JPH11242337A - Resist composition and pattern forming method using the same - Google Patents
Resist composition and pattern forming method using the sameInfo
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- JPH11242337A JPH11242337A JP10346601A JP34660198A JPH11242337A JP H11242337 A JPH11242337 A JP H11242337A JP 10346601 A JP10346601 A JP 10346601A JP 34660198 A JP34660198 A JP 34660198A JP H11242337 A JPH11242337 A JP H11242337A
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子等の製
造に於いて使用される新規なレジスト組成物及びこれを
用いたパターン形成方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a novel resist composition used in the manufacture of semiconductor devices and the like, and a pattern forming method using the same.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来、アルカリ可溶性の樹脂として、ノ
ボラック樹脂やフェノール樹脂、或いはアクリル酸,メ
タクリル酸を構成成分とするポリマー等が知られてお
り、写真製版や、レジスト材料等の電子工業用材料とし
て用いられ、数多くのポリマーが実用化されている。特
にリソグラフィ技術の分野では、露光光源として、g線
(波長436nm)、i線(波長365nm)の紫外光,また最近
ではエキシマレーザー(KrFエキシマレーザー;波長
248nm、ArFエキシマレーザー;波長193nm)が使用さ
れてきており、これらの光源に対応したレジスト材料の
ベースポリマーには、g線、i線用レジストではノボラ
ック樹脂、KrFレジストではフェノール樹脂が主とし
て用いられており、そのいずれにおいてもアルカリ現像
液で現像可能な官能基としてフェノール性水酸基(pKa
約12)を有している。2. Description of the Related Art Conventionally, novolak resins, phenolic resins, polymers containing acrylic acid or methacrylic acid as components, and the like are known as alkali-soluble resins. And many polymers have been put to practical use. Particularly in the field of lithography technology, g-line (436 nm wavelength), i-line (365 nm wavelength) ultraviolet light, and recently an excimer laser (KrF excimer laser;
248 nm, ArF excimer laser; wavelength 193 nm) has been used, and as a base polymer of a resist material corresponding to these light sources, a novolak resin is mainly used for a resist for g-line and i-line, and a phenol resin is mainly used for a KrF resist. In any of them, a phenolic hydroxyl group (pKa
About 12).
【0003】一方、現在開発途上にあるArFレジスト
材料で用いるベースポリマーとしては、アクリル酸誘導
体又はメタクリル酸誘導体樹脂が主流である(例えば、
特開平7-199467号公報、特開平8-82925号公報、特開平7
-234511号公報等)。その理由は、従来用いられてきた
芳香環を含有する樹脂は遠紫外領域での透明性が低く、
ArFエキシマレーザー光波長である193nmでは全く不
透明となるためである。しかしながら、このアクリル酸
又はメタクリル酸樹脂をベースに用いたレジスト材料
は、カルボン酸基を可溶性基とするために酸性度が高く
(pKa 約5)、従来のフェノール性水酸基を可溶性基と
するポリマーに比べてアルカリ現像時の溶解速度が非常
に速いため、既存のアルカリ現像液である2.38%テトラ
メチルアンモニウムヒドロキシド(TMAH)水溶液で
は、希釈しないで用いると微細パターン形成時に膜はが
れが生じたり、また未露光部まで溶解するため、良好な
パターンが得られないという欠点が生じる。しかも、半
導体装置の実製造ラインで現在採用されているアルカリ
現像液は、前述した2.38%TMAHが主流であり、i線
レジストとKrFレジストまたはKrFレジストとAr
Fレジストのように各世代のレジスト材料が混在した製
造ラインでは、現像液を希釈して用いることは非常に困
難な状況である。On the other hand, as a base polymer used in an ArF resist material currently under development, an acrylic acid derivative or methacrylic acid derivative resin is mainly used (for example,
JP-A-7-199467, JP-A-8-82925, JP-A-7
-234511). The reason is that conventionally used resins containing aromatic rings have low transparency in the far ultraviolet region,
This is because at 193 nm, which is the wavelength of the ArF excimer laser beam, it becomes completely opaque. However, the resist material using the acrylic acid or methacrylic acid resin as a base has a high acidity (pKa of about 5) due to the carboxylic acid group being a soluble group, and is not compatible with a conventional polymer having a phenolic hydroxyl group as a soluble group. Since the dissolution rate during alkali development is extremely high, the existing alkaline developer, 2.38% tetramethylammonium hydroxide (TMAH) aqueous solution, when used without dilution, may cause film peeling during fine pattern formation, or Since it dissolves to the unexposed portion, there is a disadvantage that a good pattern cannot be obtained. In addition, the above-mentioned 2.38% TMAH is the mainstream of the alkali developing solution currently used in the actual production line of semiconductor devices, and i-line resist and KrF resist or KrF resist and Ar
In a production line where resist materials of each generation are mixed, such as F resist, it is very difficult to dilute and use the developing solution.
【0004】[0004]
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記した如き
状況に鑑みなされたもので、220nm以下の遠紫外光、特
にArFエキシマレーザ光等に対し高い透過性を有し、
エッチング耐性等に優れたレジスト膜が得られる新規な
レジスト組成物及びこれを用いたパターン形成方法を提
供することを目的とする。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above situation, and has high transparency to far ultraviolet light having a wavelength of 220 nm or less, particularly ArF excimer laser light.
An object of the present invention is to provide a novel resist composition capable of obtaining a resist film having excellent etching resistance and the like and a pattern forming method using the same.
【0005】[0005]
【課題を解決するための手段】本発明は、一般式[1
a]The present invention provides a compound represented by the general formula [1]
a]
【0006】[0006]
【化7】 Embedded image
【0007】(式中、Xは置換基を有していても良い多
環式炭化水素基を表し、Zはスペーサー又は結合手を表
し、Rは保護された水酸基を1又は2個有する置換アル
キル基又はアルケニル基を表す。)で示されるモノマー
単位を構成単位として含んで成るポリマーと、露光によ
り酸を発生する感光性化合物と、これ等を溶解可能な溶
剤とを含んで成るレジスト組成物、の発明である。(Wherein X represents a polycyclic hydrocarbon group which may have a substituent, Z represents a spacer or a bond, and R represents a substituted alkyl having one or two protected hydroxyl groups. A resist composition comprising a polymer comprising a monomer unit represented by the following formula: or a alkenyl group as a constituent unit, a photosensitive compound capable of generating an acid upon exposure, and a solvent capable of dissolving the compound. Invention.
【0008】また、本発明は、上記記載のレジスト組成
物を(1)基板上に塗布する工程と、(2)加熱処理の
後、マスクを介して220nm以下の光で露光する工程と、
(3)必要に応じて加熱処理した後、現像液を用いて現
像する工程、とを含んで成るパターン形成方法、の発明
である。[0008] The present invention also relates to (1) a step of applying the resist composition described above on a substrate, and (2) a step of exposing the resist composition to light of 220 nm or less through a mask after a heat treatment;
(3) a step of performing a heat treatment as necessary and then developing with a developer.
【0009】即ち、本発明者らは上記目的を達成すべく
鋭意研究を重ねた結果、220nm以下の波長領域での光透
過性が高く、これをレジスト材料として用いることによ
りエッチング耐性の高いレジスト膜が得られる上記一般
式[1a]で示されるモノマー単位を構成単位として含
んで成る新規なポリマーを見い出し、該ポリマーと露光
により酸を発生する感光性化合物と、これ等を溶解可能
な溶剤とを含んで成る化学増幅型レジスト材料に到達
し、本発明を完成するに至った。That is, the present inventors have conducted intensive studies to achieve the above object, and as a result, a resist film having high light transmittance in a wavelength region of 220 nm or less and having high etching resistance by using this as a resist material. Is obtained, a novel polymer comprising a monomer unit represented by the above general formula [1a] as a constitutional unit, and a photosensitive compound capable of generating an acid upon exposure to the polymer and a solvent capable of dissolving the same. The present invention has reached a chemically amplified resist material comprising the same, and has completed the present invention.
【0010】一般式[1a]に於いて、Xで示される、
置換基を有していても良い多環式炭化水素基としては、
例えば下記一般式[2a]〜[4a]で示される基等が
挙げられる。In the general formula [1a], represented by X
As the polycyclic hydrocarbon group which may have a substituent,
Examples include groups represented by the following general formulas [2a] to [4a].
【0011】[0011]
【化8】 Embedded image
【0012】(式中、R16及びR17は夫々独立して、水
素原子,アルキル基,シアノ基,アルキルオキシカルボ
ニル基又はカルバモイル基を表し、は0又は1を表
す。)(Wherein, R 16 and R 17 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group, a cyano group, an alkyloxycarbonyl group or a carbamoyl group, and represents 0 or 1.)
【0013】[0013]
【化9】 Embedded image
【0014】(式中、R18及びR19は夫々独立して、水
素原子,アルキル基,シアノ基,アルキルオキシカルボ
ニル基又はカルバモイル基を表す。)(Wherein, R 18 and R 19 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group, a cyano group, an alkyloxycarbonyl group or a carbamoyl group.)
【0015】[0015]
【化10】 Embedded image
【0016】上記式中、R16〜R19で示されるアルキル
基としては、直鎖状でも分枝状でも或いは環状でも良
く、例えば炭素数1〜20のアルキル基が挙げられ、具
体的にはメチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプ
ロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、tert-ブチル
基、sec-ブチル基、n-ペンチル基、イソペンチル基、
ネオペンチル基、tert-ペンチル基、3,3-ジメチルブチ
ル基、1,1-ジメチルブチル基、1-メチルペンチル基、n
-ヘキシル基、イソヘキシル基、ヘプチル基、オクチル
基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、
ヘキサデシル基、オクタデシル基、2-エチルヘキシル
基、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキ
シル基等が挙げられる。アルキルオキシカルボニル基と
しては、直鎖状でも分枝状でも或いは環状でも良い。直
鎖状又は分枝状のアルキルオキシカルボニル基として
は、例えば炭素数2〜19のアルキルオキシカルボニル
基が挙げられ、具体的にはメチルオキシカルボニル基、
エチルオキシカルボニル基、プロピルオキシカルボニル
基、ブチルオキシカルボニル基、ペンチルオキシカルボ
ニル基、ヘキシルオキシカルボニル基、ヘプチルオキシ
カルボニル基、オクチルオキシカルボニル基、ドデシル
オキシカルボニル基、オクタデシルオキシカルボニル
基、tert-ブチルオキシカルボニル基、2-エチルヘキシ
ルオキシカルボニル基等が挙げられる。また、環状のア
ルキルオキシカルボニル基としては、環は単環でも多環
でも良く、例えば炭素数6〜14の脂環状アルキルオキシ
カルボニル基が挙げられ、具体的にはシクロヘキシルオ
キシカルボニル基、トリシクロデカニルオキシカルボニ
ル基、アダマンチルオキシカルボニル基、ノルボルニル
オキシカルボニル基、ビシクロ[3.2.1]オクテニルオキ
シカルボニル基、ビシクロ[2.2.2]オクチルオキシカル
ボニルオキシカルボニル基、メンチルオキシカルボニル
基、イソボルニルオキシカルボニル基等が挙げられる。In the above formula, the alkyl group represented by R 16 to R 19 may be linear, branched or cyclic, and includes, for example, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms. Methyl group, ethyl group, n-propyl group, isopropyl group, n-butyl group, isobutyl group, tert-butyl group, sec-butyl group, n-pentyl group, isopentyl group,
Neopentyl group, tert-pentyl group, 3,3-dimethylbutyl group, 1,1-dimethylbutyl group, 1-methylpentyl group, n
-Hexyl group, isohexyl group, heptyl group, octyl group, nonyl group, decyl group, undecyl group, dodecyl group,
Examples include a hexadecyl group, an octadecyl group, a 2-ethylhexyl group, a cyclopropyl group, a cyclopentyl group, and a cyclohexyl group. The alkyloxycarbonyl group may be linear, branched or cyclic. Examples of the linear or branched alkyloxycarbonyl group include, for example, an alkyloxycarbonyl group having 2 to 19 carbon atoms, specifically, a methyloxycarbonyl group,
Ethyloxycarbonyl, propyloxycarbonyl, butyloxycarbonyl, pentyloxycarbonyl, hexyloxycarbonyl, heptyloxycarbonyl, octyloxycarbonyl, dodecyloxycarbonyl, octadecyloxycarbonyl, tert-butyloxycarbonyl Group, 2-ethylhexyloxycarbonyl group and the like. Further, as the cyclic alkyloxycarbonyl group, the ring may be monocyclic or polycyclic, and examples thereof include an alicyclic alkyloxycarbonyl group having 6 to 14 carbon atoms. Specific examples include a cyclohexyloxycarbonyl group and tricyclodecacarbonyl. Nyloxycarbonyl group, adamantyloxycarbonyl group, norbornyloxycarbonyl group, bicyclo [3.2.1] octenyloxycarbonyl group, bicyclo [2.2.2] octyloxycarbonyloxycarbonyl group, menthyloxycarbonyl group, isobornyl An oxycarbonyl group;
【0017】一般式[1a]に於いて、Rで示される、
保護された水酸基を1又は2個有する置換アルキル基又
はアルケニル基としては、直鎖状でも分枝状でも或いは
環状でも良く、例えば下記一般式[5]又は一般式
[6]で示される基等が挙げられる。In the general formula [1a],
The substituted alkyl group or alkenyl group having one or two protected hydroxyl groups may be linear, branched or cyclic, for example, a group represented by the following general formula [5] or [6], etc. Is mentioned.
【0018】[0018]
【化11】 Embedded image
【0019】(式中、R1及びR2は夫々独立して、水素
原子,アルキル基,置換アルキル基又は脂肪族多環式炭
化水素基を表し、また、R1とR2とが結合し、夫々が隣
接する炭素原子と一緒になって脂肪族環を形成していて
も良く、R3はアルキル基,アルケニル基,ヒドロキシ
アルキル基,アルキルオキシカルボニル基又はアルキル
シリル基を表す。)(Wherein R 1 and R 2 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group, a substituted alkyl group or an aliphatic polycyclic hydrocarbon group, and R 1 and R 2 are bonded to each other. Each may form an aliphatic ring together with an adjacent carbon atom, and R 3 represents an alkyl group, an alkenyl group, a hydroxyalkyl group, an alkyloxycarbonyl group or an alkylsilyl group.)
【0020】[0020]
【化12】 Embedded image
【0021】(式中、R4はアルキル基を表し、R1,R
2及びR3は前記と同じ。また、R3とR4とが結合して置
換基を有していても良いメチレン鎖又は置換基を有して
いても良い脂肪族環を形成していても良い。)(Wherein R 4 represents an alkyl group; R 1 and R
2 and R 3 are the same as above. R 3 and R 4 may combine to form a methylene chain which may have a substituent or an aliphatic ring which may have a substituent. )
【0022】一般式[5]及び[6]に於いて、R1及
びR2で示されるアルキル基としては、直鎖状でも分枝
状でも或いは環状でも良く、例えば炭素数1〜12、好
ましくは炭素数1〜8のアルキル基が挙げられ、具体的
にはメチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピ
ル基、n-ブチル基、イソブチル基、tert-ブチル基、se
c-ブチル基、n-ペンチル基、イソペンチル基、ネオペ
ンチル基、tert-ペンチル基、3,3-ジメチルブチル基、
1,1-ジメチルブチル基、1-メチルペンチル基、n-ヘキ
シル基、イソヘキシル基、n-ヘプチル基、イソヘプチ
ル基、n-オクチル基、イソオクチル基、2-エチルヘキ
シル基、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロ
ヘキシル基、2-シクロヘキシルエチル基等が挙げられ
る。また、置換アルキル基としては、上記アルキル基の
水素原子の少なくとも1つが例えばシアノ基、水酸基、
例えばフッ素,塩素,臭素,沃素等のハロゲン原子、例
えばメトキシ基,エトキシ基,プロポキシ基,イソプロ
ポキシ基,ブトキシ基,tert-ブトキシ基,ペンチルオ
キシ基,ヘキシルオキシ基等の炭素数1〜6の低級アル
コキシ基等の官能基で置換された炭素数1〜12、好ま
しくは1〜8の置換基を有するアルキル基が挙げられ、
具体的にはシアノメチル基,シアノエチル基,シアノプ
ロピル基,シアノブチル基,シアノペンチル基,シアノ
ヘキシル基,シアノヘプチル基等のシアノアルキル基、
例えばヒドロキシメチル基,ヒドロキシエチル基,ヒド
ロキシプロピル基,ヒドロキシブチル基,ヒドロキシペ
ンチル基,ヒドロキシヘキシル基,ヒドロキシヘプチル
基,ヒドロキシオクチル基等のヒドロキシアルキル基、
例えばクロロメチル基,ブロモメチル基,トリフルオロ
メチル基,2-クロロエチル基,3-クロロプロピル基,3-
ブロモプロピル基,3,3,3-トリフルオロプロピル基,パ
ーフルオロオクチル基等のハロアルキル基、例えばメト
キシメチル基,メトキシエチル基,エトキシメチル基,
エトキシエチル基,プロポキシメチル基,2-プロポキシ
メチル基,プロポキシエチル基,ブトキシメチル基,te
rt-ブトキシメチル基等のアルコキシアルキル基等が挙
げられる。脂肪族多環式炭化水素基としては、例えば炭
素数3〜30、好ましくは5〜12の脂肪族多環式炭化
水素基が挙げられ、具体的にはトリシクロ[5.2.1.02.6]
デカニル基、ジシクロペンテニル基、アダマンチル基、
ノルボルニル基、イソボルニル基、2-メチル-2-アダマ
ンチル基、メンチル基等が挙げられる。また、一般式
[5]及び[6]に於いて、R1とR2とが結合し、夫々
が隣接する炭素原子と一緒になって脂肪族環を形成して
いる場合の環としては、炭素数3〜10の脂肪族環が挙
げられ、環は単環でも多環でも良く、具体例としては、
一般式[5]に於いては、例えばシクロペンテン環、シ
クロヘキセン環、シクロオクテン環、シクロデセン環、
2-ノルボルネン環等が、また、一般式[6]に於いて
は、例えばシクロプロパン環、シクロペンタン環、シク
ロヘキサン環、シクロオクタン環、シクロデカン環、2-
ノルボルナン環等が夫々挙げられる。In the general formulas [5] and [6], the alkyl group represented by R 1 and R 2 may be linear, branched or cyclic, and has, for example, 1 to 12 carbon atoms. Is an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, specifically, methyl group, ethyl group, n-propyl group, isopropyl group, n-butyl group, isobutyl group, tert-butyl group, se
c-butyl group, n-pentyl group, isopentyl group, neopentyl group, tert-pentyl group, 3,3-dimethylbutyl group,
1,1-dimethylbutyl group, 1-methylpentyl group, n-hexyl group, isohexyl group, n-heptyl group, isoheptyl group, n-octyl group, isooctyl group, 2-ethylhexyl group, cyclopropyl group, cyclopentyl group, Examples include a cyclohexyl group and a 2-cyclohexylethyl group. Further, as the substituted alkyl group, at least one of the hydrogen atoms of the above alkyl group is, for example, a cyano group, a hydroxyl group,
For example, halogen atoms such as fluorine, chlorine, bromine and iodine, for example, those having 1 to 6 carbon atoms such as methoxy, ethoxy, propoxy, isopropoxy, butoxy, tert-butoxy, pentyloxy and hexyloxy groups. An alkyl group having a substituent having 1 to 12 carbon atoms, preferably 1 to 8 carbon atoms, substituted with a functional group such as a lower alkoxy group,
Specifically, cyanoalkyl groups such as a cyanomethyl group, a cyanoethyl group, a cyanopropyl group, a cyanobutyl group, a cyanopentyl group, a cyanohexyl group, and a cyanoheptyl group;
For example, a hydroxyalkyl group such as a hydroxymethyl group, a hydroxyethyl group, a hydroxypropyl group, a hydroxybutyl group, a hydroxypentyl group, a hydroxyhexyl group, a hydroxyheptyl group, a hydroxyoctyl group,
For example, chloromethyl, bromomethyl, trifluoromethyl, 2-chloroethyl, 3-chloropropyl,
Haloalkyl groups such as bromopropyl group, 3,3,3-trifluoropropyl group and perfluorooctyl group, for example, methoxymethyl group, methoxyethyl group, ethoxymethyl group,
Ethoxyethyl group, propoxymethyl group, 2-propoxymethyl group, propoxyethyl group, butoxymethyl group, te
and alkoxyalkyl groups such as rt-butoxymethyl group. Examples of the aliphatic polycyclic hydrocarbon group include an aliphatic polycyclic hydrocarbon group having 3 to 30, preferably 5 to 12 carbon atoms, and specifically, tricyclo [5.2.1.0 2.6 ]
Decanyl group, dicyclopentenyl group, adamantyl group,
Examples include a norbornyl group, an isobornyl group, a 2-methyl-2-adamantyl group, and a menthyl group. In general formulas [5] and [6], when R 1 and R 2 are bonded to each other to form an aliphatic ring together with an adjacent carbon atom, An aliphatic ring having 3 to 10 carbon atoms may be mentioned, and the ring may be monocyclic or polycyclic.
