[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

JPH11297746A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

Info

Publication number
JPH11297746A
JPH11297746A JP10094915A JP9491598A JPH11297746A JP H11297746 A JPH11297746 A JP H11297746A JP 10094915 A JP10094915 A JP 10094915A JP 9491598 A JP9491598 A JP 9491598A JP H11297746 A JPH11297746 A JP H11297746A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
bonding
pad
wire
electrode
concave
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP10094915A
Other languages
English (en)
Inventor
Manabu Kondo
学 近藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
Priority to JP10094915A priority Critical patent/JPH11297746A/ja
Publication of JPH11297746A publication Critical patent/JPH11297746A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/02—Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L24/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/04042—Bonding areas specifically adapted for wire connectors, e.g. wirebond pads
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554—External layer
    • H01L2224/0555—Shape
    • H01L2224/05556—Shape in side view
    • H01L2224/05558—Shape in side view conformal layer on a patterned surface
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4807—Shape of bonding interfaces, e.g. interlocking features
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48095—Kinked
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/4845—Details of ball bonds
    • H01L2224/48451—Shape
    • H01L2224/48453—Shape of the interface with the bonding area
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01004—Beryllium [Be]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1015—Shape
    • H01L2924/10155—Shape being other than a cuboid
    • H01L2924/10157—Shape being other than a cuboid at the active surface
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/14—Integrated circuits

