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JPH11340404A - Lead frame and manufacture of plastic package using the same - Google Patents

Lead frame and manufacture of plastic package using the same

Info

Publication number
JPH11340404A
JPH11340404A JP10141246A JP14124698A JPH11340404A JP H11340404 A JPH11340404 A JP H11340404A JP 10141246 A JP10141246 A JP 10141246A JP 14124698 A JP14124698 A JP 14124698A JP H11340404 A JPH11340404 A JP H11340404A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
lead frame
inner lead
annular
molding
conductor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP10141246A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Masakata Kanbe
正方 神戸
Masahiro Taniguchi
政弘 谷口
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokai Rika Co Ltd
Original Assignee
Tokai Rika Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokai Rika Co Ltd filed Critical Tokai Rika Co Ltd
Priority to JP10141246A priority Critical patent/JPH11340404A/en
Publication of JPH11340404A publication Critical patent/JPH11340404A/en
Pending legal-status Critical Current

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  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method by which a plastic package can be manufactured with high workability and inexpensively. SOLUTION: A lead frame 2 is used at the time of performing such an insert molding that the molded surface in a parts housing space formed of a molding resin 5 and the external surface of an inner lead section 3 are flush with each other. At a prescribed position in the inner lead section 3, a ruggedness structure 11 is formed for preventing the formation of molding burrs. After the insert molding is performed with the use of the lead frame 2, a conductor 9 is bonded to a region where the recessing and projecting structure 11 is formed by using the region as a conductor bonding area B1.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、リードフレーム及
びそれを用いたプラスティックパッケージの製造方法に
関するものである。
The present invention relates to a lead frame and a method for manufacturing a plastic package using the same.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、リードフレームを用いたプラステ
ィックパッケージの製造方法が知られている。その一例
を以下に簡単に紹介する。
2. Description of the Related Art Conventionally, a method of manufacturing a plastic package using a lead frame has been known. An example is briefly described below.

【0003】まず、金属板材に対するエッチングまたは
打ち抜きにより、インナーリード部、アウターリード部
及びアイランド部を備えるリードフレームを作製する。
このリードフレームを所定の成形型内にセットし、モー
ルド樹脂を用いてインサート成形を行う。このとき、モ
ールド樹脂の一部には、半導体チップを収容するための
空間であるキャビティが形成される。キャビティの底面
中央部にはアイランド部が位置しており、インナーリー
ド部はそのアイランド部を包囲するように位置してい
る。次いで、アイランド部をダイエリアとし、その上に
半導体チップをダイボンドする。さらに、半導体チップ
側を一次側としかつインナーリード部を二次側として、
ワイヤボンダによりワイヤボンディングを行う。その結
果、ボンディングワイヤを介して両者が電気的に接続さ
れ、これにキャップを被せればパッケージが完成するよ
うになっている。
First, a lead frame having an inner lead portion, an outer lead portion and an island portion is manufactured by etching or punching a metal plate material.
The lead frame is set in a predetermined mold, and insert molding is performed using a mold resin. At this time, a cavity which is a space for accommodating the semiconductor chip is formed in a part of the mold resin. An island portion is located at the center of the bottom surface of the cavity, and the inner lead portion is located so as to surround the island portion. Next, the island portion is used as a die area, and a semiconductor chip is die-bonded thereon. Furthermore, the semiconductor chip side is the primary side and the inner lead portion is the secondary side,
Wire bonding is performed by a wire bonder. As a result, the two are electrically connected via the bonding wire, and the package is completed when the cap is put on the two.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】ところが、従来方法で
は、キャビティ内にある成形面とインナーリード部の外
表面とが同一面となるようなインサート成形が行われる
ことから、界面からのモールド樹脂の滲み出しにより、
キャビティ内に薄皮状の成形ばりが生じやすい。よっ
て、その成形ばりがインナーリード部におけるボンディ
ングエリアの表面に付着することがある。すると、同エ
リアが部分的に絶縁されてしまい、通常のウェッジボン
ディング法ではボンディングワイヤの二次側端を確実に
接合できず、接続信頼性が低下するという問題があっ
た。
However, in the conventional method, insert molding is performed so that the molding surface in the cavity and the outer surface of the inner lead portion are the same, so that the molding resin from the interface is removed. By oozing,
Thin skin-like molding burrs are likely to occur in the cavity. Therefore, the molding flash may adhere to the surface of the bonding area in the inner lead portion. Then, the area is partially insulated, and the secondary side end of the bonding wire cannot be reliably joined by the ordinary wedge bonding method, resulting in a problem that connection reliability is reduced.

【0005】従って、上記の問題を回避するためには、
液体ホーニング等によるばり取り作業を実施する必要が
あった。しかしながら、この場合には工数の増加が必至
であるため、作業性の悪化が避けられなかった。また、
専用のばり取り装置が必要となることで、製造コストが
高くなるという問題もあった。
Therefore, in order to avoid the above problem,
It was necessary to carry out deburring work by liquid honing and the like. However, in this case, the number of man-hours is inevitably increased, so that the deterioration of workability is inevitable. Also,
The necessity of a special deburring device also raises the problem that the manufacturing cost increases.

【0006】本発明は上記の課題に鑑みてなされたもの
であり、その目的は、作業性及びコスト性に優れたプラ
スティックパッケージの製造方法を提供することにあ
る。本発明の別の目的は、接続信頼性に優れたものを簡
単に得ることが可能なプラスティックパッケージの製造
方法を提供することにある。
The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide a method of manufacturing a plastic package which is excellent in workability and cost. Another object of the present invention is to provide a method of manufacturing a plastic package that can easily obtain a product having excellent connection reliability.