In the general formula [5], for example, a cyclopentene ring, a cyclohexene ring, a cyclooctene ring, a cyclodecene ring,
A 2-norbornene ring and the like, and in the general formula [6], for example, a cyclopropane ring, a cyclopentane ring, a cyclohexane ring, a cyclooctane ring, a cyclodecane ring,
And a norbornane ring.
【0023】一般式[5]及び[6]に於いて、R3で
示されるアルキル基としては、直鎖状でも分枝状でも良
く、例えば炭素数1〜12、好ましくは炭素数1〜8の
アルキル基が挙げられ、具体的にはメチル基、エチル
基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イ
ソブチル基、tert-ブチル基、sec-ブチル基、n-ペンチ
ル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、tert-ペンチ
ル基、3,3-ジメチルブチル基、1,1-ジメチルブチル基、
1-メチルペンチル基、n-ヘキシル基、イソヘキシル
基、n-ヘプチル基、イソヘプチル基、n-オクチル基、
イソオクチル基、2-エチルヘキシル基等が挙げられる。
アルケニル基としては、直鎖状でも分枝状でも良く、例
えば炭素数2〜12、好ましくは炭素数2〜8のアルケ
ニル基が挙げられ、具体的にはエテニル基、プロペニル
基、イソプロペニル基、ブテニル基、イソブテニル基、
ペンテニル基、イソペンテニル基、ヘキセニル基、イソ
ヘキセニル基、ヘプテニル基、オクテニル基等が挙げら
れる。ヒドロキシアルキル基としては、直鎖状でも分枝
状でも良く、例えば炭素数1〜12、好ましくは炭素数
2〜8のヒドロキシアルキル基が挙げられ、具体的には
ヒドロキシエチル基、ヒドロキシプロピル基、ヒドロキ
シブチル基、ヒドロキシペンチル基、ヒドロキシヘキシ
ル基、ヒドロキシヘプチル基、ヒドロキシオクチル基等
が挙げられる。アルキルオキシカルボニル基としては、
直鎖状でも分枝状でも或いは環状でも良く、例えば炭素
数3〜19のアルキルオキシカルボニル基が挙げられ、
具体的にはエチルオキシカルボニル基、プロピルオキシ
カルボニル基、ブチルオキシカルボニル基、ペンチルオ
キシカルボニル基、ヘキシルオキシカルボニル基、ヘプ
チルオキシカルボニル基、オクチルオキシカルボニル
基、ドデシルオキシカルボニル基、オクタデシルオキシ
カルボニル基、tert-ブチルオキシカルボニル基、2-エ
チルヘキシルオキシカルボニル基、シクロヘキシルオキ
シカルボニル基等が挙げられる。アルキルシリル基のア
ルキル基としては、直鎖状でも分枝状でも良く、低級ア
ルキル基、例えば炭素数1〜6のアルキル基が挙げら
れ、具体的にはメチル基、エチル基、n-プロピル基、
イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、tert-ブ
チル基、sec-ブチル基、n-ペンチル基、イソペンチル
基、ネオペンチル基、tert-ペンチル基、3,3-ジメチル
ブチル基、1,1-ジメチルブチル基、1-メチルペンチル
基、n-ヘキシル基、イソヘキシル基等が挙げられ、ア
ルキルシリル基の具体例としては、トリメチルシリル
基、トリエチルシリル基、トリn-プロピルシリル基、
トリイソプロピルシリル基、トリn-ブチルシリル基、
トリペンチルシリル基、トリn-ヘキシルシリル基、ter
t-ブチルジメチルシリル基等のトリアルキルシリル基等
が好ましく挙げられる。In the general formulas [5] and [6], the alkyl group represented by R 3 may be linear or branched and has, for example, 1 to 12 carbon atoms, preferably 1 to 8 carbon atoms. And specifically, methyl group, ethyl group, n-propyl group, isopropyl group, n-butyl group, isobutyl group, tert-butyl group, sec-butyl group, n-pentyl group, isopentyl group , Neopentyl group, tert-pentyl group, 3,3-dimethylbutyl group, 1,1-dimethylbutyl group,
1-methylpentyl group, n-hexyl group, isohexyl group, n-heptyl group, isoheptyl group, n-octyl group,
Examples include an isooctyl group and a 2-ethylhexyl group.
The alkenyl group may be linear or branched, and includes, for example, an alkenyl group having 2 to 12 carbon atoms, preferably 2 to 8 carbon atoms, and specifically, an ethenyl group, a propenyl group, an isopropenyl group, Butenyl group, isobutenyl group,
Pentenyl, isopentenyl, hexenyl, isohexenyl, heptenyl, octenyl and the like. The hydroxyalkyl group may be linear or branched, and includes, for example, a hydroxyalkyl group having 1 to 12 carbon atoms, preferably 2 to 8 carbon atoms, specifically, a hydroxyethyl group, a hydroxypropyl group, Examples include a hydroxybutyl group, a hydroxypentyl group, a hydroxyhexyl group, a hydroxyheptyl group, and a hydroxyoctyl group. As the alkyloxycarbonyl group,
It may be linear, branched or cyclic, and includes, for example, an alkyloxycarbonyl group having 3 to 19 carbon atoms,
Specifically, ethyloxycarbonyl group, propyloxycarbonyl group, butyloxycarbonyl group, pentyloxycarbonyl group, hexyloxycarbonyl group, heptyloxycarbonyl group, octyloxycarbonyl group, dodecyloxycarbonyl group, octadecyloxycarbonyl group, tert -Butyloxycarbonyl group, 2-ethylhexyloxycarbonyl group, cyclohexyloxycarbonyl group and the like. The alkyl group of the alkylsilyl group may be linear or branched and includes a lower alkyl group, for example, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, specifically, a methyl group, an ethyl group, and an n-propyl group. ,
Isopropyl, n-butyl, isobutyl, tert-butyl, sec-butyl, n-pentyl, isopentyl, neopentyl, tert-pentyl, 3,3-dimethylbutyl, 1,1-dimethyl Butyl group, 1-methylpentyl group, n-hexyl group, isohexyl group, and the like. Specific examples of the alkylsilyl group include a trimethylsilyl group, a triethylsilyl group, a tri-n-propylsilyl group,
Triisopropylsilyl group, tri-n-butylsilyl group,
Tripentylsilyl group, tri-n-hexylsilyl group, ter
Preferred examples include a trialkylsilyl group such as a t-butyldimethylsilyl group.
【0024】一般式[6]に於いて、R4で示されるア
ルキル基としては、直鎖状でも分枝状でも良く、例えば
炭素数1〜12、好ましくは炭素数1〜8のアルキル基
が挙げられ、具体的にはメチル基、エチル基、n-プロ
ピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル
基、tert-ブチル基、sec-ブチル基、n-ペンチル基、イ
ソペンチル基、ネオペンチル基、tert-ペンチル基、3,3
-ジメチルブチル基、1,1-ジメチルブチル基、1-メチル
ペンチル基、n-ヘキシル基、イソヘキシル基、n-ヘプ
チル基、イソヘプチル基、n-オクチル基、イソオクチ
ル基、2-エチルヘキシル基等が挙げられる。In the general formula [6], the alkyl group represented by R 4 may be linear or branched, for example, an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, preferably 1 to 8 carbon atoms. Specific examples include methyl, ethyl, n-propyl, isopropyl, n-butyl, isobutyl, tert-butyl, sec-butyl, n-pentyl, isopentyl, neopentyl, tert-pentyl group, 3,3
-Dimethylbutyl group, 1,1-dimethylbutyl group, 1-methylpentyl group, n-hexyl group, isohexyl group, n-heptyl group, isoheptyl group, n-octyl group, isooctyl group, 2-ethylhexyl group and the like. Can be
【0025】また、R3とR4とが結合してメチレン鎖を
形成している場合のメチレン鎖としては、例えば炭素数
1〜3のメチレン鎖、具体的には、メチレン、エチレ
ン、トリメチレン等が挙げられ、更に、R3とR4とが結
合して脂肪族環を形成している場合の環としては、単環
でも多環でも良く、例えば炭素数3〜10の脂肪族環が
挙げられ、具体的には、シクロプロパン環、シクロペン
タン環、シクロヘキサン環、ノルボルナン環等が挙げら
れる。また、これらメチレン鎖及び脂肪族環は、例えば
メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル
基、ヘキシル基等炭素数1〜6のアルキル基等を置換基
として1以上有していてもよい。In the case where R 3 and R 4 are bonded to form a methylene chain, the methylene chain may be, for example, a methylene chain having 1 to 3 carbon atoms, specifically, methylene, ethylene, trimethylene or the like. Further, when R 3 and R 4 are bonded to each other to form an aliphatic ring, the ring may be a monocyclic ring or a polycyclic ring, for example, an aliphatic ring having 3 to 10 carbon atoms. Specific examples include a cyclopropane ring, a cyclopentane ring, a cyclohexane ring, a norbornane ring and the like. The methylene chain and the aliphatic ring may have, as a substituent, at least one alkyl group having 1 to 6 carbon atoms such as a methyl group, an ethyl group, a propyl group, a butyl group, a pentyl group, and a hexyl group. Good.
【0026】これら一般式[1]に於いてRで示され
る、保護された水酸基を1又は2個有する置換アルキル
基又は置換アルケニル基の中では、下記一般式[7]、
[8]又は[8’]で示される基が特に好ましい。Among the substituted alkyl groups or substituted alkenyl groups having one or two protected hydroxyl groups represented by R in the general formula [1], the following general formulas [7],
The group represented by [8] or [8 '] is particularly preferable.
【0027】[0027]
【化13】 Embedded image
【0028】[0028]
【化14】 Embedded image
【0029】[0029]
【化15】 Embedded image
【0030】(式中、R1'は水素原子を表し、R2'及び
R3'は炭素数1〜4の低級アルキル基を基を表し、ま
た、R1'とR2'とが結合し、夫々が隣接する炭素原子と
一緒になって炭素数5〜6の脂肪族環、即ち、シクロペ
ンテン環又はシクロヘキセン環を形成していてもよく、
Y及びY’は下記式[9]又は下記一般式[10]で示
される基を表す。(Wherein R 1 ′ represents a hydrogen atom, R 2 ′ and R 3 ′ represent a lower alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, and R 1 ′ and R 2 ′ are bonded to each other. And each may form an aliphatic ring having 5 to 6 carbon atoms, that is, a cyclopentene ring or a cyclohexene ring, together with adjacent carbon atoms,
Y and Y ′ represent a group represented by the following formula [9] or the following general formula [10].
【0031】[0031]
【化16】 Embedded image
【0032】[0032]
【化17】 {式中、R4'とR5'は水素原子又は炭素数1〜4の低級
アルキル基を表す。})Embedded image In the formula, R 4 ′ and R 5 ′ represent a hydrogen atom or a lower alkyl group having 1 to 4 carbon atoms. })
【0033】また、一般式[1]に於いてZで示される
スペーサーとしては、例えば下記一般式[11]で示さ
れる基等が挙げられる。In addition, examples of the spacer represented by Z in the general formula [1] include a group represented by the following general formula [11].
【0034】[0034]
【化18】 Embedded image
【0035】(式中、A2は酸素原子を有していても良
い二価の炭化水素基を表し、A1及びA3は夫々独立して
低級アルキレン基を表し、m,p,q及びrは夫々独立
して、0又は1を表す。但し、mが1のときqは1を表
し、m,p,q及びrの内の少なくとも1つは1であ
る。)(Wherein A 2 represents a divalent hydrocarbon group which may have an oxygen atom, A 1 and A 3 each independently represent a lower alkylene group, m, p, q and r independently represents 0 or 1, provided that when m is 1, q represents 1, and at least one of m, p, q and r is 1.
【0036】一般式[11]に於いてA2で示される酸
素原子を有していても良い二価の炭化水素基としては、
例えばアルキレン基等が挙げられる。該アルキレン基と
しては、直鎖状でも分枝状でも或いは環状でも良く、例
えば炭素数1〜20、好ましくは炭素数1〜10のアル
キレン基が挙げられ、具体的には、例えばメチレン基、
エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、2-メチルプロ
ピレン基、ペンチレン基、2,2-ジメチルプロピレン基、
2-エチルプロピレン基、ヘキシレン基、ヘプチレン基、
オクチレン基、2-エチルヘキシレン基、ノニレン基、デ
シレン基、シクロプロピレン基、シクロペンチレン基、
シクロヘキシレン基、アダマンタンジイル基、トリシク
ロ[5.2.1.02.6]デカンジイル基、ノルボルナンジイル
基、メチルノルボルナンジイル基、イソボルナンジイル
基、デカリンジイル基等が挙げられる。また、酸素原子
を有している場合には、上記二価の炭化水素基の主鎖及
び/又は側鎖中に酸素原子が1〜3個有しているものが
挙げられ、その具体例としては、メトキシエチルエチレ
ン基、エトキシエチルエチレン基、ボルニルオキシエチ
ルエチレン基、ノルボルニルオキシエチルエチレン基、
メンチルオキシエチルエチレン基、アダマンチルオキシ
エチルエチレン基、メトキシエトキシエチルエチレン
基、エトキシエトキシエチルエチレン基、ボルニルオキ
シエトキシエチルエチレン基、メンチルオキシエトキシ
エチルエチレン基、-O-CH2-基、-O-CH2CH2-基、-CH2-O-
CH2-基、-CH2CH2-O-CH2-基、-CH2CH2-O-CH2CH2-基、-CH
2CH2-O-CH2CH2-O-CH2CH2-基等が挙げられる。A1及びA
3で示される低級アルキレン基としては、直鎖状でも分
枝状でも良く、例えば炭素数1〜6のアルキレン基が挙
げられ、具体的にはメチレン基、エチレン基、プロピレ
ン基、ブチレン基、2-メチルプロピレン基、ペンチレン
基、2,2-ジメチルプロピレン基、2-エチルプロピレン
基、ヘキシレン基等が挙げられる。In the general formula [11], examples of the divalent hydrocarbon group optionally having an oxygen atom represented by A 2 include:
Examples include an alkylene group. The alkylene group may be linear, branched or cyclic, and includes, for example, an alkylene group having 1 to 20 carbon atoms, preferably 1 to 10 carbon atoms, and specifically, for example, a methylene group,
Ethylene group, propylene group, butylene group, 2-methylpropylene group, pentylene group, 2,2-dimethylpropylene group,
2-ethylpropylene group, hexylene group, heptylene group,
Octylene group, 2-ethylhexylene group, nonylene group, decylene group, cyclopropylene group, cyclopentylene group,
Examples include a cyclohexylene group, an adamantanediyl group, a tricyclo [5.2.1.0 2.6 ] decanediyl group, a norbornanediyl group, a methylnorbornanediyl group, an isobornanediyl group, and a decalindiyl group. In the case of having an oxygen atom, those having 1 to 3 oxygen atoms in the main chain and / or side chain of the divalent hydrocarbon group are mentioned. Is a methoxyethylethylene group, an ethoxyethylethylene group, a bornyloxyethylethylene group, a norbornyloxyethylethylene group,
Menthyl oxyethyl ethylene group, adamantyloxyethyl ethylene group, methoxyethoxyethyl ethylene group, ethoxyethoxyethyl ethylene group, isobornyl oxy ethoxyethyl ethylene group, menthyloxycarbonyl ethoxyethyl ethylene group, -O-CH 2 - group, -O- CH 2 CH 2 - group, -CH 2 -O-
CH 2 - group, -CH 2 CH 2 -O-CH 2 - group, -CH 2 CH 2 -O-CH 2 CH 2 - group, -CH
2 CH 2 —O—CH 2 CH 2 —O—CH 2 CH 2 — groups and the like. A 1 and A
The lower alkylene group represented by 3 may be linear or branched and includes, for example, an alkylene group having 1 to 6 carbon atoms, specifically, a methylene group, an ethylene group, a propylene group, a butylene group, and 2 -Methylpropylene group, pentylene group, 2,2-dimethylpropylene group, 2-ethylpropylene group, hexylene group and the like.
【0037】これらZで示されるスペーサーの中で、下
記一般式[12]で示されるものが特に好ましい。Among these spacers represented by Z, those represented by the following general formula [12] are particularly preferred.
