JPH11307603A - 異物検査方法および装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 効率よく異物のサイズ、性状を検査する。 【解決手段】 検査光照射装置２０でウエハ１を斜方照
明し、暗視野下の異物５における検査光２１の散乱光３
１を散乱光検出器３５で検出することにより、異物を検
査する異物検査装置１０において、検査光照射装置２０
の検査光２１の正反射位置には正反射光検出器４２が設
けられ、正反射光検出器４２の出力端子には異なるチッ
プの同一位置の出力信号同士を比較する比較部４３が接
続され、比較部４３には出力信号により異物のサイズを
判定するサイズ判定部４４が接続されている。 【効果】 異物検査装置により異物の座標位置の他に異
物のサイズや形状等を特定することで、作業者は製造プ
ロセスを的確かつ迅速に管理できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、異物検査装置、特
に、被検査面上の微小異物を高感度で検出する技術に関
し、例えば、半導体ウエハ（以下、ウエハという。）の
表面に付着した異物を検出して検査するのに利用して有
効な技術に関する。

【０００２】

【従来の技術】今日、半導体集積回路装置（以下、ＩＣ
という。）の高集積化および回路パターンの微細化が進
み、回路パターンの線幅は１μｍ程度またはそれ以下に
なっている。このようなＩＣを高歩留りで製造するため
には、ウエハの表面に付着した異物を検出して、そのサ
イズや形状および物性等を検査し、各種半導体製造装置
や工程の清浄度を定量的に把握し、製造プロセスを的確
に管理する必要がある。そこで、従来から、ＩＣの製造
工場においては、製造プロセスを的確に管理するため
に、ワークであるウエハについてウエハ異物検査装置に
よるウエハ異物検査方法が実施されている。

【０００３】従来のウエハ異物検査装置は、大別して２
つのカテゴリーに分けられる。第１は、垂直落射照明に
よる明視野中の画像と予め記憶された標準パターンとの
比較を行う画像比較方式のウエハ異物検査装置（以下、
外観検査装置という。）である。第２は、斜方照明によ
る暗視野における散乱光を検出して散乱光を検出した時
点の座標により異物の有無や異物の位置座標および個数
を認識する方式のウエハ異物検査装置（以下、異物検査
装置という。）である。

【０００４】なお、ウエハ異物検査装置を述べてある例
としては、株式会社日経ＢＰ社発行の「日経マイクロデ
バイセズ１９９７年３月号」Ｐ９７〜Ｐ１１６、があ
る。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】前記した外観検査装置
は、検査精度が高いという長所があるが、スループット
が低く高価格であるという短所がある。そして、外観検
査装置によれば画像データが得られるため、外観検査装
置は所謂レビュー（画像による確認ないし検証作業）を
実行することができる。しかし、外観検査装置は検査ウ
エハ枚数が少ない割に微小欠陥等のレビュー不必要情報
が多いため、致命欠陥補足率が低く、レビュー効率がき
わめて低いという問題点があることが本発明者によって
明らかにされた。

【０００６】前記した異物検査装置は、検査精度が外観
検査装置に比較すると低いという短所があるが、外観検
査装置に比較してスループットが高く、価格が低いとい
う長所がある。そして、異物検査装置から得られるデー
タはウエハ内の異物の位置座標と散乱光の強度であるた
め、異物検査装置では異物のサイズ（粒径）や形状に関
する情報を得ることができない。したがって、これらの
情報を得るためには、外観検査装置またはＳＥＭ（走査
形電子線顕微鏡）等の検査時間の長い解析系のウエハ異
物分析装置を使用しなければならない。

【０００７】本発明の目的は、効率よく異物のサイズお
よび形状を検査することができる異物検査技術を提供す
ることにある。

【０００８】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち代表的なものの概要を説明すれば、次の通り
である。

【００１０】すなわち、検査光照射装置によって被検査
物を斜方照明し、暗視野下の被検査物における検査光の
散乱光を散乱光検出器によって検出することにより、異
物を検査する異物検査方法において、前記散乱光照射装
置の検査光の正反射位置に正反射光検出器を設け、この
正反射光検出器の出力信号に基づいて少なくとも異物の
サイズを特定することを特徴とする。

