JPH11305243A

JPH11305243A - 液晶表示装置

Info

Publication number: JPH11305243A
Application number: JP10641698A
Authority: JP
Inventors: Yoshiki Nakagawa; 芳樹中川
Original assignee: International Business Machines Corp
Current assignee: International Business Machines Corp
Priority date: 1998-04-16
Filing date: 1998-04-16
Publication date: 1999-11-05
Also published as: US6061105A

Abstract

(57)【要約】【課題】シール材の形状安定性を高めるのに適した高
誘電率フィラーを用いた場合に特有に生じる、シール材
を通る静電放電の問題を解決できる液晶表示装置を提供
する。【解決手段】アレイ基板１０と対向基板１２との間に
配置されるシール材４０は、樹脂材と、無機誘電体フィ
ラーとを含む。フィラーは、樹脂材の誘電率よりも大き
な誘電率を有する、タルク、マイカまたはアルミナのよ
うな材料からなり、板状または不定形の形状を有する。
アレイ基板１０は、絶縁層２８によって分離されたゲー
ト線２６およびデータ線２４を含む。ゲート線２６およ
びデータ線２４のうち、シール材側の絶縁層表面に位置
する線（例えば、データ線２４）は、シール材の位置に
到達する前に、絶縁層２８のバイア６２および導体線６
０により、シール材４０と反対側の絶縁層２８表面に導
出される。したがって、データ線は、シール材４０の位
置においては、絶縁層２８によってシール材４０から分
離され、シール材４０を通る静電放電を防止することが
できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は液晶表示装置に関し、更
に詳細に言えば、シール材を通る静電放電による破壊を
防止できるようにしたアクティブ・マトリクス型液晶表
示装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】先ず、図１〜図５を参照して従来のアク
テイブ・マトリクス型液晶表示装置の構成について説明
する。図１の（Ａ）は、アレイ基板１０およびカラー・
フィルタ（ＣＦ）基板すなわち対向基板１２を有するア
クテイブ・マトリクス型液晶表示装置の上面を示し、
（Ｂ）は側面を示している。図２は、アレイ基板１０の
構成を示している。図３は図２の矢印３−３の位置にお
ける液晶表示装置の断面を示している。図４は図２の矢
印４−４の位置における液晶表示装置の断面を示し、図
５は図２の矢印５−５の位置における液晶表示装置の断
面を示している。

【０００３】アレイ基板１０は、図２に示すように、ガ
ラス板のような支持基板１１上に形成された表示電極ま
たは画素電極１６の配列と、画素電極１６と対応して設
けられた薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）１４とを有する。
画素電極１６はインジウム・スズ酸化物（ＩＴＯ）のよ
うな透明金属で形成される。図３に示すように、この例
では、ＴＦＴ１４は、半導体層１９の下側にゲート電極
１８を有する逆スタガー構造のものとして示されてい
る。ゲート電極１８は支持基板１１上に形成され、同じ
く支持基板１１上に形成されたゲート線２６に接続され
る。ゲート線２６はシール材４０の位置を越えて水平方
向に延び、アウター・リード・ボンデイング（ＯＬＢ）
のための端子接続パッド３８に接続されている。ゲート
電極１８およびゲート線２６上には、ゲート絶縁層とし
ても働く、シリコン酸化物のような絶縁層２８が形成さ
れる。絶縁層２８の上には、アモルファス・シリコン、
多結晶シリコンのような半導体層１９がゲート電極１８
と対応する位置に形成されている。半導体層１９と接触
してドレイン電極２０およびソース電極２２が形成され
る。ソース電極２２は、関連する画素電極１６に接続さ
れる。画素電極１６を除く全表面は、窒化シリコンのよ
うな絶縁層３０で被覆されている。

【０００４】図２に示すように、ドレイン電極２０はデ
ータ線２４に接続される。データ線２４はシール材４０
の位置を越えて垂直方向に延び、ＯＬＢのための端子接
続パッド３６に接続されている。パッド３６および３８
は、液晶の駆動および制御のため、ＴＡＢ回路基板に接
続される。

