JPH11307594A - 電子部品実装用フィルムキャリアテープおよび半導体素子 - Google Patents
電子部品実装用フィルムキャリアテープおよび半導体素子Info
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- JPH11307594A JPH11307594A JP10113515A JP11351598A JPH11307594A JP H11307594 A JPH11307594 A JP H11307594A JP 10113515 A JP10113515 A JP 10113515A JP 11351598 A JP11351598 A JP 11351598A JP H11307594 A JPH11307594 A JP H11307594A
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- slit
- insulating film
- film
- bump electrode
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/50—Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto
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- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【解決手段】本発明の電子部品実装用フィルムキャリア
テープは、絶縁フィルムに接着剤層を介して導体箔を貼
着し、該導体箔をエッチングして所望の配線パターンを
形成したフィルムキャリアテープであって、該フィルム
キャリアテープに実装されるデバイスのバンプ電極に略
対応する位置の絶縁フィルムに、該絶縁フィルムをパン
チングすることにより形成され、バンプ電極と接触する
配線パターンを差し渡して開口する少なくとも１条のス
リットが形成されていることを特徴としている。このテ
ープには、上面および／または下面からデバイスを搭載
することができる。 【効果】本発明によれば、導体箔が薄くなってもインナ
ーリードが曲がることなく確実にデバイスを実装するこ
とができる。
テープは、絶縁フィルムに接着剤層を介して導体箔を貼
着し、該導体箔をエッチングして所望の配線パターンを
形成したフィルムキャリアテープであって、該フィルム
キャリアテープに実装されるデバイスのバンプ電極に略
対応する位置の絶縁フィルムに、該絶縁フィルムをパン
チングすることにより形成され、バンプ電極と接触する
配線パターンを差し渡して開口する少なくとも１条のス
リットが形成されていることを特徴としている。このテ
ープには、上面および／または下面からデバイスを搭載
することができる。 【効果】本発明によれば、導体箔が薄くなってもインナ
ーリードが曲がることなく確実にデバイスを実装するこ
とができる。
Description
【０００１】
【発明の技術分野】本発明はＩＣあるいはＬＳＩなどの
電子部品実装用フィルムキャリアテープ（ＴＡＢ(Tape
Automated Bonding)テープ）およびこのキャリアテープ
を用いた半導体素子に関する。さらに詳しくは本発明
は、いわゆるデバイスホールがなく、デバイスとの接触
部であるインナーリードが補強された電子部品実装用フ
ィルムキャリアテープおよびこれをこのテープにデバイ
スが実装された半導体素子に関する。
電子部品実装用フィルムキャリアテープ（ＴＡＢ(Tape
Automated Bonding)テープ）およびこのキャリアテープ
を用いた半導体素子に関する。さらに詳しくは本発明
は、いわゆるデバイスホールがなく、デバイスとの接触
部であるインナーリードが補強された電子部品実装用フ
ィルムキャリアテープおよびこれをこのテープにデバイ
スが実装された半導体素子に関する。
【０００２】
【発明の技術的背景】近年ノートパソコンなどの電子機
器がますます小型化、軽量化している。また、半導体Ｉ
Ｃの配線もさらに微細化している。ＩＣあるいはＬＳＩ
をプリント配線板に搭載するため、または、液晶ディス
プレイ装置の駆動ＩＣを液晶基板に接続するため等に使
用されるフィルムキャリアテープに形成される配線パタ
ーンについてもファインピッチ化の要請が高い。
器がますます小型化、軽量化している。また、半導体Ｉ
Ｃの配線もさらに微細化している。ＩＣあるいはＬＳＩ
をプリント配線板に搭載するため、または、液晶ディス
プレイ装置の駆動ＩＣを液晶基板に接続するため等に使
用されるフィルムキャリアテープに形成される配線パタ
ーンについてもファインピッチ化の要請が高い。
【０００３】従来、上記のようなデバイスは、図５−
（Ａ）に示すように、基板に搭載されるデバイスよりも
大きいデバイスホールを形成し、このデバイスホールの
縁部からデバイスホールの内側に向かって導体箔を多数
のインナーリードを延出し、このインナーリードにデバ
イスに形成されたバンプ電極を接合することにより装着
される。このデバイスホール付近の拡大図を図５−
（Ｂ）に示すと共に、図５−（Ｃ）に、図５−（Ａ）の
Ｘ−Ｘ断面図を示す。このように基板がデバイスホール
を有する場合、基板のいずれの側、すなわち、電子部品
実装用フィルムキャリアテープに導体箔からなる配線パ
ターンが形成されている面（便宜上、「表面」と記載す
ることもある）あるいはこうした配線パターンが形成さ
れていない面（便宜上「裏面」と記載することもある）
のいずれの側からもデバイスを搭載することが可能であ
る。
（Ａ）に示すように、基板に搭載されるデバイスよりも
大きいデバイスホールを形成し、このデバイスホールの
縁部からデバイスホールの内側に向かって導体箔を多数
のインナーリードを延出し、このインナーリードにデバ
イスに形成されたバンプ電極を接合することにより装着
される。このデバイスホール付近の拡大図を図５−
（Ｂ）に示すと共に、図５−（Ｃ）に、図５−（Ａ）の
Ｘ−Ｘ断面図を示す。このように基板がデバイスホール
を有する場合、基板のいずれの側、すなわち、電子部品
実装用フィルムキャリアテープに導体箔からなる配線パ
ターンが形成されている面（便宜上、「表面」と記載す
ることもある）あるいはこうした配線パターンが形成さ
れていない面（便宜上「裏面」と記載することもある）
のいずれの側からもデバイスを搭載することが可能であ
る。
【０００４】しかしながら、デバイスホール内に延出さ
れたインナーリードは、インナーリードの一方の端部
は、フィルムに固定されているが、他方の端部は、デバ
イスホール内に延出されているのみであり、他方の端部
は何ら支持されていない。このためにフィルムキャリア
テープの製造時あるいはデバイスを搭載する際などの製
造時にわずかな外力が加わってもこのインナーリードが
変形することがあり、こうしたインナーリードのわずか
な変形に因ってもデバイスのバンプ電極と良好な接合が
行えないことがある。
れたインナーリードは、インナーリードの一方の端部
は、フィルムに固定されているが、他方の端部は、デバ
