JPH1126465A

JPH1126465A - 導電体を銅導体の接続表面に接続する方法、集積回路、および、ビアを通って延びる電気的接続

Info

Publication number: JPH1126465A
Application number: JP19060597A
Authority: JP
Inventors: R Aren Rin; アール．アレンリン
Original assignee: Sharp Corp; Sharp Microelectronics Technology Inc
Current assignee: Sharp Corp; Sharp Microelectronics Technology Inc
Priority date: 1997-06-30
Filing date: 1997-06-30
Publication date: 1999-01-29

Abstract

(57)【要約】【課題】集積回路において、銅などの低抵抗金属を用
いて電気的接続を提供することのできるシステムを提供
する。【解決手段】接続表面領域を有する銅導体の上に位置
する絶縁層に接続用の開口を形成するプロセスにおい
て、酸化物の形成を防止する方法が提供される。接続領
域に隣接する窒化誘電体材料と、窒化層に隣接する第２
の絶縁材料とを含む、少なくとも２つの層が銅接続領域
を覆って堆積される。第２の絶縁体の領域は、窒化膜ま
で延びる接続用の開口を部分的に形成するために選択的
に除去される。次いで、窒化層、および窒化層を覆うい
ずれかの層の領域が選択的に除去され、第２の層に形成
された開口と位置合わせされた開口部を形成する。完成
した接続用の開口は、絶縁層全体を通り接続領域まで延
びる。窒化層は、窒化層の上に位置する層が除去される
ときに酸化を生じさせるプロセスから銅を保護する。本
発明は、接続領域に窒化膜が隣接した、銅接続領域の上
に位置する少なくとも２つの層を集積回路に設ける。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、概して、集積回路
に関する。より詳細には、集積回路において銅導体を覆
う誘電体材料にビアを形成するシステムおよびその方法
に関する。

【０００２】

【従来の技術】集積回路および半導体の製造に用いられ
る導電性のインターコネクトは、現在研究が進められて
いる領域である。低抵抗で、揮発プロセス環境への耐性
を有するインターコネクトおよびビアが求められてい
る。集積回路の製造において、アルミニウムおよびタン
グステン金属が、電気的に活性な領域の間にインターコ
ネクションまたはビアを形成するためにしばしば用いら
れる。特別な取り扱いを要する銅とは異なり、これらの
金属は製造環境において使用が容易であるために頻繁に
用いられている。アルミニウムは、約２．６５μΩｃｍ
と非常に良好な抵抗を有している。プロセス中に意図せ
ずに形成される酸化アルミニウムは良好な電気的接続を
妨げるが、これを除去するのは比較的容易である。タン
グステンは約６μΩｃｍと抵抗が高いが、タングステン
は、その使用を望ましくする利点を有している。タング
ステンの利点には、エレクトロマイグレーションに対す
る耐性を有すること、すなわち、電子機械的集積度の維
持性があること、および周囲の材料への拡散性に対する
耐性があることが挙げられる。集積回路において用いら
れる金属の相対的な利点についてのさらなる情報は、Un
iversity of New MexicoのMark J. Hampden-Smithおよ
びTovia T. Kodas、「Copper Etching: New Chemical A
pproaches」、MRS Bulletin、1993年２月23日、第２頁
に見出される。

【０００３】銅は、アルミニウムの約１０倍の非常に良
好なエレクトロマイグレーションに対する耐性を有す
る。さらに、銅は、約１．６７μΩｃｍと非常に低い抵
抗を有している。銅の１つの問題点は、酸化されやす
く、またその酸化物の除去が困難であることである。酸
化された銅表面は、別の導体との間に信頼性のある接続
を形成する妨げとなる。従って、酸化は導電性を損な
う。集積回路（ＩＣ）が複雑になると、プロセス工程が
増加し、接続表面が意図せずに酸化される可能性が高く
なる。従って、銅は非常に優れた電気的特性を有してい
るにもかかわらず、集積回路インターコネクトの製造に
めったに用いられない。

【０００４】インターコネクト用ビアを有するコンパク
トな多層集積回路の形成には、異方性エッチング技術が
必要である。異方性エッチングは、材料のエッチングあ
るいは除去が、例えばｚ軸である１つの方向のみに広が
り、ｚ軸およびｙ軸などの他の方向には広がらないよう
に方向性を有する。異方性エッチングによって、製造環
境においてＩＣの誘電体層の間に細く、急峻な傾斜の側
面を有するウエルおよび円筒形ビアを形成することが可
能になる。これらのビアは、ＩＣの異なる層にある構成
要素間のインターコネクトにしばしば用いられる。

【０００５】商業的に最も用いられている異方性エッチ
ングの１つの方法は、プラズマエッチングである。プラ
ズマエッチングは、比較的不活性な気体の雰囲気が導入
されたチャンバ内で行われる。気体の圧力および押し出
し速度は制御される。所定の周波数でチャンバにかかる
電圧が生じ、それによって公知の方向へのイオンの流れ
が生じる。さらに、チャンバの温度およびイオン流にさ
らされる時間が制御される。チャンバ中に高周波電圧が
生じる結果、比較的不活性な気体はイオンおよびラジカ
ルからなるプラズマにかわる。イオンおよびラジカルは
ＩＣウエハ上の膜層と反応し、ＩＣの選択された領域上
にエッチングを行う揮発性エッチング生成物を形成す
る。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】酸素は、揮発性エッチ
ング生成物の生成を補助するために多くのプラズマエッ
チングプロセスにおいて取り入られている。酸素の使用
に伴う問題の一つは、多くの金属の酸化を促進させるこ
とである。タングステンは、比較的酸化されにくいため
に頻繁に用いられているインターコネクト材料である。
アルミニウムは酸化されやすいが、標準溶剤およびエッ
チング技術によって酸化物を除去してしまうことは比較
的容易である。銅もまた酸化されやすく、銅によって形
成された酸化物はＩＣ製造環境では除去が困難である。
従って、銅は、低抵抗を有するために、魅力的なインタ
ーコネクト材料であるが、プラズマエッチングおよびそ
の他のプロセスにおいて酸素が用いられるのが一般的で
ある商業的集積回路製造において用いることは困難であ
る。

