮ系発光素子を用いた装置
として、全色画像表示装置が提案されている（特開平８
−６３１１９号公報）。この全色画像表示装置において
は、基板上に配置されたＧａＮ系発光ダイオードアレイ
によってそれぞれ赤、緑および青の３原色を発する蛍光
体を励起するか、あるいは、ＧａＮ系発光ダイオードア
レイによってそれぞれ赤および緑の蛍光体を励起し、青
にはＧａＮ系発光ダイオードの発光を用いる。
として、全色画像表示装置が提案されている（特開平８
−６３１１９号公報）。この全色画像表示装置において
は、基板上に配置されたＧａＮ系発光ダイオードアレイ
によってそれぞれ赤、緑および青の３原色を発する蛍光
体を励起するか、あるいは、ＧａＮ系発光ダイオードア
レイによってそれぞれ赤および緑の蛍光体を励起し、青
にはＧａＮ系発光ダイオードの発光を用いる。
【０００４】一方、次世代の表示装置としては、高輝度
かつ高解像度であることが望まれている。このうち輝度
は、発光ダイオードの出力と蛍光体の量子効率とで決ま
るため、蛍光体としてはより量子効率の高いものが望ま
れる。また、解像度は画素の大きさで決まってしまうた
め、蛍光材料を塗布することにより蛍光面を形成する場
合には、画素の大きさに合わせて蛍光体結晶粒子の大き
さも小さくしなければならない。
かつ高解像度であることが望まれている。このうち輝度
は、発光ダイオードの出力と蛍光体の量子効率とで決ま
るため、蛍光体としてはより量子効率の高いものが望ま
れる。また、解像度は画素の大きさで決まってしまうた
め、蛍光材料を塗布することにより蛍光面を形成する場
合には、画素の大きさに合わせて蛍光体結晶粒子の大き
さも小さくしなければならない。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところが、一般に蛍光
体結晶表面近傍は表面準位による非発光再結合が支配的
になり、ほとんど発光に寄与しない。このため、蛍光体
の結晶粒子を小さくしていくと量子効率は減少する。特
に粒径１μｍ程度以下では、この減少が著しいと言われ
ている。
体結晶表面近傍は表面準位による非発光再結合が支配的
になり、ほとんど発光に寄与しない。このため、蛍光体
の結晶粒子を小さくしていくと量子効率は減少する。特
に粒径１μｍ程度以下では、この減少が著しいと言われ
ている。
【０００６】また、エピタキシャル成長、真空蒸着、ス
パッタリングなどで蛍光材料を成膜することにより蛍光
面を形成することも可能であるが、これらの方法では、
屈折率が大きい蛍光体面内で導波的に光が伝搬し、光が
外に放射されにくくなってしまうという不都合がある。
パッタリングなどで蛍光材料を成膜することにより蛍光
面を形成することも可能であるが、これらの方法では、
屈折率が大きい蛍光体面内で導波的に光が伝搬し、光が
外に放射されにくくなってしまうという不都合がある。
【０００７】以上のような理由により、これまでは、Ｇ
ａＮ系発光素子を用いた、高輝度かつ高解像度の表示装
置の実現は困難であった。
ａＮ系発光素子を用いた、高輝度かつ高解像度の表示装
置の実現は困難であった。
【０００８】したがって、この発明の目的は、高輝度、
高解像度、低消費電力、薄型の表示装置を提供すること
にある。
高解像度、低消費電力、薄型の表示装置を提供すること
にある。
【０００９】この発明の他の目的は、高輝度、低消費電
力、薄型、全固体型の照明装置を提供することにある。
力、薄型、全固体型の照明装置を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】結晶サイズを励起子ボー
ア半径程度まで小さくすると（以降このような結晶を
「ナノクリスタル」と呼ぶ）、量子サイズ効果による励
起子の閉じ込めやバンドギャップの増大が観測される
（J.Chem.Phys.,Vol.80,No.9,p.1984)。このようなサイ
ズの半導体には、フォトルミネッセンスにおける量子効
率が大きくなるものもあることが報告されている（Phy
s.Rev.Lett.,Vol.72,No.3,p.416,1994 、MRSbulletin V
ol.23,No.2,p.18,1998および米国特許第５４５５４８９
号）。この効果を、発光波長が量子サイズ効果で変化し
ないため比較しやすいＭｎドープＺｎＳ（ＺｎＳ：Ｍ
ｎ）を例にとって説明する。表１に、メタクリル酸で表
面処理したＺｎＳ：Ｍｎナノクリスタルと、１μｍ以上
の粒径のバルクＺｎＳ：Ｍｎ粒子とを同じ紫外線ランプ
によって励起したときの発光の輝度を比較して示す。表
１より、ＺｎＳ：Ｍｎナノクリスタルでは、バルクＺｎ
Ｓ：Ｍｎ粒子の５倍近く高い輝度が得られていることが
わかる。
ア半径程度まで小さくすると（以降このような結晶を
「ナノクリスタル」と呼ぶ）、量子サイズ効果による励
起子の閉じ込めやバンドギャップの増大が観測される
（J.Chem.Phys.,Vol.80,No.9,p.1984)。このようなサイ
ズの半導体には、フォトルミネッセンスにおける量子効
率が大きくなるものもあることが報告されている（Phy
s.Rev.Lett.,Vol.72,No.3,p.416,1994 、MRSbulletin V
ol.23,No.2,p.18,1998および米国特許第５４５５４８９
号）。この効果を、発光波長が量子サイズ効果で変化し
ないため比較しやすいＭｎドープＺｎＳ（ＺｎＳ：Ｍ
ｎ）を例にとって説明する。表１に、メタクリル酸で表
面処理したＺｎＳ：Ｍｎナノクリスタルと、１μｍ以上
の粒径のバルクＺｎＳ：Ｍｎ粒子とを同じ紫外線ランプ
によって励起したときの発光の輝度を比較して示す。表
１より、ＺｎＳ：Ｍｎナノクリスタルでは、バルクＺｎ
Ｓ：Ｍｎ粒子の５倍近く高い輝度が得られていることが
わかる。
【００１１】 表１ −−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−− ナノクリスタル バルク −−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−− 輝度 ６９ｃｄ／ｍ2 １４．２ｃｄ／ｍ2 −−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−− このような高い量子効果と量子サイズ効果とが物理的に
どのように関係しているかは未だ明確に説明されていな
いが、電子−正孔対形成による振動子強度の増大、エネ
ルギー準位の量子化による発光に寄与しない状態密度の
減少、結晶格子の歪みによる発光中心付近の結晶場の変
化の影響、結晶表面処理などが関係していると考えられ
る。これらのうちどの要素が発光効率に有効に寄与して
いるかは明らかではないが、以下に説明する励起子ボー
ア半径以下の大きさの結晶で、発光効率の増大が報告さ
れている。ここで、励起子ボーア半径とは励起子の存在
確率の広がりを示すもので、４πε0 ｈ2 ／ｍｅ2 （た
だし、ε0 は材料の低周波誘電率、ｈはプランク定数、
ｍは電子および正孔の有効質量から得られる換算質量、
ｅは電子の電荷）で表される。例えば、ＺｎＳの励起子
ボーア半径は２ｎｍ程度である。
どのように関係しているかは未だ明確に説明されていな
いが、電子−正孔対形成による振動子強度の増大、エネ
ルギー準位の量子化による発光に寄与しない状態密度の
減少、結晶格子の歪みによる発光中心付近の結晶場の変
化の影響、結晶表面処理などが関係していると考えられ
る。これらのうちどの要素が発光効率に有効に寄与して
いるかは明らかではないが、以下に説明する励起子ボー
ア半径以下の大きさの結晶で、発光効率の増大が報告さ
れている。ここで、励起子ボーア半径とは励起子の存在
確率の広がりを示すもので、４πε0 ｈ2 ／ｍｅ2 （た
だし、ε0 は材料の低周波誘電率、ｈはプランク定数、
ｍは電子および正孔の有効質量から得られる換算質量、
ｅは電子の電荷）で表される。例えば、ＺｎＳの励起子
ボーア半径は２ｎｍ程度である。
【００１２】最も典型的な量子サイズ効果の例として
は、バンドギャップの増大が挙げられる。図１はL.E.Br
usらの理論を基に計算したＺｎＳのバンドギャップの結
晶サイズ依存性を示す。本来のＺｎＳのバンドギャップ
は約３．５ｅＶであるから、直径約８ｎｍより小さい範
囲で量子サイズ効果が大きくなると予測することができ
る。この直径の値は励起子ボーア半径の２倍の半径を有
する結晶に相当する。したがって、励起子ボーア半径の
２倍以下の大きさの結晶からなる蛍光体を用いること
で、量子サイズ効果の発光への寄与を利用することがで
きる。
は、バンドギャップの増大が挙げられる。図１はL.E.Br
usらの理論を基に計算したＺｎＳのバンドギャップの結
晶サイズ依存性を示す。本来のＺｎＳのバンドギャップ
は約３．５ｅＶであるから、直径約８ｎｍより小さい範
囲で量子サイズ効果が大きくなると予測することができ
る。この直径の値は励起子ボーア半径の２倍の半径を有
する結晶に相当する。したがって、励起子ボーア半径の
