JPH11255855A - Alkali-soluble novolak resin - Google Patents
Alkali-soluble novolak resinInfo
- Publication number
- JPH11255855A JPH11255855A JP36072298A JP36072298A JPH11255855A JP H11255855 A JPH11255855 A JP H11255855A JP 36072298 A JP36072298 A JP 36072298A JP 36072298 A JP36072298 A JP 36072298A JP H11255855 A JPH11255855 A JP H11255855A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- novolak resin
- mol
- alkali
- cresol
- sulfonic acid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Phenolic Resins Or Amino Resins (AREA)
- Paints Or Removers (AREA)
Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明はアルカリ可溶性ノボ
ラック樹脂に関する。さらに詳しくは1,2−キノンジ
アジド化合物の存在下で、紫外線、遠紫外線、X線、電
子線、分子線、γ線、シンクロトロン放射線、プロトン
ビーム等の放射線に感応して特に集積回路作製用レジス
トとして好適なポジ型感放射線性樹脂組成物を調製する
ために好適に用いられるアルカリ可溶性ノボラック樹脂
に関する。[0001] The present invention relates to an alkali-soluble novolak resin. More specifically, in the presence of a 1,2-quinonediazide compound, a resist for producing an integrated circuit, particularly in response to radiation such as ultraviolet ray, far ultraviolet ray, X-ray, electron beam, molecular beam, γ-ray, synchrotron radiation and proton beam. The present invention relates to an alkali-soluble novolak resin suitably used for preparing a positive-type radiation-sensitive resin composition suitable as a resin.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来、集積回路を作製するために使用さ
れるレジストとしては、環化ゴムにビスアジド化合物を
配合したネガ型レジストと、アルカリ可溶性樹脂に1,
2−キノンジアジド化合物を配合したポジ型レジストが
知られている。ネガ型レジストは、紫外線照射によりビ
スアジド化合物が窒素を脱離してナイトレンとなり、環
化ゴムを三次元架橋するため、環化ゴムの溶剤からなる
現像液に対する紫外線照射部分と未照射部分との溶解性
に差が生じ、これによりパターニングされるが、架橋と
いっても紫外線照射部分が完全に硬化するわけではない
ため、現像液中でのレジストパターンの膨潤が大きく、
レジストパターンの解像度が悪いという欠点がある。2. Description of the Related Art Conventionally, as a resist used for fabricating an integrated circuit, a negative resist in which a bisazide compound is blended with a cyclized rubber, and a resist which is 1 in an alkali-soluble resin.
A positive resist containing a 2-quinonediazide compound is known. In a negative resist, the bisazide compound desorbs nitrogen by irradiation with ultraviolet light to form nitrene, and cross-links the cyclized rubber three-dimensionally. There is a difference in the pattern, which results in patterning, but the crosslinking does not mean that the UV-irradiated portion is completely cured, so the swelling of the resist pattern in the developer is large,
There is a disadvantage that the resolution of the resist pattern is poor.
【0003】一方、ポジ型レジストは、アルカリ可溶性
樹脂にアルカリ不溶性の1,2−キノンジアジド化合物
を配合するため、アルカリ性水溶液からなる現像液に溶
解しにくく、ほとんど膨潤もしない。すなわち、ポジ型
レジストでは紫外線照射部分の1,2−キノンジアジド
化合物がインデンカルボン酸に変化し、アルカリ性水溶
液からなる現像液で現像されても、レジストパターンと
なる未照射部分の変化が極端に少ないため、マスクのパ
ターンに忠実な、かつ高い解像度のレジストパターンが
得られる。このため集積回路の高集積度化が要求される
近年は、解像度の優れたポジ型レジストが多用されてい
る。On the other hand, since a positive resist contains an alkali-insoluble 1,2-quinonediazide compound in an alkali-soluble resin, it hardly dissolves in a developing solution composed of an alkaline aqueous solution and hardly swells. That is, in the positive resist, the 1,2-quinonediazide compound in the UV-irradiated portion changes to indene carboxylic acid, and even when the resist is developed with a developing solution composed of an alkaline aqueous solution, the change in the unirradiated portion serving as the resist pattern is extremely small. Thus, a resist pattern with high resolution that is faithful to the pattern of the mask can be obtained. For this reason, in recent years, where a higher degree of integration of integrated circuits is required, a positive resist having an excellent resolution is often used.
【0004】しかしながら、ポジ型レジストの場合にも
紫外線露光部がウエーハと接している部分まで、速やか
に現像されなければマスクに忠実なレジストパターンを
得ることが困難であり、また集積度が高く、レジストパ
ターン間隔(以下、「線幅」という)が1μm以下と狭
い現在では、レジストパターンの裾の部分の現像性が大
きく解像度に影響を与える。また集積回路の形成におい
て、解像度を1μm以下にするために採用される縮小投
影露光方式には、スループットが低い、すなわち、ウエ
ーハ1枚当たりの露光時間が長くなるという問題が生じ
ている。このような問題を解決するためには、レジスト
を高感度化することが必要である。[0004] However, even in the case of a positive resist, it is difficult to obtain a resist pattern faithful to a mask unless the ultraviolet-exposed portion is in contact with the wafer unless the resist is rapidly developed. At present, when the resist pattern interval (hereinafter, referred to as “line width”) is as narrow as 1 μm or less, the developability of the bottom portion of the resist pattern greatly affects the resolution. In the formation of an integrated circuit, the reduction projection exposure method employed to reduce the resolution to 1 μm or less has a problem that the throughput is low, that is, the exposure time per wafer is long. In order to solve such a problem, it is necessary to increase the sensitivity of the resist.
【0005】一方、LSIの集積度の向上とともに配線
の幅が微細化され、その手段としてドライエッチングが
行なわれている。このドライエッチングを行なう間は加
熱によってレジストパターンが変化しないことが望まし
いが、従来のポジ型レジストは耐熱性が不十分である。
このようにレジストとして要求される性能としては、
「解像度」、「感度」、「現像性」および「耐熱性」が
挙げられ、このうち感度と耐熱性とは相反する傾向にあ
る。すなわち、ノボラック樹脂の分子量を低くすると、
感度は上昇するものの耐熱性は悪化する。また現像性お
よび解像度もノボラック樹脂の分子量を低くすると、良
好な傾向にあるが、耐熱性は悪化する。このように前記
のレジストとして要求される性能の一方を改良しようと
すれば、他方が悪化してしまうため、従来のポジ型レジ
ストはいずれも不十分なものであった。On the other hand, as the degree of integration of LSI has been improved, the width of wiring has been reduced, and dry etching has been used as a means for this. It is desirable that the resist pattern does not change by heating during the dry etching, but the heat resistance of the conventional positive resist is insufficient.
Thus, the performance required as a resist is
There are “resolution”, “sensitivity”, “developability”, and “heat resistance”, among which sensitivity and heat resistance tend to be contradictory. That is, when the molecular weight of the novolak resin is reduced,
Although the sensitivity increases, the heat resistance deteriorates. Also, when the molecular weight of the novolak resin is reduced, the developability and the resolution tend to be good, but the heat resistance deteriorates. As described above, if one of the performances required for the above-mentioned resist is to be improved, the other deteriorates. Therefore, all of the conventional positive resists are insufficient.
【0006】[0006]
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、ポジ
型感放射線性樹脂組成物を調製するために特に好適に用
いられるアルカリ可溶性ノボラック樹脂を提供すること
にある。本発明の他の目的は、前記従来技術の問題点を
解決し、解像度、感度、現像性および耐熱性に優れた高
集積度用ポジ型レジストとして好適なポジ型感放射線性
樹脂組成物を調製するために好適に用いられるアルカリ
可溶性ノボラック樹脂を提供することにある。本発明の
さらに他の目的および利点は、以下の説明から明らかに
なろう。SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide an alkali-soluble novolak resin which is particularly preferably used for preparing a positive radiation-sensitive resin composition. Another object of the present invention is to solve the problems of the prior art and prepare a positive radiation-sensitive resin composition suitable as a positive resist for high integration with excellent resolution, sensitivity, developability and heat resistance. To provide an alkali-soluble novolak resin which is suitably used for the above-mentioned process. Still other objects and advantages of the present invention will become apparent from the following description.
【0007】[0007]
【課題を解決するための手段】本発明は、m−クレゾー
ル30〜90モル%および一般式(I)According to the present invention, m-cresol of 30 to 90 mol% and a compound of the formula (I)
【化2】 〔式中、Xは−CH3 、−C2 H5 、−C(C
H3 )3 、−CO2 CH3 または−CO2 C2 H5 を意
味し、3≧n≧1、3≧m≧1である〕で表される化合
物(但しm−クレゾールを除く)70〜10モル%を含
むフェノール類とホルムアルデヒドとを縮合反応させて
得られ、該縮合反応は反応の進行とともにフェノール類
を加える方法で実施され、かつ、単分散ポリスチレンを
標準とするゲルパーミェーションクロマトグラフ(GP
C)法により求めたポリスチレン換算分子量が6,30
0〜25,000、2,500〜6,000および15
0〜900の範囲にあるピークの最大の高さの値をそれ
ぞれa、bおよびcとしたとき、a/b=0〜1.5お
よびc/b=0.5〜1.5の範囲にあることを特徴と
するアルカリ可溶性ノボラック樹脂に関する。Embedded image Wherein, X is -CH 3, -C 2 H 5, -C (C
H 3) 3, means -CO 2 CH 3 or -CO 2 C 2 H 5, except 3 ≧ n ≧ 1,3 ≧ m ≧ 1 and is] in compounds represented (but m- cresol) 70 Obtained by subjecting a phenol containing 10 to 10 mol% to a condensation reaction with formaldehyde, the condensation reaction being carried out by a method of adding the phenol with the progress of the reaction, and gel permeation using monodisperse polystyrene as a standard. Chromatograph (GP
The polystyrene equivalent molecular weight determined by the method C) is 6,30.
0-25,000, 2,500-6,000 and 15
When the maximum height values of the peaks in the range of 0 to 900 are a, b and c, respectively, a / b = 0 to 1.5 and c / b = 0.5 to 1.5. The present invention relates to an alkali-soluble novolak resin.