【０００７】より小型でより高集積化された集積回路の
開発のためには、より小さいインターコネクトおよびビ
アを用いることが必要である。インターコネクトの表面
領域が減少すると、インターコネクトの導電性も低下
し、その結果として生じるインターコネクトの抵抗の上
昇はＩＣ設計の妨害になる。高抵抗の導体は、高インピ
ーダンスおよび大きい伝搬遅延を有する導電経路を形成
する。これらの問題のために信号のタイミングの信頼
性、電圧レベルの信頼性が低くなり、および冗長な信号
遅延がＩＣ回路の構成要素間で生じる。また、接続状態
のよくない交差している導電性の表面や非常に異なる抵
抗特性を有する導体の結合からは、信号伝播の途切れが
生じる。インターコネクトのサイズは、アルミニウムを
銅に代えることによって半分することができる。従っ
て、より小型のインターコネクトに対する要望を満たす
ために、清浄な電気的な接続を促進するようにして銅な
どの金属を用いる方法が探求され続けている。

【０００８】本発明はこのような現状に鑑みてなされた
ものであり、銅などの金属を用いて電気的接続を提供す
ることのできるシステム、および方法、ならびにそれに
よって作製される集積回路を提供することを目的とす
る。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明の方法は、集積回
路において、導電体を銅導体の接続表面に接続する方法
であって、該方法は、ａ）該銅導体の該接続表面上に多
層誘電体材料を堆積する工程であって、該多層誘電体
は、選択的にエッチング可能な第１の誘電体層および第
２の誘電体層を含み、該第１の層は窒化物を含み、か
つ、該接続表面に隣接して配置され、該第２の層は該第
１の層を覆って延びる、工程と、ｂ）該第２の層の一部
を除去することによって、該第１の層まで達するが貫通
はしない、導電体のためのビアを形成する工程と、ｃ）
該第１の層を含む、該ビア中に残存する材料を除去し、
それによって該接続表面まで達する、該第１の層および
該第２の層に共通のビアを形成し、それによって該接続
表面を露出させて該ビアを介する導電体への接続を可能
にする工程と、を包含し、そのことにより上記目的が達
成される。

【００１０】好ましくは、前記工程ｃ）は、前記ビアを
前記接続表面まで延ばすために、前記第１の層中の前記
窒化物に選択的なエッチャントを用いて行われる。

【００１１】好ましくは、前記第２の層の前記誘電体材
料は、ＴＥＯＳ酸化物、酸化シラン、ＢＮ、および二酸
化シリコンからなるグループから選択される。

【００１２】ある実施形態では、前記工程ａ）は、前記
接続表面に窒化物薄膜を堆積する工程を含む。

【００１３】さらに、好ましくは、前記工程ａ）におい
て堆積される前記窒化物薄膜は、約１００〜３００Åの
範囲の厚さを有する。

【００１４】他の実施形態では、前記窒化物薄膜は、窒
化シリコンおよび窒化ホウ素からなるグループから選択
される。

【００１５】さらに他の実施形態では、前記工程ｂ）
は、前記第２の層の上に、開口部を有するエッチングレ
ジストパターンを形成する工程と、該第２の誘電体層に
選択的なエッチャントを用いて該開口部を介して該第２
の層をエッチングし、それによって該第２の層を通って
延びる前記ビアの部分を形成する工程と、を包含する。

【００１６】好ましくは、前記エッチングレジストはフ
ォトレジスト膜である。

【００１７】ある実施形態では、前記エッチング工程
は、異方性プラズマエッチングの使用を含む。

【００１８】他の実施形態では、前記工程ｂ）の結果と
して余分な残査が形成され、前記残査が、前記工程ｃ）
の前に該残査に対して選択的なエッチャントで除去され
る。

【００１９】本発明の方法は、集積回路において、導電
体を銅導体の接続表面に接続する方法であって、該方法
は、ａ）該接続表面に隣接して、約１００〜３００Åの
範囲の厚さを有する窒化シリコン膜を堆積する工程と、
ｂ）該工程ａ）において堆積された該窒化膜の上に第２
の誘電体層を堆積する工程と、ｃ）該第２の誘電体層の
上に、開口部を含むパターニングを有するフォトレジス
ト膜を堆積する工程と、ｄ）該第２の膜に対して選択的
なエッチャントを用いて、該工程ｃ）で形成された該パ
ターンの該開口部を介して該第２の誘電体層をエッチン
グし、該窒化膜に達するが貫通しないビアの一部を形成
する工程と、ｅ）該窒化膜を覆う該ビアにおいて該工程
ｄ）の結果として堆積されたすべてのポリマー残査を取
り除く工程と、ｆ）該工程ｄ）において形成された該ビ
ア中の該窒化膜を窒化物に選択的なエッチャントを用い
てエッチングして、該窒化膜を介して該接続表面に延び
るように該ビアを延ばし、それにより該ビアを介して導
電体に接続するために該接続表面が露出される工程と、
を包含し、そのことにより上記目的が達成される。

【００２０】好ましくは、前記工程ｆ）に続いて、該工
程ｆ）の結果として生じる前記ビア中のあらゆるポリマ
ー残査を溶剤ストリップで取り除く工程をさらに含む。

【００２１】さらに好ましくは、前記第２の誘電体層
が、ＴＥＯＳ酸化物、酸化シラン、ＢＮ、二酸化シリコ
ンからなるグループから選択される。

【００２２】ある実施形態では、前記工程ｆ）で用いら
れる、窒化物に選択的な該エッチャントはＣＨＦ₃を含
んでいる。

【００２３】他の実施形態では、前記工程ａ）で堆積さ
れる前記窒化膜は窒化ホウ素膜である。

【００２４】本発明の集積回路は、別の導体への電気的
接続が行われている接続表面を有する銅導体と、該銅導
体の該接続表面に堆積されている多層誘電体材料であっ
て、該多層誘電体材料は、選択的にエッチング可能な第
１の誘電体層および第２の誘電体層を備え、該第１の誘
電体層は窒化物を含み、かつ、該接続表面に隣接して配
置され、該第２の誘電体層は該第１の層を覆って延び
る、多層誘電体材料と、を備え、該第１の層および該第
２の層は、別の導体を受け入れる該接続表面まで延びる
ビアを規定する共通開口を有しており、それによって該
第１の層の該窒化物は、該ビアの形成中に酸化から該接
続表面を保護し、そのことにより上記目的が達成され
る。