【0007】また、本発明のさらに別の目的は、そのよ
うなパッケージの製造に好適なリードフレームを提供す
ることにある。
Another object of the present invention is to provide a lead frame suitable for manufacturing such a package.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めに、請求項1に記載の発明では、モールド樹脂により
形成された部品収容空間内にある成形面と、インナーリ
ード部の外表面とが同一面となるようなインサート成形
を行う際に使用されるリードフレームであって、前記イ
ンナーリード部における所定位置に成形ばり付着防止用
の凹凸構造が形成されたリードフレームをその要旨とす
る。
In order to solve the above-mentioned problems, according to the first aspect of the present invention, a molding surface in a component accommodating space formed by a mold resin and an outer surface of an inner lead portion are provided. The gist of the present invention is a lead frame which is used when performing insert molding such that the same surface is formed, and in which a concave and convex structure for preventing molding flash adhesion is formed at a predetermined position in the inner lead portion.

【0009】請求項2に記載の発明は、請求項1におい
て、前記凹凸構造は前記インナーリード部における導体
接合エリアを包囲する環状凹凸構造であるとした。請求
項3に記載の発明は、請求項2において、前記環状凹凸
構造の大きさは前記インナーリード部の厚さの約半分に
相当することとした。
According to a second aspect of the present invention, in the first aspect, the uneven structure is an annular uneven structure surrounding a conductor bonding area in the inner lead portion. According to a third aspect of the present invention, in the second aspect, the size of the annular concavo-convex structure is equivalent to about half of the thickness of the inner lead portion.

【0010】請求項4に記載の発明は、請求項2または
3において、前記環状凹凸構造は環状溝であるとした。
請求項5に記載の発明は、請求項2または3において、
前記環状凹凸構造は環状突条であるとした。
According to a fourth aspect of the present invention, in the second or third aspect, the annular concave-convex structure is an annular groove.
According to a fifth aspect of the present invention, in the second or third aspect,
The annular uneven structure was an annular ridge.

【0011】請求項6に記載の発明は、請求項1乃至5
のいずれか1項に記載のリードフレームを用いてインサ
ート成形を行った後、前記凹凸構造が形成されている領
域内を導体接合エリアとしてそこに導体を接合すること
を特徴とするプラスティックパッケージの製造方法をそ
の要旨とする。
[0011] The invention described in claim 6 is the first to fifth aspects.
A method for manufacturing a plastic package, comprising: after performing insert molding using the lead frame according to any one of (1) to (4), setting an area in which the uneven structure is formed as a conductor joining area and joining a conductor thereto. The method is the gist.

【0012】以下、本発明の「作用」について説明す
る。請求項1に記載の発明によると、インサート成形時
において成形型とリードフレームとの界面から未硬化の
モールド樹脂が滲み出してきたとしても、その進行は凹
凸構造の存在によって阻止される。従って、前記モール
ド樹脂は凹凸構造の形成領域内にまで到達することがで
きず、結果としてインナーリード部における所定領域に
薄皮状の成形ばりが付着しにくくなる。よって、インサ
ート成形後における導体接合エリアのばり取りが不要に
なり、工数の増加が回避されかつ作業性も向上する。さ
らに、専用のばり取り装置も不要となるので、コスト的
にも有利となる。
The "action" of the present invention will be described below. According to the first aspect of the invention, even if the uncured mold resin oozes out from the interface between the molding die and the lead frame during insert molding, its progress is prevented by the presence of the uneven structure. Therefore, the mold resin cannot reach the area where the uneven structure is formed, and as a result, the skin-like molding flash is less likely to adhere to a predetermined area in the inner lead portion. Therefore, it is not necessary to deburr the conductor bonding area after the insert molding, so that an increase in man-hour is avoided and workability is improved. Further, a special deburring device is not required, which is advantageous in terms of cost.

【0013】請求項2に記載の発明によると、環状凹凸
構造によって導体接合エリアが包囲されるため、未硬化
のモールド樹脂の侵入方向の如何にかかわらず、確実に
導体接合エリアを保護することができる。
According to the second aspect of the present invention, since the conductor bonding area is surrounded by the annular uneven structure, the conductor bonding area can be reliably protected regardless of the direction of entry of the uncured mold resin. it can.

【0014】請求項3に記載の発明によると、環状凹凸
構造の大きさがインナーリード部の厚さの約半分に相当
するものであれば、例えば一般的なハーフエッチ法によ
り、比較的簡単にかつ低コストで所望形状のリードフレ
ームを作製することができる。
According to the third aspect of the present invention, if the size of the annular concavo-convex structure corresponds to about half the thickness of the inner lead portion, it can be relatively easily formed by, for example, a general half-etch method. In addition, a lead frame having a desired shape can be manufactured at low cost.

【0015】請求項4に記載の発明によると、界面から
滲み出してきた未硬化のモールド樹脂が外側から環状溝
に達すると、前記モールド樹脂が環状溝内に入り込む結
果、そこで流動抵抗が急激に増大する。従って、それ以
上のモールド樹脂の進行が阻止される。また、環状溝の
ような凹構造であれば、より低コストでリードフレーム
を作製することができる。
According to the fourth aspect of the present invention, when the uncured mold resin oozing out from the interface reaches the annular groove from the outside, the mold resin enters the annular groove, so that the flow resistance sharply increases there. Increase. Therefore, further progress of the mold resin is prevented. In addition, if a concave structure such as an annular groove is used, a lead frame can be manufactured at lower cost.

