JPH11329335A - Ion doping device - Google Patents
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- JPH11329335A JPH11329335A JP10141034A JP14103498A JPH11329335A JP H11329335 A JPH11329335 A JP H11329335A JP 10141034 A JP10141034 A JP 10141034A JP 14103498 A JP14103498 A JP 14103498A JP H11329335 A JPH11329335 A JP H11329335A
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- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 34
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 abstract description 29
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 abstract description 24
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 28
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 20
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 17
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 15
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 3
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、イオンドーピング
装置に関し、特に、薄膜トランジスタを備えた液晶表示
装置の製造において、多結晶シリコンにソース・ドレイ
ンコンタクト領域を形成するために不純物イオンを注入
するイオンドーピング技術を行うための、イオンドーピ
ング装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an ion doping apparatus, and more particularly to an ion doping method for implanting impurity ions to form source / drain contact regions in polycrystalline silicon in the manufacture of a liquid crystal display device having a thin film transistor. The present invention relates to an ion doping apparatus for performing a technique.
【０００２】[0002]
【従来の技術】近年、大画面化を実現する液晶表示装置
の製造には、大型の液晶用表示基板が使われている。こ
のような大型の液晶用表示基板に対応して、高い生産性
を実現し、装置の大型化を回避し、低コスト化を図るた
め、イオン注入工程には非質量分離型イオンドーピング
装置が利用されている。この非質量分離型イオンドーピ
ング装置では、プラズマを生成するためのプラズマチャ
ンバーからイオン注入を行う液晶用表示基板までの間
に、平行に設置された４枚の大型平板円形電極によっ
て、平面視における液晶用表示基板の面積以上の断面を
有する大電流平行イオンビームが引き出され、これによ
ってイオン注入を行うことでイオンドーピング処理を行
う。2. Description of the Related Art In recent years, a large-sized liquid crystal display substrate has been used for manufacturing a liquid crystal display device realizing a large screen. Non-mass-separated ion doping equipment is used in the ion implantation process to achieve high productivity, avoid large equipment, and reduce costs in response to such large liquid crystal display substrates. Have been. In this non-mass separation type ion doping apparatus, four large flat circular electrodes arranged in parallel between a plasma chamber for generating plasma and a display substrate for liquid crystal for ion implantation form a liquid crystal in plan view. A high-current parallel ion beam having a cross section larger than the area of the display substrate is extracted, and ion implantation is performed to perform ion doping.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、大型の
液晶用表示基板の大面積に対応するイオンビームを生成
するために、プラズマを生成するためのプラズマチャン
バーも大型化し、このため、電極間隔調整、電極交換、
電極及びチャンバー側面の付着物の除去洗浄といった保
守作業が容易ではないという問題があった。また、チャ
ンバー側面及び電極に堆積した付着物の影響で安定した
プラズマ密度やイオンビーム強度を得ること、及び、均
一性のあるイオンビームを維持することが、困難である
という問題もあった。However, in order to generate an ion beam corresponding to a large area of a large-sized liquid crystal display substrate, the size of a plasma chamber for generating plasma is also increased. Electrode replacement,
There is a problem that maintenance work such as removal and cleaning of deposits on the electrode and the side of the chamber is not easy. In addition, there is also a problem that it is difficult to obtain a stable plasma density and an ion beam intensity under the influence of the deposits deposited on the chamber side surfaces and the electrodes, and to maintain a uniform ion beam.
【０００４】そこで、本発明は上記課題に鑑みてなされ
たものであり、プラズマを生成するプラズマチャンバー
を小型化することで保守作業が容易で、安定したイオン
ビームを維持するので適したイオンドーピング装置を提
供することを目的とする。さらに、拡散するイオンビー
ムを液晶用表示基板の全面に均一な強度で照射すること
のできる、イオンドーピング装置を提供することを目的
とする。Accordingly, the present invention has been made in view of the above problems, and an ion doping apparatus suitable for maintaining a stable ion beam because maintenance work is easy by reducing the size of a plasma chamber for generating plasma. The purpose is to provide. It is still another object of the present invention to provide an ion doping apparatus capable of irradiating the entire surface of a liquid crystal display substrate with a diffused ion beam at a uniform intensity.