２倍以下の大きさの結晶からなる蛍光体を用いること
で、量子サイズ効果の発光への寄与を利用することがで
きる。
【００１３】一方、表面処理をしていない結晶では、表
面に存在するイオンのダングリングボンドに励起された
電子が捕獲され、非発光再結合するため、発光強度が著
しく減少する。例えば、表２に示すように、アクリル酸
によって表面処理されたＺｎＳ：Ｍｎナノクリスタルで
は、結晶表面のダングリングボンドが有効にターミネイ
トされ、表面処理されていない試料に比べて著しく発光
強度が増大している。また、図２に示すように、ＺｎＳ
でキャッピングしたＣｄＳｅナノクリスタルでは、同じ
ように結晶表面のダングリングボンドがターミネイトさ
れているだけでなく、量子井戸構造をとることで電子−
正孔対がナノクリスタル内に強く閉じ込められ、再結合
する。この材料では、キャッピングのないＣｄＳｅナノ
クリスタルに比べ一桁以上高い発光効率が得られ、５０
％程度の量子効率が得られる。
面に存在するイオンのダングリングボンドに励起された
電子が捕獲され、非発光再結合するため、発光強度が著
しく減少する。例えば、表２に示すように、アクリル酸
によって表面処理されたＺｎＳ：Ｍｎナノクリスタルで
は、結晶表面のダングリングボンドが有効にターミネイ
トされ、表面処理されていない試料に比べて著しく発光
強度が増大している。また、図２に示すように、ＺｎＳ
でキャッピングしたＣｄＳｅナノクリスタルでは、同じ
ように結晶表面のダングリングボンドがターミネイトさ
れているだけでなく、量子井戸構造をとることで電子−
正孔対がナノクリスタル内に強く閉じ込められ、再結合
する。この材料では、キャッピングのないＣｄＳｅナノ
クリスタルに比べ一桁以上高い発光効率が得られ、５０
％程度の量子効率が得られる。
【００１４】 表２ −−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−− 表面処理 アクリル酸 無 −−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−− 輝度 ６９ｃｄ／ｍ2 ９．４ｃｄ／ｍ2 −−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−− 蛍光体としてＺｎＳｅ量子ドットを用いた場合について
説明する。本来室温ではＺｎＳｅは２．５８ｅＶのバン
ドギャップを有するが、結晶サイズを粒径８．５±１．
５ｎｍ程度まで小さくすると、量子サイズ効果によりバ
ンドギャップは２．８ｅＶ程度に大きくなり、波長４３
５ｎｍ付近にバンド端発光が観測される（図３）。Ｚｎ
Ｓｅの励起子ボーア半径は４ｎｍ程度なので、この蛍光
体の結晶粒径はこれとほぼ同程度と考えられる。この蛍
光体は、紫外線照射により化学反応を誘起することで、
結晶表面のダングリングボンドをターミネイトすること
ができ、さらに結晶表面に生成される反応物質がポテン
シャル障壁となるので、理想的な量子井戸構造を形成す
ることができる。このため、紫外線処理により図４に示
すように発光強度を著しく増大させることができる。
説明する。本来室温ではＺｎＳｅは２．５８ｅＶのバン
ドギャップを有するが、結晶サイズを粒径８．５±１．
５ｎｍ程度まで小さくすると、量子サイズ効果によりバ
ンドギャップは２．８ｅＶ程度に大きくなり、波長４３
５ｎｍ付近にバンド端発光が観測される（図３）。Ｚｎ
Ｓｅの励起子ボーア半径は４ｎｍ程度なので、この蛍光
体の結晶粒径はこれとほぼ同程度と考えられる。この蛍
光体は、紫外線照射により化学反応を誘起することで、
結晶表面のダングリングボンドをターミネイトすること
ができ、さらに結晶表面に生成される反応物質がポテン
シャル障壁となるので、理想的な量子井戸構造を形成す
ることができる。このため、紫外線処理により図４に示
すように発光強度を著しく増大させることができる。
【００１５】この蛍光体の励起スペクトル（発光強度の
励起波長依存性）を図３に示す。図３より、波長２７０
ｎｍおよび波長３７０ｎｍのところにピークが観測され
る。これらのうち長波長側の３７０ｎｍのピークはＧａ
Ｎのバンドギャップに相当していることから、ＧａＮあ
るいはＧａＮにＩｎを添加したＧａＩｎＮを活性層の材
料とする紫外線発光ダイオードでこの蛍光体を励起する
ことにより高い発光効率が得られる。また、発光ピーク
の半値幅も、従来の青色蛍光体に用いられている粒径が
数μｍのＺｎＳ：Ａｇの６０ｎｍに比べ、ＺｎＳｅ量子
ドットでは２０ｎｍ程度と非常に狭いので、色品質の良
いディスプレイを実現することが可能である。
励起波長依存性）を図３に示す。図３より、波長２７０
ｎｍおよび波長３７０ｎｍのところにピークが観測され
る。これらのうち長波長側の３７０ｎｍのピークはＧａ
Ｎのバンドギャップに相当していることから、ＧａＮあ
るいはＧａＮにＩｎを添加したＧａＩｎＮを活性層の材
料とする紫外線発光ダイオードでこの蛍光体を励起する
ことにより高い発光効率が得られる。また、発光ピーク
の半値幅も、従来の青色蛍光体に用いられている粒径が
数μｍのＺｎＳ：Ａｇの６０ｎｍに比べ、ＺｎＳｅ量子
ドットでは２０ｎｍ程度と非常に狭いので、色品質の良
いディスプレイを実現することが可能である。
【００１６】一方、緑色および赤色の蛍光体について
は、ＺｎＳｅの一部のＺｎをＣｄで置換したＺｎ1-x Ｃ
ｄx Ｓｅ（ただし、０＜ｘ≦１）量子ドットを用いるこ
とで、バンドギャップを小さくすることができる。そし
て、このＺｎ1-x Ｃｄx Ｓｅ量子ドットにおいて、Ｚｎ
およびＣｄの組成比あるいは結晶サイズを変えることに
より、所望の波長の発光を得ることができる。これらの
直接バンド間遷移の発光を用いることで、フルカラーデ
ィスプレイを実現することができる。
は、ＺｎＳｅの一部のＺｎをＣｄで置換したＺｎ1-x Ｃ
ｄx Ｓｅ（ただし、０＜ｘ≦１）量子ドットを用いるこ
とで、バンドギャップを小さくすることができる。そし
て、このＺｎ1-x Ｃｄx Ｓｅ量子ドットにおいて、Ｚｎ
およびＣｄの組成比あるいは結晶サイズを変えることに
より、所望の波長の発光を得ることができる。これらの
直接バンド間遷移の発光を用いることで、フルカラーデ
ィスプレイを実現することができる。
【００１７】さらに、上述のようなナノクリスタルから
なる赤色蛍光体、緑色蛍光体および青色蛍光体を混在さ
せた白色蛍光体を用い、この白色蛍光体をＧａＮ系発光
ダイオードの光で励起することにより、白色の照明装置
を得ることができる。
なる赤色蛍光体、緑色蛍光体および青色蛍光体を混在さ
せた白色蛍光体を用い、この白色蛍光体をＧａＮ系発光
ダイオードの光で励起することにより、白色の照明装置
を得ることができる。
【００１８】以上のように、量子サイズ効果を示すよう
な微結晶、すなわちナノクリスタルからなる蛍光体に
は、非常に大きな量子効率を示すものがあるので、この
ような蛍光体を紫外線発光素子で励起することにより、
効率の良い表示装置や照明装置を実現することができ
る。
な微結晶、すなわちナノクリスタルからなる蛍光体に
は、非常に大きな量子効率を示すものがあるので、この
ような蛍光体を紫外線発光素子で励起することにより、
効率の良い表示装置や照明装置を実現することができ
る。
【００１９】この発明は、本発明者による以上のような
検討に基づいて案出されたものである。
検討に基づいて案出されたものである。
【００２０】すなわち、上記目的を達成するために、こ
の発明の第１の発明は、窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半
導体を用いた発光素子と、発光素子から発せられる光に
より励起される蛍光体とを有する表示装置において、蛍
光体が励起子ボーア半径の２倍以下の粒径を有する結晶
からなることを特徴とするものである。
の発明の第１の発明は、窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半
導体を用いた発光素子と、発光素子から発せられる光に
より励起される蛍光体とを有する表示装置において、蛍
光体が励起子ボーア半径の２倍以下の粒径を有する結晶
からなることを特徴とするものである。
【００２１】この発明の第２の発明は、窒化物系ＩＩＩ
−Ｖ族化合物半導体を用いた発光素子と、発光素子から
発せられる光により励起される蛍光体とを有する照明装
置であって、蛍光体が励起子ボーア半径の２倍以下の粒
径を有する結晶からなることを特徴とする照明装置であ
る。
−Ｖ族化合物半導体を用いた発光素子と、発光素子から
発せられる光により励起される蛍光体とを有する照明装
置であって、蛍光体が励起子ボーア半径の２倍以下の粒
径を有する結晶からなることを特徴とする照明装置であ
る。
【００２２】この発明において、好適には、蛍光体を構
成する結晶の表面のダングリングボンドがターミネイト
される。また、典型的には、蛍光体を構成する結晶は量
子井戸構造を有する。