【0016】請求項5に記載の発明によると、界面から
滲み出してきた未硬化のモールド樹脂が外側から環状突
条に達すると、環状突条の存在によりそこで流動抵抗が
急激に増大する。従って、前記モールド樹脂は環状突条
を乗り越えて進むことができなくなり、それ以上のモー
ルド樹脂の進行が阻止される。
According to the fifth aspect of the present invention, when the uncured mold resin oozing out from the interface reaches the annular ridge from the outside, the flow resistance sharply increases there due to the presence of the annular ridge. Therefore, the mold resin cannot travel over the annular ridge, and further progress of the mold resin is prevented.

【0017】請求項6に記載の発明によると、薄皮状の
成形ばりが存在しない好適な導体接合エリアに対して導
体の接合が可能なことから、接続信頼性に優れたパッケ
ージを簡単にかつ確実に製造することができる。また、
本発明の製造方法では、請求項1乃至5のいずれか1項
に記載のリードフレームを用いてインサート成形を行っ
ていることから、勿論、作業性及びコスト性にも優れて
いる。
According to the sixth aspect of the present invention, since the conductor can be joined to a suitable conductor joining area where there is no skin-like molding flash, a package having excellent connection reliability can be easily and reliably provided. Can be manufactured. Also,
In the manufacturing method of the present invention, since the insert molding is performed using the lead frame according to any one of claims 1 to 5, it is of course excellent in workability and cost.

【0018】[0018]

【発明の実施の形態】以下、本発明をCCD用プラステ
ィックパッケージ1の製造方法に具体化した一実施の形
態を図1〜図5に基づき詳細に説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS One embodiment of the present invention embodied in a method for manufacturing a plastic package 1 for a CCD will be described in detail below with reference to FIGS.

【0019】図1に示されるように、本実施形態のプラ
スティックパッケージ1は、2つの側面からアウターリ
ード部4を突出させた、いわゆるDIPタイプのパッケ
ージ1である。
As shown in FIG. 1, the plastic package 1 of the present embodiment is a so-called DIP type package 1 in which an outer lead portion 4 projects from two side surfaces.

【0020】このパッケージ本体側を構成するリードフ
レーム2は導電性金属からなり、インナーリード部3及
びアウターリード部4を備えている。インナーリード部
3及びアウターリード部4はそれぞれ複数本形成されて
いる。アウターリード部4は、パッケージ本体側を構成
するモールド樹脂5の2つの側面から外部に向かって平
行に突出している。これらのアウターリード部4は、パ
ッケージ1の下面側に向かって略直角に屈曲される。
The lead frame 2 constituting the package body is made of a conductive metal and has an inner lead portion 3 and an outer lead portion 4. A plurality of inner lead portions 3 and outer lead portions 4 are formed. The outer lead portions 4 protrude in parallel from two sides of the mold resin 5 constituting the package body toward the outside. These outer lead portions 4 are bent at substantially right angles toward the lower surface of the package 1.

【0021】矩形状をしたモールド樹脂5の上面には、
電子部品としてのCCDチップ6を収容するためのキャ
ビティ7が形成されている。なお、部品収容空間である
このキャビティ7は、インサート成形の際に同時に形成
される。キャビティ7の底面中央部はダイエリアD1 と
なっている。キャビティ7内には前記ダイエリアD1を
挟んで対峙する一対の段差部7aが形成されている。
On the upper surface of the rectangular mold resin 5,
A cavity 7 for accommodating a CCD chip 6 as an electronic component is formed. The cavity 7, which is a component accommodating space, is formed simultaneously with insert molding. The center of the bottom surface of the cavity 7 is a die area D1. In the cavity 7, a pair of steps 7a facing each other across the die area D1 are formed.

【0022】これらの段差部7aの上面にはインナーリ
ード部3が位置している。成形面である段差部7aの上
面と、インナーリード部3の上側外表面とは、同一面と
なっている。なお、インナーリード部3には、必要に応
じてニッケル−金めっき等が施されてもよい。
The inner lead portion 3 is located on the upper surface of these steps 7a. The upper surface of the step portion 7a, which is a molding surface, and the upper outer surface of the inner lead portion 3 are flush with each other. Note that the inner lead portion 3 may be subjected to nickel-gold plating or the like as necessary.

【0023】キャビティ7内のダイエリアD1 上には、
接着剤8によってCCDチップ6がダイボンドされてい
る。CCDチップ6はその上面周縁部に複数のパッド
(図示略)を備えている。
On the die area D 1 in the cavity 7,
The CCD chip 6 is die-bonded with the adhesive 8. The CCD chip 6 is provided with a plurality of pads (not shown) on the periphery of the upper surface.

【0024】また、CCDチップ6上の各パッドと、各
インナーリード部3における導体接合エリア(即ちここ
ではボンディングエリアB1 )とは、それぞれボンディ
ングワイヤ9を介して接合されている。その結果、CC
Dチップ6側とパッケージ本体側とが電気的に接続され
ている。
The pads on the CCD chip 6 and the conductor bonding area (ie, the bonding area B1 in this case) in each inner lead portion 3 are bonded via bonding wires 9, respectively. As a result, CC
The D chip 6 side and the package body side are electrically connected.

【0025】図3,図4に示されるように、このリード
フレーム2はインナーリード部3における所定位置に成
形ばり付着防止用の凹凸構造を備えている。より具体的
にいうと、本実施形態における凹凸構造は環状溝11と
なっている。
As shown in FIGS. 3 and 4, the lead frame 2 is provided with a concave-convex structure at a predetermined position in the inner lead portion 3 for preventing the formation of a flash. More specifically, the concave-convex structure in the present embodiment is an annular groove 11.