【０００５】対向基板１２は、ガラス板のような支持基
板１３上にＩＴＯのような透明金属で形成された共通電
極３４およびカラー・フィルタ（図示せず）を有する。
対向基板１２は、アレイ基板１０と対向してアレイ基板
から所定の間隔で配置される。アレイ基板１０と対向基
板１２との間には、画素電極およびＴＦＴを含む表示領
域を取り囲むように、エポキシ樹脂のような重合体シー
ル材４０が配置される。シール材４０は通常、アレイ基
板１０と対向基板１２の間隔を規定するガラス・フイラ
メント・スペーサを含む。シール材４０によって封止さ
れた領域には液晶材３２の層が入れられる。

【０００６】絶縁層２８は、図４および図５に示すよう
に、シール材４０の位置を越えてパッド３６および３８
の付近まで延び、ゲート線２６を保護すると共に、ゲー
ト線２６とデータ線２４とを分離する下側の保護絶縁層
として働く。他方、絶縁層３０はアレイ基板の表面を保
護する上側の保護絶縁層として働く。上側絶縁層３０も
シール材４０の位置を越えてパッド３６および３８の付
近まで延びる。シール材４０は、共通電極３４と重なっ
ている。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】液晶表示装置は、製造
工程期間に、あるいは製造後パーソナル・コンピュータ
のような最終製品に組み込むまでの期間に、静電荷を蓄
積しやすく、シール材４０を通して静電放電を生じるこ
とがあることが判明した。このような静電放電は、共通
電極３４とデータ線２４との間でのみ生じ、共通電極３
４とゲート線２６との間では生じない。図４からわかる
ように、ゲート線２６は下側絶縁層２８と支持基板１１
との間に位置し、シール材４０とゲート線２６との間に
は、２つの絶縁層２８、３０が存在する。これに対し、
データ線２４は絶縁層２８と３０の間に位置し、シール
材４０とデータ線２４との間には、厚さ１０００Å程度
の絶縁層３０が存在するだけである。そのため、共通電
極３４とデータ線２４との間で優先的に静電放電が生じ
る。静電放電は、絶縁層３０の厚さを２０００Å程度に
厚くしても生じることが認められた。

【０００８】静電放電はシール材４０および上側絶縁層
３０を貫通して共通電極３４とデータ線２４との間で生
じる。静電放電が生じると、細いデータ線２４が破壊さ
れたり、放電路における樹脂の炭化および／またはデー
タ線金属の飛散により共通電極３４とデータ線２４との
間に短絡路が形成されたりすることがあり、歩留り低下
の原因になる。

【０００９】検討したところ、樹脂シール材に混入され
る粒状フィラーの誘電率、形状、寸法、シール材中にお
けるフィラーの分布が静電放電に関係しうることが判明
した。シール材は、例えば、樹脂材をシール塗布装置で
一方の基板に枠状に押し出し塗布し、その上に他方の基
板を重ねてシール材を押しつぶすことにより形成され
る。塗布時および押しつぶし後のシール材の形状安定性
を確保するため、一般に、樹脂材には無機誘電体材料か
らなるフィラーが混入される。押しつぶされたシール材
の幅が不均一になると、シール材と最も外側の画素との
間には、シール材の幅の変動を見越したスペースを置か
なければならず、有効表示領域を大きくできない。した
がって、フィラーの使用は、シール材の形状制御性を高
めるために必須である。

【００１０】典型的には、フィラーとしてシリカ粒子が
使用される。シリカは、その固有の結晶構造のため、一
般に球状の粒子として使用される。しかし球状のフィラ
ーはシール材の形状制御性の点であまり芳しくない。形
状制御性を改善するためには、タルク［Mg₃Si₄O₁₀(O
H)₂］のような材料からなる板状のフィラー、またはア
ルミナのような不定形状ないしは不規則形状のフィラー
を用いるのが好ましい。特に好ましいのは、板状のフィ
ラーである。しかし、これらのフィラーは樹脂材よりも
高い誘電率を有し、シリカ粒子ではほとんど生じなかっ
た静電放電の問題を生じうることが見い出された。

