JPH11335162A - セラミック基板用組成物およびセラミック回路部品 - Google Patents
セラミック基板用組成物およびセラミック回路部品Info
- Publication number
- JPH11335162A JPH11335162A JP10143115A JP14311598A JPH11335162A JP H11335162 A JPH11335162 A JP H11335162A JP 10143115 A JP10143115 A JP 10143115A JP 14311598 A JP14311598 A JP 14311598A JP H11335162 A JPH11335162 A JP H11335162A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ceramic
- composition
- ceramic substrate
- glass
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/16—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on silicates other than clay
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C14/00—Glass compositions containing a non-glass component, e.g. compositions containing fibres, filaments, whiskers, platelets, or the like, dispersed in a glass matrix
- C03C14/004—Glass compositions containing a non-glass component, e.g. compositions containing fibres, filaments, whiskers, platelets, or the like, dispersed in a glass matrix the non-glass component being in the form of particles or flakes
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/0306—Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
- H05K3/4611—Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards
- H05K3/4626—Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards characterised by the insulating layers or materials
- H05K3/4629—Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards characterised by the insulating layers or materials laminating inorganic sheets comprising printed circuits, e.g. green ceramic sheets
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Dispersion Chemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】低誘電率・低損失・高強度を同時に満足し、か
つ、Ａｇ系電極のセラミック基板中への拡散を抑えて同
時焼成できるセラミック基板用組成物、それを用いたセ
ラミック回路部品を提供する。 【解決手段】ＣａＯ−Ａｌ2Ｏ3−Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ2系ガ
ラスを２６〜４８ｗｔ％と、アルミナ、ムライト、コー
ジェライトおよびフォルステライトの群から選ばれる少
なくとも１種のセラミックを３５〜６８ｗｔ％と、石英
を３〜２４ｗｔ％含み、８００〜１０００℃の焼成によ
りガラスの一部がウォラストナイトに結晶化するセラミ
ック基板用組成物。この組成物を焼成して得られたセラ
ミック基板に回路が形成されている、セラミック回路部
品。
つ、Ａｇ系電極のセラミック基板中への拡散を抑えて同
時焼成できるセラミック基板用組成物、それを用いたセ
ラミック回路部品を提供する。 【解決手段】ＣａＯ−Ａｌ2Ｏ3−Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ2系ガ
ラスを２６〜４８ｗｔ％と、アルミナ、ムライト、コー
