JPH11330112A - Manufacture of semiconductor device and transfer mold device thereof - Google Patents
Manufacture of semiconductor device and transfer mold device thereofInfo
- Publication number
- JPH11330112A JPH11330112A JP10127019A JP12701998A JPH11330112A JP H11330112 A JPH11330112 A JP H11330112A JP 10127019 A JP10127019 A JP 10127019A JP 12701998 A JP12701998 A JP 12701998A JP H11330112 A JPH11330112 A JP H11330112A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- gate
- cavity
- mold
- cured
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
Landscapes
- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
- Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置の製造方
法およびトランスファモールド装置に係わり、特に樹脂
封止形半導体装置の製造技術に適用して有効な技術に関
する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor device and a transfer molding apparatus, and more particularly to a technique effective when applied to a manufacturing technique for a resin-sealed semiconductor device.
【0002】[0002]
【従来の技術】IC(集積回路装置)等の半導体装置に
おいて、半導体チップやワイヤ等を樹脂(レジン)によ
る封止体(パッケージ)によって封止する構造が知られ
ている。2. Description of the Related Art In a semiconductor device such as an IC (integrated circuit device), a structure in which a semiconductor chip, a wire, and the like are sealed by a sealing body (package) made of resin (resin) is known.
【0003】樹脂封止型半導体装置は、リードフレーム
を使用して製造される。半導体チップの固定およびワイ
ヤボンディングが終了したリードフレームは、トランス
ファモールド装置によって封止領域がモールドされる。
その後封止体(パッケージ)から食み出したレジンバリ
の除去、リードを連結するダム(タイバー)の切断除
去,リード切断,リード成形等が行われ、所望の半導体
装置が製造される。A resin-sealed semiconductor device is manufactured using a lead frame. The sealing region of the lead frame on which the fixing of the semiconductor chip and the wire bonding have been completed is molded by a transfer molding apparatus.
Thereafter, removal of resin burrs protruding from the sealing body (package), cutting / removal of a dam (tie bar) connecting the leads, lead cutting, lead molding, and the like are performed, and a desired semiconductor device is manufactured.
【0004】日経BP社発行「VLSIパッケージング
技術(下)」1993年5月15日発行、P35〜P40には、ト
ランスファモールド技術について記載されている。[0004] The transfer molding technology is described in "VLSI Packaging Technology (Lower)" published by Nikkei BP on May 15, 1993, pages P35 to P40.
【0005】同文献には、モールド金型として、単一の
カルから複数の方向に延在するランナーおよびそのラン
ナーから各ゲートを介して各キャビティに樹脂を充填す
るタイプ、複数のプランジャによるマルチ・プランジャ
・タイプについて記載されている。[0005] In the same document, as a mold, a runner extending in a plurality of directions from a single cull, a type in which the cavity is filled with resin from each runner through each gate, and a multi-plunger with a plurality of plungers The plunger type is described.
【0006】[0006]
【発明が解決しようとする課題】従来のトランスファモ
ールド装置における半導体装置の製造においては、トラ
ンスファモールド後、モールド金型を開き、モールド処
理が行われたリードフレームやランナー等の樹脂流路で
硬化した硬化樹脂を取り出している。In the manufacture of a semiconductor device in a conventional transfer molding apparatus, a mold is opened after transfer molding, and the mold is cured in a resin flow path such as a lead frame or a runner that has been molded. The cured resin is taken out.
【0007】本出願人においては、各キャビティ部分で
硬化したパッケージと、ゲート部分で硬化した樹脂(ゲ
ート部硬化樹脂)との分離は、ランナー部分で硬化した
樹脂(ランナー部硬化樹脂)を掴み、このランナー部硬
化樹脂をリードフレームから引き離すように外力を加え
ることによって、ゲート部硬化樹脂をパッケージの付け
根部分で分断させる手法を採用している。In the present applicant, the separation of the package cured in each cavity portion and the resin cured in the gate portion (gate portion cured resin) involves grasping the resin cured in the runner portion (runner portion cured resin), A method is employed in which an external force is applied so as to separate the runner cured resin from the lead frame, thereby dividing the gate cured resin at the base of the package.
【0008】しかし、このような分断方法では、以下の
ような不良が発生することが判明した。However, it has been found that such a dividing method causes the following defects.
【0009】すなわち、リードフレームはモールド金型
の下型に設けられたセット用の浅い窪みに載置される。
この窪みはリードフレームの挿脱のためにリードフレー
ム寸法よりも僅かに大きい形状になっている。したがっ
て、リードフレームのセット位置は微妙に変化する。That is, the lead frame is placed in a shallow recess for setting provided in the lower mold of the mold.
This recess has a shape slightly larger than the lead frame size for inserting and removing the lead frame. Therefore, the setting position of the lead frame slightly changes.
【0010】この結果、前述のようなゲート部硬化樹脂
部分での分断方法では、分断位置が一定しなくなり、時
にはゲート部で硬化した樹脂が残留(ゲート部樹脂残留
不良)したり、ランナー部で硬化した樹脂が残留(ラン
ナー部樹脂残留不良)したりすることがある。As a result, in the above-described dividing method at the gate portion cured resin portion, the dividing position is not constant, and sometimes the resin cured at the gate portion remains (gate resin residual defect) or the runner portion does not. In some cases, the cured resin may remain (runner portion resin residual defect).
【0011】図10(a)はリードフレーム1の表裏面
に亘って形成された封止体(パッケージ)2から硬化樹
脂3が適正に分断された状態を示す模式図である。ま
た、図10(b)は硬化樹脂3としてのランナー部樹脂
3bとゲート部樹脂3aとの境界部分で分断し、ゲート
部樹脂3aが残留したゲート部樹脂残留不良状態を示す
模式図であり、図10(c)はゲート部樹脂3aの先端
部分がパッケージ2から分離はするが、ゲート部樹脂3
aとランナー部樹脂3bが共にリードフレーム1に付い
た状態となるランナー部樹脂残留不良状態を示す模式図
である。FIG. 10A is a schematic diagram showing a state in which the cured resin 3 is appropriately divided from a sealing body (package) 2 formed over the front and back surfaces of the lead frame 1. FIG. 10B is a schematic diagram showing a gate resin residual defect state in which the gate resin 3a is divided at the boundary between the runner resin 3b as the cured resin 3 and the gate resin 3a and the gate resin 3a remains. FIG. 10C shows that the tip of the gate resin 3a is separated from the package 2 but the gate resin 3a
FIG. 4 is a schematic diagram showing a runner portion resin residual defective state in which both a and the runner portion resin 3b are attached to the lead frame 1.
【0012】一例を挙げるならば、ランナー部樹脂3b
の厚さは0.2mm、ゲート部樹脂3aの長さは0.2
〜0.3mmである。As an example, the runner resin 3b
Is 0.2 mm, and the length of the gate resin 3a is 0.2 mm.
0.30.3 mm.
【0013】このようなゲート部・ランナー部樹脂残留
不良は、トランスファモールド後にリードフレームの状
態で行われる各加工処理装置の搬送機構において、残留
した硬化樹脂が搬送レール等に引っ掛かり、リードフレ
ームが変形したりする。[0013] Residual defects in the gate portion and the runner portion may be caused by the residual hardened resin being caught on a transport rail or the like in a transport mechanism of each processing apparatus performed in a state of a lead frame after transfer molding, resulting in deformation of the lead frame. Or
【0014】リードフレームの変形は製品不良の原因に
なるとともに、以後の工程を含む加工処理装置における
搬送異常の原因になる。[0014] Deformation of the lead frame causes a product defect, and also causes a transfer abnormality in a processing apparatus including subsequent steps.