【０００５】[0005]
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
本発明に係るイオンドーピング装置は、被処理物が配置
されるステージが配置された処理室と、前記処理室に近
接して配置されプラズマを発生させるプラズマ室と、前
記処理室とプラズマ室との間に配置され、前記ステージ
と略平行に配置される平板電極と、を有するイオンドー
ピング装置において、前記平板電極は複数の開口を有
し、前記開口は前記平板電極の中心部より外周部で開口
面積の密度が大きいことを特徴とする。In order to solve the above-mentioned problems, an ion doping apparatus according to the present invention comprises a processing chamber in which a stage in which an object to be processed is disposed is disposed, and a plasma disposed in proximity to the processing chamber. And a plate electrode disposed between the processing chamber and the plasma chamber and substantially parallel to the stage, wherein the plate electrode has a plurality of openings. The opening has a larger opening area density at the outer periphery than at the center of the plate electrode.
【０００６】[0006]
【発明の実施の形態】本発明は、平行平板電極を複数有
するイオンドーピング装置において、各電極に形成され
た複数の開口の径や密度を、これらの電極の中心部と外
縁部とで変化させることにより、拡散するイオンビーム
を基板全面に均一に照射できるようにしたものである。
以下、本発明の一実施形態を図面に基づいて説明する。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention relates to an ion doping apparatus having a plurality of parallel plate electrodes, wherein the diameter and density of a plurality of openings formed in each electrode are changed between the center and the outer edge of these electrodes. Thus, the diffused ion beam can be uniformly irradiated on the entire surface of the substrate.
Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
【０００７】図１は本発明の一実施形態に係る平行平板
電極型のイオンドーピング装置の断面図である。この図
１からわかるように、イオンドーピング装置は、装置上
側に設けられたイオン源室１０と、このイオン源室１０
の下側に設けられた処理室２０とを、備えて、構成され
ている。このイオン源室１０の平面視における面積は、
処理室２０の平面視における面積より、小さくなってい
る。処理室２０内には、基板ステージ２１が収納されて
おり、この基板ステージ２１上には液晶用表示基板２２
が取り付けられている。この液晶用表示基板２２は、平
面視においては長方形の形状をなしている。処理室２０
における図中右側には、ガス導入部２３が形成されてい
る。このガス導入部２３からは、水素希釈された１０％
Ｂ2Ｈ6ガスが導入されている。FIG. 1 is a sectional view of a parallel plate electrode type ion doping apparatus according to an embodiment of the present invention. As can be seen from FIG. 1, the ion doping apparatus comprises an ion source chamber 10 provided on the upper side of the apparatus and an ion source chamber 10
And a processing chamber 20 provided below. The area of the ion source chamber 10 in plan view is:
The area is smaller than the area of the processing chamber 20 in plan view. A substrate stage 21 is accommodated in the processing chamber 20, and a liquid crystal display substrate 22 is placed on the substrate stage 21.
Is attached. The liquid crystal display substrate 22 has a rectangular shape in plan view. Processing room 20
The gas introduction part 23 is formed on the right side in the drawing. From this gas introduction part 23, hydrogen diluted 10%
B 2 H 6 gas is introduced.
【０００８】イオン源室１０の中段部分には、加速電極
１１と引出電極１２とが、近接してほぼ平行に設けられ
ており、これらから所定距離を隔てたイオン源室１０の
下段部分には、抑制電極１３と接地電極１４とが、近接
してほぼ平行に設けられている。つまり、平板円盤状の
４枚の電極で、平行平板電極が構成されている。これら
加速電極１１と引出電極１２と抑制電極１３と接地電極
１４とには、それぞれ、１０００個から３０００個程度
の開口が形成されている。イオン源室１０における加速
電極１１の上側は、プラズマチャンバー１５を形成して
いる。つまり、プラズマチャンバー１５の下端位置に、
加速電極１１は設けられている。このプラズマチャンバ
ー１５の天板は、金属板１６から構成されている。An accelerating electrode 11 and an extraction electrode 12 are provided in the middle part of the ion source chamber 10 in close proximity and substantially parallel to each other, and in the lower part of the ion source chamber 10 at a predetermined distance therefrom. , The suppression electrode 13 and the ground electrode 14 are provided close to and substantially parallel to each other. That is, a parallel plate electrode is constituted by four flat disk-shaped electrodes. Each of the acceleration electrode 11, the extraction electrode 12, the suppression electrode 13, and the ground electrode 14 is formed with about 1,000 to 3,000 openings. Above the acceleration electrode 11 in the ion source chamber 10, a plasma chamber 15 is formed. That is, at the lower end position of the plasma chamber 15,
An acceleration electrode 11 is provided. The top plate of the plasma chamber 15 is formed of a metal plate 16.
