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JPH11295172A - 半導体圧力センサ - Google Patents

半導体圧力センサ

Info

Publication number
JPH11295172A
JPH11295172A JP10093260A JP9326098A JPH11295172A JP H11295172 A JPH11295172 A JP H11295172A JP 10093260 A JP10093260 A JP 10093260A JP 9326098 A JP9326098 A JP 9326098A JP H11295172 A JPH11295172 A JP H11295172A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
adhesive
sensor chip
young
modulus
sensor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP10093260A
Other languages
English (en)
Inventor
Mineichi Sakai
峰一 酒井
Yasutoshi Suzuki
康利 鈴木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Denso Corp
Original Assignee
Denso Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Denso Corp filed Critical Denso Corp
Priority to JP10093260A priority Critical patent/JPH11295172A/ja
Priority to US09/287,012 priority patent/US6169316B1/en
Publication of JPH11295172A publication Critical patent/JPH11295172A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01LMEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L19/00Details of, or accessories for, apparatus for measuring steady or quasi-steady pressure of a fluent medium insofar as such details or accessories are not special to particular types of pressure gauges
    • G01L19/14Housings
    • G01L19/145Housings with stress relieving means
    • G01L19/146Housings with stress relieving means using flexible element between the transducer and the support
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01LMEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L19/00Details of, or accessories for, apparatus for measuring steady or quasi-steady pressure of a fluent medium insofar as such details or accessories are not special to particular types of pressure gauges
    • G01L19/14Housings
    • G01L19/147Details about the mounting of the sensor to support or covering means

