JPH1126790A - 半導体薄膜及びその製造方法並びに薄膜太陽電池 - Google Patents
半導体薄膜及びその製造方法並びに薄膜太陽電池Info
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- JPH1126790A JPH1126790A JP9179534A JP17953497A JPH1126790A JP H1126790 A JPH1126790 A JP H1126790A JP 9179534 A JP9179534 A JP 9179534A JP 17953497 A JP17953497 A JP 17953497A JP H1126790 A JPH1126790 A JP H1126790A
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
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- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 有害なＣｄ廃棄物を排出させないで、光収集
効率を高く維持した半導体薄膜及びその製造方法並びに
それを用いた薄膜太陽電池を提供する。 【解決手段】 （ＩｎxＧａ1-x）（ＳｅyＳ1-y）z ［式
中、ｘ及びｙは、０〜１の値であり、そして、ｚは、１
〜１．５の値である。］固溶体を主体としてなる半導体
薄膜とする。この半導体薄膜は、基板上にカルコパイラ
イト構造の半導体層、バッファー層及び透明電極層を順
次有する太陽電池における、バッファー層として用いら
れる。
効率を高く維持した半導体薄膜及びその製造方法並びに
それを用いた薄膜太陽電池を提供する。 【解決手段】 （ＩｎxＧａ1-x）（ＳｅyＳ1-y）z ［式
中、ｘ及びｙは、０〜１の値であり、そして、ｚは、１
〜１．５の値である。］固溶体を主体としてなる半導体
薄膜とする。この半導体薄膜は、基板上にカルコパイラ
イト構造の半導体層、バッファー層及び透明電極層を順
次有する太陽電池における、バッファー層として用いら
れる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体薄膜及びそ
の製造方法並びにそれを太陽電池のバッファー層として
用いた薄膜太陽電池に関する。
の製造方法並びにそれを太陽電池のバッファー層として
用いた薄膜太陽電池に関する。
【０００２】
【従来の技術】図２は、従来のカルコパイライト型太陽
電池の断面概略説明図である。図２に示すように、ガラ
ス板基板１に電極としてＭｏ膜２が形成され、その上
に、ＣｕＩｎＳｅ2 膜３よりなるカルコパイライト構造
のｐ型半導体層が形成されている。そして、このｐ型半
導体層上に、バッファー層として、ＣｄＳ膜４よりなる
ｎ型半導体層が形成され、さらに、ＺｎＯ膜５よりなる
透明電極層が形成されている。
電池の断面概略説明図である。図２に示すように、ガラ
ス板基板１に電極としてＭｏ膜２が形成され、その上
に、ＣｕＩｎＳｅ2 膜３よりなるカルコパイライト構造
のｐ型半導体層が形成されている。そして、このｐ型半
導体層上に、バッファー層として、ＣｄＳ膜４よりなる
ｎ型半導体層が形成され、さらに、ＺｎＯ膜５よりなる
透明電極層が形成されている。
【０００３】このように、カルコパイライト型太陽電池
のバッファー層として、一般的に、ＣｄＳ（バンドギャ
ップ：２．４ｅＶ）の薄膜が使用されている。このＣｄ
Ｓの薄膜は、応用物理第６２巻第２号（１９９３年２月
発行）、第１３９〜１４２頁に記載されているように、
主として、溶液成長法と呼ばれる湿式法により成膜され
ている。
のバッファー層として、一般的に、ＣｄＳ（バンドギャ
ップ：２．４ｅＶ）の薄膜が使用されている。このＣｄ
Ｓの薄膜は、応用物理第６２巻第２号（１９９３年２月
発行）、第１３９〜１４２頁に記載されているように、
主として、溶液成長法と呼ばれる湿式法により成膜され
ている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、このような従
来のカルコパイライト型太陽電池は、その製造時及び廃
棄時に有害なＣｄ廃棄物を排出するので、環境保全の観
点から問題がある。最近では、Ｃｄの代替物として、Ｉ
ｎのカルコゲン化物が提案されているが、このＩｎのカ
ルコゲン化物は、例えば、Ｉｎ2Ｓｅ3のバンドギャップ
が１．７０ｅＶであるように、そのバンドギャップがＣ
ｄＳのバンドギャップ（２．４ｅＶ）と比べて小さいの
で、光収集効率が低下するという問題がある。
来のカルコパイライト型太陽電池は、その製造時及び廃
棄時に有害なＣｄ廃棄物を排出するので、環境保全の観
点から問題がある。最近では、Ｃｄの代替物として、Ｉ
ｎのカルコゲン化物が提案されているが、このＩｎのカ
ルコゲン化物は、例えば、Ｉｎ2Ｓｅ3のバンドギャップ
が１．７０ｅＶであるように、そのバンドギャップがＣ
ｄＳのバンドギャップ（２．４ｅＶ）と比べて小さいの
で、光収集効率が低下するという問題がある。