【００１１】シール材を通る静電放電のメカニズムは十
分に解明されたとはいえないが、次のような理由に基づ
くものと考えられる。すなわち、シリカは、シール材で
あるエポキシ樹脂の誘電率（約３．５−約５．０）と類
似した誘電率（約３．５−約４．５）を有する。したが
って、シリカ粒子がエポキシ樹脂中に不均一に分布した
としても、シール材における誘電率はほぼ一様であり、
したがって、電位分布もほぼ一様になる。これに対し、
タルクの誘電率は約９、アルミナの誘電率は約８−約１
０であり、エポキシ樹脂の誘電率よりもはるかに大き
い。また、板状または不定形のフィラーを用いる場合、
良好な形状制御性を得るためにはフィラーの寸法をある
程度大きくする必要がある。大きいフィラーはシール材
中に不均一に分布しやすい。したがって、タルクまたは
アルミナのようなフィラーがエポキシ樹脂中に不均一に
分布した場合は、シール材中における誘電率が不均一に
なり、電位分布も不均一になる。

【００１２】図６は、シール材４０中の板状タルク・フ
ィラー４４の状態を概略的に示している。フィラー４４
はエポキシ樹脂４２中に不均一に分布しており、位置４
６ではフィラー４４が重なっている。位置４６では、エ
ポキシ樹脂の厚さが非常に薄い。いま、簡単のために、
誘電率Ｅr、厚さｄrの樹脂材層と、誘電率Ｅf、厚さｄf
のフィラー材層とが積層されている単純化したモデルを
考える。樹脂層のキャパシタンスをＣr、樹脂層にかか
る電圧をＶr、フィラー層のキャパシタンスをＣf、フィ
ラー層にかかる電圧をＶf、面積をＳ、Ｖ＝Ｖr＋Ｖfと
すると、Ｑ＝Ｃr・Ｖr＝Ｃf・Ｖf、Ｃr＝Ｅo・Ｅr・Ｓ
／ｄr、Ｃf＝Ｅo・Ｅf・Ｓ／ｄf（Ｅo は真空中の誘電
率）から、次の関係が得られる。Ｖr：Ｖf＝Ｃf：Ｃr＝（Ｅf／ｄf）：（Ｅr／ｄr）樹脂にかかる電圧は比Ｒ(Vr)＝Ｖr／Ｖ＝Ｖr／（Ｖr＋
Ｖf）に比例する。Ｒ(Vr)＝（Ｅf／ｄf）／［（Ｅf／ｄf）＋（Ｅr／ｄr）］＝（Ｅf・ｄr）／（Ｅf・ｄr＋Ｅr・ｄf）単位厚さの樹脂にかかる電圧はＲ(Vr)／ｄr に比例す
る。

【００１３】したがって、単位厚さの樹脂にかかる電圧
は、フィラーの誘電率Ｅf が大きく、樹脂の厚さｄr が
薄くなるほど、大きくなる傾向がある。勿論、この単純
化したモデルが実際のシール材と対応するわけではない
が、特性の傾向を表すモデルとして考えることができ
る。位置４６における薄いエポキシ樹脂の両端には、単
位厚さ当り、他の部分のエポキシ樹脂よりも大きな電位
差がかかる。また、位置４６の下側のフィラーには微小
な突起がある。位置４６におけるような非常に薄い樹脂
層は、それ自体が、あるいは、フィラーの微小突起など
の他の要素との組み合わせで、シール材全体における"
特異点"を形成し、静電放電を誘起する要因となるもの
と考えられる。放電は位置４６の樹脂を貫通し、フィラ
ーの表面を伝わって進むと考えられる。不定形のアルミ
ナ・フィラーも、このような"特異点"を形成すれば、静
電放電を生じうる。

