JPH11305465A - Electrophotographic photoreceptor - Google Patents
Electrophotographic photoreceptorInfo
- Publication number
- JPH11305465A JPH11305465A JP12815698A JP12815698A JPH11305465A JP H11305465 A JPH11305465 A JP H11305465A JP 12815698 A JP12815698 A JP 12815698A JP 12815698 A JP12815698 A JP 12815698A JP H11305465 A JPH11305465 A JP H11305465A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- phthalocyanine
- dihydroxysilicon
- synthesis example
- electrophotographic photoreceptor
- compound
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、電子写真感光体に
関するものであり、詳しくは、可視領域から近赤外の波
長領域に至るまで高い感度と優れた特性を有する電子写
真感光体に関するものである。以下、電子写真感光体を
感光体と略記する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an electrophotographic photoreceptor, and more particularly, to an electrophotographic photoreceptor having high sensitivity and excellent characteristics from a visible region to a near-infrared wavelength region. is there. Hereinafter, the electrophotographic photosensitive member is abbreviated as a photosensitive member.
【0002】[0002]
【従来の技術】近年、レーザー光を光源とし、高速化、
高画質、ノンインパクト化をメリットとしたレーザープ
リンターが広く普及するに至り、その要求に耐え得る感
光体の開発が盛んである。特に、半導体レーザーを光源
とする方式が主流であり、その光源波長である780nm
前後の長波長光に対して高感度な特性を有する感光体が
強く望まれている。2. Description of the Related Art In recent years, laser light has been used as a light source to increase the speed,
2. Description of the Related Art Laser printers, which have advantages of high image quality and non-impact, have come into widespread use, and photoconductors capable of meeting the demands have been actively developed. In particular, a method using a semiconductor laser as a light source is mainly used, and the wavelength of the light source is 780 nm.
There is a strong demand for a photoreceptor having high sensitivity to long wavelength light before and after.
【0003】上記の様な状況の中、フタロシアニン化合
物については、(1)比較的容易に合成できること、
(2)600nm以上の長波長域に吸収ピークを有するこ
と、(3)中心金属や結晶形により分光感度が変化し、
半導体レーザーの波長域で高感度を示す化合物が幾つか
発表されていることから、精力的に研究開発が行われて
いる。Under the circumstances described above, phthalocyanine compounds are (1) relatively easily synthesized;
(2) having an absorption peak in a long wavelength region of 600 nm or more; (3) the spectral sensitivity varies depending on the central metal and crystal form;
Several compounds exhibiting high sensitivity in the wavelength range of semiconductor lasers have been published, and research and development are being vigorously conducted.
【0004】フタロシアニン化合物、例えば、銅フタロ
シアニンの場合、安定系のβ形以外にα、γ、ε、π、
χ、τ、ρ、δ等の結晶形が知られており、これらの結
晶形は、機械的歪力、硫酸処理、有機溶剤処理、加熱処
理などにより相互に転移可能である(有機エレクトロニ
クス材料シリーズ6「フタロシアニン」参照)。そし
て、フタロシアニン化合物の吸収スペクトルや光導電性
は、中心金属の種類のみならず、上記の様な結晶形によ
っても異なり、同じ中心金属を持つフタロシアニン化合
物であっても結晶形の相違により光導電性が異なる。In the case of phthalocyanine compounds such as copper phthalocyanine, α, γ, ε, π,
Crystal forms such as χ, τ, ρ, and δ are known, and these crystal forms can be mutually transferred by mechanical strain, sulfuric acid treatment, organic solvent treatment, heat treatment, etc. (Organic Electronics Materials Series) 6 "Phthalocyanine"). The absorption spectrum and photoconductivity of the phthalocyanine compound vary depending not only on the type of the central metal but also on the crystal form as described above. Are different.
【0005】ところで、特開昭50−38543号公報
には、銅フタロシアニンの結晶形と電子写真特性に関
し、α、β、γ、ε形の比較ではε形が最も高い感度を
示すことが記載されている。一方、ヒドロキシメタルフ
タロシアニンに関しては、ジヒドロキシゲルマニウムフ
タロシアニン、ジヒドロキシスズフタロシアニン又はジ
ヒドロキシシリコンフタロシアニンを使用した感光体が
米国特許第4,557,989号明細書に記載されている。ま
た、特開平6−214415号公報にもヒドロキシメタ
ルフタロシアニン(Al、Ga、In、Si、Ge、S
n)を使用した電子写真感光体についての報告があり、
ジヒドロキシシリコンフタロシアニンに関しては一つの
結晶形が提示されている。Japanese Patent Application Laid-Open No. 50-38543 discloses that, with respect to the crystal form and electrophotographic properties of copper phthalocyanine, the ε form shows the highest sensitivity in comparison with the α, β, γ and ε forms. ing. On the other hand, as for hydroxymetal phthalocyanine, a photoreceptor using dihydroxygermanium phthalocyanine, dihydroxytin phthalocyanine or dihydroxysilicon phthalocyanine is described in U.S. Pat. No. 4,557,989. Japanese Patent Application Laid-Open No. 6-214415 also discloses hydroxymetal phthalocyanine (Al, Ga, In, Si, Ge, S
There is a report on an electrophotographic photoreceptor using n),
One crystal form has been proposed for dihydroxysilicon phthalocyanine.
【0006】[0006]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来公
知の結晶形を有するジヒドロキシシリコンフタロシアニ
ンは、分散性、分散液の塗布性、保存性に関して問題が
あり、しかも、電子写真特性において必ずしも十分とは
言えない。本発明は、斯かる実情に鑑みなされたもので
あり、その目的は、帯電性、感度、暗減衰、残留電位、
環境特性、繰り返し特性などが良好で且つバランスのと
れた感光体を提供することにある。However, dihydroxysilicon phthalocyanine having a conventionally known crystal form has problems in dispersibility, applicability of a dispersion, and storage stability, and is not necessarily sufficient in electrophotographic characteristics. Absent. The present invention has been made in view of such circumstances, and its object is to provide a chargeability, sensitivity, dark decay, residual potential,
It is an object of the present invention to provide a photoreceptor having good environmental characteristics, good repetition characteristics, and the like and a good balance.
【0007】[0007]
【課題を解決するための手段】本発明者は、鋭意検討を
重ねた結果、電荷発生材料として新規な結晶型のジヒド
ロキシシリコンフタロシアニンを使用し且つ電荷輸送材
料としてスチルベン骨格を有する化合物を使用するなら
ば上記の目的を容易に達成し得るとの知見を得、本発明
を完成させるに至った。Means for Solving the Problems As a result of diligent studies, the present inventor has found that if a novel crystalline dihydroxysilicon phthalocyanine is used as a charge generating material and a compound having a stilbene skeleton is used as a charge transporting material. For example, they have found that the above object can be easily achieved, and have completed the present invention.
【0008】すなわち、本発明の第1の要旨は、導電性
支持体上に感光層を形成して成る電子写真感光体におい
て、電荷発生材料として、単斜晶形で且つ格子定数a=
12.8±1Å、b=14.5±1Å、c=6.8±1Å、β=94.4±
1゜を有するジヒドロキシシリコンフタロシアニン化合
物を使用し、電荷輸送材料としてスチルベン骨格を有す
る化合物を使用して成ることを特徴とする電子写真感光
体に存する。That is, a first gist of the present invention is to provide an electrophotographic photoreceptor comprising a photosensitive layer formed on a conductive support, as a charge generation material, a monoclinic crystal having a lattice constant a =
12.8 ± 1Å, b = 14.5 ± 1Å, c = 6.8 ± 1Å, β = 94.4 ±
An electrophotographic photoreceptor characterized in that a dihydroxysilicon phthalocyanine compound having 1% is used and a compound having a stilbene skeleton is used as a charge transporting material.
【0009】そして、本発明の第2の要旨は、導電性支
持体上に感光層を形成して成る電子写真感光体におい
て、電荷発生材料として、X線回折スペクトルにおい
て、ブラッグ角2θ(±0.3゜)9.2、14.1、15.3、19.