成する結晶の表面のダングリングボンドがターミネイト
される。また、典型的には、蛍光体を構成する結晶は量
子井戸構造を有する。
【００２３】この発明において、発光素子は、典型的に
は、一次元または二次元のアレイ状に配置される。ま
た、これらの発光素子は、典型的には、サファイア基
板、ＳｉＣ基板、ＺｎＯ基板などの基板上に窒化物系Ｉ
ＩＩ−Ｖ族化合物半導体を成長させることにより形成さ
れる。
は、一次元または二次元のアレイ状に配置される。ま
た、これらの発光素子は、典型的には、サファイア基
板、ＳｉＣ基板、ＺｎＯ基板などの基板上に窒化物系Ｉ
ＩＩ−Ｖ族化合物半導体を成長させることにより形成さ
れる。
【００２４】この発明の第１の発明において、典型的な
一つの例では、蛍光体は、赤色発光部、緑色発光部およ
び青色発光部にそれぞれ設けられた赤色蛍光体、緑色蛍
光体および青色蛍光体からなり、これらの赤色蛍光体、
緑色蛍光体および青色蛍光体のそれぞれに対応して発光
素子が設けられ、発光素子から発せられる光によりこれ
らの赤色蛍光体、緑色蛍光体および青色蛍光体が励起さ
れてそれぞれ赤色、緑色および青色を発光するように構
成される。また、典型的なもう一つの例では、蛍光体
は、赤色発光部および緑色発光部にそれぞれ設けられた
赤色蛍光体および緑色蛍光体からなり、これらの赤色蛍
光体および緑色蛍光体のそれぞれに対応して発光素子が
設けられているとともに、青色発光部に発光素子が設け
られ、発光素子から発せられる光によりこれらの赤色蛍
光体および緑色蛍光体が励起されてそれぞれ赤色および
緑色を発光するとともに、青色発光部に設けられた発光
素子から直接青色を発光するように構成される。
一つの例では、蛍光体は、赤色発光部、緑色発光部およ
び青色発光部にそれぞれ設けられた赤色蛍光体、緑色蛍
光体および青色蛍光体からなり、これらの赤色蛍光体、
緑色蛍光体および青色蛍光体のそれぞれに対応して発光
素子が設けられ、発光素子から発せられる光によりこれ
らの赤色蛍光体、緑色蛍光体および青色蛍光体が励起さ
れてそれぞれ赤色、緑色および青色を発光するように構
成される。また、典型的なもう一つの例では、蛍光体
は、赤色発光部および緑色発光部にそれぞれ設けられた
赤色蛍光体および緑色蛍光体からなり、これらの赤色蛍
光体および緑色蛍光体のそれぞれに対応して発光素子が
設けられているとともに、青色発光部に発光素子が設け
られ、発光素子から発せられる光によりこれらの赤色蛍
光体および緑色蛍光体が励起されてそれぞれ赤色および
緑色を発光するとともに、青色発光部に設けられた発光
素子から直接青色を発光するように構成される。
【００２５】この発明の第２の発明において、典型的に
は、蛍光体は赤色蛍光体、緑色蛍光体および青色蛍光体
が混在した白色蛍光体からなり、発光素子から発せられ
る光により白色蛍光体を構成する赤色蛍光体、緑色蛍光
体および青色蛍光体が励起されてそれぞれ赤色、緑色お
よび青色を発光することにより白色を発光するように構
成される。
は、蛍光体は赤色蛍光体、緑色蛍光体および青色蛍光体
が混在した白色蛍光体からなり、発光素子から発せられ
る光により白色蛍光体を構成する赤色蛍光体、緑色蛍光
体および青色蛍光体が励起されてそれぞれ赤色、緑色お
よび青色を発光することにより白色を発光するように構
成される。
【００２６】この発明において、赤色蛍光体および緑色
蛍光体を構成する結晶は例えばＺｎ1-x Ｃｄx Ｓｅ（た
だし、０＜ｘ≦１）からなり、青色蛍光体を構成する結
晶は例えばＺｎＳｅからなる。
蛍光体を構成する結晶は例えばＺｎ1-x Ｃｄx Ｓｅ（た
だし、０＜ｘ≦１）からなり、青色蛍光体を構成する結
晶は例えばＺｎＳｅからなる。
【００２７】この発明において、窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族
化合物半導体は、Ｇａ、Ａｌ、ＩｎおよびＢからなる群
より選ばれた少なくとも一種類のＩＩＩ族元素と、少な
くともＮを含み、場合によってさらにＡｓまたはＰを含
むＶ族元素とからなる。この窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合
物半導体の具体例を挙げると、ＧａＮ、ＡｌＧａＮ、Ａ
ｌＮ、ＧａＩｎＮ、ＡｌＧａＩｎＮ、ＩｎＮなどであ
る。
化合物半導体は、Ｇａ、Ａｌ、ＩｎおよびＢからなる群
より選ばれた少なくとも一種類のＩＩＩ族元素と、少な
くともＮを含み、場合によってさらにＡｓまたはＰを含
むＶ族元素とからなる。この窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合
物半導体の具体例を挙げると、ＧａＮ、ＡｌＧａＮ、Ａ
ｌＮ、ＧａＩｎＮ、ＡｌＧａＩｎＮ、ＩｎＮなどであ
る。
【００２８】上述のように構成されたこの発明の第１の
発明によれば、蛍光体が励起子ボーア半径の２倍以下の
粒径を有する結晶からなるので、窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族
化合物半導体を用いた発光素子から発せられる光により
この蛍光体を励起することにより、蛍光体の量子効率を
高くすることができるとともに、蛍光体を構成する結晶
のサイズが極めて小さいことにより解像度を高くするこ
とができる。
発明によれば、蛍光体が励起子ボーア半径の２倍以下の
粒径を有する結晶からなるので、窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族
化合物半導体を用いた発光素子から発せられる光により
この蛍光体を励起することにより、蛍光体の量子効率を
高くすることができるとともに、蛍光体を構成する結晶
のサイズが極めて小さいことにより解像度を高くするこ
とができる。
【００２９】上述のように構成されたこの発明の第２の
発明によれば、蛍光体が励起子ボーア半径の２倍以下の
粒径を有する結晶からなるので、窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族
化合物半導体を用いた発光素子から発せられる光により
この蛍光体を励起することにより、蛍光体の量子効率を
高くすることができるとともに、蛍光体を構成する結晶
のサイズが極めて小さいことにより、より均一な照明を
得ることができる。
発明によれば、蛍光体が励起子ボーア半径の２倍以下の
粒径を有する結晶からなるので、窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族
化合物半導体を用いた発光素子から発せられる光により
この蛍光体を励起することにより、蛍光体の量子効率を
高くすることができるとともに、蛍光体を構成する結晶
のサイズが極めて小さいことにより、より均一な照明を
得ることができる。
【００３０】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施形態につい
て図面を参照しながら説明する。なお、実施形態の全図
において、同一または対応する部分には同一の符号を付
す。
て図面を参照しながら説明する。なお、実施形態の全図
において、同一または対応する部分には同一の符号を付
す。
【００３１】図５にこの発明の第１の実施形態によるカ
ラー表示装置を示す。図５に示すように、この第１の実
施形態によるカラー表示装置においては、表示面積に対
応した大きさを有するサファイア基板１上に、ＧａＮ系
発光ダイオード２が二次元アレイ状に配置されている。
このＧａＮ系発光ダイオード２の発光波長は例えば３８
０ｎｍ程度である。サファイア基板１としては例えばｃ
面方位のものが用いられる。これらのＧａＮ系発光ダイ
オード２同士は隔壁３で互いに分離されている。これら
のＧａＮ系発光ダイオード２をはさんでサファイア基板
１と対向して、サファイア基板１と同じ大きさの紫外線
遮断フィルター４がサファイア基板１と平行に設けられ
ている。この紫外線遮断フィルター４のＧａＮ系発光ダ
イオード２側の主面には、各ＧａＮ系発光ダイオード２
に対応して蛍光体が設けられている。具体的には、互い
に隣接する三つのＧａＮ系発光ダイオード２を一組と
し、これらのＧａＮ系発光ダイオード２のそれぞれに対
して赤色蛍光体５、緑色蛍光体６および青色蛍光体７が
設けられている。そして、これらの赤色蛍光体５、緑色
蛍光体６および青色蛍光体７のそれぞれに対応するＧａ
Ｎ系発光ダイオード２から発せられる光が照射されて励
起されることにより、それぞれ赤色、緑色および青色を
発光するようになっている。この場合、これらの一組の
赤色蛍光体５、緑色蛍光体６および青色蛍光体７とこれ
に対応する一組のＧａＮ系発光ダイオード２とにより１
画素が形成される。
ラー表示装置を示す。図５に示すように、この第１の実
施形態によるカラー表示装置においては、表示面積に対
応した大きさを有するサファイア基板１上に、ＧａＮ系
発光ダイオード２が二次元アレイ状に配置されている。
このＧａＮ系発光ダイオード２の発光波長は例えば３８
