JPH1131715A - 電子部品電極材料および電子部品電極製造方法 - Google Patents
電子部品電極材料および電子部品電極製造方法Info
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Abstract
はんだ、または錫、銀およびビスマスを含む多成分系は
んだを用いるときに、はんだ付け性及び接合信頼性を向
上させる電子部品電極材料を提供し、さらにそのような
材料から電子部品電極を製造する方法を提供する。 【解決手段】 錫−ビスマス系合金または錫−銀系合金
を電子部品電極材料として用いる。
Description
及び電子部品電極の製造方法に関し、さらに詳しくは鉛
フリーはんだを接合材料として用いる場合に適した電子
部品電極用材料及び電子部品電極の製造方法に関する。
は、電子部品の小型化が進み、実装密度はますます高く
なっている。それに伴い、はんだ材料の高機能化が必要
となってきている。一方、PL法の施行に伴って、はん
だ付け接合部も高信頼性を求められるようになってき
た。また環境問題の立場から、従来の錫−鉛系合金はん
だに含まれる鉛が問題となってきている。それ故、その
ため、鉛を含むはんだに代替することができる鉛を含有
しないはんだ(鉛フリーはんだ)材料の開発が必要とな
っている。鉛フリーはんだ材料によるはんだ付けでは、
電子部品側の接合部分である電子部品電極の材料がはん
だ付け品質に大きく影響する。そこで、鉛フリーはんだ
接合材料に対応できる電子部品電極材料が求められてい
る。
明する。従来の電子部品電極材料は、接合材料であるは
んだの組成に合わせて、錫および鉛から構成された合金
からなっていた。しかし、鉛フリー接合材料(はんだ)
と従来の電子部品電極材料との組み合わせによるはんだ
付けでは、はんだ付け性およびはんだ付けの信頼性が、
必ずしも優れておらず、ビスマスを含む鉛フリー接合材
料と錫と鉛で構成された電子部品電極材料との組み合わ
せにおいて、この欠点が顕著に現れる。
んだを用いた電子部品電極材料のはんだ付けにおける上
記のような欠点を解消し、鉛フリーはんだによるはんだ
付け性を向上し、はんだ付け信頼性も向上することがで
きる電子部品電子材料を提供しようとするものである。
め、本発明は、接合材料として錫および銀からなる2成
分系はんだ、または錫、銀およびビスマスを含む多成分
系はんだを用いるときに使用される電子部品電極材料と
して、鉛を含まない合金材料、例えば、錫(Sn)−ビ
スマス(Bi)共晶合金またはこれに銀(Ag)銅(C
u)およびインジウム(In)からなる群から選択され
る少なくとも1種の金属を添加した合金、あるいはSn
−Ag共晶合金またはこれにBi、CuおよびInから
なる群から選択される少なくとも1種の金属を添加した
合金を用いる。
ような電子部品電極材料として、鉛を含まない合金を用
いる。この第1の形態の合金を用いると、はんだ付け性
およびはんだ付け信頼性を向上することができる。本発
明の第2の形態では、上記のような電子部品電極材料と
して、60重量%以下、好ましくは50〜60重量%、
より好ましくは57〜59重量%のBiと残部のSnか
らなる合金を用いる。この第2の形態の合金を用いる
と、はんだ付け性、特に接合材料(はんだ)と電子部品
電極との濡れ性を向上することができ、かつはんだ付け
信頼性を向上することができる。
下、好ましくは1.5〜3.5重量%の銀と残部の錫か
らなる合金を用いる。この第3の形態の合金を用いる
と、はんだ付け性およびはんだ付け信頼性、特に熱疲労
特性を向上することができる。
並びに銀、銅およびインジウムからなる群から選択され
る少なくとも1種の金属からなり、ビスマスの含有量は
58重量%以下、好ましくは3.0〜58重量%、より
好ましくは3.0〜10重量%であり、銀の場合は含有
量を2.0〜3.5重量%(好ましくは、3.0〜3.