7、27.1゜にピークを有するジヒドロキシシリコンフタ
ロシアニン化合物を使用し、電荷輸送材料としてスチル
ベン骨格を有する化合物を使用して成ることを特徴とす
る電子写真感光体に存する。A second gist of the present invention is to provide an electrophotographic photoreceptor having a photosensitive layer formed on a conductive support, as a charge generation material, in the X-ray diffraction spectrum, the Bragg angle 2θ (± 0.3 Ii) 9.2, 14.1, 15.3, 19.
An electrophotographic photoreceptor comprising a dihydroxysilicon phthalocyanine compound having a peak at 7, 27.1 °, and a compound having a stilbene skeleton as a charge transporting material.
【0010】[0010]
【発明の実施の形態】以下、本発明を詳細に説明する。
先ず、本発明の感光体における電荷発生材料(新規結晶
型ジヒドロキシシリコンフタロシアニン化合物)及び電
荷輸送材料(スチルベン骨格を有する化合物)について
説明する。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will be described below in detail.
First, a charge generation material (a novel crystalline dihydroxysilicon phthalocyanine compound) and a charge transport material (a compound having a stilbene skeleton) in the photoreceptor of the present invention will be described.
【0011】本発明で使用するジヒドロキシシリコンフ
タロシアニン化合物の基本構造は、次の一般式(I)で
表される。The basic structure of the dihydroxysilicon phthalocyanine compound used in the present invention is represented by the following general formula (I).
【0012】[0012]
【化1】 Embedded image
【0013】本発明で使用するジヒドロキシシリコンフ
タロシアニン化合物は、次の様な特徴を有する。すなわ
ち、(1)単斜晶形で且つ格子定数a=12.8±1Å、b
=14.5±1Å、c=6.8±1Å、β=94.4±1゜を有する。
また、(2)X線回折スペクトルにおいて、図1に示す
様に、ブラッグ角2θ(±0.3゜)9.2、14.1、15.3、19.
7、27.1゜にピークを有する。なお、例えば、12.2、23.
1、23.4゜にもピークを有するが、製造条件や結晶配向
性の違い及びX線回折スペクトルの測定手法などでピー
ク強度の割合や位置などは多少変動することがある。上
記のジヒドロキシシリコンフタロシアニン化合物には、
アルキル、アルコキシ、ハロゲン原子置換基体が含有さ
れてもよい。The dihydroxysilicon phthalocyanine compound used in the present invention has the following characteristics. That is, (1) monoclinic and lattice constant a = 12.8 ± 1 °, b
= 14.5 ± 1 °, c = 6.8 ± 1 °, β = 94.4 ± 1 °.
(2) In the X-ray diffraction spectrum, as shown in FIG. 1, Bragg angles 2θ (± 0.3 °) 9.2, 14.1, 15.3, 19.
It has a peak at 7, 27.1 ゜. In addition, for example, 12.2, 23.
Although there are peaks at 1 and 23.4 °, the ratio and position of the peak intensity may slightly vary depending on the manufacturing conditions, the crystal orientation, the method of measuring the X-ray diffraction spectrum, and the like. In the above dihydroxy silicon phthalocyanine compound,
Alkyl, alkoxy and halogen atom substituted substrates may be included.
【0014】上記の格子定数は、下記の条件でX線回折
スペクトルを測定し、伊藤らの方法(Nature,164,755
(1949), "X-ray Studieson Polymorphism", Maru
zen,Tokyo,187)に準じて求めた値である。The above lattice constant is determined by measuring an X-ray diffraction spectrum under the following conditions and using the method of Ito et al. (Nature, 164, 755).
(1949), "X-ray Studies on Polymorphism", Maru
zen, Tokyo, 187).
【0015】[0015]
【表1】 X線 Cu Kα1 電圧 50KV 電流 250mA スタート角度 5.00deg ストップ角度 60.00deg ステップ角度 0.01deg 測定時間 10.00sec/step スリット DS 1deg, SS 1deg, RS 0.1mm[Table 1] X-ray Cu Kα1 voltage 50KV current 250mA start angle 5.00deg stop angle 60.00deg step angle 0.01deg measurement time 10.00sec / step slit DS 1deg, SS 1deg, RS 0.1mm
【0016】また、上記のX線回折スペクトルは下記の
条件で測定したものである。The above X-ray diffraction spectrum was measured under the following conditions.
【0017】[0017]
【表2】 X線 Cu Kα1 電圧 40KV 電流 30mA スタート角度 3.00deg ストップ角度 40.00deg ステップ角度 0.05deg 測定時間 0.50sec/step スリット DS 1deg, SS 1deg, RS 0.2mm[Table 2] X-ray Cu Kα1 voltage 40KV current 30mA Start angle 3.00deg Stop angle 40.00deg Step angle 0.05deg Measurement time 0.50sec / step Slit DS 1deg, SS 1deg, RS 0.2mm
【0018】上記の新規結晶型ジヒドロキシシリコンフ
タロシアニン化合物は、例えば次の(1)又は(2)の
方法で製造することが出来る。The above-mentioned novel crystalline dihydroxysilicon phthalocyanine compound can be produced, for example, by the following method (1) or (2).
【0019】(1)先ず、1,3−ジイミノイソインドリ
ン又はフタロジニトリルと四塩化ケイ素を溶媒中で加熱
した後、反応生成物をろ過、洗浄、精製し、ジクロロシ
リコンフタロシアニン化合物を得る。次いで、N-メチル
ピロリドン、エチレンカーボネート、プロピレンカーボ
ネート、N,N-ジメチルホルムアミド、N,N-ジメチルアセ
トアミド、ジメチルスルホキシド、スルホラン等の極性
溶剤中で加熱することにより加水分解させてジヒドロキ
シシリコンフタロシアニン化合物を得る。(1) First, after heating 1,3-diiminoisoindoline or phthalodinitrile and silicon tetrachloride in a solvent, the reaction product is filtered, washed and purified to obtain a dichlorosilicon phthalocyanine compound. Next, N-methylpyrrolidone, ethylene carbonate, propylene carbonate, N, N-dimethylformamide, N, N-dimethylacetamide, dimethyl sulfoxide, hydrolyze by heating in a polar solvent such as sulfolane to dihydroxy silicon phthalocyanine compound. obtain.
【0020】(2)先ず、ジクロロシリコンフタロシア
ニン化合物をアルコール存在下で処理し、ジアルコキシ
シリコンフタロシアニン化合物を得る。次いで、上記と
同様に極性溶剤で加熱することにより、ジヒドロキシシ
リコンフタロシアニン化合物を得る。(2) First, a dichlorosilicon phthalocyanine compound is treated in the presence of an alcohol to obtain a dialkoxysilicon phthalocyanine compound. Next, by heating with a polar solvent in the same manner as described above, a dihydroxysilicon phthalocyanine compound is obtained.
【0021】一方、本発明で使用するスチルベン骨格を
有する化合物としては、例えば後述の化学式(1)〜
(126)で表される化合物が挙げられる。On the other hand, the compound having a stilbene skeleton used in the present invention includes, for example, the following chemical formulas (1) to
The compound represented by (126) is mentioned.
【0022】本発明の感光体は、導電性支持体上に感光
層を形成して成り、そして、感光層中に電荷発生材料
(ジヒドロキシシリコンフタロシアニン化合物)と電荷
輸送材料(スチルベン骨格を有する化合物)とを含有す
る。感光層は、通常、積層型として構成されるが一層
(単層)型であってもよい。The photoreceptor of the present invention comprises a photosensitive layer formed on a conductive support, and a charge generation material (dihydroxysilicon phthalocyanine compound) and a charge transport material (compound having a stilbene skeleton) in the photosensitive layer. And The photosensitive layer is usually configured as a laminated type, but may be a single layer (single layer) type.