【0038】[0038]
【化19】 Embedded image
【0039】(式中、m’及びp’は夫々独立して、0
又は1を表す。但し、m’又はp’の少なくとも一方は
1である。)(Wherein m ′ and p ′ are each independently 0
Or represents 1. However, at least one of m ′ and p ′ is 1. )
【0040】本発明に係る上記一般式[1a]で示され
るモノマー単位は、一般式[1]The monomer unit represented by the above general formula [1a] according to the present invention has the general formula [1]
【0041】[0041]
【化20】 Embedded image
【0042】(式中、X’は重合性二重結合を有する、
置換基を有していても良い多環式炭化水素基を表し、Z
及びRは前記と同じ。)で示されるモノマーに由来する
ものである。(Wherein X ′ has a polymerizable double bond,
Represents a polycyclic hydrocarbon group which may have a substituent;
And R are the same as above. )).
【0043】一般式[1]に於いて、X’で示される、
重合性二重結合を有する、置換基を有していても良い多
環式炭化水素基としては、例えば下記一般式[2]〜
[4]で示される脂肪族基等が挙げられる。In the general formula [1], represented by X ′
Examples of the optionally substituted polycyclic hydrocarbon group having a polymerizable double bond include the following general formulas [2] to
And the aliphatic group represented by [4].
【0044】[0044]
【化21】 Embedded image
【0045】(式中、R16,R17及びkは前記と同
じ。)(In the formula, R 16 , R 17 and k are the same as described above.)
【0046】[0046]
【化22】 Embedded image
【0047】(式中、R18及びR19は前記と同じ。)(In the formula, R 18 and R 19 are the same as described above.)
【0048】[0048]
【化23】 Embedded image
【0049】一般式[1]に於ける、X’で示される、
重合性二重結合を有する、置換基を有していても良い多
環式炭化水素基の具体例としては、例えばビシクロ[2.
2.1]ヘプト-2-エン-5-イル基,1-メチルビシクロ[2.2.
1]ヘプト-2-エン-5-イル基,5-メチルビシクロ[2.2.1]
ヘプト-2-エン-5-イル基,7-メチルビシクロ[2.2.1]ヘ
プト-2-エン-5-イル基,1-エチルビシクロ[2.2.1]ヘプ
ト-2-エン-5-イル基,5-エチルビシクロ[2.2.1]ヘプト-
2-エン-5-イル基,5-イソプロピルビシクロ[2.2.1]ヘプ
ト-2-エン-5-イル基,5-ペンチルビシクロ[2.2.1]ヘプ
ト-2-エン-5-イル基,5-ヘプチルビシクロ[2.2.1]ヘプ
ト-2-エン-5-イル基,5-(2-エチルヘキシル)ビシクロ
[2.2.1]ヘプト-2-エン-6-イル基,7-オクチルビシクロ
[2.2.1]ヘプト-2-エン-5-イル基,1-ノニルビシクロ[2.
2.1]ヘプト-2-エン-5-イル基,5-ノニルビシクロ[2.2.
1]ヘプト-2-エン-5-イル基,5-ドデシルビシクロ[2.2.
1]ヘプト-2-エン-5-イル基,5-ペンタデシルビシクロ
[2.2.1]ヘプト-2-エン-5-イル基,5,5-ジメチルビシク
ロ[2.2.1]ヘプト-2-エン-6-イル基,1,4-ジイソプロピ
ルビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-エン-5-イル基,5,5-ジイ
ソプロピルビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-エン-6-イル基,
5,5-ジブチルビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-エン-6-イル
基,5,5-ジヘキシルビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-エン-6-
イル基,5-メチル-5-エチルビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-
エン-6-イル基,5,5-ジデシルビシクロ[2.2.1]ヘプト-2
-エン-6-イル基,5,6-ジメチルビシクロ[2.2.1]ヘプト-
2-エン-5-イル基,5-メチル-6-エチルビシクロ[2.2.1]
ヘプト-2-エン-5-イル基,5,6-ジプロピルビシクロ[2.
2.1]ヘプト-2-エン-5-イル基,5,6-ジイソプロピルビシ
クロ[2.2.1]ヘプト-2-エン-5-イル基,5,6-ジペンチル
ビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-エン-5-イル基,5,6-ジ(2-エ
チルヘキシル)ビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-エン-5-イル
基,5,6-ジドデシルビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-エン-5-
イル基,5,5,6-トリメチルビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-エ
ン-6-イル基,5-シクロブチルビシクロ[2.2.1]ヘプト-2
-エン-5-イル基,5,6-ジシクロペンチルビシクロ[2.2.
1]ヘプト-2-エン-5-イル基,5-メチルシクロペンチルビ
シクロ[2.2.1]ヘプト-2-エン-5-イル基,5-イソプロピ
ルシクロペンチルビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-エン-5-イ
ル基,5-シクロヘキシルビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-エン
-5-イル基等の2環性炭化水素基、例えばトリシクロ[5.
2.1.02.6]デカ-8-エン-3-イル基,トリシクロ[5.2.1.0
2.6]デカ-8-エン-4-イル基,3-メチルトリシクロ[5.2.
1.02.6]デカ-8-エン-4-イル基,3-エチルトリシクロ[5.
2.1.02.6]デカ-8-エン-4-イル基,3,5-ジメチルトリシ
クロ[5.2.1.02.6]デカ-8-エン-4-イル基等の3環性炭化
水素基、例えばテトラシクロ[4.4.0.12.5.17.10]ドデカ
-3-エン-8-イル基等の4環性炭化水素基等が挙げられ
る。In the general formula [1], represented by X ′
Specific examples of the polycyclic hydrocarbon group having a polymerizable double bond and optionally having a substituent include, for example, bicyclo [2.
2.1] Hept-2-en-5-yl group, 1-methylbicyclo [2.2.
1] Hept-2-en-5-yl group, 5-methylbicyclo [2.2.1]
Hept-2-en-5-yl group, 7-methylbicyclo [2.2.1] hept-2-en-5-yl group, 1-ethylbicyclo [2.2.1] hept-2-en-5-yl group , 5-Ethylbicyclo [2.2.1] hept-
2-en-5-yl group, 5-isopropylbicyclo [2.2.1] hept-2-en-5-yl group, 5-pentylbicyclo [2.2.1] hept-2-en-5-yl group, 5 -Heptylbicyclo [2.2.1] hept-2-en-5-yl group, 5- (2-ethylhexyl) bicyclo
[2.2.1] Hept-2-en-6-yl group, 7-octylbicyclo
[2.2.1] Hept-2-en-5-yl group, 1-nonylbicyclo [2.
2.1] Hept-2-en-5-yl group, 5-nonylbicyclo [2.2.
1] Hept-2-en-5-yl group, 5-dodecylbicyclo [2.2.
1] Hept-2-en-5-yl group, 5-pentadecylbicyclo
[2.2.1] Hept-2-en-5-yl group, 5,5-dimethylbicyclo [2.2.1] hept-2-en-6-yl group, 1,4-diisopropylbicyclo [2.2.1] hept 2-en-5-yl group, 5,5-diisopropylbicyclo [2.2.1] hept-2-en-6-yl group,
5,5-dibutylbicyclo [2.2.1] hept-2-en-6-yl group, 5,5-dihexylbicyclo [2.2.1] hept-2-ene-6-
Yl group, 5-methyl-5-ethylbicyclo [2.2.1] hept-2-
Ene-6-yl group, 5,5-didecylbicyclo [2.2.1] hept-2
-Ene-6-yl group, 5,6-dimethylbicyclo [2.2.1] hept-
2-en-5-yl group, 5-methyl-6-ethylbicyclo [2.2.1]
Hept-2-en-5-yl group, 5,6-dipropylbicyclo [2.
2.1] Hept-2-en-5-yl group, 5,6-diisopropylbicyclo [2.2.1] hept-2-en-5-yl group, 5,6-dipentylbicyclo [2.2.1] hept-2- Ene-5-yl group, 5,6-di (2-ethylhexyl) bicyclo [2.2.1] hept-2-en-5-yl group, 5,6-didodecylbicyclo [2.2.1] hept-2- En-5-
Yl group, 5,5,6-trimethylbicyclo [2.2.1] hept-2-en-6-yl group, 5-cyclobutylbicyclo [2.2.1] hept-2
-Ene-5-yl group, 5,6-dicyclopentylbicyclo [2.2.
1] Hept-2-en-5-yl group, 5-methylcyclopentylbicyclo [2.2.1] hept-2-en-5-yl group, 5-isopropylcyclopentylbicyclo [2.2.1] hept-2-ene- 5-yl group, 5-cyclohexylbicyclo [2.2.1] hept-2-ene
Bicyclic hydrocarbon group such as -5-yl group, for example, tricyclo [5.
2.1.0 2.6 ] dec-8-en-3-yl group, tricyclo [5.2.1.0
2.6 ] Dec-8-en-4-yl group, 3-methyltricyclo [5.2.
1.0 2.6 ] dec-8-en-4-yl group, 3-ethyltricyclo [5.
2.1.0 2.6 ] Deca-8-en-4-yl group, 3,5-dimethyltricyclo [5.2.1.0 2.6 ] Tricyclic hydrocarbon group such as deca-8-en-4-yl group, for example, tetracyclo [4.4.0.1 2.5 .1 7.10 ] Dodeca
And a 4-cyclic hydrocarbon group such as a -3-en-8-yl group.
【0050】本発明に係る上記一般式[1]で示される
モノマーの具体例としては、例えばSpecific examples of the monomer represented by the above general formula [1] according to the present invention include, for example,
【0051】[0051]
【化24】 Embedded image
【0052】[0052]
【化25】 Embedded image
【0053】[0053]
【化26】 Embedded image
【0054】[0054]
【化27】 Embedded image
【0055】[0055]
【化28】 Embedded image
【0056】[0056]
【化29】 Embedded image
【0057】[0057]
【化30】 Embedded image
【0058】[0058]
【化31】 Embedded image
【0059】等が挙げられる。And the like.
【0060】本発明に係る上記一般式[1]で示される
モノマーを製造するには、例えば下記の如くして行えば
良い。即ち、例えば一般式[13]The production of the monomer represented by the above general formula [1] according to the present invention may be carried out, for example, as follows. That is, for example, the general formula [13]
【0061】[0061]
【化32】 Embedded image
【0062】(式中、R1,R2,X’及びZは前記と同
じ。)で示される化合物とオルトカルボン酸エステル類
とを要すれば適当な溶媒中、酸触媒の存在下で反応させ
ることにより得ることができる。(Wherein R 1 , R 2 , X ′ and Z are the same as described above) and an orthocarboxylic acid ester, if necessary, in a suitable solvent in the presence of an acid catalyst. Can be obtained.
【0063】オルトカルボン酸エステル類としては、例
えばオルトぎ酸メチル、オルトぎ酸エチル、オルト酢酸
メチル、オルト酢酸エチル等が挙げられる。Examples of the orthocarboxylic acid esters include methyl orthoformate, ethyl orthoformate, methyl orthoacetate, ethyl orthoacetate and the like.
【0064】オルトカルボン酸エステル類の使用量は特
に限定されないが、一般式[13]で示される化合物に
対して通常1〜30倍モル、好ましくは1〜10倍モルの範
囲から適宜選択される。The amount of the orthocarboxylic acid ester to be used is not particularly limited, but is appropriately selected usually from the range of 1 to 30 times, preferably from 1 to 10 times the mol of the compound represented by the general formula [13]. .
【0065】酸触媒としては、例えばカンファースルホ
ン酸,p-トルエンスルホン酸,p-トルエンスルホン酸
ピリジニウム,シュウ酸,塩化ピリジニウム等の有機酸
(或いはその塩)、例えば塩酸,硫酸,硝酸等の無機
酸、例えば塩化アルミニウム,三ふっ化ホウ素ジエチル
エーテル錯体(BF3・Et20)等のルイス酸等が挙げ
られる。Examples of the acid catalyst include organic acids (or salts thereof) such as camphorsulfonic acid, p-toluenesulfonic acid, pyridinium p-toluenesulfonic acid, oxalic acid, and pyridinium chloride; and inorganic acids such as hydrochloric acid, sulfuric acid, and nitric acid. Acids include, for example, Lewis acids such as aluminum chloride and boron trifluoride diethyl ether complex (BF 3 .Et 20 ).
【0066】酸触媒の使用量は特に限定されないが、一
般式[13]で示される化合物に対して通常0.1〜20モ
ル%、好ましくは1〜10モル%の範囲から適宜選択され
る。The amount of the acid catalyst used is not particularly limited, but is appropriately selected usually from 0.1 to 20 mol%, preferably from 1 to 10 mol%, based on the compound represented by the general formula [13].
【0067】必要に応じて用いられる反応溶媒として
は、例えばトルエン、キシレン、ベンゼン、シクロヘキ
サン、n-ヘキサン、n-オクタン等の炭化水素類、例え
ば塩化メチレン、ジクロロエタン、トリクロロエチレ
ン、四塩化炭素、クロロホルム等のハロゲン化炭化水素
類、例えば酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸n-ブチル、
プロピオン酸メチル等のエステル類、例えばメタノー
ル、エタノール、n-プロパノール、イソプロパノー
ル、n-ブタノール、イソブタノール、tert-ブタノール
等のアルコール類、例えばジメチルエーテル、ジエチル
エーテル、ジイソプロピルエーテル、ジメトキシエタ
ン、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル類、
N-メチルピロリドン、N,N-ジメチルホルムアミド、N,N
-ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド等が挙
げられる。これらは夫々単独で用いても、二種以上適宜
組み合わせて用いても良い。The reaction solvent used if necessary includes, for example, hydrocarbons such as toluene, xylene, benzene, cyclohexane, n-hexane and n-octane, for example, methylene chloride, dichloroethane, trichloroethylene, carbon tetrachloride, chloroform and the like. Halogenated hydrocarbons such as methyl acetate, ethyl acetate, n-butyl acetate,
Esters such as methyl propionate, for example, alcohols such as methanol, ethanol, n-propanol, isopropanol, n-butanol, isobutanol, tert-butanol, for example, dimethyl ether, diethyl ether, diisopropyl ether, dimethoxyethane, tetrahydrofuran, dioxane, etc. Ethers,
N-methylpyrrolidone, N, N-dimethylformamide, N, N
-Dimethylacetamide, dimethylsulfoxide and the like. These may be used alone or in combination of two or more.
【0068】反応温度は特に限定されないが、通常0〜
150℃、好ましくは20〜80℃の範囲から適宜選択され
る。The reaction temperature is not particularly limited, but is usually 0 to
It is appropriately selected from the range of 150 ° C, preferably 20 to 80 ° C.
【0069】反応時間は、反応させる上記一般式[1
3]で示される化合物等の種類や濃度等の反応条件によ
り自ら異なるが、通常0.5〜10時間の範囲から適宜選択
される。The reaction time is determined by the general formula [1]
Although it varies depending on the reaction conditions such as the type and concentration of the compound shown in [3], it is usually appropriately selected from the range of 0.5 to 10 hours.
【0070】本発明に係る上記一般式[1]で示される
モノマーは、また、下記に示す製造法によっても得るこ
とができる。即ち、例えば上記一般式[13]で示され
る化合物とジオール類とを要すれば適当な溶媒中、酸触
媒の存在下で反応させることにより得ることができる。The monomer represented by the above general formula [1] according to the present invention can also be obtained by the following production method. That is, for example, if the compound represented by the general formula [13] and a diol are required, they can be obtained by reacting in a suitable solvent in the presence of an acid catalyst.
【0071】ジオール類としては、例えばエチレングリ
コール、プロピレングリコール、2,2-ジメチルプロパン
ジオール、1,3-ブタンジオール、1,4-ブタンジオール、
ジエチレングリコール、ジプロピレングリコール、ネオ
ペンチルグリコール、1,6-ヘキサンジオール、2,2,4-ト
リメチル-1,6-ヘキサンジオール、トリエチレングリコ
ール、2-ブチル-2-エチル-1,3-プロパンジオール、1,2-
シクロヘキサンジオール、1,3-シクロヘキサンジオール
等が挙げられる。Examples of the diols include ethylene glycol, propylene glycol, 2,2-dimethylpropanediol, 1,3-butanediol, 1,4-butanediol,
Diethylene glycol, dipropylene glycol, neopentyl glycol, 1,6-hexanediol, 2,2,4-trimethyl-1,6-hexanediol, triethylene glycol, 2-butyl-2-ethyl-1,3-propanediol , 1,2-
Cyclohexanediol, 1,3-cyclohexanediol and the like can be mentioned.
【0072】ジオール類の使用量は特に限定されない
が、一般式[13]で示される化合物に対して通常1〜
20倍モル、好ましくは3〜10倍モルの範囲から適宜選択
される。The amount of the diols to be used is not particularly limited, but is usually from 1 to 1 relative to the compound represented by the formula [13].
It is appropriately selected from the range of 20-fold molar, preferably 3 to 10-fold molar.
【0073】酸触媒としては、例えばカンファースルホ
ン酸、p-トルエンスルホン酸、p-トルエンスルホン酸
ピリジニウム塩等の有機酸(或いはその塩)、例えば塩
酸、硫酸、リン酸等の無機酸等が挙げられる。Examples of the acid catalyst include organic acids (or salts thereof) such as camphorsulfonic acid, p-toluenesulfonic acid and pyridinium p-toluenesulfonic acid, and inorganic acids such as hydrochloric acid, sulfuric acid and phosphoric acid. Can be
【0074】酸触媒の使用量は特に限定されないが、一
般式[13]で示される化合物に対して通常0.1〜20モ
ル%、好ましくは1〜10モル%の範囲から適宜選択され
る。The amount of the acid catalyst used is not particularly limited, but is appropriately selected usually in the range of 0.1 to 20 mol%, preferably 1 to 10 mol%, based on the compound represented by the general formula [13].
【0075】必要に応じて用いられる反応溶媒として
は、例えばトルエン、キシレン、ベンゼン、シクロヘキ
サン、n-ヘキサン、n-オクタン等の炭化水素類、例え
ば塩化メチレン、ジクロロエタン、トリクロロエチレ
ン、四塩化炭素、クロロホルム等のハロゲン化炭化水素
類、例えば酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸n-ブチル、
プロピオン酸メチル等のエステル類、例えばジメチルエ
ーテル、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、
ジメトキシエタン、テトラヒドロフラン、ジオキサン等
のエーテル類、N-メチルピロリドン、N,N-ジメチルホ
ルムアミド、N,N-ジメチルアセトアミド、ジメチルスル
ホキシド等が挙げられる。これらは夫々単独で用いて
も、二種以上適宜組み合わせて用いても良い。尚、これ
ら反応溶媒は、水と共沸混合物を形成し、反応系から水
を除去できる溶媒が好ましい。The reaction solvent used if necessary includes, for example, hydrocarbons such as toluene, xylene, benzene, cyclohexane, n-hexane and n-octane, for example, methylene chloride, dichloroethane, trichloroethylene, carbon tetrachloride, chloroform and the like. Halogenated hydrocarbons such as methyl acetate, ethyl acetate, n-butyl acetate,
Esters such as methyl propionate, for example, dimethyl ether, diethyl ether, diisopropyl ether,
Ethers such as dimethoxyethane, tetrahydrofuran and dioxane, N-methylpyrrolidone, N, N-dimethylformamide, N, N-dimethylacetamide, dimethylsulfoxide and the like. These may be used alone or in combination of two or more. Incidentally, these reaction solvents are preferably solvents capable of forming an azeotropic mixture with water and removing water from the reaction system.