【０００５】また、カルコパイライト型太陽電池のバッ
ファー層として、ＺｎＸ−ＭｇＸ固溶体薄膜（Ｘ＝Ｓ、
Ｓｅ又はＴｅ）が提案されているが、変換効率が安定し
ない等の欠点があることが報告されている。
ファー層として、ＺｎＸ−ＭｇＸ固溶体薄膜（Ｘ＝Ｓ、
Ｓｅ又はＴｅ）が提案されているが、変換効率が安定し
ない等の欠点があることが報告されている。
【０００６】本発明は、かかる問題を解決することを目
的としている。即ち、本発明は、有害なＣｄ廃棄物を排
出させないで、光収集効率を高く維持した半導体薄膜及
びその製造方法並びにそれを用いた薄膜太陽電池を提供
することを目的とする。
的としている。即ち、本発明は、有害なＣｄ廃棄物を排
出させないで、光収集効率を高く維持した半導体薄膜及
びその製造方法並びにそれを用いた薄膜太陽電池を提供
することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】Ｉｎのカルコゲン化物で
あるＩｎ2Ｓｅ3のバンドギャップが１．７０ｅＶである
は、前述のとおりであるが、本発明者は、かかるＩｎの
カルコゲン化物にＳ又はＧａ或いはそれらの両方をドー
プしていくにつれて、次第にその膜のバンドギャップが
大きくなることを見出して、本発明を完成するに至っ
た。
あるＩｎ2Ｓｅ3のバンドギャップが１．７０ｅＶである
は、前述のとおりであるが、本発明者は、かかるＩｎの
カルコゲン化物にＳ又はＧａ或いはそれらの両方をドー
プしていくにつれて、次第にその膜のバンドギャップが
大きくなることを見出して、本発明を完成するに至っ
た。
【０００８】本第１発明は、半導体薄膜が（ＩｎxＧａ
1-x）（ＳｅyＳ1-y）z ［式中、ｘ及びｙは、０〜１の
値であり、そして、ｚは、１〜１．５の値である。］固
溶体を主体としてなることを特徴としている。
1-x）（ＳｅyＳ1-y）z ［式中、ｘ及びｙは、０〜１の
値であり、そして、ｚは、１〜１．５の値である。］固
溶体を主体としてなることを特徴としている。
【０００９】本第２発明は、本第１発明の半導体薄膜の
製造において、基板上にＩｎ、Ｇａ、Ｓｅ及びＳのうち
少なくとも２つ以上の元素をそれぞれ別々の蒸着源とし
て同時に蒸着することを特徴としている。
製造において、基板上にＩｎ、Ｇａ、Ｓｅ及びＳのうち
少なくとも２つ以上の元素をそれぞれ別々の蒸着源とし
て同時に蒸着することを特徴としている。
【００１０】本第３発明は、本第１発明の半導体薄膜の
製造において、基板上にＩｎ、Ｇａ、Ｓｅ及びＳを、そ
れらの元素の２つ以上を含む化合物並びにそれら個々の
元素の単体をそれぞれ別々の蒸着源として、同時に蒸着
することを特徴としている。
製造において、基板上にＩｎ、Ｇａ、Ｓｅ及びＳを、そ
れらの元素の２つ以上を含む化合物並びにそれら個々の
元素の単体をそれぞれ別々の蒸着源として、同時に蒸着
することを特徴としている。
【００１１】本第４発明は、本第３発明において、Ｉ
ｎ、Ｇａ、Ｓｅ及びＳを、ＩｎxＳ1-x（式中、ｘは、０
〜１の値である。）、Ｇａ、Ｓｅ及びＳをそれぞれ別々
の蒸着源として、同時に蒸着することを特徴としてい
る。
ｎ、Ｇａ、Ｓｅ及びＳを、ＩｎxＳ1-x（式中、ｘは、０
〜１の値である。）、Ｇａ、Ｓｅ及びＳをそれぞれ別々
の蒸着源として、同時に蒸着することを特徴としてい
る。
【００１２】本第５発明は、本第１発明において、基板
上にＩｎ、Ｇａ、Ｓｅ及びＳを、それらの２つ以上を含
む化合物をそれぞれ別々の蒸着源として、同時に蒸着す
ることを特徴としている。
上にＩｎ、Ｇａ、Ｓｅ及びＳを、それらの２つ以上を含
む化合物をそれぞれ別々の蒸着源として、同時に蒸着す
ることを特徴としている。
【００１３】本第６発明は、本第５発明において、Ｉ
ｎ、Ｇａ、Ｓｅ及びＳを、Ｉｎ2Ｓｅ3及びＧａ2Ｓｅ3を
別々の蒸着源として、同時に蒸着することを特徴として
いる。
ｎ、Ｇａ、Ｓｅ及びＳを、Ｉｎ2Ｓｅ3及びＧａ2Ｓｅ3を
別々の蒸着源として、同時に蒸着することを特徴として
いる。
【００１４】本第７発明は、本第１発明において、基板
上にＩｎ、Ｇａ、Ｓｅ及びＳの固溶体の蒸着源より蒸着
することを特徴としている。
上にＩｎ、Ｇａ、Ｓｅ及びＳの固溶体の蒸着源より蒸着
することを特徴としている。
【００１５】本第８発明は、本第１発明において、基板
上にＩｎ、Ｇａ、Ｓｅ及びＳの内の少なくとも３つの薄
膜を積層し、これを、真空雰囲気、不活性ガス雰囲気、
Ｓｅ雰囲気及びＳ雰囲気の内の少なくとも１つの雰囲気
中で、熱処理することを特徴としている。
上にＩｎ、Ｇａ、Ｓｅ及びＳの内の少なくとも３つの薄
膜を積層し、これを、真空雰囲気、不活性ガス雰囲気、
Ｓｅ雰囲気及びＳ雰囲気の内の少なくとも１つの雰囲気
中で、熱処理することを特徴としている。
【００１６】本第９発明は、本第１発明において、基板
上にＩｎ又はＧａの薄膜、或いは、それらの両方の薄膜
を積層し、これを、Ｓ雰囲気又はＳｅ雰囲気、或いは、
それら２つを組み合わせた雰囲気中で、熱処理すること
を特徴としている。
上にＩｎ又はＧａの薄膜、或いは、それらの両方の薄膜
を積層し、これを、Ｓ雰囲気又はＳｅ雰囲気、或いは、
それら２つを組み合わせた雰囲気中で、熱処理すること