【0023】積層型感光層は、電荷発生層と電荷輸送層
とを任意の順序で積層して構成される。そして、電荷発
生層は、蒸着法または電荷発生材料とバインダーとの分
散液による塗布法によって形成され、電荷輸送層は、有
機溶剤液からのキャスト法または上記の様な塗布法によ
って形成される。一方、一層型感光層は、電荷発生材料
と電荷輸送材料とバインダとの分散液による塗布法によ
って形成される。そして、本発明の感光体は、接着層、
ブロッキング層などの中間層の他、電気特性や機械特性
の改良のための保護層などを有していてもよい。The laminated photosensitive layer is formed by laminating a charge generation layer and a charge transport layer in an arbitrary order. The charge generation layer is formed by a vapor deposition method or a coating method using a dispersion of a charge generation material and a binder, and the charge transport layer is formed by a casting method from an organic solvent solution or the above-described coating method. On the other hand, the single-layer photosensitive layer is formed by a coating method using a dispersion of a charge generation material, a charge transport material, and a binder. And the photoreceptor of the present invention has an adhesive layer,
In addition to an intermediate layer such as a blocking layer, a protective layer for improving electric characteristics and mechanical characteristics may be provided.
【0024】導電性支持体としては、例えば、アルミニ
ウム、銅、ニッケル等の金属ドラムやシート、これら金
属箔のラミネート物や蒸着物が挙げられる。更に、導電
物質(金属粉末、カーボンブラック、ヨウ化銅、高分子
電解質など)を適当なバインダーと共に塗布することに
より導電処理したプラスティックフィルム、プラスティ
ックドラム、紙などの他、導電性物質を含有することに
より導電性となったプラスティックシートやドラム、導
電性金属酸化物(酸化スズ、酸化インジウム等)の層を
表面に有するプラスティックフィルムが挙げられる。Examples of the conductive support include metal drums and sheets of aluminum, copper, nickel and the like, and laminates and vapor-deposits of these metal foils. Furthermore, conductive materials (metal powder, carbon black, copper iodide, polymer electrolyte, etc.) are applied together with a suitable binder, and the conductive material is contained in addition to conductive films, plastic drums, paper, etc. And a plastic film having on its surface a layer of a conductive metal oxide (such as tin oxide or indium oxide).
【0025】ブロッキング層は、導電性支持体の表面に
形成され、導電性支持体からの不必要な電荷の注入阻止
に有効である。また、ブロッキング層は、感光層の帯電
を高める作用の他、感光層と導電性支持体との密着性を
高める作用もある。The blocking layer is formed on the surface of the conductive support, and is effective in preventing unnecessary charge injection from the conductive support. Further, the blocking layer has an effect of increasing the charge of the photosensitive layer and also an effect of increasing the adhesion between the photosensitive layer and the conductive support.
【0026】ブロッキング層の構成材料としては、アル
ミニウム陽極酸化皮膜、酸化アルミニウム、水酸化アル
ミニウム、酸化チタン、表面処理酸化チタン等の無機
物、ポリビニルアルコール、カゼイン、ポリビニルピロ
リドン、ポリアクリル酸、セルロース類、ゼラチン、デ
ンプン類、ポリウレタン、ポリイミド、ポリアミド等の
有機層、その他、有機ジルコニウム化合物、チタニウム
キレート化合物、チタニウムアルコキシド化合物、有機
チタニウム化合物、シランカップリング剤などが挙げら
れる。ブロッキング層の膜厚は、通常0.1〜20mm、
好ましくは0.1〜10mmの範囲である。Examples of the constituent materials of the blocking layer include aluminum anodic oxide films, aluminum oxide, aluminum hydroxide, titanium oxide, surface-treated titanium oxide and other inorganic substances, polyvinyl alcohol, casein, polyvinylpyrrolidone, polyacrylic acid, celluloses, gelatin. And organic layers of starch, polyurethanes, polyimides, polyamides, etc., and other organic zirconium compounds, titanium chelate compounds, titanium alkoxide compounds, organic titanium compounds, silane coupling agents, and the like. The thickness of the blocking layer is usually 0.1 to 20 mm,
Preferably it is in the range of 0.1 to 10 mm.
【0027】積層型感光層の場合、塗布法によって形成
される電荷発生層は、電荷発生材料とバインダーの他、
必要に応じ、有機光導電性化合物、色素、電子吸引性化
合物を含有する。In the case of the laminated photosensitive layer, the charge generation layer formed by the coating method includes, in addition to the charge generation material and the binder,
If necessary, the composition contains an organic photoconductive compound, a coloring matter, and an electron-withdrawing compound.
【0028】有機光導電性化合物としては、例えば、ジ
アルコキシシリコンフタロシアニン、チタニルフタロシ
アニン、ガリウムフタロシアニン、インジウムフタロシ
アニン、無金属フタロシアニン等のフタロシアニン系化
合物、アゾ化合物、アントラキノン系化合物、ペリレン
系化合物、多環キノン系化合物、スクアリック酸メチン
系化合物などが挙げられる。Examples of the organic photoconductive compound include phthalocyanine compounds such as dialkoxy silicon phthalocyanine, titanyl phthalocyanine, gallium phthalocyanine, indium phthalocyanine, and metal-free phthalocyanine, azo compounds, anthraquinone compounds, perylene compounds, and polycyclic quinones. And methine squaric acid-based compounds.
【0029】バインダー(結着樹脂)としては、例え
ば、スチレン、酢酸ビニル、塩化ビニル、塩化ビニリデ
ン、アクリル酸エステル、メタクリル酸エステル、アク
リルアミド、アクリロニトリル、ビニルアルコール、エ
チルビニルエーテル、ビニルピリジン等のビニル化合物
の重合体および共重合体、フェノキシ樹脂、ポリスルホ
ン樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ポリビニルブチラ
ール樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、
ポリアミド樹脂、ポリウレタン樹脂、セルロースエステ
ル樹脂、セルロースエーテル樹脂、エポキシ樹脂、ケイ
素樹脂、アルキッド樹脂、ポリアリレート樹脂などが挙
げられる。Examples of the binder (binder resin) include vinyl compounds such as styrene, vinyl acetate, vinyl chloride, vinylidene chloride, acrylate, methacrylate, acrylamide, acrylonitrile, vinyl alcohol, ethyl vinyl ether and vinyl pyridine. Polymers and copolymers, phenoxy resins, polysulfone resins, polyvinyl acetal resins, polyvinyl butyral resins, polycarbonate resins, polyester resins,
Examples include polyamide resin, polyurethane resin, cellulose ester resin, cellulose ether resin, epoxy resin, silicon resin, alkyd resin, polyarylate resin, and the like.
【0030】電荷発生層用の塗布液は、バインダー溶液
に電荷発生材料を分散(一部溶解してもよい)させて調
製される。有機溶剤としては、テトラヒドロフラン、ジ
オキサン、エチレングリコールモノメチルエーテル等の
エーテル類、アセトン、メチエチルケトン、シクロヘキ
サノン等のケトン類、トルエン、キシレン等の芳香族炭
化水素、モノクロロベンゼン、ジクロロベンゼン等のハ
ロゲン化芳香族炭化水素、塩化メチレン、クロロホル
ム、四塩化炭素、ジクロロエタン、トリクロロエタン等
のハロゲン化脂肪族炭化水素、メタノール、エタノー
ル、イソプロパノール等のアルコール類、酢酸メチル、
酢酸エチル等のエステル類、N,N-ジメチルホルムアミ
ド、N,N-ジメチルアセトアミド等のアミド類、ジメチル
スルホキシド等のスルホキシド類などが挙げられる。The coating solution for the charge generation layer is prepared by dispersing (partially dissolving) the charge generation material in a binder solution. Examples of the organic solvent include ethers such as tetrahydrofuran, dioxane and ethylene glycol monomethyl ether; ketones such as acetone, methyl ethyl ketone and cyclohexanone; aromatic hydrocarbons such as toluene and xylene; halogenated aromatics such as monochlorobenzene and dichlorobenzene. Aliphatic hydrocarbons, methylene chloride, chloroform, carbon tetrachloride, dichloroethane, halogenated aliphatic hydrocarbons such as trichloroethane, methanol, ethanol, alcohols such as isopropanol, methyl acetate,
Esters such as ethyl acetate; amides such as N, N-dimethylformamide and N, N-dimethylacetamide; and sulfoxides such as dimethyl sulfoxide.