０ｎｍ程度である。サファイア基板１としては例えばｃ
面方位のものが用いられる。これらのＧａＮ系発光ダイ
オード２同士は隔壁３で互いに分離されている。これら
のＧａＮ系発光ダイオード２をはさんでサファイア基板
１と対向して、サファイア基板１と同じ大きさの紫外線
遮断フィルター４がサファイア基板１と平行に設けられ
ている。この紫外線遮断フィルター４のＧａＮ系発光ダ
イオード２側の主面には、各ＧａＮ系発光ダイオード２
に対応して蛍光体が設けられている。具体的には、互い
に隣接する三つのＧａＮ系発光ダイオード２を一組と
し、これらのＧａＮ系発光ダイオード２のそれぞれに対
して赤色蛍光体５、緑色蛍光体６および青色蛍光体７が
設けられている。そして、これらの赤色蛍光体５、緑色
蛍光体６および青色蛍光体７のそれぞれに対応するＧａ
Ｎ系発光ダイオード２から発せられる光が照射されて励
起されることにより、それぞれ赤色、緑色および青色を
発光するようになっている。この場合、これらの一組の
赤色蛍光体５、緑色蛍光体６および青色蛍光体７とこれ
に対応する一組のＧａＮ系発光ダイオード２とにより１
画素が形成される。
【００３２】ＧａＮ系発光ダイオード２の構造の一例を
図６に示す。図６に示すように、このＧａＮ系発光ダイ
オード２は、サファイア基板１上にＧａＮバッファ層２
１、ｎ型ＧａＮコンタクト層２２、ｎ型ＡｌＧａＮクラ
ッド層２３、Ｇａ1-x ＩｎxＮ／Ｇａ1-y Ｉｎy Ｎ多重
量子井戸構造の活性層２４、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層
２５およびｐ型ＧａＮコンタクト層２６を順次積層した
構造を有する。ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層２３、活性層
２４、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層２５およびｐ型ＧａＮ
コンタクト層２６は所定のメサ形状を有する。そして、
ｐ型ＧａＮコンタクト層２６上に例えばＴｉ／Ａｕ膜か
らなるｐ側電極２７がオーミックコンタクトしていると
ともに、ｎ型ＧａＮコンタクト層２２上に例えばＴｉ／
Ａｌ膜からなるｎ側電極２８がオーミックコンタクトし
ている。
図６に示す。図６に示すように、このＧａＮ系発光ダイ
オード２は、サファイア基板１上にＧａＮバッファ層２
１、ｎ型ＧａＮコンタクト層２２、ｎ型ＡｌＧａＮクラ
ッド層２３、Ｇａ1-x ＩｎxＮ／Ｇａ1-y Ｉｎy Ｎ多重
量子井戸構造の活性層２４、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層
２５およびｐ型ＧａＮコンタクト層２６を順次積層した
構造を有する。ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層２３、活性層
２４、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層２５およびｐ型ＧａＮ
コンタクト層２６は所定のメサ形状を有する。そして、
ｐ型ＧａＮコンタクト層２６上に例えばＴｉ／Ａｕ膜か
らなるｐ側電極２７がオーミックコンタクトしていると
ともに、ｎ型ＧａＮコンタクト層２２上に例えばＴｉ／
Ａｌ膜からなるｎ側電極２８がオーミックコンタクトし
ている。
【００３３】このＧａＮ系発光ダイオード２の形成は次
のようにして行われる。すなわち、サファイア基板１上
に有機金属化学気相成長（ＭＯＣＶＤ）法により例えば
５６０℃程度の温度でＧａＮバッファ層２１を成長させ
た後、引き続いてＭＯＣＶＤ法により、このＧａＮバッ
ファ層２１上にｎ型ＧａＮコンタクト層２２、ｎ型Ａｌ
ＧａＮクラッド層２３、活性層２４、ｐ型ＡｌＧａＮク
ラッド層２５およびｐ型ＧａＮコンタクト層２６を順次
成長させる。ここで、Ｉｎを含まない層であるｎ型Ｇａ
Ｎコンタクト層２２、ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層２３、
ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層２５およびｐ型ＧａＮコンタ
クト層２６の成長温度は１０００℃程度とし、Ｉｎを含
む層であるＧａ1-x Ｉｎx Ｎ／Ｇａ1-y Ｉｎy Ｎ多重量
子井戸構造の活性層２４の成長温度は７００〜８００℃
とする。この後、これらの層にドープされたｎ型不純物
およびｐ型不純物の電気的活性化、特にｐ型ＡｌＧａＮ
クラッド層２５およびｐ型ＧａＮコンタクト層２６にド
ープされたｐ型不純物の電気的活性化のための熱処理を
行う。この熱処理は、例えば窒素ガス雰囲気中において
８００℃の温度で行う。次に、ｐ型ＧａＮコンタクト層
２６上に所定のストライプ形状のレジストパターン（図
示せず）を形成した後、このレジストパターンをマスク
として例えば反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）法によ
りｎ型ＧａＮコンタクト層２２に達するまでエッチング
する。この後、このレジストパターンを除去する。次
に、ｐ型ＧａＮコンタクト層２６上にｐ側電極２７を形
成するとともに、ｎ型ＧａＮコンタクト層２２上にｎ側
電極２８を形成する。次に、基板表面に所定のストライ
プ形状のレジストパターン（図示せず）を形成した後、
このレジストパターンをマスクとして、ＧａＮバッファ
層２１、ｎ型ＧａＮコンタクト層２２、ｎ型ＡｌＧａＮ
クラッド層２３、Ｇａ1-x Ｉｎx Ｎ／Ｇａ1-y Ｉｎy Ｎ
多重量子井戸構造の活性層２４、ｐ型ＡｌＧａＮクラッ
ド層２５およびｐ型ＧａＮコンタクト層２６をエッチン
グする。以上により、ＧａＮ系発光ダイオード２が互い
に分離された状態で二次元アレイ状に形成される。
のようにして行われる。すなわち、サファイア基板１上
に有機金属化学気相成長（ＭＯＣＶＤ）法により例えば
５６０℃程度の温度でＧａＮバッファ層２１を成長させ
た後、引き続いてＭＯＣＶＤ法により、このＧａＮバッ
ファ層２１上にｎ型ＧａＮコンタクト層２２、ｎ型Ａｌ
ＧａＮクラッド層２３、活性層２４、ｐ型ＡｌＧａＮク
ラッド層２５およびｐ型ＧａＮコンタクト層２６を順次
成長させる。ここで、Ｉｎを含まない層であるｎ型Ｇａ
Ｎコンタクト層２２、ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層２３、
ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層２５およびｐ型ＧａＮコンタ
クト層２６の成長温度は１０００℃程度とし、Ｉｎを含
む層であるＧａ1-x Ｉｎx Ｎ／Ｇａ1-y Ｉｎy Ｎ多重量
子井戸構造の活性層２４の成長温度は７００〜８００℃
とする。この後、これらの層にドープされたｎ型不純物
およびｐ型不純物の電気的活性化、特にｐ型ＡｌＧａＮ
クラッド層２５およびｐ型ＧａＮコンタクト層２６にド
ープされたｐ型不純物の電気的活性化のための熱処理を
行う。この熱処理は、例えば窒素ガス雰囲気中において
８００℃の温度で行う。次に、ｐ型ＧａＮコンタクト層
２６上に所定のストライプ形状のレジストパターン（図
示せず）を形成した後、このレジストパターンをマスク
として例えば反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）法によ
りｎ型ＧａＮコンタクト層２２に達するまでエッチング
する。この後、このレジストパターンを除去する。次
に、ｐ型ＧａＮコンタクト層２６上にｐ側電極２７を形
成するとともに、ｎ型ＧａＮコンタクト層２２上にｎ側
電極２８を形成する。次に、基板表面に所定のストライ
プ形状のレジストパターン（図示せず）を形成した後、
このレジストパターンをマスクとして、ＧａＮバッファ
層２１、ｎ型ＧａＮコンタクト層２２、ｎ型ＡｌＧａＮ
クラッド層２３、Ｇａ1-x Ｉｎx Ｎ／Ｇａ1-y Ｉｎy Ｎ
多重量子井戸構造の活性層２４、ｐ型ＡｌＧａＮクラッ
ド層２５およびｐ型ＧａＮコンタクト層２６をエッチン
グする。以上により、ＧａＮ系発光ダイオード２が互い
に分離された状態で二次元アレイ状に形成される。
【００３４】この第１の実施形態において、赤色蛍光体
５としては、例えば粒径６〜１０ｎｍの例えばｘ＝０．
９０のＺｎ1-x Ｃｄx Ｓｅからなるナノクリスタルある
いはＺｎ1-x Ｃｄx Ｓｅ量子ドットからなるものが用い
られる。また、緑色蛍光体６としては、例えば粒径６〜
１０ｎｍの例えばｘ＝０．３８のＺｎ1-x Ｃｄx Ｓｅか
らなるナノクリスタルあるいはＺｎ1-x Ｃｄx Ｓｅ量子
ドットからなるものが用いられる。また、青色蛍光体６
としては、粒径６〜１０ｎｍ程度のＺｎＳｅからなるナ
ノクリスタルあるいはＺｎＳｅ量子ドットからなるもの
が用いられる。
５としては、例えば粒径６〜１０ｎｍの例えばｘ＝０．
９０のＺｎ1-x Ｃｄx Ｓｅからなるナノクリスタルある