イスホール内に延出されているのみであり、他方の端部
は何ら支持されていない。このためにフィルムキャリア
テープの製造時あるいはデバイスを搭載する際などの製
造時にわずかな外力が加わってもこのインナーリードが
変形することがあり、こうしたインナーリードのわずか
な変形に因ってもデバイスのバンプ電極と良好な接合が
行えないことがある。
【０００５】従来はインナーリードのピッチは１００μ
m以上でありこうしたピッチの広いインナーリードで
は、多少の外力によってもインナーリードが変形するこ
とは少なく、上記のような接合不良といった問題は起こ
りにくかったが、昨今では、インナーリードのピッチは
４０〜６０μmと非常に狭くなる傾向があり、このよう
なインナーリードのファインピッチ化に対応するため
に、例えば導体として使用される銅箔の厚さも以前より
も薄くなってきている。殊に、ファインピッチ化に伴
い、従来は厚さ３２μmの銅箔が一般には使用されてい
るが、昨今では、厚さ１８μmの銅箔が主流になりつつ
あり、さらに１８μmよりも薄い銅箔、例えば１０μm以
下の銅箔を使用することも検討されつつある。
m以上でありこうしたピッチの広いインナーリードで
は、多少の外力によってもインナーリードが変形するこ
とは少なく、上記のような接合不良といった問題は起こ
りにくかったが、昨今では、インナーリードのピッチは
４０〜６０μmと非常に狭くなる傾向があり、このよう
なインナーリードのファインピッチ化に対応するため
に、例えば導体として使用される銅箔の厚さも以前より
も薄くなってきている。殊に、ファインピッチ化に伴
い、従来は厚さ３２μmの銅箔が一般には使用されてい
るが、昨今では、厚さ１８μmの銅箔が主流になりつつ
あり、さらに１８μmよりも薄い銅箔、例えば１０μm以
下の銅箔を使用することも検討されつつある。
【０００６】このように導体として使用される銅箔に関
してみても、以前よりもより薄い金属箔が使用されるよ
うになってきており、当然にインナーリードの強度は低
くなっている。
してみても、以前よりもより薄い金属箔が使用されるよ
うになってきており、当然にインナーリードの強度は低
くなっている。
【０００７】このため従来から採用されているデバイス
ホールを設けこの縁部から内側にインナーリードを延出
したのでは、インナーリードに充分な強度が発現せず、
製造工程における歩留まりが著しく低下する。
ホールを設けこの縁部から内側にインナーリードを延出
したのでは、インナーリードに充分な強度が発現せず、
製造工程における歩留まりが著しく低下する。
【０００８】こうした問題を解決するために、特開平８
−８０３４号公報では、テープ状の絶縁フィルムに箔状
の導体を接着剤を用いて貼り付けたテープキャリアにお
いて、前記の導体に補強膜を付着させてなるキャリアテ
ープの発明が開示されている。しかしながら、このキャ
リアテープでは、絶縁フィルムにパンチングによりデバ
イス孔を形成し、このデバイス孔内方向に延出されるイ
ンナーリードを補強するために、デバイス孔に導体フィ
ルムとは別の補強膜を貼着している。従って、この公報
に開示されているキャリアテープを製造するには、従来
の方法と比較して補強膜を別途貼着する工程を設ける必
要があり、その製造工程が煩雑になるとの問題がある。
また、同様に、特開平２−２２０３０６号公報には、デ
バイスホール、スプロケットホール等の所望のホールが
形成されたベースフィルムに、電気絶縁性を有する薄フ
ィルムを介して導体パターン形成用の銅箔などの導体部
が接合されたＴＡＢ用テープフィルムの発明が開示され
ている。このＴＡＢ用テープフィルムにおいても、上記
公報と同様にデバイス孔が形成されており、このデバイ
ス孔の内側に延出したインナーリードを補強するため
に、デバイス孔に薄フィルムを張設している。従って、
このＴＡＢ用テープフィルムにおいても、上記と同様
に、その製造工程が煩雑になるとの問題がある。また、
特開昭５３−４２５５６号公報、特開平４−８５９４１
号公報、特開平５−５５３０７号公報等にも、デバイス
孔を形成し、このデバイス孔内に延出されたインナーリ
ードを保護、あるいは補強する目的で絶縁フィルムとは
別にデバイス孔のインナーリード裏面に補強膜等を配置
することが記載されているが、いずれの場合にも補強膜
の形成のために新たな工程を必要とするなど製造工程が
煩雑になるとの問題がある。
−８０３４号公報では、テープ状の絶縁フィルムに箔状
の導体を接着剤を用いて貼り付けたテープキャリアにお
いて、前記の導体に補強膜を付着させてなるキャリアテ
ープの発明が開示されている。しかしながら、このキャ
リアテープでは、絶縁フィルムにパンチングによりデバ
イス孔を形成し、このデバイス孔内方向に延出されるイ
ンナーリードを補強するために、デバイス孔に導体フィ
ルムとは別の補強膜を貼着している。従って、この公報
に開示されているキャリアテープを製造するには、従来
の方法と比較して補強膜を別途貼着する工程を設ける必
要があり、その製造工程が煩雑になるとの問題がある。
また、同様に、特開平２−２２０３０６号公報には、デ
バイスホール、スプロケットホール等の所望のホールが
形成されたベースフィルムに、電気絶縁性を有する薄フ
ィルムを介して導体パターン形成用の銅箔などの導体部
が接合されたＴＡＢ用テープフィルムの発明が開示され
ている。このＴＡＢ用テープフィルムにおいても、上記
公報と同様にデバイス孔が形成されており、このデバイ
ス孔の内側に延出したインナーリードを補強するため
に、デバイス孔に薄フィルムを張設している。従って、
このＴＡＢ用テープフィルムにおいても、上記と同様
に、その製造工程が煩雑になるとの問題がある。また、
特開昭５３−４２５５６号公報、特開平４−８５９４１
号公報、特開平５−５５３０７号公報等にも、デバイス
孔を形成し、このデバイス孔内に延出されたインナーリ
ードを保護、あるいは補強する目的で絶縁フィルムとは
別にデバイス孔のインナーリード裏面に補強膜等を配置
することが記載されているが、いずれの場合にも補強膜
の形成のために新たな工程を必要とするなど製造工程が
煩雑になるとの問題がある。
【０００９】さらに、特開平５−２９３８２号公報に
は、光分解性フィルム上にＡl箔をラミネートしたもの
を基材として、エッチングにより前記Ａl箔の所望のパ
ターンニングを行い、レーザまたは紫外線照射により前
記光分解性フィルムに対してボンディング用の孔開けを
行い、電子部品のバンプ電極と、前記Ａl箔とを前記穴
開加工された部分でボンディングすることを特徴とす
る、光分解性フィルムを使用した電子部品実装方法の発
明が開示されている。
は、光分解性フィルム上にＡl箔をラミネートしたもの
を基材として、エッチングにより前記Ａl箔の所望のパ
ターンニングを行い、レーザまたは紫外線照射により前
記光分解性フィルムに対してボンディング用の孔開けを
行い、電子部品のバンプ電極と、前記Ａl箔とを前記穴
開加工された部分でボンディングすることを特徴とす
る、光分解性フィルムを使用した電子部品実装方法の発
明が開示されている。
【００１０】しかしながら、この公報では、光分解性樹
脂からなる絶縁フィルムを使用し、また導体としてアル