【0031】バインダーの使用割合は、電荷発生材料1
00重量部に対し、通常1〜1000重量部、好ましく
は10〜400重量部の範囲である。分散方法として
は、例えば、ボールミル、サンドグラインドミル、遊星
ミル、ロールミル、ペイントシェーカー等による方法が
挙げられる。The ratio of the binder used is as follows.
It is usually in the range of 1 to 1000 parts by weight, preferably 10 to 400 parts by weight, based on 00 parts by weight. Examples of the dispersion method include a method using a ball mill, a sand grind mill, a planetary mill, a roll mill, a paint shaker, and the like.
【0032】塗布方法としては、ディップコーティング
法、スプレーコーティング法、スピナーコーティング
法、ビードコーティング法、ワイヤーバーコーティング
法、ブレードコーティング法、ローラーコーティング
法、カーテンコーティング法、リングコーティング法な
どが挙げられる。Examples of the coating method include dip coating, spray coating, spinner coating, bead coating, wire bar coating, blade coating, roller coating, curtain coating, and ring coating.
【0033】塗布後の乾燥は、例えば、25〜250℃
の温度で5分〜3時間の範囲で静止または送風下で行う
ことが出来る。また、形成される電荷発生層の膜厚は、
通常0.1〜5mmの範囲が適当である。Drying after coating is carried out, for example, at 25 to 250 ° C.
At a temperature of 5 minutes to 3 hours in a stationary or blown state. Further, the thickness of the formed charge generation layer is
Usually, the range of 0.1 to 5 mm is appropriate.
【0034】積層型感光層の電荷輸送層は、電荷輸送材
料とバインダーの他、必要に応じ、酸化防止剤などの添
加物を含有する。バインダーとしては、前記と同様の絶
縁性樹脂が使用できる。バインダーの使用割合は、電荷
輸送材料100重量部に対し、通常20〜3000重量
部、好ましくは50〜1000重量部の範囲である。電
荷輸送層は、前記と同様の有機溶剤によって調製した塗
布液を塗布・乾燥することによって形成され、その膜厚
は通常5〜50mmの範囲が適当である。The charge transport layer of the laminated photosensitive layer contains, if necessary, additives such as an antioxidant in addition to the charge transport material and the binder. As the binder, the same insulating resin as described above can be used. The binder is used in an amount of usually 20 to 3000 parts by weight, preferably 50 to 1000 parts by weight, based on 100 parts by weight of the charge transporting material. The charge transport layer is formed by applying and drying a coating solution prepared using the same organic solvent as described above, and the thickness of the charge transport layer is usually in the range of 5 to 50 mm.
【0035】単層型感光層の感光層は、電荷発生材料と
電荷輸送材料とバインダーとを含有する。ジヒドロキシ
シリコンフタロシアニン化合物以外の電荷発生物質を併
用してもよい。バインダーとしては、前記と同様の絶縁
性樹脂が使用できる。また、必要に応じ、酸化防止剤や
増感剤などの各種添加物を含有してしてもよい。The photosensitive layer of the single-layer type photosensitive layer contains a charge generating material, a charge transporting material, and a binder. A charge generating substance other than the dihydroxysilicon phthalocyanine compound may be used in combination. As the binder, the same insulating resin as described above can be used. Further, if necessary, various additives such as an antioxidant and a sensitizer may be contained.
【0036】バインダーの使用割合は、電荷発生材料お
よび電荷輸送材料10重量部に対し、通常2〜300重
量部、電荷輸送材料の使用割合は、電荷発生材料1重量
部に対し、通常0.01〜100重量部の範囲が適当で
ある。単層型感光層は、前記と同様の有機溶剤によって
調製した塗布液を塗布・乾燥することによって形成され
る。The binder is generally used in an amount of 2 to 300 parts by weight based on 10 parts by weight of the charge generating material and the charge transporting material, and the charge transporting material is generally used in an amount of 0.01 based on 1 part by weight of the charge generating material. A suitable range is from 100 to 100 parts by weight. The single-layer type photosensitive layer is formed by applying and drying a coating solution prepared using the same organic solvent as described above.
【0037】[0037]
【化2】 Embedded image
【0038】[0038]
【化3】 Embedded image
【0039】[0039]
【化4】 Embedded image
【0040】[0040]
【化5】 Embedded image
【0041】[0041]
【化6】 Embedded image
【0042】[0042]
【化7】 Embedded image
【0043】[0043]
【化8】 Embedded image
【0044】[0044]
【化9】 Embedded image
【0045】[0045]
【化10】 Embedded image
【0046】[0046]
【化11】 Embedded image
【0047】[0047]
【化12】 Embedded image
【0048】[0048]
【化13】 Embedded image
【0049】[0049]
【化14】 Embedded image
【0050】[0050]
【化15】 Embedded image
【0051】[0051]
【化16】 Embedded image
【0052】[0052]
【化17】 Embedded image
【0053】[0053]
【化18】 Embedded image
【0054】[0054]
【化19】 Embedded image
【0055】[0055]
【化20】 Embedded image
【0056】[0056]
【化21】 Embedded image
【0057】[0057]
【化22】 Embedded image
【0058】[0058]
【化23】 Embedded image
【0059】[0059]
【化24】 Embedded image
【0060】[0060]
【化25】 Embedded image
【0061】[0061]
【実施例】以下、本発明を実施例により更に詳細に説明
するが、本発明は、その要旨を超えない限り、以下の実
施例に限定されるものではない。EXAMPLES Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to examples, but the present invention is not limited to the following examples unless it exceeds the gist of the present invention.
【0062】合成例1(ジクロロシリコンフタロシアニ
ンの合成) 1,3−ジイミノイソインドリン43.5g及び四塩化
ケイ素73.5gをキノリン500ml中に添加し、窒素
雰囲気下、210〜220℃で1時間反応させた。生成
物を180℃で熱ろ過し、キノリン、アセトンの順で洗
浄した。次いで、アセトン300ml中で加熱環流した
後、結晶をろ別し、乾燥してジクロロシリコンフタロシ
アニン38.7gを得た。Synthesis Example 1 (Synthesis of dichlorosilicon phthalocyanine) 43.5 g of 1,3-diiminoisoindoline and 73.5 g of silicon tetrachloride were added to 500 ml of quinoline, and heated at 210 to 220 ° C. for 1 hour under a nitrogen atmosphere. Reacted. The product was hot-filtered at 180 ° C., and washed with quinoline and acetone in this order. Then, the mixture was heated under reflux in 300 ml of acetone, and the crystals were separated by filtration and dried to obtain 38.7 g of dichlorosilicon phthalocyanine.
【0063】構造解析は、マススペクトル(ネガティブ
測定)、IR(KBr法)、元素分析で行った。図2にジ
クロロシリコンフタロシアニンのマススペクトルを、図
3にIRスペクトルを示す。マススペクトルではm/z:
610にジクロロシリコンフタロシアニンのピークが確認
された。m/z:575は塩素原子が一つ外れたフラグメン
トピークである。The structural analysis was performed by mass spectrum (negative measurement), IR (KBr method), and elemental analysis. FIG. 2 shows a mass spectrum of dichlorosilicon phthalocyanine, and FIG. 3 shows an IR spectrum. M / z in mass spectrum:
At 610, a peak of dichlorosilicon phthalocyanine was confirmed. m / z: 575 is a fragment peak from which one chlorine atom has deviated.
【0064】IRスペクトルでは、1533、1079、1060cm
-1にジクロロシリコンフタロシアニン特有の吸収が見ら
れた(E.Cilibertoetal.,J.Am.Chem.Soc.,106,7748(19
84)参照)。以下に元素分析の結果を示すが、計算値と
略一致している。構造解析の結果、合成物はジクロロシ
リコンフタロシアニンと確認された。In the IR spectrum, 1533, 1079, 1060 cm
-1 showed an absorption characteristic of dichlorosilicon phthalocyanine (E. Cilibertoetal., J. Am. Chem. Soc., 106, 7748 (19
84)). The results of the elemental analysis are shown below, which are almost the same as the calculated values. As a result of structural analysis, the synthesized product was identified as dichlorosilicon phthalocyanine.