【００１１】また、検査光照射装置によって被検査物を
斜方照明し、暗視野下の被検査物における検査光の散乱
光を散乱光検出器によって検出することにより、異物を
検査する異物検査方法において、前記散乱光を取り込ん
でフーリエスペクトル解析することにより、少なくとも
異物の性状を特定することを特徴とする。

【００１２】前記した第１の手段によれば、少なくとも
異物のサイズを認識することができるため、異物のレビ
ューを効率よく実行することができる。

【００１３】前記した第２の手段によれば、少なくとも
異物の性状を認識することができるため、異物の分析を
効率よく実行することができる。

【００１４】

【発明の実施の形態】図１は本発明の一実施形態である
異物検査装置を示す斜視図である。図２は同じく異物検
査方法を示すフロー図である。図３以降はその作用を説
明するための説明図である。

【００１５】本実施形態において、本発明に係る異物検
査装置は、被検査物であるウエハに斜方照明による暗視
野下における散乱光を検出して散乱光を検出した時点の
座標により異物の有無や位置座標および個数を認識する
方式の異物検査装置１０として構成されている。被検査
物であるウエハ１は第１主面２にＩＣの一例であるＤＲ
ＡＭをチップ部４毎に作り込まれる過程にあり、チップ
部４はウエハ１に切設されたオリエンテーション・フラ
ット（以下、オリフラという。）３に対して縦横に規則
正しく配列されている。ウエハ１の第１主面２に異物５
が付着していると、不良の原因になるため、ウエハ１の
第１主面２に付着した異物５を異物検査装置１０によっ
て検出し、検出した異物の位置や個数、サイズ、形状、
色、性状を検査し、各種半導体製造装置や工程の清浄度
を定量的に把握し、製造プロセスを的確に管理すること
が実施される。本実施形態においては、異物の位置およ
び個数と、サイズおよび形状が検査されるようになって
いる。

【００１６】異物検査装置１０はステージ装置１１を備
えており、このステージ装置１１は被検査物としてのウ
エハ１を走査させるためのＸＹテーブル１２と、θ方向
に回転させるθテーブル１３と、自動焦点合わせ機構
（図示せず）と、これらを制御するコントローラ１４と
を備えている。そして、ウエハ１の表面全体を検査する
ために、ステージ装置１１によってウエハ１のＸ・Ｙ走
査が実行される。この走査中、コントローラ１４からは
被検査物としてのウエハ１についての座標位置情報が後
記する異物判定装置へ逐次入力されるようになってい
る。

【００１７】ステージ装置１１の斜め上方には検査光照
射装置２０が設備されている。検査光照射装置２０はウ
エハ１に検査光としてのレーザ光２１を照射するレーザ
光照射装置２２と、レーザ光２１を集光する集光レンズ
２３とを備えており、集光したレーザ光２１をステージ
装置１１上に保持された被検査物としてのウエハ１に低
角度で照射することにより、ウエハ１を斜方照明するよ
うになっている。

【００１８】ステージ装置１１の真上には散乱光検出装
置３０が設備されている。この散乱光検出装置３０は、
レーザ光２１がウエハ１の表面に斜めに照射されるのに
伴ってウエハ１の表面において乱反射された散乱光３１
を集光する対物レンズ３２と、対物レンズ３２で集光さ
れた散乱光３１を散乱光検出器３５の受光面に結像させ
るリレーレンズ３３と、散乱光３１の所定成分だけを透
過させる空間フィルタ３４と、散乱光３１を検出する散
乱光検出器３５とを備えている。すなわち、散乱光検出
装置３０は暗視野下における散乱光３１を検出するよう
に構成されている。本実施形態において、散乱光検出器
３５は固体撮像光電変換素子が細長く配列されたライン
センサによって構成されており、ステージ移動方向に直
交するＹ方向に長くなるように配置されている。