【００２５】好ましくは、前記第２の層の誘電体材料
は、ＴＥＯＳ酸化物、酸化シラン、ＢＮ、および二酸化
シリコンからなるグループから選択される。

【００２６】さらに好ましくは、前記第１の層が窒化物
薄膜である。

【００２７】ある実施形態では、前記窒化物薄膜は、約
１００〜３００Åの範囲の厚さを有する。

【００２８】他の実施形態では、前記窒化物薄膜は、窒
化シリコンおよび窒化ホウ素からなるグループから選択
される。

【００２９】本発明の電気的接続は、基板において、ビ
アを通って延びる電気的接続であって、該電気的接続
は、該ビアを介して延びる導電体が取り付けられている
接続表面を有する銅導体であって、該接続表面は実質的
に酸化物を含有せず、それによって低抵抗の電気的イン
ターフェースを形成する銅導体と、選択的にエッチング
可能である第１の誘電体層および第２の誘電体層を備え
る、該接続表面の上に位置する多層誘電体材料であっ
て、該第１の層は窒化物を含み、かつ、該銅導体に隣接
して配置され、該第２の誘電体層は該第１の層を覆って
延びる、多層誘電体材料と、を備えており、該第１の層
および該第２の層は該接続表面まで延びるビアを規定す
る共通な開口を有しており、それにより該第１の層が酸
化から該接続表面を保護している状態で、該第２の層を
貫通する該ビアが形成され、そのことにより上記目的が
達成される。

【００３０】好ましくは、前記第２の層の前記誘電体層
は、酸化ＴＥＯＳ、酸化シラン、ＢＮ、および二酸化シ
リコンからなるグループから選択される。

【００３１】さらに好ましくは、前記ビアは実質的に円
筒形であり、前記第１の層および前記第２の層の前記厚
さに実質的に等しい高さを有する。

【００３２】ある実施形態では、前記第１の層は窒化物
薄膜である。

【００３３】他の実施形態では、前記窒化膜は、約１０
０〜３００Åの範囲の厚さを有する。

【００３４】さらに他の実施形態では、前記窒化膜は、
窒化シリコンおよび窒化ホウ素からなるグループから選
択される。

【００３５】集積回路の異なる層における導体間のイン
ターコネクトまたはビアにおいて低抵抗材料として銅を
用いる方法を採用することが有利である。

【００３６】酸素を用いるプラズマエッチングおよびそ
の他のエッチング技術が一般的である、特に、インター
コネクトを介する集積回路内で、集積回路の製造に銅が
用いられる場合、酸化銅の形成が防止されることが有利
である。

【００３７】酸化を促進するプロセス中に、ＩＣプロセ
スの後半段階において容易に除去可能である絶縁体を用
いて、銅が酸化から保護され得ることが有利である。銅
絶縁体が、ＩＣ製造において電気的に活性なセクション
を分離するために通常用いられる誘電体膜の一部または
それを用いて加工され得るならば有利である。

【００３８】従って、集積回路において、電気導体を銅
導体の接続表面に接続する方法が提供される。この方法
は、銅導体の接続表面上に多層誘電体材料を堆積する工
程を包含する。この多層誘電体は、選択的にエッチング
可能な第１および第２の誘電体層を備え、第１の誘電体
層は窒化物を含み、接続表面に隣接して配置され、第２
の層は第１の層を覆って延びている。この方法は、ま
た、第２の層の一部を除去し、それによって第１の層に
向けて延びるが貫通はしない、電気導体のためのビアを
形成する工程を包含する。この方法は、第１の層を含む
ビア中に残存する材料を除去し、第１の層および第２の
層に共通の、接続表面まで延びるビアを形成し、それに
よってビアを通り導電体への接続を可能にするために接
続表面を露出する工程を包含する。

【００３９】本発明の好ましい実施形態において、エッ
チャントを用いて第２の誘電体層を除去する方法が提供
される。適したエッチャントは、異方性プラズマエッチ
ングである。第２の層の誘電体材料は、好ましくは、テ
トラエチルオルソシリケート（ＴＥＯＳ）酸化物、シラ
ン、窒化ホウ素（ＢＮ）、および二酸化シリコンからな
るグループから選択される。

【００４０】また、別の導体への電気的接続が行われる
接続表面を有する銅導体を含む集積回路が提供される。
この集積回路は、銅導体の接続表面に堆積された多層誘
電体材料を含む。多層誘電体材料は、選択的にエッチン
グ可能な第１および第２の誘電体層を含んでいる。第１
の誘電体層は窒化物を含み、かつ接続表面に隣接して配
置されており、第２の誘電体層は第１の層を覆って延び
る。第１の層および第２の層はそれを貫通する共通開口
を有し、それによって別の導体を受け入れるための接続
表面まで延びるビアを規定する。それによって、第１の
層の窒化物はビアの形成の間に酸化から接続表面を保護
する。

【００４１】本発明の好ましい形態は、窒化層は、約１
００〜３００Åの範囲内の薄膜である。窒化膜は、好ま
しくは、窒化シリコンおよび窒化ホウ素からなるグルー
プから選択される。

【００４２】

【発明の実施の形態】本発明は、誘電体材料の除去中
に、酸化から銅を保護するために窒化物からなる薄膜を
使用して、誘電体材料を貫通する銅接続表面へのビアを
形成するシステムおよび方法に関する。図１〜図４は、
誘電体材料を貫通する従来の（すなわち、非銅）導体の
接続表面へのビアを形成する代表的な先行技術の方法を
示している。図１は、導体の接続表面の上にある誘電体
層を含む集積回路基板の概略部分断面図である。集積回
路１０は、前金属層１２を含む。金属層１２は、既に加
工が完了し、以下に示すインターコネクション層の土台
となる集積回路１０の一部である。アルミニウムあるい
はタングステンのような低抵抗の金属などの一対の導体
１４は、誘電体材料１６に隣接する接続表面１５を有す
る。わかりやすくするために、２つの同一かつ独立した
導体１４が図１に示されており、これらの導体は独立し
た接続表面１５を有している。

【００４３】図２は、誘電体層１６の上にフォトレジス
ト１８のパターンを有している図１の集積回路１０の部
分断面図である。フォトレジスト１８は、エッチング生
成物に対する耐性を有するフォトリソグラフィ材料から
形成されている。レジスト１８は、誘電体１６を貫き接
続表面１５まで達する開口部を形成するために後の工程
でエッチャントを用いることができるように、誘電体１
６に向けて開口部を形成すべくパターニングされる。レ
ジスト１８は、代表的には、光に対する反応性を有する
膜である。パターン化された（patterned）光へさらす
ことにより、当該分野において公知のように、レジスト
膜１８の選択された領域がある種のエッチング生成物に
対するバリアを形成する。レジスト１８が堆積される
と、レジスト１８に形成された開口部を介して誘電体１
６の選択された部分を除去するためにエッチャントがＩ
Ｃ１０に塗布される。