【0065】[0065]
【表3】 C(%) H(%) N(%) Si(%) Cl(%) 実測値 62.65 2.58 18.12 4.48 12.21 計算値 62.85 2.62 18.33 4.58 11.62Table 3 C (%) H (%) N (%) Si (%) Cl (%) Found 62.65 2.58 18.12 4.48 12.21 Calculated 62.85 2.62 18 .33 4.58 11.62
【0066】図4に上記のジクロロシリコンフタロシア
ニンのX線回折スペクトルを示す。2θ=10.7、12.3、1
5.5、17.6、19.9、24.6、26.8、27.6゜にそれぞれピー
クを有する。FIG. 4 shows an X-ray diffraction spectrum of the above-mentioned dichlorosilicon phthalocyanine. 2θ = 10.7, 12.3, 1
It has peaks at 5.5, 17.6, 19.9, 24.6, 26.8, and 27.6 °, respectively.
【0067】合成例2(ジメトキシシリコンフタロシア
ニンの合成) 合成例1で合成したジクロロシリコンフタロシアニン1
0gをナトリウムメトキシド1.86g、メタノール1
00ml、ピリジン100mlの混合液に添加し、環流下で
3時間反応させた。生成物を熱ろ過し、メタノール、
水、アセトンの順で洗浄した。次いで、水100ml中で
洗浄を数回繰り返した後、中性を確認し、結晶をろ別、
乾燥してジメトキシシリコンフタロシアニン9.7gを
得た。Synthesis Example 2 (Synthesis of dimethoxysilicon phthalocyanine) Dichlorosilicon phthalocyanine 1 synthesized in Synthesis Example 1
0 g of sodium methoxide 1.86 g, methanol 1
The mixture was added to a mixture of 00 ml and 100 ml of pyridine and reacted under reflux for 3 hours. The product is filtered hot, methanol,
Washing was performed in the order of water and acetone. Then, after repeating washing several times in 100 ml of water, the neutrality was confirmed, and the crystals were separated by filtration.
After drying, 9.7 g of dimethoxysilicon phthalocyanine was obtained.
【0068】構造解析は、合成例1と同様に行った。図
5にジメトキシシリコンフタロシアニンのマススペクト
ルを示す。マススペクトルではm/z:602にジメトキシ
シリコンフタロシアニンのピークが確認された。m/z:
571はメトキシ基が一つ外れたフラグメントピークであ
る。以下に元素分析の結果を示すが、計算値と略一致し
ている。構造解析の結果、合成物はジメトキシシリコン
フタロシアニンと確認された。The structural analysis was performed in the same manner as in Synthesis Example 1. FIG. 5 shows a mass spectrum of dimethoxysilicon phthalocyanine. In the mass spectrum, a peak of dimethoxysilicon phthalocyanine was confirmed at m / z: 602. m / z:
571 is a fragment peak from which one methoxy group has been removed. The results of the elemental analysis are shown below, which are almost the same as the calculated values. As a result of structural analysis, the synthesized product was identified as dimethoxysilicon phthalocyanine.
【0069】[0069]
【表4】 C(%) H(%) N(%) Si(%) 実測値 68.02 3.72 18.71 4.70 計算値 67.78 3.65 18.60 4.65Table 4 C (%) H (%) N (%) Si (%) Found 68.02 3.72 18.71 4.70 Calculated 67.78 3.65 18.60 4.65
【0070】図6に上記のジメトキシシリコンフタロシ
アニンのX線回折スペクトルを示す。2θ=8.1、12.2、
13.0、17.0、18.7、23.3、26.0、27.8、30.4゜にそれぞ
れピークを有する。FIG. 6 shows an X-ray diffraction spectrum of the above dimethoxysilicon phthalocyanine. 2θ = 8.1, 12.2,
It has peaks at 13.0, 17.0, 18.7, 23.3, 26.0, 27.8, and 30.4 °, respectively.
【0071】合成例3(ジヒドロキシシリコンフタロシ
アニンの合成) 合成例1で合成したジクロロシリコンフタロシアニン1
0gを水5gとN−メチルピロリドン95g(95%NMP
水溶液)に添加し、130℃で8時間反応させた。生成
物を熱ろ過し、NMP、アセトンの順で洗浄した。次い
で、アセトン50ml中で室温撹拌した後、結晶をろ別
し、乾燥してジヒドロキシシリコンフタロシアニン8.
4gを得た。Synthesis Example 3 (Synthesis of dihydroxysilicon phthalocyanine) Dichlorosilicon phthalocyanine 1 synthesized in Synthesis Example 1
0 g, water 5 g and N-methylpyrrolidone 95 g (95% NMP
Aqueous solution) and reacted at 130 ° C. for 8 hours. The product was filtered hot and washed with NMP and acetone in this order. Then, after stirring at room temperature in 50 ml of acetone, the crystals were filtered off and dried to obtain dihydroxysilicon phthalocyanine.
4 g were obtained.
【0072】構造解析は合成例1と同様に行った。図7
にジヒドロキシシリコンフタロシアニンのマススペクト
ルを示し、図8にIRスペクトルを示す。マススペクト
ルではm/z:574にジヒドロキシシリコンフタロシアニ
ンのピークが確認された。m/z:557は水酸基が一つ外
れたフラグメントピークである。IRスペクトルでは15
19、1066、839cm-1にジヒドロキシシリコンフタロシア
ニン特有の吸収が見られた(上記論文参照)。以下に元
素分析の結果を示すが、計算値と略一致している。構造
解析の結果、合成物はジヒドロキシシリコンフタロシア
ニンと確認された。The structural analysis was performed in the same manner as in Synthesis Example 1. FIG.
Shows a mass spectrum of dihydroxysilicon phthalocyanine, and FIG. 8 shows an IR spectrum. In the mass spectrum, a peak of dihydroxysilicon phthalocyanine was confirmed at m / z: 574. m / z: 557 is a fragment peak from which one hydroxyl group has been removed. 15 in the IR spectrum
Absorption specific to dihydroxysilicon phthalocyanine was observed at 19, 1066, and 839 cm -1 (see the above paper). The results of the elemental analysis are shown below, which are almost the same as the calculated values. As a result of structural analysis, the compound was identified as dihydroxysilicon phthalocyanine.
【0073】[0073]
【表5】 C(%) H(%) N(%) Si(%) Cl(%) 実測値 62.70 3.10 19.10 4.94 0.03 計算値 66.89 3.16 19.50 4.89 0Table 5 C (%) H (%) N (%) Si (%) Cl (%) Found 62.70 3.10 19.10 4.94 0.03 Calculated 66.89 3.16 19 .50 4.89 0
【0074】上記のジヒドロキシシリコンフタロシアニ
ンの構造解析を伊藤の方法に準じて行った結果、単斜晶
形で且つ格子定数a=12.78Å、b=14.61Å、c=6.79
Å、β=94.4゜であり、また、X線回折スペクトル(図
1)では、2θに主たるピーク9.2゜を有し、その他、1
2.2、14.0、15.3、19.7、23.4、27.1゜にそれぞれピー
クを有するジヒドロキシシリコンフタロシアニンであっ
た。The structural analysis of the above-mentioned dihydroxysilicon phthalocyanine was carried out according to the method of Ito. As a result, the dihydroxysilicon phthalocyanine was monoclinic and had lattice constants a = 12.78 °, b = 14.61 °, and c = 6.79.
Β, β = 94.4 ゜, and the X-ray diffraction spectrum (FIG. 1) has a main peak of 2 ゜ at 9.2 ゜.
Dihydroxysilicon phthalocyanine having peaks at 2.2, 14.0, 15.3, 19.7, 23.4, and 27.1 °, respectively.
【0075】合成例4(ジヒドロキシシリコンフタロシ
アニンの合成) 合成例2で合成したジメトキシシリコンフタロシアニン
10gをN−メチルピロリドン200gに添加し、15
0℃で2時間反応させた。生成物を熱ろ過し、更に、同
様な処理を2回繰り返し、生成物を熱ろ過し、NMP、アセ
トンの順で洗浄した。次いで、アセトン100ml中で室
温撹拌した後、結晶をろ別し、乾燥してジヒドロキシシ
リコンフタロシアニン8.0gを得た。マススペクトル
(ネガティブ測定)とIR(KBr法)で構造解析を行っ
た結果、合成例3と同様のスペクトルが得られ、ジヒド
ロキシシリコンフタロシアニンと確認された。以下に元
素分析の結果を示すが、計算値と略一致している。Synthesis Example 4 (Synthesis of dihydroxysilicon phthalocyanine) 10 g of dimethoxysilicon phthalocyanine synthesized in Synthesis Example 2 was added to 200 g of N-methylpyrrolidone.