【００１９】散乱光検出器３５には異物判定装置３６が
接続されており、この異物判定装置３６は散乱光検出器
３５からの散乱光の検出時点に基づいてウエハ１の異物
の有無を判定するとともに、この判定したデータと、ス
テージ装置１１のコントローラ１４からの座標位置デー
タと照合することにより、異物の座標位置を特定するよ
うに構成されている。散乱光検出器３５は散乱光強度も
異物判定装置３６に送信するようになっている。

【００２０】ステージ装置１１の上方におけるレーザ光
照射装置２２の正反射位置には異物サイズ特定装置４０
が設備されており、異物サイズ特定装置４０は正反射光
４１を検出する正反射光検出器４２を備えている。正反
射光検出器４２は固体撮像光電変換素子が細長く配列さ
れたラインセンサによって構成されており、ステージ移
動方向であるＸ方向に長くなるように配置されている。
正反射光検出器４２の出力端子には比較部４３の一入力
端子が接続されており、比較部４３の出力端子には異物
サイズ判定部４４の入力端子が接続されている。異物サ
イズ判定部４４の出力端子には検証部４５の一入力端子
が接続されており、検証部４５の一出力端子には分類部
４６が接続されている。比較部４３の他の入力端子およ
び検証部４５の他の入力端子には異物判定装置３６が接
続されており、異物判定装置３６は異物検査装置１０を
統括するホストコンピュータ３７、比較部４３および検
証部４５に判定結果を送信するようになっている。

【００２１】次に、前記構成に係る異物検査装置１０に
よる本発明の一実施形態である異物検査方法を図２につ
いて説明する。

【００２２】ウエハ１上に検査光照射装置２０により検
査光としてのレーザ光２１が低傾斜角度で照射される
と、このレーザ光２１の照射により、ウエハ１の第１主
面２に付着した異物５および回路パターンから暗視野下
の散乱光３１が発生する（図３参照）。この散乱光３１
は対物レンズ３２によって集光されるとともに、リレー
レンズ３３を通して散乱光検出器３５上に結像される。

【００２３】このとき、回路パターンからの散乱光３１
は規則性があるため、空間フィルタ３４により回路パタ
ーンからの散乱光３１は遮光することができる。他方、
異物５からの散乱光３１は不規則性であるため、空間フ
ィルタ３４を通過して散乱光検出器３５上に結像される
ことになる。したがって、異物５のみを検出することが
できる。

【００２４】そして、散乱光検出器３５によって検出さ
れた異物５からの暗視野下の散乱光３１による検出信号
は、異物判定装置３６に入力される。異物判定装置３６
はこの検出信号に基づいて異物５の有無を判定するとと
もに、この判定データと、ステージ装置１１のコントロ
ーラ１４からの座標位置データとを照合することによ
り、異物５の座標位置を特定する。このようにして特定
された異物５の座標位置は異物判定装置３６から、例え
ば、異物検査装置１０を統括的に実行するホストコンピ
ュータ３７に出力されるとともに、異物サイズ特定装置
４０のサイズ判定部４４に送信される。ちなみに、異物
判定装置３６は少なくとも一チップ分のデーを一時的に
記憶しておく。

【００２５】ところで、レーザ光２１が異物５に照射し
て散乱光３１が図３（ａ）に示されているように発生す
ると、正反射光検出器４２への正反射光４１の入射光が
無くなるか減少するため、正反射光検出器４２の出力信
号は図３（ｂ）に示されているように不規則に変化す
る。ちなみに、図３（ｃ）に示されているように、ウエ
ハ１の上に異物が無い場合にはレーザ光２１は回路パタ
ーン６によって正反射されるため、正反射光検出器４２
の出力信号は図３（ｄ）に示されているように規則性を
維持する状態になる。

【００２６】ステージ装置１１の走査によるウエハ１の
Ｘ方向への移動に伴って、正反射光検出器４２にはレー
ザ光２１のウエハ１からの正反射光４１が連続して入射
するため、正反射光検出器４２は検出信号を比較部４３
に連続して出力する。通常時、正反射光検出器４２は図
３（ｄ）に示されている規則的な検出信号を比較部４３
に出力している。しかし、レーザ光２１が異物５に照射
して散乱光３１が発生すると、正反射光検出器４２の出
力信号は図３（ｂ）に示されているように不規則に変化
する。