【0026】この環状溝11は、パッケージ1を上面方
向からみたときの外形が長方形状を呈している。その結
果、環状溝11が形成されている領域内に、同じく長方
形状をしたボンディングエリアB1 が確保されている。
つまり、ボンディングエリアB1 は環状溝11によって
完全に包囲された状態となっている。
The annular groove 11 has a rectangular outer shape when the package 1 is viewed from above. As a result, a rectangular bonding area B1 is secured in the area where the annular groove 11 is formed.
That is, the bonding area B1 is completely surrounded by the annular groove 11.

【0027】この長方形の長辺はインナーリード部3の
長さ方向と平行な関係にあり、短辺はインナーリード部
3の幅方向と平行な関係にある。なお、環状溝11の長
辺はインナーリード部3の長さの半分程度に設定され、
環状溝11の短辺はインナーリード部3の幅よりもやや
短く設定されている(図3参照)。なお、環状溝11の
短辺は、そこに接合されるべき導体であるボンディング
ワイヤ9の直径より少なくとも数倍は大きく設定されて
いることがよい。
The long sides of the rectangle are parallel to the length direction of the inner lead portion 3, and the short sides are parallel to the width direction of the inner lead portion 3. The long side of the annular groove 11 is set to about half the length of the inner lead portion 3,
The short side of the annular groove 11 is set slightly shorter than the width of the inner lead portion 3 (see FIG. 3). It is preferable that the short side of the annular groove 11 is set to be at least several times larger than the diameter of the bonding wire 9 which is a conductor to be joined thereto.

【0028】本実施形態において、リードフレーム2の
インナーリード部3の厚さは、約0.25mmに設定さ
れている。環状溝11の大きさ(具体的には深さ)は
0.10mm〜0.15mm、即ちインナーリード部3
の厚さの約半分に設定されている。
In this embodiment, the thickness of the inner lead portion 3 of the lead frame 2 is set to about 0.25 mm. The size (specifically, the depth) of the annular groove 11 is 0.10 mm to 0.15 mm, that is, the inner lead portion 3.
Is set to about half of the thickness.

【0029】また、環状溝11の幅は0.1mm〜0.
2mmに設定されていることがよい。前記幅が0.2m
mよりも大きいと、ある程度の面積のボンディングエリ
アB1 が確保されなくなるおそれがあるからである。前
記幅を0.1mmよりも小さく設定すると、未硬化のモ
ールド樹脂5の進行を確実に阻止することができなくな
るおそれがあるからである。
The width of the annular groove 11 ranges from 0.1 mm to 0.1 mm.
It may be set to 2 mm. The width is 0.2m
If it is larger than m, the bonding area B1 having a certain area may not be secured. If the width is set to be smaller than 0.1 mm, the progress of the uncured mold resin 5 may not be reliably prevented.

【0030】次に、本実施形態のプラスティックパッケ
ージ1を製造する手順の一例を、図3〜図8に基づいて
説明する。まず、図5に従って以下の手順によりリード
フレーム2を作製する。42アロイやコバール等といっ
たリードフレーム形成用の導電性金属板材12を用意
し、両面にエッチングレジスト13を設けた状態で両面
エッチングを行う(図5(a)〜(c) 参照)。その結果、
金属板材12の所定箇所が完全にエッチされて除去され
るとともに、所定箇所にハーフエッチ部である環状溝1
1が形成される。不要となったエッチングレジスト13
は、専用の剥離液等を用いて後に除去される。なお、こ
の手法によれば、図5(d)に示されるリードフレーム
2Aのように、金属板材12の両面に環状溝11を形成
することも可能である。
Next, an example of a procedure for manufacturing the plastic package 1 according to the present embodiment will be described with reference to FIGS. First, the lead frame 2 is manufactured according to the following procedure according to FIG. A conductive metal plate material 12 for forming a lead frame such as 42 alloy or Kovar is prepared, and both surfaces are etched with an etching resist 13 provided on both surfaces (see FIGS. 5A to 5C). as a result,
A predetermined portion of the metal plate 12 is completely etched and removed, and the annular groove 1 which is a half-etched portion is provided at the predetermined portion.
1 is formed. Unnecessary etching resist 13
Is removed later using a dedicated stripper or the like. According to this method, it is also possible to form the annular grooves 11 on both surfaces of the metal plate 12 as in a lead frame 2A shown in FIG.

【0031】次いで、完成したリードフレーム2を図示
しないモールド成形型内にセットし、モールド樹脂5を
用いてインサート成形を行う。モールド樹脂5として
は、例えば熱硬化性のエポキシ樹脂が用いられる。熱硬
化性のポリイミド樹脂等を用いても構わない。このよう
なインサート成形を行うと、モールド樹脂5の一部に同
時にキャビティ7が形成されるものの、段差部7aの上
面から露出するインナーリード部3のボンディングエリ
アB1 に薄皮状の成形ばりは付着しない。
Next, the completed lead frame 2 is set in a mold (not shown), and insert molding is performed using the mold resin 5. As the mold resin 5, for example, a thermosetting epoxy resin is used. A thermosetting polyimide resin or the like may be used. When such insert molding is performed, the cavity 7 is simultaneously formed in a part of the mold resin 5, but the thin-skin-shaped molding flash does not adhere to the bonding area B1 of the inner lead portion 3 exposed from the upper surface of the stepped portion 7a. .

【0032】即ち、モールド成形型との界面から滲み出
してきた未硬化のモールド樹脂5が外側から環状溝11
に達すると、前記モールド樹脂5が環状溝11内に入り
込む結果、そこで流動抵抗が急激に増大する。従って、
それ以上のモールド樹脂5の進行が阻止されるからであ
る。
That is, the uncured mold resin 5 oozing out from the interface with the mold is formed into the annular groove 11 from the outside.
Is reached, the mold resin 5 enters the annular groove 11, and the flow resistance increases sharply there. Therefore,
This is because further progress of the mold resin 5 is prevented.