【０００９】金属板１６と加速電極１１との間には、高
周波電源３０と整合箱３１とが直列的に接続されてい
る。本実施形態においては、高周波電源３０は３０Ｗ〜
１０００Ｗまでの高周波電力を設定することが可能であ
り、周波数１３．５６ＭＨｚの高周波を発生する。この
高周波電源３０により、プラズマチャンバー１５内に、
高周波放電により、例えば、Ｂ2Ｈ6等のＢ2Ｈxプラズマ
を発生させる。A high-frequency power supply 30 and a matching box 31 are connected in series between the metal plate 16 and the acceleration electrode 11. In the present embodiment, the high frequency power supply 30
High-frequency power up to 1000 W can be set, and a high frequency of 13.56 MHz is generated. With this high-frequency power supply 30,
The high-frequency discharge, for example, to generate a B 2 H x plasma, such as B 2 H 6.
【００１０】加速電極１１と引出電極１２との間には、
引出電源３２が設けられている。この引出電源３２によ
って引出電圧を設定することで、プラズマチャンバー１
５から加速電極１１と引出電極１２に形成された複数の
開口を介してＢ2Ｈxイオンを引き出して、基板ステージ
２１に向かうＢ2Ｈxイオンビームを発生させる。この際
に、引出電圧を３ｋＶから２０ｋＶに設定して、イオン
ビームを過収束させることで、このイオンビームを１０
度以上の角度で発散させ、イオンビームの幅が基板ステ
ージ２１に向かうにしたがって広がるようにする。[0010] Between the accelerating electrode 11 and the extraction electrode 12,
A drawer power supply 32 is provided. By setting the extraction voltage by the extraction power supply 32, the plasma chamber 1
B 2 H x ions are extracted from 5 through a plurality of openings formed in the acceleration electrode 11 and the extraction electrode 12, and a B 2 H x ion beam directed toward the substrate stage 21 is generated. At this time, by setting the extraction voltage from 3 kV to 20 kV and over-focusing the ion beam, the ion beam
The ion beam is diverged at an angle of degrees or more, so that the width of the ion beam increases toward the substrate stage 21.
【００１１】加速電極１１と接地電極１４との間には、
加速電源３３が設けられている。この加速電源１１によ
って１０ｋＶから１００ｋＶの加速電圧を印加し、プラ
ズマチャンバー１５内に発生したＢ2Ｈxイオンビームを
加速させる。接地電極１４と抑制電極１３との間には、
抑制電源３４が設けられている。この抑制電源３４によ
って、−０．０１ｋＶから−１ｋＶの抑制電圧を印加す
ることで、加速電極１１に衝突したイオンビームによっ
て発生する二次電子を抑制する。[0011] Between the accelerating electrode 11 and the ground electrode 14,
An acceleration power supply 33 is provided. The acceleration power supply 11 applies an acceleration voltage of 10 kV to 100 kV to accelerate the B 2 H x ion beam generated in the plasma chamber 15. Between the ground electrode 14 and the suppression electrode 13,
A suppression power supply 34 is provided. By applying a suppression voltage of −0.01 kV to −1 kV by the suppression power supply 34, secondary electrons generated by the ion beam colliding with the acceleration electrode 11 are suppressed.