【００２７】そして、異物判定装置３６から異物５の検
出信号が比較部４３に送られて来ると、比較部４３は当
該検出信号の送信時点における正反射光検出器４２の出
力信号と、異物５の座標位置から一チップの間隔分だけ
離れた位置の正反射光検出器４２からの出力信号同士と
を比較する。すなわち、比較部４３は図３（ｂ）に示さ
れた異物５を含む出力信号４２ｂを異物判定装置３６か
らの検出信号によって一チップ分だけ遅延させ、当該出
力信号４２ｂと、図３（ｄ）に示された一チップの間隔
分だけ離れた位置の正反射光検出器４２からの異物５を
含まない出力信号４２ｄとを、図３（ｅ）に示されてい
るように減算して比較する。

【００２８】図３（ｅ）において、変化成分信号４３ｅ
は異物５のＸ方向のサイズに相当する。そして、横軸の
時間ｔはステージ装置１１のＸ方向の走査速度に比例す
るため、異物５のサイズは変化成分信号４３ｅの時間を
測定することによって判定することができる。ちなみ
に、比較部４３は少なくとも一チップ分の出力信号を一
時的に記憶しておく。したがって、比較部４３は異物５
のＸ方向のサイズだけでなく、Ｙ方向のサイズも測定す
ることができる。

【００２９】そして、比較部４３は変化成分信号４３ｅ
を異物サイズ判定部４４に送信する。異物サイズ判定部
４４は変化成分信号４３ｅの時間を測定することによ
り、異物５のサイズを判定する。異物サイズ判定部４４
は判定した異物５のサイズを検証部４５に送信する。

【００３０】異物判定装置３６から送信された異物５の
座標位置について異物サイズ判定部４４からサイズを判
定した信号が送信されて来た場合には、検証部４５は異
物判定装置３６の異物有りの判定は適正であることを検
証する。これに反して、異物判定装置３６から送信され
た異物５の座標位置について異物サイズ判定部４４から
当該信号が送信されて来なかった場合には、検証部４５
は異物判定装置３６の異物有りの判定は誤りであると認
定する。誤判定であると認定した場合には、検証部４５
はその旨をホストコンピュータ３７に送信する。

【００３１】検証が済んだ異物５のサイズは分類部４６
に転送される。分類部４６は予め設定されたアルゴリズ
ムによって異物５のサイズおよび形状を分類する。例え
ば、図４（ａ）に示されているように、異物の縦ａおよ
び横ｂの寸法が特定される。異物５の縦ａと横ｂとの積
（ａ×ｂ）によって、異物５の面積が図４（ｂ）に示さ
れているように特定される。異物５の縦ａと横ｂとの商
（ａ／ｂ）によって、異物５の形状が特定される。例え
ば、ａ／ｂ＝１である場合には、異物５は図４（ｃ）に
示されているように円形であると、特定される。ａ／ｂ
＞１またはａ／ｂ＜１である場合には、異物５は図４
（ｄ）に示されているように細長い形状であると、特定
される。

【００３２】以上のようにして分類された異物５の分類
結果は分類部４６からホストコンピュータ３７に送信さ
れる。ホストコンピュータ３７は分類部４６からの分類
データおよび異物判定装置３６からの異物５の座標位置
データや個数データを使用することにより、図５に示さ
れている各種分析資料を適宜に作成し、モニタやプリン
タ等の出力装置によって適時に出力する。作業者は出力
された各種分析資料によって、ＩＣの製造プロセスを的
確かつ迅速に管理することができる。

【００３３】図５（ａ）は異物サイズ別マップであり、
異物サイズデータと異物の座標位置データとによって作
成される。図５（ｂ）は異物サイズ別ヒストグラムであ
り、横軸には区間分けした変数として異物サイズが取ら
れ、縦軸には各異物サイズに属する測定値の回数として
検出個数が取られている。