【００４４】図３は、誘電体１６のエッチング後のポリ
マー２０の形成を示している、図１の集積回路１０の部
分断面図である。ポリマー２０は、レジスト１８のパタ
ーンに設けられた開口部を介してエッチャントが誘電体
１６に塗布された後に形成される望ましくない余分な残
査を示す属名である。ポリマー２０は、代表的には、レ
ジスト１８と反応するエッチャント、またそれよりも反
応の程度は小さいが、誘電体１６と反応するエッチャン
トの副産物である。ポリマー２０の形成によって、導体
１４の接続表面１５との信頼性のある電気的インタフェ
ースの形成が阻まれる。

【００４５】図４は、ポリマー２０をエッチングした後
の酸化膜２２の形成を示す図１の集積回路１０の部分断
面図である。すなわち、酸化物２２は、接続表面１５上
のポリマー２０を除去するために、酸素を含むプラズマ
エッチングのようなエッチャントの使用から得られる生
成物である。接続表面１５に信頼性のある電気的接続を
行うためには、酸化物２２も除去されなければならな
い。酸化物２２の除去の困難さは、導体１４に用いられ
ている材料に依存する。酸化物には、誘電体１６をさら
にエッチングせずに選択的に除去することのできるもの
もある。銅酸化物は除去するのが困難である。エッチャ
ントとして用いられる酸は制御が困難であり、等方性に
なる傾向にある。さらに、酸化銅を除去するために必要
な酸は、細い開口部を完全に貫通し得る。スパッタリン
グのような異方性エッチングでさえも、それによって提
供される選択性は悪い。誘電体１６の上部層は、接続表
面１５から酸化銅を取り除くために必要な時間が長いた
めに、しばしば意図せずに除去される。このために、銅
は、ＩＣプロセスでは導体材料として用いられないこと
がよくある。

【００４６】図５は、銅導体の接続表面の上にある多層
誘電体材料を含む本発明の集積回路基板の概略断面図で
ある。集積回路３０は、図１の前金属層１２と同様の前
金属層３２を有している。ＩＣ３０はまた、電気的接続
が別の導体と行われている接続表面３５を有する一対の
銅導体３４を備えている。わかりやすさのために、図５
は２つの同一の独立した銅導体３４を示している。各銅
導体３４は、独立した接続表面３５を有している。以下
の説明においては、導体３４および接続表面３５は単数
で記載される。集積回路３０はまた、銅導体３４の接続
表面３５上にあるいは接続表面３５を覆って堆積された
多層誘電体材料３６を含んでいる。多層誘電体３６は、
共に選択的にエッチング可能な第１の誘電体層３８およ
び第２の誘電体層４０を含んでいる。第１の誘電体層３
８は、窒化物を含み、かつ、接続表面３５に隣接して配
置される。第２の誘電体層４０は、第１の層３８を覆っ
て延びる。当該分野において公知のように、多層誘電体
３６は、１つのプロセス工程で２層の膜として接続表面
３５を覆って堆積することができる。あるいは、第１の
層３８および第２の層４０を異なるプロセス工程として
堆積してもよい。また、当業者に公知のように、多層誘
電体３６を堆積するいくつかの他の方法もある。

【００４７】図５〜図１０に示され、これらの図を参照
して記載されるように、本発明の好ましい実施の形態に
おいて、第２の誘電体層４０は、酸化ＴＥＯＳ、酸化シ
ラン、ＢＮおよび二酸化シリコンからなるグループから
選択される。第１の層３８が窒化薄膜であることは好ま
しい実施形態の特徴である。好ましくは、窒化膜３８
は、約１００〜３００Åの範囲の厚さを有している。様
々なタイプの窒化膜３８が、本発明と共に用いるために
適している。本発明の好ましい実施形態において、窒化
膜３８は、窒化シリコンおよび窒化ホウ素（ＢＮ）から
なるグループから選択される。ＢＮは、第１の層３８ま
たは第２の層４０のいずれかに用いる誘電体材料として
選択されるのに適している。しかし、第１の層３８ある
いは第２の層４０の両方の誘電体材料としてのＢＮの使
用はすすめられない。本発明は、誘電体層が別々のプロ
セス工程で除去されるように、第１の層３８および第２
の層４０のエッチング特性が異なることに依存してい
る。

【００４８】図６は、多層誘電体材料３６の上にフォト
レジスト４２のパターンを有する、図５の集積回路３０
の部分断面図である。フォトレジストあるいはレジスト
４２が、プロセスで後に行われる方向性エッチングの際
にエッチャントが、誘電体３６に選択的に接触すること
ができるように誘電体材料３６にわたるパターンで塗布
される。当該分野において公知のように、また図２の説
明で言及したように、様々なタイプのレジスト４２があ
り、また様々なレジスト塗布方法がある。レジスト４２
の塗布に続いて、第２の層４０がエッチングされる。第
２の層４０は、異方性技術あるいは等方性技術のどちら
かを用いてエッチングされてもよいが、第２の層４０の
選択された領域の除去に方向の正確な制御が必要となる
ときには、異方性エッチング技術が好ましい。第２の層
４０を選択的にエッチングするが第１の層３８にはエッ
チャントとしては作用しないエッチャントが、第１の層
３８が（プロセスの後の工程まで）除去されないように
用いられる。

【００４９】図７は、誘電体材料３６の第２の層４０を
エッチングした後のポリマー４４の形成を示す、図５の
集積回路３０の部分断面図である。図３の記載において
説明したように、ポリマー４４は、典型的には、エッチ
ングプロセスから得られる多くの異なる副産物の余分な
残査である。ポリマー４４は、通常は、ポリマー４４の
下に位置するいずれかの層のさらなるエッチングの前
に、除去されるべきである。

【００５０】図８は、ポリマー４４の除去を示す図５の
集積回路３０の部分断面図である。代表的にはＯ₂を用
いたプラズマアッシュ、またはＯ₃を用いたプラズマア
ッシュを含む酸素エッチングが、ポリマー４４を除去す
るために用いられ得る。これらのエッチャントは、金属
の酸化に貢献してしまうという副作用があるという欠点
を有するが、ポリマー４４除去の困難さをなくすために
必要である。