いはＺｎ1-x Ｃｄx Ｓｅ量子ドットからなるものが用い
られる。また、緑色蛍光体６としては、例えば粒径６〜
１０ｎｍの例えばｘ＝０．３８のＺｎ1-x Ｃｄx Ｓｅか
らなるナノクリスタルあるいはＺｎ1-x Ｃｄx Ｓｅ量子
ドットからなるものが用いられる。また、青色蛍光体６
としては、粒径６〜１０ｎｍ程度のＺｎＳｅからなるナ
ノクリスタルあるいはＺｎＳｅ量子ドットからなるもの
が用いられる。
【００３５】上述のように構成されたこの第１の実施形
態によるカラー表示装置においては、入力信号に応じた
電流を各ＧａＮ系発光ダイオード２に注入し、各ＧａＮ
系発光ダイオード２から発生される光により赤色蛍光体
５、緑色蛍光体６および青色蛍光体７を励起すること
で、フルカラーの表示を行うことができる。
態によるカラー表示装置においては、入力信号に応じた
電流を各ＧａＮ系発光ダイオード２に注入し、各ＧａＮ
系発光ダイオード２から発生される光により赤色蛍光体
５、緑色蛍光体６および青色蛍光体７を励起すること
で、フルカラーの表示を行うことができる。
【００３６】以上のように、この第１の実施形態によれ
ば、赤色蛍光体５、緑色蛍光体６および青色蛍光体７と
も、励起子ボーア半径以下の粒径の結晶、すなわちナノ
クリスタルからなることにより、高輝度、高解像度、低
消費電力のフルカラーフラット型ディスプレイを実現す
ることができる。
ば、赤色蛍光体５、緑色蛍光体６および青色蛍光体７と
も、励起子ボーア半径以下の粒径の結晶、すなわちナノ
クリスタルからなることにより、高輝度、高解像度、低
消費電力のフルカラーフラット型ディスプレイを実現す
ることができる。
【００３７】図７はこの発明の第２の実施形態によるカ
ラー表示装置を示す。図７に示すように、この第２の実
施形態によるカラー表示装置においては、青色蛍光体７
が設けられていない。また、ＧａＮ系発光ダイオード２
の発光波長は４６０ｎｍ程度である。この場合、青色発
光部においては、ＧａＮ系発光ダイオード２から発せら
れる青色の光がそのまま紫外線遮断フィルター４を通っ
て外部に放出される。その他のことは、第１の実施形態
によるカラー表示装置と同様であるので、説明を省略す
る。
ラー表示装置を示す。図７に示すように、この第２の実
施形態によるカラー表示装置においては、青色蛍光体７
が設けられていない。また、ＧａＮ系発光ダイオード２
の発光波長は４６０ｎｍ程度である。この場合、青色発
光部においては、ＧａＮ系発光ダイオード２から発せら
れる青色の光がそのまま紫外線遮断フィルター４を通っ
て外部に放出される。その他のことは、第１の実施形態
によるカラー表示装置と同様であるので、説明を省略す
る。
【００３８】この第２の実施形態によれば、第１の実施
形態と同様の利点を有する。
形態と同様の利点を有する。
【００３９】図８はこの発明の第３の実施形態による照
明装置を示す。図８に示すように、この第３の実施形態
による照明装置においては、所定の大きさを有するサフ
ァイア基板１上に、ＧａＮ系発光ダイオード２が二次元
アレイ状に配置されている。このＧａＮ系発光ダイオー
ド２の発光波長は例えば３８０ｎｍ程度である。サファ
イア基板１としては例えばｃ面のものが用いられる。こ
れらのＧａＮ系発光ダイオード２同士は隔壁３で互いに
分離されている。これらのＧａＮ系発光ダイオード２を
はさんでサファイア基板１と対向して、サファイア基板
１と同じ大きさの紫外線遮断フィルター４がサファイア
基板１と平行に設けられている。この紫外線遮断フィル
ター４のＧａＮ系発光ダイオード２側の主面には、各Ｇ
ａＮ系発光ダイオード２に対応して白色蛍光体８が設け
られている。そして、これの白色蛍光体８に対応するＧ
ａＮ系発光ダイオード２から発せられる光が照射されて
励起されることにより、白色を発光するようになってい
る。
明装置を示す。図８に示すように、この第３の実施形態
による照明装置においては、所定の大きさを有するサフ
ァイア基板１上に、ＧａＮ系発光ダイオード２が二次元
アレイ状に配置されている。このＧａＮ系発光ダイオー
ド２の発光波長は例えば３８０ｎｍ程度である。サファ
イア基板１としては例えばｃ面のものが用いられる。こ
れらのＧａＮ系発光ダイオード２同士は隔壁３で互いに
分離されている。これらのＧａＮ系発光ダイオード２を
はさんでサファイア基板１と対向して、サファイア基板
１と同じ大きさの紫外線遮断フィルター４がサファイア
基板１と平行に設けられている。この紫外線遮断フィル
ター４のＧａＮ系発光ダイオード２側の主面には、各Ｇ
ａＮ系発光ダイオード２に対応して白色蛍光体８が設け
られている。そして、これの白色蛍光体８に対応するＧ
ａＮ系発光ダイオード２から発せられる光が照射されて
励起されることにより、白色を発光するようになってい
る。
【００４０】ＧａＮ系発光ダイオード２の構造および形
成方法は第１の実施形態と同様であるので、説明を省略
する。
成方法は第１の実施形態と同様であるので、説明を省略
する。
【００４１】この第３の実施形態において、白色蛍光体
８としては、第１の実施形態において用いた赤色蛍光体
５、緑色蛍光体６および青色蛍光体７をそれぞれ構成す
る３種類のナノクリスタルを混在させたものからなるも
のが用いられる。
８としては、第１の実施形態において用いた赤色蛍光体
５、緑色蛍光体６および青色蛍光体７をそれぞれ構成す
る３種類のナノクリスタルを混在させたものからなるも
のが用いられる。
【００４２】この第３の実施形態によれば、高輝度かつ
低消費電力のフラット型照明装置を実現することができ
るとともに、従来の照明装置と異なり、全固体で機械的
強度の非常に高い照明装置を実現することができる。
低消費電力のフラット型照明装置を実現することができ
るとともに、従来の照明装置と異なり、全固体で機械的
強度の非常に高い照明装置を実現することができる。
【００４３】以上、この発明の実施形態について具体的
に説明したが、この発明は、上述の実施形態に限定され
るものではなく、この発明の技術的思想に基づく各種の
変形が可能である。
に説明したが、この発明は、上述の実施形態に限定され
るものではなく、この発明の技術的思想に基づく各種の
変形が可能である。
【００４４】例えば、上述の第１、第２および第３の実
施形態において挙げた数値、構造、基板、プロセスなど
はあくまでも例に過ぎず、必要に応じて、これらと異な
る数値、構造、基板、プロセスなどを用いてもよい。
施形態において挙げた数値、構造、基板、プロセスなど
はあくまでも例に過ぎず、必要に応じて、これらと異な
る数値、構造、基板、プロセスなどを用いてもよい。
【００４５】
【発明の効果】以上説明したように、この発明の第１の
発明によれば、蛍光体が励起子ボーア半径の２倍以下の
粒径を有する結晶からなることにより、高輝度、高解像
度、低消費電力、薄型の表示装置を実現することができ
る。
発明によれば、蛍光体が励起子ボーア半径の２倍以下の
粒径を有する結晶からなることにより、高輝度、高解像
度、低消費電力、薄型の表示装置を実現することができ
る。
【００４６】この発明の第２の発明によれば、蛍光体が
励起子ボーア半径の２倍以下の粒径を有する結晶からな
ることにより、高輝度、低消費電力、薄型の照明装置を
実現することができる。
励起子ボーア半径の２倍以下の粒径を有する結晶からな
ることにより、高輝度、低消費電力、薄型の照明装置を
実現することができる。
【図１】ＺｎＳのバンドギャップエネルギーの結晶サイ
ズ依存性を示す略線図である。
ズ依存性を示す略線図である。
【図２】ＣｄＳｅ量子ドットを示す断面図およびエネル
ギーバンド図である。
ギーバンド図である。
【図３】室温で測定されたフォトルミネッセンススペク
トルおよび励起スペクトルを示す略線図である。
トルおよび励起スペクトルを示す略線図である。
【図４】ＺｎＳｅ量子ドットのフォトルミネッセンス強
度を紫外線照射時間の関数として表した略線図である。
度を紫外線照射時間の関数として表した略線図である。
【図５】この発明の第１の実施形態によるカラー表示装
置を示す断面図である。
置を示す断面図である。
【図６】この発明の第１の実施形態によるカラー表示装
置におけるＧａＮ系発光ダイオードの構造例を示す断面
図である。
置におけるＧａＮ系発光ダイオードの構造例を示す断面
図である。
【図７】この発明の第２の実施形態によるカラー表示装
置を示す断面図である。
置を示す断面図である。
【図８】この発明の第３の実施形態による照明装置を示
す断面図である。
す断面図である。
１・・・サファイア基板、２・・・ＧａＮ系発光ダイオ
ード、３・・・隔壁、４・・・紫外線遮断フィルター、
５・・・赤色蛍光体、６・・・緑色蛍光体、７・・・青
色蛍光体、８・・・白色蛍光体
ード、３・・・隔壁、４・・・紫外線遮断フィルター、
５・・・赤色蛍光体、６・・・緑色蛍光体、７・・・青
色蛍光体、８・・・白色蛍光体
Claims (14)
- 【請求項１】 窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を用