【0008】[0008]
【発明の実施の形態】本発明におけるアルカリ可溶性ノ
ボラック樹脂は、m−クレゾール30〜90モル%およ
び前記一般式(I)の化合物30〜90モル%を含むフ
ェノール類とホルムアルデヒドとを縮合させて得られ
る。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The alkali-soluble novolak resin of the present invention is obtained by condensing formaldehyde with a phenol containing 30 to 90 mol% of m-cresol and 30 to 90 mol% of the compound of the formula (I). Can be
【0009】本発明に用いられる前記一般式(I)の化
合物としては、例えばo−クレゾール、3,5−ジメチ
ルフェノール、2,5−ジメチルフェノール、2,3−
ジメチルフェノール、2,4−ジメチルフェノール、
2,6−ジメチルフェノール、3,4−ジメチルフェノ
ール、2,3,5−トリメチルフェノール、4−t−ブ
チルフェノール、2−t−ブチルフェノール、3−t−
ブチルフェノール、2−メチルレゾルシノール、4−メ
チルレゾルシノール、5−メチルレゾルシノール、4−
t−ブチルカテコール、4−メトキシフェノール、3−
メトキシフェノール、2−メトキシフェノール、2−メ
トキシカテコール、2−メトキシレゾルシノール、3−
メトキシレゾルシノール、2,3−ジメトキシフェノー
ル、2,5−ジメトキシフェノール、3,5−ジメトキ
シフェノール、没食子酸メチル、没食子酸エチル、3−
メトキシ−4,5−ジヒドロキシ安息香酸メチル、3−
メトキシ−4,5−ジヒドロキシ安息香酸エチル、4−
メトキシ−3,5−ジヒドロキシ安息香酸メチル、4−
メトキシ−3,5−ジヒドロキシ安息香酸エチル、3,
4−ジメトキシ−5−ヒドロキシ安息香酸メチル、3,
4−ジメトキシ−5−ヒドロキシ安息香酸エチル、3,
5−ジメトキシ−4−ヒドロキシ安息香酸メチル、3,
5−ジメトキシ−4−ヒドロキシ安息香酸エチル、3−
エチルフェノール、2−エチルフェノール、4−エチル
フェノール、2,3,5−トリエチルフェノール、3,
5−ジエチルフェノール、2,5−ジエチルフェノー
ル、2,3−ジエチルフェノール等が挙げられる。これ
らの化合物は単独でまたは2種以上組合せて用いられ
る。The compounds of the general formula (I) used in the present invention include, for example, o-cresol, 3,5-dimethylphenol, 2,5-dimethylphenol, 2,3-dimethylphenol
Dimethylphenol, 2,4-dimethylphenol,
2,6-dimethylphenol, 3,4-dimethylphenol, 2,3,5-trimethylphenol, 4-t-butylphenol, 2-t-butylphenol, 3-t-
Butylphenol, 2-methylresorcinol, 4-methylresorcinol, 5-methylresorcinol, 4-
t-butylcatechol, 4-methoxyphenol, 3-
Methoxyphenol, 2-methoxyphenol, 2-methoxycatechol, 2-methoxyresorcinol, 3-
Methoxyresorcinol, 2,3-dimethoxyphenol, 2,5-dimethoxyphenol, 3,5-dimethoxyphenol, methyl gallate, ethyl gallate,
Methyl methoxy-4,5-dihydroxybenzoate, 3-
Ethyl methoxy-4,5-dihydroxybenzoate, 4-
Methyl methoxy-3,5-dihydroxybenzoate, 4-
Ethyl methoxy-3,5-dihydroxybenzoate, 3,
Methyl 4-dimethoxy-5-hydroxybenzoate, 3,
Ethyl 4-dimethoxy-5-hydroxybenzoate, 3,
Methyl 5-dimethoxy-4-hydroxybenzoate, 3,
Ethyl 5-dimethoxy-4-hydroxybenzoate, 3-
Ethylphenol, 2-ethylphenol, 4-ethylphenol, 2,3,5-triethylphenol, 3,
5-diethylphenol, 2,5-diethylphenol, 2,3-diethylphenol and the like can be mentioned. These compounds are used alone or in combination of two or more.
【0010】本発明において、m−クレゾールと前記一
般式(I)の化合物との使用割合(m−クレゾール/前
記一般式(I)の化合物)はモル比で30〜90/70
〜10である。m−クレゾールの使用割合が30モル%
未満または90モル%を超える場合には、解像度および
現像性が低下する。なお、この使用割合はノボラック樹
脂合成時の原料の使用割合である。In the present invention, the ratio of m-cresol to the compound of the formula (I) (m-cresol / compound of the formula (I)) is from 30 to 90/70 by molar ratio.
10 to 10. The use ratio of m-cresol is 30 mol%
If it is less than 90% or more than 90 mol%, the resolution and developability will be reduced. In addition, this use ratio is the use ratio of the raw material at the time of synthesizing the novolak resin.
【0011】また本発明におけるアルカリ可溶性ノボラ
ック樹脂は、東洋ソーダ製GPCカラム(G2000H
6 2本、G3000H6 1本、G4000H6 1本)を
用い、流量1.5ml/分、溶出溶媒テトラヒドロフラ
ン、カラム温度40℃の分析条件で、単分散ポリスチレ
ンを標準とするゲルパーミェーションクロマトグラフ
(GPC)法により求めたポリスチレン換算分子量が
6,300〜25,000、2,500〜6,000お
よび150〜900の範囲にあるピークの最大の高さの
値をそれぞれa,bおよびcとしたとき、a/b=0〜
1.5およびc/b=0.5〜1.5の範囲にある樹脂
である。このアルカリ可溶性ノボラック樹脂を用いるこ
とにより、従来のアルカリ可溶性ノボラック樹脂に比
べ、解像度、感度、現像性および耐熱性に優れたものが
得られる。The alkali-soluble novolak resin in the present invention is a GPC column (G2000H manufactured by Toyo Soda).
6 2, G3000H 6 1 present, using G4000H 6 1 present), flow rate 1.5 ml / min, eluent tetrahydrofuran, analytical conditions of column temperature 40 ° C., gel permeation Activation chromatography to monodisperse polystyrene as the standard The values of the maximum heights of the peaks having a molecular weight in terms of polystyrene in the range of 6,300 to 25,000, 2,500 to 6,000, and 150 to 900 determined by the graph (GPC) method are a, b, and c, respectively. Where a / b = 0 to
It is a resin in the range of 1.5 and c / b = 0.5 to 1.5. By using this alkali-soluble novolak resin, a resin excellent in resolution, sensitivity, developability and heat resistance can be obtained as compared with a conventional alkali-soluble novolak resin.
【0012】a/bの値が1.5を超える場合には、現
像性および感度が悪化する。またc/bの値が1.5を
超える場合には、耐熱性が悪化し、c/bの値が0.5
未満の場合には、感度および解像度が低下する。本発明
において、上記アルカリ可溶性ノボラック樹脂は、前記
フェノール類を酸触媒の存在下にホルムアルデヒドと縮
合させて合成されるが、無触媒でも合成することができ
る。この際用いられる酸触媒としては、例えば塩酸、硝
酸、硫酸等の無機酸、ギ酸、蓚酸、酢酸等の有機酸が挙
げられる。ホルムアルデヒドの使用量はフェノール類1
モルに対して0.7〜3モル、酸触媒の使用量はフェノ
ール類1モルに対して0〜0.1モルが好ましい。When the value of a / b exceeds 1.5, developability and sensitivity deteriorate. If the value of c / b exceeds 1.5, the heat resistance deteriorates, and the value of c / b becomes 0.5.
If it is less than the above, the sensitivity and the resolution are reduced. In the present invention, the alkali-soluble novolak resin is synthesized by condensing the phenol with formaldehyde in the presence of an acid catalyst, but can also be synthesized without a catalyst. Examples of the acid catalyst used at this time include inorganic acids such as hydrochloric acid, nitric acid, and sulfuric acid, and organic acids such as formic acid, oxalic acid, and acetic acid. The amount of formaldehyde used is phenols 1
The amount of the acid catalyst is preferably from 0.7 to 3 mol per mol, and the amount of the acid catalyst is preferably from 0 to 0.1 mol per mol of the phenol.
【0013】縮合反応においては、通常、反応触媒とし
て水を用いるが、使用するフェノール類がホルムアルデ
ヒドの水溶液に溶解せず、反応初期から不均一系になる
場合には、反応媒質として親水性溶媒を使用することも
できる。この際用いられる親水性溶媒としては、例えば
メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール等
のアルコール類、またはテトラヒドロフラン、ジオキサ
ン等の環状エーテル類が挙げられる。これらの反応媒質
の使用量は、好ましくはフェノール類とホルムアルデヒ
ドの総量100重量部当たり、20〜1,000重量部
である。縮合反応の反応温度は、フェノール類とホルム
アルデヒドの反応性に応じて適宜調整することができる
が、通常、10〜200℃、好ましくは70〜130℃
である。In the condensation reaction, water is usually used as a reaction catalyst. However, when the phenol used does not dissolve in an aqueous formaldehyde solution and becomes heterogeneous from the beginning of the reaction, a hydrophilic solvent is used as a reaction medium. Can also be used. Examples of the hydrophilic solvent used at this time include alcohols such as methanol, ethanol, propanol and butanol, and cyclic ethers such as tetrahydrofuran and dioxane. The use amount of these reaction media is preferably 20 to 1,000 parts by weight per 100 parts by weight of the total amount of phenols and formaldehyde. The reaction temperature of the condensation reaction can be appropriately adjusted according to the reactivity between phenols and formaldehyde, but is usually 10 to 200 ° C, preferably 70 to 130 ° C.
It is.