【００３４】図５（ｃ）は異物形状別マップであり、異
物形状データと異物の座標位置データとによって作成さ
れる。図５（ｄ）は異物形状別ヒストグラムであり、横
軸には区間分けした変数として異物形状が取られ、縦軸
には各異物形状に属する測定値の回数として検出個数が
取られている。

【００３５】図５（ｅ）は検査結果時系列推移グラフで
あり、検査日、異物サイズデータ、異物形状データ（例
えば、細長）および異物性状の一例である有機物データ
によって作成される。なお、時系列に限らず、ロット番
号やウエハ番号等を使用してもよい。

【００３６】前記実施形態によれば次の効果が得られ
る。

【００３７】 異物検査装置によって座標位置が特定
された異物の異物のサイズや形状を正反射光を使用して
特定することにより、作業者はＩＣの製造プロセスを的
確かつ迅速に管理することができるため、ＩＣの製造歩
留りを高めることができる。

【００３８】 正反射光検出器からの正反射光検出信
号による異物のサイズを特定するに際して、異なる位置
のチップ同士の同一位置についての正反射光検出信号同
士を比較することにより、正反射光検出信号に含まれる
ノイズを相殺することができるため、異物のサイズの特
定を正確に実行することができる。

【００３９】 散乱光検出器に基づく異物判定部の判
定を異物サイズ特定装置によって検証することにより、
異物検査装置における検査精度を高めることができるた
め、前記およびとあいまって、異物検査装置の品質
および信頼性を高めることができる。

【００４０】 検査時間の長い外観検査装置やきわめ
て高価な異物分析装置を使用することなく、異物の座標
位置の他に異物のサイズや形状を特定することができる
ため、単位面積当たり（ウエハ一枚当たり）の検査時間
およびレビュー時間を大幅に短縮することができる。そ
の結果、ロット全数検査を実現することができるととも
に、作業者はＩＣの製造プロセスを的確かつ迅速に管理
することができる。

【００４１】図６は本発明の実施形態２である異物検査
装置を示す斜視図である。図７は同じく異物検査方法を
示すフロー図である。

【００４２】本実施形態２に係る異物検査装置１０Ａが
前記実施形態１に係る異物検査装置１０と異なる点は、
異物の性状を特定し得るように構成されている点にあ
る。すなわち、ステージ装置１１の上方における散乱光
検出装置３０の途中には異物性状特定装置５０が設備さ
れている。異物性状特定装置５０は散乱光検出装置３０
の散乱光３１の一部を光学的に導出するためのハーフミ
ラー５１と、ハーフミラー５１の光学的後方に設置され
散乱光３１を取り込んで散乱光３１に対してフーリエス
ペクトル解析処理することにより異物５の性状を判定す
る異物性状判定部５２とを備えている。異物性状判定部
５２の他の入力端子には異物判定装置３６が接続されて
いる。

【００４３】次に、前記構成に係る異物検査装置１０Ａ
による本発明の一実施形態である異物検査方法を図２に
ついて説明する。

【００４４】ここで、異物５から散乱した散乱光３１の
フーリエスペクトルは異物５の性状によってそれぞれ異
なり、フーリエスペクトルを解析することにより、異物
５の性状の判定が可能なことが知られている。そこで、
異物判定装置３６から異物５の検出信号が異物性状判定
部５２に送られて来ると、異物性状判定部５２はハーフ
ミラー５１を介して取り込んだ散乱光３１についてのフ
ーリエスペクトル解析を実行することにより、異物５の
性状を判定する。異物性状判定部５２は判定した結果を
ホストコンピュータ３７に送信する。

【００４５】以上説明した本実施形態によれば、異物検
査装置によって座標位置が特定された異物の異物の性状
をフーリエスペクトル解析を使用して特定することがで
きるため、作業者はＩＣの製造プロセスを的確かつ迅速
に管理することができ、ＩＣの製造歩留りを高めること
ができる。