ジェライトおよびフォルステライトの群から選ばれる少
なくとも１種のセラミックを３５〜６８ｗｔ％と、石英
を３〜２４ｗｔ％含み、８００〜１０００℃の焼成によ
りガラスの一部がウォラストナイトに結晶化するセラミ
ック基板用組成物。この組成物を焼成して得られたセラ
ミック基板に回路が形成されている、セラミック回路部
品。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、１０００℃以下で
焼成されるセラミック基板用組成物、およびそれを用い
た多層集積回路、厚膜ハイブリッド回路などのセラミッ
ク回路部品に関する。
焼成されるセラミック基板用組成物、およびそれを用い
た多層集積回路、厚膜ハイブリッド回路などのセラミッ
ク回路部品に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、セラミック回路部品に用いるセラ
ミック基板の主流はアルミナ基板であった。ところが、
このアルミナ基板は、約１６００℃という高温で焼成し
なければならず、多層基板とするには、内部の導電体に
はＷやＭｏのような高融点の金属を使用する必要があっ
た。しかしながら、これらの高融点金属は比較的高抵抗
であるため、高周波化、高速化の進む電子部品用の多層
基板としてはふさわしくない。そこで、低抵抗の内層導
電体として、Ａｕ、Ａｇ、Ａｇ−Ｐｄ、Ａｇ−Ｐｔ、Ｃ
ｕなどの金属と同時焼成できるような、焼成温度が１０
００℃以下であり、基板の誘電率が低い低温焼成用のセ
ラミック基板が注目を集め開発されてきている。
ミック基板の主流はアルミナ基板であった。ところが、
このアルミナ基板は、約１６００℃という高温で焼成し
なければならず、多層基板とするには、内部の導電体に
はＷやＭｏのような高融点の金属を使用する必要があっ
た。しかしながら、これらの高融点金属は比較的高抵抗
であるため、高周波化、高速化の進む電子部品用の多層
基板としてはふさわしくない。そこで、低抵抗の内層導
電体として、Ａｕ、Ａｇ、Ａｇ−Ｐｄ、Ａｇ−Ｐｔ、Ｃ
ｕなどの金属と同時焼成できるような、焼成温度が１０
００℃以下であり、基板の誘電率が低い低温焼成用のセ
ラミック基板が注目を集め開発されてきている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
低温焼成用のセラミック基板では、低誘電率・低損失・
高強度を同時に満足させることが困難であった。また、
Ａｇ系の電極を低温焼成基板と同時焼成した場合、焼成
中にＡｇが基板に拡散するという問題点があった。
低温焼成用のセラミック基板では、低誘電率・低損失・
高強度を同時に満足させることが困難であった。また、
Ａｇ系の電極を低温焼成基板と同時焼成した場合、焼成
中にＡｇが基板に拡散するという問題点があった。
【０００４】そこで、本発明の目的は、低誘電率・低損
失・高強度を同時に満足し、かつ、Ａｇ系電極がセラミ
ック基板中への拡散を抑えて同時焼成できるセラミック
基板用組成物を提供することにある。また、このセラミ
ック基板用組成物を用いたセラミック回路部品を提供す
ることにある。
失・高強度を同時に満足し、かつ、Ａｇ系電極がセラミ
ック基板中への拡散を抑えて同時焼成できるセラミック
基板用組成物を提供することにある。また、このセラミ
ック基板用組成物を用いたセラミック回路部品を提供す
ることにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明のセラミック基板用組成物は、ＣａＯ−Ａｌ
2Ｏ3−Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ2系ガラスを２６〜４８ｗｔ％
と、アルミナ、ムライト、コージェライトおよびフォル
ステライトの群から選ばれる少なくとも１種のセラミッ
クを３５〜６８ｗｔ％と、石英を３〜２４ｗｔ％含み、
８００〜１０００℃の焼成によりガラスの一部がウォラ
ストナイトに結晶化することを特徴とする。
め、本発明のセラミック基板用組成物は、ＣａＯ−Ａｌ
2Ｏ3−Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ2系ガラスを２６〜４８ｗｔ％
と、アルミナ、ムライト、コージェライトおよびフォル
ステライトの群から選ばれる少なくとも１種のセラミッ
クを３５〜６８ｗｔ％と、石英を３〜２４ｗｔ％含み、
８００〜１０００℃の焼成によりガラスの一部がウォラ
ストナイトに結晶化することを特徴とする。
【０００６】そして、前記ガラス中に、Ｌｉ2Ｏ、Ｋ2Ｏ
およびＮａ2Ｏの群から選ばれる少なくとも１種のアル
カリ金属酸化物を５ｗｔ％以下含むことを特徴とする。
およびＮａ2Ｏの群から選ばれる少なくとも１種のアル
カリ金属酸化物を５ｗｔ％以下含むことを特徴とする。
【０００７】また、前記ガラス中に、ＴｉＯ2、Ｚｒ
Ｏ2、ＣｒＯ2、ＣｕＯの群から選ばれる少なくとも１種
の酸化物を５ｗｔ％以下含むことを特徴とする。