5重量%)とし、銅の場合は含有量を0.1〜2.0重
量%(好ましくは、0.3〜0.7重量%)とし、イン
ジウムの場合は含有量を0.1〜5.0重量%(0.5
〜1.5重量%)とし、残部を錫とした合金を用いる。
この第4の形態の合金を用いると、はんだ付け性、特に
接合材料(はんだ)と電子部品電極との濡れ性および接
合強度を向上することができ、かつはんだ付け信頼性、
特に熱疲労特性を向上することができる。
ビスマス銅およびインジウムからなる群から選択される
少なくとも1種の金属からなり、銀の含有量は1.5〜
3.5重量%であり、ビスマスの場合は含有量を3.0
〜10.0重量%とし、銅の場合は含有量を0.1〜
2.0重量%とし、インジウムの場合は含有量を0.1
〜10.0重量%とし、残部を錫とした合金を用いる。
この第5の形態の合金を用いると、はんだ付け性、特に
接合強度を向上することができ、かつはんだ付け信頼
性、特に熱疲労特性を向上することができる。
ップはんだ付け工法により電極を形成することからな
る、本発明の上記第2または第3の形態の2成分系合金
材料から電子部品電極を製造する方法である。メッキに
よる電極形成方法では、電極品質を安定化することがで
き、また、はんだ付け品質を向上することもできる。ま
た、ディップはんだ付け工法では、上記2成分系合金
は、多元系合金に比べてはんだ組成管理が容易であり、
また、低コストに電極を形成することができる。
け工法により電極を形成することからなる、本発明の上
記第4または第5の形態の多成分系合金材料から電子部
品電極を製造する方法である。多成分系合金を用いてメ
ッキによる電極を形成のは困難であるが、ディップはん
だ付け工法によれば、容易に、かつ低コストで電極を形
成することができる。
る。まず、本発明において合金の組成を上述のように限
定した理由を説明する。 第2の形態のSn−Bi合金 ビスマスの含有量を60重量%以下とするのは、これを
超えると、ビスマスの硬く、脆い性質が顕著にあらわ
れ、はんだ付の信頼性を低下させたり、はんだ付時の濡
れ性を低下させる。ビスマスの含有量が60重量%以下
であれば、ビスマスの前述のようなはんだ付への影響は
小さい。
ると、融点が大幅に増加していくということや、Ag−
Snの針状結晶が必要以上に析出し、はんだ付性を劣化
させるためである。
In)合金 Sn−Biを基本組成とする合金へ添加する金属(A
g,Cu,In)の量を上述のように限定するのは、以
下の理由による。Cuは、機械的特性を改善するが、そ
の添加量が0.1重量%よりも少なければその効果は十
分ではない。また、2.0重量%を越えて添加すると脆
性が顕著に現れるので好ましくない。Inは、合金の基
材に対する濡れ性および合金の機械的特性を改善する
が、0.1重量%よりも少ない添加量ではその効果が現
れず、5.0重量%を越えて添加すると機械的強度が劣
化する。Agは、合金の機械特性を改善するが、その添
加量が0.1重量%よりも少なければその効果は十分で
はない。また、5.0重量%を越えると融点が急激に高
くなるので好ましくない。
In)合金 Sn−Agを基本組成とする合金へ添加する金属(Bi,
Cu,In)の量を上述のように限定するのは、以下の
理由による。Biは、合金の基材に対する濡れ性を改善
するが、その添加量が10重量%を越えるとSn−Ag
系合金の機械的特性が著しく劣化する。3.0重量%よ
りも少なければその効果はない。Cuは、合金の機械的
特性を改善させるが、その添加量が0.1重量%よりも
少なければその効果は十分ではない。また、2.0重量
%を越えて添加すると脆性が顕著に現れるので好ましく
ない。Inは、合金の基材に対する濡れ性および合金の
機械的特性を改善するが、0.1重量%よりも少ない添
加量ではその効果が現れず、10重量%を越えて添加す
ると機械的強度が劣化する。
説明する。以下の実施例中、特性は、以下のように測定
または評価した。濡れ性 濡れ性は、はんだ付け部分のフィレットの高さを測定す
ることにより評価した。信頼性 信頼性は、熱衝撃試験(1サイクル:−40℃/30分
〜常温/5分〜80℃/30分。1000サイクル)で
のクラックの発生数により評価した。接合強度 接合強度は、電子部品電極からのリードの剥離強度を測
定することにより評価した。
金を、ディップはんだ付け工法により、電子部品電極に
被覆し、電子部品電極を形成した。ディップはんだ付け
の条件は、はんだ槽内温度290℃、浸漬時間1秒であ
った。この電子部品電極に対して、接合材料としてSn
−Ag−Bi系はんだ(Sn:Ag:Bi(重量比)=9
0.5:3.5:6)を用い、はんだ付を行った。この時
の、はんだ濡れ性及び信頼性(熱衝撃試験特性)を評価
した。それぞれの結果を図1および図2に示す。なお、
図2、および以下の図4と図6に示すクラック発生数
は、接合数30個当たりのクラック発生数である。
b(重量比)=63:37)を用いた以外は実施例1と
同じ手順を繰り返した。結果を図1および図2に示す。
これらの結果から、電子部品電極材料としてSn−Bi系
合金を用いると、Sn−Pb系合金に比べて、濡れ性及
び信頼性が明らかに向上する。特に、信頼性の向上は顕
著である。
3.5重量%からなる2成分系合金(実施例2)、また
は比較例1と同じSn−Pb系合金(比較例2)を用い
た以外は実施例1と同じ手順を繰り返して接合を形成
し、接合強度および信頼性(熱衝撃試験特性)を評価し
た。それぞれの結果を図3および図4に示す。これらの