【００４６】図８は本発明の実施形態３である異物検査
装置を示す斜視図である。

【００４７】本実施形態は前記実施形態１と前記実施形
態２とを併用したものであり、異物サイズ特定装置４０
と異物性状特定装置５０とが搭載されている。本実施形
態に係る異物検査方法の作用および効果は前記実施形態
１および２と同様であるので、詳細な説明は前記実施形
態に譲る。

【００４８】以上本発明者によってなされた発明を実施
形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施形
態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範
囲で種々変更可能であることはいうまでもない。

【００４９】例えば、暗視野下の散乱光検出による異物
位置の特定は、遮光素子によって実行するように構成す
るに限らず、繰り返しパターンにおける同一位置の検出
データを比較することによって実行するように構成して
もよい。その場合、比較用のデータは隣接するチップの
検出データであってもよいし、予め記憶された設計パタ
ーンデータや標準パターンデータであってもよい。

【００５０】撮像装置としては、ラインセンサを使用し
た例ではラインセンサに限らず、エリアセンサや撮像管
等を使用することができる。

【００５１】以上の説明では主として本発明者によって
なされた発明をその背景となった利用分野であるウエハ
の異物検査技術に適用した場合について説明したが、そ
れに限定されるものではなく、ホトマスクや液晶パネル
等の板状物における異物検査技術全般に適用することが
できる。

【００５２】

【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、次
の通りである。

【００５３】異物検査装置によって異物の座標位置の他
に異物のサイズや形状および性状を特定することによ
り、作業者は製造プロセスを的確かつ迅速に管理するこ
とができるため、製造歩留りを高めることができる。

【００５４】検査時間の長い外観検査装置や異物分析装
置を使用することなく、異物の座標位置の他に異物のサ
イズや形状および性状を特定することができるため、単
位面積当たり（ウエハ一枚当たり）の検査時間およびレ
ビュー時間を大幅に短縮することができる。その結果、
ロット全数検査を実現することができるとともに、作業
者は製造プロセスを的確かつ迅速に管理することができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施形態である異物検査装置を示す
斜視図である。

【図２】同じく異物検査方法を示すフロー図である。

【図３】異物サイズの特定作用を示しており、（ａ）は
異物の散乱光を示す説明図、（ｂ）は散乱光発生時の正
反射光検出器の出力信号を示す波形図、（ｃ）は正反射
光を示す説明図、（ｄ）は正反射光発生時の正反射光検
出器の出力信号を示す波形図、（ｅ）は比較部の出力信
号を示す波形図である。

【図４】分類作用を示す各説明図であり、（ａ）は異物
の縦横寸法の特定作用、（ｂ）は異物サイズの特定作
用、（ｃ）は円形の異物の特定作用、（ｄ）は細長い異
物の特定作用をそれぞれ示している。

【図５】各種分析資料を示す各説明図であり、（ａ）は
異物サイズ別マップ、（ｂ）は異物サイズ別ヒストグラ
ム、（ｃ）は異物形状別マップ、（ｄ）は異物形状別ヒ
ストグラム、（ｅ）は検査結果時系列推移グラフであ
る。