【００１２】基板ステージ２１は、イオンビーム照射中
は液晶用表示基板２２の中心を回転軸として、１０ｒｐ
ｍから５０ｒｐｍで回転しており、照射イオンビーム強
度の液晶用表示基板２２における面内の均一性を向上さ
せている。ここで、液晶用表示基板２２は上述のように
長方形の形状をなしている。このため、見方を変える
と、平面視において、液晶用表示基板２２の対角長より
も、プラズマチャンバー１５、加速電極１１、引出電極
１２、抑制電極１３及び接地電極１４の直径の方が、短
いということもできる。さらに見方を変えると、平面視
において、液晶用表示基板２２の面積よりも、プラズマ
チャンバー１５、加速電極１１、引出電極１２、抑制電
極１３及び接地電極１４の面積の方が、小さい、という
こともできる。During the irradiation of the ion beam, the substrate stage 21 rotates at 10 rpm with the center of the liquid crystal display substrate 22 as a rotation axis.
The rotation speed is from 50 m to 50 rpm, and the in-plane uniformity of the irradiation ion beam intensity on the liquid crystal display substrate 22 is improved. Here, the liquid crystal display substrate 22 has a rectangular shape as described above. Therefore, from a different viewpoint, the diameters of the plasma chamber 15, the acceleration electrode 11, the extraction electrode 12, the suppression electrode 13, and the ground electrode 14 are shorter than the diagonal length of the liquid crystal display substrate 22 in plan view. It can also be said. From a different point of view, the area of the plasma chamber 15, the acceleration electrode 11, the extraction electrode 12, the suppression electrode 13, and the ground electrode 14 is smaller than the area of the liquid crystal display substrate 22 in plan view. it can.
【００１３】図２は、引出電源３２における引出電圧
と、イオンビームの発散角との関係のグラフを示す図で
ある。この図２からわかるように、引出電圧が０Ｖのと
ころから見ていくと、約３Ｖ程度のところで、イオンビ
ーム発散角は最小になる。そして、約３Ｖ以上の場合
は、引出電圧を高くするにしたがってイオンビームの発
散角は広がっていることがわかる。FIG. 2 is a graph showing the relationship between the extraction voltage in the extraction power supply 32 and the divergence angle of the ion beam. As can be seen from FIG. 2, the divergence angle of the ion beam becomes minimum at about 3 V when viewed from the point where the extraction voltage is 0V. In the case of about 3 V or more, it can be seen that the divergence angle of the ion beam increases as the extraction voltage increases.
【００１４】図３は、前述した加速電極１１、引出電極
１２、抑制電極１３及び接地電極１４の電極を上側から
見た平面図である。この図３からわかるように、これら
の電極１１、１２、１３、１４には、同一の径を有する
開口Ｈ１が均一の密度で形成されている。この図３に示
すような電極１１、１２、１３、１４では、拡散するイ
オンビームを液晶用表示基板２２の全面に均一な強度で
照射させることが困難な場合、図４又は図５に示すよう
な電極１１、１２、１３、１４を用いることが考えられ
る。FIG. 3 is a plan view of the acceleration electrode 11, the extraction electrode 12, the suppression electrode 13, and the ground electrode 14 when viewed from above. As can be seen from FIG. 3, openings H1 having the same diameter are formed in these electrodes 11, 12, 13, and 14 at a uniform density. When it is difficult for the electrodes 11, 12, 13, and 14 shown in FIG. 3 to irradiate the diffused ion beam over the entire surface of the liquid crystal display substrate 22 with uniform intensity, as shown in FIG. 4 or FIG. It is conceivable to use simple electrodes 11, 12, 13, and 14.
【００１５】図４に示す電極１１、１２、１３、１４で
は、開口Ｈ２の径は全体的に同一であるが、その密度が
異なっている。すなわち、中心部分に形成された開口Ｈ
２の密度より、外縁部分に形成された開口Ｈ２の密度の
方が、高くなるように構成されている。つまり、電極１
１、１２、１３、１４に形成された開口Ｈ２の密度を、
中心から外縁に向かって変化させている。In the electrodes 11, 12, 13, and 14 shown in FIG. 4, the diameter of the opening H2 is the same as a whole, but the density is different. That is, the opening H formed in the center portion
The configuration is such that the density of the opening H2 formed in the outer edge portion is higher than the density of 2. That is, electrode 1
The density of the openings H2 formed in 1, 12, 13, and 14 is
It changes from the center to the outer edge.