を特徴としている。
【００１７】本第１０発明は、基板上にカルコパイライ
ト構造の半導体層、バッファー層及び透明電極層を順次
有する太陽電池において、バッファー層として、（Ｉｎ
x Ｇａ1-x）（ＳｅyＳ1-y）z［式中、ｘ及びｙは、０〜
１の値であり、そして、ｚは、１〜１．５の値であ
る。］固溶体を主体としてなる半導体薄膜を有すること
を特徴としている。
ト構造の半導体層、バッファー層及び透明電極層を順次
有する太陽電池において、バッファー層として、（Ｉｎ
x Ｇａ1-x）（ＳｅyＳ1-y）z［式中、ｘ及びｙは、０〜
１の値であり、そして、ｚは、１〜１．５の値であ
る。］固溶体を主体としてなる半導体薄膜を有すること
を特徴としている。
【００１８】本第１１発明は、本第１０発明において、
カルコパイライト構造の半導体層がＣｕＩｎＳｅ2、Ｃ
ｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ2、ＣｕＩｎ（Ｓ，Ｓｅ）2 、Ｃ
ｕ（Ｉｎ，Ｇａ）（Ｓ，Ｓｅ）2又はＣｕＩｎＳ2よりな
ることを特徴としている。
カルコパイライト構造の半導体層がＣｕＩｎＳｅ2、Ｃ
ｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ2、ＣｕＩｎ（Ｓ，Ｓｅ）2 、Ｃ
ｕ（Ｉｎ，Ｇａ）（Ｓ，Ｓｅ）2又はＣｕＩｎＳ2よりな
ることを特徴としている。
【００１９】本第１２発明は、本第１０又は１１発明に
おいて、透明電極層がＺｎＯ又はＺｎＯにＩＩＩｂ族元
素をドープした半導体薄膜よりなることを特徴としてい
る。
おいて、透明電極層がＺｎＯ又はＺｎＯにＩＩＩｂ族元
素をドープした半導体薄膜よりなることを特徴としてい
る。
【００２０】本第１３発明は、本第１２発明において、
ＩＩＩｂ族元素がＢ又はＡｌであることを特徴としてい
る。
ＩＩＩｂ族元素がＢ又はＡｌであることを特徴としてい
る。
【００２１】
【発明の実施の形態】本発明の太陽電池におけるカルコ
パイライト構造の半導体層を構成する化合物は、例え
ば、ＣｕＩｎＳｅ2 、ＣｕＩｎＳ2、Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇ
ａ）Ｓｅ2、ＣｕＩｎ（Ｓ，Ｓｅ）2、Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇ
ａ）（Ｓ，Ｓｅ）2又はＣｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓ 2 が挙げ
られるが、これらの化合物に限定されるものではなく、
本発明の目的に合致する限り、それら以外のカルコパイ
ライト構造の半導体層を構成する化合物をも含む。
パイライト構造の半導体層を構成する化合物は、例え
ば、ＣｕＩｎＳｅ2 、ＣｕＩｎＳ2、Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇ
ａ）Ｓｅ2、ＣｕＩｎ（Ｓ，Ｓｅ）2、Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇ
ａ）（Ｓ，Ｓｅ）2又はＣｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓ 2 が挙げ
られるが、これらの化合物に限定されるものではなく、
本発明の目的に合致する限り、それら以外のカルコパイ
ライト構造の半導体層を構成する化合物をも含む。
【００２２】本発明のＩｎ2（Ｓｅ1-xＳx）3による固溶
体膜の吸収端波長（ｎｍ）及びバンドギャップ（ｅＶ）
は、次の表１に示され、そして、それらの分光透過率を
測定した結果は、図１に示される。それぞれの膜厚は、
４０００Åである。
体膜の吸収端波長（ｎｍ）及びバンドギャップ（ｅＶ）
は、次の表１に示され、そして、それらの分光透過率を
測定した結果は、図１に示される。それぞれの膜厚は、
４０００Åである。
【００２３】
【表１】
【００２４】表１及び図１から、吸収端波長は、ｘが大
きくなると、端波長側に移動し、バンドギャップが広く
なることがわかる。太陽電池においては、膜のバンドギ
ャップが大きくなると、ｐ−ｎ接合界面に入射する光子
の数が増えるので、電流値が大きくなり、変換効率が向
上する。ただし、Ｔｒ＝０．５となる波長を吸収端波
長、これに相当するエネルギーをバンドギャップとし
た。これらの膜は、いずれも、ｎ型の伝導性を示し、抵
抗率も１０〜１０4 Ω・ｃｍとバッファー層に適した特
性を示している。
きくなると、端波長側に移動し、バンドギャップが広く
なることがわかる。太陽電池においては、膜のバンドギ
ャップが大きくなると、ｐ−ｎ接合界面に入射する光子
の数が増えるので、電流値が大きくなり、変換効率が向
上する。ただし、Ｔｒ＝０．５となる波長を吸収端波
長、これに相当するエネルギーをバンドギャップとし
た。これらの膜は、いずれも、ｎ型の伝導性を示し、抵
抗率も１０〜１０4 Ω・ｃｍとバッファー層に適した特
性を示している。
【００２５】
（実施例１）ソーダライムガラス基板にＭｏ薄膜を介し