【0076】反応温度は特に限定されないが、通常0〜
150℃、好ましくは20〜130℃の範囲から適宜選択され
る。The reaction temperature is not particularly limited, but is usually 0 to
The temperature is appropriately selected from the range of 150 ° C, preferably 20 to 130 ° C.
【0077】反応時間は、反応させる上記一般式[1
3]で示される化合物等の種類や濃度等の反応条件によ
り自ら異なるが、通常0.5〜48時間の範囲から適宜選択
される。The reaction time is determined by the general formula [1]
The reaction time varies depending on the reaction conditions such as the type and concentration of the compound shown in [3], but it is usually appropriately selected from the range of 0.5 to 48 hours.
【0078】反応後の後処理等は、上記何れの製造法に
おいても通常行われる後処理法に準じて行えばよく、得
られた上記一般式[1]で示されるモノマーは特に精製
することなく、粗製のままで重合反応に付してもよく
(即ち、未反応の、上記一般式[13]で示される化合
物が共存している状態であってもよい。)、また蒸留や
カラムクロマトグラフィー等の任意の精製方法により精
製した後、次の反応に付してもよい。The post-treatment after the reaction may be carried out according to the post-treatment method usually performed in any of the above-mentioned production methods, and the obtained monomer represented by the above general formula [1] may be purified without particular purification. The crude product may be subjected to a polymerization reaction (that is, an unreacted compound represented by the above general formula [13] may be present), and distillation or column chromatography. After purifying by any purification method such as the above, it may be subjected to the next reaction.
【0079】尚、上記一般式[13]で示される化合物
は、市販品を用いても或いは常法により適宜製造したも
のを用いても良い。As the compound represented by the above general formula [13], a commercially available product or a compound appropriately produced by a conventional method may be used.
【0080】また、本発明に係るモノマーがアルキルシ
リル基を有するものである場合には、上記何れかの製造
法により得られたアルキルシリル基を有さない本発明に
係るモノマーとアルキルシリルハライドとを、要すれば
適当な溶媒中、塩基性触媒の存在下で反応させることに
より得ることができる。When the monomer according to the present invention has an alkylsilyl group, the monomer according to the present invention having no alkylsilyl group obtained by any of the above-mentioned production methods and an alkylsilyl halide may be used. Can be obtained by reacting in a suitable solvent, if necessary, in the presence of a basic catalyst.
【0081】アルキルシリルハライドとしては、例えば
クロロトリメチルシラン、クロロトリエチルシラン、ク
ロロジメチルエチルシラン、クロロトリプロピルシラ
ン、クロロトリイソプロピルシラン、クロロトリブチル
シラン、クロロトリヘキシルシラン、ブチルクロロジメ
チルシラン等が挙げられる。Examples of the alkylsilyl halide include chlorotrimethylsilane, chlorotriethylsilane, chlorodimethylethylsilane, chlorotripropylsilane, chlorotriisopropylsilane, chlorotributylsilane, chlorotrihexylsilane, butylchlorodimethylsilane and the like. .
【0082】アルキルシリルハライドの使用量は特に限
定されないが、アルキルシリル基を有さない一般式
[1]で示される化合物に対して通常1〜20倍モル、好
ましくは1〜5倍モルの範囲から適宜選択される。Although the amount of the alkylsilyl halide to be used is not particularly limited, it is usually 1 to 20 moles, preferably 1 to 5 moles, per mole of the compound represented by the general formula [1] having no alkylsilyl group. Is selected as appropriate.
【0083】塩基性触媒としては、例えばトリエチルア
ミン、ジイソプロピルエチルアミン、N,N-ジメチルアニ
リン、ピペリジン、ピリジン、4-ジメチルアミノピリジ
ン、1,5-ジアザビシクロ[4.3.0]ノナ-5-エン、1,8-ジア
ザビシクロ[5.4.0]ウンデカ-7-エン、トリ-n-ブチルア
ミン、N-メチルモルホリン等の有機アミン類、例えば
水素化ナトリウム等の金属水素化物類、例えばn-ブチ
ルリチウム、tert-ブチルリチウム等の塩基性有機アル
カリ金属化合物類等が挙げられる。Examples of the basic catalyst include triethylamine, diisopropylethylamine, N, N-dimethylaniline, piperidine, pyridine, 4-dimethylaminopyridine, 1,5-diazabicyclo [4.3.0] non-5-ene, Organic amines such as 8-diazabicyclo [5.4.0] undec-7-ene, tri-n-butylamine and N-methylmorpholine, for example, metal hydrides such as sodium hydride, for example, n-butyllithium, tert-butyl And basic organic alkali metal compounds such as lithium.
【0084】塩基性触媒の使用量は特に限定されない
が、アルキルシリル基を有さない一般式[1]で示され
る化合物に対して通常0.1〜20倍モル、好ましくは1〜
5倍モルの範囲から適宜選択される。The amount of the basic catalyst used is not particularly limited, but is usually 0.1 to 20 times, preferably 1 to 20 times, the molar amount of the compound represented by the general formula [1] having no alkylsilyl group.
It is appropriately selected from a range of 5 moles.
【0085】必要に応じて用いられる反応溶媒として
は、例えばトルエン、キシレン、ベンゼン、シクロヘキ
サン、n-ヘキサン、n-オクタン等の炭化水素類、例え
ば塩化メチレン、ジクロロエタン、トリクロロエチレ
ン、四塩化炭素、クロロホルム等のハロゲン化炭化水素
類、例えば酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸n-ブチル、
プロピオン酸メチル等のエステル類、例えばジメチルエ
ーテル、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、
ジメトキシエタン、テトラヒドロフラン、ジオキサン等
のエーテル類、N-メチルピロリドン、N,N-ジメチルホ
ルムアミド、N,N-ジメチルアセトアミド、ジメチルスル
ホキシド等が挙げられる。これらは夫々単独で用いて
も、二種以上適宜組み合わせて用いても良い。The reaction solvent used if necessary includes, for example, hydrocarbons such as toluene, xylene, benzene, cyclohexane, n-hexane and n-octane, for example, methylene chloride, dichloroethane, trichloroethylene, carbon tetrachloride, chloroform and the like. Halogenated hydrocarbons such as methyl acetate, ethyl acetate, n-butyl acetate,
Esters such as methyl propionate, for example, dimethyl ether, diethyl ether, diisopropyl ether,
Ethers such as dimethoxyethane, tetrahydrofuran and dioxane, N-methylpyrrolidone, N, N-dimethylformamide, N, N-dimethylacetamide, dimethylsulfoxide and the like. These may be used alone or in combination of two or more.
【0086】反応温度は特に限定されないが、通常0〜
150℃、好ましくは20〜80℃の範囲から適宜選択され
る。The reaction temperature is not particularly limited, but is usually 0 to
It is appropriately selected from the range of 150 ° C, preferably 20 to 80 ° C.
【0087】反応時間は、反応させるアルキルシリル基
を有さない上記一般式[1]で示される化合物等の種類
や濃度等の反応条件により自ら異なるが、通常0.5〜48
時間の範囲から適宜選択される。The reaction time varies depending on the reaction conditions such as the type and concentration of the compound represented by the general formula [1] having no alkylsilyl group to be reacted, but it is usually 0.5 to 48.
It is appropriately selected from a range of time.
【0088】反応後の後処理等は、通常行われる後処理
法に準じて行えばよく、得られたアルキルシリル基を有
する上記一般式[1]で示されるモノマーは特に精製す
ることなく、粗製のままで重合反応に付してもよく(即
ち、未反応の、上記一般式[13]で示される化合物
や、アルキルシリル基を有さない本発明に係るモノマー
が共存している状態であってもよい。)、また蒸留やカ
ラムクロマトグラフィー等の任意の精製方法により精製
した後、次の反応に付してもよい。The post-treatment after the reaction may be carried out in accordance with a usual post-treatment method. The obtained monomer represented by the above general formula [1] having an alkylsilyl group may be crudely purified without particular purification. The polymer may be subjected to a polymerization reaction as it is (that is, a state in which an unreacted compound represented by the general formula [13] or a monomer according to the present invention having no alkylsilyl group is present). After purification by any purification method such as distillation or column chromatography, and then subjecting it to the next reaction.
【0089】本発明に係る上記一般式[1a]で示され
るモノマー単位を構成単位として含んで成る本発明に係
るポリマーとしては、本発明に係るモノマー単位1種以
上、或いは本発明に係るモノマー単位1種以上と本発明
に係るモノマー単位以外のモノマー単位(以下、「その
他のモノマー単位」という。)1種以上とを構成単位と
して含んで成るポリマーが挙げられる。The polymer according to the present invention comprising the monomer unit represented by the general formula [1a] according to the present invention as a constituent unit includes one or more monomer units according to the present invention, or a monomer unit according to the present invention. Examples of the polymer include, as constituent units, one or more monomer units other than the monomer units according to the present invention (hereinafter, referred to as “other monomer units”).
【0090】上記その他のモノマー単位としては、例え
ば下記一般式[14a]及び[15a]で示されるモノ
マー単位が挙げられる。Examples of the other monomer units include monomer units represented by the following general formulas [14a] and [15a].
【0091】[0091]
【化33】 Embedded image
【0092】[式中、R9は水素原子,低級アルキル基
又はハロゲン原子を表し、R10は水素原子,低級アルキ
ル基,ハロゲン原子,カルボキシル基,アルキルオキシ
カルボニル基又はホルミル基を表し、R11は水素原子,
低級アルキル基,カルボキシル基,アルキルオキシカル
ボニル基又はハロゲン原子を表し、R12は二重結合を有
していても良いアルキレン基又は結合手を表し、R13は
水素原子,アルキル基,ハロアルキル基,脂肪族ヘテロ
環基,ハロゲン原子,アルキルオキシカルボニル基,ヒ
ドロキシアルキルオキシカルボニル基,アシルオキシ
基,シアノ基,カルボキシル基,ホルミル基,カルバモ
イル基又はヒドロキシル基を表す。また、R10とR13と
で結合して−CO−Q−CO−基{QはO又はN−R14
(R14は水素原子又は低級アルキル基を表す。)}を形
成していても良い。][0092] In the formula, R 9 represents a hydrogen atom, a lower alkyl group or a halogen atom, R 10 represents a hydrogen atom, a lower alkyl group, a halogen atom, a carboxyl group, an alkyloxycarbonyl group or a formyl group, R 11 Is a hydrogen atom,
Represents a lower alkyl group, a carboxyl group, an alkyloxycarbonyl group or a halogen atom, R 12 represents an alkylene group or a bond which may have a double bond, R 13 represents a hydrogen atom, an alkyl group, a haloalkyl group, It represents an aliphatic heterocyclic group, a halogen atom, an alkyloxycarbonyl group, a hydroxyalkyloxycarbonyl group, an acyloxy group, a cyano group, a carboxyl group, a formyl group, a carbamoyl group or a hydroxyl group. In addition, the -CO-Q-CO- group {Q bonded by R 10 and R 13 is O or NR 14
(R 14 represents a hydrogen atom or a lower alkyl group.)} May be formed. ]
【0093】[0093]
【化34】 Embedded image
【0094】[式中、G’は脂肪族環式炭化水素基を表
し、R20及びR21は夫々独立して、水素原子,アルキル
基,親水性を有する基又はアルキルオキシカルボニル基
を表す。また、R20とR21とで結合してジカルボキシイ
ミド(−CO−NH−CO−)基を形成していても良
い。][Wherein, G ′ represents an aliphatic cyclic hydrocarbon group, and R 20 and R 21 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group, a hydrophilic group or an alkyloxycarbonyl group. Further, R 20 and R 21 may combine to form a dicarboximide (—CO—NH—CO—) group. ]
【0095】上記一般式[14a]で示されるモノマー
単位の中では、下記一般式[16]で示されるものが特
に好ましい。Among the monomer units represented by the general formula [14a], those represented by the following general formula [16] are particularly preferable.
【0096】[0096]
【化35】 Embedded image
【0097】(式中、R10とR13とで結合して−CO−
Q−CO−基{QはO又はN−R14[R14は水素原子又
は低級アルキル基を表す。]}を形成していても良
い。)(Wherein R 10 and R 13 are bonded together to form —CO—
Q—CO— group {Q is O or N—R 14 [R 14 represents a hydrogen atom or a lower alkyl group. ] May be formed. )
【0098】また、一般式[15a]で示されるモノマ
ー単位の中では、下記一般式[17]〜[19]で示さ
れるものが特に好ましい。Of the monomer units represented by the general formula [15a], those represented by the following general formulas [17] to [19] are particularly preferable.
【0099】[0099]
【化36】 Embedded image
【0100】[0100]
【化37】 Embedded image
【0101】[0101]
【化38】 Embedded image
【0102】(式中、R20、R21及びkは前記と同
じ。)(In the formula, R 20 , R 21 and k are the same as described above.)
【0103】また、本発明に係るポリマーは、上記一般
式[13]で示される化合物に由来する下記一般式[1
3a]Further, the polymer according to the present invention has the following general formula [1] derived from the compound represented by the general formula [13].
3a]
【0104】[0104]
【化39】 Embedded image
【0105】(式中、R1,R2,X及びZは前記と同
じ。)で示されるモノマー単位を構成単位として含んで
いても良い。(Wherein R 1 , R 2 , X and Z are the same as described above) may be contained as a constitutional unit.
【0106】一般式[14a]に於いて、R9,R10,
R11及びR13で示されるハロゲン原子としては、フッ
素、塩素、臭素、沃素等が挙げられる。R9,R10及び
R11で示される低級アルキル基としては、直鎖状でも分
枝状でも良く、例えば炭素数1〜6のアルキル基が挙げ
られ、具体的にはメチル基、エチル基、n-プロピル
基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、ter
t-ブチル基、sec-ブチル基、n-ペンチル基、イソペン
チル基、ネオペンチル基、tert-ペンチル基、3,3-ジメ
チルブチル基、1,1-ジメチルブチル基、1-メチルペンチ
ル基、n-ヘキシル基、イソヘキシル基等が挙げられ
る。R10,R11及びR13で示されるアルキルオキシカル
ボニル基としては、直鎖状でも分枝状でも或いは環状で
も良く、また、二重結合を有していても良い。直鎖状又
は分枝状のアルキルオキシカルボニル基としては、例え
ば炭素数2〜19のアルキルオキシカルボニル基が挙げ
られ、具体的にはメチルオキシカルボニル基、エチルオ
キシカルボニル基、プロピルオキシカルボニル基、ブチ
ルオキシカルボニル基、ペンチルオキシカルボニル基、
ヘキシルオキシカルボニル基、ヘプチルオキシカルボニ
ル基、オクチルオキシカルボニル基、ドデシルオキシカ
ルボニル基、オクタデシルオキシカルボニル基、エテニ
ルオキシカルボニル基、プロペニルオキシカルボニル
基、ブテニルオキシカルボニル基、tert-ブチルオキシ
カルボニル基、2-エチルヘキシルオキシカルボニル基等
が挙げられ。また、環状のアルキルオキシカルボニル基
としては、環は単環でも多環でも良く、例えば炭素数7
〜14の脂環状アルキルオキシカルボニル基が挙げられ、
具体的にはシクロヘキシルオキシカルボニル基、トリシ
クロデカニルオキシカルボニル基、アダマンチルオキシ
カルボニル基、ノルボルニルオキシカルボニル基、ビシ
クロ[3.2.1]オクテニルオキシカルボニル基、ビシクロ
[2.2.2]オクチルオキシカルボニル基、メンチルオキシ
カルボニル基、イソボルニルオキシカルボニル基等が挙
げられる。 R13で示されるアルキル基としては、直鎖
状でも分枝状でも或いは環状でも良く、例えば炭素数1
〜20のアルキル基が挙げられ、具体的にはメチル基、
エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル
基、イソブチル基、tert-ブチル基、sec-ブチル基、n-
ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、tert-
ペンチル基、3,3-ジメチルブチル基、1,1-ジメチルブチ
ル基、1-メチルペンチル基、n-ヘキシル基、イソヘキ
シル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル
基、ウンデシル基、ドデシル基、ヘキサデシル基、オク
タデシル基、2-エチルヘキシル基、シクロプロピル基、
シクロペンチル基、シクロヘキシル基等が挙げられる。
ハロアルキル基としては、例えば上記アルキル基が任意
にハロゲン化(例えばフッ素化、塩素化、臭素化、沃素
化等。)された炭素数1〜20のハロアルキル基が挙げ
られ、具体的にはクロロメチル基、ブロモメチル基、ト
リフルオロメチル基、2-クロロエチル基、3-クロロプロ
ピル基、3-ブロモプロピル基、3,3,3-トリフルオロプロ
ピル基、2-パーフルオロオクチルエチル基、パーフルオ
ロオクチル基、1-クロロデシル基、1-クロロオクタデシ
ル基等が挙げられる。脂肪族ヘテロ環基としては、例え
ば5員環又は6員環の脂肪族ヘテロ環基が好ましく、異
性原子として1〜3個の例えば窒素原子、酸素原子、硫
黄原子等のヘテロ原子を含んでいるものが挙げられ、そ
の具体例としては、例えばピロリジル-2-オン基、ピペ
リジノ基、モルホリノ基等が挙げられる。アシルオキシ
基としては、カルボン酸由来の例えば炭素数2〜18の
アシルオキシ基が好ましく、具体的にはアセチルオキシ
基、プロピオニルオキシ基、ブチリルオキシ基、ペンタ
ノイルオキシ基、ヘキサノイルオキシ基、ヘプタノイル
オキシ基、オクタノイルオキシ基、ラウロイルオキシ
基、ステアロイルオキシ基、ベンゾイルオキシ基等が挙
げられる。ヒドロキシアルキルオキシカルボニル基とし
ては、上記した如きアルキルオキシカルボニル基の水素
原子がヒドロキシル基に置換された炭素数2〜19のヒ
ドロキシアルキルオキシカルボニル基が挙げられ、具体
的にはヒドロキシメチルオキシカルボニル基、ヒドロキ
シエチルオキシカルボニル基、ヒドロキシプロピルオキ
シカルボニル基、ヒドロキシブチルオキシカルボニル
基、ヒドロキシペンチルオキシカルボニル基、ヒドロキ
シヘキシルオキシカルボニル基、ヒドロキシヘプチルオ
キシカルボニル基、ヒドロキシオクチルオキシカルボニ
ル基、ヒドロキシドデシルオキシカルボニル基、ヒドロ
キシオクタデシルオキシカルボニル基等が挙げられる。
R12で示される二重結合を有していても良いアルキレン
基としては、直鎖状でも分枝状でも良く、例えば炭素数
1〜10のアルキレン基が挙げられ、また、二重結合を
有している場合としては、該アルキレン基の末端または
鎖中の任意の位置に二重結合を1個以上、好ましくは1
〜5個、より好ましくは1〜3個有しているものが挙げ
られ、具体的にはメチレン基、エチレン基、プロピレン
基、ブチレン基、2-メチルプロピレン基、ペンチレン
基、2,2-ジメチルプロピレン基、2-エチルプロピレン
基、ヘキシレン基、ヘプチレン基、オクチレン基、2-エ
チルヘキシレン基、ノニレン基、デシレン基、エテニレ
ン基、プロペニレン基、ブテニレン基、ペンテニレン
基、ヘキセニレン基、ブタジエニレン基等が挙げられ
る。In the general formula [14a], R 9 , R 10 ,
Examples of the halogen atom represented by R 11 and R 13 include fluorine, chlorine, bromine, iodine and the like. The lower alkyl group represented by R 9 , R 10 and R 11 may be linear or branched, and includes, for example, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, and specifically, a methyl group, an ethyl group, n-propyl group, isopropyl group, n-butyl group, isobutyl group, ter
t-butyl, sec-butyl, n-pentyl, isopentyl, neopentyl, tert-pentyl, 3,3-dimethylbutyl, 1,1-dimethylbutyl, 1-methylpentyl, n-butyl Examples include a hexyl group and an isohexyl group. The alkyloxycarbonyl group represented by R 10 , R 11 and R 13 may be linear, branched or cyclic, and may have a double bond. Examples of the linear or branched alkyloxycarbonyl group include an alkyloxycarbonyl group having 2 to 19 carbon atoms, specifically, a methyloxycarbonyl group, an ethyloxycarbonyl group, a propyloxycarbonyl group, and butyl. Oxycarbonyl group, pentyloxycarbonyl group,
Hexyloxycarbonyl group, heptyloxycarbonyl group, octyloxycarbonyl group, dodecyloxycarbonyl group, octadecyloxycarbonyl group, ethenyloxycarbonyl group, propenyloxycarbonyl group, butenyloxycarbonyl group, tert-butyloxycarbonyl group, 2 -Ethylhexyloxycarbonyl group and the like. As the cyclic alkyloxycarbonyl group, the ring may be monocyclic or polycyclic.