【0014】また、前記アルカリ可溶性ノボラック樹脂
を得る方法としては、ホルムアルデヒドおよび酸触媒に
フェノール類を反応の進行とともに加えて反応させる方
法が採用される。このフェノール類を反応の進行ととも
に加えて反応させる方法においては、前記アルカリ可溶
性樹脂をより再現性よく、安定的に製造するため、始め
にフェノール類の一部、ホルムアルデヒドおよび酸触媒
を仕込んで重合させ、その後残りのフェノール類を反応
の進行とともに加えて反応させる方法をとることが好ま
しい。縮合反応終了後、系内に存在する未反応物、酸触
媒および反応媒質を除去するため、一般的には内温を1
30〜230℃に上昇させ、減圧下に揮発分を留去し、
次いで溶融したアルカリ可溶性ノボラック樹脂をスチー
ル製ベルト等の上に流涎して、アルカリ可溶性ノボラッ
ク樹脂を回収するが、溶剤に溶解させて回収する方法を
とることもできる。As a method for obtaining the alkali-soluble novolak resin, a method is employed in which phenols are added to formaldehyde and an acid catalyst as the reaction proceeds to cause a reaction. In the method of adding and reacting the phenols with the progress of the reaction, in order to produce the alkali-soluble resin more reproducibly and stably, a part of the phenols, formaldehyde and an acid catalyst are first charged and polymerized. Then, it is preferable to adopt a method in which the remaining phenols are added as the reaction proceeds to cause a reaction. After the completion of the condensation reaction, the internal temperature is generally raised to 1 to remove unreacted substances, acid catalyst and reaction medium present in the system.
The temperature is increased to 30 to 230 ° C., and volatile components are distilled off under reduced pressure.
Next, the molten alkali-soluble novolak resin is dripped onto a steel belt or the like to recover the alkali-soluble novolak resin. Alternatively, a method in which the alkali-soluble novolak resin is recovered by dissolving it in a solvent may be used.
【0015】本発明のアルカリ可溶性ノボラック樹脂
は、1,2−キノンジアジド化合物と混合されてポジ型
感放射線性樹脂組成物を与える。上記1,2−キノンジ
アジド化合物には特に限定されないが、例えば1,2−
ベンゾキノンジアジド−4−スルホン酸エステル、1,
2−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸エステル、
1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エステ
ル等が挙げられる。具体的にはp−クレゾール−1,2
−ベンゾキノンジアジド−4−スルホン酸エステル、レ
ゾルシノール−1,2−ナフトキノンジアジド−4−ス
ルホン酸エステル、ピロガロール−1,2−ナフトキノ
ンジアジド−5−スルホン酸エステル等の(ポリ)ヒド
ロキシベンゼンの1,2−キノンジアジドスルホン酸エ
ステル類、The alkali-soluble novolak resin of the present invention is mixed with a 1,2-quinonediazide compound to give a positive-type radiation-sensitive resin composition. The 1,2-quinonediazide compound is not particularly limited.
Benzoquinonediazide-4-sulfonic acid ester, 1,
2-naphthoquinonediazide-4-sulfonic acid ester,
1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid ester and the like. Specifically, p-cresol-1,2
1,2 (poly) hydroxybenzenes such as benzoquinonediazide-4-sulfonic acid ester, resorcinol-1,2-naphthoquinonediazide-4-sulfonic acid ester, pyrogallol-1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid ester -Quinonediazide sulfonic acid esters,
【0016】2,4−ジヒドロキシフェニル−プロピル
ケトン−1,2−ベンゾキノンジアジド−4−スルホン
酸エステル、2,4−ジヒドロキシフェニル−n−ヘキ
シルケトン−1,2−ナフトキノンジアジド−4−スル
ホン酸エステル、2,4−ジヒドロキシベンゾフェノン
−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エス
テル、2,3,4−トリヒドロキシフェノン−n−ヘキ
シルケトン−1,2−ナフトキノンジアジド−4−スル
ホン酸エステル、2,3,4−トリヒドロキシベンゾフ
ェノン−1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホン
酸エステル、2,3,4−トリヒドロキシベンゾフェノ
ン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エ
ステル、2,4,6−トリヒドロキシベンゾフェノン−
1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸エステ
ル、2,4,6−トリヒドロキシベンゾフェノン−1,
2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エステル、
2,2′,4,4′−テトラヒドロキシベンゾフェノン
−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エス
テル、2,3,4,4′−テトラヒドロキシベンゾフェ
ノン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸
エステル、2,2′,4,4′−テトラヒドロキシベン
ゾフェノン−1,2−ナフトキノンジアジド−4−スル
ホン酸エステル、2,3,4,4′−テトラヒドロキシ
ベンゾフェノン−1,2−ナフトキノンジアジド−4−
スルホン酸エステル、2,2′,3,4,6′−ペンタ
ヒドロキシベンゾフェノン−1,2−ナフトキノンジア
ジド−4−スルホン酸エステル、2,2′,3,4,
6′−ペンタヒドロキシベンゾフェノン−1,2−ナフ
トキノンジアジド−5−スルホン酸エステル、2,3,
3′,4,4′,5′−ヘキサヒドロキシベンゾフェノ
ン−1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸エ
ステル、2,3,3′,4,4′,5′−ヘキサヒドロ
キシベンゾフェノン−1,2−ナフトキノンジアジド−
5−スルホン酸エステル、2,3′,4,4′,5′6
−ヘキサヒドロキシベンゾフェノン−1,2−ナフトキ
ノンジアジド−4−スルホン酸エステル、2,3′,
4,4′,5′6−ヘキサヒドロキシベンゾフェノン−
1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エステ
ル等の(ポリ)ヒドロキシフェニルアルキルケトンまた
は(ポリ)ヒドロキシフェニルアリールケトンの1,2
−キノンジアジドスルホン酸エステル類、2,4-dihydroxyphenyl-propyl ketone-1,2-benzoquinonediazide-4-sulfonic acid ester, 2,4-dihydroxyphenyl-n-hexylketone-1,2-naphthoquinonediazide-4-sulfonic acid ester 2,4-dihydroxybenzophenone-1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid ester, 2,3,4-trihydroxyphenone-n-hexyl ketone-1,2-naphthoquinonediazide-4-sulfonic acid ester, 2 2,3,4-trihydroxybenzophenone-1,2-naphthoquinonediazide-4-sulfonic acid ester, 2,3,4-trihydroxybenzophenone-1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid ester, 2,4,6 -Trihydroxybenzophenone-
1,2-naphthoquinonediazide-4-sulfonic acid ester, 2,4,6-trihydroxybenzophenone-1,
2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid ester,
2,2 ', 4,4'-tetrahydroxybenzophenone-1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid ester, 2,3,4,4'-tetrahydroxybenzophenone-1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfone Acid ester, 2,2 ', 4,4'-tetrahydroxybenzophenone-1,2-naphthoquinonediazide-4-sulfonic acid ester, 2,3,4,4'-tetrahydroxybenzophenone-1,2-naphthoquinonediazide- 4-
Sulfonic acid ester, 2,2 ', 3,4,6'-pentahydroxybenzophenone-1,2-naphthoquinonediazide-4-sulfonic acid ester, 2,2', 3,4
6'-pentahydroxybenzophenone-1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid ester, 2,3
3 ', 4,4', 5'-hexahydroxybenzophenone-1,2-naphthoquinonediazide-4-sulfonic acid ester, 2,3,3 ', 4,4', 5'-hexahydroxybenzophenone-1,2 -Naphthoquinonediazide-
5-sulfonic acid ester, 2,3 ', 4,4', 5'6
-Hexahydroxybenzophenone-1,2-naphthoquinonediazide-4-sulfonic acid ester, 2,3 ',
4,4 ', 5'6-hexahydroxybenzophenone-
1,2-naphthoquinonediazido-5-sulfonic acid ester and other (poly) hydroxyphenyl alkyl ketones or 1,2
-Quinonediazide sulfonic acid esters,
【0017】ビス(p−ヒドロキシフェニル)メタン−
1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸エステ
ル、ビス(2,4−ジヒドロキシフェニル)メタン−
1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エステ
ル、ビス(2,3,4−トリヒドロキシフェニル)メタ
ン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エ
ステル、2,2−ビス(p−ヒドロキシフェニル)プロ
パン−1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸
エステル、2,2−ビス(2,4−ジヒドロキシフェニ
ル)プロパン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−ス
ルホン酸エステル、2,2−ビス(2,3,4−トリヒ
ドロキシフェニル)プロパン−1,2−ナフトキノンジ
アジド−5−スルホン酸エステル等のビス〔(ポリ)ヒ
ドロキシフェニル〕アルカンの1,2−キノンジアジド
スルホン酸エステル類、3,5−ジヒドロキシ安息香酸
ラウリル−1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホ
ン酸エステル、2,3,4−トリヒドロキシ安息香酸フ
ェニル−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン
酸エステル、3,4,5−トリヒドロキシ安息香酸プロ
ピル−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸
エステル、3,4,5−トリヒドロキシ安息香酸フェニ
ル−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エ
ステル等の(ポリ)ヒドロキシ安息香酸アルキルエステ
ルまたは(ポリ)ヒドロキシ安息香酸アリールエステル
の1,2−キノンジアジドスルホン酸エステル類、Bis (p-hydroxyphenyl) methane-
1,2-naphthoquinonediazide-4-sulfonic acid ester, bis (2,4-dihydroxyphenyl) methane-
1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid ester, bis (2,3,4-trihydroxyphenyl) methane-1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid ester, 2,2-bis (p-hydroxyphenyl ) Propane-1,2-naphthoquinonediazide-4-sulfonic acid ester, 2,2-bis (2,4-dihydroxyphenyl) propane-1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid ester, 2,2-bis ( 1,2-quinonediazidesulfonic acid esters of bis [(poly) hydroxyphenyl] alkane such as 2,3,4-trihydroxyphenyl) propane-1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid ester; Lauryl-1,2-naphthoquinonediazide-4-sulfonic acid ester of dihydroxybenzoate, 2 3,4-trihydroxybenzoic acid phenyl-1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid ester, 3,4,5-trihydroxypropyl propyl-1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid ester, 3, 1,2-quinonediazidesulfonic acid ester of (poly) hydroxybenzoic acid alkyl ester or (poly) hydroxybenzoic acid arylester such as phenyl-1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid ester of 4,5-trihydroxybenzoic acid Kind,