【００１６】図５に示す電極１１、１２、１３、１４で
は、開口Ｈ３、Ｈ４の密度は一定であるが、その径が異
なっている。すなわち、中心部分に形成された開口Ｈ３
の径よりも、外縁部分に形成された開口Ｈ４の径の方
が、大きくなるように構成されている。つまり、電極１
１、１２、１３、１４に形成された開口Ｈ３、Ｈ４の径
を、中心から外縁に向かって変化させている。In the electrodes 11, 12, 13, and 14 shown in FIG. 5, the densities of the openings H3 and H4 are constant, but the diameters are different. That is, the opening H3 formed in the center portion
The diameter of the opening H4 formed in the outer edge portion is larger than the diameter of the opening H4. That is, electrode 1
The diameters of the openings H3, H4 formed in 1, 12, 13, 14 are changed from the center toward the outer edge.
【００１７】これら図４及び図５においては、面内でイ
オンビームの強度が均一になるように、電極１１、１
２、１３、１４に開口を形成している。In FIGS. 4 and 5, the electrodes 11 and 1 are arranged so that the intensity of the ion beam becomes uniform in the plane.
Openings are formed in 2, 13, and 14.
【００１８】なお、電極１１、１２、１３、１４には、
先に述べたように１０００個から３０００個の開口が形
成されているが、図３乃至図５においては、技術的に分
かりやすくするため模式的に現しており、開口の数及び
大きさは正確なものではない。The electrodes 11, 12, 13, and 14 have
As described above, 1,000 to 3,000 openings are formed. However, in FIGS. 3 to 5, the openings are schematically shown for technical simplicity, and the number and size of the openings are accurate. Not something.
【００１９】以上のように、本実施形態に係る平行平板
電極型のイオンドーピング装置によれば、液晶用表示基
板２２の大型化にあわせて、イオン源室１０を巨大化さ
せる必要をなくすことができる。すなわち、平面視にお
ける液晶用表示基板２２の面積よりも小さい面積を有す
るプラズマチャンバー１５を用いて、このプラズマチャ
ンバー１５内に生成したＢ2Ｈxイオンのプラズマを、加
速電極１１、引出電極１２、抑制電極１３及び接地電極
１４に形成された複数の開口から引き出してイオンビー
ムを生成し、このイオンビームを過収束させることで、
１０度以上の角度で発散させ、プラズマチャンバー１５
及び各電極１１、１２、１３、１４よりも大きな面積を
もつ液晶用表示基板２２の全面に、Ｂ2Ｈxイオンビーム
を照射することができる。このようにプラズマチャンバ
ー１５を小さくすることができるので、メンテナンスが
簡便になり、プラズマチャンバー１５内部のプラズマ状
態を安定に保つことができる。As described above, according to the parallel plate electrode type ion doping apparatus of this embodiment, it is not necessary to enlarge the ion source chamber 10 in accordance with the enlargement of the liquid crystal display substrate 22. it can. That is, using the plasma chamber 15 having an area smaller than the area of the liquid crystal display substrate 22 in a plan view, the plasma of B 2 Hx ions generated in the plasma chamber 15 is supplied to the acceleration electrode 11, the extraction electrode 12, By drawing out from a plurality of openings formed in the suppression electrode 13 and the ground electrode 14 to generate an ion beam and over-focusing the ion beam,
Spray at an angle of 10 degrees or more, and the plasma chamber 15
In addition, the entire surface of the liquid crystal display substrate 22 having an area larger than each of the electrodes 11, 12, 13, and 14 can be irradiated with the B 2 Hx ion beam. Since the size of the plasma chamber 15 can be reduced in this manner, maintenance is simplified, and the plasma state inside the plasma chamber 15 can be kept stable.