て成膜されたＣｕＩｎＳｅ2 薄膜上に、基板温度１００
〜３００℃及び真空度１０-5torr以下に設定して、Ｉ
ｎ、Ｓｅ及びＳを３元同時蒸着させた。その際、これら
の蒸着源の蒸発レートをＩｎ；５Å／ｓ、Ｓｅ；１０Å
／ｓ、及び、Ｓ；５Å／ｓとし、約２分間蒸着を行った
ところ、膜厚約５００Å、Ｉｎ：Ｓｅ：Ｓ＝４０：５
０：１０の膜が成膜された。
て成膜されたＣｕＩｎＳｅ2 薄膜上に、基板温度１００
〜３００℃及び真空度１０-5torr以下に設定して、Ｉ
ｎ、Ｓｅ及びＳを３元同時蒸着させた。その際、これら
の蒸着源の蒸発レートをＩｎ；５Å／ｓ、Ｓｅ；１０Å
／ｓ、及び、Ｓ；５Å／ｓとし、約２分間蒸着を行った
ところ、膜厚約５００Å、Ｉｎ：Ｓｅ：Ｓ＝４０：５
０：１０の膜が成膜された。
【００２６】（実施例２）ソーダライムガラス基板にＭ
ｏ薄膜を介して成膜されたＣｕＩｎＳｅ2 薄膜上に、基
板温度１００〜３００℃、及び、真空度１０-5torr以下
に設定して、Ｉｎ 2Ｓｅ3及びＳを２元同時蒸着させた。
その際、これらの蒸着源の蒸発レートをＩｎ2Ｓｅ3；５
Å／ｓ、及び、Ｓ；５Å／ｓとし、約３分間蒸着を行っ
たところ、膜厚約５００Å、Ｉｎ：Ｓｅ：Ｓ＝４０：５
５：５の膜が成膜された。
ｏ薄膜を介して成膜されたＣｕＩｎＳｅ2 薄膜上に、基
板温度１００〜３００℃、及び、真空度１０-5torr以下
に設定して、Ｉｎ 2Ｓｅ3及びＳを２元同時蒸着させた。
その際、これらの蒸着源の蒸発レートをＩｎ2Ｓｅ3；５
Å／ｓ、及び、Ｓ；５Å／ｓとし、約３分間蒸着を行っ
たところ、膜厚約５００Å、Ｉｎ：Ｓｅ：Ｓ＝４０：５
５：５の膜が成膜された。
【００２７】（実施例３）ソーダライムガラス基板にＭ
ｏ薄膜を介して成膜されたＣｕＩｎＳｅ2 薄膜上に、基
板温度１００〜３００℃及び真空度１０-5 torr以下に
設定して、Ｉｎ2Ｓｅ3 及びＧａ2Ｓ3を２元同時蒸着さ
せた。その際、これらの蒸着源の蒸発レートをＩｎ2Ｓ
ｅ3；５Å／ｓ、及び、Ｇａ2Ｓ3；５Å／ｓとし、約４
分間蒸着を行ったところ、膜厚約５００Å、Ｉｎ：Ｇ
ａ：Ｓｅ：Ｓ＝３０：１０：５０：１０の膜が成膜され
た。
ｏ薄膜を介して成膜されたＣｕＩｎＳｅ2 薄膜上に、基
板温度１００〜３００℃及び真空度１０-5 torr以下に
設定して、Ｉｎ2Ｓｅ3 及びＧａ2Ｓ3を２元同時蒸着さ
せた。その際、これらの蒸着源の蒸発レートをＩｎ2Ｓ
ｅ3；５Å／ｓ、及び、Ｇａ2Ｓ3；５Å／ｓとし、約４
分間蒸着を行ったところ、膜厚約５００Å、Ｉｎ：Ｇ
ａ：Ｓｅ：Ｓ＝３０：１０：５０：１０の膜が成膜され
た。
【００２８】（実施例４）Ｉｎ、Ｇａ、Ｓｅ及びＳの単
体を石英管に挿入して１２００℃に加熱することによ
り、（Ｉｎ、Ｇａ）2（Ｓｅ、Ｓ）3バルクを作成した。
バルクの組成比は、Ｉｎ：Ｇａ：Ｓｅ：Ｓ＝３０：１
０：５０：１０であった。そして、ソーダライムガラス
基板にＭｏ薄膜を介して成膜されたＣｕＩｎＳｅ2 薄膜
上に、基板温度１００〜３００℃及び真空度１０-5torr
以下に設定して、前記バルクを蒸着源として用いて蒸着
させた。その際、蒸着源の蒸発レートを１０Å／ｓと
し、約２分間蒸着を行ったところ、膜厚約５００Å、Ｉ
ｎ：Ｇａ：Ｓｅ：Ｓ＝３０：１０：５０：１０の膜が成
膜された。
体を石英管に挿入して１２００℃に加熱することによ
り、（Ｉｎ、Ｇａ）2（Ｓｅ、Ｓ）3バルクを作成した。
バルクの組成比は、Ｉｎ：Ｇａ：Ｓｅ：Ｓ＝３０：１
０：５０：１０であった。そして、ソーダライムガラス
基板にＭｏ薄膜を介して成膜されたＣｕＩｎＳｅ2 薄膜
上に、基板温度１００〜３００℃及び真空度１０-5torr
以下に設定して、前記バルクを蒸着源として用いて蒸着
させた。その際、蒸着源の蒸発レートを１０Å／ｓと
し、約２分間蒸着を行ったところ、膜厚約５００Å、Ｉ
ｎ：Ｇａ：Ｓｅ：Ｓ＝３０：１０：５０：１０の膜が成
膜された。
【００２９】（実施例５）ソーダライムガラス基板にＭ
ｏ薄膜を介して成膜されたＣｕＩｎＳｅ2 薄膜上に、基
板温度１００〜３００℃及び真空度１０-5torr以下に設
定して、Ｉｎ、Ｓｅ及びＳの順でＩｎ；２００Å、Ｓ
ｅ；５００Å、及び、Ｓ；２００Åの膜厚に連続して積
層した。これを３００℃で熱処理したところ、膜厚約５
００Å、Ｉｎ：Ｓｅ：Ｓ＝４０：５０：１０の膜が成膜
された。
ｏ薄膜を介して成膜されたＣｕＩｎＳｅ2 薄膜上に、基
板温度１００〜３００℃及び真空度１０-5torr以下に設
定して、Ｉｎ、Ｓｅ及びＳの順でＩｎ；２００Å、Ｓ
ｅ；５００Å、及び、Ｓ；２００Åの膜厚に連続して積
層した。これを３００℃で熱処理したところ、膜厚約５
００Å、Ｉｎ：Ｓｅ：Ｓ＝４０：５０：１０の膜が成膜
された。
【００３０】（実施例６）ソーダライムガラス基板にＭ
ｏ薄膜を介して成膜されたＣｕＩｎＳｅ2 薄膜上に、基
板温度１００〜３００℃及び真空度１０-5torr以下に設
定して、Ｉｎを２００Åの膜厚に蒸着し、次に、Ｓｅ及
びＳを２元同時蒸着させた。その際、Ｓｅ及びＳの蒸着
源の蒸発レートをＳｅ；５Å／ｓ、及び、Ｓ；５Å／ｓ
とし、約３分間蒸着を行ったところ、膜厚約５００Å、
Ｉｎ：Ｓｅ：Ｓ＝４０：５０：１０の膜が成膜された。