【0015】また、トランスファモールド工程後のダム
切断時、残留した硬化樹脂も一緒に切り落とすことにな
り、この残留硬化樹脂部分に加わる剪断力によってパッ
ケージにクラックが発生することもある。クラックの発
生は半導体装置の耐湿性の低下を来す。Further, when the dam is cut after the transfer molding process, the remaining cured resin is also cut off, and a crack may be generated in the package due to the shearing force applied to the residual cured resin portion. The occurrence of cracks lowers the moisture resistance of the semiconductor device.
【0016】本発明の目的は、パッケージクラックの発
生を抑止できる半導体装置の製造方法を提供することに
ある。An object of the present invention is to provide a method of manufacturing a semiconductor device capable of suppressing occurrence of a package crack.
【0017】本発明の他の目的は搬送時にリードフレー
ム変形を発生させることのない半導体装置の製造方法を
提供することにある。Another object of the present invention is to provide a method of manufacturing a semiconductor device which does not cause deformation of a lead frame during transportation.
【0018】本発明の他の目的はゲート部硬化樹脂を常
に一定の位置で切断できるトランスファモールド装置を
提供することにある。It is another object of the present invention to provide a transfer molding apparatus capable of cutting a gate portion cured resin at a fixed position at all times.
【0019】本発明の前記ならびにそのほかの目的と新
規な特徴は、本明細書の記述および添付図面からあきら
かになるであろう。The above and other objects and novel features of the present invention will become apparent from the description of the present specification and the accompanying drawings.
【0020】[0020]
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。The following is a brief description of an outline of typical inventions disclosed in the present application.
【0021】(1)少なくとも1つの半導体チップを固
定する支持部および前記支持部の周囲に先端を臨ませる
複数のリードを有するリードフレームを用意する工程
と、前記支持部上に半導体チップを固定する工程と、前
記半導体チップの各電極と前記リードの先端部分を電気
的接続手段によって接続する工程と、前記リードフレー
ムをトランスファモールド装置のモールド金型に型締め
しかつ前記モールド金型によって形成されるキャビティ
にゲートから溶融状態の絶縁性樹脂を注入するとともに
樹脂をキュアして硬化させて前記半導体チップやリード
先端部分等を被う封止体を形成する工程と、前記ゲート
部分で硬化したゲート部硬化樹脂を前記封止体から分離
させる工程とを有する半導体装置の製造方法であって、
前記キャビティに樹脂を注入した後、前記ゲート部分で
液状または硬化途中もしくは硬化状態にある樹脂前記モ
ールド金型に組み込んだゲートカットシャッターで分断
することによって前記封止体からゲート部硬化樹脂を分
離させることを特徴とする半導体装置の製造方法。前記
ゲートカットシャッターによる分断は前記ゲートと前記
キャビティとの境界部分で分断する。前記ゲートカット
シャッターによる分断後、前記リードフレームと前記ゲ
ート部分で硬化したゲート部硬化樹脂の分離を行う。(1) A step of preparing a lead frame having a support for fixing at least one semiconductor chip and a plurality of leads whose front ends face the periphery of the support, and fixing the semiconductor chip on the support. A step of connecting each electrode of the semiconductor chip and a tip portion of the lead by an electrical connection means, and clamping the lead frame to a mold of a transfer molding apparatus and forming the lead frame by the mold. A step of injecting a molten insulating resin from the gate into the cavity and curing and curing the resin to form a sealing body covering the semiconductor chip and the tip end portion of the lead; and a gate portion cured at the gate portion Separating the cured resin from the sealing body, the method for manufacturing a semiconductor device,
After injecting the resin into the cavity, the gate portion is separated from the sealing body by separating the gate portion cured resin from the encapsulant by dividing with a gate cut shutter incorporated in the mold die in a liquid state or in a cured state or in a cured state at the gate portion. A method for manufacturing a semiconductor device, comprising: The division by the gate cut shutter is performed at the boundary between the gate and the cavity. After the division by the gate cut shutter, the lead frame and the gate portion cured resin cured at the gate portion are separated.
【0022】このような半導体装置の製造において用い
るトランスファモールド装置は以下の構成になってい
る。The transfer molding apparatus used in the manufacture of such a semiconductor device has the following configuration.
【0023】上下型によるモールド金型によってに形成
されるキャビティにゲートから溶融状態の樹脂を注入す
るとともに注入後に前記樹脂をキュアして樹脂を硬化さ
せるように構成されるトランスファモールド装置であっ
て、前記ゲート部分で液状または硬化途中もしくは硬化
状態にある樹脂を前記モールド金型に組み込んだゲート
カットシャッターで分断するゲートカット機構を有す
る。前記ゲートカットシャッターによる分断は前記ゲー
トと前記キャビティとの境界部分で分断するように構成
されている。モールド金型の各キャビティに対応する各
ゲートカットシャッターは単一の駆動機構によって分断
動作するように構成されている。前記モールド金型のキ
ャビティは樹脂封止型半導体装置を形成するためのキャ
ビティを構成している。A transfer molding apparatus configured to inject a molten resin from a gate into a cavity formed by a mold formed by an upper and lower mold, cure the resin after the injection, and cure the resin. There is provided a gate cut mechanism for dividing the resin in the gate portion, which is in a liquid state, in the middle of curing or in a cured state, by a gate cut shutter incorporated in the mold. The division by the gate cut shutter is configured to be performed at a boundary between the gate and the cavity. Each gate cut shutter corresponding to each cavity of the mold is configured to perform a dividing operation by a single driving mechanism. The cavity of the mold constitutes a cavity for forming a resin-sealed semiconductor device.
【0024】前記(1)の手段によれば、(a)ゲート
部硬化樹脂はキャビティで硬化したモールド樹脂体(封
止体)の境界部分でゲートカットシャッターによって分
断されるため常に分断位置が一定する。According to the above-mentioned means (1), (a) the gate portion cured resin is divided by the gate cut shutter at the boundary portion of the mold resin body (sealing body) cured in the cavity, so that the dividing position is always constant. I do.
【0025】(b)ゲートカット後に、ゲート部樹脂や
ランナー部樹脂等の硬化樹脂とリードフレームとの分離
が行われるが、ゲート部硬化樹脂は封止体から分離され
ていることから、ゲート部樹脂は容易にリードフレーム
から分離し、途中で破断することもなく従来のように硬
化樹脂(ゲート部樹脂やランナー部樹脂)の残留不良が
発生しなくなる。(B) After the gate is cut, a cured resin such as a gate resin or a runner resin is separated from the lead frame. However, since the cured gate resin is separated from the sealing body, the gate resin is separated. The resin is easily separated from the lead frame, and does not break on the way, so that the residual failure of the cured resin (the gate portion resin and the runner portion resin) does not occur as in the related art.
【0026】(c)前記(b)により、リードフレーム
に硬化樹脂が残留しないことから、トランスファモール
ド後にリードフレームの状態で行われる各加工処理装置
の搬送機構において、残留した硬化樹脂が搬送レール等
に引っ掛かり、リードフレームが変形したりすることが
ない。この結果、リード変形等の不良品の発生を抑える
ことができ、半導体装置の品質の向上および半導体装置
の製造歩留りの向上を図ることができる。(C) Since the cured resin does not remain on the lead frame according to the above (b), the residual cured resin is transferred to the transport rail or the like in the transport mechanism of each processing apparatus performed in the state of the lead frame after transfer molding. And the lead frame is not deformed. As a result, the occurrence of defective products such as lead deformation can be suppressed, and the quality of the semiconductor device can be improved and the manufacturing yield of the semiconductor device can be improved.