Ｏ2、ＣｒＯ2、ＣｕＯの群から選ばれる少なくとも１種
の酸化物を５ｗｔ％以下含むことを特徴とする。
【０００８】また、本発明のセラミック回路部品は、前
記セラミック基板用組成物を成形し焼成して得られたセ
ラミック基板に導電体回路が形成されていることを特徴
とする。
記セラミック基板用組成物を成形し焼成して得られたセ
ラミック基板に導電体回路が形成されていることを特徴
とする。
【０００９】そして、前記導電体回路は、Ａｇ、Ａｕお
よびＣｕから選ばれた少なくとも１種を主成分として含
有していることを特徴とする。
よびＣｕから選ばれた少なくとも１種を主成分として含
有していることを特徴とする。
【００１０】
【発明の実施の形態】本発明のセラミック基板用組成物
は、特定割合の、ＣａＯ−Ａｌ2Ｏ3−Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ2
系ガラスと、アルミナ、ムライト、コージェライトおよ
びフォルステライトから選ばれる少なくとも１種のセラ
ミックと、石英とを含む。そして、ガラスは、８００〜
１０００℃の焼成により、その一部がウォラストナイト
に結晶化する。
は、特定割合の、ＣａＯ−Ａｌ2Ｏ3−Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ2
系ガラスと、アルミナ、ムライト、コージェライトおよ
びフォルステライトから選ばれる少なくとも１種のセラ
ミックと、石英とを含む。そして、ガラスは、８００〜
１０００℃の焼成により、その一部がウォラストナイト
に結晶化する。
【００１１】このガラスは、焼成時に軟化・粘性流動し
て、セラミック基板用組成物が１０００℃以下で焼結す
るための焼結助材として働くとともに、焼結中から焼結
後に結晶化することによって、セラミック基板の低損失
・高強度化を促進する。また、ガラスが結晶化してガラ
ス粘度が高くなることにより、Ａｇ系電極と同時焼成し
た場合に問題となるセラミック基板中へのＡｇ拡散を抑
制する。
て、セラミック基板用組成物が１０００℃以下で焼結す
るための焼結助材として働くとともに、焼結中から焼結
後に結晶化することによって、セラミック基板の低損失
・高強度化を促進する。また、ガラスが結晶化してガラ
ス粘度が高くなることにより、Ａｇ系電極と同時焼成し
た場合に問題となるセラミック基板中へのＡｇ拡散を抑
制する。
【００１２】本発明のセラミック基板用組成物中のガラ
スの含有量は、２６〜４８ｗｔ％が好ましい。２６ｗｔ
％未満では、１０００℃以下の低温焼結が不可能であ
り、４８ｗｔ％を超えると、結晶化せずセラミック基板
中に残存するガラス量の割合が多すぎるために、セラミ
ック基板の高強度、低損失を達成できない。
スの含有量は、２６〜４８ｗｔ％が好ましい。２６ｗｔ
％未満では、１０００℃以下の低温焼結が不可能であ
り、４８ｗｔ％を超えると、結晶化せずセラミック基板
中に残存するガラス量の割合が多すぎるために、セラミ
ック基板の高強度、低損失を達成できない。
【００１３】セラミックの含有量は、ガラスの結晶化だ
けでは達成できない高強度を可能とするため、３５ｗｔ
％以上必要であるが、セラミック基板の低温焼結と低誘
電率を満足させるためには、６８ｗｔ％以下に抑える必
要がある。
けでは達成できない高強度を可能とするため、３５ｗｔ
％以上必要であるが、セラミック基板の低温焼結と低誘
電率を満足させるためには、６８ｗｔ％以下に抑える必
要がある。
【００１４】石英の含有量は、３〜２４ｗｔ％の範囲が
好ましい。３ｗｔ％未満ではセラミック基板の誘電率が
高くなりすぎ、２４ｗｔ％を超えるとセラミック基板の
高強度を十分に達成できない。
好ましい。３ｗｔ％未満ではセラミック基板の誘電率が
高くなりすぎ、２４ｗｔ％を超えるとセラミック基板の
高強度を十分に達成できない。
【００１５】また、ガラス中に、Ｌｉ2Ｏ、Ｋ2Ｏおよび
Ｎａ2Ｏから選ばれる少なくとも１種のアルカリ金属酸
化物を含有させることにより、ガラスの溶融温度を低下
させることができる。含有量は５ｗｔ％以下が好まし
い。５ｗｔ％を超えると、セラミック基板の誘電率が高
くなるとともに、損失が大きくなり好ましくない。
Ｎａ2Ｏから選ばれる少なくとも１種のアルカリ金属酸
化物を含有させることにより、ガラスの溶融温度を低下
させることができる。含有量は５ｗｔ％以下が好まし
い。５ｗｔ％を超えると、セラミック基板の誘電率が高
くなるとともに、損失が大きくなり好ましくない。
【００１６】また、ガラス中に、ＴｉＯ2、ＺｒＯ2、Ｃ
ｒＯ2およびＣｕＯから選ばれる少なくとも１種の酸化
物を含有させることにより、ガラスの結晶化を促進させ
ることができる。含有量は、５ｗｔ％以下が好ましい。
５ｗｔ％を超えると、セラミック基板の誘電率が高くな
り好ましくない。
ｒＯ2およびＣｕＯから選ばれる少なくとも１種の酸化
物を含有させることにより、ガラスの結晶化を促進させ
ることができる。含有量は、５ｗｔ％以下が好ましい。