ｏ薄膜を介して成膜されたＣｕＩｎＳｅ2 薄膜上に、基
板温度１００〜３００℃及び真空度１０-5torr以下に設
定して、Ｉｎを２００Åの膜厚に蒸着し、次に、Ｓｅ及
びＳを２元同時蒸着させた。その際、Ｓｅ及びＳの蒸着
源の蒸発レートをＳｅ；５Å／ｓ、及び、Ｓ；５Å／ｓ
とし、約３分間蒸着を行ったところ、膜厚約５００Å、
Ｉｎ：Ｓｅ：Ｓ＝４０：５０：１０の膜が成膜された。
【００３１】（実施例７）約１ｍｍ厚のガラス基板上
に、電極として、Ｍｏをスパッタ法で１．０μｍ厚に成
膜し、このＭｏ薄膜上に、Ｃｕ、Ｉｎ及びＳｅを３元同
時蒸着させて、ＣｕＩｎＳｅ2薄膜を約２μｍ厚に成膜
した。さらに、このＣｕＩｎＳｅ2薄膜上に、Ｉｎ及び
Ｓｅの２元同時蒸着により、Ｉｎ Ｓｅ 薄膜を約０．２
μｍ厚に成膜し、続いて、このＩｎ Ｓｅ 薄膜上に、ス
パッタ法でＺｎＯ：Ａｌ［ＺｎＯにＡｌを２〜３重量％
（以下、「ｗｔ％」という。）ドープしたもの］を約
１．０μｍ厚に成膜した。得られた太陽電池のソーラー
シュミレータによる０．１Ｗ／ｃｍ 2 の光照射下でのエ
ネルギー変換効率を測定したところ、そのエネルギー変
換効率は、９．３％であった。
に、電極として、Ｍｏをスパッタ法で１．０μｍ厚に成
膜し、このＭｏ薄膜上に、Ｃｕ、Ｉｎ及びＳｅを３元同
時蒸着させて、ＣｕＩｎＳｅ2薄膜を約２μｍ厚に成膜
した。さらに、このＣｕＩｎＳｅ2薄膜上に、Ｉｎ及び
Ｓｅの２元同時蒸着により、Ｉｎ Ｓｅ 薄膜を約０．２
μｍ厚に成膜し、続いて、このＩｎ Ｓｅ 薄膜上に、ス
パッタ法でＺｎＯ：Ａｌ［ＺｎＯにＡｌを２〜３重量％
（以下、「ｗｔ％」という。）ドープしたもの］を約
１．０μｍ厚に成膜した。得られた太陽電池のソーラー
シュミレータによる０．１Ｗ／ｃｍ 2 の光照射下でのエ
ネルギー変換効率を測定したところ、そのエネルギー変
換効率は、９．３％であった。
【００３２】（実施例８）約１ｍｍ厚のガラス基板上
に、裏面電極として、Ｍｏをスパッタ法で１．０μｍ厚
に成膜し、このＭｏ薄膜上に、Ｃｕ、Ｉｎ、Ｇａ及びＳ
ｅを４元同時蒸着させて、ＣｕＩｎ0.75Ｇａ0.25Ｓｅ2
薄膜を約２μｍ厚に成膜した。さらに、このＣｕＩｎ
0.75Ｇａ0.25Ｓｅ2薄膜上に、Ｉｎ2Ｓ3薄膜を真空蒸着
することにより、ＩｎＳ薄膜を約０．２μｍ厚に成膜
し、続いて、このＩｎＳ薄膜上に、スパッタ法でＺｎ
Ｏ：Ａｌ（ＺｎＯにＡｌを２〜３ｗｔ％ドープしたも
の）を約１．０μｍ厚に成膜した。得られた太陽電池の
ソーラーシュミレータによる０．１Ｗ／ｃｍ2 の光照射
下でのエネルギー変換効率を測定したところ、そのエネ
ルギー変換効率は、９．６％であった。
に、裏面電極として、Ｍｏをスパッタ法で１．０μｍ厚
に成膜し、このＭｏ薄膜上に、Ｃｕ、Ｉｎ、Ｇａ及びＳ
ｅを４元同時蒸着させて、ＣｕＩｎ0.75Ｇａ0.25Ｓｅ2
薄膜を約２μｍ厚に成膜した。さらに、このＣｕＩｎ
0.75Ｇａ0.25Ｓｅ2薄膜上に、Ｉｎ2Ｓ3薄膜を真空蒸着
することにより、ＩｎＳ薄膜を約０．２μｍ厚に成膜
し、続いて、このＩｎＳ薄膜上に、スパッタ法でＺｎ
Ｏ：Ａｌ（ＺｎＯにＡｌを２〜３ｗｔ％ドープしたも
の）を約１．０μｍ厚に成膜した。得られた太陽電池の
ソーラーシュミレータによる０．１Ｗ／ｃｍ2 の光照射
下でのエネルギー変換効率を測定したところ、そのエネ
ルギー変換効率は、９．６％であった。
【００３３】（実施例９）約１ｍｍ厚のガラス基板上
に、電極として、Ｍｏをスパッタ法で１．０μｍ厚に成
膜し、このＭｏ薄膜上に、真空蒸着法によりＣｕ薄膜及
びＩｎ薄膜をそれぞれ０．２μｍ厚及び０．５μｍ厚に
連続積層成膜し、そして、この積層体を硫黄雰囲気中に
おいて５５０℃で１時間加熱処理してＣｕＩｎＳ2 薄膜
を約２μｍ厚に成膜した。さらに、このＣｕＩｎＳ2 薄
膜上に、Ｉｎ、Ｓ及びＳｅの３元蒸着により、Ｉｎ
2（Ｓ，Ｓｅ）3薄膜を約０．２μｍ厚に成膜し、続い
て、このＩｎ 2 （Ｓ，Ｓｅ）薄膜上に、スパッタ法でＺ
ｎＯ：Ａｌ（ＺｎＯにＡｌを２〜３ｗｔ％ドープしたも
の）を約１．０μｍ厚に成膜した。得られた太陽電池の
ソーラーシュミレータによる０．１Ｗ／ｃｍ2 の光照射
下でのエネルギー変換効率を測定したところ、そのエネ
ルギー変換効率は、６．１％であった。
に、電極として、Ｍｏをスパッタ法で１．０μｍ厚に成
膜し、このＭｏ薄膜上に、真空蒸着法によりＣｕ薄膜及
びＩｎ薄膜をそれぞれ０．２μｍ厚及び０．５μｍ厚に
連続積層成膜し、そして、この積層体を硫黄雰囲気中に
おいて５５０℃で１時間加熱処理してＣｕＩｎＳ2 薄膜
を約２μｍ厚に成膜した。さらに、このＣｕＩｎＳ2 薄
膜上に、Ｉｎ、Ｓ及びＳｅの３元蒸着により、Ｉｎ
2（Ｓ，Ｓｅ）3薄膜を約０．２μｍ厚に成膜し、続い
て、このＩｎ 2 （Ｓ，Ｓｅ）薄膜上に、スパッタ法でＺ
ｎＯ：Ａｌ（ＺｎＯにＡｌを２〜３ｗｔ％ドープしたも
の）を約１．０μｍ厚に成膜した。得られた太陽電池の
ソーラーシュミレータによる０．１Ｗ／ｃｍ2 の光照射
下でのエネルギー変換効率を測定したところ、そのエネ
ルギー変換効率は、６．１％であった。
【００３４】（実施例１０）約１ｍｍ厚のガラス基板上