【0027】(d)前記(b)により、リードフレーム
に硬化樹脂が残留しないことから、トランスファモール
ド後にリードフレームの状態で行われる各加工処理装置
の搬送において、搬送異常が発生し難くなり、装置の稼
働率の向上が図れ、半導体装置の製造コストの低減を図
ることができる。(D) Since the cured resin does not remain on the lead frame according to the above (b), a transfer abnormality hardly occurs in the transfer of each processing apparatus performed in a state of the lead frame after the transfer molding. Of the semiconductor device can be improved, and the manufacturing cost of the semiconductor device can be reduced.
【0028】(e)トランスファモールド工程後のダム
切断時、ダム切断を行うパンチが当接するゲート部硬化
樹脂が封止体の縁に残留していないことから、パッケー
ジに無用の力が作用することもなく、パッケージにクラ
ックが発生することもなく、半導体装置の耐湿性低下を
防止することができる。(E) When the dam is cut after the transfer molding process, no unnecessary force acts on the package because the gate portion cured resin which the punch for cutting the dam contacts does not remain on the edge of the sealing body. Also, no crack is generated in the package, and a decrease in the moisture resistance of the semiconductor device can be prevented.
【0029】(f)前記(e)により、パンチの磨耗が
少なくなる。(F) According to the above (e), the wear of the punch is reduced.
【0030】[0030]
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を詳細に説明する。なお、発明の実施の形態を
説明するための全図において、同一機能を有するものは
同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings. In all the drawings for describing the embodiments of the present invention, components having the same functions are denoted by the same reference numerals, and their repeated description will be omitted.
【0031】(実施形態1)図1乃至図8は本発明の一
実施形態(実施形態1)である半導体装置の製造方法お
よびトランスファモールド装置に係わる図である。(Embodiment 1) FIGS. 1 to 8 relate to a method of manufacturing a semiconductor device and a transfer molding apparatus according to an embodiment (Embodiment 1) of the present invention.
【0032】本実施形態1では、パッケージの両側から
リードを突出させるSOP(Small Outline Package) 型
の樹脂封止型半導体装置の製造に本発明を適用した例に
ついて説明する。In the first embodiment, an example in which the present invention is applied to the manufacture of an SOP (Small Outline Package) type resin-sealed semiconductor device in which leads protrude from both sides of a package will be described.
【0033】最初に本実施形態1の半導体装置の製造方
法によって製造されたSOP型の半導体装置10につい
て説明する。First, an SOP type semiconductor device 10 manufactured by the method for manufacturing a semiconductor device according to the first embodiment will be described.
【0034】半導体装置10は、図2に示すように、外
観的には偏平長方形の樹脂製の封止体(パッケージ)2
と、このパッケージ2の両側長辺から突出する複数のリ
ード4とからなっている。前記リード4は表面実装構造
となるガルウィング型となっている。As shown in FIG. 2, the semiconductor device 10 has a flat rectangular resin-made sealing body (package) 2.
And a plurality of leads 4 protruding from long sides on both sides of the package 2. The lead 4 is of a gull wing type having a surface mounting structure.
【0035】前記パッケージ2内には、図3に示すよう
に、支持部(タブ)5が位置するとともに、このタブ5
の下面には半導体チップ(半導体素子)6が固定されて
いる。また、前記半導体チップ6の図示しない電極と、
パッケージ2内に位置するリード4の先端部分は、電気
的接続手段としての導電性のワイヤ7によって電気的に
接続されている。As shown in FIG. 3, a support portion (tab) 5 is located in the package 2, and
A semiconductor chip (semiconductor element) 6 is fixed to the lower surface of the device. An electrode (not shown) of the semiconductor chip 6;
The tips of the leads 4 located in the package 2 are electrically connected by conductive wires 7 as electric connection means.
【0036】このような半導体装置10は、リードフレ
ームを用いて製造される。リードフレーム1は、0.1
5〜0.2mm程度の厚さの鉄−ニッケル系合金板,銅
板,銅合金板等をエッチングまたは精密プレスによって
パターニングすることによって形成されている。リード
フレームは半導体チップを固定する支持部および前記支
持部の周囲に先端を臨ませる複数のリードを有する構造
になっている。Such a semiconductor device 10 is manufactured using a lead frame. Lead frame 1 is 0.1
It is formed by patterning an iron-nickel alloy plate, copper plate, copper alloy plate or the like having a thickness of about 5 to 0.2 mm by etching or precision press. The lead frame has a structure having a supporting portion for fixing the semiconductor chip and a plurality of leads whose front ends face around the supporting portion.
【0037】半導体装置10の製造においては、前記リ
ードフレームの支持部に半導体チップを固定した後、前
記半導体チップの各電極と前記リードの先端部分を導電
性のワイヤで接続する。その後、組立が終了した前記リ
ードフレームをトランスファモールド装置のモールド金
型に型締めしかつ前記モールド金型によって形成される
キャビティにゲートから溶融状態の絶縁性樹脂を注入す
るとともに樹脂をキュアして硬化させて前記半導体チッ
プやリード先端部分等を被うパッケージを形成する。In the manufacture of the semiconductor device 10, after fixing the semiconductor chip to the support portion of the lead frame, each electrode of the semiconductor chip is connected to the tip of the lead by a conductive wire. Thereafter, the assembled lead frame is clamped to a mold of a transfer molding apparatus, and a molten insulating resin is injected from a gate into a cavity formed by the mold, and the resin is cured and cured. In this way, a package covering the semiconductor chip and the tip of the lead is formed.
【0038】つぎに、前記ゲート部分で硬化したゲート
部硬化樹脂を前記パッケージから分離させ、かつ不要の
リードフレーム部分を切断除去し、ついでパッケージの
周縁から突出するリードを成形して図2に示すような半
導体装置を製造する。Next, the gate portion cured resin cured at the gate portion is separated from the package, unnecessary lead frame portions are cut off, and leads protruding from the periphery of the package are formed, as shown in FIG. Such a semiconductor device is manufactured.
【0039】ところで、本実施形態1では、前記トラン
スファモールド時、前記モールド金型によって形成され
るキャビティにゲートから溶融状態の絶縁性樹脂を注入
した後、前記ゲート部分で液状または硬化途中もしくは
硬化状態にある樹脂を、前記モールド金型に組み込んだ
ゲートカットシャッターで分断することによって前記封
止体からゲート部硬化樹脂を分離させるものである。In the first embodiment, at the time of the transfer molding, after the insulating resin in a molten state is injected from a gate into a cavity formed by the mold, the liquid is cured at the gate portion or is in the middle of curing. Is separated by the gate cut shutter incorporated in the mold, thereby separating the gate portion cured resin from the sealing body.
【0040】図4は本実施形態1によるトランスファモ
ールド装置50を示す斜視図である。同図ではカバー5
1を一部取り除き、内部が見える図としてある。FIG. 4 is a perspective view showing the transfer molding apparatus 50 according to the first embodiment. In FIG.
1 is partially removed to show the inside.