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Child & Adolescent Psychology (AREA)
  • Measuring Fluid Pressure (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 接着剤によりセンサチップをパッケージ内に
固定してなる半導体圧力センサにおいて、センサチップ
の温度特性を良好にし、かつ圧力リークを防止する。 【解決手段】 センサチップ2の底面とケース1内の底
面との間に、ヤング率が1×104 Pa以下の接着剤
(例えば、シリコーン系ゲル)3aを介在させ、センサ
チップ2の側面とケース1内の内周面との間に、ヤング
率が1×106 Pa以上の接着剤(例えば、シリコーン
系接着剤またはエポキシ系接着剤)3bを充填した。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体圧力センサ
に関する。
【0002】
【従来の技術および発明が解決しようとする課題】従
来、半導体圧力センサにおいて、接着剤によりセンサチ
ップをパッケージ内に固定するようにしたものがある。
この場合、接着剤としてシリコーン接着剤あるいはエポ
キシ接着剤などを用いると、センサチップとパッケージ
の熱膨張係数差により発生する応力によってセンサチッ
プの温度特性が悪化するという問題がある。
【0003】このため、特開平6−120527号公報
には、接着剤として、接着後に柔軟性を有する接着剤、
例えばシリコーン系ゲルを用い、センサチップの温度特
性を悪化させないようにしたものが提案されている。し
かしながら、この場合には、圧力リークの問題が生じ
る。本発明は上記問題に鑑みたもので、接着剤によりセ
ンサチップをパッケージ内に固定してなる半導体圧力セ
ンサにおいて、センサチップの温度特性を良好にし、か
つ圧力リークを防止することを目的とする。
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、上記した
課題を解決するため、接着剤のヤング率に着目し、図2
に示す構成の半導体圧力センサを用いて、接着剤のヤン
グ率と圧力リークの発生率、接着剤のヤング率と感度温
度係数の関係について調査し、図3、図4に示す結果を
得た。なお、図2において、1はケース、1aは圧力導
入孔、2はセンサチップ、2aはダイヤフラム、3は接
着剤である。また、圧力リークの発生率の測定において
は、圧力導入孔1aから導入される圧力測定媒体の圧力
を350mmH2 Oとした。
【0005】図3に示す結果から、接着剤3のヤング率
が1×106 Pa以上であれば、圧力リークが発生しな
いことが分かる。また、図4に示す結果から、接着剤3
のヤング率が1×104 Pa以下であれば、センサチッ
プの温度特性が良好であることが分かる。従って、ヤン
グ率の異なる2種類の接着剤を用いれば、センサチップ
の温度特性を良好にし、かつ圧力リークを防止すること
が可能になる。
【0006】しかしながら、ヤング率の異なる2種類の
接着剤をセンサチップに対してどのように用いるかが問
題となる。本発明者等は、この点について鋭意検討し、
センサチップの底面の面積が、通常、側面の面積より数
倍(例えば3倍)程度大きいことから、センサチップの
底面に低ヤング率の接着剤を用いればセンサチップの温
度特性を良好とし、センサチップの側面に高ヤング率の
接着剤を用いればセンサチップの温度特性に影響を与え
ることなく、圧力リークを防止することができるのでは
ないかと考えた。
【0007】本発明は上記検討を基になされたもので、
請求項1に記載の発明においては、センサチップの底面
とパッケージ内の底面との間にヤング率が1×104
a以下の接着剤を介在させ、センサチップの側面とパッ
ケージ内の内周面との間にヤング率が1×106 Pa以
上の接着剤を充填したことを特徴としている。このよう
にセンサチップの底面とパッケージ内の底面との間に低
ヤング率の接着剤を介在させることによりセンサチップ
の温度特性を良好にすることができ、またセンサチップ
の側面とパッケージ内の内周面との間を高ヤング率の接
着剤で充填することによって、圧力リークを防止するこ
とができる。
【0008】なお、センサチップの側面とパッケージ内
の内周面との間に充填される接着剤のヤング率の上限値
は、その接着剤によってセンサチップの温度特性に影響
を与えないようにする値に制限される。上記した接着剤
としては、請求項2に記載したように、ヤング率が1×
104Pa以下の接着剤に対してシリコーン系ゲルを用
いることができ、ヤング率が1×106 Pa以上の接着
剤に対してシリコーン系接着剤またはエポキシ系接着剤
を用いることができる。
【0009】なお、上記した本発明と類似した構造を有