【0033】次に行われるダイボンド工程では、ダイエ
リアD1 にあらかじめ接着剤8を塗布し、ダイボンダに
よってCCDチップ6をダイボンドする。ダイボンド工
程後には、一般的なワイヤボンダを用いてワイヤボンデ
ィング工程を実施する。その結果、CCDチップ6上の
各パッドと各インナーリード部3のボンディングエリア
B1 とが、それぞれ導体であるボンディングワイヤ9を
介して接合される。
In the next die bonding step, an adhesive 8 is applied to the die area D1 in advance, and the CCD chip 6 is die bonded by a die bonder. After the die bonding step, a wire bonding step is performed using a general wire bonder. As a result, each pad on the CCD chip 6 and the bonding area B1 of each inner lead portion 3 are bonded via the bonding wire 9 as a conductor.

【0034】このようにしてワイヤボンディング工程を
実施した後、さらに必要に応じてポッティング等によっ
てキャビティ7を全体的に気密封止し、かつ透孔性キャ
ップ10を上部開口に接合すれば、所望のパッケージ1
が完成する。
After performing the wire bonding step in this manner, if necessary, if necessary, the cavity 7 is hermetically sealed by potting or the like, and the porous cap 10 is bonded to the upper opening. Package 1
Is completed.

【0035】従って、本実施形態によれば以下のような
効果を得ることができる。 (1)本実施形態では、インナーリード部3における所
定位置に成形ばり付着防止用の凹凸構造である環状溝1
1が形成されたリードフレーム2を用いてインサート成
形を行っている。従って、インサート成形時においてモ
ールド成形型とリードフレーム2との界面から未硬化の
モールド樹脂5が滲み出してきたとしても、その進行は
環状溝11の存在によって阻止される。従って、モール
ド樹脂5は環状溝11の形成領域内にまで到達すること
ができず、結果としてインナーリード部3における所定
領域に薄皮状の成形ばりが付着しにくくなる。よって、
インサート成形後におけるボンディングエリアB1 のば
り取りが不要になり、工数の増加が回避されかつ作業性
も向上する。さらに、専用のばり取り装置も不要となる
ので、コスト的にも有利となる。
Therefore, according to the present embodiment, the following effects can be obtained. (1) In the present embodiment, the annular groove 1 having a concavo-convex structure at a predetermined position in the inner lead portion 3 for preventing molding flash adhesion
Insert molding is performed using the lead frame 2 on which the lead frame 1 is formed. Therefore, even if the uncured mold resin 5 oozes out from the interface between the mold and the lead frame 2 during insert molding, its progress is prevented by the presence of the annular groove 11. Therefore, the mold resin 5 cannot reach the region where the annular groove 11 is formed, and as a result, the skin-like molding flash hardly adheres to a predetermined region of the inner lead portion 3. Therefore,
Deburring of the bonding area B1 after insert molding is not required, so that an increase in man-hours is avoided and workability is improved. Further, a special deburring device is not required, which is advantageous in terms of cost.

【0036】(2)前記凹凸構造は環状であることか
ら、ボンディングエリアB1 はそれによって完全に包囲
された状態となる。このため、未硬化のモールド樹脂5
の侵入方向の如何にかかわらず、確実にボンディングエ
リアB1 を保護することができる。即ち、完全に環状で
はない凹凸構造を採用した場合に比べて薄皮状の成形ば
りが付着しにくくなり、このことは作業性及びコスト性
の向上にも貢献する。
(2) Since the concave-convex structure is annular, the bonding area B1 is completely surrounded thereby. Therefore, the uncured mold resin 5
Irrespective of the direction of intrusion, the bonding area B1 can be reliably protected. That is, compared with the case where the uneven structure that is not completely annular is employed, the thin skin-shaped molding flash is less likely to adhere, which also contributes to improvement in workability and cost.

【0037】(3)本実施形態のリードフレーム2で
は、環状凹凸構造である環状溝11の深さがインナーリ
ード部2の厚さの約半分に相当するものとなっている。
このため、一般的なハーフエッチ法により、比較的簡単
にかつ低コストで所望形状のリードフレーム2を作製す
ることができる。このことは製作性及びコスト性の向上
に貢献している。また、環状溝11のような凹構造であ
れば、仮に凸構造をハーフエッチ法により形成するよう
な場合に比べて、低コストでリードフレーム2を作製す
ることができる。つまり、エッチングにより除去される
量が格段に少なくて済み、材料の無駄が少ないからであ
る。
(3) In the lead frame 2 of the present embodiment, the depth of the annular groove 11 having the annular uneven structure corresponds to about half of the thickness of the inner lead portion 2.
Therefore, the lead frame 2 having a desired shape can be manufactured relatively easily and at low cost by a general half-etch method. This contributes to improvement in manufacturability and cost. In addition, if the concave structure like the annular groove 11 is used, the lead frame 2 can be manufactured at a lower cost than when a convex structure is temporarily formed by a half-etch method. In other words, the amount removed by etching is significantly smaller, and material is less wasted.