【００５１】図９は、第１の層３８の除去を示す、図５
の集積回路３０の部分断面図である。集積回路３０は、
さらに、第１の層３８および第２の層４０を備えてい
る。第１および第２の層３８および４０は、それらを貫
通する共通した開口を有しており、この開口は、別の導
体を受け入れるための、接続表面３５まで延びるビア４
６を規定する。これによって、第１の層３８の窒化物
は、ビア４６の形成中に酸化から接続表面３５を保護す
る。すなわち、第２の層４０に形成されたビア４６は、
酸化から接続表面３５を保護する第１の層３８を用いて
形成されている。ポリマー４４の除去後には、別のエッ
チングプロセスが第１の層３８の選択された部分を除去
するために行われる。第２の層４０のエッチングによっ
て露出された第１の層３８の部分がエッチングされ、共
通開口を形成する。第１の層３８に形成される開口の面
積は、第２の層４０に形成される開口の面積とほぼ同じ
であり、２つの開口は接続表面３５上で整合されてお
り、ビア４６を形成する。

【００５２】図１０は、図５の集積回路の部分断面図で
あり、接続表面への電気的インターフェースを形成する
ために、ビア４６を導電性材料すなわち導体で充填する
工程を示している。集積回路、すなわち基板３０におい
て、ビア４６を通って延びる電気的接続部は、ビア４６
を通って延びる導電体が取り付けられる接続表面３５を
有する銅導体３４を含んでいる。接続表面３５は実質的
に酸素を含有せず、それによって低抵抗電気的インタフ
ェースを形成する。すなわち、第２の層４０を貫くビア
４６は、接続表面３５を酸化から保護する第１の層３８
を用いて形成されている。本発明の１つの好ましい実施
の形態において、ビア４６は実質的に円筒形であり、ビ
ア４６の高さは第１の層３８および第２の層４０の厚さ
と実質的に等しい。ビア４６は、導電体が接続表面３５
と接触するように挿入され得る開口部を呈する。導体の
他方の端部は、接続表面３５が存在する層とは異なるＩ
Ｃの層の接続表面に取り付けられる。接続表面領域３５
は酸化物を含まないので、接続表面３５への導体の接触
は電気的に安定である。

【００５３】図１１は、集積回路において、導電体を銅
導体の接続表面に接続する本発明の方法の工程を示すフ
ローチャートである。工程５０では、接続表面を有する
銅導体を含む集積回路が提供される。すなわち、ＩＣの
異なる層への所望の接続表面のための少なくとも１つの
領域を有する、銅導体を含む基板あるいはＩＣを用い
て、この方法は開始される。工程５２は、銅導体の接続
表面上に多層誘電体材料を堆積する工程を包含する。多
層誘電体は、選択的にエッチング可能な第１の誘電体層
および第２の誘電体層を含む。第１の層は窒化物を含
み、接続表面に隣接して位置し、第２の層は第１の層を
覆って延びる。言い換えれば、工程５０で規定される接
続表面は、２層の誘電体層で覆われ、接続表面に隣接す
る層は、少なくとも一部が窒化物からなる。当該分野に
おいて公知のように、多層誘電体は、一回のプロセスで
単一の膜として堆積することもできるし、工程５２内の
複数のプロセスで複数の膜として堆積してもよい。

【００５４】工程５４では、第２の層の一部を除去し、
導電体のためのビアを形成する。ビアは、第１の層まで
延びるが貫通はしていない。すなわち、第２の層に非常
に選択的であるが、第１の層に対してはそれほど選択的
ではないエッチャントが、第２の層に塗布される。この
ように、第２の層を貫通するビアは、同一のエッチング
プロセスで第１の層までをも貫通してしまわないような
エッチングによって形成することができる。

【００５５】工程５６では、ビア中に残存する、第１の
層を含む材料を除去して、第１の層および第２の層の両
方に共通の、接続表面に延びるビアを形成する。これに
よって接続表面は露出され、ビアを介しての導電体への
接続が可能になる。

【００５６】工程５８では、接続表面へのビアを有する
ＩＣ製品を形成する。ビアは、導電体への接続表面の接
続を可能にする。工程５８の製品は、ビアが接続表面を
酸化させずに形成されるために価値がある。

【００５７】本発明の好ましい実施形態では、工程５６
は、ビアを接続表面まで延ばすために第１の層中の窒化
物に対して選択的なエッチャントを用いて行われる。第
１の層を除去するために用いられるエッチャントは、窒
化物に対して非常に選択的であるが、第２の層の誘電体
材料に対してはそれほど選択的ではない。このように、
工程５４で形成が開始されたビアは、工程５６で完成す
る。工程５６のエッチャントは、第１の層の開口が完成
されると、ビアを取り囲む第２の層が意図しないにもか
かわらずオーバーエッチングまたはアンダーカットされ
るのを防止する。１つの好ましい実施の形態において、
第２の層の誘電体材料は、酸化ＴＥＯＳ、酸化シラン、
ＢＮ、および二酸化シリコンからなるグループから選択
される。

【００５８】図１１の本発明の特徴は、工程５２が接続
表面上への窒化物薄膜の形成を含むことである。さら
に、工程５２において形成される窒化膜が約１００〜３
００Åの範囲の厚さを有することも本発明の特徴であ
る。窒化膜は、好ましくは、窒化シリコンおよび窒化ホ
ウ素からなるグループから選択される。窒化膜の約２０
０Åという厚さは、第２の層に選択的なエッチャントに
よって窒化膜が意図的ではなくエッチングされるのを防
止しするのに十分な厚さであり、かつ、接続表面に接近
するとあるいは接続表面がビアにさらされると、窒化物
に対して選択的な共通のエッチャントによって容易に除
去されるような厚さでもある。

【００５９】工程５４は、開口部を有するエッチング用
のレジストパターンを第２の層に形成し、第２の誘電体
層に選択的なエッチャントを用いて開口部を介して第２
の層をエッチングして、第２の層を貫通して延びるビア
の一部を形成することを含むことが示唆される。工程５
４において用いられるエッチング用のレジスト材料は、
好ましくは、例えば、当該技術において公知の種類のフ
ォトレジストあるいはフォトリソグラフィ膜である。

【００６０】工程５４におけるエッチングには、異方性
プラズマエッチングの使用が含まれている。また、余分
な残査が工程５４の結果として形成されるので、工程５
６の前に、残査に選択的なエッチャントで残査が取り除
かれることがすすめられる。余分な残査のためのエッチ
ャントは、代表的には、プラズマアッシュおよびオゾン
アッシュからなる酸素アッシュのグループから選択され
る。