ミニウム箔を使用して、絶縁フィルムにレーザーを照射
することにより、Ａlパターンとは非接触にボンディン
グ用の孔開けを行っている。Ａl箔は銅箔よりも安価で
あるが、配線パターンを形成するために使用される導体
の量は極めて僅かであり、安価なＡl箔を使用しても、
ＴＡＢ(Tape AutomatedBonding)テープの製造コストに
はほとんど影響を与えない。他方、ＴＡＢテープとして
ポリイミドフィルムを用いることが一般的でありＴＡＢ
テープの製造装置は、ポリイミドフィルムを用いるのに
好適な条件に設定されており、他の樹脂フィルム、殊に
光分解性フィルムのようにポリイミドフィルムとは特性
の異なるフィルムを使用する場合には、この新たなフィ
ルムに対応するように装置を改良する必要がある。ま
た、レーザー光の照射装置を設ける等、設備の改造費用
が導体をＡl箔に代えることによるコストを大幅に上回
ってしまう。さらに、導体として使用されるＡl箔は、
表面に酸化物の皮膜が形成されて不導体化しやすく、こ
うした酸化物皮膜が形成された表面にはメッキがのりに
くく、また、電気的特性においても、銅箔よりも信頼性
に欠けると共に、銅箔よりも接着強度が低くなる傾向が
あるとの問題がある。
脂からなる絶縁フィルムを使用し、また導体としてアル
ミニウム箔を使用して、絶縁フィルムにレーザーを照射
することにより、Ａlパターンとは非接触にボンディン
グ用の孔開けを行っている。Ａl箔は銅箔よりも安価で
あるが、配線パターンを形成するために使用される導体
の量は極めて僅かであり、安価なＡl箔を使用しても、
ＴＡＢ(Tape AutomatedBonding)テープの製造コストに
はほとんど影響を与えない。他方、ＴＡＢテープとして
ポリイミドフィルムを用いることが一般的でありＴＡＢ
テープの製造装置は、ポリイミドフィルムを用いるのに
好適な条件に設定されており、他の樹脂フィルム、殊に
光分解性フィルムのようにポリイミドフィルムとは特性
の異なるフィルムを使用する場合には、この新たなフィ
ルムに対応するように装置を改良する必要がある。ま
た、レーザー光の照射装置を設ける等、設備の改造費用
が導体をＡl箔に代えることによるコストを大幅に上回
ってしまう。さらに、導体として使用されるＡl箔は、
表面に酸化物の皮膜が形成されて不導体化しやすく、こ
うした酸化物皮膜が形成された表面にはメッキがのりに
くく、また、電気的特性においても、銅箔よりも信頼性
に欠けると共に、銅箔よりも接着強度が低くなる傾向が
あるとの問題がある。
【００１１】
【発明の目的】本発明は、電子部品実装用フィルムキャ
リアテープのファインピッチ化に伴って、インナーリー
ド幅がより狭くなることによるインナーリード曲がりを
防止することができる電子部品実装用フィルムキャリア
テープを提供することを目的としている。
リアテープのファインピッチ化に伴って、インナーリー
ド幅がより狭くなることによるインナーリード曲がりを
防止することができる電子部品実装用フィルムキャリア
テープを提供することを目的としている。
【００１２】また、本発明は、こうしたファインピッチ
化が進み、デバイスの集積密度が高くなっていることに
伴い、表裏両面からデバイスを実装可能な電子部品実装
用フィルムキャリアテープを提供することを目的として
いる。
化が進み、デバイスの集積密度が高くなっていることに
伴い、表裏両面からデバイスを実装可能な電子部品実装
用フィルムキャリアテープを提供することを目的として
いる。
【００１３】さらに、本発明は、上記のような電子部品
実装用フィルムキャリアテープに表面および／または裏
面からデバイスが搭載された半導体素子を提供すること
を目的としている。
実装用フィルムキャリアテープに表面および／または裏
面からデバイスが搭載された半導体素子を提供すること
を目的としている。
【００１４】
【発明の概要】本発明の電子部品実装用フィルムキャリ
アテープは、絶縁フィルムに接着剤層を介して導体箔を
貼着し、該導体箔をエッチングして所望の配線パターン
を形成したフィルムキャリアテープであって、該フィル
ムキャリアテープに実装されるデバイスのバンプ電極に
略対応する位置の絶縁フィルムに、バンプ電極と接触す
る配線パターンに対して略直交するとともに複数の配線
パターンに渡って開口する少なくとも１条のスリットが
パンチングすることにより形成されており、該スリット
の上にバンプ電極と接触する配線パターンが差し渡して
形成されていることを特徴としている。
アテープは、絶縁フィルムに接着剤層を介して導体箔を
貼着し、該導体箔をエッチングして所望の配線パターン
を形成したフィルムキャリアテープであって、該フィル
ムキャリアテープに実装されるデバイスのバンプ電極に
略対応する位置の絶縁フィルムに、バンプ電極と接触す
る配線パターンに対して略直交するとともに複数の配線
パターンに渡って開口する少なくとも１条のスリットが
パンチングすることにより形成されており、該スリット
の上にバンプ電極と接触する配線パターンが差し渡して
形成されていることを特徴としている。
【００１５】また、本発明の半導体素子は、絶縁フィル
ムに接着剤層を介して導体箔を貼着し、該導体箔をエッ
チングして所望の配線パターンを形成したフィルムキャ
リアテープであって、該フィルムキャリアテープに実装
されるデバイスのバンプ電極に略対応する位置の絶縁フ
ィルムに、該絶縁フィルムをパンチングすることにより
形成され、バンプ電極と接触する複数の配線パターンに
渡って開口する少なくとも１条のスリットが形成されて
いる電子部品実装用フィルムキャリアテープの配線パタ
ーン形成面上にデバイスを載置し、該スリット上でデバ
イスのバンプ電極と導体箔からなる配線パターンとが接
続されていることを特徴としているか、および／また
は、絶縁フィルムに接着剤層を介して導体箔を貼着し、
該導体箔をエッチングして所望の配線パターンを形成し
たフィルムキャリアテープであって、該フィルムキャリ
アテープに実装されるデバイスのバンプ電極に略対応す
る位置の絶縁フィルムに、該絶縁フィルムをパンチング
することにより形成され、バンプ電極と接触する複数の
配線パターンに渡って開口する少なくとも１条のスリッ
トが形成されている電子部品実装用フィルムキャリアテ
ープの配線パターンが形成されていない面からデバイス
のバンプ電極をスリット内に挿入して、該挿入したバン
プ電極と導体箔からなる配線パターンとがスリット内で
接続されていることを特徴としている。
ムに接着剤層を介して導体箔を貼着し、該導体箔をエッ
チングして所望の配線パターンを形成したフィルムキャ
リアテープであって、該フィルムキャリアテープに実装
されるデバイスのバンプ電極に略対応する位置の絶縁フ
ィルムに、該絶縁フィルムをパンチングすることにより
形成され、バンプ電極と接触する複数の配線パターンに
渡って開口する少なくとも１条のスリットが形成されて
いる電子部品実装用フィルムキャリアテープの配線パタ
ーン形成面上にデバイスを載置し、該スリット上でデバ
イスのバンプ電極と導体箔からなる配線パターンとが接
続されていることを特徴としているか、および／また