【００１４】もし高誘電率フィラーの寸法を小さくし、
樹脂シール材中にフィラーが均一に分布するようにすれ
ば、上述の静電放電は防止可能であろう。しかし、この
場合は形状制御性が損なわれる。また、図５の窒化シリ
コン層３０を２０００Åよりも十分に厚くすれば、図５
の構造でも静電放電を防止できるであろう。しかし、絶
縁層３０を厚くすると、付着およびパターニングに要す
る時間が長くなる、などの問題があり、好ましくない。
したがって、形状制御性に優れた高誘電率フィラー、特
に板状フィラーを用いた場合でも、静電放電の問題を簡
単に回避できることが望まれる。

【００１５】特開平０８−２９７９４号公報は、静電放
電による破壊を防止するために、導電性樹脂からなるシ
ール材を用いるようにした液晶表示装置を示している。

【００１６】特開平０９−１５２６２０号公報は、静電
放電による破壊を防止するために、導電性スペーサを含
有するシール材とシャント・トランジスタとの組み合わ
せを用いるようにした液晶表示装置を示している。

【００１７】特開平０５−１３４２６１号公報は、シー
ル材中に混入した、またはシール材の表面に付着した導
電性異物を通して生じる、共通電極と露出データ線との
間の短絡を防止するようにした液晶表示装置を示してい
る。シール材と絶縁膜との間のレベルに位置するデータ
線は、シール材と接触しないようにするため、シール材
の位置においてこの絶縁膜の下側を通るように経路を変
えられる。しかしこの従来技術は、シール材中における
高誘電率フィラーによって特有に生じる静電放電の問題
を認識していない。導電性異物それ自体を通る短絡は、
導電性異物を除去するするか、または露出データ線を薄
い絶縁層で被覆することにより解決できる。本発明が解
決を意図する静電放電の問題は、導電性異物を除去した
り、データ線を薄い絶縁層で被覆しても、解決できな
い。

【００１８】したがって、本発明の目的は、シール材の
形状安定性を高めるのに適した高誘電率フィラーを用い
た場合に特有に生じうる静電放電の問題を解決できる液
晶表示装置を提供することである。

【００１９】

【課題を解決するための手段】本発明の液晶表示装置
は、アレイ基板と、対向基板と、シール材とを有する。
アレイ基板は、支持基板、支持基板上に形成された複数
の表示電極または画素電極、支持基板上に形成され、一
方の通電電極が関連する表示電極に接続された薄膜トラ
ンジスタ（ＴＦＴ）、ＴＦＴのゲート電極に接続された
ゲート線、ＴＦＴの他方の通電電極に接続されたデータ
線、およびゲート線とデータ線との間に延びる絶縁層を
有する。対向基板は、共通電極を有し、アレイ基板と対
向してアレイ基板から所定の間隔で配置される。シール
材は、表示電極およびＴＦＴを含む表示領域を取り囲む
ようにアレイ基板と対向基板との間に配置される。シー
ル材によって封止された表示領域内には、液晶材が入れ
られる。前記絶縁層は、シール材の位置を越えて延びて
おり、またシール材側の第１の表面および支持基板側の
第２の表面を有する。ゲート線およびデータ線のうちの
一方の線は、前記絶縁層の第２の表面上にあって、シー
ル材の位置を越えてアレイ基板の第１の端子接続位置へ
延びる。他方の線は、表示領域においては前記絶縁層の
第１の表面上にあり、且つシール材の位置を越えてアレ
イ基板の第２の端子接続位置へ延びるようにされる。シ
ール材は、樹脂材と、この樹脂材よりも大きな誘電率を
有する板状または不定形の無機質誘電体フィラーとを含
む。前記他方の線は、シール材の位置に達する前にバイ
アにより前記絶縁層の第１の表面から第２の表面に導出
され、少なくともシール材の位置では前記絶縁層と支持
基板との間を通って延びるように構成される。

【００２０】前記他方の線は、シール材を越えた位置に
おいて前記絶縁層を貫通するバイアにより、前記絶縁層
の第２の表面から第１の表面に導出されてもよい。フィ
ラーは、タルク、アルミナおよびマイカからなる群から
選択されるのが好ましい。また、前記他方の線は、シー
ル材の位置を越えて延びるシリコン窒化物のような保護
層で被覆されるのが好ましい。