To 14 alicyclic alkyloxycarbonyl groups,
Specifically, a cyclohexyloxycarbonyl group, a tricyclodecanyloxycarbonyl group, an adamantyloxycarbonyl group, a norbornyloxycarbonyl group, a bicyclo [3.2.1] octenyloxycarbonyl group, a bicyclo
[2.2.2] Examples include an octyloxycarbonyl group, a menthyloxycarbonyl group, and an isobornyloxycarbonyl group. The alkyl group represented by R 13 may be linear, branched or cyclic, and has, for example, 1 carbon atom.
To 20 alkyl groups, specifically, a methyl group,
Ethyl group, n-propyl group, isopropyl group, n-butyl group, isobutyl group, tert-butyl group, sec-butyl group, n-
Pentyl group, isopentyl group, neopentyl group, tert-
Pentyl, 3,3-dimethylbutyl, 1,1-dimethylbutyl, 1-methylpentyl, n-hexyl, isohexyl, heptyl, octyl, nonyl, decyl, undecyl, dodecyl , Hexadecyl group, octadecyl group, 2-ethylhexyl group, cyclopropyl group,
Examples include a cyclopentyl group and a cyclohexyl group.
Examples of the haloalkyl group include a haloalkyl group having 1 to 20 carbon atoms in which the above alkyl group is optionally halogenated (eg, fluorinated, chlorinated, brominated, iodized, etc.), and specifically, chloromethyl Group, bromomethyl group, trifluoromethyl group, 2-chloroethyl group, 3-chloropropyl group, 3-bromopropyl group, 3,3,3-trifluoropropyl group, 2-perfluorooctylethyl group, perfluorooctyl group , 1-chlorodecyl group, 1-chlorooctadecyl group and the like. As the aliphatic heterocyclic group, for example, a 5-membered or 6-membered aliphatic heterocyclic group is preferable, and contains 1 to 3 hetero atoms such as a nitrogen atom, an oxygen atom, and a sulfur atom as isomer atoms. And specific examples thereof include, for example, a pyrrolidyl-2-one group, a piperidino group, a morpholino group and the like. As the acyloxy group, for example, an acyloxy group having 2 to 18 carbon atoms derived from a carboxylic acid is preferable. Specifically, an acetyloxy group, a propionyloxy group, a butyryloxy group, a pentanoyloxy group, a hexanoyloxy group, a heptanoyloxy group Octanoyloxy group, lauroyloxy group, stearoyloxy group, benzoyloxy group and the like. Examples of the hydroxyalkyloxycarbonyl group include a hydroxyalkyloxycarbonyl group having 2 to 19 carbon atoms in which a hydrogen atom of the alkyloxycarbonyl group is substituted with a hydroxyl group as described above, specifically, a hydroxymethyloxycarbonyl group, Hydroxyethyloxycarbonyl, hydroxypropyloxycarbonyl, hydroxybutyloxycarbonyl, hydroxypentyloxycarbonyl, hydroxyhexyloxycarbonyl, hydroxyheptyloxycarbonyl, hydroxyoctyloxycarbonyl, hydroxydodecyloxycarbonyl, hydroxyoctadecyl An oxycarbonyl group;
The alkylene group which may have a double bond represented by R 12 may be linear or branched and includes, for example, an alkylene group having 1 to 10 carbon atoms. When one or more double bonds are present at the terminal of the alkylene group or at any position in the chain, preferably one or more double bonds are present.
Those having from 5 to 5, more preferably from 1 to 3, specifically, methylene, ethylene, propylene, butylene, 2-methylpropylene, pentylene, 2,2-dimethyl Propylene, 2-ethylpropylene, hexylene, heptylene, octylene, 2-ethylhexylene, nonylene, decylene, ethenylene, propenylene, butenylene, pentenylene, hexenylene, butadienylene, etc. No.
【0107】一般式[14a]に於いて、R10とR13と
で結合して形成される−CO−Q−CO−基に於ける、
Qに於いて、R14で示される低級アルキル基としては、
直鎖状でも分枝状でも或いは環状でも良く、例えば炭素
数1〜6のアルキル基が挙げられ、具体的にはメチル
基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブ
チル基、イソブチル基、tert-ブチル基、sec-ブチル
基、n-ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル
基、tert-ペンチル基、3,3-ジメチルブチル基、1,1-ジ
メチルブチル基、1-メチルペンチル基、n-ヘキシル
基、イソヘキシル基,シクロプロピル基,シクロペンチ
ル基,シクロヘキシル基等が挙げられる。In the general formula [14a], in a —CO—Q—CO— group formed by combining R 10 and R 13 ,
In Q, the lower alkyl group represented by R 14 includes:
It may be linear, branched or cyclic, and includes, for example, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms. Specific examples include a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, and an isobutyl group. Group, tert-butyl group, sec-butyl group, n-pentyl group, isopentyl group, neopentyl group, tert-pentyl group, 3,3-dimethylbutyl group, 1,1-dimethylbutyl group, 1-methylpentyl group, Examples include an n-hexyl group, an isohexyl group, a cyclopropyl group, a cyclopentyl group, and a cyclohexyl group.
【0108】一般式[14a]で示されるその他のモノ
マー単位は、一般式[14]The other monomer units represented by the general formula [14a] are represented by the general formula [14]
【0109】[0109]
【化40】 Embedded image
【0110】(式中、R9〜R13は前記に同じ。)で示
されるモノマーに由来するものである。該モノマーの具
体例としては、例えばギ酸ビニル,酢酸ビニル,プロピ
オン酸ビニル,酢酸イソプロペニル等の炭素数3〜20の
アルケニルエステル類、例えば塩化ビニル,塩化ビニリ
デン,フッ化ビニリデン,テトラフルオロエチレン,テ
トラクロロエチレン等の炭素数2〜20の含ハロゲンエチ
レン性不飽和化合物類、例えばアクリル酸,メタクリル
酸,イタコン酸,マレイン酸,フマル酸,クロトン酸,
シトラコン酸,メサコン酸,ビニル酢酸,アリル酢酸等
の炭素数3〜20のエチレン性不飽和カルボン酸類(これ
ら酸類は、例えばナトリウム,カリウム等のアルカリ金
属塩やアンモニウム塩等、塩の形になっているものでも
よい。)、例えばメタクリル酸メチル,メタクリル酸エ
チル,メタクリル酸プロピル,メタクリル酸ブチル,メ
タクリル酸2-エチルヘキシル,メタクリル酸ラウリル,
メタクリル酸ステアリル,メタクリル酸ビニル,メタク
リル酸アリル,メタクリル酸アダマンチル,メタクリル
酸トリシクロデカニル,メタクリル酸メンチル,メタク
リル酸ノルボルニル,メタクリル酸イソボルニル,アク
リル酸メチル,アクリル酸エチル,アクリル酸ブチル,
アクリル酸2-エチルヘキシル,アクリル酸ラウリル,ア
クリル酸ステアリル,アクリル酸ビニル,アクリル酸ア
ダマンチル,アクリル酸トリシクロデカニル,アクリル
酸メンチル,アクリル酸ノルボルニル,アクリル酸イソ
ボルニル,イタコン酸ジメチル,イタコン酸ジエチル,
マレイン酸ジメチル,マレイン酸ジエチル,フマル酸ジ
メチル,フマル酸ジエチル,クロトン酸メチル,クロト
ン酸エチル,クロトン酸ビニル,シトラコン酸ジメチ
ル,シトラコン酸ジエチル,メサコン酸ジメチル,メサ
コン酸ジエチル,3-ブテン酸メチル,メタクリル酸2-ヒ
ドロキシエチル,メタクリル酸3-ヒドロキシプロピル,
メタクリル酸2-ヒドロキシプロピル,アクリル酸2-ヒド
ロキシエチル,アクリル酸3-ヒドロキシプロピル,アク
リル酸2-ヒドロキシプロピル等の炭素数4〜20のエチレ
ン性不飽和カルボン酸エステル類、例えばアクリロニト
リル,メタクリロニトリル,シアン化アリル等の炭素数
3〜20の含シアノエチレン性不飽和化合物類、例えばア
クリルアミド,メタクリルアミド,マレイミド等の炭素
数3〜20のエチレン性不飽和アミド化合物類、例えばア
クロレイン,クロトンアルデヒド等の炭素数3〜20のエ
チレン性不飽和アルデヒド類、例えばビニルスルホン酸
等の炭素数2〜20のエチレン性不飽和スルホン酸類(こ
れら酸類は、例えばナトリウム,カリウム等のアルカリ
金属塩等、塩の形になっているものでもよい。)、例え
ばビニルアミン,アリルアミン等の炭素数2〜20のエチ
レン性不飽和脂肪族アミン類、例えばN-ビニルピロリ
ドン,ビニルピペリジン等の炭素数5〜20のエチレン性
不飽和脂肪族ヘテロ環状アミン類、例えばアリルアルコ
ール,クロチルアルコール等の炭素数3〜20のエチレン
性不飽和アルコール類、例えばブタジエン,イソプレン
等の炭素数4〜20のジエン系化合物類等が挙げられる。(Wherein, R 9 to R 13 are the same as described above). Specific examples of the monomer include alkenyl esters having 3 to 20 carbon atoms such as vinyl formate, vinyl acetate, vinyl propionate, and isopropenyl acetate, for example, vinyl chloride, vinylidene chloride, vinylidene fluoride, tetrafluoroethylene, and tetrachloroethylene. Halogen-containing ethylenically unsaturated compounds having 2 to 20 carbon atoms such as acrylic acid, methacrylic acid, itaconic acid, maleic acid, fumaric acid, crotonic acid, etc.
Ethylenically unsaturated carboxylic acids having 3 to 20 carbon atoms such as citraconic acid, mesaconic acid, vinyl acetic acid and allyl acetic acid (these acids are in the form of salts such as alkali metal salts such as sodium and potassium and ammonium salts). For example, methyl methacrylate, ethyl methacrylate, propyl methacrylate, butyl methacrylate, 2-ethylhexyl methacrylate, lauryl methacrylate,
Stearyl methacrylate, vinyl methacrylate, allyl methacrylate, adamantyl methacrylate, tricyclodecanyl methacrylate, menthyl methacrylate, norbornyl methacrylate, isobornyl methacrylate, methyl acrylate, ethyl acrylate, butyl acrylate,
2-ethylhexyl acrylate, lauryl acrylate, stearyl acrylate, vinyl acrylate, adamantyl acrylate, tricyclodecanyl acrylate, menthyl acrylate, norbornyl acrylate, isobornyl acrylate, dimethyl itaconate, diethyl itaconate,
Dimethyl maleate, diethyl maleate, dimethyl fumarate, diethyl fumarate, methyl crotonate, ethyl crotonate, vinyl crotonate, dimethyl citraconic acid, diethyl citraconic acid, dimethyl mesaconate, diethyl mesaconate, methyl 3-butenoate, 2-hydroxyethyl methacrylate, 3-hydroxypropyl methacrylate,
C4 to C20 ethylenically unsaturated carboxylic acid esters such as 2-hydroxypropyl methacrylate, 2-hydroxyethyl acrylate, 3-hydroxypropyl acrylate and 2-hydroxypropyl acrylate, for example, acrylonitrile, methacrylonitrile C3-20 cyano-containing unsaturated compounds such as allyl cyanide, etc., e.g. C3-20 ethylenically unsaturated amide compounds such as acrylamide, methacrylamide, maleimide, etc., e.g. acrolein, crotonaldehyde, etc. C3 to C20 ethylenically unsaturated aldehydes such as vinylsulfonic acid and the like, and C2 to C20 ethylenically unsaturated sulfonic acids (for example, salts of these salts such as alkali metal salts such as sodium and potassium). May be in the form of)), for example, vinylamine, allyl C2-C20 ethylenically unsaturated aliphatic amines such as amines such as N-vinylpyrrolidone and vinylpiperidine; C5-C20 ethylenically unsaturated aliphatic heterocyclic amines such as allyl alcohol, Examples thereof include ethylenically unsaturated alcohols having 3 to 20 carbon atoms such as tyl alcohol, and diene compounds having 4 to 20 carbon atoms such as butadiene and isoprene.
【0111】一般式[15a]で示されるモノマー単位
は、一般式[15]The monomer unit represented by the general formula [15a] is represented by the general formula [15]
【0112】[0112]
【化41】 Embedded image
【0113】(式中、Gは重合性二重結合を有する脂肪
族環式炭化水素基を表し、R20及びR 21は前記と同
じ。)で示されるモノマーに由来するものである。(Wherein G is a fat having a polymerizable double bond)
Represents an aromatic hydrocarbon group;20And R twenty oneIs the same as above
Same. )).
【0114】一般式[15a]に於いて、G’で示され
る脂肪族環式炭化水素基は、一般式[15a]に於け
る、Gで示される、重合性二重結合を有する脂肪族環式
炭化水素基に由来するものであるが、該重合性二重結合
を有する脂肪族環式炭化水素基としては、例えば炭素数
7〜12の脂肪族多環式炭化水素基が挙げられ、具体的
には下記式で示されるもの等が好ましいものとして挙げ
られる。In the general formula [15a], the aliphatic cyclic hydrocarbon group represented by G ′ is the aliphatic ring having a polymerizable double bond represented by G in the general formula [15a]. Although derived from the formula hydrocarbon group, examples of the aliphatic cyclic hydrocarbon group having a polymerizable double bond include an aliphatic polycyclic hydrocarbon group having 7 to 12 carbon atoms. Specifically, those represented by the following formulas are preferred.
【0115】[0115]
【化42】 Embedded image
【0116】[0116]
【化43】 Embedded image
【0117】[0117]
【化44】 Embedded image
【0118】[0118]
【化45】 Embedded image
【0119】一般式[15a]及び[15]に於いて、
R20及びR21で示されるアルキルオキシカルボニル基と
しては、直鎖状でも分枝状でも良く、例えば炭素数2〜
9のアルキルオキシカルボニル基が挙げられ、具体的に
はメチルオキシカルボニル基、エチルオキシカルボニル
基、プロピルオキシカルボニル基、ブチルオキシカルボ
ニル基、ペンチルオキシカルボニル基、ヘキシルオキシ
カルボニル基、ヘプチルオキシカルボニル基、オクチル
オキシカルボニル基、tert-ブチルオキシカルボニル
基、2-エチルヘキシルオキシカルボニル基等が挙げられ
る。親水性を有する基としては、例えばヒドロキシアル
キルオキシカルボニル基,シアノ基,ホルミル基,ヒド
ロキシル基,ヒドロキシアルキル基,カルボキシル基,
カルボキシアルキル基,カルバモイル基,−CH2OC
OCH2COCH3基,−CH2OCOCH2COC2H
5基,或いはR20とR21とで結合して形成されるジカル
ボキシイミド(−CO−NH−CO−)基等が挙げられ
る。該ヒドロキシアルキルオキシカルボニル基として
は、上記した如きアルキルオキシカルボニル基の水素原
子がヒドロキシル基に置換された炭素数3〜9のヒドロ
キシアルキルオキシカルボニル基が挙げられ、具体的に
はヒドロキシエチルオキシカルボニル基、ヒドロキシプ
ロピルオキシカルボニル基、ヒドロキシブチルオキシカ
ルボニル基、ヒドロキシペンチルオキシカルボニル基、
ヒドロキシヘキシルオキシカルボニル基、ヒドロキシヘ
プチルオキシカルボニル基、ヒドロキシオクチルオキシ
カルボニル基等が挙げられる。また、ヒドロキシアルキ
ル基としては、直鎖状でも分枝状でも良く、例えば炭素
数1〜8のヒドロキシアルキル基が挙げられ、具体的に
はヒドロキシメチル基、ヒドロキシエチル基、ヒドロキ
シプロピル基、ヒドロキシブチル基、ヒドロキシペンチ
ル基、ヒドロキシヘキシル基、ヒドロキシヘプチル基、
ヒドロキシオクチル基等が挙げられる。カルボキシアル
キル基としては、直鎖状でも分枝状でもよく、例えば炭
素数2〜6のカルボキシアルキル基が挙げられ、具体的
にはカルボキシメチル基、カルボキシエチル基、カルボ
キシプロピル基、カルボキシブチル基、カルボキシペン
チル基等が挙げられる。In the general formulas [15a] and [15],
The alkyloxycarbonyl group represented by R 20 and R 21 may be linear or branched, and for example, has 2 to 2 carbon atoms.