５ｗｔ％を超えると、セラミック基板の誘電率が高くな
り好ましくない。
【００１７】さらに、本発明のセラミック回路部品は、
上述のセラミック基板用組成物を成形し焼成して得られ
たセラミック基板に、導電体回路などが形成されている
ものである。そして、このセラミック基板用組成物は１
０００℃以下で焼結させることができるため、Ａｇ、Ａ
ｕ、Ａｇ−Ｐｄ、Ａｇ−Ｐｔ、Ｃｕなどからなる導電体
をセラミックと同時焼成で形成することができる。
上述のセラミック基板用組成物を成形し焼成して得られ
たセラミック基板に、導電体回路などが形成されている
ものである。そして、このセラミック基板用組成物は１
０００℃以下で焼結させることができるため、Ａｇ、Ａ
ｕ、Ａｇ−Ｐｄ、Ａｇ−Ｐｔ、Ｃｕなどからなる導電体
をセラミックと同時焼成で形成することができる。
【００１８】
【実施例】まず出発原料として、アルミナ、ムライト、
コージェライト、フォルステライトおよび石英の粉末を
準備した。また、ガラスの粉末を以下のようにして準備
した。即ち、表１に示すガラス組成となるように、Ｃａ
Ｏ、Ａｌ2Ｏ3、Ｂ2Ｏ3、ＳｉＯ2、Ｌｉ2Ｏ、Ｋ2Ｏ、Ｎ
ａ2Ｏ、ＴｉＯ2、ＺｒＯ2、ＣｒＯ2およびＣｕＯをそれ
ぞれ秤量し十分混合した後、１４００〜１７００℃の温
度で溶融した。次いで、このガラス融液物を急冷した
後、ボールミルで粉砕してガラスの粉末を得た。
コージェライト、フォルステライトおよび石英の粉末を
準備した。また、ガラスの粉末を以下のようにして準備
した。即ち、表１に示すガラス組成となるように、Ｃａ
Ｏ、Ａｌ2Ｏ3、Ｂ2Ｏ3、ＳｉＯ2、Ｌｉ2Ｏ、Ｋ2Ｏ、Ｎ
ａ2Ｏ、ＴｉＯ2、ＺｒＯ2、ＣｒＯ2およびＣｕＯをそれ
ぞれ秤量し十分混合した後、１４００〜１７００℃の温
度で溶融した。次いで、このガラス融液物を急冷した
後、ボールミルで粉砕してガラスの粉末を得た。
【００１９】
【表１】
【００２０】次に、この得られたガラスの粉末と、フィ
ラーとしてのアルミナ、ムライト、コージェライトおよ
びフォルステライトの粉末と、石英の粉末とを、表１に
示す組成比となるように混合した。その後、これら混合
原料に対して、所定量のバインダ、可塑剤および溶剤を
加え、混練してスラリーを得た後、ドクターブレード法
でセラミックグリーンシートを作製した。
ラーとしてのアルミナ、ムライト、コージェライトおよ
びフォルステライトの粉末と、石英の粉末とを、表１に
示す組成比となるように混合した。その後、これら混合
原料に対して、所定量のバインダ、可塑剤および溶剤を
加え、混練してスラリーを得た後、ドクターブレード法
でセラミックグリーンシートを作製した。
【００２１】次に、セラミックグリーンシートを所定枚
数積層し所定寸法にカットした後、表２に示す温度で焼
成して、研磨加工して長さ３６ｍｍ×幅４ｍｍ×厚み３
ｍｍの磁器を得た。このようにして得られた磁器につい
て、ＪＩＳ規格（ＪＩＳＲ１６０１）に準じて抗折強度
（３点曲げ）を測定した。また、Ｘ線回折分析により、
セラミック基板中の結晶相を同定した。こららの結果を
表２に示す。
数積層し所定寸法にカットした後、表２に示す温度で焼
成して、研磨加工して長さ３６ｍｍ×幅４ｍｍ×厚み３
ｍｍの磁器を得た。このようにして得られた磁器につい
て、ＪＩＳ規格（ＪＩＳＲ１６０１）に準じて抗折強度
（３点曲げ）を測定した。また、Ｘ線回折分析により、
セラミック基板中の結晶相を同定した。こららの結果を
表２に示す。
【００２２】また、得られたセラミックグリーンシート
を用いて、セラミック回路部品としてのセラミック多層
基板を作製した。すなわち、セラミックグリーンシート
にパンチで穴をあけ、Ａｇ―Ｐｄペーストを充填してバ
イアホールを形成したのち、Ａｇ−Ｐｄペーストをスク
リーン印刷して所定パターンの導電ペースト層を形成し
た。その後、こららセラミックグリーンシートを所定枚
数積層し圧着した。その後、空気中で、表２に示す温度
で焼成して図１に示すセラミック多層基板１を得た。
を用いて、セラミック回路部品としてのセラミック多層
基板を作製した。すなわち、セラミックグリーンシート
にパンチで穴をあけ、Ａｇ―Ｐｄペーストを充填してバ
イアホールを形成したのち、Ａｇ−Ｐｄペーストをスク
リーン印刷して所定パターンの導電ペースト層を形成し
た。その後、こららセラミックグリーンシートを所定枚
数積層し圧着した。その後、空気中で、表２に示す温度
で焼成して図１に示すセラミック多層基板１を得た。
【００２３】図１は、得られたセラミック多層基板１の
断面図であり、Ａはコンデンサ部、Ｂはインダクタ部で
ある。そして、２はセラミック層、３はセラミック内部
の導電体層、４，５はセラミック表面の導電体層、６は
バイアホールである。
断面図であり、Ａはコンデンサ部、Ｂはインダクタ部で
ある。そして、２はセラミック層、３はセラミック内部
の導電体層、４，５はセラミック表面の導電体層、６は
バイアホールである。
【００２４】このようにして得られたセラミック多層基