【００２０】しかも、図４及び図５からわかるように、
電極１１、１２、１３、１４の開口の径や密度を中心か
ら外縁に向かって変化させることとしたので、拡散する
イオンビームを液晶用表示基板２２の全面に均一な強度
で照射させることができる。Moreover, as can be seen from FIGS. 4 and 5,
Since the diameters and densities of the openings of the electrodes 11, 12, 13, and 14 are changed from the center to the outer edge, the entire surface of the liquid crystal display substrate 22 can be irradiated with a diffused ion beam with uniform intensity. .
【００２１】なお、本発明は上記実施形態に限定されず
種々に変形可能である。例えば、プラズマチャンバー１
５で発生させるプラズマは、Ｂ2Ｈxイオンプラズマに限
定されるものではなく、ＰＨ3イオンプラズマ等であっ
てもよい。また、イオンドーピングする対象の基板は、
液晶用表示基板２２に限るものではなく、半導体基板等
の基板であってもよい。さらに、図４に示す開口Ｈ２と
図５に示す開口Ｈ３、Ｈ４を組み合わせてもよい。すな
わち、電極１１、１２、１３、１４の中心部に形成され
る開口の径よりも外縁部に形成される開口の径の方を大
きくするとともに、中心部に形成される開口の密度より
も外縁部に形成される開口の密度の方を高くすることも
できる。また、図４及び図５では、開口の径や密度をス
テップ状に変化させたが、これを徐々に変化させるよう
にしてもよい。The present invention is not limited to the above embodiment, but can be variously modified. For example, plasma chamber 1
Plasma generated in 5 is not limited to the B 2 H x ion plasma, or may be a PH 3 ion plasma, and the like. The target substrate for ion doping is
The substrate is not limited to the liquid crystal display substrate 22, but may be a substrate such as a semiconductor substrate. Further, the opening H2 shown in FIG. 4 and the openings H3 and H4 shown in FIG. 5 may be combined. That is, the diameter of the opening formed at the outer edge is larger than the diameter of the opening formed at the center of the electrodes 11, 12, 13, and 14, and the outer edge is smaller than the density of the opening formed at the center. The density of the openings formed in the portion may be higher. Further, in FIGS. 4 and 5, the diameter and density of the opening are changed in steps, but may be changed gradually.
【００２２】[0022]
【発明の効果】本発明によれば、加速電極、引出電極、
抑制電極、及び、接地電極とに形成された複数の開口に
ついて、その径及び密度のうちの少なくとも一方は、形
成された位置によって異なるように構成したので、拡散
するイオンビームを基板の全面に均一な強度で照射する
ことができる。According to the present invention, an accelerating electrode, an extracting electrode,
Regarding the plurality of openings formed in the suppression electrode and the ground electrode, at least one of the diameter and the density is configured to be different depending on the formed position, so that the scattered ion beam is uniformly spread over the entire surface of the substrate. Irradiation can be performed at a high intensity.
【図１】本発明の一実施形態に係るイオンドーピング装
置の断面図。FIG. 1 is a sectional view of an ion doping apparatus according to one embodiment of the present invention.
【図２】引出電圧（絶対値）とイオンビーム拡散角との
関係をグラフで示す図。FIG. 2 is a graph showing a relationship between an extraction voltage (absolute value) and an ion beam diffusion angle.
【図３】加速電極、引出電極、抑制電極、及び、接地電
極に形成された開口を拡大して模式的に示す図（均一
径、均一密度）。FIG. 3 is an enlarged schematic view (uniform diameter, uniform density) of openings formed in an acceleration electrode, an extraction electrode, a suppression electrode, and a ground electrode.
【図４】加速電極、引出電極、抑制電極、及び、接地電
極に形成された開口を拡大して模式的に示す図（均一
径、密度変化）。FIG. 4 is an enlarged view schematically showing openings formed in an acceleration electrode, an extraction electrode, a suppression electrode, and a ground electrode (uniform diameter, density change).
【図５】加速電極、引出電極、抑制電極、及び、接地電
極に形成された開口を拡大して模式的に示す図（径変
化、均一密度）。FIG. 5 is an enlarged view schematically showing openings formed in an acceleration electrode, an extraction electrode, a suppression electrode, and a ground electrode (diameter change, uniform density).