【図６】本発明の実施形態２である異物検査装置を示す
斜視図である。

【図７】同じく異物検査方法を示すフロー図である。

【図８】本発明の実施形態３である異物検査装置を示す
斜視図である。

【符号の説明】

１…ウエハ（被検査物）、２…第１主面、３…オリフ
ラ、４…チップ部、５…異物、６…回路パターン、１
０、１０Ａ、１０Ｂ…異物検査装置、１１…ステージ装
置、１２…ＸＹテーブル、１３…θテーブル、１４…コ
ントローラ、２０…検査光照射装置、２１…レーザ光
（検査光）、２２…レーザ光照射装置、２３…集光レン
ズ、３０…散乱光検出装置、３１…散乱光、３２…対物
レンズ、３３…リレーレンズ、３４…空間フィルタ、３
５…散乱光検出器、３６…異物判定装置、３７…ホスト
コンピュータ、４０…異物サイズ特定装置、４１…正反
射光、４２…正反射光検出器、４２ｂ、４２ｄ…出力信
号、４３…比較部、４３ｅ…変化成分信号、４４…異物
サイズ判定部、４５…検証部、４６…分類部、５０…異
物性状特定装置、５１…ハーフミラー、５２…異物性状
判定部。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 井古田 まさみ 東京都青梅市新町六丁目16番地の３ 株式 会社日立製作所デバイス開発センタ内 (72)発明者 井上 裕子 東京都渋谷区東３丁目16番３号 日立電子 エンジニアリング株式会社内 (72)発明者 渡邊 哲也 東京都渋谷区東３丁目16番３号 日立電子 エンジニアリング株式会社内

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 検査光照射装置によって被検査物を斜方
   照明し、暗視野下の被検査物における検査光の散乱光を
   散乱光検出器によって検出することにより、異物を検査
   する異物検査方法において、 前記散乱光照射装置の検査光の正反射位置に正反射光検
   出器を設け、この正反射光検出器の出力信号に基づいて
   少なくとも異物のサイズを特定することを特徴とする異
   物検査方法。
2. 【請求項２】 前記正反射光検出器の出力信号に基づい
   て少なくとも異物のサイズを特定するに際して、異なる
   チップの同一位置の前記出力信号同士を比較することを
   特徴とする請求項１に記載の異物検査方法。
3. 【請求項３】 前記正反射光検出器の出力信号に基づい
   て特定された異物のサイズ信号の有無により、前記散乱
   光検出器の検出に基づく異物の座標位置の特定に対する
   適否を検証することを特徴とする請求項１または２に記
   載の異物検査方法。
4. 【請求項４】 検査光照射装置によって被検査物を斜方
   照明し、暗視野下の被検査物における検査光の散乱光を
   散乱光検出器によって検出することにより、異物を検査
   する異物検査装置において、 前記散乱光照射装置の検査光の正反射位置に正反射光検
   出器が設けられ、この正反射光検出器の出力信号に基づ
   いて少なくとも異物のサイズを特定するように構成され
   ていることを特徴とする異物検査装置。
5. 【請求項５】 前記正反射光検出器の出力信号に基づい
   て少なくとも異物のサイズを特定するに際して、異なる
   チップの同一位置の前記出力信号同士が比較されること
   を特徴とする請求項４に記載の異物検査装置。
6. 【請求項６】 前記正反射光検出器の出力信号に基づい
   て特定された異物のサイズ信号の有無により、前記散乱
   光検出器の検出に基づく異物の座標位置の特定に対する
   適否を検証するように構成されていることを特徴とする
   請求項４または５に記載の異物検査装置。
7. 【請求項７】 検査光照射装置によって被検査物を斜方
   照明し、暗視野下の被検査物における検査光の散乱光を
   散乱光検出器によって検出することにより、異物を検査
   する異物検査方法において、 前記散乱光を取り込んでフーリエスペクトル解析するこ
   とにより、少なくとも異物の性状を特定することを特徴
   とする異物検査方法。
8. 【請求項８】 検査光照射装置によって被検査物を斜方
   照明し、暗視野下の被検査物における検査光の散乱光を
   散乱光検出器によって検出することにより、異物を検査
   する異物検査装置において、 前記散乱光を取り込んでフーリエスペクトル解析するこ
   とによって少なくとも異物の性状を特定するフーリエス
   ペクトル解析装置を備えていることを特徴とする異物検
   査装置。
9. 【請求項９】 前記散乱光が前記散乱光検出器の光軸に
   設置されたハーフミラーによって前記フーリエスペクト
   ル解析装置に取り込まれることを特徴とする請求項８に
   記載の異物検査装置。
10. 【請求項１０】 請求項８に記載の異物検査装置におい
    て、前記散乱光照射装置の検査光の正反射位置に正反射
    光検出器が設けられ、この正反射光検出器の出力信号に
    基づいて少なくとも異物のサイズを特定するように構成
    されていることを特徴とする異物検査装置。