【0041】このトランスファモールド装置50は自動
モールド装置になっていて、中央部分にはプレス機52
が配置されている。前記プレス機52の定盤上にはモー
ルド金型の下型12が配置されている。前記下型12の
上方に位置する上型は省略してあるが、3本の支柱53
によって支持される上プラテンに取り付けられている。The transfer molding apparatus 50 is an automatic molding apparatus, and a press 52
Is arranged. On the surface plate of the press machine 52, a lower mold 12 of a mold is disposed. Although the upper mold located above the lower mold 12 is omitted, three pillars 53 are provided.
Attached to the upper platen supported by.
【0042】トランスファモールド装置50はマルチプ
ランジャ構造となり、図5に示すように、下型12のパ
ーティング面には、複数のポット16が一列に配置され
ている。このポット16の両側からはランナー17が延
在している。このランナー17はゲート20を介して下
キャビティ15に連通している。また、下キャビティ1
5にはエアーベントが繋がっているが図では省略してあ
る。また、カルは前記ポット16が対面する上キャビテ
ィ21部分に形成され、前記ランナー17に連通してい
る。The transfer molding apparatus 50 has a multi-plunger structure, and a plurality of pots 16 are arranged in a row on the parting surface of the lower mold 12 as shown in FIG. Runners 17 extend from both sides of the pot 16. The runner 17 communicates with the lower cavity 15 via a gate 20. Also, lower cavity 1
5 is connected to an air vent, but is omitted in the figure. The cull is formed in the upper cavity 21 facing the pot 16 and communicates with the runner 17.
【0043】前記ポット16内には図示しない樹脂注入
用プランジャのヘッドが位置している。そして、モール
ド金型の型開きの状態で、前記ポット16内に予備加熱
されたタブレットが投入される。その後、モールド金型
の型締めの状態において、樹脂注入用プランジャの上昇
によって前記カルから流出する溶融状態の樹脂はランナ
ー17内に流れ出すようになっている。A head of a resin injection plunger (not shown) is located in the pot 16. Then, the preheated tablet is put into the pot 16 with the mold opened. Thereafter, in a state in which the mold is clamped, the molten resin flowing out of the cull flows out into the runner 17 by raising the resin injection plunger.
【0044】前記下型12の上方には下型12を清浄に
するクリーナ54が配置されている。前記プレス機52
の前面には操作パネル55が設けられている。Above the lower die 12, a cleaner 54 for cleaning the lower die 12 is disposed. The press machine 52
Is provided with an operation panel 55 on the front side.
【0045】トランスファモールド装置50の左端には
ローダ56が配置され、右端にはアンローダ57が配置
されている。前記ローダ56とプレス機52との間には
フレーム整列機構60,フレーム搬送機構61,タブレ
ットローダ62,タブレットチャージ63が設けられて
いる。A loader 56 is disposed at the left end of the transfer molding apparatus 50, and an unloader 57 is disposed at the right end. A frame alignment mechanism 60, a frame transport mechanism 61, a tablet loader 62, and a tablet charge 63 are provided between the loader 56 and the press 52.
【0046】前記プレス機52とアンローダ57との間
にはパッケージ取り出し機構64と、不要硬化樹脂引き
剥がし機構65が設けられている。Between the press machine 52 and the unloader 57, a package take-out mechanism 64 and an unnecessary cured resin peeling mechanism 65 are provided.
【0047】また、これが本発明の特徴の一つである
が、前記プレス機52の下型12には後述するゲートカ
ット機構24が設けられている。Further, this is one of the features of the present invention. The lower die 12 of the press machine 52 is provided with a gate cut mechanism 24 described later.
【0048】つぎに、ゲートカット機構24について、
図1(a)〜(c)を参照しながら説明する。Next, regarding the gate cut mechanism 24,
This will be described with reference to FIGS.
【0049】図1(a)に示すように、トランスファモ
ールド装置のモールド金型11は、下型12と上型13
とからなっている。モールド金型11が型開きの状態の
とき、前記下型12上にリードフレーム1が載置され
る。リードフレーム1は、下型12のパーティング面に
設けられたリードフレーム1よりも僅かに大きくかつリ
ードフレーム1の厚さと一致する深さの浅い窪み14内
に載置収容される。As shown in FIG. 1A, a mold 11 of a transfer molding apparatus comprises a lower mold 12 and an upper mold 13.
It consists of When the mold 11 is open, the lead frame 1 is placed on the lower mold 12. The lead frame 1 is placed and accommodated in a shallow recess 14 which is slightly larger than the lead frame 1 provided on the parting surface of the lower die 12 and has a depth corresponding to the thickness of the lead frame 1.
【0050】前記リードフレーム1は、タブ5上に半導
体チップ6が固定され、かつ半導体チップ6の電極とリ
ードの先端は導電性のワイヤで接続された組立が終了し
たリードフレームである。図1では、リードフレーム1
は半導体チップ6が下に位置する状態で下型12上に載
置されている。また、リードおよびワイヤは現れてはい
ない。The lead frame 1 is an assembled lead frame in which a semiconductor chip 6 is fixed on a tab 5 and the electrodes of the semiconductor chip 6 and the tips of the leads are connected by conductive wires. In FIG. 1, the lead frame 1
Are mounted on the lower mold 12 with the semiconductor chip 6 positioned below. Also, no leads and wires have been revealed.
【0051】下型12のパーティング面には、前述のよ
うにポット(同図では図示せず),ランナー17,ゲー
ト20,下キャビティ15,エアーベント(図示せず)
等が設けられている。また、前記上型13のパーティン
グ面には、前記下キャビティ15に対面する上キャビテ
ィ21が設けられている。As described above, the pot (not shown in the figure), the runner 17, the gate 20, the lower cavity 15, and the air vent (not shown) are provided on the parting surface of the lower mold 12.
Etc. are provided. An upper cavity 21 facing the lower cavity 15 is provided on a parting surface of the upper die 13.
【0052】モールド金型11が型締めの状態の場合、
前記下キャビティ15と上キャビティ21によってキャ
ビティ22が形成される。このキャビティ22内には、
前記タブ5,半導体チップ6,ワイヤ等が位置する。そ
して、前記ランナー17を流れて来る溶融状態の樹脂2
3(図では点々で示されている)は、ゲート20からキ
ャビティ22内に流入する。キャビティ22内の空気
は、樹脂23の流入によってエアーベントを介してモー
ルド金型11の外に押し出される。前記樹脂23は、キ
ャビティ22内において熱によってキュアされて硬化す
る。When the mold 11 is in a closed state,
A cavity 22 is formed by the lower cavity 15 and the upper cavity 21. In this cavity 22,
The tub 5, the semiconductor chip 6, the wires and the like are located. The molten resin 2 flowing through the runner 17
3 (indicated by dots in the figure) flows from the gate 20 into the cavity 22. The air in the cavity 22 is pushed out of the mold 11 through the air vent by the inflow of the resin 23. The resin 23 is cured and cured by heat in the cavity 22.
【0053】本実施形態1では、前記ゲート20部分で
液状または硬化途中の変形可能樹脂23をゲートカット
機構24の棒状のゲートカットシャッター25で分断す
る構成になっている。すなわち、図5にハッチングで示
すように、ゲートカットシャッター25の先端はゲート
20を遮断するようになっている。In the first embodiment, the liquid or the hardening deformable resin 23 at the gate 20 is divided by the bar-shaped gate cut shutter 25 of the gate cut mechanism 24. That is, as shown by hatching in FIG. 5, the tip of the gate cut shutter 25 blocks the gate 20.