に、裏面電極として、Ｍｏをスパッタ法で１．０μｍ厚
に成膜し、このＭｏ薄膜上に、Ｃｕ、Ｉｎ及びＳｅを３
元同時蒸着させて、ＣｕＩｎＳｅ2 薄膜を約２μｍ厚に
成膜した。さらに、このＣｕＩｎＳｅ2 薄膜上に、Ｇａ
2Ｓｅ3を真空蒸着することにより、ＧａＳｅ薄膜を約
０．２μｍ厚に成膜し、続いて、このＧａＳｅ薄膜上に
スパッタ法でＺｎＯ：Ａｌ（ＺｎＯにＡｌを２〜３ｗｔ
％ドープしたもの）を約１．０μｍ厚に成膜した。得ら
れた太陽電池のソーラーシュミレータによる０．１Ｗ／
ｃｍ2 の光照射下でのエネルギー変換効率を測定したと
ころ、そのエネルギー変換効率は、９．１％であった。
に、裏面電極として、Ｍｏをスパッタ法で１．０μｍ厚
に成膜し、このＭｏ薄膜上に、Ｃｕ、Ｉｎ及びＳｅを３
元同時蒸着させて、ＣｕＩｎＳｅ2 薄膜を約２μｍ厚に
成膜した。さらに、このＣｕＩｎＳｅ2 薄膜上に、Ｇａ
2Ｓｅ3を真空蒸着することにより、ＧａＳｅ薄膜を約
０．２μｍ厚に成膜し、続いて、このＧａＳｅ薄膜上に
スパッタ法でＺｎＯ：Ａｌ（ＺｎＯにＡｌを２〜３ｗｔ
％ドープしたもの）を約１．０μｍ厚に成膜した。得ら
れた太陽電池のソーラーシュミレータによる０．１Ｗ／
ｃｍ2 の光照射下でのエネルギー変換効率を測定したと
ころ、そのエネルギー変換効率は、９．１％であった。
【００３５】（従来例１）約１ｍｍ厚のガラス基板上
に、裏面電極として、Ｍｏをスパッタ法で１．０μｍ厚
に成膜し、このＭｏ薄膜上に、Ｃｕ、Ｉｎ及びＳｅを３
元同時蒸着させて、ＣｕＩｎＳｅ2 薄膜を約２μｍ厚に
成膜した。さらに、このＣｕＩｎＳｅ2 薄膜上に真空蒸
着法でＣｄＳ薄膜を約０．４μｍ厚に成膜し、続いて、
このＣｄＳ薄膜上にスパッタ法でＺｎＯ：Ａｌ（ＺｎＯ
にＡｌを２〜３ｗｔ％ドープしたもの）を約１．０μｍ
厚に成膜した。得られた太陽電池のソーラーシュミレー
タによる０．１Ｗ／ｃｍ2 の光照射下でのエネルギー変
換効率を測定したところ、そのエネルギー変換効率は、
９．０％であった。
に、裏面電極として、Ｍｏをスパッタ法で１．０μｍ厚
に成膜し、このＭｏ薄膜上に、Ｃｕ、Ｉｎ及びＳｅを３
元同時蒸着させて、ＣｕＩｎＳｅ2 薄膜を約２μｍ厚に
成膜した。さらに、このＣｕＩｎＳｅ2 薄膜上に真空蒸
着法でＣｄＳ薄膜を約０．４μｍ厚に成膜し、続いて、
このＣｄＳ薄膜上にスパッタ法でＺｎＯ：Ａｌ（ＺｎＯ
にＡｌを２〜３ｗｔ％ドープしたもの）を約１．０μｍ
厚に成膜した。得られた太陽電池のソーラーシュミレー
タによる０．１Ｗ／ｃｍ2 の光照射下でのエネルギー変
換効率を測定したところ、そのエネルギー変換効率は、
９．０％であった。
【００３６】（従来例２）約１ｍｍ厚のガラス基板上
に、裏面電極として、Ｍｏをスパッタ法で１．０μｍ厚
に成膜し、このＭｏ薄膜上に、Ｃｕ、Ｉｎ、Ｇａ及びＳ
ｅを４元同時蒸着させて、ＣｕＩｎ0.75Ｇａ0.25Ｓｅ2
薄膜を約２μｍ厚に成膜した。さらに、このＣｕＩｎ
0.75Ｇａ0.25Ｓｅ2 薄膜上に真空蒸着法でＣｄＳ薄膜を
約０．４μｍ厚に成膜し、続いて、このＣｄＳ薄膜上
に、スパッタ法でＺｎＯ：Ａｌ（ＺｎＯにＡｌを２〜３
ｗｔ％ドープしたもの）を約１．０μｍ厚に成膜した。
得られた太陽電池のソーラーシュミレータによる０．１
Ｗ／ｃｍ2 の光照射下でのエネルギー変換効率を測定し
たところ、そのエネルギー変換効率は、９．５％であっ
た。
に、裏面電極として、Ｍｏをスパッタ法で１．０μｍ厚
に成膜し、このＭｏ薄膜上に、Ｃｕ、Ｉｎ、Ｇａ及びＳ
ｅを４元同時蒸着させて、ＣｕＩｎ0.75Ｇａ0.25Ｓｅ2
薄膜を約２μｍ厚に成膜した。さらに、このＣｕＩｎ
0.75Ｇａ0.25Ｓｅ2 薄膜上に真空蒸着法でＣｄＳ薄膜を
約０．４μｍ厚に成膜し、続いて、このＣｄＳ薄膜上
に、スパッタ法でＺｎＯ：Ａｌ（ＺｎＯにＡｌを２〜３
ｗｔ％ドープしたもの）を約１．０μｍ厚に成膜した。
得られた太陽電池のソーラーシュミレータによる０．１
Ｗ／ｃｍ2 の光照射下でのエネルギー変換効率を測定し
たところ、そのエネルギー変換効率は、９．５％であっ
た。
【００３７】（従来例３）約１ｍｍ厚のガラス基板上
に、電極として、Ｍｏをスパッタ法で１．０μｍ厚に成
膜し、このＭｏ薄膜上に、真空蒸着法によりＣｕ薄膜及
びＩｎ薄膜をそれそれ０．２μｍ厚及び０．５μｍ厚に
連続積層成膜し、そして、この積層体を硫黄雰囲気中に
おいて５５０℃で１時間加熱処理してＣｕＩｎＳ2 薄膜
を約２μｍ厚に成膜した。さらに、このＣｕＩｎＳ2 薄
膜上に真空蒸着法でＣｄＳ薄膜を約０．４μｍ厚に成膜
し、続いて、このＣｄＳ薄膜上に、スパッタ法でＺｎ
Ｏ：Ａｌ（ＺｎＯにＡｌを２〜３ｗｔ％ドープしたも
の）を約１．０μｍ厚に成膜した。得られた太陽電池の
ソーラーシュミレータによる０．１Ｗ／ｃｍ2 の光照射
下でのエネルギー変換効率を測定したところ、そのエネ
ルギー変換効率は、６．０％であった。
に、電極として、Ｍｏをスパッタ法で１．０μｍ厚に成
膜し、このＭｏ薄膜上に、真空蒸着法によりＣｕ薄膜及
びＩｎ薄膜をそれそれ０．２μｍ厚及び０．５μｍ厚に
連続積層成膜し、そして、この積層体を硫黄雰囲気中に
おいて５５０℃で１時間加熱処理してＣｕＩｎＳ2 薄膜