9 alkyloxycarbonyl groups, specifically, methyloxycarbonyl, ethyloxycarbonyl, propyloxycarbonyl, butyloxycarbonyl, pentyloxycarbonyl, hexyloxycarbonyl, heptyloxycarbonyl, octyl Examples include an oxycarbonyl group, a tert-butyloxycarbonyl group, a 2-ethylhexyloxycarbonyl group, and the like. Examples of the hydrophilic group include a hydroxyalkyloxycarbonyl group, a cyano group, a formyl group, a hydroxyl group, a hydroxyalkyl group, a carboxyl group,
Carboxyalkyl group, a carbamoyl group, -CH 2 OC
OCH 2 COCH 3 group, —CH 2 OCOCH 2 COC 2 H
5 groups, or a dicarboximide (—CO—NH—CO—) group formed by bonding R 20 and R 21 . Examples of the hydroxyalkyloxycarbonyl group include a hydroxyalkyloxycarbonyl group having 3 to 9 carbon atoms in which a hydrogen atom of the alkyloxycarbonyl group is substituted with a hydroxyl group as described above. , Hydroxypropyloxycarbonyl group, hydroxybutyloxycarbonyl group, hydroxypentyloxycarbonyl group,
Examples include a hydroxyhexyloxycarbonyl group, a hydroxyheptyloxycarbonyl group, a hydroxyoctyloxycarbonyl group, and the like. The hydroxyalkyl group may be linear or branched, and includes, for example, a hydroxyalkyl group having 1 to 8 carbon atoms, specifically, a hydroxymethyl group, a hydroxyethyl group, a hydroxypropyl group, and a hydroxybutyl group. Group, hydroxypentyl group, hydroxyhexyl group, hydroxyheptyl group,
And a hydroxyoctyl group. The carboxyalkyl group may be linear or branched, and includes, for example, a carboxyalkyl group having 2 to 6 carbon atoms, specifically, a carboxymethyl group, a carboxyethyl group, a carboxypropyl group, a carboxybutyl group, And a carboxypentyl group.
【0120】一般式[15]で示されるモノマーの具体
例としては、例えば下記の如きモノマーが挙げられる。Specific examples of the monomer represented by the general formula [15] include the following monomers.
【0121】[0121]
【化46】 Embedded image
【0122】[0122]
【化47】 Embedded image
【0123】[0123]
【化48】 Embedded image
【0124】[0124]
【化49】 Embedded image
【0125】[0125]
【化50】 Embedded image
【0126】[0126]
【化51】 Embedded image
【0127】[0127]
【化52】 Embedded image
【0128】[0128]
【化53】 Embedded image
【0129】[0129]
【化54】 Embedded image
【0130】[0130]
【化55】 Embedded image
【0131】[0131]
【化56】 Embedded image
【0132】[0132]
【化57】 Embedded image
【0133】[0133]
【化58】 Embedded image
【0134】[0134]
【化59】 Embedded image
【0135】本発明に係るポリマーを製造するに当たっ
ては、本発明に係るモノマー以外にこれらのモノマー
(以下、「その他のモノマー」という。)を一種又は二
種以上適宜組み合わせて用いても良い。尚、本発明に係
るポリマーをArF用レジスト材料として用いる場合に
は、本発明に係るモノマーと組み合わせて用いるこれら
その他のモノマーは、基板密着性を向上させるために
は、親水性を有する基を有するモノマーが好ましく用い
られ、親水性を有する基を有し且つ多環式炭化水素基を
有するモノマーがより好ましく用いられる。In producing the polymer according to the present invention, one or a combination of two or more of these monomers (hereinafter, referred to as “other monomers”) may be used in addition to the monomer according to the present invention. When the polymer according to the present invention is used as a resist material for ArF, these other monomers used in combination with the monomer according to the present invention have a group having a hydrophilic property in order to improve the substrate adhesion. A monomer is preferably used, and a monomer having a group having hydrophilicity and having a polycyclic hydrocarbon group is more preferably used.
【0136】本発明に係るポリマーとしては、例えば下
記一般式[20]で示されるものが挙げられる。Examples of the polymer according to the present invention include those represented by the following general formula [20].
【0137】[0137]
【化60】 Embedded image
【0138】(式中、x+y+z=1、0.10≦x≦0.9
9、0≦y≦0.90、0≦z≦0.90、0.01≦y+z≦0.90を
表し、また、nは重合度を表す。尚、その他の記号は前
記と同じ。)(Where x + y + z = 1, 0.10 ≦ x ≦ 0.9
9, 0 ≦ y ≦ 0.90, 0 ≦ z ≦ 0.90, 0.01 ≦ y + z ≦ 0.90, and n represents the degree of polymerization. Other symbols are the same as above. )
【0139】また、本発明に係るポリマーに於いて、上
記一般式[13a]で示されるモノマー単位を構成単位
として含む場合には、本発明に係るポリマーとしては、
例えば下記一般式[20’]で示されるものが挙げられ
る。Further, when the polymer according to the present invention contains the monomer unit represented by the above general formula [13a] as a constitutional unit, the polymer according to the present invention includes:
For example, those represented by the following general formula [20 ′] can be mentioned.
【0140】[0140]
【化61】 Embedded image
【0141】(式中、x+y+z+z'=1、0.10≦x
≦0.99、0≦y≦0.90、0≦z≦0.90、0≦z'≦0.50、0.
01≦y+z+z'≦0.90を表し、また、nは重合度を表
す。尚、その他の記号は前記と同じ。)(Where x + y + z + z ′ = 1, 0.10 ≦ x
≤ 0.99, 0 ≤ y ≤ 0.90, 0 ≤ z ≤ 0.90, 0 ≤ z '≤ 0.50, 0.
01 ≦ y + z + z ′ ≦ 0.90, and n represents the degree of polymerization. Other symbols are the same as above. )
【0142】これら本発明に係るポリマーのうち、より
具体的には、下記一般式[20'']で示されるものが好
ましいものとして挙げられる。Among these polymers according to the present invention, more specifically, those represented by the following general formula [20 ″] are preferred.
【0143】[0143]
【化62】 Embedded image
【0144】(式中、x+y+z=1、0.10≦x≦0.9
9、0≦y≦0.90、0≦z≦0.90、0.01≦y+z≦0.90を
表し、また、nは重合度を表し、R20'は水素原子又は
ヒドロキシメチル基を表し、Qは前記と同じ。また、
R’は下記一般式[7]、[8]又は[8’]を表す。(Where x + y + z = 1, 0.10 ≦ x ≦ 0.9
9, 0 ≦ y ≦ 0.90, 0 ≦ z ≦ 0.90, 0.01 ≦ y + z ≦ 0.90, n represents the degree of polymerization, R 20 ′ represents a hydrogen atom or a hydroxymethyl group, and Q is the same as above. Also,
R ′ represents the following general formula [7], [8] or [8 ′].
【0145】[0145]
【化63】 Embedded image
【0146】[0146]
【化64】 Embedded image
【0147】[0147]
【化65】 Embedded image
【0148】{式中、R1'は水素原子を表し、R2'及び
R3'は炭素数1〜4の低級アルキル基を基を表し、ま
た、R1'とR2'とが結合して炭素数3〜4のメチレン鎖
を形成していてもよく、Y及びY’は下記式[9]又は
下記一般式[10]で示される基を表す。In the formula, R 1 ′ represents a hydrogen atom, R 2 ′ and R 3 ′ represent a lower alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, and R 1 ′ and R 2 ′ are bonded to each other. To form a methylene chain having 3 to 4 carbon atoms, and Y and Y ′ represent a group represented by the following formula [9] or the following general formula [10].
【0149】[0149]
【化66】 Embedded image
【0150】[0150]
【化67】 [式中、R4'とR5'は水素原子又は炭素数1〜4の低級
アルキル基を表す。]})Embedded image [In the formula, R 4 ′ and R 5 ′ represent a hydrogen atom or a lower alkyl group having 1 to 4 carbon atoms. ]})
【0151】本発明に係るポリマーの具体例としては、
例えば下記に示すセグメントを有するポリマーが挙げら
れる。Examples of the polymer according to the present invention include:
For example, a polymer having the following segments can be mentioned.
【0152】[0152]
【化68】 Embedded image
【0153】[0153]
【化69】 Embedded image
【0154】[0154]
【化70】 Embedded image
【0155】[0155]
【化71】 Embedded image
【0156】[0156]
【化72】 Embedded image
【0157】[0157]
【化73】 Embedded image
【0158】[0158]
【化74】 Embedded image
【0159】[0159]
【化75】 Embedded image
【0160】[0160]
【化76】 Embedded image
【0161】[0161]
【化77】 Embedded image
【0162】[0162]
【化78】 Embedded image
【0163】[0163]
【化79】 Embedded image
【0164】[0164]
【化80】 Embedded image
【0165】[0165]
【化81】 Embedded image
【0166】本発明に係るポリマーは、例えば下記
(a)又は(b)に示す方法により容易に得る事が出来
る。The polymer according to the present invention can be easily obtained, for example, by the following method (a) or (b).
【0167】(a)方法−1 本発明に係るモノマーと、要すればその他のモノマーと
を適当な溶媒中、触媒量のラジカル重合開始剤の存在
下、要すれば不活性ガス雰囲気下で、20〜150℃で0.5〜
48時間常法に従って重合反応を行う。反応後は高分子取
得法の常法に従って後処理を行うことにより、目的の上
記一般式[1a]で示されるモノマー単位を構成単位と
して含んで成るポリマーを得ることができる。(A) Method-1 The monomer according to the present invention and, if necessary, another monomer are dissolved in an appropriate solvent in the presence of a catalytic amount of a radical polymerization initiator, and optionally under an inert gas atmosphere. 0.5 ~ at 20 ~ 150 ℃
The polymerization reaction is performed for 48 hours according to a conventional method. After the reaction, a post-treatment is carried out according to a conventional method for obtaining a polymer, whereby a polymer containing the desired monomer unit represented by the above general formula [1a] as a constituent unit can be obtained.
【0168】ラジカル重合開始剤としては、例えばアゾ
ビスイソブチロニトリル、2,2'-アゾビス(2,4-ジメチル
バレロニトリル)、2,2'-アゾビス(2-メチルプロピオン
酸メチル)、2,2'-アゾビス(2-メチルブチロニトリル)、
2,2'-アゾビス(2,4-ジメチル-4-メトキシバレロニトリ
ル)、4,4'-アゾビス(4-シアノペンタン酸)等のアゾ系重
合開始剤、例えばラウロイルパーオキシド、ベンゾイル
パーオキシド、ビス(4-tert-ブチルシクロヘキシル)パ
ーオキシジカーボネート、tert-ブチルパーオキシ-2-エ
チルヘキサノエート、メチルエチルケトンパーオキシド
等の過酸化物系重合開始剤等が挙げられる。Examples of the radical polymerization initiator include azobisisobutyronitrile, 2,2′-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile), 2,2′-azobis (methyl 2-methylpropionate), 2 , 2'-azobis (2-methylbutyronitrile),
2,2'-azobis (2,4-dimethyl-4-methoxyvaleronitrile), azo-based polymerization initiators such as 4,4'-azobis (4-cyanopentanoic acid), for example, lauroyl peroxide, benzoyl peroxide, Examples include peroxide-based polymerization initiators such as bis (4-tert-butylcyclohexyl) peroxydicarbonate, tert-butylperoxy-2-ethylhexanoate, and methyl ethyl ketone peroxide.
【0169】反応溶媒としては、例えばベンゼン、トル
エン、キシレン等の炭化水素類、例えば酢酸メチル、酢
酸エチル、酢酸n-ブチル等のエステル類、例えばエチ
ルエーテル、1,2-ジメトキシエタン、テトラヒドロフラ
ン、1,4-ジオキサン、1,3-ジオキソラン等のエーテル
類、例えばエタノール、n-プロパノール、イソプロパノ
ール、n-ブタノール、sec-ブタノール、イソブタノー
ル、tert-ブタノール等のアルコール類、例えばメチル
エチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサ
ノン等のケトン類等の有機溶剤が挙げられる。Examples of the reaction solvent include hydrocarbons such as benzene, toluene, and xylene; esters such as methyl acetate, ethyl acetate and n-butyl acetate; for example, ethyl ether, 1,2-dimethoxyethane, tetrahydrofuran, and the like. , 4-dioxane, ethers such as 1,3-dioxolane, for example, ethanol, n-propanol, isopropanol, n-butanol, sec-butanol, isobutanol, alcohols such as tert-butanol, for example, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, Organic solvents such as ketones such as cyclohexanone.
【0170】また、重合反応を不活性ガス雰囲気下で行
う場合に用いられる、不活性ガスとしては、例えば窒素
ガス、アルゴンガス等が挙げられる。The inert gas used when the polymerization reaction is carried out in an inert gas atmosphere includes, for example, nitrogen gas, argon gas and the like.
【0171】(b)方法−2 本発明に係るモノマーと要すればその他のモノマーとを
適当な有機溶剤中、触媒量の有機金属触媒の存在下、要
すれば不活性ガス雰囲気下で、−78〜50℃で0.5〜48時
間常法に従って重合反応を行う。反応後は高分子取得法
の常法に従って後処理を行うことにより、目的の上記一
般式[1a]で示されるモノマー単位を構成単位として
含んで成るポリマーを得ることができる。(B) Method-2 The monomer of the present invention and, if necessary, other monomers are prepared in a suitable organic solvent in the presence of a catalytic amount of an organometallic catalyst, optionally in an inert gas atmosphere. The polymerization reaction is carried out at 78 to 50 ° C for 0.5 to 48 hours according to a conventional method. After the reaction, a post-treatment is carried out according to a conventional method for obtaining a polymer, whereby a polymer containing the desired monomer unit represented by the above general formula [1a] as a constituent unit can be obtained.
【0172】有機金属触媒としては、例えばn-ブチルリ
チウム,sec-ブチルリチウム,tert-ブチルリチウム,
ナフタレンナトリウム,ナフタレンカリウム,クミルカ
リウム等の有機アルカリ金属化合物、例えば[Pd(CH3CN)
4][BF4]2,[Pd(PhCN)4][BF4]2,[Pd(C(CH3)3CN)4][BF4]
2,[Pd(C5H5N)4][BF4]2,[Pd(CH3CN)4-n(PPh3)n][B
F4]2,[Pd(CH3CN)x(CO)y][BF4]2等の有機パラジウム化
合物等が挙げられる。Examples of the organometallic catalyst include n-butyllithium, sec-butyllithium, tert-butyllithium,
Organic alkali metal compounds such as naphthalene sodium, naphthalene potassium and cumyl potassium, for example, [Pd (CH 3 CN)
4 ] [BF 4 ] 2 , [Pd (PhCN) 4 ] [BF 4 ] 2 , [Pd (C (CH 3 ) 3 CN) 4 ] [BF 4 ]
2 , [Pd (C 5 H 5 N) 4 ] [BF 4 ] 2 , [Pd (CH 3 CN) 4-n (PPh 3 ) n ] [B
And organic palladium compounds such as [F 4 ] 2 and [Pd (CH 3 CN) x (CO) y ] [BF 4 ] 2 .
【0173】有機溶剤としては、例えばエチルエーテ
ル、1,2-ジメトキシエタン、テトラヒドロフラン、1,4-
ジオキサン、1,3-ジオキソラン等のエーテル類、例えば
メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、アセト
ン、シクロヘキサノン等のケトン類、例えば酢酸メチ
ル、酢酸エチル、酢酸n-ブチル等のエステル類、例え
ばベンゼン、トルエン、キシレン等の炭化水素類、例え
ばニトロメタン、ニトロエタン等のニトロ化合物類等が
挙げられ、これら有機溶剤は乾燥したものを用いること
が好ましい。As the organic solvent, for example, ethyl ether, 1,2-dimethoxyethane, tetrahydrofuran, 1,4-
Ethers such as dioxane and 1,3-dioxolane; for example, ketones such as methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, acetone and cyclohexanone; esters such as methyl acetate, ethyl acetate and n-butyl acetate; for example, benzene, toluene, xylene and the like Hydrocarbons, for example, nitro compounds such as nitromethane and nitroethane, and the like. These organic solvents are preferably used after drying.
【0174】また、重合反応を不活性ガス雰囲気下で行
う場合に用いられる、不活性ガスとしては、例えば窒素
ガス、アルゴンガス等が挙げられる。The inert gas used when the polymerization reaction is carried out in an inert gas atmosphere includes, for example, nitrogen gas, argon gas and the like.
【0175】本発明に係るモノマー及びその他のモノマ
ーの重合反応時の濃度は、方法−1及び方法−2何れの
場合も特に限定されないが、両者の合計が通常5〜95重
量%、好ましくは10〜90重量%の範囲となるよう適宜選
択される。The concentration of the monomer according to the present invention and the other monomers during the polymerization reaction is not particularly limited in any of the methods 1 and 2, but the total of both is usually 5 to 95% by weight, preferably 10 to 10% by weight. It is appropriately selected so as to be in the range of ~ 90% by weight.
【0176】本発明に係る、一般式[1a]で示される
モノマー単位を構成単位として含んで成るポリマーの分
子量としては、特に限定されないが、重量平均分子量と
して通常1,000〜300,000、好ましくは1,500〜50,000、
より好ましくは1,500〜30,000のものが挙げられる。ま
た、該ポリマーの重合度(n)としては、特に限定され
ないが、通常4〜2000、好ましくは8〜500、より好ま
しくは10〜300である。The molecular weight of the polymer according to the present invention comprising the monomer unit represented by the general formula [1a] as a constituent unit is not particularly limited, but is usually 1,000 to 300,000, preferably 1,500 to 50,000 as a weight average molecular weight. ,
More preferably, a thing of 1,500-30,000 is mentioned. The degree of polymerization (n) of the polymer is not particularly limited, but is usually 4 to 2,000, preferably 8 to 500, and more preferably 10 to 300.
【0177】本発明に係るモノマーとその他のモノマー
とを重合反応させることにより得られるコポリマーに於
ける、本発明に係るモノマー由来のモノマー単位の構成
率としては、特に限定されるものではないが、通常99〜
10重量%、好ましくは95〜20重量%の範囲から適宜選択
される。The proportion of the monomer unit derived from the monomer according to the present invention in the copolymer obtained by polymerizing the monomer according to the present invention with another monomer is not particularly limited. Usually 99 ~
It is appropriately selected from the range of 10% by weight, preferably 95 to 20% by weight.