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】ＩＣチップのパッケージングに関して、従来の
ワイヤーボンディング方法にて微細パッドピッチあるい
は、面積の小さいパッド電極とのワイヤーボンディング
接合信頼性を向上させることを目的とする。 【解決手段】ＩＣ電極形状を従来のフラットなものから
凹型部分を形成させることにより、ワイヤーボンディン
グとの接合面積を向上させることにより、ボンディング
強度が向上する。また凹型パッドにボンディングワイヤ
ーを埋め込む形で結線することにより、隣間のボンディ
ングどうしが接触する危険を回避させることが可能とな
り、従来技術のままでボンディング接合信頼性を低下さ
せることなく微細パッドピッチのＩＣにも対応すること
ができる。 【効果】その課題は微細パッドピッチ及び、パッド面積
の小さいＩＣチップとのボンディング接合信頼性を向上
させることにある。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置(以下Ｉ
Ｃと呼ぶ)をパッケージングする際に外部リードとの結
線に使用されるワイヤーボンディングとの接合信頼性を
向上しうる構造に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来のＩＣパッドは、図１のような構造
をしていて、フラットなパッド表面１０２にボンディン
グワイヤー１０３が結線されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
構造では、配線の微細化に伴う多ピン化が進む一方でＩ
Ｃチップの小型化に伴いパッドピッチ及びパッド面積は
縮小される傾向にあり、これに伴うボンディング接合面
積の縮小化により、ボンディングの接合信頼性が低下す
るという問題を有していた。
【０００４】そこで本発明は上記問題点を解決するもの
であり、その課題は微細パッドピッチ及び、パッド面積
の小さいＩＣチップとのボンディング接合信頼性を向上
させることにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本電子部品は、上記問題
を解決するためにパッド構造を凹型に形成し、この凹部
側面にもパッド表面材質を形成させることによって、全
体のパッド表面積が大きくなるよう構成したものであ
る。
【０００６】
【作用】本発明の電子部品は、パッド表面積を縮小する
ことなく、パッドピッチ及びパッド開口面積を減らすこ
とが可能となり、ワイヤーボンディングの接合信頼性の
向上が図られ、ＩＣ部品自体の寿命に有利となる。
【０００７】
【発明の実施の形態】次に、本発明に関わる実施例を図
面を用いて説明する。
【０００８】（第１実施例）まず、本発明の第一実施例
を図２から図３を参照して説明する。図２を参照すると
ＩＣパッドに相当する部分が一部凹型となるようなＩＣ
チップを作製する。ここで図３を参照してパッケージン
グの際にはボール形成したボンディングワイヤーを一部
凹型に形成されたパッドに埋め込むように圧着し外部端
子との接続をおこなう。このとき金属ワイヤーのファー
ストボンディング部分では、パッドの表面かつ底面のみ
ならず凹部側面とも合金化が促進することによって、ボ
ンディングの接合総面積が増加し接合強度が向上する。
【０００９】（第２実施例）次に、図４から図５を参照
して本発明に関わる第２実施例を説明する。まず図４を
参照して説明するとＩＣパッドに相当する部分において
複数凹型（ディンプル状態）となるようなＩＣチップを
作製する。ここで図５を参照してパッケージングの際に
はボール形成したボンディングワイヤーを複数凹型に形
成されたパッドに埋め込むように圧着し外部端子との接
続をおこなう。このときボンディングワイヤーのファー
ストボンディング部分では、パッドの表面かつ底面のみ
ならず複数の凹部側面とも合金化が促進することによっ
て、ボンディングの接合総面積が増加し接合強度が向上
する。
【００１０】（第３実施例）次に、図６から図７を参照
して本発明に関わる第３実施例を説明する。まず、図６
を参照して説明するとＩＣパッドに相当する部分が全体
に凹型となるようなＩＣチップを作製する。ここで図７
を参照してパッケージングの際にはボール形成したボン
ディングワイヤーを凹型に形成されたパッドに全て埋め
込むように圧着し外部端子との接続をおこなう。このと
き金属ワイヤーのファーストボンディング部分では、パ
ッド底面及び凹部側面とも合金化が促進することによっ
て、ボンディングの接合総面積が増加し接合強度が向上
する。またファーストボールは全体が凹部パッドに埋め
込まれる形状になることから、隣間パッドのボンディン
グワイヤー（もしくはファーストボール）と接触する危
険を回避することも可能であることから、従来までのワ
イヤーボンディング技術で容易にパッドピッチの微細化
に対応することが可能である。
【００１１】
【発明の効果】こうして凹型パッドに結線されたワイヤ
ーボンディングは、従来のワイヤーボンディング技術の
ままでさらなる微細パッドピッチＩＣに対応することが
可能でありかつボンディング接合信頼性を向上させるこ
とができるため、部品全体の寿命を延ばすことが可能と
なる。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来から使用されているＩＣチップと外部端子
への結線方法を示す概念図である。
【図２】第１実施例に基づいた本発明の電子部品を製造
するために使用するＩＣチップ電極（パッド部分）の断
面図を示したものである。
【図３】第１実施例に基づいた本発明の電子部品を製造
するために使用するＩＣチップ電極（パッド部分）及び
ボンディングワイヤー結線状態の断面図を示したもので
ある。
【図４】第２実施例に基づいた本発明の電子部品を製造
するために使用するＩＣチップ電極（パッド部分）の断
面図を示したものである。
【図５】第２実施例に基づいた本発明の電子部品を製造
するために使用するＩＣチップ電極（パッド部分）及び
ボンディングワイヤー結線状態の断面図を示したもので
ある。
【図６】第３実施例に基づいた本発明の電子部品を製造
するために使用するＩＣチップ電極（パッド部分）の断
面図を示したものである。
【図７】第３実施例に基づいた本発明の電子部品を製造
するために使用するＩＣチップ電極（パッド部分）及び
ボンディングワイヤー結線状態の断面図を示したもので
ある。
【符号の説明】
１０１・・・・・ＩＣチップ １０２・・・・・ＩＣチップ電極（パッド） １０３・・・・・ボンディングワイヤー １０４・・・・・外部端子 ２０１・・・・・一部凹型電極 ３０１・・・・・一部凹型電極に結線したボンディング
ワイヤー ４０１・・・・・複数凹型（ディンプル）電極 ５０１・・・・・複数凹型（ディンプル）電極に結線し
たボンディングワイヤー ６０１・・・・・完全凹型電極 ７０１・・・・・完全凹型電極に結線したボンディング
ワイヤー