いた発光素子と、 上記発光素子から発せられる光により励起される蛍光体
とを有する表示装置において、 上記蛍光体が励起子ボーア半径の２倍以下の粒径を有す
る結晶からなることを特徴とする表示装置。 - 【請求項２】 上記結晶の表面のダングリングボンドが
ターミネイトされていることを特徴とする請求項１記載
の表示装置。 - 【請求項３】 上記結晶が量子井戸構造を有することを
特徴とする請求項１記載の表示装置。 - 【請求項４】 上記発光素子がアレイ状に配置されてい
ることを特徴とする請求項１記載の表示装置。 - 【請求項５】 上記蛍光体は赤色発光部、緑色発光部お
よび青色発光部にそれぞれ設けられた赤色蛍光体、緑色
蛍光体および青色蛍光体からなり、これらの赤色蛍光
体、緑色蛍光体および青色蛍光体のそれぞれに対応して
上記発光素子が設けられ、上記発光素子から発せられる
光によりこれらの赤色蛍光体、緑色蛍光体および青色蛍
光体が励起されてそれぞれ赤色、緑色および青色を発光
するように構成されていることを特徴とする請求項１記
載の表示装置。 - 【請求項６】 上記蛍光体は赤色発光部および緑色発光
部にそれぞれ設けられた赤色蛍光体および緑色蛍光体か
らなり、これらの赤色蛍光体および緑色蛍光体のそれぞ
れに対応して上記発光素子が設けられているとともに、
青色発光部に上記発光素子が設けられ、上記発光素子か
ら発せられる光によりこれらの赤色蛍光体および緑色蛍
光体が励起されてそれぞれ赤色および緑色を発光すると
ともに、上記青色発光部に設けられた上記発光素子から
直接青色を発光するように構成されていることを特徴と
する請求項１記載の表示装置。 - 【請求項７】 上記赤色蛍光体および上記緑色蛍光体を
構成する結晶はＺｎ1-x Ｃｄx Ｓｅ（ただし、０＜ｘ≦
１）からなり、上記青色蛍光体を構成する結晶はＺｎＳ
ｅからなることを特徴とする請求項５記載の表示装置。 - 【請求項８】 上記赤色蛍光体および上記緑色蛍光体を
構成する結晶はＺｎ1-x Ｃｄx Ｓｅ（ただし、０＜ｘ≦
１）からなることを特徴とする請求項６記載の表示装
置。 - 【請求項９】 窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を用
いた発光素子と、 上記発光素子から発せられる光により励起される蛍光体
とを有する照明装置であって、 上記蛍光体が励起子ボーア半径の２倍以下の粒径を有す
る結晶からなることを特徴とする照明装置。 - 【請求項１０】 上記結晶の表面のダングリングボンド
がターミネイトされていることを特徴とする請求項９記
載の照明装置。 - 【請求項１１】 上記結晶が量子井戸構造を有すること
を特徴とする請求項９記載の照明装置。 - 【請求項１２】 上記発光素子がアレイ状に配置されて
いることを特徴とする請求項９記載の照明装置。 - 【請求項１３】 上記蛍光体は赤色蛍光体、緑色蛍光体
および青色蛍光体が混在した白色蛍光体からなり、上記
発光素子から発せられる光により上記白色蛍光体を構成
する上記赤色蛍光体、上記緑色蛍光体および上記青色蛍
光体が励起されてそれぞれ赤色、緑色および青色を発光
することにより白色を発光するように構成されているこ
とを特徴とする請求項９記載の照明装置。 - 【請求項１４】 上記赤色蛍光体および上記緑色蛍光体
を構成する結晶はＺｎ1-x Ｃｄx Ｓｅ（ただし、０＜ｘ
≦１）からなり、上記青色蛍光体を構成する結晶はＺｎ
Ｓｅからなることを特徴とする請求項１３記載の照明装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14416898A JP4126751B2 (ja) | 1998-05-26 | 1998-05-26 | 表示装置および照明装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Cited By (37)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002208736A (ja) * | 2001-01-11 | 2002-07-26 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 発光装置 |
| JP2002324915A (ja) * | 2001-04-24 | 2002-11-08 | Nichia Chem Ind Ltd | 集積型窒化物半導体発光素子 |
| JP2003243715A (ja) * | 2002-02-15 | 2003-08-29 | Hitachi Ltd | 白色光源及びそれを用いた画像表示装置 |
| JP2004071357A (ja) * | 2002-08-06 | 2004-03-04 | Shigeo Fujita | 照明装置 |
| JP2004083653A (ja) * | 2002-08-23 | 2004-03-18 | Sharp Corp | 発光装置ならびに蛍光体およびその製造方法 |
| JP2005197476A (ja) * | 2004-01-07 | 2005-07-21 | Koito Mfg Co Ltd | 発光モジュール及び車両用灯具 |
| US7022260B2 (en) | 2002-09-20 | 2006-04-04 | Sharp Kabushiki Kaisha | Fluorescent member, and illumination device and display device including the same |
| US7033865B2 (en) | 2000-06-01 | 2006-04-25 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Thermally conductive substrate, thermally conductive substrate manufacturing method and power module |
| JP2006114854A (ja) * | 2004-10-18 | 2006-04-27 | Sharp Corp | 半導体発光装置、液晶表示装置用のバックライト装置 |
| JP2006148051A (ja) * | 2004-06-30 | 2006-06-08 | Mitsubishi Chemicals Corp | 発光装置、照明、表示装置用バックライトユニット及び表示装置 |
| JP2006167449A (ja) * | 2004-12-01 | 2006-06-29 | Acushnet Co | 物体識別のための量子ドットを備えた性能測定システム |
| JP2006518546A (ja) * | 2003-02-05 | 2006-08-10 | ユニバーシティ オブ ストラスクライド | 半導体発光素子アレイ |
| JP2006275913A (ja) * | 2005-03-30 | 2006-10-12 | Fuji Photo Film Co Ltd | 光計測装置 |
| JP2006308858A (ja) * | 2005-04-28 | 2006-11-09 | Mitsubishi Chemicals Corp | 表示装置 |
| JP2006344617A (ja) * | 2005-06-07 | 2006-12-21 | Fine Rubber Kenkyusho:Kk | 発光装置ユニット |
| JP2007036041A (ja) * | 2005-07-28 | 2007-02-08 | Sony Corp | 発光装置及び光学装置 |
| JP2007173397A (ja) * | 2005-12-20 | 2007-07-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 発光モジュールとこれを用いた表示装置及び照明装置 |
| JP2007173755A (ja) * | 2005-11-28 | 2007-07-05 | Kyocera Corp | 蛍光体粒子および波長変換器ならびに発光装置 |
| JP2007180377A (ja) * | 2005-12-28 | 2007-07-12 | Sharp Corp | 発光装置 |
| JPWO2005071039A1 (ja) * | 2004-01-26 | 2007-09-06 | 京セラ株式会社 | 波長変換器、発光装置、波長変換器の製造方法および発光装置の製造方法 |
| JP2008506972A (ja) * | 2003-11-03 | 2008-03-06 | スーパーイメージング，インコーポレーション | 透明基板一体型の発光材料 |
| JP2008060129A (ja) * | 2006-08-29 | 2008-03-13 | Nec Lighting Ltd | フルカラー発光ダイオード |