する半導体圧力センサとして、特開平8−240498
号公報に記載されたものがあるが、このものは腐食性ガ
スの圧力を検出する場合に、その腐食性ガスによって浸
食されない接着剤をセンサチップと実装基板の間に介在
させたものであって、本発明のように、2種類のヤング
率の異なる接着剤を用いて、センサチップの温度特性と
圧力リークの改善を図ったものとは技術的思想が異な
る。
【0010】
【発明の実施の形態】以下、本発明を図に示す実施形態
について説明する。図1に、本発明の一実施形態にかか
る半導体圧力センサの断面構成を示す。半導体圧力セン
サは、パッケージとしての金属のケース1内にセンサチ
ップ2が固定して構成されている。
【0011】ケース1は、圧力導入孔1aを有してお
り、この圧力導入孔1aから空気、窒素などの腐食性の
ない圧力測定媒体がセンサチップ2に導入されるように
なっている。なお、このケース1には、図示しないが、
センサチップ2などが取り付けられた後、上部に蓋が接
着剤により取り付けられるようになっている。センサチ
ップ2は、シリコン基板を用いて構成されており、圧力
測定媒体の圧力によって変位するダイヤフラム2aと、
ダイヤフラム2aの変位に応じて抵抗値が変化するピエ
ゾ抵抗2bと、表面に形成された酸化膜2cと、ピエゾ
抵抗2bのアルミ配線2dとを有している。そして、ア
ルミ配線2dから図示しないワイヤ線を介して外部の電
気回路と電気接続されている。
【0012】このセンサチップ2は、ヤング率が1×1
4 Pa以下の接着剤3aによってケース1内の底面の
上に固定されている。この接着剤3aとしては、ヤング
率が1×103 Paのシリコーン系ゲルを用いることが
できる。そして、この低ヤング率の接着剤3aを使用す
ることにより、センサチップ2とケース1間に発生する
熱膨張差に起因する応力を吸収し、センサチップ2の温
度特性を良好にすることができる。
【0013】また、センサチップ2の側面とケース1内
の内周面との間は、ヤング率が1×106 Pa以上の接
着剤3bによって充填されている。この接着剤3bとし
ては、ヤング率が1.1×106 Paのシリコーン系接
着剤またはヤング率が1.1×106 Paのエポキシ系
接着剤を用いることができる。そして、この高ヤング率
の接着剤3bを使用することにより、圧力リークを防止
することができる。
【0014】なお、接着剤3a、3bとしては、上記し
たヤング率の関係を満たすものであれば、他の接着剤を
用いてもよい。例えば、接着剤3aとしては、シリコー
ン系ゲル以外にエポキシ系ゲルを用いることができる。
但し、この実施形態のようにケース1の上部に蓋を接着
剤(具体的には、低融点ガラス)で取り付ける場合に
は、エポキシ系ゲルを用いると蓋を取り付ける接着剤に
悪影響がでるため、この点からすればシリコーン系ゲル
を用いるのが好ましい。
【0015】また、上記した実施形態においては、セン
サチップ2の下側から圧力が導入される構成の半導体圧
力センサについて示したが、センサチップ2の上側から
圧力が導入される構成の半導体圧力センサにも同様に適
用することができる。この場合、図1に示すものと同
様、センサチップ2の底面に低ヤング率の接着剤3aを
用い、センサチップ2の側面に高ヤング率の接着剤3b
を用いて構成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施形態を示す半導体圧力センサの
断面構成図である。
【図2】本発明者等が実験に用いた半導体圧力センサの
概略的な断面構成を示す図である。
【図3】接着剤のヤング率と圧力リークの発生率の関係
を示す図である。
【図4】接着剤のヤング率と感度温度係数の関係を示す
図である。
【符号の説明】
1…ケース、2…センサチップ、3a…低ヤング率の接
着剤、3b…高ヤング率の接着剤。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 センサチップを接着剤によりパッケージ
    内に固定した半導体圧力センサにおいて、 前記センサチップの底面と前記パッケージ内の底面との
    間に、ヤング率が1×104 Pa以下の接着剤を介在さ
    せ、前記センサチップの側面と前記パッケージ内の内周
    面との間に、ヤング率が1×106 Pa以上の接着剤を
    充填したことを特徴とする半導体圧力センサ。
  2. 【請求項2】 前記ヤング率が1×104 Pa以下の接
    着剤は、シリコーン系ゲルであり、前記ヤング率が1×
    106 Pa以上の接着剤は、シリコーン系接着剤または
    エポキシ系接着剤であることを特徴とする請求項1に記
    載の半導体圧力センサ。
JP10093260A 1998-04-06 1998-04-06 半導体圧力センサ Pending JPH11295172A (ja)