【００６１】図１２は、集積回路において導電体を銅導
体の接続表面に接続する付加的な詳細を示す、図１１に
示される本発明の方法の一例を示す図である。この方法
は、接続表面を有する銅導体を含む集積回路を提供する
工程６０を包含する。この工程は、上記のように、図１
１の工程５０と同様である。この方法は、接続表面に隣
接して、約１００〜３００Åの範囲の厚さを有する窒化
シリコン膜を堆積する工程６２を包含している。この方
法は、工程６２で堆積された窒化膜を覆う第２の誘電体
層を堆積する工程６４をさらに包含している。上述のよ
うに、図１１の説明の際には、工程６２および工程６４
は、第１の層および第２の層を有する多層誘電体を用い
ることによって組み合わされ得る。

【００６２】工程６６では、第２の誘電体層を覆って、
開口部を含むパターンにフォトレジスト膜が堆積され
る。工程６８では、第２の誘電体層に選択的なエッチャ
ントを用いて、工程６６で形成されたパターンを介して
第２の誘電体層をエッチングし、それによって窒化膜ま
で延びるが貫通しないビアの一部を形成する。このよう
なエッチャントは、ＣＨＦ₃およびＣＯを含有するエッ
チャントを含む。

【００６３】図１２に示される方法は、窒化膜の上に位
置しているビア中に工程６８の結果として堆積されたあ
らゆるポリマー残査を除去する工程７０をさらに包含す
る。工程７２では、工程６８で形成されたビア中の窒化
膜を、窒化物に選択的なエッチャントを用いてエッチン
グし、ビアに窒化膜を貫通させ接続表面まで延ばす。こ
れによって、接続表面は、ビアを通って導電体に接続さ
れ得るように露出される。工程７４では、導電体への接
続のために接続表面を露出させるビアを有するＩＣ製品
が完成する。

【００６４】好ましい実施の形態は、工程７２に続い
て、工程７２の結果として生じるビア内のポリマー残査
をすべて溶剤ストリップで除去する工程をさらに含む。
溶剤ストリップは、ＩＣ製造プロセスにおける除去に用
いられる様々な化学薬品を含む。あるいは、工程７２に
おいて用いられる窒化物に選択的なエッチャントは、Ｃ
ＨＦ₃を含有していてもよい。窒化シリコンの他に、工
程６２で堆積される膜は、好適には、窒化ホウ素膜であ
る。

【００６５】本発明の方法を具現化するために用いられ
る特定のプロセス技術を、以下に示す。窒化シリコンの
第１の層を有する多層誘電体が用いられる。第２の誘電
体材料層は二酸化シリコンであり、当該技術分野におい
て公知のようにＴＥＯＳあるいはシラン前駆体のいずれ
かを用いた方法で堆積される。多層膜エッチングプロセ
スは、Applied Materialsから市販により入手可能なCen
tura 5300 High Density Plasma(HDP)エッチング装置に
おいて行われる。この装置は、ミリTorr（mT）範囲のプ
ロセス圧によって過フッ化炭化水素ベースの化学物質を
用いて誘電体をエッチングするように設計されている。
プラズマは、プロセスチャンバの上部を取り囲む高周波
（ＲＦ）コイルによって生じる。このコイルは、ソース
とも称される。ウエハチャック（chuck）としても働く
電極にＲＦ電力を印加することによってバイアス電位が
生じ、それによって処理の間にウエハが固定される。

【００６６】プロセスの３つの基本的な工程は、誘電体
エッチング、エッチング後処理（ＰＥＴ）、および窒化
物エッチングである。これらの工程は、誘電体材料の第
２の層の除去、ポリマーの除去、および誘電体材料の第
１の（窒化物）層の除去にそれぞれ対応している。さら
に、誘電体エッチングとＰＥＴとの間にバイアス遅延工
程、およびＰＥＴと窒化物エッチングとの間に移行工程
がある。これらの５つの工程を、以下の表１に示す。

【００６７】

【表１】

【００６８】誘電体エッチング工程は１５ｍＴで約２０
ｓｃｃｍのＣ₂Ｆ₆あるいはＣ₃Ｆ₈のいずれかを用いる。
ウエハ温度は、−５〜１０℃の範囲である。プラズマ
は、１３．５６ＭＨｚで２０００〜３０００ＷのＲＦ電
力をコイルに与えることによって生じ、バイアスは、１
３．５６ＭＨｚで下部電極に４００〜１０００ＷのＲＦ
電力を与えることによって生じる。この工程にかかる代
表的な時間は、４０〜６０秒である。

【００６９】バイアス遅延工程は、誘電体エッチングと
ＰＥＴとの間の移行時に行われる。この工程の時間は、
３秒のオーダーである。ＲＦ電力レベルおよびバイアス
電力レベルは、誘電体エッチング工程におけるレベルと
同じである。しかし、過フッ化炭化水素エッチャントの
ガスは、８０〜１００ｓｃｃｍの流量でＯ₂がチャンバ
に導入されると除去される。本明細書で提示されている
誘電体エッチング工程およびバイアス遅延工程は、標準
的な従来の酸化物エッチングに用いられる工程の代表的
なものである。

【００７０】ＰＥＴ工程では、Ｏ₂の流量は、バイアス
遅延工程での流量に近いものであり続けるが、コイルお
よび電極へのＲＦ電力が変化する。コイルは、１８００
〜２８００Ｗの範囲の、前の工程よりもわずかに低い電
力を有する。下部電極電力は、１００〜２００Ｗの範囲
にさらに大幅に低下する。ＰＥＴ工程の目的は、誘電体
エッチング工程によって堆積されたポリマー残査を除去
し、かつ、二酸化シリコンの第２の層の上に残存するフ
ォトレジストを除去することである。この工程にかかる
時間は、約３０秒である。ＰＥＴ工程の間のウエハ温度
は、約−５℃である。