【0054】ゲートカットシャッター25は、下型12
に貫通するように設けられたガイド孔26に挿入され、
下キャビティ15の縁に接するゲート20の先端部分を
遮るようになる。ゲートカットシャッター25は前進動
作によってその先端を上型13のパーティング面に当接
させる。The gate cut shutter 25 is a lower mold 12
Is inserted into the guide hole 26 provided so as to penetrate the
The front end portion of the gate 20 in contact with the edge of the lower cavity 15 is blocked. The front end of the gate cut shutter 25 is brought into contact with the parting surface of the upper die 13 by an advance operation.
【0055】図1の場合では、ゲートカットシャッター
25の先端は平坦になっている。この場合は、ゲート2
0部分に充填された樹脂23が液状または硬化途中の変
形可能な場合に適用できるものである。すなわち、前記
樹脂23が硬化した状態では、後述するが、先端を鋭利
にして分断を行うようにする必要がある。In the case of FIG. 1, the tip of the gate cut shutter 25 is flat. In this case, gate 2
This is applicable when the resin 23 filled in the zero portion is liquid or deformable during curing. That is, in a state where the resin 23 is hardened, it is necessary to make the tip sharp so as to be divided, as described later.
【0056】ゲートカットシャッター25は、図6に示
すように、下型12の下方に配置される昇降板29に固
定されている。この昇降板29は油圧シリンダ27のプ
ランジャ28の先端に固定されている。このようにゲー
トカット機構24は、前記油圧シリンダ27,昇降板2
9,ゲートカットシャッター25等によって構成され
る。なお、昇降板29を空圧シリンダやモータで駆動す
る構造にしてもよい。As shown in FIG. 6, the gate cut shutter 25 is fixed to an elevating plate 29 disposed below the lower die 12. The elevating plate 29 is fixed to the tip of a plunger 28 of the hydraulic cylinder 27. As described above, the gate cut mechanism 24 includes the hydraulic cylinder 27, the lift plate 2
9, a gate cut shutter 25 and the like. The lifting plate 29 may be driven by a pneumatic cylinder or a motor.
【0057】つぎに、本実施形態1のトランスファモー
ルド装置50によるモールド,不要硬化樹脂除去作業に
ついて、一部では図8のフローチャートを参照しながら
説明する。Next, the operation of removing the mold and unnecessary hardened resin by the transfer molding apparatus 50 of the first embodiment will be partially described with reference to the flowchart of FIG.
【0058】組立が終了したリードフレームが、ローダ
56によってフレーム整列機構60に2列に亘って供給
される。フレーム整列機構60で整列されたリードフレ
ームは2列2行の状態でフレーム搬送機構61によって
下型12上に供給される(図5および図1(a)参
照)。The assembled lead frame is supplied to the frame alignment mechanism 60 by the loader 56 in two rows. The lead frames aligned by the frame alignment mechanism 60 are supplied onto the lower mold 12 by the frame transport mechanism 61 in a state of two columns and two rows (see FIGS. 5 and 1A).
【0059】つぎに、前記タブレットチャージ63によ
って供給されたタブレットがタブレットローダ62によ
って図示しないポット16内に投入される(ステップ1
01)。Next, the tablet supplied by the tablet charge 63 is put into the pot 16 (not shown) by the tablet loader 62 (step 1).
01).
【0060】つぎに、図1(a)に示すようにモールド
金型11が型締めされる(ステップ102)。その後樹
脂注入用プランジャが上昇する(ステップ103)。Next, as shown in FIG. 1A, the mold 11 is clamped (step 102). Thereafter, the resin injection plunger is raised (step 103).
【0061】つぎに、前記樹脂注入用プランジャが上昇
を完了した(ステップ104)時点で、ゲートカット機
構24を前進駆動させる。これにより、ゲートカットシ
ャッター25は上昇し、図1(b)に示すようにゲート
20を遮断する(ステップ105)。Next, at the point when the plunger for resin injection has completed ascending (step 104), the gate cut mechanism 24 is driven forward. As a result, the gate cut shutter 25 rises and shuts off the gate 20 as shown in FIG. 1B (step 105).
【0062】樹脂(レジン)のキュアはステップ104
のプランジャ上昇から始まるが、ゲートカットシャッタ
ー25の上昇時には、まだ硬化は不十分で液状または半
硬化状態であり変形は自在である。この結果、ゲートカ
ットシャッター25の先端が平坦であってもゲートカッ
トシャッター25の先端面と上型13のパーティング面
間から樹脂23を排除することができる。樹脂23の硬
化の進行状態によっては、ゲートカットシャッター25
の先端を傾斜面としておいてもよい。Step 104 is for curing the resin (resin).
When the gate cut shutter 25 is raised, the curing is still insufficient and the liquid is in a liquid or semi-cured state and can be freely deformed. As a result, even if the tip of the gate cut shutter 25 is flat, the resin 23 can be removed from between the tip surface of the gate cut shutter 25 and the parting surface of the upper die 13. Depending on the progress of the curing of the resin 23, the gate cut shutter 25
May be an inclined surface.
【0063】ゲートカットシャッター25をゲート20
部分から外しても、ゲートカットシャッター25による
分断が損なわれない程度に硬化した時点で、図1(c)
に示すように前記ゲートカット機構24を後退駆動させ
る(ステップ106)。図1(c)に示すように、ゲー
ト部で硬化した樹脂(ゲート部樹脂3a)は、分断され
ている。The gate cut shutter 25 is connected to the gate 20
1 (c), when the hardening is performed to such an extent that the separation by the gate cut shutter 25 is not impaired even if it is removed from the portion
Then, the gate cut mechanism 24 is driven backward (step 106). As shown in FIG. 1C, the resin cured at the gate (gate resin 3a) is divided.
【0064】また、分断位置はキャビティ22で硬化し
た封止体(パッケージ)2の縁の部分である。The dividing position is the edge of the sealing body (package) 2 cured in the cavity 22.
【0065】つぎに、樹脂注入用プランジャを下降させ
(ステップ107)、かつ下型12から上型13を相対
的に離しモールド金型11を型開きの状態にする。Next, the resin injection plunger is lowered (step 107), and the upper mold 13 is relatively separated from the lower mold 12 so that the mold 11 is opened.
【0066】つぎに、パッケージ取り出し機構64によ
って下型12からリードフレームを取り出し不要硬化樹
脂引き剥がし位置にリードフレームを運ぶ、その後不要
硬化樹脂引き剥がし機構65によってリードフレームと
不要硬化樹脂部分(ランナー部硬化樹脂およびゲート部
硬化樹脂等)との間に相互が引き剥がされるような力を
加え、リードフレームから不要硬化樹脂を除去する。Next, the lead frame is taken out from the lower mold 12 by the package take-out mechanism 64, and the lead frame is transported to the unnecessary hardened resin peeling position. Then, the lead frame and the unnecessary hardened resin portion (runner portion) are moved by the unnecessary hardened resin peeling mechanism 65. (A cured resin and a gate-portion cured resin, etc.) to remove unnecessary cured resin from the lead frame.
【0067】この際、パッケージ2とゲート部樹脂3a
は分断されていることから、ゲート部樹脂3aやランナ
ー部樹脂3bには無用の力が加わらず、折れることなく
リードフレーム1から剥がれる。また、ゲート部樹脂3
aは僅かにパッケージ2に残留するが、後工程でのダム
切断時、ダムを切断をするパンチが触れることもない。
したがってパンチの接触に起因するパッケージクラック
の発生もなくなる。At this time, the package 2 and the gate resin 3a
Is separated, the gate portion resin 3a and the runner portion resin 3b are peeled off from the lead frame 1 without being broken without applying unnecessary force. Also, the gate resin 3
Although a slightly remains in the package 2, the punch for cutting the dam does not touch when the dam is cut in a later step.