を約２μｍ厚に成膜した。さらに、このＣｕＩｎＳ2 薄
膜上に真空蒸着法でＣｄＳ薄膜を約０．４μｍ厚に成膜
し、続いて、このＣｄＳ薄膜上に、スパッタ法でＺｎ
Ｏ：Ａｌ（ＺｎＯにＡｌを２〜３ｗｔ％ドープしたも
の）を約１．０μｍ厚に成膜した。得られた太陽電池の
ソーラーシュミレータによる０．１Ｗ／ｃｍ2 の光照射
下でのエネルギー変換効率を測定したところ、そのエネ
ルギー変換効率は、６．０％であった。
【００３８】以上説明したように、本発明の構成によれ
ば、カルコパイライト型の結晶構造をもつｐ型半導体薄
膜、例えば、ＣｕＩｎＳｅ2 、Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ
2 、ＣｕＩｎＳ2 等の薄膜に、バッファー層として、従
来のＣｄＳ薄膜に代えて、Ｃｄを含まない、（ＩｎxＧ
ａ1-x）（ＳｅyＳ1-y）z ［式中、ｘ及びｙは、０〜１
の値であり、そして、ｚは、１〜１．５の値である。］
固溶体を主体としてなる半導体薄膜を接触させ、さら
に、この薄膜に、例えば、ＺｎＯ：Ａｌ薄膜を接触させ
ることにより、無公害でしかも従来のＣｄＳ薄膜使用時
と同等のエネルギー変換効率を発揮する太陽電池が得ら
れる。
ば、カルコパイライト型の結晶構造をもつｐ型半導体薄
膜、例えば、ＣｕＩｎＳｅ2 、Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ
2 、ＣｕＩｎＳ2 等の薄膜に、バッファー層として、従
来のＣｄＳ薄膜に代えて、Ｃｄを含まない、（ＩｎxＧ
ａ1-x）（ＳｅyＳ1-y）z ［式中、ｘ及びｙは、０〜１
の値であり、そして、ｚは、１〜１．５の値である。］
固溶体を主体としてなる半導体薄膜を接触させ、さら
に、この薄膜に、例えば、ＺｎＯ：Ａｌ薄膜を接触させ
ることにより、無公害でしかも従来のＣｄＳ薄膜使用時
と同等のエネルギー変換効率を発揮する太陽電池が得ら
れる。
【００３９】
【発明の効果】有害なＣｄ廃棄物を排出させないで、光
収集効率を高く維持した半導体薄膜及びその製造方法並
びにそれを用いた薄膜太陽電池を提供することができ
る。そして、同一真空装置内で各薄膜を成膜することが
できるので、工業的メリットも大きい。
収集効率を高く維持した半導体薄膜及びその製造方法並
びにそれを用いた薄膜太陽電池を提供することができ
る。そして、同一真空装置内で各薄膜を成膜することが
できるので、工業的メリットも大きい。
【図１】本発明のＩｎ2（Ｓｅ1-xＳx）3 固溶体薄膜の
分光透過率を示す図である。
分光透過率を示す図である。
【図２】従来のカルコパイライト型太陽電池の断面概略
説明図である。
説明図である。
１ ガラス基板 ２ Ｍｏ膜 ３ ＣｕＩｎＳｅ2 膜 ４ ＣｄＳ膜 ５ ＺｎＯ膜
Claims (13)
- 【請求項１】 （ＩｎxＧａ1-x）（ＳｅyＳ1-y）z ［式
中、ｘ及びｙは、０〜１の値であり、そして、ｚは、１
〜１．５の値である。］固溶体を主体としてなることを
特徴とする半導体薄膜。 - 【請求項２】 基板上にＩｎ、Ｇａ、Ｓｅ及びＳのうち
少なくとも２つ以上の元素をそれぞれ別々の蒸着源とし
て同時に蒸着することを特徴とする請求項１記載の半導
体薄膜の製造方法。 - 【請求項３】 基板上にＩｎ、Ｇａ、Ｓｅ及びＳを、そ
れらの元素の２つ以上を含む化合物並びにそれら個々の
元素の単体をそれぞれ別々の蒸着源として、同時に蒸着
することを特徴とする請求項１記載の半導体薄膜の製造
方法。 - 【請求項４】 Ｉｎ、Ｇａ、Ｓｅ及びＳを、ＩｎxＳ1-x
（式中、ｘは、０〜１の値である。）、Ｇａ、Ｓｅ及び
Ｓをそれぞれ別々の蒸着源として、同時に蒸着すること
を特徴とする請求項３記載の半導体薄膜の製造方法。 - 【請求項５】 基板上にＩｎ、Ｇａ、Ｓｅ及びＳを、そ
れらの２つ以上を含む化合物をそれぞれ別々の蒸着源と
して、同時に蒸着することを特徴とする請求項１記載の
半導体薄膜の製造方法。 - 【請求項６】 Ｉｎ、Ｇａ、Ｓｅ及びＳを、Ｉｎ2Ｓｅ3
及びＧａ2Ｓｅ3を別々の蒸着源として、同時に蒸着する
ことを特徴とする請求項５記載の半導体薄膜の製造方
法。 - 【請求項７】 基板上にＩｎ、Ｇａ、Ｓｅ及びＳの固溶
体の蒸着源より蒸着することを特徴とする請求項１記載
の半導体薄膜の製造方法。 - 【請求項８】 基板上にＩｎ、Ｇａ、Ｓｅ及びＳの内の
少なくとも３つの薄膜を積層し、これを、真空雰囲気、
不活性ガス雰囲気、Ｓｅ雰囲気及びＳ雰囲気の内の少な
くとも１つの雰囲気中で、熱処理することを特徴とする
請求項１記載の半導体薄膜の製造方法。 - 【請求項９】 基板上にＩｎ又はＧａの薄膜、或いは、
それらの両方の薄膜を積層し、これを、Ｓ雰囲気又はＳ
ｅ雰囲気、或いは、それら２つを組み合わせた雰囲気中
で、熱処理することを特徴とする請求項１記載の半導体
薄膜の製造方法。 - 【請求項１０】 基板上にカルコパイライト構造の半導
体層、バッファー層及び透明電極層を順次有する太陽電
池において、バッファー層として、（ＩｎxＧａ1-x）
（ＳｅyＳ1-y）z［式中、ｘ及びｙは、０〜１の値であ
り、そして、ｚは、１〜１．５の値である。］固溶体を