| JP2008518401A (ja) * | 2004-10-22 | 2008-05-29 | マサチューセッツ・インスティテュート・オブ・テクノロジー | 半導体ナノクリスタルを含む発光デバイス |
| JP2009044137A (ja) * | 2008-07-07 | 2009-02-26 | Sharp Corp | 発光装置及び蛍光体 |
| WO2009078426A1 (ja) * | 2007-12-18 | 2009-06-25 | Idec Corporation | 波長変換器及び発光装置 |
| US7560859B2 (en) | 2004-09-14 | 2009-07-14 | Shizuo Fujita | Fluorescent material having two layer structure and light emitting apparatus employing the same |
| JP2009545142A (ja) * | 2006-07-28 | 2009-12-17 | ヴァーシテック・リミテッド | 白色光ｌｅｄおよび連続的に色調整可能なｌｅｄの製作方法 |
| JP2011035420A (ja) * | 2007-05-02 | 2011-02-17 | Cree Inc | Ｃｒｉの高い暖色系白色光を供給するマルチチップ発光デバイスランプおよびこれを含む照明器具 |
| US8906804B2 (en) | 2006-04-07 | 2014-12-09 | Qd Vision, Inc. | Composition including material, methods of depositing material, articles including same and systems for depositing materials |
| US9120149B2 (en) | 2006-06-24 | 2015-09-01 | Qd Vision, Inc. | Methods and articles including nanomaterial |
| JP2016040842A (ja) * | 2015-11-04 | 2016-03-24 | Ｎｓマテリアルズ株式会社 | Ｌｅｄ素子、その製造方法、及びｌｅｄ素子の色調補正方法 |
| JP2016510502A (ja) * | 2013-01-11 | 2016-04-07 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングＯｓｒａｍ Ｏｐｔｏ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ ＧｍｂＨ | オプトエレクトロニクス半導体チップ |
| WO2016060136A1 (ja) * | 2014-10-14 | 2016-04-21 | 大日本印刷株式会社 | 画像表示装置用モジュール及び画像表示装置 |
| JP2017108129A (ja) * | 2015-11-30 | 2017-06-15 | 隆達電子股▲ふん▼有限公司 | 波長変換材料およびその用途 |
| US10436973B2 (en) | 2015-11-30 | 2019-10-08 | Lextar Electronics Corporation | Quantum dot composite material and manufacturing method and application thereof |
| JP2020053447A (ja) * | 2018-09-25 | 2020-04-02 | 日亜化学工業株式会社 | 発光モジュール |
| JP2022107676A (ja) * | 2016-02-04 | 2022-07-22 | 晶元光電股▲ふん▼有限公司 | 発光素子及びその製造方法 |
-
1998
- 1998-05-26 JP JP14416898A patent/JP4126751B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (51)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7033865B2 (en) | 2000-06-01 | 2006-04-25 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Thermally conductive substrate, thermally conductive substrate manufacturing method and power module |
| JP2002208736A (ja) * | 2001-01-11 | 2002-07-26 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 発光装置 |
| JP2002324915A (ja) * | 2001-04-24 | 2002-11-08 | Nichia Chem Ind Ltd | 集積型窒化物半導体発光素子 |
| JP2003243715A (ja) * | 2002-02-15 | 2003-08-29 | Hitachi Ltd | 白色光源及びそれを用いた画像表示装置 |
| JP2004071357A (ja) * | 2002-08-06 | 2004-03-04 | Shigeo Fujita | 照明装置 |
| JP2004083653A (ja) * | 2002-08-23 | 2004-03-18 | Sharp Corp | 発光装置ならびに蛍光体およびその製造方法 |
| US7700001B2 (en) | 2002-08-23 | 2010-04-20 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light-emitting apparatus, phosphor and method of producing it |
| US8287760B2 (en) | 2002-08-23 | 2012-10-16 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light-emitting apparatus, phosphorescent portion, and method of producing the same |
| US7058103B2 (en) | 2002-08-23 | 2006-06-06 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light-emitting apparatus, phosphor, and method of producing it |
| US7022260B2 (en) | 2002-09-20 | 2006-04-04 | Sharp Kabushiki Kaisha | Fluorescent member, and illumination device and display device including the same |
| JP2006518546A (ja) * | 2003-02-05 | 2006-08-10 | ユニバーシティ オブ ストラスクライド | 半導体発光素子アレイ |
| JP2008506972A (ja) * | 2003-11-03 | 2008-03-06 | スーパーイメージング，インコーポレーション | 透明基板一体型の発光材料 |
| JP2005197476A (ja) * | 2004-01-07 | 2005-07-21 | Koito Mfg Co Ltd | 発光モジュール及び車両用灯具 |
| JPWO2005071039A1 (ja) * | 2004-01-26 | 2007-09-06 | 京セラ株式会社 | 波長変換器、発光装置、波長変換器の製造方法および発光装置の製造方法 |
| JP4653662B2 (ja) * | 2004-01-26 | 2011-03-16 | 京セラ株式会社 | 波長変換器、発光装置、波長変換器の製造方法および発光装置の製造方法 |
| JP2006148051A (ja) * | 2004-06-30 | 2006-06-08 | Mitsubishi Chemicals Corp | 発光装置、照明、表示装置用バックライトユニット及び表示装置 |
| US7560859B2 (en) | 2004-09-14 | 2009-07-14 | Shizuo Fujita | Fluorescent material having two layer structure and light emitting apparatus employing the same |