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】ＩＣチップにおいて凹型の電極(パッド)を
    形成させることによりパッド表面積の増大がなされてい
    ることを特徴とする半導体装置。
  2. 【請求項２】ＩＣチップにおいて凹型の電極(パッド)を
    形成させることにより埋め込み方式のワイヤーボンディ
    ングを可能とすることを特徴とする半導体装置。
JP10094915A 1998-04-07 1998-04-07 半導体装置 Withdrawn JPH11297746A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10094915A JPH11297746A (ja) 1998-04-07 1998-04-07 半導体装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10094915A JPH11297746A (ja) 1998-04-07 1998-04-07 半導体装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH11297746A true JPH11297746A (ja) 1999-10-29

Family

ID=14123308

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP10094915A Withdrawn JPH11297746A (ja) 1998-04-07 1998-04-07 半導体装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH11297746A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1494280A1 (en) * 2003-07-01 2005-01-05 STMicroelectronics, Inc. System and method for increasing the strength of a bond made by a small diameter wire in a ball bonding
EP2339622A1 (en) * 2009-12-23 2011-06-29 Nxp B.V. Wirebonding Process

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1494280A1 (en) * 2003-07-01 2005-01-05 STMicroelectronics, Inc. System and method for increasing the strength of a bond made by a small diameter wire in a ball bonding
JP2005026691A (ja) * 2003-07-01 2005-01-27 Stmicroelectronics Inc ボールボンディングにおいて小径ワイヤにより構成されたボンドの強度を増加するシステム及び方法
US6908787B2 (en) 2003-07-01 2005-06-21 Stmicroelectronics, Inc. System and method for increasing the strength of a bond made by a small diameter wire in ball bonding
US7265452B2 (en) 2003-07-01 2007-09-04 Stmicroelectronics, Inc. System and method for increasing the strength of a bond made by a small diameter wire in ball bonding
US7482260B2 (en) 2003-07-01 2009-01-27 Stmicroelectronics, Inc. System and method for increasing the strength of a bond made by a small diameter wire in ball bonding
EP2339622A1 (en) * 2009-12-23 2011-06-29 Nxp B.V. Wirebonding Process

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8089141B1 (en) Semiconductor package having leadframe with exposed anchor pads
US6130115A (en) Plastic encapsulated semiconductor device and method of manufacturing the same
US8035221B2 (en) Clip mount for integrated circuit leadframes
US6900524B1 (en) Resin molded semiconductor device on a lead frame and method of manufacturing the same
US5708304A (en) Semiconductor device
JP2005057067A (ja) 半導体装置およびその製造方法
KR20000039786A (ko) 볼 그리드 어레이 패키지
US20030104655A1 (en) Semiconductor integrated circuit package, semiconductor apparatus provided with a plurality of semiconductor integrated circuit packages, method of inspecting semiconductor integrated circuit package and method of fabricating semiconductor integrated circuit package
JP2002198482A (ja) 半導体装置およびその製造方法
JP2000091488A (ja) 樹脂封止型半導体装置とそれに用いられる回路部材
KR100253376B1 (ko) 칩 사이즈 반도체 패키지 및 그의 제조 방법
JPH11297746A (ja) 半導体装置
JP3639302B2 (ja) 樹脂封止型半導体装置
US7317244B2 (en) Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP2000196005A (ja) 半導体装置
JP2001267484A (ja) 半導体装置およびその製造方法
JPS63152161A (ja) 半導体装置
JP3174238B2 (ja) 半導体装置およびその製造方法
JP2007180077A (ja) 半導体装置
KR940008340B1 (ko) 반도체 장치용 리이드 프레임
JP2003197828A (ja) 樹脂封止型半導体装置
KR200249560Y1 (ko) 비·엘·피 및 이를 이용한 패키지 스택
JP3153185B2 (ja) 半導体装置
KR20020024654A (ko) 적층형 반도체 팩키지 유니트 및, 적층형 반도체 팩키지
JP2018137315A (ja) リードフレームおよび半導体装置

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Withdrawal of application because of no request for examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 20050607