【0178】また、その他のモノマー由来のモノマー単
位の構成率としては、通常1〜90重量%、好ましくは5
〜80重量%の範囲から適宜選択される。The proportion of the monomer units derived from other monomers is usually 1 to 90% by weight, preferably 5 to 90% by weight.
It is appropriately selected from the range of ~ 80% by weight.
【0179】このようにして得られた本発明に係るポリ
マーは、分子内に例えば上記一般式[5]又は[6]で
示される、保護された水酸基を1又は2個有する置換ア
ルキル基又は置換アルケニル基を有することが特徴であ
る。The polymer according to the present invention thus obtained is a substituted alkyl group or a substituted alkyl group having one or two protected hydroxyl groups represented by the above-mentioned general formula [5] or [6]. It is characterized by having an alkenyl group.
【0180】本発明に係るポリマーを本発明のレジスト
材料として用いることにより、該ポリマー中の上記一般
式[5]又は[6]で示される、保護された水酸基を1
又は2個有する置換アルキル基又は置換アルケニル基の
保護基が露光により発生した酸の作用により外れて(脱
保護して)生ずる水酸基が、従来用いられているノボラ
ック樹脂やフェノール樹脂の可溶性基であるフェノール
性水酸基と同等のpKa(12〜13)を有する基となるの
で、前記基を本発明に係るポリマーに導入することによ
り、露光後の現像処理に於いて既存のアルカリ現像液で
ある2.38%TMAH水溶液が使用可能になり、アルカリ
現像時における溶解速度の制御が容易となり、且つ溶解
特性の優れたレジスト材料を提供することが可能となっ
た、という点に顕著な効果を奏するものである。従っ
て、前記本発明に係るポリマーと、露光により酸を発生
する感光性化合物と、これ等を溶解可能な溶剤とを含ん
で成るレジスト組成物は次世代露光技術として有力なA
rFエキシマレーザ用レジスト材料として極めて有効に
使用し得る。By using the polymer according to the present invention as the resist material of the present invention, the protected hydroxyl group represented by the above general formula [5] or [6] in the polymer can be replaced with one.
Alternatively, a hydroxyl group formed by removing (deprotecting) a protective group of a substituted alkyl group or substituted alkenyl group having two by the action of an acid generated by exposure is a soluble group of a conventionally used novolak resin or phenol resin. Since it becomes a group having the same pKa (12 to 13) as the phenolic hydroxyl group, by introducing the group into the polymer according to the present invention, it is possible to use 2.38% of the existing alkali developing solution in the development processing after exposure. This has a remarkable effect in that a TMAH aqueous solution can be used, the dissolution rate can be easily controlled during alkali development, and a resist material having excellent dissolution characteristics can be provided. Therefore, a resist composition comprising the polymer according to the present invention, a photosensitive compound capable of generating an acid upon exposure, and a solvent capable of dissolving the same is useful as a next-generation exposure technology.
It can be used very effectively as a resist material for rF excimer laser.
【0181】本発明のレジスト組成物に於いて、露光に
より酸を発生する感光性化合物(以下、酸発生剤と略記
する。)としては、文字通り露光により酸を発生する感
光性化合物でレジストパターン形成に悪影響を及ぼさな
いものであれば何れにても良いが、特に193nm付近の光
透過性が良好でレジスト組成物の高透明性を維持出来る
か、又は露光により193nm付近の光透過性が高められレ
ジスト組成物の高透明性を維持出来る酸発生剤がより好
ましく挙げられる。この様な本発明に於いて特に好まし
い酸発生剤としては、例えばトリメチルスルホニウム・
トリフルオロメタンスルホネート、トリフェニルスルホ
ニウム・トリフルオロメタンスルホネート、シクロヘキ
シルメチル(2-オキソシクロヘキシル)スルホニウム・ト
リフルオロメタンスルホネート、シクロペンチルメチル
(2-オキソシクロヘキシル)スルホニウム・トリフルオロ
メタンスルホネート、2-オキソシクロヘキシルメチル(2
-ノルボルニル)スルホニウム・トリフルオロメタンスル
ホネート等のスルホニウム塩類、トリフルオロメチルス
ルホニルオキシ-7-オキサビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エ
ン-2,3-ジカルボキシイミド、トリフルオロメチルスル
ホニルオキシビシクロ[2.2.2]ヘプト-5-エン-2,3-カル
ボキシイミド、トリフルオロメチルスルホニルオキシス
クシンイミド等のカルボン酸イミド化合物類、1-シクロ
ヘキシルスルホニル-1-(1,1-ジメチルエチルスルホニ
ル)ジアゾメタン、ビス(1,1-ジメチルエチルスルホニ
ル)ジアゾメタン、ビス(1-メチルエチルスルホニル)ジ
アゾメタン、ビス(シクロヘキシルスルホニル)ジアゾメ
タン、ビス(イソプロピルスルホニル)ジアゾメタン、ビ
ス(tert-ブチルスルホニルジアゾメタン、tert-ブチル
スルホニルメチルスルホニルジアゾメタン、シクロヘキ
シルスルホニルエチルスルホニルジアゾメタン等のジア
ゾジスルホン化合物類等が挙げられる。尚、上記酸発生
剤は、市販品を用いても或いは常法により適宜合成した
ものを用いてもよい。In the resist composition of the present invention, the photosensitive compound that generates an acid upon exposure (hereinafter, abbreviated as an acid generator) is a photosensitive compound that generates an acid upon exposure. Any one may be used as long as it does not adversely affect the light transmittance, particularly, the light transmittance near 193 nm is good and the high transparency of the resist composition can be maintained, or the light transmittance near 193 nm is increased by exposure. Acid generators that can maintain high transparency of the resist composition are more preferred. Particularly preferred acid generators in the present invention include, for example, trimethylsulfonium.
Trifluoromethanesulfonate, triphenylsulfonium ・ trifluoromethanesulfonate, cyclohexylmethyl (2-oxocyclohexyl) sulfonium ・ trifluoromethanesulfonate, cyclopentylmethyl
(2-oxocyclohexyl) sulfonium trifluoromethanesulfonate, 2-oxocyclohexylmethyl (2
-Norbornyl) sulfonium salts such as sulfonium / trifluoromethanesulfonate, trifluoromethylsulfonyloxy-7-oxabicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboximide, trifluoromethylsulfonyloxybicyclo [2.2 .2] Carboximide compounds such as hept-5-ene-2,3-carboximide, trifluoromethylsulfonyloxysuccinimide, 1-cyclohexylsulfonyl-1- (1,1-dimethylethylsulfonyl) diazomethane, bis ( 1,1-dimethylethylsulfonyl) diazomethane, bis (1-methylethylsulfonyl) diazomethane, bis (cyclohexylsulfonyl) diazomethane, bis (isopropylsulfonyl) diazomethane, bis (tert-butylsulfonyldiazomethane, tert-butylsulfonylmethylsulfonyldiazomethane, Cyclohe Diazodisulfone compounds such sill sulfonyl ethylsulfonyl diazomethane. Incidentally, the acid generator may be used those appropriately synthesized by even or a conventional method using a commercially available product.
【0182】本発明で用いられる溶剤としては、本発明
に係るポリマーと酸発生剤とを溶解可能なものであれば
何れにても良いが、通常は成膜性が良好で、且つ190〜4
00nm付近に吸収を有しないものがより好ましく用いられ
る。具体的にはメチルセロソルブアセテート、エチルセ
ロソルブアセテート、プロピレングリコールモノメチル
エーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチル
エーテルアセテート、乳酸メチル、乳酸エチル、酢酸2-
エトキシエチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチ
ル、3-メトキシプロピオン酸メチル、3-メトキシプロピ
オン酸エチル、N,N-ジメチルホルムアミド、N,N-ジメチ
ルアセトアミド、N-メチル-2-ピロリドン、シクロヘキ
サノン、メチルエチルケトン、2-ヘプタノン、1,4-ジオ
キサン、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジ
エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコ
ールモノイソプロピルエーテル等が挙げられる。The solvent used in the present invention may be any solvent as long as it can dissolve the polymer according to the present invention and the acid generator.
Those having no absorption around 00 nm are more preferably used. Specifically, methyl cellosolve acetate, ethyl cellosolve acetate, propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monoethyl ether acetate, methyl lactate, ethyl lactate, acetic acid 2-
Ethoxyethyl, methyl pyruvate, ethyl pyruvate, methyl 3-methoxypropionate, ethyl 3-methoxypropionate, N, N-dimethylformamide, N, N-dimethylacetamide, N-methyl-2-pyrrolidone, cyclohexanone, methyl ethyl ketone , 2-heptanone, 1,4-dioxane, diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol dimethyl ether, ethylene glycol monoisopropyl ether, and the like.
【0183】本発明のレジスト組成物は、通常前記の3
成分(本発明に係るポリマー、酸発生剤及び溶剤)を主
たる構成成分とするが、必要に応じて紫外線吸収剤[例
えば9-ジアゾフルオレン及びその誘導体、1-ジアゾ-2-
テトラロン、2-ジアゾ-1-テトラロン、9-ジアゾ-10-フ
ェナントロン、ベンゾフェノン、9-(2-メトキシエトキ
シ)メチルアントラセン、9-(2-エトキシエトキシ)メチ
ルアントラセン、9-(4-メトキシブトキシ)メチルアント
ラセン、酢酸9-アントラセンメチル、ベンゾフェノン等
が挙げられる。]等を添加してもよい。The resist composition of the present invention generally comprises the aforementioned 3
The components (the polymer, the acid generator and the solvent according to the present invention) are the main constituent components, and if necessary, an ultraviolet absorber [eg, 9-diazofluorene and its derivative, 1-diazo-2-
Tetralone, 2-diazo-1-tetralone, 9-diazo-10-phenanthrone, benzophenone, 9- (2-methoxyethoxy) methylanthracene, 9- (2-ethoxyethoxy) methylanthracene, 9- (4-methoxybutoxy) Methylanthracene, 9-anthracenemethyl acetate, benzophenone and the like can be mentioned. ] May be added.
【0184】更にまた、通常この分野で使用される感度
調整剤[例えば、ポリビニルピリジン、ポリ(ビニルピ
リジン/メタクリル酸メチル)、ピリジン、ピペリジ
ン、トリエチルアミン、トリ-n-プロピルアミン、トリ-
n-ブチルアミン、トリオクチルアミン、トリベンジルア
ミン、ジシクロヘキシルアミン、ジシクロヘキシルメチ
ルアミン、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テ
トラエチルアンモニウムヒドロキシド、テトラ-n-ブチ
ルアンモニウムヒドロキシド、N-メチル-2-ピロリドン
等が挙げられる。]、可塑剤[例えば、フタル酸ジエチ
ル、フタル酸ジブチル、フタル酸ジプロピル等が挙げら
れる。]、有機酸[例えば、サリチル酸、乳酸、2-ヒド
ロキシナフタレン-3-カルボン酸、2-ニトロ安息香酸、
フタル酸、コハク酸、マロン酸等が挙げられる。]、及
び界面活性剤[例えば、市販の各種ノニオン系界面活性
剤、カチオン系界面活性剤、アニオン系界面活性剤や各
種フッ素系界面活性剤{例えば、フロラード(住友3M
(株)商品名)、エフトップ(トーケムプロダクツ(株)商
品名)、サーフロン(旭硝子(株)商品名)、フタージェ
ント(ネオス(株)商品名)、メガファック(大日本イン
キ(株)商品名)、ユニダイン(ダイキン工業(株)商品
名)等の商品名で市販されている。}等が挙げられ
る。]等を適宜1種以上これ等に添加してもよい。Furthermore, sensitivity modifiers usually used in this field [for example, polyvinyl pyridine, poly (vinyl pyridine / methyl methacrylate), pyridine, piperidine, triethylamine, tri-n-propylamine, tri-
n-butylamine, trioctylamine, tribenzylamine, dicyclohexylamine, dicyclohexylmethylamine, tetramethylammonium hydroxide, tetraethylammonium hydroxide, tetra-n-butylammonium hydroxide, N-methyl-2-pyrrolidone, and the like. . And a plasticizer [for example, diethyl phthalate, dibutyl phthalate, dipropyl phthalate and the like]. ], Organic acids [for example, salicylic acid, lactic acid, 2-hydroxynaphthalene-3-carboxylic acid, 2-nitrobenzoic acid,
Examples include phthalic acid, succinic acid, and malonic acid. ], And surfactants [for example, various commercially available nonionic surfactants, cationic surfactants, anionic surfactants and various fluorine-based surfactants} such as Florard (Sumitomo 3M)
(Trade name), F-Top (trade name of Tochem Products Co., Ltd.), Surflon (trade name of Asahi Glass Co., Ltd.), Fantagent (trade name of Neos Co., Ltd.), Mega Fac (Dainippon Ink Co., Ltd.) (Trade name), Unidyne (trade name of Daikin Industries, Ltd.) and the like. And the like. ] May be appropriately added to these.
【0185】本発明のレジスト組成物を用いてパターン
形成を行うには、例えば以下の如くして行えば良い。即
ち、本発明のレジスト組成物を、例えばシリコンウェハ
ー等の半導体基板上に厚みが0.3〜2.0μm程度となるよ
うに塗布(3層の上層として用いる場合には0.1〜0.5μ
m程度)し、これをオーブン中、70〜130℃で10〜30分
間、若しくはホットプレート上、60〜150℃、好ましく
は60〜110℃で60〜180秒間プリベークする。次いで、目
的のパターンを形成するためのマスクを上記の如くして
得たレジスト膜上にかざし、例えば220nm以下の遠紫外
光を露光量1〜100mJ/cm2程度となるように照射した
後、ホットプレート上で60〜150℃、好ましくは60〜110
℃で60〜180秒間ベークする。更に、0.1〜5%テトラメ
チルアンモニウムヒドロキシド(TMAH)水溶液等の現像
液を用い、0.5〜3分程度、浸漬(dip)法、パドル(pu
ddle)法、スプレー(spray)法等の常法により現像す
ることにより、基板上に目的のパターンを形成すること
ができる。A pattern can be formed using the resist composition of the present invention, for example, as follows. That is, the resist composition of the present invention is applied on a semiconductor substrate such as a silicon wafer so as to have a thickness of about 0.3 to 2.0 μm (0.1 to 0.5 μm when used as an upper layer of three layers).
m) in an oven at 70-130 ° C. for 10-30 minutes, or on a hot plate at 60-150 ° C., preferably 60-110 ° C. for 60-180 seconds. Next, a mask for forming a desired pattern is held over the resist film obtained as described above, and, for example, far ultraviolet light of 220 nm or less is irradiated so as to have an exposure amount of about 1 to 100 mJ / cm 2 , 60-150 ° C on a hot plate, preferably 60-110
Bake at 60 ° C for 60-180 seconds. Further, using a developing solution such as a 0.1-5% aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide (TMAH), a dipping method (dip) for about 0.5-3 minutes, and a paddle (pud).
A target pattern can be formed on the substrate by performing development using a conventional method such as a ddle) method or a spray method.
【0186】本発明に係るポリマーと酸発生剤とのレジ
スト組成物に於ける混合比としては、ポリマー100重量
部に対して酸発生剤は1〜30重量部、好ましくは1〜20
重量部が挙げられる。また、本発明のレジスト組成物中
の溶剤の量としては、本発明に係るポリマーと酸発生剤
とを溶解した結果得られるポジ型レジスト材料を基板上
に塗布する際に支障をきたさない量であれば特に限定さ
れるものではないが、ポリマー1重量に対して通常1〜
20重量、好ましくは1.5〜10重量の範囲が挙げられる。The mixing ratio of the polymer to the acid generator according to the present invention in the resist composition is 1 to 30 parts by weight, preferably 1 to 20 parts by weight, per 100 parts by weight of the polymer.
Parts by weight. Further, the amount of the solvent in the resist composition of the present invention is an amount that does not hinder the application of a positive resist material obtained as a result of dissolving the polymer and the acid generator according to the present invention on a substrate. If so, it is not particularly limited, but usually 1 to 1 weight of the polymer.
20 weight, preferably in the range of 1.5 to 10 weight.
【0187】上記した如き各種パターン形成法に於いて
用いられる現像液としては、レジスト材料の溶解性に応
じて、露光部と未露光部との溶解度差を大きくさせ得る
様な適当な濃度のアルカリ水溶液を選択すれば良く、通
常0.01〜20%の範囲から適宜選択される。更に、使用す
るアルカリ水溶液としては、例えばテトラメチルアンモ
ニウムヒドロキシド(TMAH)、テトラエチルアンモニウ
ムヒドロキシド、テトラプロピルアンモニウムヒドロキ
シド、テトラブチルアンモニウムヒドロキシド、コリ
ン、トリエタノールアミン、モルホリン、1-メチルモル
ホリン等の有機アミン類、例えば水酸化ナトリウム、水
酸化カリウム等の無機アルカリ化合物類等を含む水溶液
が挙げられる。The developing solution used in the above-mentioned various pattern forming methods may be an alkali having a suitable concentration such that the difference in solubility between exposed and unexposed portions can be increased in accordance with the solubility of the resist material. An aqueous solution may be selected, and is usually appropriately selected from the range of 0.01 to 20%. Further, examples of the alkaline aqueous solution to be used include tetramethylammonium hydroxide (TMAH), tetraethylammonium hydroxide, tetrapropylammonium hydroxide, tetrabutylammonium hydroxide, choline, triethanolamine, morpholine and 1-methylmorpholine. An aqueous solution containing an organic amine, for example, an inorganic alkali compound such as sodium hydroxide or potassium hydroxide, or the like can be given.
【0188】また、半導体基板としては、例えばシリコ
ンウェハー,ポリシリコン,TiN基板,BPSG基板
等が挙げられる。尚、これら半導体基板は、ヘキサメチ
ルジシラザン(HMDS)等の基板処理剤で処理してお
くことが好ましい。The semiconductor substrate includes, for example, a silicon wafer, polysilicon, a TiN substrate, a BPSG substrate and the like. It is preferable that these semiconductor substrates are treated with a substrate treating agent such as hexamethyldisilazane (HMDS).