【００２１】

【発明の実施の形態】図７は、本発明の１実施例による
液晶表示装置の構造を示している。図７は、図２の矢印
５−５の位置における断面図であり、図５と対応する構
造を示している。残りの構造は、図１−図３に関して述
べたのと同様でよい。本発明においては、ガラス板のよ
うな支持基板１１上にゲート電極１８およびゲート線２
６（図２および図３）を形成するとき、シール材４０の
位置を横切って垂直に延びる導体線６０のパターンを支
持基板１１上に同時に形成する。導体線６０は、ゲート
電極１８およびゲート線２６と同じ材料でよい。例え
ば、導体線６０、ゲート電極１８およびゲート線２６
は、Ｍｏ−Ｗ合金ターゲットのスパッタリングによりＭ
ｏ−Ｗ合金層を全面付着し、この層をフオトリソグラフ
イツク・マスキングおよびエツチングによりパターニン
グすることによって形成することができる。導体線６０
は、データ線２４と対応して形成される。

【００２２】ゲート電極１８、ゲート線２６および導体
線６０を形成した後、ゲート絶縁層兼下側の保護絶縁層
として働くシリコン酸化物層２８を付着する。シリコン
酸化物層２８は、例えば、３０００Åの厚さに付着され
る。酸化物層２８は、シール材４０の位置を越えて延び
る。次に、表示領域の側の導体線６０の端部を露出させ
るように、フオトリソグラフイツク・マスキングおよび
エツチングにより酸化物層２８にバイア・ホール６２を
形成する。

【００２３】周知の技法に従って、酸化物層２８上に、
ＩＴＯからなる表示電極または画素電極１６の配列を形
成し、例えば、アモルファス・シリコンからなる半導体
層１９をゲート電極１８上に形成する。次に、例えば、
Ｍｏの下層、Ａｌの中間層およびＭｏの上層の３層から
なる複合層を全面に付着する。フオトリソグラフイツク
・マスキングおよびエツチングにより複合層をパターニ
ングし、ソース電極２２、ドレイン電極２０、およびデ
ータ線２４を形成する。ソース電極２２は画素電極１６
および半導体層１９と接続される。ドレイン電極２０お
よびデータ線２４は一体として形成される。データ線２
４はバイア・ホール６２を介して導体線６０と接続され
る。データ線２４は、シール材４０の位置に届かないう
ちに終端するようにパターニングされる。

【００２４】次に、画素電極１６の領域を除く領域上に
シリコン窒化物のような上側保護絶縁層３０を付着す
る。上側保護層３０は、シリコン窒化物の場合、例えば
１０００Åの厚さに付着される。上側保護層３０はシー
ル材４０の位置を越えて延びるように付着される。

【００２５】他方、周知のように、ガラス板のような支
持基板１３にカラー・フィルタ（図示せず）およびＩＴ
Ｏよりなる共通電極３４を形成し、対向基板１２を準備
する。その後、ガラス・フイラメント・スペーサおよび
無機質誘電体フイラーを含むシール用エポキシ樹脂材
を、例えば対向基板１２上にシール塗布装置により押し
出し塗布する。アレイ基板１０を対向基板１０上に位置
合わせし、圧力を加え、シール材を押しつぶす。シール
材４０は、共通電極３４と重なるように形成される。シ
ール材は、アレイ基板と対向基板とのギャップ間隔に相
当する直径を有するガラス・フイラメント・スペーサ
（例えば、５μｍのギャップに対しては、直径５μｍ、
長さ１０−２０μｍのスペーサ）を含むので、アレイ基
板と対向基板との間には、所望の間隔が設定される。実
際には、表示領域の間隔を保つために、表示領域にも高
さ５μｍの微小なスペーサが配置される。最後に、シー
ル材４０によって取り囲まれた領域に液晶材を封入す
る。なお、図では省略されているが、アレイ基板および
対向基板の、液晶と接する表面には、ポリイミドのよう
な液晶分子配向膜が形成される。