【００７１】上記したＰＥＴ工程の変形例において、約
４５秒後までＰＥＴ時間が増加し、それによって残存す
るフォトレジストマスク層を実質的にすべてアッシング
する。ＰＥＴ工程はＯ₂を含むプラズマエッチャントを
用いて行われるが、銅はプロセス中のこの工程では酸化
されない。なぜなら、銅は窒化物層で覆われているから
である。この工程においてフォトレジストを除去するこ
とによって、窒化物層が除去されて、露出された銅が酸
化された後に行われるプロセス中の後の工程で、フォト
レジストをエッチングするためにＯ₂を含むプラズマを
用いる必要がなくなる。この工程においてフォトレジス
トを除去することによって、別の意味で銅を酸化から保
護する。フォトレジストは、ウエハ上でのポリマー堆積
に貢献する炭素含有種の重要な供給源になる。この段階
でフォトレジストを除去することによって、（続いて行
われる）窒化物エッチング段階の間に形成されるポリマ
ーを最小限にすることができる。露出された銅が酸化さ
れて窒化物エッチング後に除去しなければならないポリ
マー層が厚く形成されるのを防止することによって、ポ
リマーを除去するためのＯ₂含有プラズマエッチャント
が必要なくなる。ポリマーの薄膜は、溶剤ストリップな
どの酸化物を形成しない洗浄剤を用いて除去される。

【００７２】窒化シリコンエッチングの前に、ＰＥＴに
続いて移行工程が行われる。移行工程において、チャン
バが窒化物エッチングのために前処理されると、５秒間
以内に気体およびエネルギーレベルが変化する。

【００７３】窒化物エッチングは、前に行われた工程と
ほぼ同じ程度の温度で行われる。約５０ｓｃｃｍのＣＨ
₃Ｆおよび７５ｓｃｃｍのＣＯが、７．５ｍＴで用いら
れる。窒化物の厚い層の除去のための代表的な従来のプ
ロセスでは、窒化物のエッチング化学物質およびプラズ
マ条件によって大量のポリマーが堆積される。その結
果、ポリマー除去のために、比較的長いエッチング後処
理が必要となる。しかし、本発明の方法では、エッチン
グされる窒化物が薄いので、窒化シリコンエッチング時
間は約１０秒と非常に短い。２００Å厚の窒化物層のエ
ッチングでは、結果として得られるポリマーは代表的に
は１００〜２００Å厚であり、銅接続表面にわたってつ
ながっていないことがよくある。このポリマー薄層は、
銅を酸化させるプラズマエッチングを必要とせずに除去
され、ポリマーの除去には溶剤ストリップで十分であ
る。溶剤による除去が行われ得るポリマー層の薄さを維
持するためには、窒化層が薄くなければならないだけで
はなく、以前のＰＥＴ工程において除去されるフォトレ
ジストを形成するポリマーが、上記のように前のＰＥＴ
工程において除去されることが重要である。

【００７４】上記のプロセスの別の変形例では、誘電体
エッチング工程においてＣ₃Ｆ₈の代わりにＣ₂Ｆ₆ガスが
同一の流量で用いられ、それによって堆積されるポリマ
ーを減らすことができる。しかし、プロセスにおいてＣ
₂Ｆ₆を用いることによって、エッチングレートがさらに
不確実になりがちである。プロセスのさらに別の変形例
においては、２つのチャンバが用いられる。表１中の工
程１〜３は、第１のチャンバで行われ、表１中の工程５
は第２のチャンバで行われる（表１中の工程４は省かれ
る）。２つのチャンバは、酸化物エッチングプロセスと
窒化物エッチングプロセスとの間の相互作用を最小化す
るために用いられる。

【００７５】

【発明の効果】以上説明したように本発明のシステムお
よび方法は、銅接続表面へのインターコネクションおよ
びビアを形成するために特に有用である。本発明の方法
によって、銅の酸化を促進させるプラズマエッチング、
および他のエッチング技術と共に銅を用いることが可能
になる。銅および別のコンタミネーションに対して敏感
な材料をコンタミネーションから保護するための別の関
連する窒化膜の使用が、本発明によって示唆される。Ｉ
Ｃ中の様々な層および材料を別の汚染材料から保護する
ために、窒化物の膜で汚染物質を封止することによって
窒化膜を使用することも示唆される。本発明の範囲内の
改変および変形が、当業者によって行われる。