は、絶縁フィルムに接着剤層を介して導体箔を貼着し、
該導体箔をエッチングして所望の配線パターンを形成し
たフィルムキャリアテープであって、該フィルムキャリ
アテープに実装されるデバイスのバンプ電極に略対応す
る位置の絶縁フィルムに、該絶縁フィルムをパンチング
することにより形成され、バンプ電極と接触する複数の
配線パターンに渡って開口する少なくとも１条のスリッ
トが形成されている電子部品実装用フィルムキャリアテ
ープの配線パターンが形成されていない面からデバイス
のバンプ電極をスリット内に挿入して、該挿入したバン
プ電極と導体箔からなる配線パターンとがスリット内で
接続されていることを特徴としている。
【００１６】本発明の電子部品実装用フィルムキャリア
テープは、絶縁フィルム、接着剤層および配線パターン
がこの順序で積層された従来の電子部品実装用フィルム
キャリアテープにおいて、デバイスホールを設けること
なく、デバイスのバンプ電極に対応する位置にデバイス
と略平行にスリットが設けられており、このスリットの
表面を横切るようにいわゆるインナーリードが敷設され
ている。従って、このいわゆるインナーリードは、基部
（アウターリード側）および先端部が絶縁フィルムによ
って接着固定されているので、この電子部品実装用フィ
ルムキャリアテープを製造する際、デバイスを搭載する
際等に、仮に外圧がかかった場合でも、このいわゆるイ
ンナーリードが変形することがない。殊にファインピッ
チ化がさらに進み、いわゆるインナーリードの幅が狭
く、厚さが薄くなった場合であっても、いわゆるインナ
ーリードの基部と先端部とが、共に絶縁フィルムに接着
されているので、このいわゆるインナーリードの曲がり
を防止することができる。
テープは、絶縁フィルム、接着剤層および配線パターン
がこの順序で積層された従来の電子部品実装用フィルム
キャリアテープにおいて、デバイスホールを設けること
なく、デバイスのバンプ電極に対応する位置にデバイス
と略平行にスリットが設けられており、このスリットの
表面を横切るようにいわゆるインナーリードが敷設され
ている。従って、このいわゆるインナーリードは、基部
（アウターリード側）および先端部が絶縁フィルムによ
って接着固定されているので、この電子部品実装用フィ
ルムキャリアテープを製造する際、デバイスを搭載する
際等に、仮に外圧がかかった場合でも、このいわゆるイ
ンナーリードが変形することがない。殊にファインピッ
チ化がさらに進み、いわゆるインナーリードの幅が狭
く、厚さが薄くなった場合であっても、いわゆるインナ
ーリードの基部と先端部とが、共に絶縁フィルムに接着
されているので、このいわゆるインナーリードの曲がり
を防止することができる。
【００１７】しかも、このスリットは、絶縁フィルムを
パンチングすることにより形成されているので、従来の
ＴＡＢテープの製造装置をそのまま利用することができ
る。また、本発明の電子部品実装用フィルムキャリアテ
ープを用いることにより、配線パターンが形成された絶
縁フィルム表面にデバイスを載置し、ボンディングする
ことによりキャリアテープ表面にデバイスが搭載された
半導体素子とすることができるし、この電子部品実装用
フィルムキャリアテープの裏面からスリット内にバンプ
電極を挿入してボンディングすることにより、キャリア
テープ裏面にデバイスを搭載することもできる。さら
に、両面にデバイスを搭載することも可能である。
パンチングすることにより形成されているので、従来の
ＴＡＢテープの製造装置をそのまま利用することができ
る。また、本発明の電子部品実装用フィルムキャリアテ
ープを用いることにより、配線パターンが形成された絶
縁フィルム表面にデバイスを載置し、ボンディングする
ことによりキャリアテープ表面にデバイスが搭載された
半導体素子とすることができるし、この電子部品実装用
フィルムキャリアテープの裏面からスリット内にバンプ
電極を挿入してボンディングすることにより、キャリア
テープ裏面にデバイスを搭載することもできる。さら
に、両面にデバイスを搭載することも可能である。
【００１８】
【発明の具体的説明】次に、本発明の電子部品実装用フ
ィルムキャリアテープおよびこの電子部品実装用フィル
ムキャリアテープを用いた半導体素子について具体的に
説明する。
ィルムキャリアテープおよびこの電子部品実装用フィル
ムキャリアテープを用いた半導体素子について具体的に
説明する。
【００１９】図１（Ａ）は、本発明の電子部品実装用フ
ィルムキャリアテープの例を模式的に示す平面図であ
り、図１（Ｂ）は、図１（Ａ）におけるＹ−Ｙ断面図で
ある。図２は、図１（Ａ）に示す電子部品実装用フィル
ムキャリアテープの表面にデバイスが実装された状態の
例を模式的に示す断面図であり、図３は、電子部品実装
用フィルムキャリアテープの裏面にデバイスが実装され
た状態の例を模式的に示す断面図である。また、図４
は、一辺に複数のスリットが形成された電子部品実装用
フィルムキャリアテープの裏面からデバイスが実装され
た状態の例を模式的に示す断面図である。
ィルムキャリアテープの例を模式的に示す平面図であ
り、図１（Ｂ）は、図１（Ａ）におけるＹ−Ｙ断面図で
ある。図２は、図１（Ａ）に示す電子部品実装用フィル
ムキャリアテープの表面にデバイスが実装された状態の
例を模式的に示す断面図であり、図３は、電子部品実装
用フィルムキャリアテープの裏面にデバイスが実装され
た状態の例を模式的に示す断面図である。また、図４
は、一辺に複数のスリットが形成された電子部品実装用
フィルムキャリアテープの裏面からデバイスが実装され
た状態の例を模式的に示す断面図である。
【００２０】図１〜４に示すように、本発明の電子部品
実装用フィルムキャリアテープ１では、絶縁フィルム１
０と、この表面に、接着剤層１２により貼着された導体
箔からなる配線パターン１４がこの順序で積層されてい
る。また配線パターンは、図２に示すようにデバイス２
３に設けられたバンプ電極２５との接続部分（ボンディ
ング部分）であるインナーリード１５と、このインナー
リード１５から外方向に延出されて、外部の電子部材と
接続するためのアウターリード１６とからなる。
実装用フィルムキャリアテープ１では、絶縁フィルム１
０と、この表面に、接着剤層１２により貼着された導体
箔からなる配線パターン１４がこの順序で積層されてい
る。また配線パターンは、図２に示すようにデバイス２
３に設けられたバンプ電極２５との接続部分（ボンディ
ング部分）であるインナーリード１５と、このインナー
リード１５から外方向に延出されて、外部の電子部材と
接続するためのアウターリード１６とからなる。
【００２１】インナーリード１５は、従来のデバイスホ
ールを有するキャリアテープにおいて、デバイスホール
内に延設されてデバイスのバンプ電極と接続する部分で
あり、通常は幅１０〜１００μm、好ましくは２０〜５
０μmの導体箔が、通常は１５〜１００μm、好ましくは
２０〜５０μmの間隔を形成して平行に配置されたもの
である。また、アウターリード１６は、上記インナーリ
ード１５からテープの外方向に向かって延出され、通常
はインナーリードよりも幅広の導体箔で形成され、平行
に配置されたインナーリードから外方向に放射状に広が