板１の導電体層４、５の間に周波数１ＭＨｚの電圧を印
加して、コンデンサＡの静電容量およびＱを測定し、誘
電率（εｒ）を算出した。結果を表２に示す。
板１の導電体層４、５の間に周波数１ＭＨｚの電圧を印
加して、コンデンサＡの静電容量およびＱを測定し、誘
電率（εｒ）を算出した。結果を表２に示す。
【００２５】
【表２】
【００２６】表１、２から明らかなように、本発明の実
施例である試料番号１〜２０は、抗折強度が２４０〜３
３０ＭＰａと高く、誘電率が６．０〜７．９と小さく、
Ｑが２１００〜４０００と高く、セラミック回路部品用
のセラミック基板として優れた特性を示した。また、９
４０℃以下と低温で焼結可能であり、Ｘ線回折分析によ
りウォラストナイト結晶相が確認された。
施例である試料番号１〜２０は、抗折強度が２４０〜３
３０ＭＰａと高く、誘電率が６．０〜７．９と小さく、
Ｑが２１００〜４０００と高く、セラミック回路部品用
のセラミック基板として優れた特性を示した。また、９
４０℃以下と低温で焼結可能であり、Ｘ線回折分析によ
りウォラストナイト結晶相が確認された。
【００２７】また、ガラス中にＬｉ2Ｏ、Ｋ2ＯまたはＮ
ａ2Ｏを含有させた試料番号１４〜１６は、ガラスの溶
融温度が低下するため、例えば試料番号１３との比較で
分かるように、焼結温度の低下が確認された。
ａ2Ｏを含有させた試料番号１４〜１６は、ガラスの溶
融温度が低下するため、例えば試料番号１３との比較で
分かるように、焼結温度の低下が確認された。
【００２８】また、ガラス中にＴｉＯ2、ＺｒＯ2、Ｃｒ
Ｏ2またはＣｕＯを含有させた試料番号１７〜２０は、
表２には示していないが、Ｘ線回折分析により、試料番
号４と比較してより結晶化が促進されているのが確認さ
れた。
Ｏ2またはＣｕＯを含有させた試料番号１７〜２０は、
表２には示していないが、Ｘ線回折分析により、試料番
号４と比較してより結晶化が促進されているのが確認さ
れた。
【００２９】さらに、得られたセラミック多層基板につ
いて、導電体層に垂直な面を切断により露出させて確認
したところ、従来の場合と比較して、セラミック中への
Ａｇの拡散が抑制されているのが確認された。
いて、導電体層に垂直な面を切断により露出させて確認
したところ、従来の場合と比較して、セラミック中への
Ａｇの拡散が抑制されているのが確認された。
【００３０】これに対して、本発明の範囲外の試料番号
２１は、ガラスの添加量が少ないため、１０００℃以下
では焼結しなかった。試料番号２２は、ガラスの添加量
が多すぎるため、抗折強度が１９０ＭＰａと低くなっ
た。試料番号２３は、石英の添加量が多すぎるため、抗
折強度が２００ＭＰａと低く、Ｑが１８００と低くなっ
た。試料番号２４は、石英の添加がないため、誘電率が
８以下にならなかった。
２１は、ガラスの添加量が少ないため、１０００℃以下
では焼結しなかった。試料番号２２は、ガラスの添加量
が多すぎるため、抗折強度が１９０ＭＰａと低くなっ
た。試料番号２３は、石英の添加量が多すぎるため、抗
折強度が２００ＭＰａと低く、Ｑが１８００と低くなっ
た。試料番号２４は、石英の添加がないため、誘電率が
８以下にならなかった。
【００３１】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明の
セラミック基板用組成物は、１０００℃以下の低温焼成
で、高強度、低誘電率、高Ｑ（低損失）の特性を有する
セラミック基板を得ることができる。また、１０００℃
以下で焼結が可能であるため、Ａｇ系やＣｕ系などの低
抵抗の導電体をセラミックと同時焼成で形成することが
できる。さらに、Ａｇ系電極を用いて同時焼成した場合
の、セラミック基板中へのＡｇの拡散を抑制することが
できる。
セラミック基板用組成物は、１０００℃以下の低温焼成
で、高強度、低誘電率、高Ｑ（低損失）の特性を有する
セラミック基板を得ることができる。また、１０００℃
以下で焼結が可能であるため、Ａｇ系やＣｕ系などの低
抵抗の導電体をセラミックと同時焼成で形成することが
できる。さらに、Ａｇ系電極を用いて同時焼成した場合
の、セラミック基板中へのＡｇの拡散を抑制することが
できる。
【００３２】したがって、このセラミック基板を用いる
ことにより、高周波特性、高速性に優れたセラミック回
路部品を得ることができる。
ことにより、高周波特性、高速性に優れたセラミック回
路部品を得ることができる。
【図１】本発明のセラミック多層基板の一例を示す断面
図である。
図である。
【符号の説明】 １ セラミック多層基板 ２ セラミック層 ３、４、５ 導電体層 ６ バイアホール Ａ コンデンサ部 Ｂ インダクタ部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 鷹木 洋 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式 会社村田製作所内
Claims (5)