【0018】ビス(2,5−ジヒドロキシベンゾイル)
メタン−1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホン
酸エステル、ビス(2,3,4−トリヒドロキシベンゾ
イル)メタン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−ス
ルホン酸エステル、ビス(2,4,6−トリヒドロキシ
ベンゾイル)メタン−1,2−ナフトキノンジアジド−
5−スルホン酸エステル、p−ビス(2,5−ジヒドロ
キシベンゾイル)ベンゼン−1,2−ナフトキノンジア
ジド−4−スルホン酸エステル、p−ビス(2,3,4
−トリヒドロキシベンゾイル)ベンゼン−1,2−ナフ
トキノンジアジド−5−スルホン酸エステル、p−ビス
(2,4,6−トリヒドロキシベンゾイル)ベンゼン−
1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エステ
ル等のビス〔(ポリ)ヒドロキシベンゾイル〕アルカン
またはビス〔(ポリ)ヒドロキシベンゾイル〕ベンゼン
の1,2−キノンジアジドスルホン酸エステル類、Bis (2,5-dihydroxybenzoyl)
Methane-1,2-naphthoquinonediazide-4-sulfonic acid ester, bis (2,3,4-trihydroxybenzoyl) methane-1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid ester, bis (2,4,6- Trihydroxybenzoyl) methane-1,2-naphthoquinonediazide-
5-sulfonic acid ester, p-bis (2,5-dihydroxybenzoyl) benzene-1,2-naphthoquinonediazide-4-sulfonic acid ester, p-bis (2,3,4
-Trihydroxybenzoyl) benzene-1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid ester, p-bis (2,4,6-trihydroxybenzoyl) benzene-
1,2-quinonediazidosulfonic acid esters of bis [(poly) hydroxybenzoyl] alkane or bis [(poly) hydroxybenzoyl] benzene, such as 1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid ester;
【0019】エチレングリコール−ジ(3,5−ジヒド
ロキシベンゾエート)−1,2−ナフトキノンジアジド
−5−スルホン酸エステル、ポリエチレングリコール
(3,4,5−トリヒドロキシベンゾエート)−1,2
−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エステル等の
(ポリ)エチレングリコール−ジ〔(ポリ)ヒドロキシ
ベンゾエート〕の1,2−キノンジアジドスルホン酸エ
ステル類、水酸基を有するα−ピロン系天然色素の1,
2−キノンジアジドスルホン酸エステル類、水酸基を有
するγ−ピロン系天然色素の1,2−キノンジアジドス
ルホン酸エステル類、水酸基を有するジアジン系天然色
素の1,2−キノンジアジドスルホン酸エステル類等が
挙げられる。これらの化合物の他に、J. Kosar 著“Li
ght-Sensitive Systems ”339 〜352, (1965) 、John W
iley & Sons 社 (New York) W. S. DeForest 著“Photo
resist ”50, (1975)、McGraw-Hill, Inc., (New York)
に掲載されている1,2−キノンジアジド化合物を用
いることもできる。Ethylene glycol di (3,5-dihydroxybenzoate) -1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid ester, polyethylene glycol (3,4,5-trihydroxybenzoate) -1,2
1,2-quinonediazidosulfonic acid esters of (poly) ethylene glycol-di [(poly) hydroxybenzoate] such as naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid ester, and α-pyrone-based natural dyes having a hydroxyl group of 1,
Examples thereof include 2-quinonediazidosulfonic acid esters, 1,2-quinonediazidosulfonic acid esters of hydroxyl group-containing natural γ-pyrone dyes, and 1,2-quinonediazidesulfonic acid esters of hydroxyl-containing diazine natural dyes. In addition to these compounds, Li.
ght-Sensitive Systems ”339-352, (1965), John W
“Photo by WS DeForest, iley & Sons (New York)
resist ”50, (1975), McGraw-Hill, Inc., (New York)
1,2-quinonediazide compounds described in the above can also be used.
【0020】これらの1,2−キノンジアジド化合物は
単独でまたは2種以上混合して用いられる。またこれら
の1,2−キノンジアジド化合物の配合量は、前記アル
カリ可溶性ノボラック樹脂100重量部に対して、通
常、5〜100重量部、好ましくは10〜50重量部で
ある。この配合量が5重量部未満の場合には、1,2−
キノンジアジド化合物が放射線を吸収して生成するカル
ボン酸量が少ないので、パターニングが困難であり、一
方、100重量部を超える場合には、短時間の放射線照
射では加えた1,2−キノンジアジド化合物の全てを分
解することができず、アルカリ性水溶液からなる現像液
による現像が困難となる。These 1,2-quinonediazide compounds are used alone or as a mixture of two or more. The amount of the 1,2-quinonediazide compound is usually 5 to 100 parts by weight, preferably 10 to 50 parts by weight, based on 100 parts by weight of the alkali-soluble novolak resin. When the amount is less than 5 parts by weight, 1,2-
Since the quinonediazide compound absorbs radiation and generates a small amount of carboxylic acid, patterning is difficult. On the other hand, when the quinonediazide compound exceeds 100 parts by weight, all of the 1,2-quinonediazide compound added by short-time radiation is used. Cannot be decomposed, and it becomes difficult to develop with a developing solution composed of an alkaline aqueous solution.
【0021】前記ポジ型感放射線性樹脂組成物には、レ
ジストとしての感度を向上させるため、これらの増感剤
を配合することができる。これらの増感剤としては、例
えば2H−ピリド〔3,2−b〕−1,4−オキサジン
−3〔4H〕オン類、10H−ピリド〔3,2−b〕
〔1,4〕−ベンゾチアジン類、ウラゾール類、ヒダン
トイン類、バルビツール酸類、グリシン無水物類、1−
ヒドロキシベンゾトリアゾール類、アロキサン類、マレ
イミド類、さらに特公昭48−12242号公報、特公
昭48−35402号公報、特開昭58−37641号
公報、特開昭58−149042号公報等に記載されて
いる増感剤が挙げられる。増感剤の配合量は前記1,2
−キノンジアジド化合物100重量部に対し、通常、1
00重量部以下、好ましくは4〜60重量部である。These sensitizers can be added to the positive radiation-sensitive resin composition in order to improve the sensitivity as a resist. Examples of these sensitizers include 2H-pyrido [3,2-b] -1,4-oxazin-3 [4H] ones and 10H-pyrido [3,2-b].
[1,4] -benzothiazines, urazoles, hydantoins, barbituric acids, glycine anhydrides, 1-
Hydroxybenzotriazoles, alloxanes, maleimides, and further described in JP-B-48-12242, JP-B-48-35402, JP-A-58-37641, JP-A-58-149042, and the like. Sensitizers. The compounding amount of the sensitizer is
To 100 parts by weight of the quinonediazide compound,
It is not more than 00 parts by weight, preferably 4 to 60 parts by weight.
【0022】またポジ型感放射線性樹脂組成物には、塗
布性、例えばストリエーションや乾燥塗膜形成後の放射
線照射部の現像性を改良するために界面活性剤を配合す
ることができる。界面活性剤としては、例えばポリオキ
シエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンステ
アリルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエーテル
等のポリオキシエチレンアルキルエーテル類、ポリオキ
シエチレンオクチルフェノールエーテル、ポリオキシエ
チレンノニルフェノールエーテル等のポリオキシエチレ
ンアルキルフェノールエーテル類、ポリエチレングリコ
ールジラウレート、ポリエチレングリコールジステアレ
ート等のポリエチレングリコールジアルキルエーテル等
のノニオン系界面活性剤、エフトップEF301、EF
303、EF352(新秋田化成(株)製)、メガファ
ックF171、F173(大日本インキ(株)製)、特
開昭57−178242号公報に例示されるフッ化アル
キル基またはパーフルオロアルキル基を有する直鎖状の
フッ素系界面活性剤、フロラードFC430、FC43
1(住友スリーエム(株)製)、アサヒガードAG71
0、サーフロンS−382、SC101、SC102、
SC103、SC104、SC105、SC106(旭
硝子(株)製)等のフッ素系界面活性剤、オルガノシロ
キサンポリマーKP341(信越化学工業(株)製)、
アクリル酸系またはメタクリル酸系(共)重合体ポリフ
ローNo. 75、No. 95(共栄社油脂化学工業(株)
製)等が挙げられる。A surfactant may be added to the positive-type radiation-sensitive resin composition in order to improve coatability, for example, developability of a radiation-irradiated portion after striation or formation of a dried coating film. Examples of the surfactant include polyoxyethylene alkyl ethers such as polyoxyethylene lauryl ether, polyoxyethylene stearyl ether, and polyoxyethylene oleyl ether; and polyoxyethylene alkyl phenols such as polyoxyethylene octyl phenol ether and polyoxyethylene nonyl phenol ether. Nonionic surfactants such as ethers, polyethylene glycol dilaurate, polyethylene glycol dialkyl ethers such as polyethylene glycol distearate, etc., EFTOP EF301, EF
303, EF352 (manufactured by Shin-Akita Kasei Co., Ltd.), Megafac F171 and F173 (manufactured by Dainippon Ink and Chemicals, Inc.), and a fluoroalkyl group or perfluoroalkyl group exemplified in JP-A-57-178242. Having a linear fluorine-based surfactant, Florado FC430, FC43
1 (manufactured by Sumitomo 3M Limited), Asahi Guard AG71
0, Surflon S-382, SC101, SC102,
Fluorinated surfactants such as SC103, SC104, SC105, SC106 (manufactured by Asahi Glass Co., Ltd.), organosiloxane polymer KP341 (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.),
Acrylic or methacrylic acid (co) polymer polyflow No. 75, No. 95 (Kyoeisha Yushi Kagaku Kogyo Co., Ltd.)
Manufactured).