【0038】(4)本実施形態の製造方法では、薄皮状
の成形ばりが存在しない好適なボンディングエリアB1
に対してボンディングワイヤ9の接合を行うことが可能
である。ゆえに、成形ばりの介在によってボンディング
エリアB1 が部分的に絶縁されてしまう心配もない。従
って、ボンディングワイヤ9の二次側端をインナーリー
ド部3に確実にワイヤボンドすることができ、接続信頼
性に優れたパッケージ1を簡単にかつ確実に製造するこ
とができる。
(4) In the manufacturing method of the present embodiment, a suitable bonding area B1 where there is no skin-like molding flash.
Can be bonded to the bonding wire 9. Therefore, there is no fear that the bonding area B1 is partially insulated by the presence of the molding flash. Therefore, the secondary end of the bonding wire 9 can be securely wire-bonded to the inner lead portion 3, and the package 1 having excellent connection reliability can be easily and reliably manufactured.

【0039】なお、本発明の実施形態は以下のように変
更してもよい。 ・ 図6に示される別例のようなリードフレーム21と
してもよい。このリードフレーム21における凹凸構造
は、前記実施形態のような凹構造ではなく、凸構造(具
体的には環状突条22)となっている。この環状突条2
2は、パッケージ1を上面方向からみたときの外形が、
例えば前記実施形態と同様に長方形状となるように形成
される。その結果、環状突条22が形成されている領域
内に、同じく長方形状をしたボンディングエリアB1 が
確保される。即ち、ボンディングエリアB1 は環状突条
22によって完全に包囲された状態となる。
The embodiment of the present invention may be modified as follows. -It is good also as a lead frame 21 like another example shown in FIG. The concavo-convex structure of the lead frame 21 is not a concave structure as in the above embodiment, but a convex structure (specifically, an annular ridge 22). This annular ridge 2
2 is an outer shape when the package 1 is viewed from the upper surface direction.
For example, it is formed to have a rectangular shape as in the above embodiment. As a result, a rectangular bonding area B1 is secured in the region where the annular ridge 22 is formed. That is, the bonding area B1 is completely surrounded by the annular ridge 22.

【0040】リードフレーム21の厚さが約0.25m
mであるとき、環状突条22の大きさ(具体的には高
さ)及びインナーリード部3の厚さはともに0.10m
m〜0.15mm程度に設定されることがよい。このよ
うな寸法設定であると、前記実施形態のようなハーフエ
ッチ法によるリードフレーム21の作製に適したものと
なるからである。なお、環状突条22の幅は0.1mm
〜0.2mmに設定されることがよい。
The thickness of the lead frame 21 is about 0.25 m
m, the size (specifically, the height) of the annular ridge 22 and the thickness of the inner lead portion 3 are both 0.10 m.
It may be set to about m to 0.15 mm. This is because such a dimension setting is suitable for manufacturing the lead frame 21 by the half-etch method as in the above embodiment. The width of the annular ridge 22 is 0.1 mm.
It is good to set to ~ 0.2mm.

【0041】・ 図7に示される別例のリードフレーム
31のように、環状でない凹凸構造(隆起部32)を形
成し、その隆起部32の上面全域をボンディングエリア
B1として用いることもできる。
As in another example of the lead frame 31 shown in FIG. 7, a non-annular uneven structure (raised portion 32) can be formed, and the entire upper surface of the raised portion 32 can be used as the bonding area B1.

【0042】・ 図8に示される別例のリードフレーム
41のように、周囲のスペースが許す限り、インナーリ
ード部3において環状溝11が形成されている箇所を幅
広に形成しておくことがよい。このように形成すると、
滲み出してきた未硬化のモールド樹脂5が進行して環状
溝11に達するまでの距離がそもそも長くなり、ボンデ
ィングエリアB1 に薄皮状の成形ばりがよりいっそう付
着しにくくなる。
As in another example of the lead frame 41 shown in FIG. 8, as long as the surrounding space allows, it is preferable that the portion where the annular groove 11 is formed in the inner lead portion 3 be formed wide. . When formed in this way,
The distance from the uncured mold resin 5 that has exuded and advances to reach the annular groove 11 becomes longer in the first place, and it becomes more difficult for the skin-like molding flash to adhere to the bonding area B1.

【0043】・ プラスティックパッケージ1は前記実
施形態のようなDIPの形態のみに限定されることはな
く、例えばSIP,SOP,QFP,QFJ,QFL等
の各種形態を採ることが許容される。
The plastic package 1 is not limited to the DIP form as in the above-described embodiment, but may take various forms such as SIP, SOP, QFP, QFJ, and QFL.

【0044】・ リードフレーム2,2A,21,31
のインナーリード部3において前記凹凸構造により確保
される導体接合エリアは、前記実施形態のようなボンデ
ィングエリアB1 のみに限定されることはない。例え
ば、導電性接着剤の接着・塗布エリアであってもよく、
さらにははんだ付けエリアであってもよい。勿論、この
ようなエリアに接合される導体は、前記実施形態のよう
なボンディングワイヤ9のみに限定されない。例えば、
チップ抵抗、チップコンデンサ等のようなチップ部品を
接合することとしてもよい。なお、モールド樹脂5に形
成されるキャビティ7自体も、これらのチップ部品等を
収容するものとして構成することができる。
Lead frames 2, 2A, 21, 31
The conductor bonding area secured by the concavo-convex structure in the inner lead portion 3 is not limited to the bonding area B1 as in the above embodiment. For example, it may be an adhesion / application area of a conductive adhesive,
Further, it may be a soldering area. Of course, the conductor bonded to such an area is not limited to only the bonding wire 9 as in the above embodiment. For example,
Chip components such as a chip resistor and a chip capacitor may be joined. Note that the cavity 7 itself formed in the mold resin 5 can also be configured to accommodate these chip components and the like.

【0045】・ リードフレーム2,2A,21,31
はエッチング加工により作製されるばかりでなく、例え
ばプレス等を用いた打ち抜き加工により形成されること
も勿論可能である。
Lead frames 2, 2A, 21, 31
Can be formed not only by etching but also by punching using, for example, a press.