っている。本発明において、インナーリードとは、デバ
イスの電極と接続するための平行に配置された配線パタ
ーン部分を意味し、外方向に放射状に屈曲した部分から
外側の配線パターンをアウターリードとする。
ールを有するキャリアテープにおいて、デバイスホール
内に延設されてデバイスのバンプ電極と接続する部分で
あり、通常は幅１０〜１００μm、好ましくは２０〜５
０μmの導体箔が、通常は１５〜１００μm、好ましくは
２０〜５０μmの間隔を形成して平行に配置されたもの
である。また、アウターリード１６は、上記インナーリ
ード１５からテープの外方向に向かって延出され、通常
はインナーリードよりも幅広の導体箔で形成され、平行
に配置されたインナーリードから外方向に放射状に広が
っている。本発明において、インナーリードとは、デバ
イスの電極と接続するための平行に配置された配線パタ
ーン部分を意味し、外方向に放射状に屈曲した部分から
外側の配線パターンをアウターリードとする。
【００２２】上記のような配線パターンが形成される絶
縁フィルム１０は、可撓性樹脂フィルムからなる。ま
た、この絶縁フィルムは、エッチングする際に酸などと
接触することからこうした薬品に侵されない耐薬品性お
よびボンディングする際の加熱によっても変質しないよ
うな耐熱性を有している。このような樹脂の例として
は、ガラスエポキシ、ＢＴレジン、ポリエステル、ポリ
アミドおよびポリイミドなどを挙げることができる。特
に本発明ではポリイミドからなるフィルムを用いること
が好ましい。このような樹脂から形成される絶縁フィル
ム１０を構成するポリイミドフィルムの例としては、ピ
ロメリット酸２無水物と芳香族ジアミンとから合成され
る全芳香族ポリアミド、ビフェニルテトラカルボン酸２
無水物と芳香族ジアミンとから合成されるビフェニル骨
格を有する全芳香族ポリアミドを挙げることができる。
特に本発明ではビフェニル骨格を有する全芳香族ポリア
ミド（例；商品名：ユーピレックス、宇部興産（株）
製）が好ましく使用される。このような絶縁フィルムの
厚さは、通常は２５〜１２５μm、好ましくは５０〜７
５μmの範囲内にある。
縁フィルム１０は、可撓性樹脂フィルムからなる。ま
た、この絶縁フィルムは、エッチングする際に酸などと
接触することからこうした薬品に侵されない耐薬品性お
よびボンディングする際の加熱によっても変質しないよ
うな耐熱性を有している。このような樹脂の例として
は、ガラスエポキシ、ＢＴレジン、ポリエステル、ポリ
アミドおよびポリイミドなどを挙げることができる。特
に本発明ではポリイミドからなるフィルムを用いること
が好ましい。このような樹脂から形成される絶縁フィル
ム１０を構成するポリイミドフィルムの例としては、ピ
ロメリット酸２無水物と芳香族ジアミンとから合成され
る全芳香族ポリアミド、ビフェニルテトラカルボン酸２
無水物と芳香族ジアミンとから合成されるビフェニル骨
格を有する全芳香族ポリアミドを挙げることができる。
特に本発明ではビフェニル骨格を有する全芳香族ポリア
ミド（例；商品名：ユーピレックス、宇部興産（株）
製）が好ましく使用される。このような絶縁フィルムの
厚さは、通常は２５〜１２５μm、好ましくは５０〜７
５μmの範囲内にある。
【００２３】このような絶縁フィルム１０は、図１に示
すように、スプロケットホール１９などをパンチングに
より形成する。そして、このときに本発明の電子部品実
装用フィルムキャリアテープを形成する絶縁フィルム１
０にスリット１７をパンチングにより形成する。このス
リット１７の形成位置は、搭載しようとするデバイスの
バンプ電極に略対応する位置である。図１には、デバイ
スの底部の四方にバンプ電極を有するデバイスを搭載す
るための電子部品実装用フィルムキャリアテープが示さ
れており、スリット１７は、デバイスの底部の四辺に沿
って形成されているバンプ電極の位置と略対応してい
る。このスリット１７は、複数のインナーリード１５を
差し渡して開口するように形成されている。すなわち、
このスリット１７の表面を横方向に横断するように複数
のインナーリード１５が平行に敷設されており、このそ
れぞれのインナーリード１５は、アウターリード１６と
接合している基端部で絶縁フィルム１０に接着剤１２で
接着していると共に、先端部でも同様に絶縁フィルム１
０に接着剤１２で接着している。従って、このインナー
リード１５およびアウターリード１６を形成する導体箔
は、原則的には、スリットの部分を除いて、絶縁フィル
ムに接着している。殊に、インナーリード１５の先端部
は、従来は、デバイスホール内に延出しておりその先端
は支持されていなかったが、本発明の電子部品実装用フ
ィルムキャリアテープでは、従来デバイスホールが設け
られていた部分にデバイスホールは設けられておらず、
他の部分と同様の絶縁フィルム２１によって従来のキャ
リアテープにおけるデバイスホールの部分は塞がれてい
る。そして、従来の電子部品実装用フィルムキャリアテ
ープにおいて、インナーリード１５とデバイス２３のバ
ンプ電極２５とが接触する位置にスリット１７が設けら
れている。このスリットの幅ＬWは、バンプ電極の幅よ
りも大きく、通常バンプ電極は０.１〜０.５mmの角柱状
であることから、このスリットの幅ＬWは、通常は０.２
〜１０mm、好ましくは０.２〜０.４mm程度である。ま
た、このスリット１７の長さＬSは、インナーリードの
幅Ｌxよりも長く、通常はインナーリードの幅Ｌxを１０
０％とすると、Ｌxに対して、通常スリットの長さＬSは
１０１％以上、好ましくは１０１〜１０５％の範囲内に
ある。
すように、スプロケットホール１９などをパンチングに
より形成する。そして、このときに本発明の電子部品実
装用フィルムキャリアテープを形成する絶縁フィルム１
０にスリット１７をパンチングにより形成する。このス
リット１７の形成位置は、搭載しようとするデバイスの
バンプ電極に略対応する位置である。図１には、デバイ
スの底部の四方にバンプ電極を有するデバイスを搭載す
るための電子部品実装用フィルムキャリアテープが示さ
れており、スリット１７は、デバイスの底部の四辺に沿
って形成されているバンプ電極の位置と略対応してい
る。このスリット１７は、複数のインナーリード１５を
差し渡して開口するように形成されている。すなわち、
このスリット１７の表面を横方向に横断するように複数
のインナーリード１５が平行に敷設されており、このそ
れぞれのインナーリード１５は、アウターリード１６と
接合している基端部で絶縁フィルム１０に接着剤１２で
接着していると共に、先端部でも同様に絶縁フィルム１
０に接着剤１２で接着している。従って、このインナー
リード１５およびアウターリード１６を形成する導体箔
は、原則的には、スリットの部分を除いて、絶縁フィル
ムに接着している。殊に、インナーリード１５の先端部
は、従来は、デバイスホール内に延出しておりその先端
は支持されていなかったが、本発明の電子部品実装用フ
ィルムキャリアテープでは、従来デバイスホールが設け
られていた部分にデバイスホールは設けられておらず、
他の部分と同様の絶縁フィルム２１によって従来のキャ