【0023】これらの界面活性剤は、単独でまたは2種
以上混合して用いられる。界面活性剤の配合量は、組成
物中のアルカリ可溶性ノボラック樹脂および1,2−キ
ノンジアジド化合物の総量100重量部当たり、通常、
2重量部以下、好ましくは1重量部以下である。また、
ポジ型感放射線性樹脂組成物には、放射線照射部の潜像
を可視化させたり、放射線照射時のハレーションの影響
を少なくするために着色剤を、また接着性を改良するた
めに接着助剤を配合することもできる。These surfactants may be used alone or as a mixture of two or more. The amount of the surfactant is usually per 100 parts by weight of the total amount of the alkali-soluble novolak resin and the 1,2-quinonediazide compound in the composition,
It is at most 2 parts by weight, preferably at most 1 part by weight. Also,
In the positive-type radiation-sensitive resin composition, a coloring agent is used to visualize the latent image in the irradiated area or to reduce the influence of halation during irradiation, and an adhesion aid is used to improve the adhesiveness. It can also be blended.
【0024】着色剤としては、例えばメチルバイオレッ
ト2B(CINo. 42555)、マラカイトグリーン
(CINo. 42000)、ビクトリアブルーB(CIN
o. 44045)、ニュートラルレッド(CINo. 50
040)、ソルベントイエロー2(CINo. 1102
0)、ソルベントイエロー6(CINo. 11390)、
ソルベントイエロー14(CINo. 12055)、ソル
ベントイエロー15(CINo. 18820)、ソルベン
トイエロー16(CINo. 12700)、ソルベントイ
エロー21(CINo. 18690)、ソルベントイエロ
ーD−33(CINo.47000)、ソルベントイエロ
ー56(CINo. 11021)、ソルベントオレンジ1
(CINo. 11920)、ソルベントオレンジ2(CI
No. 12100)、ソルベントオレンジ14(CINo.
26020)、ソルベントオレンジ40、ソルベントレ
ッド3(CINo. 12010)、ソルベントレッド8
(CINo.12715)、ソルベントレッド23(CIN
o. 26100)、ソルベントレッド24(CINo. 2
6105)、ソルベントレッド25(CINo. 2611
0)、ソルベントレッド27(CINo. 26125)、
ソルベントレッド(CINo.45170B)、ディスパ
ースレッド9(CINo. 60505)、オイルスカーレ
ット308(CINo. 21260)、ソルベントブラウ
ン(CINo. 12020)、ディスパースイエロー1
(CINo. 10345)、ディスパースイエロー3(C
INo. 11855)、ディスパースイエロー4(CIN
o. 12770)、ディスパースイエロー8(CINo.
27090)、ディスパースイエロー42(CINo. 1
0338)、ディスパースオレンジ1(CINo. 110
80)、ディスパースオレンジ3(CINo. 1100
5)、ディスパースオレンジ5(CINo. 1110
0)、ディスパースオレンジ11(CINo. 6070
0)、ディスパースレッド1(CINo. 11110)、
ディスパースレッド4(CINo. 60755)、ディス
パースレッド11(CINo. 62015)、ディスパー
スレッド15(CINo. 60710)、ディスパースレ
ッド58(CINo. 11135)等の油溶染料、分散染
料または塩素性染料、Examples of the coloring agent include methyl violet 2B (CI No. 42555), malachite green (CI No. 42000) and Victoria Blue B (CIN
o. 44045), neutral red (CI No. 50)
040), Solvent Yellow 2 (CI No. 1102)
0), Solvent Yellow 6 (CI No. 11390),
Solvent Yellow 14 (CI No. 12055), Solvent Yellow 15 (CI No. 18820), Solvent Yellow 16 (CI No. 12700), Solvent Yellow 21 (CI No. 18690), Solvent Yellow D-33 (CI No. 47000), Solvent Yellow 56 (CINo. 11021), Solvent Orange 1
(CI No. 11920), Solvent Orange 2 (CI
No. 12100), Solvent Orange 14 (CINo.
26020), Solvent Orange 40, Solvent Red 3 (CI No. 12010), Solvent Red 8
(CINo. 12715), Solvent Red 23 (CIN
o. 26100), Solvent Red 24 (CI No. 2)
6105), Solvent Red 25 (CI No. 2611)
0), Solvent Red 27 (CI No. 26125),
Solvent Red (CI No. 45170B), Disperse Red 9 (CI No. 60505), Oil Scarlet 308 (CI No. 21260), Solvent Brown (CI No. 12020), Disperse Yellow 1
(CINo. 10345), Disperse Yellow 3 (C
INo. 11855), Disperse Yellow 4 (CIN
o. 12770), Disperse Yellow 8 (CINo.
27090), Disperse Yellow 42 (CINo. 1)
0338), Disperse Orange 1 (CI No. 110)
80), Disperse Orange 3 (CI No. 1100)
5), Disperse Orange 5 (CINo. 1110)
0), Disperse Orange 11 (CINo. 6070)
0), Disper Thread 1 (CINo. 11110),
Oil-soluble dyes such as Disperse Red 4 (CI No. 60755), Disperse Red 11 (CI No. 62015), Disperse Red 15 (CI No. 60710), Disperse Red 58 (CI No. 11135);
【0025】ミケトン・ファスト・イエロー7G、ミケ
トン・ファスト・オレンジ5R(三井東圧染料(株)
製)、ホロン(サンド社製)、マクロレックスイエロー
6G(バイエル社製)等のメチン系染料、スチルベン、
4,4−ジアミノスチルベンスルホン酸誘導体、クマリ
ン誘導体、ピラゾリン誘導体等の螢光増白剤、特開昭5
9−142538号公報に記載されたヒドロキシアゾ系
染料等が挙げられる。これらの着色剤の配合量は、ポジ
型感放射線性樹脂組成物中のアルカリ可溶性ノボラック
樹脂および1,2−キノンジアジド化合物の総量100
重量部当たり、通常、6重量部以下、好ましくは4重量
部以下である。Miketone Fast Yellow 7G, Miketone Fast Orange 5R (Mitsui Toatsu Dye Co., Ltd.)
Methine dyes such as holon (manufactured by Sando), Macrolex Yellow 6G (manufactured by Bayer), stilbene,
Fluorescent brighteners such as 4,4-diaminostilbene sulfonic acid derivatives, coumarin derivatives and pyrazoline derivatives;
And hydroxyazo dyes described in JP-A-9-142538. The mixing amount of these coloring agents is 100% in total of the alkali-soluble novolak resin and the 1,2-quinonediazide compound in the positive-type radiation-sensitive resin composition.
It is usually at most 6 parts by weight, preferably at most 4 parts by weight, per part by weight.
【0026】接着助剤としては、例えば3−アミノプロ
ピルトリエトキシシラン、ビニルトリクロロシラン、2
−(3,4−エポキシシクロヘキシルエチル)トリメト
キシシラン等のシリコン化合物が用いられる。接着助剤
の配合量は、ポジ型感放射線性樹脂組成物中のアルカリ
可溶性ノボラック樹脂および1,2−キノンジアジド化
合物の総量100重量部当たり、通常、4重量部以下、
好ましくは2重量部以下である。さらに、ポジ型感放射
線性樹脂組成物には、必要に応じて保存安定剤、消泡剤
等も配合することができる。Examples of the adhesion aid include 3-aminopropyltriethoxysilane, vinyltrichlorosilane,
Silicon compounds such as-(3,4-epoxycyclohexylethyl) trimethoxysilane are used. The compounding amount of the adhesion assistant is usually 4 parts by weight or less per 100 parts by weight of the total amount of the alkali-soluble novolak resin and the 1,2-quinonediazide compound in the positive-type radiation-sensitive resin composition.
It is preferably at most 2 parts by weight. Further, a storage stabilizer, an antifoaming agent, and the like can be added to the positive-type radiation-sensitive resin composition, if necessary.
【0027】ポジ型感放射線性樹脂組成物を基板に塗布
するに際しては、前記アルカリ可溶性ノボラック樹脂、
前記1,2−キノンジアジド化合物および各種配合剤
を、例えば濃度が5〜50重量%となるように適当な溶
剤に所定量ずつ溶解し、例えば孔径0.2μm程度のフ
ィルタで濾過することにより調製した組成物溶液を回転
塗布、流し塗布、ロール塗布等によりシリコンウエーハ
等に塗布する。When the positive-type radiation-sensitive resin composition is applied to a substrate, the alkali-soluble novolak resin,
The 1,2-quinonediazide compound and various compounding agents were prepared, for example, by dissolving each in a predetermined amount in an appropriate solvent so that the concentration was 5 to 50% by weight, and then, for example, filtering through a filter having a pore size of about 0.2 μm. The composition solution is applied to a silicon wafer or the like by spin coating, flow coating, roll coating, or the like.
【0028】この際に用いられる溶剤としては、例えば
エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリ
コールモノエチルエーテル等のグリコールエーテル類、
メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテ
ート等のセロソルブエステル類、2−オキシプロピオン
酸メチル、2−オキシプロピオン酸エチル等のモノオキ
シモノカルボン酸エステル類、トルエン、キシレン等の
芳香族炭化水素類、メチルエチルケトン、シクロヘキサ
ノン等のケトン類、または酢酸エチル、酢酸ブチル等の
エステル類が挙げられる。これらの溶剤は、単独でまた
は2種以上組み合わせて用いられる。また、必要に応
じ、ベンジルエチルエーテル、ジヘキシルエーテル等の
エーテル類、ジエチレングリコールモノメチルエーテ
ル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル等のグリ
コールエーテル類、アセトニルアセトン、イソホロン等
のケトン類、カプロン酸、カプリル酸等の脂肪酸類、1
−オクタノール、1−ノナノール、ベンジルアルコール
等のアルコール類、または酢酸ベンジル、安息香酸エチ
ル、シュウ酸ジエチル、マレイン酸ジエチル、γ−ブチ
ロラクトン、炭酸エチレン、炭酸プロピレン、フェニル
セロソルブアセテート等のエステル類のような高沸点溶
剤を添加することもできる。Examples of the solvent used in this case include glycol ethers such as ethylene glycol monomethyl ether and ethylene glycol monoethyl ether;
Cellosolve esters such as methyl cellosolve acetate and ethyl cellosolve acetate; monooxymonocarboxylic acid esters such as methyl 2-oxypropionate and ethyl 2-oxypropionate; aromatic hydrocarbons such as toluene and xylene; methyl ethyl ketone; cyclohexanone And esters such as ethyl acetate and butyl acetate. These solvents are used alone or in combination of two or more. Also, if necessary, ethers such as benzyl ethyl ether and dihexyl ether, glycol ethers such as diethylene glycol monomethyl ether and diethylene glycol monoethyl ether, ketones such as acetonylacetone and isophorone, and fatty acids such as caproic acid and caprylic acid. , 1
Alcohols such as -octanol, 1-nonanol, and benzyl alcohol; or esters such as benzyl acetate, ethyl benzoate, diethyl oxalate, diethyl maleate, γ-butyrolactone, ethylene carbonate, propylene carbonate, and phenyl cellosolve acetate. High boiling solvents can also be added.