【００２６】ここで、粒状フィラーについて述べる。塗
布時および押しつぶし後のシール材４０の形状安定性を
改善するためには、板状、または不定形ないしは不規則
形の無機質誘電体フィラーを使用することが好ましい。
特に、板状のフィラーが好ましい。ここで、板状とは、
厚み寸法よりも横方向寸法すなわち厚み方向と直交する
方向の寸法の方が大きい形状であり、必ずしも表面が平
坦である必要はない。板状フィラーの寸法が基板間のギ
ャップに比べて小さ過ぎる場合は、良好な形状制御性が
得られない。良好な形状制御性を得るためには、一般
に、板状フィラーの厚さは、基板間のギャップ長Ｇに対
して０．２Ｇ−０．４Ｇ程度が好ましく、横方向寸法
は、１Ｇ−４Ｇ程度が好ましい。ギャップ長Ｇが５μｍ
の場合、厚さが約１−２μｍ、横方向寸法が約５−２０
μｍの板状フィラーが好ましい。

【００２７】板状フィラーとしては、例えば、タルク
（誘電率約９）またはマイカ（誘電率約６−約９）など
が使用可能であり、好ましい材料はタルクである。不定
形のフィラーとしては、アルミナ（誘電率約８−約１
０）を使用しうる。アルミナ粒子の平均寸法は３μｍ程
度であるのが好ましい。フィラーは一般に、樹脂材に対
して１０−５０重量％程度混入される。

【００２８】図７に示すようにシール材４０と導体線６
０との間には、１０００Åの厚さのシリコン窒化物層３
０と３０００Åの厚さのシリコン酸化物層２８が存在
し、静電放電を効果的に防止することができた。上側の
絶縁層３０は任意の厚さでよいが、一般的には、上側保
護層として機能できるならば、薄い方が好ましい。下側
絶縁層の厚さも任意でよいが、重要なことは、上側絶縁
層と下側絶縁層の合計の厚さが静電放電を防止するのに
十分であることである。合計の厚さは３０００Å程度あ
ればほぼ十分であろう。もし設計条件が許すならば、上
側絶縁層を省略することも可能であろう。その場合は、
下側絶縁層が単独で静電放電を防止するのに十分な厚さ
にされる必要がある。勿論、上側絶縁層が存在する場
合、本発明は、静電放電を生じるような厚さの上側絶縁
層を有する液晶表示装置を対象とする。

【００２９】図８は本発明の別の実施例を示している。
図８の構造は図７と類似するが、次の点で異なる。すな
わち、導体線６０ａはシール材４０を越えた位置で終端
している。また、シール材４０を越えた位置にある下側
絶縁層２８のバイア・ホール６４によりデータ線２４と
導体線６０ａの端部が接続され、導体線６０ａは支持基
板１１と反対側の下側絶縁層２８の表面上に導出されて
いる。

【００３０】以上、特定の例について説明したが、種々
の変更が可能であることは容易に理解されよう。例え
ば、上記では、逆スタガー構造のＴＦＴを例示したが、
本発明は半導体層の上側にゲート電極を有するトップ・
ゲート型のＴＦＴを用いた液晶表示装置にも適用でき
る。この場合は、データ線とゲート線の位置が入れ替わ
り、ゲート線を図７または図８のように接続すればよ
い。また、本発明は、エポキシ樹脂と類似した誘電率を
有する任意の樹脂、例えばポリイミド樹脂、をシール材
として用いた液晶表示装置にも適用できる。さらに、本
発明は上側絶縁層としてシリコン窒化物を用いたものに
限られず、上側絶縁層として、他の知られている無機絶
縁層または有機絶縁層を用いた液晶表示装置における静
電放電を防止するのにも適用できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】液晶表示装置の上面と側面を示す図である。