【0046】・ 例えば、リードフレーム2,2A,2
1,31の各インナーリード部3において前記凹凸構造
により確保される導体接合エリアの裏面側を、金属等か
らなるピンのようなものを用いて上方へ押圧しながらイ
ンサート成形を行うことが好ましい。なお、このような
ピンはインサート成形後に抜去される。抜去したときに
形成される孔には、例えば樹脂等の絶縁材料が充填され
てもよい。以上のような方法であると、導体接合エリア
に薄皮状の成形ばりがよりいっそう付着しにくくなる。
For example, the lead frames 2, 2A, 2
In each of the inner lead portions 1 and 31, it is preferable to perform insert molding while pressing the back surface of the conductor bonding area secured by the uneven structure upward using a pin or the like made of metal or the like. Such a pin is removed after insert molding. The hole formed at the time of removal may be filled with an insulating material such as a resin. According to the method described above, the skin-like molding burr is more difficult to adhere to the conductor bonding area.

【0047】次に、特許請求の範囲に記載された技術的
思想のほか、前述した実施形態によって把握される技術
的思想を、必要に応じその効果とともに以下に列挙す
る。 (1) 請求項1乃至6のいずれか1つにおいて、前記
凹凸構造は前記リードフレームの表裏両面に存在するこ
と。
Next, in addition to the technical ideas described in the claims, the technical ideas grasped by the above-described embodiments will be enumerated below together with their effects as necessary. (1) The lead structure according to any one of claims 1 to 6, wherein the uneven structure is present on both front and back surfaces of the lead frame.

【0048】(2) 請求項1乃至6のいずれか1つに
おいて、前記リードフレームはハーフエッチ法により作
製されたものであること。従って、この技術的思想2に
記載の発明によれば、比較的簡単にかつ低コストで所望
形状のものを作製可能とすることができる。
(2) The lead frame according to any one of claims 1 to 6, wherein the lead frame is manufactured by a half-etch method. Therefore, according to the invention described in the technical idea 2, it is possible to relatively easily produce a desired shape at low cost.

【0049】(3) 請求項4乃至6のいずれか1つに
おいて、前記環状溝または前記環状突条の幅は0.1m
m〜0.2mmであること。従って、この技術的思想3
に記載の発明によれば、幅を上記好適範囲に設定するこ
とにより、ある程度の面積の導体接合エリアを確保しつ
つ、未硬化のモールド樹脂の進行を確実に阻止すること
ができる。
(3) In any one of claims 4 to 6, the width of the annular groove or the annular ridge is 0.1 m.
m to 0.2 mm. Therefore, this technical idea 3
According to the invention described in (1), by setting the width in the preferable range, it is possible to reliably prevent the progress of the uncured mold resin while securing the conductor bonding area of a certain area.

【0050】(4) 請求項1乃至6のいずれか1つに
おいて、前記インナーリード部において前記凹凸構造が
形成されている箇所は、同インナーリード部における他
の箇所よりも幅広に形成されていること。従って、この
技術的思想4に記載の発明によれば、導体接合エリアに
薄皮状の成形ばりがよりいっそう付着しにくいものとな
る。
(4) In any one of claims 1 to 6, a portion where the uneven structure is formed in the inner lead portion is formed wider than other portions in the inner lead portion. thing. Therefore, according to the invention described in the technical idea 4, the thin skin-shaped molding beam is more difficult to adhere to the conductor joining area.

【0051】(5) 請求項1乃至6のいずれか1つに
おいて、前記部品収容空間内にはチップ部品(例えばI
Cチップ、LSIチップ、CCDチップ、チップ抵抗、
チップコンデンサ、チップコンダクタ、チップコイル
等)が収容されること。
(5) In any one of claims 1 to 6, a chip component (for example, I
C chip, LSI chip, CCD chip, chip resistor,
Chip capacitors, chip conductors, chip coils, etc.).

【0052】(6) 請求項6において、前記各インナ
ーリード部において前記凹凸構造が形成されている箇所
の裏面側を、押圧体を用いて上方へ押圧しながらインサ
ート成形を行うこと。従って、この技術的思想6に記載
の発明によれば、導体接合エリアに薄皮状の成形ばりが
よりいっそう付着しにくいものとなる。
(6) In claim 6, the insert molding is performed while pressing the back surface of the inner lead portion where the uneven structure is formed upward by using a pressing body. Therefore, according to the invention described in the technical idea 6, the skin-like molding burr is more difficult to adhere to the conductor joining area.

【0053】[0053]

【発明の効果】以上詳述したように、請求項1〜5に記
載の発明によれば、インサート成形後における導体接合
エリアのばり取りが不要になることから、作業性及びコ
スト性に優れたものとなり、上記の好適なプラスティッ
クパッケージの製造に好適なリードフレームを提供する
ことができる。
As described in detail above, according to the first to fifth aspects of the present invention, deburring of the conductor bonding area after insert molding is not required, so that workability and cost performance are excellent. Thus, it is possible to provide a lead frame suitable for manufacturing the above-mentioned suitable plastic package.

【0054】請求項2に記載の発明によれば、未硬化の
モールド樹脂の侵入方向の如何にかかわらず確実に導体
接合エリアが保護されるため、より作業性及びコスト性
の向上を図ることができる。
According to the second aspect of the present invention, since the conductor bonding area is reliably protected regardless of the direction of entry of the uncured mold resin, the workability and cost can be further improved. it can.