【0029】ポジ型感放射線性樹脂組成物の現像液とし
ては、例えば水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸
ナトリウム、珪酸ナトリウム、メタ珪酸ナトリウム、ア
ンモニア水等の無機アルカリ類、エチルアミン、n−プ
ロピルアミン等の第1級アミン類、ジエチルアミン、ジ
−n−プロピルアミン等の第2級アミン類、トリエチル
アミン、メチルジエチルアミン等の第3級アミン類、ジ
メチルエタノールアミン、トリエタノールアミン等のア
ルコールアミン類、テトラメチルアンモニウムヒドロキ
シド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、コリン
等の第4級アンモニウム塩、またはピロール、ピペリジ
ン、1,8−ジアザピシクロ(5,4,0)−7−ウン
デセン、1,5−ジアザピシクロ(4,3,0)−5−
ノナン等の環状アミン類を溶解してなるアルカリ性水溶
液が使用される。金属を含有する現像液の使用が問題と
なる集積回路の作製時には、第4級アンモニウム塩や環
状アミン類のアルカリ性水溶液を使用することが好まし
い。また前記現像液に水溶性有機溶媒、例えばメタノー
ル、エタノール等のアルコール類や界面活性剤を適量添
加して使用することもできる。Examples of the developer for the positive-type radiation-sensitive resin composition include inorganic alkalis such as sodium hydroxide, potassium hydroxide, sodium carbonate, sodium silicate, sodium metasilicate, and aqueous ammonia, ethylamine, and n-propylamine. Primary amines, such as diethylamine, di-n-propylamine, etc .; tertiary amines, such as triethylamine and methyldiethylamine; alcohol amines, such as dimethylethanolamine and triethanolamine; Quaternary ammonium salts such as methylammonium hydroxide, tetraethylammonium hydroxide and choline, or pyrrole, piperidine, 1,8-diazapicyclo (5,4,0) -7-undecene, 1,5-diazapicyclo (4,3 , 0) -5
An alkaline aqueous solution obtained by dissolving a cyclic amine such as nonane is used. When manufacturing an integrated circuit in which the use of a developer containing a metal becomes a problem, it is preferable to use an alkaline aqueous solution of a quaternary ammonium salt or a cyclic amine. Further, an appropriate amount of a water-soluble organic solvent, for example, an alcohol such as methanol or ethanol or a surfactant may be added to the developer.
【0030】[0030]
【実施例】以下、本発明を実施例により具体的に説明す
るが、本発明はこれらの実施例によって何ら制約される
ものではない。 実施例1 攪拌器、冷却管および温度計を装着した5リットルのセ
パラブルフラスコに、m−クレゾール324g(3モ
ル)、3,5−ジメチルフェノール244g(2モ
ル)、37重量%ホルムアルデヒド水溶液770gおよ
びシュウ酸0.8gを仕込み、セパラブルフラスコを油
浴に浸し、内温を100℃に保持しながら1時間反応さ
せ、その後さらにm−クレゾール324g(3モル)お
よび3,5−ジメチルフェノール244g(2モル)を
反応の進行とともに連続的にセパラブルフラスコに仕込
み、2時間反応させた。EXAMPLES Hereinafter, the present invention will be described specifically with reference to Examples, but the present invention is not limited by these Examples. Example 1 In a 5-liter separable flask equipped with a stirrer, a condenser and a thermometer, 324 g (3 mol) of m-cresol, 244 g (2 mol) of 3,5-dimethylphenol, 770 g of a 37% by weight aqueous solution of formaldehyde and 0.8 g of oxalic acid was charged, the separable flask was immersed in an oil bath, and reacted for 1 hour while maintaining the internal temperature at 100 ° C., and then 324 g (3 mol) of m-cresol and 244 g of 3,5-dimethylphenol ( 2 mol) was continuously charged into a separable flask as the reaction proceeded, and reacted for 2 hours.
【0031】次いで、油浴温度を180℃まで上昇さ
せ、同時にセパラブルフラスコ内を減圧にして水、ホル
ムアルデヒド、未反応のm−クレゾール、3,5−ジメ
チルフェノールおよびシュウ酸を除去した。次いで溶融
したノボラック樹脂を室温に戻し回収した。このノボラ
ック樹脂をテトラヒドロフランに溶解し、前記のGPC
法にてノボラック樹脂の分子量分布を測定した。その結
果を表1に示す。このようにして得られたノボラック樹
脂100重量部と表1に記載の1,2−キノンジアジド
化合物29重量部とを、エチルセロソルブアセテート3
01重量部に溶解し、ポジ型感放射線性樹脂組成物溶液
を調製した。この組成物溶液はポアサイズ0.2μmの
フィルタで濾過して異物微粒子を除去した。Next, the temperature of the oil bath was raised to 180 ° C., and simultaneously the pressure inside the separable flask was reduced to remove water, formaldehyde, unreacted m-cresol, 3,5-dimethylphenol and oxalic acid. Next, the melted novolak resin was returned to room temperature and collected. This novolak resin was dissolved in tetrahydrofuran, and
The molecular weight distribution of the novolak resin was measured by the method. Table 1 shows the results. 100 parts by weight of the novolak resin thus obtained and 29 parts by weight of the 1,2-quinonediazide compound shown in Table 1 were mixed with ethyl cellosolve acetate 3
The mixture was dissolved in 01 parts by weight to prepare a positive radiation-sensitive resin composition solution. The composition solution was filtered through a filter having a pore size of 0.2 μm to remove foreign particles.
【0032】これを常法によりシリコンウエーハ上にス
ピンナーで回転塗布したのち、90℃で2分間ホットプ
レート上にてプレベークして1.2μm厚のレジスト膜
を形成した。次いで縮小投影露光機にて露光量を変化さ
せ、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド2.4重量
%水溶液を用い25℃で60秒間現像し、水でリンス
し、乾燥した後、得られたレジストパターンを走査型電
子顕微鏡で観察したところ、現像残りは認められず、感
度は良好であり、さらにレジストパターンが細くなるこ
とがなく、線幅0.8μmのレジストパターンが解像で
きた。またオーブン中にレジストパターンを形成したウ
エーハを入れてパターンが崩れ始めたときの温度を求め
たところ、150℃であり、レジストとして耐熱性が良
好なことが分かった。その結果を表1に示す。This was spin-coated on a silicon wafer by a spinner by a conventional method, and prebaked on a hot plate at 90 ° C. for 2 minutes to form a 1.2 μm thick resist film. Next, the exposure amount was changed using a reduction projection exposure machine, developed with a 2.4% by weight aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide at 25 ° C. for 60 seconds, rinsed with water, dried, and the obtained resist pattern was scanned. Observation with a scanning electron microscope revealed that there was no development residue, that the sensitivity was good, that the resist pattern was not thin, and that a resist pattern having a line width of 0.8 μm could be resolved. The temperature at which the pattern began to collapse was determined by placing the wafer on which the resist pattern was formed in an oven, and found to be 150 ° C., indicating that the resist had good heat resistance. Table 1 shows the results.
【0033】実施例2 実施例1と同様なセパラブルフラスコに、m−クレゾー
ル270g(2.5モル)、3,5−ジメチルフェノー
ル305g(2.5モル)、37重量%ホルムアルデヒ
ド水溶液770gおよびシュウ酸0.8gを仕込み、セ
パラブルフラスコを油浴に浸し、内温を100℃に保持
しながら1時間反応させ、その後さらにm−クレゾール
270g(2.5モル)および3,5−ジメチルフェノ
ール305g(2.5モル)を反応の進行とともに連続
的にセパラブルフラスコに仕込み、2時間反応させた。
その後実施例1と同様にしてノボラック樹脂を合成し、
前記のGPC法にてノボラック樹脂の分子量分布を測定
した。その結果を表1に示す。次いで、表1に示す添加
量の1,2−キノンジアジド化合物を用い、その他は実
施例1と同様にしてポジ型感放射線性樹脂組成物溶液を
調製し、濾過し、レジスト性能の評価を行なった。その
結果を表1に示す。いずれも感度、解像度、現像性およ
び耐熱性の優れたものであった。Example 2 In the same separable flask as in Example 1, 270 g (2.5 mol) of m-cresol, 305 g (2.5 mol) of 3,5-dimethylphenol, 770 g of a 37% by weight aqueous formaldehyde solution, and 0.8 g of acid was charged, and the separable flask was immersed in an oil bath and reacted for 1 hour while maintaining the internal temperature at 100 ° C. Then, 270 g (2.5 mol) of m-cresol and 305 g of 3,5-dimethylphenol were further added. (2.5 mol) was continuously charged into a separable flask as the reaction proceeded, and reacted for 2 hours.
Thereafter, a novolak resin was synthesized in the same manner as in Example 1,
The molecular weight distribution of the novolak resin was measured by the GPC method. Table 1 shows the results. Next, a positive-type radiation-sensitive resin composition solution was prepared in the same manner as in Example 1 except that the addition amount of the 1,2-quinonediazide compound shown in Table 1 was used, followed by filtration and evaluation of the resist performance. . Table 1 shows the results. All were excellent in sensitivity, resolution, developability and heat resistance.