- 【請求項１】 ＣａＯ−Ａｌ2Ｏ3−Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ2系
ガラスを２６〜４８ｗｔ％と、アルミナ、ムライト、コ
ージェライトおよびフォルステライトの群から選ばれる
少なくとも１種のセラミックを３５〜６８ｗｔ％と、石
英を３〜２４ｗｔ％含み、８００〜１０００℃の焼成に
よりガラスの一部がウォラストナイトに結晶化すること
を特徴とする、セラミック基板用組成物。 - 【請求項２】 前記ガラス中に、Ｌｉ2Ｏ、Ｋ2Ｏおよび
Ｎａ2Ｏの群から選ばれる少なくとも１種のアルカリ金
属酸化物を５ｗｔ％以下含むことを特徴とする、請求項
１に記載のセラミック基板用組成物。 - 【請求項３】 前記ガラス中に、ＴｉＯ2、ＺｒＯ2、Ｃ
ｒＯ2、ＣｕＯの群から選ばれる少なくとも１種の酸化
物を５ｗｔ％以下含むことを特徴とする、請求項１また
は請求項２に記載のセラミック基板用組成物。 - 【請求項４】 請求項１から３のうちのいずれかに記載
のセラミック基板用組成物を成形し焼成して得られたセ
ラミック基板に導電体回路が形成されていることを特徴
とする、セラミック回路部品。 - 【請求項５】 前記導電体回路は、Ａｇ、ＡｕおよびＣ
ｕから選ばれた少なくとも１種を主成分として含有して
いることを特徴とする、請求項４記載のセラミック回路
部品。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10143115A JPH11335162A (ja) | 1998-05-25 | 1998-05-25 | セラミック基板用組成物およびセラミック回路部品 |
| DE69901322T DE69901322T2 (de) | 1998-05-25 | 1999-05-21 | Zusammensetzung für keramisches Substrat sowie keramischer Bestandteil eines Schaltkreises |
| EP99110007A EP0960866B1 (en) | 1998-05-25 | 1999-05-21 | Ceramic substrate composition and ceramic circuit component |
| US09/317,500 US6372676B1 (en) | 1998-05-25 | 1999-05-24 | Ceramic substrate composition and ceramic circuit component |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10143115A JPH11335162A (ja) | 1998-05-25 | 1998-05-25 | セラミック基板用組成物およびセラミック回路部品 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11335162A true JPH11335162A (ja) | 1999-12-07 |
Family
ID=15331273
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10143115A Pending JPH11335162A (ja) | 1998-05-25 | 1998-05-25 | セラミック基板用組成物およびセラミック回路部品 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6372676B1 (ja) |
| EP (1) | EP0960866B1 (ja) |
| JP (1) | JPH11335162A (ja) |
| DE (1) | DE69901322T2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010006690A (ja) * | 2008-06-26 | 2010-01-14 | Korea Inst Of Science & Technology | 低温焼成用低誘電率誘電体セラミック組成物 |
| US8455381B2 (en) | 2004-10-26 | 2013-06-04 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Ceramic material composition, ceramic substrate, and nonreciprocal circuit device |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3818030B2 (ja) * | 2000-07-21 | 2006-09-06 | 株式会社村田製作所 | 多層基板の製造方法 |