The reaction was performed at 0 ° C. for 2 hours. The product was subjected to hot filtration, and the same treatment was further repeated twice. The product was hot filtered, and washed with NMP and acetone in this order. Then, after stirring at room temperature in 100 ml of acetone, the crystals were separated by filtration and dried to obtain 8.0 g of dihydroxysilicon phthalocyanine. As a result of structural analysis by mass spectrum (negative measurement) and IR (KBr method), a spectrum similar to that of Synthesis Example 3 was obtained, and it was confirmed to be dihydroxysilicon phthalocyanine. The results of the elemental analysis are shown below, which are almost the same as the calculated values.
【0076】[0076]
【表6】 C(%) H(%) N(%) Si(%) 実測値 62.70 3.10 19.10 4.94 計算値 66.89 3.16 19.50 4.89Table 6 C (%) H (%) N (%) Si (%) Found 62.70 3.10 19.10 4.94 Calculated 66.89 3.16 19.50 4.89
【0077】上記のジヒドロキシシリコンフタロシアニ
ンの構造解析を伊藤の方法に準じて行った結果、単斜晶
形で、格子定数a=12.82Å、b=14.63Å、c=6.79
Å、β=94.4゜であり、また、X線回折スペクトル(図
9)では、2θに主たるピーク9.2゜を有し、その他、1
2.2、14.0、15.3、19.7、23.4、27.1゜にそれぞれピー
クを有するジヒドロキシシリコンフタロシアニンであっ
た。The structural analysis of the above-mentioned dihydroxysilicon phthalocyanine was carried out according to the method of Ito. As a result, it was found that the dihydroxysilicon phthalocyanine was monoclinic, had lattice constants a = 12.82 °, b = 14.63 °, and c = 6.79.
Β, β = 94.4 ゜, and in the X-ray diffraction spectrum (FIG. 9), it had a main peak of 9.2 ゜ at 2θ, and 1
Dihydroxysilicon phthalocyanine having peaks at 2.2, 14.0, 15.3, 19.7, 23.4, and 27.1 °, respectively.
【0078】合成例5(ジヒドロキシシリコンフタロシ
アニンの合成) 合成例2で合成したジメトキシシリコンフタロシアニン
10gを水5gとN−メチルピロリドン95g(95%NMP
水溶液)に添加し、148℃で3時間反応させた。生成
物を熱ろ過し、NMP、アセトンの順で洗浄した。次い
で、アセトン100ml中で室温撹拌した後、結晶をろ別
し、乾燥してジヒドロキシシリコンフタロシアニン8.
0gを得た。Synthesis Example 5 (Synthesis of dihydroxy silicon phthalocyanine) 10 g of dimethoxy silicon phthalocyanine synthesized in Synthesis Example 2 was mixed with 5 g of water and 95 g of N-methylpyrrolidone (95% NMP).
Aqueous solution) and reacted at 148 ° C. for 3 hours. The product was filtered hot and washed with NMP and acetone in this order. Then, after stirring in 100 ml of acetone at room temperature, the crystals are filtered off and dried to obtain dihydroxysilicon phthalocyanine.
0 g was obtained.
【0079】マススペクトル(ネガティブ測定)、IR
(KBr法)で構造解析を行った結果、合成例3と同様の
スペクトルが得られ、ジヒドロキシシリコンフタロシア
ニンと確認された。得られたジヒドロキシシリコンフタ
ロシアニンの構造解析を伊藤の方法に準じて行った結
果、単斜晶形で且つ格子定数a=12.79Å、b=14.61
Å、c=6.79Å、β=94.4゜であり、また、X線回折ス
ペクトル(図10)では、2θに主たるピーク9.2゜を有
し、その他、12.2、14.0、15.3、19.7、23.4、27.1゜に
それぞれピークを有するジヒドロキシシリコンフタロシ
アニンであった。Mass spectrum (negative measurement), IR
As a result of structural analysis by (KBr method), a spectrum similar to that of Synthesis Example 3 was obtained, and it was confirmed to be dihydroxysilicon phthalocyanine. Structural analysis of the obtained dihydroxysilicon phthalocyanine was carried out according to the method of Ito. As a result, it was found that the obtained dihydroxysilicon phthalocyanine was monoclinic and had a lattice constant a of 12.79 ° and b of 14.61.
Å, c = 6.79Å, β = 94.4 ゜, and in the X-ray diffraction spectrum (FIG. 10), it had a main peak of 2 ゜ at 9.2 ゜, and others, 12.2, 14.0, 15.3, 19.7, 23.4, 27.1 ゜Of dihydroxysilicon phthalocyanine each having a peak at
【0080】比較例合成例1(従来技術1:J.B.Davisi
on etal., Macromol.,1978,11,186) 合成例1で得たジクロロシリコンフタロシアニン4.4
gをNaOH1.1g、水100ml、ピリジン26mlの混合
液に添加し、環流加熱で1時間反応させた。生成物を熱
ろ過し、ピリジン、アセトン、水の順で洗浄した。次い
で、水50ml中で室温撹拌を数回繰り返した後、中性を
確認し、結晶をろ別、乾燥してジヒドロキシシリコンフ
タロシアニン3.2gを得た。Comparative Example Synthesis Example 1 (Prior Art 1: JBDavisi
on etal., Macromol., 1978, 11, 186) The dichlorosilicon phthalocyanine obtained in Synthesis Example 1 4.4.
g was added to a mixture of 1.1 g of NaOH, 100 ml of water and 26 ml of pyridine, and the mixture was reacted at reflux for 1 hour. The product was filtered hot and washed with pyridine, acetone and water in this order. Subsequently, stirring at room temperature was repeated several times in 50 ml of water, and after confirming neutrality, the crystals were separated by filtration and dried to obtain 3.2 g of dihydroxysilicon phthalocyanine.
【0081】マススペクトル(ネガティブ測定)とIR
(KBr法)で構造解析を行った結果、マススペクトルで
はm/z:574にジヒドロキシシリコンフタロシアニンのピ
ークが確認され、IRスペクトルでは、図11に示す様
に、1519、1070、829cm-1にジヒドロキシシリコンフタ
ロシアニン特有の吸収が見られ、ジヒドロキシシリコン
フタロシアニンと確認された。しかし、本合成例で得ら
れたジヒドロキシシリコンフタロシアニンは、合成例1
〜5で得られたジヒドロキシシリコンフタロシアニン
(1066、838cm-1に吸収がある)と比較し、吸収がシフ
トしていることから結晶形の違いがある。図12に本合成
例で得られたジヒドロキシシリコンフタロシアニンのX
線回折スペクトルを示す。2θ=7.1、9.3、12.8、15.
8、17.2、25.6、26.9゜にそれぞれピークを有する。構
造解析の結果、比較例合成例1の合成物は、本発明で規
定するジヒドロキシシリコンフタロシアニンとは格子定
数が明らかに異なるジヒドロキシシリコンフタロシアニ
ンであることが確認された。Mass Spectrum (Negative Measurement) and IR
As a result of structural analysis by (KBr method), a peak of dihydroxysilicon phthalocyanine was confirmed at m / z: 574 in the mass spectrum, and dihydroxy at 1519, 1070 and 829 cm -1 in the IR spectrum as shown in FIG. Absorption unique to silicon phthalocyanine was observed, and it was confirmed to be dihydroxysilicon phthalocyanine. However, the dihydroxysilicon phthalocyanine obtained in the present synthesis example is different from the synthesis example 1
Compared with the dihydroxysilicon phthalocyanine obtained in Nos. To 5 (1066, absorption at 838 cm -1 ), there is a difference in the crystal form due to the shift in absorption. FIG. 12 shows the X of the dihydroxysilicon phthalocyanine obtained in this synthesis example.