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US09/287,012 US6169316B1 (en) 1998-04-06 1999-04-06 Semiconductor pressure sensor including sensor chip fixed to package by adhesive

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009025082A (ja) * 2007-07-18 2009-02-05 Denso Corp 圧力センサ
JP2012225852A (ja) * 2011-04-21 2012-11-15 Denso Corp センサ装置
JP2015219095A (ja) * 2014-05-16 2015-12-07 アズビル株式会社 差圧センサおよび差圧センサの製造方法

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001326367A (ja) * 2000-05-12 2001-11-22 Denso Corp センサおよびその製造方法
DE10206464A1 (de) * 2002-02-16 2003-08-28 Micronas Gmbh Verfahren zur Herstellung einer Sensor- oder Aktuatoranordnung sowie Sensor- oder Aktuatoranordnung
JP2003247903A (ja) * 2002-02-21 2003-09-05 Denso Corp 圧力センサ
US7024937B2 (en) * 2003-12-03 2006-04-11 Honeywell International Inc. Isolated pressure transducer
DE102004006201B4 (de) * 2004-02-09 2011-12-08 Robert Bosch Gmbh Drucksensor mit Siliziumchip auf einer Stahlmembran
WO2006053213A1 (en) * 2004-11-09 2006-05-18 University Of Florida Research Foundation, Inc. Methods and articles incorporating local stress for performance improvement of strained semiconductor devices
FR2918747A1 (fr) * 2007-07-12 2009-01-16 St Microelectronics Sa Microcapteur de pression
US8124953B2 (en) * 2009-03-12 2012-02-28 Infineon Technologies Ag Sensor device having a porous structure element
US8937380B1 (en) 2013-08-30 2015-01-20 Infineon Technologies Austria Ag Die edge protection for pressure sensor packages
US9366593B2 (en) * 2013-09-27 2016-06-14 Infineon Technologies Ag Pressure sensor package with integrated sealing
JP2015224903A (ja) * 2014-05-26 2015-12-14 株式会社東芝 圧力センサ、マイクロフォン、超音波センサ、血圧センサ及びタッチパネル
DE102014119396A1 (de) * 2014-12-22 2016-06-23 Endress + Hauser Gmbh + Co. Kg Druckmesseinrichtung
CN104748905A (zh) * 2015-03-27 2015-07-01 武汉飞恩微电子有限公司 同时检测空调制冷剂温度和压力的传感器装置
ITUB20154017A1 (it) * 2015-09-30 2017-03-30 St Microelectronics Srl Dispositivo incapsulato di materiale semiconduttore a ridotta sensibilita' nei confronti di stress termo-meccanici
DE102015121401A1 (de) * 2015-12-09 2017-06-14 ETO SENSORIC GmbH Drucksensorvorrichtung
KR102105613B1 (ko) * 2016-04-04 2020-04-29 알프스 알파인 가부시키가이샤 정전 용량식 센서
EP3559748B1 (en) * 2016-12-22 2023-03-29 ASML Netherlands B.V. A lithographic apparatus comprising an object with an upper layer having improved resistance to peeling off
JP6462050B2 (ja) * 2017-06-23 2019-01-30 株式会社鷺宮製作所 センサチップの接合構造、および、圧力センサ
DE102017222393A1 (de) 2017-12-11 2019-06-13 Robert Bosch Gmbh Sensorbaugruppe und Verfahren zur Herstellung einer Sensorbaugruppe

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01301180A (ja) 1988-05-30 1989-12-05 Mitsubishi Electric Corp 半導体加速度センサの組立方法
JPH06120527A (ja) 1992-10-05 1994-04-28 Fujikura Ltd 半導体圧力センサ
JP3362530B2 (ja) * 1993-12-16 2003-01-07 セイコーエプソン株式会社 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法
JPH0875580A (ja) * 1994-09-06 1996-03-22 Mitsubishi Electric Corp 半導体圧力センサ
JPH08193897A (ja) * 1995-01-19 1996-07-30 Mitsubishi Electric Corp 半導体圧力センサ
JPH08240498A (ja) 1995-03-03 1996-09-17 Omron Corp 半導体圧力センサ及びそれを用いたガスメータ
JPH09199549A (ja) * 1996-01-22 1997-07-31 Denso Corp ワイヤボンディング方法
US5948991A (en) * 1996-12-09 1999-09-07 Denso Corporation Semiconductor physical quantity sensor device having semiconductor sensor chip integrated with semiconductor circuit chip

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009025082A (ja) * 2007-07-18 2009-02-05 Denso Corp 圧力センサ
JP2012225852A (ja) * 2011-04-21 2012-11-15 Denso Corp センサ装置
JP2015219095A (ja) * 2014-05-16 2015-12-07 アズビル株式会社 差圧センサおよび差圧センサの製造方法

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Publication number Publication date
US6169316B1 (en) 2001-01-02

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