結果から、電子部品電極材料としてSn−Ag系合金を用
いると、Sn−Pb系合金に比べて、接合強度及び信頼
性が顕著に向上しているのが分かる。
5重量%、Cu0.5重量%、及びIn1.0重量%から
なる多成分系合金(実施例3)、または比較例1と同じ
Sn−Pb系合金(比較例3)を用いた以外は実施例1
と同じ手順を繰り返して接合を形成し、接合強度および
信頼性(熱衝撃試験特性)を評価した。それぞれの結果
を図5および図6に示す。これの結果から、電子部品電
極材料としてSn−Ag系合金を用いると、Sn−Pb系合
金に比べて、接合強度及び信頼性が明らかに向上する。
の被覆を、ディップはんだ付工法により行ったが、メッ
キによっても同様に実施することができる。さらに、以
上の説明では、電子部品電極材料について記述したが、
本発明の合金は、電子部品リードの表面被覆材料、及び
回路基板のランドの被覆材料としても使用することがで
きる。
量%およびBi58重量%からなる2成分系合金(実施
例1)と従来の合金材料との間で濡れ性を比較する図。
量%およびBi58重量%からなる2成分系合金(実施
例1)と従来の合金材料との間で信頼性を比較する図。
5重量%およびAg3.5重量%からなる2成分系合金
(実施例2)と従来の合金材料との間で接合強度を比較
する図。
5重量%およびAg3.5重量%からなる2成分系合金
(実施例2)と従来の合金材料との間で信頼性を比較す
る図。
5重量%、Ag3.5重量%にCu及びInを添加した多
成分系合金と従来の合金材料との間で接合強度を比較す
る図。
5重量%、Ag3.5重量%にCu及びInを添加した多
成分系合金と従来の合金材料との間で信頼性を比較する
図。
Claims (7)
- 【請求項1】 接合材料として錫および銀からなる2成
分系はんだ、または錫、銀およびビスマスを含む多成分
系はんだを用いるときに使用される電子部品電極材料で
あって、鉛を含まない合金からなることを特徴とする電
子部品電極材料。 - 【請求項2】 接合材料として錫および銀からなる2成
分系はんだ、または錫、銀およびビスマスを含む多成分
系はんだを用いるときに使用される電子部品電極材料で
あって、60重量%以下のビスマスと残部の錫からなる
合金からなることを特徴とする電子部品電極材料。 - 【請求項3】 接合材料として錫および銀からなる2成
分系はんだ、または錫、銀およびビスマスを含む多成分
系はんだを用いるときに使用される電子部品電極材料で
あって、3.5重量%以下の銀と残部の錫からなる合金
からなることを特徴とする電子部品電極材料。 - 【請求項4】 接合材料として錫および銀からなる2成
分系はんだ、または錫、銀およびビスマスを含む多成分
系はんだを用いるときに使用される電子部品電極材料で
あって、錫、ビスマス、並びに銀、銅およびインジウム
からなる群から選択される少なくとも1種の金属からな
り、ビスマスの含有量は58重量%以下であり、銀の場
合は含有量を2.0〜3.5重量%とし、銅の場合は含
有量を0.1〜2.0重量%とし、インジウムの場合は
含有量を0.1〜5.0重量%とし、残部を錫とした合
金からなることを特徴とする電子部品電極材料。 - 【請求項5】 接合材料として錫および銀からなる2成
分系はんだ、または錫、銀およびビスマスを含む多成分
系はんだを用いるときに使用される電子部品電極材料で
あって、錫、銀、並びにビスマス銅およびインジウムか
らなる群から選択される少なくとも1種の金属からな
り、銀の含有量は1.5〜3.5重量%であり、ビスマ
スの場合は含有量を3.0〜10.0重量%とし、銅の
場合は含有量を0.1〜2.0重量%とし、インジウム
の場合は含有量を0.1〜10.0重量%とし、残部を
錫とした合金からなることを特徴とする電子部品電極材
料。 - 【請求項6】 メッキまたはディップはんだ付け工法に
より電極を形成することを特徴とする請求項2または3
に記載の合金から電子部品電極を製造する方法。 - 【請求項7】 ディップはんだ付け工法により電極を形
成することを特徴とする請求項4または5に記載の合金
から電子部品電極を製造する方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18489197A JP3425332B2 (ja) | 1997-07-10 | 1997-07-10 | 電子部品電極材料および電子部品電極製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18489197A JP3425332B2 (ja) | 1997-07-10 | 1997-07-10 | 電子部品電極材料および電子部品電極製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH1131715A true JPH1131715A (ja) | 1999-02-02 |
JP3425332B2 JP3425332B2 (ja) | 2003-07-14 |
Family
ID=16161132
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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Country Status (1)
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