| JP2006114854A (ja) * | 2004-10-18 | 2006-04-27 | Sharp Corp | 半導体発光装置、液晶表示装置用のバックライト装置 |
| US7977689B2 (en) | 2004-10-18 | 2011-07-12 | Sharp Kabushiki Kaisha | Backlight device for liquid crystal display including a plurality of light emitting diodes within their own concaves aligned in a straight line within a larger concave |
| JP2008518401A (ja) * | 2004-10-22 | 2008-05-29 | マサチューセッツ・インスティテュート・オブ・テクノロジー | 半導体ナノクリスタルを含む発光デバイス |
| JP2012142296A (ja) * | 2004-10-22 | 2012-07-26 | Massachusetts Institute Of Technology | 半導体ナノクリスタルを含む発光デバイス |
| US10225906B2 (en) | 2004-10-22 | 2019-03-05 | Massachusetts Institute Of Technology | Light emitting device including semiconductor nanocrystals |
| JP2006167449A (ja) * | 2004-12-01 | 2006-06-29 | Acushnet Co | 物体識別のための量子ドットを備えた性能測定システム |
| US8847478B2 (en) | 2005-01-10 | 2014-09-30 | Cree, Inc. | Multi-chip light emitting device lamps for providing high-CRI warm white light and light fixtures including the same |
| JP2006275913A (ja) * | 2005-03-30 | 2006-10-12 | Fuji Photo Film Co Ltd | 光計測装置 |
| JP2006308858A (ja) * | 2005-04-28 | 2006-11-09 | Mitsubishi Chemicals Corp | 表示装置 |
| JP2006344617A (ja) * | 2005-06-07 | 2006-12-21 | Fine Rubber Kenkyusho:Kk | 発光装置ユニット |
| JP2007036041A (ja) * | 2005-07-28 | 2007-02-08 | Sony Corp | 発光装置及び光学装置 |
| JP2007173755A (ja) * | 2005-11-28 | 2007-07-05 | Kyocera Corp | 蛍光体粒子および波長変換器ならびに発光装置 |
| JP2007173397A (ja) * | 2005-12-20 | 2007-07-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 発光モジュールとこれを用いた表示装置及び照明装置 |
| JP2007180377A (ja) * | 2005-12-28 | 2007-07-12 | Sharp Corp | 発光装置 |
| US8906804B2 (en) | 2006-04-07 | 2014-12-09 | Qd Vision, Inc. | Composition including material, methods of depositing material, articles including same and systems for depositing materials |
| US9120149B2 (en) | 2006-06-24 | 2015-09-01 | Qd Vision, Inc. | Methods and articles including nanomaterial |
| JP2009545142A (ja) * | 2006-07-28 | 2009-12-17 | ヴァーシテック・リミテッド | 白色光ｌｅｄおよび連続的に色調整可能なｌｅｄの製作方法 |
| JP2008060129A (ja) * | 2006-08-29 | 2008-03-13 | Nec Lighting Ltd | フルカラー発光ダイオード |
| JP2011035420A (ja) * | 2007-05-02 | 2011-02-17 | Cree Inc | Ｃｒｉの高い暖色系白色光を供給するマルチチップ発光デバイスランプおよびこれを含む照明器具 |
| JPWO2009078426A1 (ja) * | 2007-12-18 | 2011-04-28 | Idec株式会社 | 波長変換器及び発光装置 |
| JP5134618B2 (ja) * | 2007-12-18 | 2013-01-30 | Ｉｄｅｃ株式会社 | 波長変換器及び発光装置 |
| WO2009078426A1 (ja) * | 2007-12-18 | 2009-06-25 | Idec Corporation | 波長変換器及び発光装置 |
| JP2009044137A (ja) * | 2008-07-07 | 2009-02-26 | Sharp Corp | 発光装置及び蛍光体 |
| JP2016510502A (ja) * | 2013-01-11 | 2016-04-07 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングＯｓｒａｍ Ｏｐｔｏ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ ＧｍｂＨ | オプトエレクトロニクス半導体チップ |
| US9496462B2 (en) | 2013-01-11 | 2016-11-15 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelectronic semiconductor chip |
| WO2016060136A1 (ja) * | 2014-10-14 | 2016-04-21 | 大日本印刷株式会社 | 画像表示装置用モジュール及び画像表示装置 |
| JP2016080802A (ja) * | 2014-10-14 | 2016-05-16 | 大日本印刷株式会社 | 画像表示装置用モジュール及び画像表示装置 |
| US10082618B2 (en) | 2014-10-14 | 2018-09-25 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Image display module with superior white point stability |
| JP2016040842A (ja) * | 2015-11-04 | 2016-03-24 | Ｎｓマテリアルズ株式会社 | Ｌｅｄ素子、その製造方法、及びｌｅｄ素子の色調補正方法 |
| JP2017108129A (ja) * | 2015-11-30 | 2017-06-15 | 隆達電子股▲ふん▼有限公司 | 波長変換材料およびその用途 |
| US10436973B2 (en) | 2015-11-30 | 2019-10-08 | Lextar Electronics Corporation | Quantum dot composite material and manufacturing method and application thereof |
| US10816716B2 (en) | 2015-11-30 | 2020-10-27 | Lextar Electronics Corporation | Application of quantum dot composite material |
| JP2022107676A (ja) * | 2016-02-04 | 2022-07-22 | 晶元光電股▲ふん▼有限公司 | 発光素子及びその製造方法 |
| JP2020053447A (ja) * | 2018-09-25 | 2020-04-02 | 日亜化学工業株式会社 | 発光モジュール |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4126751B2 (ja) | 2008-07-30 |
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