【図面の簡単な説明】

【図１】導体の接続表面を覆う誘電体層を含む従来の集
積回路の概略部分断面図である。

【図２】誘電体層の上にフォトレジストのパターンを形
成した図１の従来の集積回路の部分断面図である。

【図３】誘電体層のエッチング後のポリマーの形成を示
す、図１の従来の集積回路の部分断面図である。

【図４】ポリマーのエッチング後の酸化膜の形成を示
す、図１の従来の集積回路の部分断面図である。

【図５】銅導体の接続表面の上に多層誘電体材料を含む
本発明の集積回路基板の概略部分断面図である。

【図６】多層誘電体材料の上にフォトレジストパターン
を形成した図５の集積回路の部分断面図である。

【図７】誘電体材料からなる第２の層のエッチング後の
ポリマーの形成を示す、図５の集積回路の部分断面図で
ある。

【図８】ポリマーの除去を示す図５の集積回路の部分断
面図である。

【図９】第１の層の除去を示す図５の集積回路の部分断
面図である。

【図１０】導電性材料でビアを充填することによる接続
表面への電気的インタフェースの形成を示す、図５の集
積回路の部分断面図である。

【図１１】本発明の工程を示すフローチャートである。

【図１２】さらに詳細を示す、図１１に示される本発明
の方法の一例を示す図である。

【符号の説明】

３０集積回路３２前金属層３４銅導体３５接続表面３６多層誘電体材料３８第１の層４０第２の層

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】集積回路において、導電体を銅導体の接
続表面に接続する方法であって、該方法は、ａ）該銅導体の該接続表面上に多層誘電体材料を堆積す
る工程であって、該多層誘電体は、選択的にエッチング
可能な第１の誘電体層および第２の誘電体層を含み、該
第１の層は窒化物を含み、かつ、該接続表面に隣接して
配置され、該第２の層は該第１の層を覆って延びる、工
程と、ｂ）該第２の層の一部を除去することによって、該第１
の層まで達するが貫通はしない、導電体のためのビアを
形成する工程と、ｃ）該第１の層を含む、該ビア中に残存する材料を除去
し、それによって該接続表面まで達する、該第１の層お
よび該第２の層に共通のビアを形成し、それによって該
接続表面を露出させて該ビアを介する導電体への接続を
可能にする工程と、を包含する、導電体を銅導体の接続
表面に接続する方法。
【請求項２】前記工程ｃ）は、前記ビアを前記接続表
面まで延ばすために、前記第１の層中の前記窒化物に選
択的なエッチャントを用いて行われる、請求項１に記載
の方法。
【請求項３】前記第２の層の前記誘電体材料は、ＴＥ
ＯＳ酸化物、酸化シラン、ＢＮ、および二酸化シリコン
からなるグループから選択される、請求項１に記載の方
法。
【請求項４】前記工程ａ）は、前記接続表面に窒化物
薄膜を堆積する工程を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】前記工程ａ）において堆積される前記窒
化物薄膜は、約１００〜３００Åの範囲の厚さを有す
る、請求項４に記載の方法。
【請求項６】前記窒化物薄膜は、窒化シリコンおよび
窒化ホウ素からなるグループから選択される、請求項５
に記載の方法。
【請求項７】前記工程ｂ）は、前記第２の層の上に、
開口部を有するエッチングレジストパターンを形成する
工程と、該第２の誘電体層に選択的なエッチャントを用いて該開
口部を介して該第２の層をエッチングし、それによって
該第２の層を通って延びる前記ビアの部分を形成する工
程と、を包含する、請求項１に記載の方法。
【請求項８】前記エッチングレジストはフォトレジス
ト膜である、請求項７に記載の方法。
【請求項９】前記エッチング工程は、異方性プラズマ
エッチングの使用を含む、請求項７に記載の方法。
【請求項１０】前記工程ｂ）の結果として余分な残査
が形成され、前記残査が、前記工程ｃ）の前に該残査に
対して選択的なエッチャントで除去される、請求項７に
記載の方法。
【請求項１１】集積回路において、導電体を銅導体の
接続表面に接続する方法であって、該方法は、ａ）該接続表面に隣接して、約１００〜３００Åの範囲
の厚さを有する窒化シリコン膜を堆積する工程と、ｂ）該工程ａ）において堆積された該窒化膜の上に第２
の誘電体層を堆積する工程と、ｃ）該第２の誘電体層の上に、開口部を含むパターニン
グを有するフォトレジスト膜を堆積する工程と、ｄ）該第２の膜に対して選択的なエッチャントを用い
て、該工程ｃ）で形成された該パターンの該開口部を介
して該第２の誘電体層をエッチングし、該窒化膜に達す
るが貫通しないビアの一部を形成する工程と、ｅ）該窒化膜を覆う該ビアにおいて該工程ｄ）の結果と
して堆積されたすべてのポリマー残査を取り除く工程
と、ｆ）該工程ｄ）において形成された該ビア中の該窒化膜
を窒化物に選択的なエッチャントを用いてエッチングし
て、該窒化膜を介して該接続表面に延びるように該ビア
を延ばし、それにより該ビアを介して導電体に接続する
ために該接続表面が露出される工程と、を包含する方
法。
【請求項１２】前記工程ｆ）に続いて、該工程ｆ）の
結果として生じる前記ビア中のあらゆるポリマー残査を
溶剤ストリップで取り除く工程をさらに含む、請求項１
１に記載の方法。
【請求項１３】前記第２の誘電体層が、ＴＥＯＳ酸化
物、酸化シラン、ＢＮ、二酸化シリコンからなるグルー
プから選択される、請求項１１に記載の方法。
【請求項１４】前記工程ｆ）で用いられる、窒化物に
選択的な該エッチャントはＣＨＦ₃を含んでいる、請求
項１１に記載の方法。
【請求項１５】前記工程ａ）で堆積される前記窒化膜
は窒化ホウ素膜である、請求項１１に記載の方法。
【請求項１６】別の導体への電気的接続が行われてい
る接続表面を有する銅導体と、該銅導体の該接続表面に堆積されている多層誘電体材料
であって、該多層誘電体材料は、選択的にエッチング可
能な第１の誘電体層および第２の誘電体層を備え、該第
１の誘電体層は窒化物を含み、かつ、該接続表面に隣接
して配置され、該第２の誘電体層は該第１の層を覆って
延びる、多層誘電体材料と、を備え、該第１の層および該第２の層は、別の導体を受け入れる
該接続表面まで延びるビアを規定する共通開口を有して
おり、それによって該第１の層の該窒化物は、該ビアの
形成中に酸化から該接続表面を保護する、集積回路。
【請求項１７】前記第２の層の誘電体材料は、ＴＥＯ
Ｓ酸化物、酸化シラン、ＢＮ、および二酸化シリコンか
らなるグループから選択される、請求項１６に記載の集
積回路。
【請求項１８】前記第１の層が窒化物薄膜である、請
求項１６に記載の集積回路。
【請求項１９】前記窒化物薄膜は、約１００〜３００
Åの範囲の厚さを有する、請求項１８に記載の集積回
路。
【請求項２０】前記窒化物薄膜は、窒化シリコンおよ
び窒化ホウ素からなるグループから選択される、請求項
１９に記載の集積回路。
【請求項２１】基板において、ビアを通って延びる電
気的接続であって、該電気的接続は、該ビアを介して延びる導電体が取り付けられている接続
表面を有する銅導体であって、該接続表面は実質的に酸
化物を含有せず、それによって低抵抗の電気的インター
フェースを形成する銅導体と、選択的にエッチング可能である第１の誘電体層および第
２の誘電体層を備える、該接続表面の上に位置する多層
誘電体材料であって、該第１の層は窒化物を含み、か
つ、該銅導体に隣接して配置され、該第２の誘電体層は
該第１の層を覆って延びる、多層誘電体材料と、を備え
ており、該第１の層および該第２の層は該接続表面まで延びるビ
アを規定する共通な開口を有しており、それにより該第
１の層が酸化から該接続表面を保護している状態で、該
第２の層を貫通する該ビアが形成される、電気的接続。
【請求項２２】前記第２の層の前記誘電体層は、酸化
ＴＥＯＳ、酸化シラン、ＢＮ、および二酸化シリコンか
らなるグループから選択される、請求項２１に記載の、
ビアを通って延びる電気的接続。
【請求項２３】前記ビアは実質的に円筒形であり、前
記第１の層および前記第２の層の前記厚さに実質的に等
しい高さを有する、請求項２１に記載の、ビアを通って
延びる電気的接続。
【請求項２４】前記第１の層は窒化物薄膜である、請
求項２１に記載の、ビアを通って延びる電気的接続。
【請求項２５】前記窒化膜は、約１００〜３００Åの
範囲の厚さを有する、請求項２４に記載の、ビアを通っ
て延びる電気的接続。
【請求項２６】前記窒化膜は、窒化シリコンおよび窒
化ホウ素からなるグループから選択される、請求項２４
に記載の、ビアを通って延びる電気的接続。