【0034】実施例3 実施例1と同様なセパラブルフラスコに、m−クレゾー
ル324g(3モル)、2,3,5−トリメチルフェノ
ール272g(2モル)、37重量%ホルムアルデヒド
水溶液892gおよびシュウ酸3.0gを仕込み、セパ
ラブルフラスコを油浴に浸し、内温を100℃に保持し
ながら3時間反応させ、その後さらにm−クレゾール3
24g(3モル)および2,3,5−トリメチルフェノ
ール272g(2モル)を反応の進行とともに連続的に
セパラブルフラスコに仕込み、3時間反応させた。その
後、実施例1と同様にしてノボラック樹脂を合成し、前
記GPC法にてノボラック樹脂の分子量分布を測定し
た。その結果を表1に示す。次いで、実施例1と同様に
してポジ型感放射線性樹脂組成物溶液を調製し、濾過
し、レジスト性能の評価を行なった。その結果を表1に
示す。いずれも感度、解像度、現像性および耐熱性の優
れたものであった。Example 3 In the same separable flask as in Example 1, 324 g (3 mol) of m-cresol, 272 g (2 mol) of 2,3,5-trimethylphenol, 892 g of a 37% by weight aqueous solution of formaldehyde and oxalic acid 3 0.0 g, the separable flask was immersed in an oil bath and reacted for 3 hours while maintaining the internal temperature at 100 ° C., and then m-cresol 3 was added.
24 g (3 mol) and 272 g (2 mol) of 2,3,5-trimethylphenol were continuously charged into the separable flask as the reaction progressed, and reacted for 3 hours. Thereafter, a novolak resin was synthesized in the same manner as in Example 1, and the molecular weight distribution of the novolak resin was measured by the GPC method. Table 1 shows the results. Next, a positive radiation-sensitive resin composition solution was prepared and filtered in the same manner as in Example 1 to evaluate the resist performance. Table 1 shows the results. All were excellent in sensitivity, resolution, developability and heat resistance.
【0035】実施例4 実施例1と同様なセパラブルフラスコに、m−クレゾー
ル216g(2モル)、4−t−ブチルフェノール30
0g(2モル)、37重量%ホルムアルデヒド水溶液7
70gおよびシュウ酸3.0gを仕込み、セパラブルフ
ラスコを油浴に浸し、内温を100℃に保持しながら3
時間反応させ、その後さらにm−クレゾール648g
(6モル)を反応の進行とともに連続的にセパラブルフ
ラスコに仕込み、4時間反応させた。その後実施例1と
同様にしてノボラック樹脂を合成し、前記GPC法に
て、ノボラック樹脂の分子量分布を測定した。この結果
を表1に示す。次いで表1に示す種類および添加量の
1,2−キノンジアジド化合物を用い、その他は実施例
1と同様にしてポジ型感放射線性樹脂組成物溶液を調製
し、濾過し、レジスト性能の評価を行なった。その結果
を表1に示す。いずれも感度、解像度、現像性および耐
熱性の優れたものであった。Example 4 In a separable flask similar to that of Example 1, 216 g (2 mol) of m-cresol and 4-t-butylphenol 30 were added.
0 g (2 mol), 37% by weight aqueous formaldehyde solution 7
70 g and oxalic acid 3.0 g were charged, and the separable flask was immersed in an oil bath.
Let react for hours, then 648 g of m-cresol
(6 mol) was continuously charged into a separable flask as the reaction proceeded, and reacted for 4 hours. Thereafter, a novolak resin was synthesized in the same manner as in Example 1, and the molecular weight distribution of the novolak resin was measured by the GPC method. Table 1 shows the results. Next, a positive-type radiation-sensitive resin composition solution was prepared in the same manner as in Example 1 except that the kind and the amount of the 1,2-quinonediazide compound shown in Table 1 were used, and filtration was performed to evaluate the resist performance. Was. Table 1 shows the results. All were excellent in sensitivity, resolution, developability and heat resistance.
【0036】実施例5 実施例1で得られたノボラック樹脂ならびに表1に示す
種類および添加量の1,2−キノンジアジド化合物を用
い、その他は実施例1と同様にしてポジ型感放射線性樹
脂組成物溶液を調製し、濾過し、レジスト性能の評価を
行なった。その結果を表1に示す。いずれも感度、解像
度、現像性および耐熱性の優れたものであった。Example 5 A positive-type radiation-sensitive resin composition was obtained in the same manner as in Example 1 except that the novolak resin obtained in Example 1 and the 1,2-quinonediazide compound of the kind and amount shown in Table 1 were used. A solution was prepared and filtered, and the resist performance was evaluated. Table 1 shows the results. All were excellent in sensitivity, resolution, developability and heat resistance.
【0037】比較例1 実施例1と同様のセパラブルフラスコに、m−クレゾー
ル648g(6モル)、反応活性の高い3,5−ジメチ
ルフェノール488g(4モル)、37重量%ホルムア
ルデヒド水溶液770gおよびシュウ酸8gを一括して
仕込み、セパラブルフラスコを油浴に浸し、内温を10
0℃に保持しながら2時間反応させ、その後実施例1と
同様に処理してGPC法にてノボラック樹脂の分子量分
布を測定した。その結果を表1に示す。次いで表1に示
す種類および添加量の1,2−キノンジアジド化合物を
用い、その他は実施例1と同様にして組成物溶液を調製
し、濾過し、レジスト性能の評価を行なった。その結果
を表1に示すが、実施例に比べ感度、解像度および現像
性が劣るものであった。Comparative Example 1 In the same separable flask as in Example 1, 648 g (6 mol) of m-cresol, 488 g (4 mol) of 3,5-dimethylphenol having high reaction activity, 770 g of a 37% by weight aqueous solution of formaldehyde and shu 8 g of acid was charged at once, the separable flask was immersed in an oil bath,
The reaction was carried out for 2 hours while maintaining the temperature at 0 ° C., and then the same treatment as in Example 1 was performed, and the molecular weight distribution of the novolak resin was measured by the GPC method. Table 1 shows the results. Next, a composition solution was prepared in the same manner as in Example 1 except that the kind and addition amount of the 1,2-quinonediazide compound shown in Table 1 were used, followed by filtration and evaluation of the resist performance. The results are shown in Table 1. As a result, the sensitivity, resolution and developability were inferior to those of the examples.
【0038】比較例2および3 表1に示す各種フェノール類を用い、その他は比較例1
と同様にしてノボラック樹脂を合成し、GPC法にてノ
ボラック樹脂の分子量分布を測定した。その結果を表1
に示す。次いで表1に示す種類および添加量の1,2−
キノンジアジド化合物を用い、その他は実施例1と同様
にしてポジ型感放射線性樹脂組成物溶液を調製し、濾過
し、レジスト性能の評価を行なった。その結果を表1に
示すが、実施例に比べ感度、解像度および現像性が劣る
ものであった。Comparative Examples 2 and 3 Various phenols shown in Table 1 were used.
A novolak resin was synthesized in the same manner as described above, and the molecular weight distribution of the novolak resin was measured by the GPC method. Table 1 shows the results.
Shown in Next, the types and addition amounts of 1,2-
Using a quinonediazide compound, a positive radiation-sensitive resin composition solution was prepared and filtered in the same manner as in Example 1 except for evaluating the resist performance. The results are shown in Table 1. As a result, the sensitivity, resolution and developability were inferior to those of the examples.
【0039】[0039]
【表1】 [Table 1]
【0040】表1の結果から、本発明のアルカリ可溶性
ノボラック樹脂を含むポジ型感放射線性樹脂組成物は、
感度、解像度、現像性および耐熱性のバランスに優れて
いることが分かる。 実施例6 実施例1で得られたノボラック樹脂ならびに表2に示す
種類および添加量の1,2−キノンジアジド化合物を用
い、その他は実施例1と同様にしてポジ型感放射線性樹
脂組成物溶液を調製し、濾過し、レジスト性能の評価を
行なった。その結果を表2に示す。いずれも感度、解像
度、現像性および耐熱性の優れたものであった。From the results shown in Table 1, the positive radiation-sensitive resin composition containing the alkali-soluble novolak resin of the present invention was
It can be seen that the balance between sensitivity, resolution, developability and heat resistance is excellent. Example 6 A positive-type radiation-sensitive resin composition solution was prepared in the same manner as in Example 1 except that the novolak resin obtained in Example 1 and the 1,2-quinonediazide compound of the type and addition amount shown in Table 2 were used. It was prepared, filtered, and evaluated for resist performance. Table 2 shows the results. All were excellent in sensitivity, resolution, developability and heat resistance.
【0041】実施例7 実施例2で得られたノボラック樹脂ならびに表2に示す
種類および添加量の1,2−キノンジアジド化合物を用
い、その他は実施例1と同様にしてポジ型感放射線性樹
脂組成物溶液を調製し、濾過し、レジスト性能の評価を
行なった。その結果を表2に示す。いずれも感度、解像
度、現像性および耐熱性の優れたものであった。Example 7 A positive-type radiation-sensitive resin composition was prepared in the same manner as in Example 1 except that the novolak resin obtained in Example 2 and the 1,2-quinonediazide compound of the type and amount shown in Table 2 were used. A solution was prepared and filtered, and the resist performance was evaluated. Table 2 shows the results. All were excellent in sensitivity, resolution, developability and heat resistance.
【0042】実施例8および9 実施例3で得られたノボラック樹脂ならびに表2に示す
種類および添加量の1,2−キノンジアジド化合物を用
い、その他は実施例1と同様にしてポジ型感放射線性樹
脂組成物溶液を調製し、濾過し、レジスト性能の評価を
行なった。その結果を表2に示す。いずれも感度、解像
度、現像性および耐熱性の優れたものであった。Examples 8 and 9 Positive radiation sensitivity was obtained in the same manner as in Example 1 except that the novolak resin obtained in Example 3 and the type and amount of 1,2-quinonediazide compound shown in Table 2 were used. A resin composition solution was prepared, filtered, and evaluated for resist performance. Table 2 shows the results. All were excellent in sensitivity, resolution, developability and heat resistance.