リアテープにおけるデバイスホールの部分は塞がれてい
る。そして、従来の電子部品実装用フィルムキャリアテ
ープにおいて、インナーリード１５とデバイス２３のバ
ンプ電極２５とが接触する位置にスリット１７が設けら
れている。このスリットの幅ＬWは、バンプ電極の幅よ
りも大きく、通常バンプ電極は０.１〜０.５mmの角柱状
であることから、このスリットの幅ＬWは、通常は０.２
〜１０mm、好ましくは０.２〜０.４mm程度である。ま
た、このスリット１７の長さＬSは、インナーリードの
幅Ｌxよりも長く、通常はインナーリードの幅Ｌxを１０
０％とすると、Ｌxに対して、通常スリットの長さＬSは
１０１％以上、好ましくは１０１〜１０５％の範囲内に
ある。
【００２４】このスリット１７は、少なくとも１条形成
されていれば良く、搭載されるデバイス２３のバンプ電
極２５に対応させて形成される。図１および２において
は、四辺にバンプ電極２５が形成された矩形のデバイス
２３を搭載するように、４条のスリット１７が形成され
た態様が示されている。
されていれば良く、搭載されるデバイス２３のバンプ電
極２５に対応させて形成される。図１および２において
は、四辺にバンプ電極２５が形成された矩形のデバイス
２３を搭載するように、４条のスリット１７が形成され
た態様が示されている。
【００２５】上記のようなパンチングによりスリット１
７が形成された絶縁フィルム１０の表面に導体箔を貼着
する。ここで使用される接着剤には耐熱性、耐薬品性、
接着力、可撓性等の特性が必要になる。このような特性
を有する接着剤の例としては、エポキシ系接着剤および
フェノール系接着剤を挙げることができる。このような
接着剤は、ウレタン樹脂、メラミン樹脂、ポリビニルア
セタール樹脂などで変成されていてもよく、またエポキ
シ樹脂自体がゴム変成されていてもよい。このような接
着剤は、加熱硬化性である。
７が形成された絶縁フィルム１０の表面に導体箔を貼着
する。ここで使用される接着剤には耐熱性、耐薬品性、
接着力、可撓性等の特性が必要になる。このような特性
を有する接着剤の例としては、エポキシ系接着剤および
フェノール系接着剤を挙げることができる。このような
接着剤は、ウレタン樹脂、メラミン樹脂、ポリビニルア
セタール樹脂などで変成されていてもよく、またエポキ
シ樹脂自体がゴム変成されていてもよい。このような接
着剤は、加熱硬化性である。
【００２６】このような接着剤の厚さは、通常は８〜２
３μm、好ましくは１０〜２１μmの範囲内にある。この
ような接着剤からなる接着剤層は、絶縁フィルムの表面
に塗設して設けても良いし、また導体箔の表面に塗設し
て設けても良い。
３μm、好ましくは１０〜２１μmの範囲内にある。この
ような接着剤からなる接着剤層は、絶縁フィルムの表面
に塗設して設けても良いし、また導体箔の表面に塗設し
て設けても良い。
【００２７】上記のような接着剤で絶縁フィルムに貼着
される導体箔の例としては、銅、アルミニウムを挙げる
ことができる。また、この導体箔、特に銅箔にはインジ
ウムなどの他の金属成分を少量添加することもできる。
本発明では導体箔としては銅箔を使用することが好まし
い。銅箔材料には、電解銅箔と圧延銅箔があり、本発明
ではいずれの銅箔材料を使用することができる。
される導体箔の例としては、銅、アルミニウムを挙げる
ことができる。また、この導体箔、特に銅箔にはインジ
ウムなどの他の金属成分を少量添加することもできる。
本発明では導体箔としては銅箔を使用することが好まし
い。銅箔材料には、電解銅箔と圧延銅箔があり、本発明
ではいずれの銅箔材料を使用することができる。
【００２８】このような導体箔の平均厚さは、通常は５
〜７０μm、好ましくは６〜３５μmの範囲内にある。上
記のようにして絶縁フィルム上に導体箔を接着剤を用い
て接着した後、導体箔表面に感光性樹脂（レジスト）を
塗布する。次いで、この感光性樹脂に形成する配線パタ
ーンを焼き付け現像した後、未硬化樹脂を除去し、エッ
チングして配線パターンを形成する。エッチング後、感
光性樹脂（レジスト）を除去し、バンプ電極が接触する
インナーリード表面をメッキする。このメッキの例とし
ては、スズメッキ、金メッキ等挙げることができる。
〜７０μm、好ましくは６〜３５μmの範囲内にある。上
記のようにして絶縁フィルム上に導体箔を接着剤を用い
て接着した後、導体箔表面に感光性樹脂（レジスト）を
塗布する。次いで、この感光性樹脂に形成する配線パタ
ーンを焼き付け現像した後、未硬化樹脂を除去し、エッ
チングして配線パターンを形成する。エッチング後、感
光性樹脂（レジスト）を除去し、バンプ電極が接触する
インナーリード表面をメッキする。このメッキの例とし
ては、スズメッキ、金メッキ等挙げることができる。
【００２９】なお、上記のようにメッキは、デバイス２
３のバンプ電極と接続するインナーリードに施せば良
く、他の部分をメッキする必要はないので、メッキをす
る必要のない部分に予め樹脂を塗布してマスキングして
おくこともできる。また、このような樹脂を配線パター
ンの保護のために塗布する場合には、メッキ後に塗布し
ても良い。
３のバンプ電極と接続するインナーリードに施せば良
く、他の部分をメッキする必要はないので、メッキをす
る必要のない部分に予め樹脂を塗布してマスキングして
おくこともできる。また、このような樹脂を配線パター
ンの保護のために塗布する場合には、メッキ後に塗布し
ても良い。
【００３０】上記のようにして形成された本発明の電子
部品実装用フィルムキャリアテープに、デバイスを搭載
することにより半導体素子とすることができる。図２〜
４は、デバイス２３を搭載した本発明の半導体素子の例
を示す断面図である。
部品実装用フィルムキャリアテープに、デバイスを搭載
することにより半導体素子とすることができる。図２〜
４は、デバイス２３を搭載した本発明の半導体素子の例
を示す断面図である。
【００３１】図２には、電子部品実装用フィルムキャリ
アテープの配線パターンが形成されている面（表面）側
からデバイス２３が装着された態様が示されている。デ
バイス２３の下端面には、複数のバンプ電極２５が形成
されている。このバンプ電極は、金、ハンダ合金等の導
電性金属で形成されている。
アテープの配線パターンが形成されている面（表面）側
からデバイス２３が装着された態様が示されている。デ
バイス２３の下端面には、複数のバンプ電極２５が形成
されている。このバンプ電極は、金、ハンダ合金等の導
電性金属で形成されている。
【００３２】このような個々のバンプ電極２５がそれぞ
れのインナーリード１５と接触するようにデバイス２３
を配置し、インナーリード１５側から加圧しながら加熱
することにより、例えばバンプ電極２５が金であり、イ
ンナーリード１５にスズメッキが施されている場合に
は、接合部に金スズ共晶合金が形成されバンプ電極２５
とインナーリード１５とがボンディングされる。
れのインナーリード１５と接触するようにデバイス２３
を配置し、インナーリード１５側から加圧しながら加熱
することにより、例えばバンプ電極２５が金であり、イ
ンナーリード１５にスズメッキが施されている場合に
は、接合部に金スズ共晶合金が形成されバンプ電極２５