主体としてなる半導体薄膜を有することを特徴とする太
陽電池。 - 【請求項１１】 カルコパイライト構造の半導体層がＣ
ｕＩｎＳｅ2 、ＣｕＩｎＳ2、Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓ
ｅ2、ＣｕＩｎ（Ｓ，Ｓｅ）2 、Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）
（Ｓ，Ｓｅ）2又はＣｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓ2よりなること
を特徴とする請求項１０記載の太陽電池。 - 【請求項１２】 透明電極層がＺｎＯ又はＺｎＯにＩＩ
Ｉｂ族元素をドープした半導体薄膜よりなることを特徴
とする請求項１０又は１１記載の太陽電池。 - 【請求項１３】 ＩＩＩｂ族元素がＢ又はＡｌであるこ
とを特徴とする請求項１２記載の太陽電池。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9179534A JPH1126790A (ja) | 1997-07-04 | 1997-07-04 | 半導体薄膜及びその製造方法並びに薄膜太陽電池 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9179534A JPH1126790A (ja) | 1997-07-04 | 1997-07-04 | 半導体薄膜及びその製造方法並びに薄膜太陽電池 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1126790A true JPH1126790A (ja) | 1999-01-29 |
Family
ID=16067444
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9179534A Withdrawn JPH1126790A (ja) | 1997-07-04 | 1997-07-04 | 半導体薄膜及びその製造方法並びに薄膜太陽電池 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1126790A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102008024230A1 (de) * | 2008-05-19 | 2009-11-26 | Avancis Gmbh & Co. Kg | Schichtsystem für Solarzellen |
| JP2015523728A (ja) * | 2012-06-20 | 2015-08-13 | サン−ゴバン グラス フランスＳａｉｎｔ−Ｇｏｂａｉｎ Ｇｌａｓｓ Ｆｒａｎｃｅ | 薄膜太陽電池用の層体 |
-
1997
- 1997-07-04 JP JP9179534A patent/JPH1126790A/ja not_active Withdrawn
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102008024230A1 (de) * | 2008-05-19 | 2009-11-26 | Avancis Gmbh & Co. Kg | Schichtsystem für Solarzellen |
| WO2009141132A2 (de) * | 2008-05-19 | 2009-11-26 | Avancis Gmbh & Co. Kg | Schichtsystem für solarzellen |
| WO2009141132A3 (de) * | 2008-05-19 | 2010-08-19 | Saint-Gobain Glass France S.A. | Schichtsystem für solarzellen |
| CN102099929A (zh) * | 2008-05-19 | 2011-06-15 | 法国圣戈班玻璃厂有限公司 | 用于太阳能电池的层系统 |
| JP2011521463A (ja) * | 2008-05-19 | 2011-07-21 | サン−ゴバン グラス フランス エス アー | 太陽電池用層システム |
| KR101335810B1 (ko) * | 2008-05-19 | 2013-12-03 | 쌩-고벵 글래스 프랑스 | 태양 전지용 층 시스템 |
| US8962995B2 (en) | 2008-05-19 | 2015-02-24 | Saint Gobain Glass France | Layer system for solar cells |
| JP2015523728A (ja) * | 2012-06-20 | 2015-08-13 | サン−ゴバン グラス フランスＳａｉｎｔ−Ｇｏｂａｉｎ Ｇｌａｓｓ Ｆｒａｎｃｅ | 薄膜太陽電池用の層体 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20040907 |