【0043】実施例10および11 実施例1と同様なセパラブルフラスコに、m−クレゾー
ル432g(4モル)、2,3,5−トリメチルフェノ
ール736g(1モル)、37重量%ホルムアルデヒド
水溶液892gおよびシュウ酸3.0gを仕込み、セパ
ラブルフラスコを油浴に浸し、内温を100℃に保持し
ながら3時間反応させ、その後さらにm−クレゾール1
08g(1モル)、2,3,5−トリメチルフェノール
544g(4モル)を反応の進行とともに連続的にセパ
ラブルフラスコに仕込み、2時間反応させた。その後、
実施例1と同様にしてノボラック樹脂を合成し、前記の
GPC法にてノボラック樹脂の分子量分布を測定した。
その結果を表2に示す。次いで表2に示す種類および添
加量の1,2−キノンジアジド化合物を用い、その他は
実施例1と同様にしてポジ型感放射線性樹脂組成物溶液
を調製し、濾過し、レジスト性能の評価を行なった。そ
の結果を表2に示す。いずれも感度、解像度、現像性お
よび耐熱性の優れたものであった。Examples 10 and 11 In the same separable flask as in Example 1, 432 g (4 mol) of m-cresol, 736 g (1 mol) of 2,3,5-trimethylphenol, 892 g of a 37% by weight aqueous solution of formaldehyde and shu 3.0 g of acid was charged, the separable flask was immersed in an oil bath, and reacted for 3 hours while maintaining the internal temperature at 100 ° C., and then m-cresol 1 was further added.
08 g (1 mol) and 544 g (4 mol) of 2,3,5-trimethylphenol were continuously charged into the separable flask as the reaction progressed, and reacted for 2 hours. afterwards,
A novolak resin was synthesized in the same manner as in Example 1, and the molecular weight distribution of the novolak resin was measured by the GPC method.
Table 2 shows the results. Next, a positive-type radiation-sensitive resin composition solution was prepared in the same manner as in Example 1 except for using the 1,2-quinonediazide compound of the kind and the addition amount shown in Table 2, filtered, and evaluated for resist performance. Was. Table 2 shows the results. All were excellent in sensitivity, resolution, developability and heat resistance.
【0044】実施例12および13 実施例1と同様なセパラブルフラスコに、m−クレゾー
ル108g(1モル)、3,5−ジメチルフェノール4
88g(4モル)、37重量%ホルムアルデヒド水溶液
770gおよびシュウ酸0.8gを仕込み、セパラブル
フラスコを油浴に浸し、内温を100℃に保持しながら
0.5時間反応させ、その後さらにm−クレゾール43
2g(4モル)、3,5−ジメチルフェノール122g
(1モル)を反応の進行とともに連続的にセパラブルフ
ラスコに仕込み、1.5時間反応させた。その後実施例
1と同様にしてノボラック樹脂を合成し、前記のGPC
法にてノボラック樹脂の分子量分布を測定した。その結
果を表2に示す。次いで表2に示す種類と添加量の1,
2−キノンジアジド化合物を用い、その他は実施例1と
同様にして、ポジ型感放射線性樹脂組成物溶液を調製
し、濾過し、レジスト性能の評価を行なった。その結果
を表2に示す。いずれも感度、解像度、現像性および耐
熱性の優れたものであった。Examples 12 and 13 In the same separable flask as in Example 1, 108 g (1 mol) of m-cresol, 3,5-dimethylphenol 4
88 g (4 mol), 770 g of a 37% by weight aqueous solution of formaldehyde and 0.8 g of oxalic acid were charged, the separable flask was immersed in an oil bath, and the reaction was carried out for 0.5 hour while maintaining the internal temperature at 100 ° C. Cresol 43
2 g (4 mol), 122 g of 3,5-dimethylphenol
(1 mol) was continuously charged into a separable flask as the reaction proceeded, and reacted for 1.5 hours. Then, a novolak resin was synthesized in the same manner as in Example 1, and the GPC
The molecular weight distribution of the novolak resin was measured by the method. Table 2 shows the results. Next, as shown in Table 2,
A positive radiation-sensitive resin composition solution was prepared and filtered in the same manner as in Example 1 except that a 2-quinonediazide compound was used, and the resist performance was evaluated. Table 2 shows the results. All were excellent in sensitivity, resolution, developability and heat resistance.
【0045】[0045]
【表2】 [Table 2]
【0046】[0046]
【発明の効果】本発明のアルカリ可溶性ノボラック樹脂
は、1,2−キノンジアジド化合物の存在下で優れた解
像度、感度、現像性および耐熱性を示し、さらに耐ドラ
イエッチング性にも優れたポジ型レジストを得ることが
できる。The alkali-soluble novolak resin of the present invention exhibits excellent resolution, sensitivity, developability and heat resistance in the presence of a 1,2-quinonediazide compound, and furthermore has a positive resist excellent in dry etching resistance. Can be obtained.
Claims (2)
一般式(I) 【化1】 〔式中、Xは−CH3 、−C2 H5 、−C(C
H3 )3 、−CO2 CH3 または−CO2 C2 H5 を意
味し、3≧n≧1、3≧m≧1である〕で表される化合
物(但しm−クレゾールを除く)70〜10モル%を含
むフェノール類とホルムアルデヒドとを縮合反応させて
得られ、該縮合反応は反応の進行とともにフェノール類
を加える方法で実施され、かつ、単分散ポリスチレンを
標準とするゲルパーミェーションクロマトグラフ(GP
C)法により求めたポリスチレン換算分子量が6,30
0〜25,000、2,500〜6,000および15
0〜900の範囲にあるピークの最大の高さの値をそれ
ぞれa、bおよびcとしたとき、a/b=0〜1.5お
よびc/b=0.5〜1.5の範囲にあることを特徴と
するアルカリ可溶性ノボラック樹脂。1. 30-90 mol% of m-cresol and a compound of the general formula (I) Wherein, X is -CH 3, -C 2 H 5, -C (C
H 3) 3, means -CO 2 CH 3 or -CO 2 C 2 H 5, except 3 ≧ n ≧ 1,3 ≧ m ≧ 1 and is] in compounds represented (but m- cresol) 70 Obtained by subjecting a phenol containing 10 to 10 mol% to a condensation reaction with formaldehyde, the condensation reaction being carried out by a method of adding the phenol with the progress of the reaction, and gel permeation using monodisperse polystyrene as a standard. Chromatograph (GP
The polystyrene equivalent molecular weight determined by the method C) is 6,30.
0-25,000, 2,500-6,000 and 15
When the maximum height values of the peaks in the range of 0 to 900 are a, b and c, respectively, a / b = 0 to 1.5 and c / b = 0.5 to 1.5. An alkali-soluble novolak resin characterized in that:
るための請求項1のアルカリ可溶性ノボラック樹脂。2. The alkali-soluble novolak resin according to claim 1, which is used for a positive radiation-sensitive resin composition.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP36072298A JP3478378B2 (en) | 1998-12-18 | 1998-12-18 | Alkali-soluble novolak resin |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP36072298A JP3478378B2 (en) | 1998-12-18 | 1998-12-18 | Alkali-soluble novolak resin |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61070552A Division JPH0654386B2 (en) | 1986-03-28 | 1986-03-28 | Positive type radiation sensitive resin composition |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11255855A true JPH11255855A (en) | 1999-09-21 |
JP3478378B2 JP3478378B2 (en) | 2003-12-15 |
Family
ID=18470638
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP36072298A Expired - Lifetime JP3478378B2 (en) | 1998-12-18 | 1998-12-18 | Alkali-soluble novolak resin |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3478378B2 (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4516150B1 (en) * | 2009-02-27 | 2010-08-04 | 昭和高分子株式会社 | Photosensitive resin composition |
JP2013079369A (en) * | 2011-09-21 | 2013-05-02 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | Novolac phenol resin, photoresist resin composition, and method for manufacturing liquid crystal device |
-
1998
- 1998-12-18 JP JP36072298A patent/JP3478378B2/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4516150B1 (en) * | 2009-02-27 | 2010-08-04 | 昭和高分子株式会社 | Photosensitive resin composition |
WO2010098312A1 (en) * | 2009-02-27 | 2010-09-02 | 昭和高分子株式会社 | Photosensitive resin composition |
JP2010204151A (en) * | 2009-02-27 | 2010-09-16 | Showa Highpolymer Co Ltd | Photosensitive resin composition |
US8535873B2 (en) | 2009-02-27 | 2013-09-17 | Showa Denko K.K. | Photosensitive resin composition |
JP2013079369A (en) * | 2011-09-21 | 2013-05-02 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | Novolac phenol resin, photoresist resin composition, and method for manufacturing liquid crystal device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3478378B2 (en) | 2003-12-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPH03155554A (en) | Radiation sensitive resin composition | |
JPH0654386B2 (en) | Positive type radiation sensitive resin composition | |
US6171750B1 (en) | Radiation-sensitive resin composition | |
US5798201A (en) | Radiation sensitive resin composition | |
JPH0654389B2 (en) | Positive type radiation sensitive resin composition | |
JP2555620B2 (en) | Radiation-sensitive resin composition | |
EP0848291B1 (en) | Radiation-sensitive resin composition | |
JPH0768435B2 (en) | Radiation-sensitive resin composition | |
JPH11255855A (en) | Alkali-soluble novolak resin | |
JP2927014B2 (en) | Radiation-sensitive resin composition | |
JP3240612B2 (en) | Radiation-sensitive resin composition | |
JP2985400B2 (en) | Radiation-sensitive resin composition | |
JP2569705B2 (en) | Positive photoresist | |
JP3235089B2 (en) | Positive resist composition for i-line and pattern forming method | |
JP2002244285A (en) | Radiation sensitive resin composition | |
JPH0792669A (en) | Radiation-sensitive resin composition | |
JP3472994B2 (en) | Radiation-sensitive resin composition | |
JP2751572B2 (en) | Radiation-sensitive resin composition | |
JP2775833B2 (en) | Radiation-sensitive resin composition | |
JP3232641B2 (en) | Radiation-sensitive resin composition | |
JP2921519B2 (en) | Radiation-sensitive resin composition | |
JP3317595B2 (en) | Radiation-sensitive resin composition | |
JP2000010269A (en) | Radiation sensitive resin composition | |
JPH05313367A (en) | Positive type radiation sensitive resin composition | |
JPH0844053A (en) | Positive radiation sensitive resin composition |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
EXPY | Cancellation because of completion of term |