とインナーリード１５とがボンディングされる。
【００３３】また、本発明の半導体素子は、図３に示す
ように、配線パターンが形成されていない絶縁フィルム
１０側にデバイス２３を配置し、スリット１７内にバン
プ電極２５を挿入してボンディングすることにより、絶
縁フィルム裏面にデバイス２３を搭載することもでき
る。この場合、バンプ電極は、絶縁フィルムおよび接着
剤層の厚さの合計、すなわち、スリット１７の深さより
も高くなるように形成することが必要となると考えられ
がちであるが、スリットの幅Ｌｗの大きさと接着時の表
面からの加圧力によって、インナーリードを撓ませるこ
とができるので、バンプ電極の高さをスリット１７の深
さ以上にすることは必ずしも必要ではない。
ように、配線パターンが形成されていない絶縁フィルム
１０側にデバイス２３を配置し、スリット１７内にバン
プ電極２５を挿入してボンディングすることにより、絶
縁フィルム裏面にデバイス２３を搭載することもでき
る。この場合、バンプ電極は、絶縁フィルムおよび接着
剤層の厚さの合計、すなわち、スリット１７の深さより
も高くなるように形成することが必要となると考えられ
がちであるが、スリットの幅Ｌｗの大きさと接着時の表
面からの加圧力によって、インナーリードを撓ませるこ
とができるので、バンプ電極の高さをスリット１７の深
さ以上にすることは必ずしも必要ではない。
【００３４】さらに、本発明の半導体素子では、絶縁フ
ィルム１０の表面および裏面の両者にデバイスを配置す
ることもできる。上記の半導体素子は、デバイス２３の
底部には、各辺に沿って一条のバンプ電極２５が形成さ
れた例を示したが、さらに本発明の素子は種々改変する
ことができる。
ィルム１０の表面および裏面の両者にデバイスを配置す
ることもできる。上記の半導体素子は、デバイス２３の
底部には、各辺に沿って一条のバンプ電極２５が形成さ
れた例を示したが、さらに本発明の素子は種々改変する
ことができる。
【００３５】例えば、図４には、デバイス２３の底部の
各辺に千鳥状に２条のバンプ電極２５，２５’を形成
し、キャリアテープ１０にはそれぞれ２条のスリット１
７，１７’を形成してデバイス２３をボンディングした
態様が示されており、本発明キャリアテープでは、この
ように一辺に複数のスリットを形成することもできる。
各辺に千鳥状に２条のバンプ電極２５，２５’を形成
し、キャリアテープ１０にはそれぞれ２条のスリット１
７，１７’を形成してデバイス２３をボンディングした
態様が示されており、本発明キャリアテープでは、この
ように一辺に複数のスリットを形成することもできる。
【００３６】なお、図１〜４において、共通する部材に
は同一の付け番を賦してある。
は同一の付け番を賦してある。
【００３７】
【発明の効果】本発明の電子部品実装用フィルムキャリ
アテープには、インナーリードを差し渡すように少なく
とも一条のスリットが絶縁フィルムに形成されており、
インナーリードは、このスリットを跨ぐようにして絶縁
フィルムに接着剤で貼着されている。このため、インナ
ーリードを形成する導体箔（例えば銅箔）が薄くなって
も、インナーリードの基端部と先端部が絶縁フィルムに
貼着固定されているので、インナーリードが曲がること
がなく、デバイスを実装した際に、バンプ電極とインナ
ーリードとが確実にボンディングされる。従って、本発
明の電子部品実装用フィルムキャリアテープを用いるこ
とにより、不良品の発生率が低減され、信頼性の高い素
子を供給することができる。
アテープには、インナーリードを差し渡すように少なく
とも一条のスリットが絶縁フィルムに形成されており、
インナーリードは、このスリットを跨ぐようにして絶縁
フィルムに接着剤で貼着されている。このため、インナ
ーリードを形成する導体箔（例えば銅箔）が薄くなって
も、インナーリードの基端部と先端部が絶縁フィルムに
貼着固定されているので、インナーリードが曲がること
がなく、デバイスを実装した際に、バンプ電極とインナ
ーリードとが確実にボンディングされる。従って、本発
明の電子部品実装用フィルムキャリアテープを用いるこ
とにより、不良品の発生率が低減され、信頼性の高い素
子を供給することができる。
【００３８】しかも、本発明の電子部品実装用フィルム
キャリアテープは、絶縁フィルムにスプロケットホール
をパンチングにより形成する際に同時期に形成すること
ができ、このスリットを形成するために特別の工程を設
ける必要はない。従って、キャリアテープ製造装置に、
スリット形成用のパンチを取り付けるだけで製造が可能
であり、製造装置および製造工程に大幅な変更を加える
必要はない。
キャリアテープは、絶縁フィルムにスプロケットホール
をパンチングにより形成する際に同時期に形成すること
ができ、このスリットを形成するために特別の工程を設
ける必要はない。従って、キャリアテープ製造装置に、
スリット形成用のパンチを取り付けるだけで製造が可能
であり、製造装置および製造工程に大幅な変更を加える
必要はない。
【００３９】また、この電子部品実装用フィルムキャリ
アテープは、絶縁フィルムの表面および裏面にデバイス
のいずれの面にもデバイスを実装することが可能にな
る。従って、本発明の半導体素子では、デバイスの配置
位置の決定の自由度が高く、こうした素子を用いること
により、より小型、計量の装置を製造することが可能に
なる。
アテープは、絶縁フィルムの表面および裏面にデバイス
のいずれの面にもデバイスを実装することが可能にな
る。従って、本発明の半導体素子では、デバイスの配置
位置の決定の自由度が高く、こうした素子を用いること
により、より小型、計量の装置を製造することが可能に
なる。
【図１】図１は、本発明の電子部品実装用フィルムキャ
リアテープの例を模式的に示す図である。
リアテープの例を模式的に示す図である。
【図２】図２は、本発明の電子部品実装用フィルムキャ
リアテープにデバイスを実装した例を模式的に示す図で
ある。
リアテープにデバイスを実装した例を模式的に示す図で
ある。
【図３】図３は、本発明の電子部品実装用フィルムキャ
リアテープにデバイスを実装した他の例を模式的に示す
図である。
リアテープにデバイスを実装した他の例を模式的に示す
図である。
【図４】図４は、本発明の電子部品実装用フィルムキャ
リアテープにデバイスを実装した他の例を模式的に示す
図である。
リアテープにデバイスを実装した他の例を模式的に示す
図である。
【図５】図５は、従来の電子部品実装用フィルムキャリ
アテープの例を模式的に示す図である。
アテープの例を模式的に示す図である。
【符号の説明】 １・・・電子部品実装用フィルムキャリアテープ １０・・・絶縁フィルム １２・・・接着剤層 １４・・・導体箔 １５・・・インナーリード １６・・・アウターリード １７・・・スリット １９・・・スプロケットホール ２１・・・デバイスホールに相当する部分の絶縁フィルム ２３・・・デバイス ２５・・・バンプ電極
Claims (9)
- 【請求項１】絶縁フィルムに接着剤層を介して導体箔を
貼着し、該導体箔をエッチングして所望の配線パターン
を形成したフィルムキャリアテープであって、該フィル