Therefore, the occurrence of package cracks due to the contact of the punch is also eliminated.
【0068】図7は不要硬化樹脂が除去されたリードフ
レーム1の一部を示す平面図である。幅Wの部分がゲー
ト部硬化樹脂およびランナー部硬化樹脂が存在した領域
である。そして、ゲート部硬化樹脂の残留部分はパッケ
ージ2の縁と一致し、従来のように大きく突出するよう
なことはない。FIG. 7 is a plan view showing a part of the lead frame 1 from which the unnecessary cured resin has been removed. The portion having the width W is a region where the gate portion cured resin and the runner portion cured resin were present. Then, the remaining portion of the gate portion cured resin coincides with the edge of the package 2 and does not protrude greatly unlike the conventional case.
【0069】不要硬化樹脂引き剥がし機構65で不要硬
化樹脂が引き剥がされた後、図示しない搬送機構によっ
てアンローダ57にリードフレーム1が搬出される。After the unnecessary hardening resin is peeled off by the unnecessary hardening resin peeling mechanism 65, the lead frame 1 is carried out to the unloader 57 by a transport mechanism (not shown).
【0070】これにより、トランスファモールド作業が
終了する。なお、リードフレームは、その後本硬化処理
が施される。Thus, the transfer molding operation is completed. The lead frame is thereafter subjected to a main curing process.
【0071】本実施形態1によれば以下の効果を奏す
る。According to the first embodiment, the following effects can be obtained.
【0072】(1)ゲート部硬化樹脂(ゲート部樹脂3
a)はキャビティ22で硬化したパッケージ2の境界部
分でゲートカット機構24によるゲートカットシャッタ
ー25によって分断されるため常に分断位置が一定す
る。(1) Gate portion cured resin (gate portion resin 3
In the case of a), the boundary portion of the package 2 cured in the cavity 22 is divided by the gate cut shutter 25 by the gate cut mechanism 24, so that the dividing position is always constant.
【0073】(2)ゲートカット後に、ゲート部樹脂3
aやランナー部樹脂3b等の硬化樹脂とリードフレーム
1との分離が行われるが、ゲート部樹脂3aは封止体か
ら分離されていることから、ゲート部樹脂3aは容易に
リードフレーム1から分離し、途中で破断することもな
く従来のように硬化樹脂(ゲート部樹脂3aやランナー
部樹脂3b)の残留不良が発生しなくなる。(2) After the gate is cut, the gate resin 3
a and the cured resin such as the runner resin 3b are separated from the lead frame 1, but since the gate resin 3a is separated from the sealing body, the gate resin 3a is easily separated from the lead frame 1. In addition, there is no breakage of the cured resin (the gate portion resin 3a and the runner portion resin 3b) as in the related art without breakage in the middle.
【0074】(3)前記(2)により、リードフレーム
1に硬化樹脂が残留しないことから、トランスファモー
ルド後にリードフレーム1の状態で行われる各加工処理
装置の搬送機構において、残留した硬化樹脂が搬送レー
ル等に引っ掛かり、リードフレーム1が変形したりする
ことがない。この結果、リード変形等の不良品の発生を
抑えることができ、半導体装置の品質の向上および半導
体装置の製造歩留りの向上を図ることができる。(3) Since the cured resin does not remain on the lead frame 1 according to the above (2), the remaining cured resin is transported in the transport mechanism of each processing apparatus performed in the state of the lead frame 1 after transfer molding. The lead frame 1 is not deformed by being caught on a rail or the like. As a result, the occurrence of defective products such as lead deformation can be suppressed, and the quality of the semiconductor device can be improved and the manufacturing yield of the semiconductor device can be improved.
【0075】(4)前記(2)により、リードフレーム
1に硬化樹脂が残留しないことから、トランスファモー
ルド後にリードフレーム1の状態で行われる各加工処理
装置の搬送において、搬送異常が発生し難くなり、装置
の稼働率の向上が図れ、半導体装置10の製造コストの
低減を図ることができる。(4) Since the cured resin does not remain in the lead frame 1 according to the above (2), a transfer abnormality is less likely to occur in the transfer of each processing apparatus performed in the state of the lead frame 1 after the transfer molding. In addition, the operation rate of the device can be improved, and the manufacturing cost of the semiconductor device 10 can be reduced.
【0076】(5)トランスファモールド工程後のダム
切断時、ダム切断を行うパンチが当接するゲート部樹脂
3aが封止体の縁に残留していないことから、パッケー
ジに無用の力が作用することもなく、パッケージにクラ
ックが発生することもなく、半導体装置10の耐湿性低
下を防止することができる。(5) When the dam is cut after the transfer molding process, unnecessary force acts on the package because the gate resin 3a with which the punch for cutting the dam contacts does not remain on the edge of the sealing body. Also, no crack is generated in the package, and a decrease in the moisture resistance of the semiconductor device 10 can be prevented.
【0077】(6)前記(5)により、ダム切断時のパ
ンチの磨耗が少なくなる。(6) According to the above (5), punch wear at the time of dam cutting is reduced.
【0078】(実施形態2)図9は本発明の他の実施形
態(実施形態2)であるトランスファモールド装置にお
けるゲートカットシャッターを示す斜視図である。(Embodiment 2) FIG. 9 is a perspective view showing a gate cut shutter in a transfer molding apparatus according to another embodiment (Embodiment 2) of the present invention.
【0079】本実施形態2のゲートカットシャッター2
5は、その先端が鋭利な形状70になり、ゲート部樹脂
3aが硬化した状態でも分断できる。この場合の硬化と
は、トランスファモールド装置から外されて樹脂の本硬
化を行うまえのキュア時の硬化を意味する。すなわち、
先端が平坦なゲートカットシャッター25では分離でき
ない程度の硬化状態のものを言う。Gate Cut Shutter 2 of Second Embodiment
5 has a sharp end 70, and can be divided even when the gate resin 3a is hardened. The curing in this case means curing at the time of curing before the resin is removed from the transfer mold apparatus and the main curing of the resin is performed. That is,
The hardened state is such that it cannot be separated by the gate cut shutter 25 having a flat tip.
【0080】本実施形態2では、鋭利な形状70として
片刃構造としたが、両刃構造のものでもよい。In the second embodiment, the sharp shape 70 has a single-edged structure, but may have a double-edged structure.
【0081】以上本発明者によってなされた発明を実施
形態に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施形
態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範
囲で種々変更可能であることはいうまでもない。Although the invention made by the inventor has been specifically described based on the embodiment, the invention is not limited to the above embodiment, and various modifications can be made without departing from the gist of the invention. Needless to say.
【0082】[0082]
【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。The effects obtained by the representative ones of the inventions disclosed in the present application will be briefly described as follows.
【0083】(1)トランスファモールド時ゲート部分
で樹脂を分断させるため、製造された半導体装置の封止
体には、従来のような突出した樹脂残りが発生しなくな
る。 (2)この結果、前記突出した樹脂残り部分にダム切断
用のパンチが当接することもなく、当接に起因するパッ
ケージクラックの発生が防止でき、半導体装置の品質の
向上および半導体装置の製造歩留りの向上を図ることが
できる。また、ダム切断時のパンチの磨耗がなくなる。(1) Since the resin is cut off at the gate portion during transfer molding, a protruding resin residue unlike the conventional case does not occur in the sealing body of the manufactured semiconductor device. (2) As a result, the punch for dam cutting does not come into contact with the protruding resin remaining portion, so that the occurrence of package cracks due to the contact can be prevented, thereby improving the quality of the semiconductor device and the production yield of the semiconductor device. Can be improved. Further, the wear of the punch at the time of dam cutting is eliminated.