2 shows a line diffraction spectrum. 2θ = 7.1, 9.3, 12.8, 15.
It has peaks at 8, 17.2, 25.6, and 26.9 °, respectively. As a result of the structural analysis, it was confirmed that the synthesized product of Comparative Example Synthesis Example 1 was dihydroxysilicon phthalocyanine whose lattice constant was clearly different from the dihydroxysilicon phthalocyanine defined in the present invention.
【0082】比較合成例2(従来技術2:特開平6−2
14415号公報の合成例10) 合成例1で得たジクロロシリコンフタロシアニン3gを
濃硫酸80gに5℃にて溶解した後、0℃の水450g
中に徐々に滴下して結晶を析出させた。その後、水、希
アンモニア水、水で順次洗浄し、乾燥してジヒドロキシ
シリコンフタロシアニン2.6gを得た。Comparative Synthesis Example 2 (Prior Art 2: JP-A-6-2
Synthesis Example 10 of No. 14415) 3 g of the dichlorosilicon phthalocyanine obtained in Synthesis Example 1 was dissolved in 80 g of concentrated sulfuric acid at 5 ° C., and then 450 g of water at 0 ° C.
Crystals were precipitated by dropping gradually into the mixture. Thereafter, the resultant was sequentially washed with water, diluted ammonia water and water, and dried to obtain 2.6 g of dihydroxysilicon phthalocyanine.
【0083】マススペクトル(ネガティブ測定)とIR
(KBr法)で構造解析を行った結果、合成例1で得たジ
クロロシリコンフタロシアニンと同様のスペクトルが得
られ、ジヒドロキシシリコンフタロシアニンと確認され
た。このジヒドロキシシリコンフタロシアニン2.5g
を直径1mmのガラスビーズ100gと共にメチレンクロ
ライド60g中で24時間ボールミルで処理した後ろ別
した。Mass Spectrum (Negative Measurement) and IR
As a result of structural analysis by (KBr method), a spectrum similar to that of dichlorosilicon phthalocyanine obtained in Synthesis Example 1 was obtained, and it was confirmed to be dihydroxysilicon phthalocyanine. 2.5 g of this dihydroxy silicon phthalocyanine
Was ball milled for 24 hours in 60 g of methylene chloride with 100 g of glass beads having a diameter of 1 mm and then separated.
【0084】次いで、メチレンクロライドで洗浄し、乾
燥してジヒドロキシシリコンフタロシアニン1.8gを
得た。図13に得られたジヒドロキシシリコンフタロシ
アニンのX線回折スペクトルを示す。2θ=7.0、9.2、1
0.6、12.7、17.1、25.6、26.6゜にそれぞれピークを有
する。構造解析の結果、比較合成例2の合成物は、本発
明で規定するジヒドロキシシリコンフタロシアニンとは
格子定数が明らかに異なるジヒドロキシシリコンフタロ
シアニンであることが確認された。Next, the resultant was washed with methylene chloride and dried to obtain 1.8 g of dihydroxysilicon phthalocyanine. FIG. 13 shows an X-ray diffraction spectrum of the obtained dihydroxysilicon phthalocyanine. 2θ = 7.0, 9.2, 1
It has peaks at 0.6, 12.7, 17.1, 25.6, and 26.6 °, respectively. As a result of the structural analysis, it was confirmed that the synthetic product of Comparative Synthesis Example 2 was dihydroxysilicon phthalocyanine whose lattice constant was clearly different from the dihydroxysilicon phthalocyanine defined in the present invention.
【0085】実施例1 合成例3で製造した0.4gのジヒドロキシシリコンフ
タロシアニンを30gの4−メトキシ−4−メチルペンタ
ノン−2と共にサンドグラインドミルで6時間粉砕、微
粒子化分散処理を行った。次に、ポリビニルブチラール
(電気化学工業(株)製、デンカブチラール#6000C)
0.1gとフェノキシ樹脂(ユニオンカーバイド(株)
製、UCAR)0.1gの4−メトキシ−4−メチルペンタノ
ン−2溶液(10%)と混合して分散液を調製した。こ
の分散液をアルミニウム蒸着されたポリエステルフィル
ム上にバーコータにより塗布して乾燥し電荷発生層(乾
燥後の膜厚0.4mm)を設けた。次に、この電荷発生層
の上に、下記に示すスチルベンゼン 化合物(a)7.
0g及びポリカーボネート樹脂10gをTHF62gに溶
解させた溶液をアプリケーターにより塗布して乾燥し電
荷輸送層(乾燥後の膜厚20mm)を設けた。Example 1 0.4 g of dihydroxysilicone phthalocyanine produced in Synthesis Example 3 was pulverized together with 30 g of 4-methoxy-4-methylpentanone-2 by a sand grind mill for 6 hours, and subjected to fine particle dispersion treatment. Next, polyvinyl butyral (Denka Butyral # 6000C, manufactured by Denki Kagaku Kogyo KK)
0.1 g and phenoxy resin (Union Carbide Co., Ltd.)
(UCAR), 0.1 g of 4-methoxy-4-methylpentanone-2 solution (10%) to prepare a dispersion. This dispersion was applied onto a polyester film on which aluminum was deposited by a bar coater and dried to form a charge generation layer (film thickness after drying: 0.4 mm). Next, on this charge generation layer, the following stilbene compound (a) 7.
A solution in which 0 g and 10 g of a polycarbonate resin were dissolved in 62 g of THF was applied by an applicator and dried to form a charge transport layer (film thickness after drying: 20 mm).
【0086】実施例2〜4及び比較例1 下記の表7に記載の電荷発生材料およびスチルベンゼン
化合物を使用した以外は、実施例1と同様に感光体を作
成した。なお、表7中、(a)及び(b)は、次のスチ
ルベンゼン化合物を表す。Examples 2 to 4 and Comparative Example 1 Photoconductors were prepared in the same manner as in Example 1 except that the charge generating materials and stilbene compounds shown in Table 7 below were used. In Table 7, (a) and (b) represent the following stilbene compounds.
【0087】[0087]
【化25】 Embedded image
【0088】[0088]
【表7】 [Table 7]
【0089】次いで、静電複写紙試験装置(川口電気製
作所製「モデルEPA-8100」)を使用し、上記の各感光体
の初期電気特性(帯電電位、暗減衰、半減露光量感度、
残留電位)を評価した。評価法としては、暗所でコロナ
電流が22mAになる様に設定した印加電圧のコロナ放電
により感光体を負帯電させ(この際の表面電位を帯電電
位とする)、2.4秒後に780nmの単色光(1.0mW
/cm2)を10秒間連続的に露光して表面電位の減衰を
測定した(露光10秒後の表面電位を残留電位とす
る)。暗減衰は帯電1秒後に低下した電位とし、半減露
光量感度は表面電位が−450Vから−225Vに減少す
るのに要した露光量(E1/2)で求めた。結果を表8に示
す。Next, using an electrostatic copying paper tester ("Model EPA-8100" manufactured by Kawaguchi Electric Works), the initial electric characteristics (charging potential, dark decay, half-exposure sensitivity,
(Residual potential). As an evaluation method, the photoreceptor is negatively charged by corona discharge at an applied voltage set so that the corona current becomes 22 mA in a dark place (the surface potential at this time is referred to as a charged potential). Monochromatic light (1.0mW
/ cm 2 ) was continuously exposed for 10 seconds and the decay of the surface potential was measured (the surface potential after 10 seconds of exposure was defined as the residual potential). The dark decay was defined as a potential which decreased one second after charging, and the half-exposure sensitivity was determined by the exposure (E1 / 2) required for the surface potential to decrease from -450 V to -225 V. Table 8 shows the results.
【0090】[0090]
【表8】 [Table 8]
【0091】[0091]
【発明の効果】以上説明した本発明によれば、特に感度
特性および電荷保持性に優れた電子写真感光体が提供さ
れ、本発明の電子写真感光体は、プリンター、ファクシ
ミリ、複写機に有効に好適に使用することが出来る。According to the present invention described above, an electrophotographic photoreceptor having particularly excellent sensitivity characteristics and charge retention is provided. The electrophotographic photoreceptor of the present invention is effectively used for printers, facsimile machines, and copiers. It can be suitably used.