| EP1353542B1 (en) * | 2001-12-25 | 2018-05-16 | Ngk Spark Plug Co., Ltd | Process for production of multilayered wiring board |
| US7387838B2 (en) * | 2004-05-27 | 2008-06-17 | Delaware Capital Formation, Inc. | Low loss glass-ceramic materials, method of making same and electronic packages including same |
| US7186461B2 (en) * | 2004-05-27 | 2007-03-06 | Delaware Capital Formation, Inc. | Glass-ceramic materials and electronic packages including same |
| US7470640B2 (en) * | 2006-04-11 | 2008-12-30 | Corning Incorporated | Glass-ceramic seals for use in solid oxide fuel cells |
| KR100896610B1 (ko) * | 2007-11-05 | 2009-05-08 | 삼성전기주식회사 | 다층 세라믹 기판 및 그 제조방법 |
| US7950455B2 (en) * | 2008-01-14 | 2011-05-31 | Baker Hughes Incorporated | Non-spherical well treating particulates and methods of using the same |
| CN101683011B (zh) * | 2008-03-28 | 2013-01-09 | 株式会社村田制作所 | 多层陶瓷基板的制造方法及复合片材 |
| WO2014196348A1 (ja) * | 2013-06-05 | 2014-12-11 | 株式会社村田製作所 | セラミック基板用組成物およびセラミック回路部品 |
| JP5796602B2 (ja) * | 2013-06-05 | 2015-10-21 | 株式会社村田製作所 | セラミック電子部品およびその製造方法 |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4935044B1 (ja) * | 1969-08-25 | 1974-09-19 | ||
| JPS60254697A (ja) * | 1984-05-31 | 1985-12-16 | 富士通株式会社 | 多層セラミック回路基板および製法 |
| JPS60260465A (ja) * | 1984-06-01 | 1985-12-23 | 鳴海製陶株式会社 | 低温焼成セラミツクス |
| US4605632A (en) | 1984-10-24 | 1986-08-12 | Corning Glass Works | Glass for tungsten-halogen lamps |
| US4683168A (en) | 1985-01-10 | 1987-07-28 | Corning Glass Works | Method of producing a composite body |
| US4788046A (en) * | 1987-08-13 | 1988-11-29 | Ceramics Process Systems Corporation | Method for producing materials for co-sintering |
| DE4021288A1 (de) * | 1990-07-04 | 1992-01-09 | Hoechst Ceram Tec Ag | Verfahren zur herstellung eines silikatisch gebundenen werkstoffs |
| JP3121990B2 (ja) * | 1994-07-25 | 2001-01-09 | 京セラ株式会社 | ガラス−セラミック基板 |
| US5733828A (en) * | 1996-02-15 | 1998-03-31 | Asahi Glass Company Ltd. | Hermetic sealing composition |
| JP3240271B2 (ja) * | 1996-02-29 | 2001-12-17 | ティーディーケイ株式会社 | セラミック基板 |
| JP3610191B2 (ja) * | 1997-06-03 | 2005-01-12 | Ｔｄｋ株式会社 | 非磁性セラミックおよびセラミック積層部品 |
| JP2000086288A (ja) * | 1998-06-30 | 2000-03-28 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 結晶化ガラス―セラミック複合体及びそれを用いた配線基板並びにその配線基板が配設されたパッケ―ジ |