【0055】請求項3に記載の発明によれば、比較的簡
単にかつ低コストで所望形状のものを作製可能とするこ
とができる。請求項4に記載の発明によれば、より低コ
ストで作製可能なリードフレームとすることができる。
According to the third aspect of the present invention, it is possible to manufacture a desired shape relatively easily and at low cost. According to the invention described in claim 4, a lead frame that can be manufactured at lower cost can be provided.

【0056】請求項6に記載の発明によれば、作業性及
びコスト性に優れたプラスティックパッケージの製造方
法であって、しかも接続信頼性に優れたものを簡単に得
ることが可能な製造方法を提供することができる。
According to the sixth aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a plastic package which is excellent in workability and cost, and which can easily obtain a package excellent in connection reliability. Can be provided.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明を具体化した一実施形態のプラスティッ
クパッケージを示す分解斜視図。
FIG. 1 is an exploded perspective view showing a plastic package according to an embodiment of the present invention.

【図2】(a)は同パッケージの部分平面図、(b)は
その部分概略断面図。
2A is a partial plan view of the package, and FIG. 2B is a schematic partial sectional view thereof.

【図3】同パッケージのボンディングエリアの部分拡大
平面図。
FIG. 3 is a partially enlarged plan view of a bonding area of the package.

【図4】同パッケージのボンディングエリアの部分拡大
断面図。
FIG. 4 is a partially enlarged sectional view of a bonding area of the package.

【図5】(a)〜(d)はリードフレームの作製手順を
説明するための部分断面図。
FIGS. 5A to 5D are partial cross-sectional views illustrating a procedure for manufacturing a lead frame.

【図6】別例のパッケージのボンディングエリアの部分
拡大断面図。
FIG. 6 is a partially enlarged cross-sectional view of a bonding area of a package of another example.

【図7】別例のパッケージのボンディングエリアの部分
拡大断面図。
FIG. 7 is a partially enlarged cross-sectional view of a bonding area of a package of another example.

【図8】別例のパッケージのボンディングエリアの部分
拡大平面図。
FIG. 8 is a partially enlarged plan view of a bonding area of a package of another example.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…プラスティックパッケージ、2,2A,21,3
1,41…リードフレーム、3…インナーリード部、5
…モールド樹脂、7…部品収容空間としてのキャビテ
ィ、9…導体としてのボンディングワイヤ、11…(環
状)凹凸構造としての環状溝、22…(環状)凹凸構造
としての環状突条、32…凹凸構造としての隆起部、B
1 …導体接合エリアとしてのボンディングエリア。
1: Plastic package, 2, 2A, 21, 3
1, 41: lead frame, 3: inner lead part, 5
... Mold resin, 7: Cavity as space for accommodating parts, 9 ... Bonding wire as conductor, 11 ... Circular groove as (annular) concavo-convex structure, 22 ... Circular ridge as (circular) concavo-convex structure, 32 ... Concavo-convex structure Ridge, B
1… A bonding area as a conductor bonding area.

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】モールド樹脂により形成された部品収容空
間内にある成形面と、インナーリード部の外表面とが同
一面となるようなインサート成形を行う際に使用される
リードフレームであって、前記インナーリード部におけ
る所定位置に成形ばり付着防止用の凹凸構造が形成され
たリードフレーム。
1. A lead frame used for performing insert molding such that a molding surface formed in a component housing space formed by a mold resin and an outer surface of an inner lead portion are flush with each other, A lead frame having a concavo-convex structure formed at a predetermined position in the inner lead portion to prevent adhesion of a molding flash.
【請求項2】前記凹凸構造は前記インナーリード部にお
ける導体接合エリアを包囲する環状凹凸構造であること
を特徴とする請求項1に記載のリードフレーム。
2. The lead frame according to claim 1, wherein said uneven structure is an annular uneven structure surrounding a conductor bonding area in said inner lead portion.
【請求項3】前記環状凹凸構造の大きさは前記インナー
リード部の厚さの約半分に相当することを特徴とする請
求項2に記載のリードフレーム。
3. The lead frame according to claim 2, wherein the size of said annular concave-convex structure is about half of the thickness of said inner lead portion.
【請求項4】前記環状凹凸構造は環状溝であることを特
徴とする請求項2または3に記載のリードフレーム。
4. The lead frame according to claim 2, wherein said annular concave-convex structure is an annular groove.
【請求項5】前記環状凹凸構造は環状突条であることを
特徴とする請求項2または3に記載のリードフレーム。
5. The lead frame according to claim 2, wherein said annular uneven structure is an annular ridge.
【請求項6】請求項1乃至5のいずれか1項に記載のリ
ードフレームを用いてインサート成形を行った後、前記
凹凸構造が形成されている領域内を導体接合エリアとし
てそこに導体を接合することを特徴とするプラスティッ
クパッケージの製造方法。
6. After performing insert molding using the lead frame according to any one of claims 1 to 5, an area in which the uneven structure is formed is used as a conductor joining area, and a conductor is joined thereto. A method of manufacturing a plastic package.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008004717A (en) * 2006-06-22 2008-01-10 Nec Electronics Corp Semiconductor device
JP2008053478A (en) * 2006-08-25 2008-03-06 Matsushita Electric Ind Co Ltd Lead frame, package component, manufacturing method thereof, and semiconductor device
JP2008251793A (en) * 2007-03-30 2008-10-16 Diamond Electric Mfg Co Ltd Insert mold

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008004717A (en) * 2006-06-22 2008-01-10 Nec Electronics Corp Semiconductor device
JP2008053478A (en) * 2006-08-25 2008-03-06 Matsushita Electric Ind Co Ltd Lead frame, package component, manufacturing method thereof, and semiconductor device
JP2008251793A (en) * 2007-03-30 2008-10-16 Diamond Electric Mfg Co Ltd Insert mold

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