【図２】液晶表示装置のアレイ基板の構成を示す図であ
る。

【図３】図２の矢印３−３の位置における液晶表示装置
の断面を示す図である。

【図４】図２の矢印４−４の位置における液晶表示装置
の断面を示す図である。

【図５】図２の矢印５−５の位置における液晶表示装置
の断面を示す図である。

【図６】シール材におけるフィラーの状態を例示する図
である。

【図７】本発明による液晶表示装置の、図２の矢印５−
５の位置に対応する位置における断面を示す図である。

【図８】別の実施例の構造を示す図である。

【符合の説明】

１０アレイ基板１１支持基板１２対向基板１３支持基板１４ＴＦＴ１６表示／画素電極１８ゲート電極２０ドレイン電極２２ソース電極２４データ線２６ゲート線２８シリコン酸化物層（下側保護絶縁層）３０シリコン窒化物層（上側保護絶縁層）３２液晶材層３４共通電極３６、３８パッド４０シール材４２樹脂材４４フィラー６０、６０ａ導体線６２、６４バイア

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】支持基板、前記支持基板上に形成された複
数の表示電極、前記支持基板上に形成され、一方の通電
電極が関連する表示電極に接続された薄膜トランジスタ
（ＴＦＴ）、前記ＴＦＴのゲート電極に接続されたゲー
ト線、前記ＴＦＴの他方の通電電極に接続されたデータ
線、および前記ゲート線とデータ線との間に延びる絶縁
層を有するアレイ基板と、共通電極を有し、前記アレイ基板と対向して前記アレイ
基板から所定の間隔で配置された対向基板と、前記表示電極および前記ＴＦＴを含む表示領域を取り囲
むように前記アレイ基板と前記対向基板との間に配置さ
れたシール材と、前記表示領域内に配置された液晶材とを有し、前記絶縁層は、前記シール材の位置を越えて延びてお
り、前記シール材側の第１の表面および前記支持基板側
の第２の表面を有し、前記ゲート線および前記データ線のうちの一方の線は、
前記絶縁層の前記第２の表面上にあって、前記シール材
の位置を越えて前記アレイ基板の第１の端子接続位置へ
延び、他方の線は、前記表示領域においては前記絶縁層の前記
第１の表面上にあり、且つ前記シール材の位置を越えて
前記アレイ基板の第２の端子接続位置へ延びるようにさ
れている液晶表示装置において、前記シール材は、樹脂材と、前記樹脂材よりも大きな誘
電率を有する板状または不定形の無機質誘電体フィラー
とを含み、前記他方の線は、前記シール材の位置に達する前にバイ
アにより前記絶縁層の前記第１の表面から前記第２の表
面に導出され、少なくとも前記シール材の位置では前記
絶縁層と前記支持基板との間を通って延びていることを
特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】前記フィラーが板状の形状を有することを
特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】前記表示電極が画素電極の配列からなるこ
とを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項４】前記他方の線が、前記シール材を越えた位
置において前記絶縁層を貫通するバイアにより、前記絶
縁層の前記第２の表面から前記第１の表面に導出されて
いることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項５】前記他方の線が保護層で被覆されており、
且つ前記保護層が前記シール材の位置を越えて延びてい
ることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項６】前記フィラーがタルク、アルミナおよびマ
イカからなる群から選択されることを特徴とする請求項
１に記載の液晶表示装置。
【請求項７】前記フィラーがタルクおよびマイカからな
る群から選択されることを特徴とする請求項２に記載の
液晶表示装置。
【請求項８】前記フィラーの厚さが０．２Ｇ−０．４Ｇ
（Ｇは、前記アレイ基板と前記対向基板との間の間隔）
であり、厚さ方向と直交する横方向の寸法が１Ｇ−４Ｇ
であることを特徴とする請求項２または７に記載の液晶
表示装置。
【請求項９】前記フィラーの厚さが１μｍ−２μｍであ
り、横方向の寸法が５μｍ−２０μｍであることを特徴
とする請求項２または７に記載の液晶表示装置。
【請求項１０】前記保護層が窒化シリコン層からなるこ
とを特徴とする請求項５に記載の液晶表示装置。
【請求項１１】前記窒化シリコン層の厚さが２０００Å
以下であることを特徴とする請求項９に記載の液晶表示
装置。