-
1998
- 1998-05-25 JP JP10143115A patent/JPH11335162A/ja active Pending
-
1999
- 1999-05-21 DE DE69901322T patent/DE69901322T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1999-05-21 EP EP99110007A patent/EP0960866B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1999-05-24 US US09/317,500 patent/US6372676B1/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8455381B2 (en) | 2004-10-26 | 2013-06-04 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Ceramic material composition, ceramic substrate, and nonreciprocal circuit device |
| JP2010006690A (ja) * | 2008-06-26 | 2010-01-14 | Korea Inst Of Science & Technology | 低温焼成用低誘電率誘電体セラミック組成物 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE69901322T2 (de) | 2002-10-02 |
| EP0960866A1 (en) | 1999-12-01 |
| EP0960866B1 (en) | 2002-04-24 |
| DE69901322D1 (de) | 2002-05-29 |
| US6372676B1 (en) | 2002-04-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3358589B2 (ja) | セラミック基板用組成物、グリーンシートおよびセラミック回路部品 | |
| JP3240271B2 (ja) | セラミック基板 | |
| EP0474354B1 (en) | Dielectric ceramic body, method of producing the same and circuit board using the same | |
| JPH05211005A (ja) | 誘電体組成物 | |
| JPH11335162A (ja) | セラミック基板用組成物およびセラミック回路部品 | |
| JP3943341B2 (ja) | ガラスセラミックス組成物 | |
| JP2004269269A (ja) | ガラス粉末、ガラスセラミック誘電体材料、焼結体及び高周波用回路部材 | |
| JPWO2005073146A1 (ja) | セラミック基板用組成物、セラミック基板、セラミック基板の製造方法およびガラス組成物 | |
| JP3678260B2 (ja) | ガラスセラミックス組成物 | |
| JP2010052953A (ja) | 配線基板用ガラスセラミックス組成物及びガラスセラミックス焼結体 | |
| JP3890779B2 (ja) | ガラスセラミックス組成物 | |
| JP2006256956A (ja) | ガラスセラミックス焼結体及びマイクロ波用回路部材 | |
| JPH0758454A (ja) | ガラスセラミックス多層基板 | |
| JP2004075534A (ja) | 絶縁性組成物 | |
| JPH0517211A (ja) | 基板材料及び回路基板 | |
| JP4045127B2 (ja) | セラミック基板 | |
| JP2005216998A (ja) | セラミック回路基板及びその製造方法 | |
| JP2003115218A (ja) | 誘電体磁器 | |
| JP2001010868A (ja) | セラミック基板用組成物およびセラミック回路部品 | |
| JP3792355B2 (ja) | 高強度セラミック焼結体及びその製造方法並びに配線基板 | |
| JPH01166599A (ja) | 積層セラミック基板の製造方法 | |
| JP3315233B2 (ja) | セラミック基板用組成物 | |
| JP2005060171A (ja) | 無鉛ガラス、ガラスセラミックス組成物、グリーンシートおよび電子回路基板 | |
| JP2000285732A (ja) | 導電性ペースト及びそれを用いた高周波用電子部品 | |
| JP4288656B2 (ja) | ガラスセラミック誘電体材料 |