【0084】(3)前記突出した樹脂残り部分に搬送機
構の一部が接触してリードフレームが変形することもな
くなり、リード曲がり不良の発生が防止できる。(3) The lead frame is not deformed due to a part of the transport mechanism contacting the protruding resin remaining portion, and the occurrence of lead bending failure can be prevented.
【0085】(4)前記突出した樹脂残り部分に搬送機
構の一部が接触して前記樹脂残り部分が脱落し、これに
よる搬送機構の搬送異常が発生し難くなり、装置の稼働
率の向上が図れ、半導体装置の製造コストの低減を図る
ことができる。(4) A part of the transfer mechanism comes into contact with the protruding resin remaining portion, and the resin remaining portion falls off, so that the transfer mechanism of the transfer mechanism is less likely to occur, and the operation rate of the apparatus is improved. As a result, the manufacturing cost of the semiconductor device can be reduced.
【図1】本発明の一実施形態(実施形態1)である半導
体装置の製造方法において、ゲート部硬化樹脂のパッケ
ージからの分断状態を示す模式図である。FIG. 1 is a schematic view showing a state in which a gate portion cured resin is separated from a package in a method of manufacturing a semiconductor device according to an embodiment (Embodiment 1) of the present invention.
【図2】本実施形態1の半導体装置の製造方法によって
製造された半導体装置の斜視図である。FIG. 2 is a perspective view of a semiconductor device manufactured by the method for manufacturing a semiconductor device according to the first embodiment;
【図3】本実施形態1の半導体装置の製造方法によって
製造された半導体装置の断面図である。FIG. 3 is a sectional view of the semiconductor device manufactured by the method of manufacturing a semiconductor device according to the first embodiment;
【図4】本実施形態1の半導体装置の製造方法で使用す
るトランスファモールド装置の斜視図である。FIG. 4 is a perspective view of a transfer molding apparatus used in the method of manufacturing a semiconductor device according to the first embodiment.
【図5】本実施形態1のトランスファモールド装置にお
けるモールド金型の下型を示す模式的平面図である。FIG. 5 is a schematic plan view showing a lower mold of a mold in the transfer molding apparatus of the first embodiment.
【図6】本実施形態1のトランスファモールド装置にお
けるモールド金型の下型とゲートカット機構を示す模式
図である。FIG. 6 is a schematic diagram showing a lower mold of a mold and a gate cutting mechanism in the transfer molding apparatus according to the first embodiment.
【図7】本実施形態1の半導体装置の製造方法において
使用するリードフレームの一部を示す平面図である。FIG. 7 is a plan view showing a part of a lead frame used in the method of manufacturing a semiconductor device according to the first embodiment.
【図8】本実施形態1の半導体装置の製造方法における
トランスファモールド時の一部の工程を示すフローチャ
ートである。FIG. 8 is a flowchart showing some steps during transfer molding in the method for manufacturing a semiconductor device according to the first embodiment.
【図9】本発明の他の実施形態(実施形態2)であるト
ランスファモールド装置におけるゲートカットシャッタ
ーを示す斜視図である。FIG. 9 is a perspective view showing a gate cut shutter in a transfer molding apparatus according to another embodiment (Embodiment 2) of the present invention.
【図10】パッケージからゲート部硬化樹脂を分断した
場合の正常分断状態および不良分断状態を示す模式図で
ある。FIG. 10 is a schematic diagram showing a normal division state and a defective division state when the gate portion cured resin is divided from the package.
1…リードフレーム、2…封止体(パッケージ)、3…
硬化樹脂、3a…ゲート部樹脂、3b…ランナー部樹
脂、4…リード、5…支持部(タブ)、6…半導体チッ
プ(半導体素子)、7…ワイヤ、10…半導体装置、1
1…モールド金型、12…下型、13…上型、14…窪
み、15…下キャビティ、16…カル、17…ランナ
ー、20…ゲート、21…上キャビティ、22…キャビ
ティ、23…樹脂、24…ゲートカット機構、25…ゲ
ートカットシャッター、26…ガイド孔、27…油圧シ
リンダ、28…プランジャ、29…昇降板、50…トラ
ンスファモールド装置、51…カバー、52…プレス
機、53…支柱、54…クリーナ、55…操作パネル、
56…ローダ、57…アンローダ、60…フレーム整列
機構、61…フレーム搬送機構、62…タブレットロー
ダ、63…タブレットチャージ、64…パッケージ取り
出し機構、65…不要硬化樹脂引き剥がし機構、70…
鋭利な形状。1 ... lead frame, 2 ... sealed body (package), 3 ...
Cured resin, 3a gate resin, 3b runner resin, 4 leads, 5 support (tab), 6 semiconductor chip (semiconductor element), 7 wire, 10 semiconductor device, 1
1 mold die, 12 lower mold, 13 upper mold, 14 recess, 15 lower cavity, 16 cull, 17 runner, 20 gate, 21 upper cavity, 22 cavity, 23 resin 24 gate cut mechanism, 25 gate cut shutter, 26 guide hole, 27 hydraulic cylinder, 28 plunger, 29 elevating plate, 50 transfer mold device, 51 cover, 52 press machine, 53 support, 54 ... cleaner, 55 ... operation panel,
Reference numeral 56: loader, 57: unloader, 60: frame alignment mechanism, 61: frame transfer mechanism, 62: tablet loader, 63: tablet charge, 64: package removal mechanism, 65: unnecessary hardening resin peeling mechanism, 70:
Sharp shape.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 FI // B29K 101:10 105:20 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 6 Identification code FI // B29K 101: 10 105: 20
Claims (7)
る支持部および前記支持部の周囲に先端を臨ませる複数
のリードを有するリードフレームを用意する工程と、前
記支持部上に半導体チップを固定する工程と、前記半導
体チップの各電極と前記リードの先端部分を電気的接続
手段によって接続する工程と、前記リードフレームをト
ランスファモールド装置のモールド金型に型締めしかつ
前記モールド金型によって形成されるキャビティにゲー
トから溶融状態の絶縁性樹脂を注入するとともに樹脂を
キュアして硬化させて前記半導体チップやリード先端部
分等を被う封止体を形成する工程と、前記ゲート部分で
硬化したゲート部硬化樹脂を前記封止体から分離させる
工程とを有する半導体装置の製造方法であって、前記キ
ャビティに樹脂を注入した後、前記ゲート部分で液状ま
たは硬化途中もしくは硬化状態にある樹脂を前記モール
ド金型に組み込んだゲートカットシャッターで分断する
ことによって前記封止体からゲート部硬化樹脂を分離さ
せることを特徴とする半導体装置の製造方法。1. A step of preparing a lead frame having a support portion for fixing at least one semiconductor chip and a plurality of leads facing the periphery of the support portion, and fixing the semiconductor chip on the support portion. Connecting each electrode of the semiconductor chip to the tip of the lead by an electrical connection means; clamping the lead frame to a mold of a transfer molding apparatus; and forming a cavity formed by the mold. A process of injecting a molten insulating resin from a gate and curing and curing the resin to form a sealing body covering the semiconductor chip and the tip portion of the lead; and curing the gate portion cured at the gate portion Separating the resin from the sealing body, wherein the resin is injected into the cavity. After entering, the gate portion cured resin is separated from the sealing body by dividing the resin in a liquid state or in the middle of curing or in a cured state at the gate portion by a gate cut shutter incorporated in the mold. Semiconductor device manufacturing method.