【図1】合成例3で得られたジヒドロキシシリコンフタ
ロシアニン化合物のX線回折図FIG. 1 is an X-ray diffraction diagram of a dihydroxysilicon phthalocyanine compound obtained in Synthesis Example 3.
【図2】合成例1で得られたジクロロシリコンフタロシ
アニン化合物のマススペクトル図FIG. 2 is a mass spectrum diagram of the dichlorosilicon phthalocyanine compound obtained in Synthesis Example 1.
【図3】合成例1で得られたジクロロシリコンフタロシ
アニン化合物のIRスペクトル図FIG. 3 is an IR spectrum of the dichlorosilicon phthalocyanine compound obtained in Synthesis Example 1.
【図4】合成例1で得られたジクロロシリコンフタロシ
アニン化合物のX線回折図FIG. 4 is an X-ray diffraction diagram of the dichlorosilicon phthalocyanine compound obtained in Synthesis Example 1.
【図5】合成例2で得られたジメトキシシリコンフタロ
シアニン化合物のマススペクトル図FIG. 5 is a mass spectrum diagram of the dimethoxysilicon phthalocyanine compound obtained in Synthesis Example 2.
【図6】合成例2で得られたジメトキシシリコンフタロ
シアニン化合物のX線回折図FIG. 6 is an X-ray diffraction diagram of the dimethoxysilicon phthalocyanine compound obtained in Synthesis Example 2.
【図7】合成例3で得られたジヒドロキシシリコンフタ
ロシアニン化合物のマススペクトル図FIG. 7 is a mass spectrum diagram of the dihydroxysilicon phthalocyanine compound obtained in Synthesis Example 3.
【図8】合成例3で得られたジヒドロキシシリコンフタ
ロシアニン化合物のIRスペクトル図FIG. 8 is an IR spectrum of the dihydroxysilicon phthalocyanine compound obtained in Synthesis Example 3.
【図9】合成例4で得られたジヒドロキシシリコンフタ
ロシアニン化合物のX線回折図FIG. 9 is an X-ray diffraction diagram of the dihydroxysilicon phthalocyanine compound obtained in Synthesis Example 4.
【図10】合成例5で得られたジヒドロキシシリコンフ
タロシアニン化合物のX線回折図FIG. 10 is an X-ray diffraction diagram of the dihydroxysilicon phthalocyanine compound obtained in Synthesis Example 5.
【図11】比較合成例1で得られたジヒドロキシシリコ
ンフタロシアニン化合物のIRスペクトル図FIG. 11 is an IR spectrum of the dihydroxysilicon phthalocyanine compound obtained in Comparative Synthesis Example 1.
【図12】比較合成例1で得られたジヒドロキシシリコ
ンフタロシアニン化合物のX線回折図FIG. 12 is an X-ray diffraction diagram of the dihydroxysilicon phthalocyanine compound obtained in Comparative Synthesis Example 1.
【図13】比較合成例2で得られたジヒドロキシシリコ
ンフタロシアニン化合物のX線回折図FIG. 13 is an X-ray diffraction diagram of the dihydroxysilicon phthalocyanine compound obtained in Comparative Synthesis Example 2.
Claims (2)
電子写真感光体において、電荷発生材料として、単斜晶
形で且つ格子定数a=12.8±1Å、b=14.5±1Å、c=
6.8±1Å、β=94.4±1゜を有するジヒドロキシシリコ
ンフタロシアニン化合物を使用し、電荷輸送材料として
スチルベン骨格を有する化合物を使用して成ることを特
徴とする電子写真感光体。1. An electrophotographic photoreceptor comprising a photosensitive layer formed on a conductive support, wherein the charge generating material is monoclinic and has a lattice constant a = 12.8 ± 1 °, b = 14.5 ± 1 °, c =
An electrophotographic photoreceptor comprising a dihydroxysilicon phthalocyanine compound having 6.8 ± 1 ° and β = 94.4 ± 1 °, and a compound having a stilbene skeleton as a charge transporting material.
電子写真感光体において、電荷発生材料として、X線回
折スペクトルにおいて、ブラッグ角2θ(±0.3゜)9.
2、14.1、15.3、19.7、27.1゜にピークを有するジヒド
ロキシシリコンフタロシアニン化合物を使用し、電荷輸
送材料としてスチルベン骨格を有する化合物を使用して
成ることを特徴とする電子写真感光体。2. An electrophotographic photoreceptor comprising a photosensitive layer formed on a conductive support, wherein, as a charge generating material, a Bragg angle 2θ (± 0.3 °) in an X-ray diffraction spectrum.
An electrophotographic photoreceptor comprising a dihydroxysilicon phthalocyanine compound having peaks at 2, 14.1, 15.3, 19.7, and 27.1 °, and a compound having a stilbene skeleton as a charge transporting material.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12815698A JPH11305465A (en) | 1998-04-21 | 1998-04-21 | Electrophotographic photoreceptor |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12815698A JPH11305465A (en) | 1998-04-21 | 1998-04-21 | Electrophotographic photoreceptor |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11305465A true JPH11305465A (en) | 1999-11-05 |
Family
ID=14977779
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP12815698A Withdrawn JPH11305465A (en) | 1998-04-21 | 1998-04-21 | Electrophotographic photoreceptor |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH11305465A (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8232031B2 (en) * | 2007-09-10 | 2012-07-31 | Ricoh Company, Ltd. | Naphthalenetetracarboxylic acid diimide derivative and electrophotographic photoconductor having the same |
-
1998
- 1998-04-21 JP JP12815698A patent/JPH11305465A/en not_active Withdrawn
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8232031B2 (en) * | 2007-09-10 | 2012-07-31 | Ricoh Company, Ltd. | Naphthalenetetracarboxylic acid diimide derivative and electrophotographic photoconductor having the same |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5156409B2 (en) | Single layer type electrophotographic photosensitive member and image forming apparatus | |
JPS63198067A (en) | Photosemiconductor material and electrophotographic sensitive body using same | |
JPS63116158A (en) | Photosemiconductor material and electrophotographic sensitive body prepared by using it | |
JP3619668B2 (en) | Electrophotographic photoreceptor | |
JPH01123868A (en) | Quasi-noncrystalline titanium phthalocyanine compound, its production and electrophotographic material | |
JP3219492B2 (en) | Electrophotographic photoreceptor | |
JPH11305465A (en) | Electrophotographic photoreceptor | |
JPH11305462A (en) | Electrophotographic photoreceptor | |
JP3642951B2 (en) | Electrophotographic photoreceptor | |
JPH11305460A (en) | Electrophotographic photoreceptor | |
JPH11327179A (en) | Electrophotographic photoreceptor | |
US6057071A (en) | Dihydroxysilicon compound and electrophotographic photoreceptor containing the compound | |
JPH11305469A (en) | Electrophotographic photoreceptor | |
JPH11305459A (en) | Electrophotographic photoreceptor | |
JP3929567B2 (en) | Novel silicon phthalocyanine compound and electrophotographic photoreceptor using the same | |
JP3859291B2 (en) | Electrophotographic photoreceptor using silicon phthalocyanine compound | |
JP3768310B2 (en) | Silicon phthalocyanine compound and electrophotographic photosensitive member using the same | |
JPH11305468A (en) | Electrophotographic photoreceptor | |
JPH11305461A (en) | Electrophotographic photoreceptor | |
JP3827034B2 (en) | Electrophotographic photoreceptor using silicon phthalocyanine compound | |
JP3737235B2 (en) | Germanium phthalocyanine compound and electrophotographic photoreceptor using the same | |
JP3966640B2 (en) | Novel silicon phthalocyanine compound and electrophotographic photoreceptor using the same | |
JP3189495B2 (en) | Metal phthalocyanine compound and electrophotographic photoreceptor using the same | |
JPH11305467A (en) | Electrophotographic photoreceptor | |
JP3781067B2 (en) | Method for producing dihydroxysilicon phthalocyanine compound |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20050705 |