ムキャリアテープに実装されるデバイスのバンプ電極に
略対応する位置の絶縁フィルムに、バンプ電極と接触す
る配線パターンに対して略直交するとともに複数の配線
パターンに渡って開口する少なくとも１条のスリットが
パンチングすることにより形成されており、該スリット
の上にバンプ電極と接触する配線パターンが差し渡して
形成されていることを特徴とする電子部品実装用フィル
ムキャリアテープ。 - 【請求項２】前記電子部品実装用キャリアテープの配線
パターンが形成されていない面から、デバイスのバンプ
電極を挿入して導体箔と電気的に接続可能なようにスリ
ット上面およびスリット内に導体箔面が露出しているこ
とを特徴とする請求項第１項記載の電子部品実装用フィ
ルムキャリアテープ。 - 【請求項３】前記スリットの幅が、０.０１〜３.０mmの
範囲内にあることを特徴とする請求項第１項記載の電子
部品実装用フィルムキャリアテープ。 - 【請求項４】前記スリットの長さが、バンプ電極が接続
される部分の配線パターンの形成幅よりも長いことを特
徴とする請求項第１項記載の電子部品実装用フィルムキ
ャリアテープ。 - 【請求項５】前記デバイスが実装される基部に絶縁フィ
ルムが存在することを特徴とする請求項第１項記載の電
子部品実装用フィルムキャリアテープ。 - 【請求項６】前記導体箔が、厚さ６〜３５μｍの銅箔で
あることを特徴とする請求項第１項乃至第５項のいずれ
かの項記載の電子部品実装用フィルムキャリアテープ。 - 【請求項７】絶縁フィルムがポリイミドフィルムである
ことを特徴とする請求項第１項乃至第５項のいずれかの
項記載の電子部品実装用フィルムキャストテープ。 - 【請求項８】絶縁フィルムに接着剤層を介して導体箔を
貼着し、該導体箔をエッチングして所望の配線パターン
を形成したフィルムキャリアテープであって、該フィル
ムキャリアテープに実装されるデバイスのバンプ電極に
略対応する位置の絶縁フィルムに、該絶縁フィルムをパ
ンチングすることにより形成され、バンプ電極と接触す
る配線パターンに対して略直交すると共に、複数の配線
パターンに渡って開口する少なくとも１条のスリットが
形成されている電子部品実装用フィルムキャリアテープ
の配線パターン形成面上にデバイスを載置し、該スリッ
ト上でデバイスのバンプ電極と導体箔からなる配線パタ
ーンとが接続されていることを特徴とする半導体素子。 - 【請求項９】絶縁フィルムに接着剤層を介して導体箔を
貼着し、該導体箔をエッチングして所望の配線パターン
を形成したフィルムキャリアテープであって、該フィル
ムキャリアテープに実装されるデバイスのバンプ電極に
略対応する位置の絶縁フィルムに、該絶縁フィルムをパ
ンチングすることにより形成され、バンプ電極と接触す
る配線パターンに対して略直交すると共に、複数の配線
パターンに渡って開口する少なくとも１条のスリットが
形成されている電子部品実装用フィルムキャリアテープ
の配線パターンが形成されていない面からデバイスのバ
ンプ電極をスリット内に挿入して、該挿入したバンプ電
極と導体箔からなる配線パターンとがスリット内で接続
されていることを特徴とする半導体素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10113515A JPH11307594A (ja) | 1998-04-23 | 1998-04-23 | 電子部品実装用フィルムキャリアテープおよび半導体素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10113515A JPH11307594A (ja) | 1998-04-23 | 1998-04-23 | 電子部品実装用フィルムキャリアテープおよび半導体素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11307594A true JPH11307594A (ja) | 1999-11-05 |
Family
ID=14614305
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10113515A Pending JPH11307594A (ja) | 1998-04-23 | 1998-04-23 | 電子部品実装用フィルムキャリアテープおよび半導体素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11307594A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003012863A1 (en) * | 2001-07-31 | 2003-02-13 | Renesas Technology Corp. | Semiconductor device and its manufacturing method |
| US6720645B2 (en) | 2002-05-16 | 2004-04-13 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Semiconductor device |
| CN100377325C (zh) * | 2002-11-07 | 2008-03-26 | 三井金属矿业株式会社 | 安装电子元件的薄膜载带 |
-
1998
- 1998-04-23 JP JP10113515A patent/JPH11307594A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003012863A1 (en) * | 2001-07-31 | 2003-02-13 | Renesas Technology Corp. | Semiconductor device and its manufacturing method |
| US6953709B2 (en) | 2001-07-31 | 2005-10-11 | Renesas Technology Corp. | Semiconductor device and its manufacturing method |
| US6720645B2 (en) | 2002-05-16 | 2004-04-13 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Semiconductor device |
| CN100377325C (zh) * | 2002-11-07 | 2008-03-26 | 三井金属矿业株式会社 | 安装电子元件的薄膜载带 |
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050921 |
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20051121 |
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| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20051221 |