は前記ゲートと前記キャビティとの境界部分で分断する
ことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方
法。2. The method according to claim 1, wherein the division by the gate cut shutter is performed at a boundary between the gate and the cavity.
後、前記リードフレームと前記ゲート部分で硬化したゲ
ート部硬化樹脂の分離を行うことを特徴とする請求項1
または請求項2に記載の半導体装置の製造方法。3. The method according to claim 1, wherein, after the division by the gate cut shutter, the lead frame and the gate portion cured resin cured at the gate portion are separated.
A method for manufacturing a semiconductor device according to claim 2.
成されるキャビティにゲートから溶融状態の樹脂を注入
するとともに注入後に前記樹脂をキュアして樹脂を硬化
させるように構成されるトランスファモールド装置であ
って、前記ゲート部分で液状または硬化途中もしくは硬
化状態にある樹脂を前記モールド金型に組み込んだゲー
トカットシャッターで分断するゲートカット機構を有す
ることを特徴とするトランスファモールド装置。4. A transfer molding apparatus configured to inject a molten resin from a gate into a cavity formed by a molding die of an upper and lower mold, cure the resin after the injection, and cure the resin. And a gate cutting mechanism for dividing the resin in the gate portion, which is in a liquid state or in the middle of curing or in a cured state, with a gate cut shutter incorporated in the mold.
は前記ゲートと前記キャビティとの境界部分で分断する
ように構成されていることを特徴とする請求項4に記載
のトランスファモールド装置。5. The transfer molding apparatus according to claim 4, wherein the division by the gate cut shutter is configured to be divided at a boundary portion between the gate and the cavity.
各ゲートカットシャッターは単一の駆動機構によって分
断動作するように構成されていることを特徴とする請求
項4または請求項5に記載のトランスファモールド装
置。6. The transfer according to claim 4, wherein each gate cut shutter corresponding to each cavity of the mold is operated so as to be divided by a single driving mechanism. Molding equipment.
止型半導体装置を形成するためのキャビティを構成して
いることを特徴とする請求項4乃至請求項6のいずれか
1項に記載のトランスファモールド装置。7. The transfer according to claim 4, wherein the cavity of the molding die constitutes a cavity for forming a resin-sealed semiconductor device. Molding equipment.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10127019A JPH11330112A (en) | 1998-05-11 | 1998-05-11 | Manufacture of semiconductor device and transfer mold device thereof |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10127019A JPH11330112A (en) | 1998-05-11 | 1998-05-11 | Manufacture of semiconductor device and transfer mold device thereof |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11330112A true JPH11330112A (en) | 1999-11-30 |
Family
ID=14949685
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10127019A Pending JPH11330112A (en) | 1998-05-11 | 1998-05-11 | Manufacture of semiconductor device and transfer mold device thereof |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH11330112A (en) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB2353496A (en) * | 1999-07-15 | 2001-02-28 | Infineon Technologies Corp | Encapsulating semiconductor integrated circuits by moulding |
JP2010115916A (en) * | 2008-10-13 | 2010-05-27 | Fuji Seiko:Kk | Method for injection molding and apparatus for injection molding |
CN101983859A (en) * | 2010-10-19 | 2011-03-09 | 昆山乙盛机械工业有限公司 | Mechanical die cut mold-in |
TWI679096B (en) * | 2014-12-15 | 2019-12-11 | 荷蘭商貝西荷蘭有限公司 | Mould, moulding apparatus and method for at least partially encapsulating a carrier with electronic components. |
-
1998
- 1998-05-11 JP JP10127019A patent/JPH11330112A/en active Pending
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB2353496A (en) * | 1999-07-15 | 2001-02-28 | Infineon Technologies Corp | Encapsulating semiconductor integrated circuits by moulding |
US6503433B2 (en) | 1999-07-15 | 2003-01-07 | Infineon Technologies North America Corp. | Liquid transfer molding system for encapsulating semiconductor integrated circuits |
US6508970B2 (en) | 1999-07-15 | 2003-01-21 | Infineon Technologies North America Corp. | Liquid transfer molding system for encapsulating semiconductor integrated circuits |
GB2353496B (en) * | 1999-07-15 | 2004-04-14 | Infineon Technologies Corp | Encapsulating semiconducttor integrated circuits |
JP2010115916A (en) * | 2008-10-13 | 2010-05-27 | Fuji Seiko:Kk | Method for injection molding and apparatus for injection molding |
CN101983859A (en) * | 2010-10-19 | 2011-03-09 | 昆山乙盛机械工业有限公司 | Mechanical die cut mold-in |
TWI679096B (en) * | 2014-12-15 | 2019-12-11 | 荷蘭商貝西荷蘭有限公司 | Mould, moulding apparatus and method for at least partially encapsulating a carrier with electronic components. |
US10913191B2 (en) | 2014-12-15 | 2021-02-09 | Besi Netherlands B.V. | Mould, moulding apparatus and method for controlled overmoulding of a carrier with electronic components and moulded product |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US3606673A (en) | Plastic encapsulated semiconductor devices | |
KR20070112095A (en) | A method of manufacturing a semiconductor device | |
WO2007010315A2 (en) | Leadframe strip and mold apparatus for an electronic component and method of encapsulating an electronic component | |
JP2003158234A (en) | Semiconductor device and its manufacturing method | |
KR19990058714A (en) | Gate residue cutting device including cutting punch with air inlet | |
JPH11330112A (en) | Manufacture of semiconductor device and transfer mold device thereof | |
US5672550A (en) | Method of encapsulating semiconductor devices using a lead frame with resin tablets arranged on lead frame | |
JP2567603B2 (en) | Continuous automatic resin sealing method | |
JP2011040625A (en) | Method of manufacturing semiconductor device | |
JP2000003923A (en) | Resin sealing of semiconductor device and resin-sealing device for that | |
JP6237919B2 (en) | Lead frame and semiconductor device manufacturing method | |
JPH06252188A (en) | Method and device for manufacturing resin-encapsulated semiconductor chip | |
JPH1079463A (en) | Cutter for manufacturing semiconductor device | |
JP2742638B2 (en) | Resin sealing molds for semiconductor devices | |
JPS5933838A (en) | Metal mold for resin sealing of semiconductor | |
JPH10116847A (en) | Method of manufacturing semiconductor device and trasfer molding machine | |
JP2003229445A (en) | Method of manufacturing semiconductor device | |
JP3566812B2 (en) | Method for manufacturing semiconductor device | |
JPH0878455A (en) | Manufacturing equipment of plastic molded type semiconductor device and its manufacture | |
JPH09223706A (en) | Manufacture of semiconductor and its manufacturing equipment | |
KR100531423B1 (en) | lead frame for fabrication semiconductor and mold die therefor, and device for fabricating semiconductor using the same | |
JP3087395B2 (en) | Electronic component manufacturing method | |
JP3182302B2 (en) | Method for manufacturing resin-encapsulated semiconductor device | |
JP3293105B2 (en) | Semiconductor intermediate structure and resin molding device therefor | |
JPH0722451A (en) | Semiconductor manufacturing apparatus |