１０ イオン源室 １１ 加速電極 １２ 引出電極 １３ 抑制電極 １４ 接地電極 １５ プラズマチャンバー ２０ 処理室 ２１ 基板ステージ ２２ 液晶用表示基板 ２３ ガス導入部 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Ion source room 11 Acceleration electrode 12 Extraction electrode 13 Suppression electrode 14 Ground electrode 15 Plasma chamber 20 Processing chamber 21 Substrate stage 22 Liquid crystal display substrate 23 Gas introduction part
Claims (4)
た処理室と、 前記処理室に近接して配置されプラズマを発生させるプ
ラズマ室と、 前記処理室とプラズマ室との間に配置され、前記ステー
ジと略平行に配置される平板電極と、を有するイオンド
ーピング装置において、 前記平板電極は複数の開口を有し、前記開口は前記平板
電極の中心部より外周部で開口面積の密度が大きいこと
を特徴とするイオンドーピング装置。1. A processing chamber in which a stage on which an object to be processed is disposed is disposed; a plasma chamber disposed adjacent to the processing chamber to generate plasma; and a plasma chamber disposed between the processing chamber and the plasma chamber. A plate electrode disposed substantially parallel to the stage, wherein the plate electrode has a plurality of openings, and the openings have a density of an opening area at an outer peripheral portion from a central portion of the plate electrode. An ion doping apparatus characterized by being large.
開口より外周部に形成された一つの開口の開口面積が大
きいことを特徴とする請求項１記載のイオンドーピング
装置。2. The ion doping apparatus according to claim 1, wherein an opening area of one opening formed at an outer peripheral portion is larger than one opening formed at a central portion of the plate electrode.
された開口数より外周部の前記所定面積内に形成された
開口数が多いことを特徴とする請求項１または２記載の
イオンドーピング装置。3. The ion according to claim 1, wherein a numerical aperture formed in said predetermined area at an outer peripheral portion is larger than a numerical aperture formed in a predetermined area at a central portion of said plate electrode. Doping equipment.
する請求項１記載のイオンドーピング装置。4. The ion doping apparatus according to claim 1, wherein said plate electrode has a circular shape.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10141034A JPH11329335A (en) | 1998-05-22 | 1998-05-22 | Ion doping device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10141034A JPH11329335A (en) | 1998-05-22 | 1998-05-22 | Ion doping device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11329335A true JPH11329335A (en) | 1999-11-30 |
Family
ID=15282697
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10141034A Pending JPH11329335A (en) | 1998-05-22 | 1998-05-22 | Ion doping device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11329335A (en) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008538252A (en) * | 2005-03-31 | 2008-10-16 | ヴィーコ インストゥルメンツ インコーポレイテッド | Method for controlling grid transmission and grid hole pattern to uniformize ion beam |
| JP2010541249A (en) * | 2007-09-28 | 2010-12-24 | ヴァリアン セミコンダクター イクイップメント アソシエイツ インコーポレイテッド | Charge neutralization in plasma processing equipment |
| US8374830B2 (en) | 2005-03-31 | 2013-02-12 | Veeco Instruments, Inc. | Grid transparency and grid hole pattern control for ion beam uniformity |
| JP2014102414A (en) * | 2012-11-21 | 2014-06-05 | Fuji Xerox Co Ltd | Charging device and image forming device |
-
1998
- 1998-05-22 JP JP10141034A patent/JPH11329335A/en active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008538252A (en) * | 2005-03-31 | 2008-10-16 | ヴィーコ インストゥルメンツ インコーポレイテッド | Method for controlling grid transmission and grid hole pattern to uniformize ion beam |
| JP4923040B2 (en) * | 2005-03-31 | 2012-04-25 | ヴィーコ インストゥルメンツ インコーポレイテッド | Method for controlling grid transmission and grid hole pattern to uniformize ion beam |
| US8374830B2 (en) | 2005-03-31 | 2013-02-12 | Veeco Instruments, Inc. | Grid transparency and grid hole pattern control for ion beam uniformity |
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