【0189】本発明に係るポリマーは、例えば上記した
如き一般式[5]又は[6]で示される、保護された水
酸基を1又は2個有する置換アルキル基又は置換アルケ
ニル基を有する一般式[1a]で示されるモノマー単位
を構成単位として含んで成ることに起因して、これをレ
ジスト材料として用いた場合、従来の同種目的で使用さ
れるポリマーに比して、pKaを適宜選択設定すること
ができるため、アルカリ現像時の溶解速度の制御が可能
となり、そのため良好なレジストパターンが得られるた
め、より集積度の高い半導体集積回路等の半導体装置の
製造が可能である、という点に顕著な効果を奏するもの
である。The polymer according to the present invention can be prepared by, for example, a compound represented by the general formula [1a] having a substituted alkyl group or a substituted alkenyl group having one or two protected hydroxyl groups represented by the general formula [5] or [6]. In the case where this is used as a resist material, the pKa can be appropriately selected and set as compared with a conventional polymer used for the same kind of purpose, since the monomer unit represented by the formula (1) is included as a constituent unit. This makes it possible to control the dissolution rate during alkali development, and thus a good resist pattern can be obtained, so that a semiconductor device such as a semiconductor integrated circuit with a higher degree of integration can be manufactured. Is played.
【0190】本発明のレジスト組成物は、遠紫外光、K
rFエキシマレーザ光及び電子線や軟X線照射でも酸が
発生し、化学増幅作用される事が確認されている。従っ
て、本発明のレジスト組成物は化学増幅作用を利用して
低露光量の遠紫外光、KrFエキシマレーザ光及び電子
線或いは軟X線照射法によってもパターン形成可能なレ
ジスト材料である。The resist composition of the present invention can be prepared using a deep ultraviolet light,
It has been confirmed that an acid is also generated by rF excimer laser light and irradiation with an electron beam or soft X-ray, and a chemical amplification action is caused. Therefore, the resist composition of the present invention is a resist material capable of forming a pattern even by low-exposure deep ultraviolet light, KrF excimer laser light, and electron beam or soft X-ray irradiation utilizing chemical amplification.
【0191】本発明のレジスト材料について具体例で説
明すると、220nm以下の波長の遠紫外線光、例えばAr
Fエキシマレーザ光(λ=193nm)等で露光された部位
は、例えば下記[式1],[式2],又は[式3]で示
される光反応に従って酸が発生する。The resist material of the present invention will be described in more detail with reference to a specific example.
An acid is generated in a portion exposed to F excimer laser light (λ = 193 nm) according to, for example, a photoreaction represented by the following [Equation 1], [Equation 2], or [Equation 3].
【0192】[0192]
【式1】 (Equation 1)
【0193】[0193]
【式2】 (Equation 2)
【0194】[0194]
【式3】 (Equation 3)
【0195】露光工程に続いて加熱処理すると下記[式
4]又は[式5]の反応に従って本発明に係るポリマー
の特定の官能基が酸により脱保護し、アルカリ可溶性と
なって現像の際、現像液に溶出してくる。When a heat treatment is carried out following the exposure step, a specific functional group of the polymer according to the present invention is deprotected by an acid according to the reaction of the following [Formula 4] or [Formula 5], becomes alkali-soluble, and becomes It elutes in the developer.
【0196】[0196]
【式4】 (Equation 4)
【0197】[0197]
【式5】 (Equation 5)
【0198】他方、未露光部は酸が発生しない為、加熱
処理しても化学変化は起こらない。このように本発明に
係るポリマーを含んで成るレジスト組成物を用いてパタ
ーン形成を行った場合には、露光部と未露光部との間で
アルカリ現像液に対して溶解度差を生じ、その結果、良
好なコントラストを有したポジ型のパターンが形成され
る。On the other hand, since no acid is generated in the unexposed portion, no chemical change occurs even when the heat treatment is performed. As described above, when a pattern is formed using the resist composition containing the polymer according to the present invention, a solubility difference occurs in an alkali developing solution between an exposed portion and an unexposed portion, and as a result, Thus, a positive pattern having good contrast is formed.
【0199】以下に実施例及び参考例を挙げて本発明を
更に詳細に説明するが、本発明はこれ等により何等制約
を受けるものではない。尚、実施例で使用される酸発生
剤については、例えば特開平7-25846号公報,T.M.Chapm
an等;Synthesis,1971,591、T.M.Chapman等;J.Org,Che
m.,38,3908(1973).等に記載の方法で合成した。Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to Examples and Reference Examples, but the present invention is not limited by these. The acid generator used in the examples is described in, for example, JP-A-7-25846, TMChapm
an et al .; Synthesis, 1971, 591, TMChapman et al .; J. Org, Che
m., 38 , 3908 (1973).
【0200】[0200]
【実施例】参考例1. 5-ノルボルネン-2-メチル アセ
トアセテートの合成 5-ノルボルネン-2-メタノール(endo-exo混合物) 100.
30g(807.7mmol)をトルエン 800mlに溶解し、これにト
リエチルアミン 0.82g(8.1mmol)を注入し、ジケテン 6
7.9g(807.7mmol)を30℃で15分かけて滴下した後、同温
で4時間攪拌反応させた。一夜放置後、反応液を1N-
H2SO4 260ml、水 260mlで4回順次洗浄し、無水硫酸
マグネシウムで乾燥した。溶媒留去後、ヴィグリュー精
留管で減圧蒸留して、目的とする微黄色油状の5-ノルボ
ルネン-2-メチル アセトアセテート 118.4g(収率 70
%)を得た。 1H-NMR δppm(CDCl3,270MHz):0.56,1.17(m,1
H),1.26(d,1H),1.44(d,1H),1.72-1.89(m,1
H),2.28(s,3H),2.40(m,1H),2.83(s,1H),2.8
8(s,1H),3.47(s,2H),3.74,4.05(dd,1H),3.92,
4.22(dd,1H),5.00(s,0.1H,エノール化2重結合 10
%分),5.93-6.18(m,2H),12.11(s,0.1H,エノール
化OH 10%分)。EXAMPLES Reference Example 1 FIG. Synthesis of 5-norbornene-2-methyl acetoacetate 5-norbornene-2-methanol (endo-exo mixture) 100.
30 g (807.7 mmol) was dissolved in 800 ml of toluene, and 0.82 g (8.1 mmol) of triethylamine was added thereto.
After 7.9 g (807.7 mmol) was added dropwise at 30 ° C. over 15 minutes, the mixture was stirred and reacted at the same temperature for 4 hours. After standing overnight, the reaction solution is 1N-
The mixture was washed four times with 260 ml of H 2 SO 4 and 260 ml of water, and dried over anhydrous magnesium sulfate. After distilling off the solvent, the residue was distilled under reduced pressure through a Vigreux rectification tube to obtain 118.4 g of the desired slightly yellow oily 5-norbornene-2-methyl acetoacetate (yield: 70%).
%). 1H-NMR δ ppm (CDCl 3 , 270 MHz): 0.56, 1.17 (m, 1
H), 1.26 (d, 1H), 1.44 (d, 1H), 1.72-1.89 (m, 1
H), 2.28 (s, 3H), 2.40 (m, 1H), 2.83 (s, 1H), 2.8
8 (s, 1H), 3.47 (s, 2H), 3.74, 4.05 (dd, 1H), 3.92,
4.22 (dd, 1H), 5.00 (s, 0.1H, enolized double bond 10
%), 5.93-6.18 (m, 2H), 12.11 (s, 0.1H, 10% of enolized OH).
【0201】参考例2. 5-ノルボルネン-2-メチル 3-
メトキシ-2-ブテノエートの合成 参考例1で得られた5-ノルボルネン-2-メチル アセトア
セテート 30g(144.1mmol)をオルトギ酸メチル 47ml(43
2.2mmol)に溶解し、これにカンファースルホン酸 1.67
g(7.20mmol)を投入した後、室温で3.5時間攪拌反応さ
せた。一夜放置後、反応液をトルエン 120mlで希釈し、
飽和重曹水 60ml×2、水 60ml、飽和食塩水 60mlで順
次洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒留去
後、得られた粗生成物を減圧蒸留して、目的とする微黄
色オイルの5-ノルボルネン-2-メチル 3-メトキシ-2-ブ
テノエート 30.33g(収率 94%)を得た。 沸点:134-137℃/4mmHg。 1H-NMR δppm(CDCl3,270MHz):0.58,1.17(m,1
H),1.26(d,1H),1.45(d,1H),1.80-1.90(m,1
H),2.29(s,3H),2.38-2.43(m,1H),2.82(s,1
H),2.90(s,1H),3.64(s,3H),3.66,4.00(dd,1
H),3.86,4.14(dd,1H),5.03(s,1H),5.95-6.17
(m,2H)。Reference Example 2 5-norbornene-2-methyl 3-
Synthesis of methoxy-2-butenoate 30 g (144.1 mmol) of 5-norbornene-2-methyl acetoacetate obtained in Reference Example 1 was mixed with 47 ml of methyl orthoformate (43 ml).
2.2 mmol) and added thereto camphorsulfonic acid 1.67
After charging g (7.20 mmol), the mixture was stirred and reacted at room temperature for 3.5 hours. After standing overnight, dilute the reaction solution with 120 ml of toluene,
The extract was washed successively with 60 ml of saturated aqueous sodium bicarbonate, 60 ml of water and 60 ml of saturated saline, and dried over anhydrous magnesium sulfate. After distilling off the solvent, the obtained crude product was distilled under reduced pressure to obtain 30.33 g (yield 94%) of 5-norbornene-2-methyl 3-methoxy-2-butenoate as an objective slightly yellow oil. Boiling point: 134-137 ° C / 4mmHg. 1H-NMR δ ppm (CDCl 3 , 270 MHz): 0.58, 1.17 (m, 1
H), 1.26 (d, 1H), 1.45 (d, 1H), 1.80-1.90 (m, 1
H), 2.29 (s, 3H), 2.38-2.43 (m, 1H), 2.82 (s, 1
H), 2.90 (s, 1H), 3.64 (s, 3H), 3.66, 4.00 (dd, 1
H), 3.86, 4.14 (dd, 1H), 5.03 (s, 1H), 5.95-6.17
(M, 2H).
【0202】参考例3. 5-ノルボルネン-2-メチル 3
-エトキシ-2-ブテノエートの合成 参考例1で得られた5-ノルボルネン-2-メチル アセトア
セテート 62.48g(300mmol)をオルトギ酸エチル 150ml
(900mmol)に溶解し、これにカンファースルホン酸 3.48
g(15mmol)を投入して、室温で3.5時間攪拌反応させ
た。一夜放置後、反応液をトルエン 240mlで希釈し、飽
和重曹水 120ml×2、水 120ml、飽和食塩水120mlで順
次洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒留去
後、得られた粗生成物を減圧蒸留して、目的とする微黄
色オイルの5-ノルボルネン-2-メチル3-エトキシ-2-ブテ
ノエート 33.56g(収率 47%)を得た。 沸点:128-132℃/4mmHg。 1H-NMR δppm(CDCl3,270MHz):0.57,1.18(m,1
H),1.27(d,1H),1.35(t,J=6.96,3H),1.45(d,1
H),1.80-1.90(m,1H),2.29(s,3H),2.36-2.43
(m,1H),2.82(s,1H),2.90(s,1H),3.83(q,J=6.
96,2H),3.51,3.98(dd,1H),3.65,4.13(dd,1H),
5.00(s,1H),5.94-6.17(m,2H)。Reference Example 3 5-norbornene-2-methyl 3
Synthesis of 5-ethoxy-2-butenoate 62-48 g (300 mmol) of 5-norbornene-2-methyl acetoacetate obtained in Reference Example 1 was mixed with 150 ml of ethyl orthoformate.
(900 mmol), and added thereto camphorsulfonic acid 3.48.
g (15 mmol) was added thereto, and the mixture was stirred and reacted at room temperature for 3.5 hours. After standing overnight, the reaction solution was diluted with 240 ml of toluene, washed successively with 120 ml of saturated aqueous sodium hydrogen carbonate, 120 ml of water and 120 ml of saturated saline, and dried over anhydrous magnesium sulfate. After evaporating the solvent, the obtained crude product was distilled under reduced pressure to obtain 33.56 g (yield: 47%) of 5-norbornene-2-methyl-3-ethoxy-2-butenoate as a desired slightly yellow oil. Boiling point: 128-132 ° C / 4mmHg. 1H-NMR δ ppm (CDCl 3 , 270 MHz): 0.57, 1.18 (m, 1
H), 1.27 (d, 1H), 1.35 (t, J = 6.96, 3H), 1.45 (d, 1
H), 1.80-1.90 (m, 1H), 2.29 (s, 3H), 2.36-2.43
(M, 1H), 2.82 (s, 1H), 2.90 (s, 1H), 3.83 (q, J = 6.
96, 2H), 3.51, 3.98 (dd, 1H), 3.65, 4.13 (dd, 1H),
5.00 (s, 1H), 5.94 to 6.17 (m, 2H).
【0203】参考例4. 5-ノルボルネン-2-メチル 2,
2-(2',2'-ジメチルプロピレンジオキシ)ブタノエートの
合成 参考例1と同様の方法で得られた5-ノルボルネン-2-メ
チル アセトアセテート52.07g(250mmol)をトルエン 25
0mlに溶解し、これに2,2-ジメチル-1,3-プロパンジオー
ル 78.11g(750mmol)及びp-トルエンスルホン酸・1水
和物 0.48g(2.5mmol)を投入して、分水器で副生する水
分を除去しながら、4時間還流反応させた。反応終了
後、反応液を飽和重曹水 125ml、水 125ml、飽和食塩水
125mlで順次洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥し
た。溶媒留去後、得られた粗生成物を減圧蒸留して、目
的とする微黄色オイルの5-ノルボルネン-2-メチル 2,2-
(2',2'-ジメチルプロピレンジオキシ)ブタノエート 45.
86g(収率 62.3%)を得た。 沸点:141-147℃/3mmHg。 1H-NMR δppm(CDCl3,270MHz):0.52-0.59,1.12-
1.18(m,1H),0.94(s,3H),1.01(s,3H),1.25(d,
1H),1.45(d,1H),1.46(s,3H),1.79-1.88(m,1
H),2.38-2.43(m,1H),2.80(d,3H),2.89(s,1
H),3.48-4.13(m,6H),5.92-6.17(m,2H)。Reference Example 4 5-norbornene-2-methyl 2,
Synthesis of 2- (2 ', 2'-dimethylpropylenedioxy) butanoate 52.07 g (250 mmol) of 5-norbornene-2-methyl acetoacetate obtained in the same manner as in Reference Example 1 was dissolved in toluene 25
0 ml, and 78.11 g (750 mmol) of 2,2-dimethyl-1,3-propanediol and 0.48 g (2.5 mmol) of p-toluenesulfonic acid monohydrate were added thereto. The mixture was refluxed for 4 hours while removing by-produced water. After completion of the reaction, the reaction solution was washed with saturated aqueous sodium bicarbonate 125 ml, water 125 ml, and saturated saline.
The mixture was sequentially washed with 125 ml and dried over anhydrous magnesium sulfate. After distilling off the solvent, the obtained crude product was distilled under reduced pressure to obtain 5-norbornene-2-methyl 2,2-
(2 ', 2'-dimethylpropylenedioxy) butanoate45.
86 g (62.3% yield) was obtained. Boiling point: 141-147 ° C / 3mmHg. 1H-NMR δ ppm (CDCl 3 , 270 MHz): 0.52-0.59, 1.12
1.18 (m, 1H), 0.94 (s, 3H), 1.01 (s, 3H), 1.25 (d,
1H), 1.45 (d, 1H), 1.46 (s, 3H), 1.79-1.88 (m, 1
H), 2.38-2.43 (m, 1H), 2.80 (d, 3H), 2.89 (s, 1
H), 3.48-4.13 (m, 6H), 5.92-6.17 (m, 2H).
【0204】参考例5. 5-ノルボルネン-2-メチル 2,
2-(2'-ブチル-2'-エチルプロピレンジオキシ)ブタノエ
ートの合成 参考例1と同様の方法で得られた5-ノルボルネン-2-メ
チル アセトアセテート24.99g(120mmol)をトルエン 24
0mlに溶解し、これに2-ブチル-2-エチル-1,3-プロパン
ジオール 28.85g(180mmol)及びdl-カンファースルホン
酸 1.39g(6mmol)を投入して、分水器で副生する水分を
除去しながら、5時間還流反応させた。反応終了後、反
応液を飽和重曹水60ml、水60ml、飽和食塩水60mlで順次
洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒留去
後、得られた粗生成物をカラムクロマトグラフィ[充填
剤:ワコーゲルC-200(和光純薬工業(株)商品名);溶
離液:n-ヘキサン/酢酸エチル=4/1]により精製し
て、目的とする微黄色油状の5-ノルボルネン-2-メチル
2,2-(2'-ブチル-2'-エチルプロピレンジオキシ)ブタノ
エート 32.95g(収率 78.3%)を得た。 1H-NMR δppm(CDCl3,270MHz):0.53-0.60(m,1
H),0.77-0.84(m,3H),0.91(t,J=6.96,3H),1.11-
1.51(m,10H),1.54(s,3H),1.79-1.88(m,1H),2.
36-2.45(m,1H),2.81-2.78(m,3H),2.89(s,1H),
3.54-4.19(m,6H),5.92-6.17(m,2H)。Reference Example 5 5-norbornene-2-methyl 2,
Synthesis of 2- (2′-butyl-2′-ethylpropylenedioxy) butanoate 24.99 g (120 mmol) of 5-norbornene-2-methyl acetoacetate obtained in the same manner as in Reference Example 1 was dissolved in toluene 24
0 ml, and into this were added 28.85 g (180 mmol) of 2-butyl-2-ethyl-1,3-propanediol and 1.39 g (6 mmol) of dl-camphorsulfonic acid, and water produced as a by-product in a water separator was added. The mixture was subjected to a reflux reaction for 5 hours while removing. After completion of the reaction, the reaction solution was washed successively with 60 ml of saturated aqueous sodium hydrogen carbonate, 60 ml of water and 60 ml of saturated saline, and dried over anhydrous magnesium sulfate. After evaporating the solvent, the obtained crude product was purified by column chromatography [filler: Wakogel C-200 (trade name of Wako Pure Chemical Industries, Ltd.); eluent: n-hexane / ethyl acetate = 4/1] To obtain the desired slightly yellow oily 5-norbornene-2-methyl
32.95 g (78.3% yield) of 2,2- (2'-butyl-2'-ethylpropylenedioxy) butanoate was obtained. 1H-NMR δ ppm (CDCl 3 , 270 MHz): 0.53-0.60 (m, 1
H), 0.77-0.84 (m, 3H), 0.91 (t, J = 6.96, 3H), 1.11
1.51 (m, 10H), 1.54 (s, 3H), 1.79-1.88 (m, 1H), 2.
36-2.45 (m, 1H), 2.81-2.78 (m, 3H), 2.89 (s, 1H),
3.54-4.19 (m, 6H), 5.92-6.17 (m, 2H).
【0205】参考例6. 5-ノルボルネン-2-メタノール(endo-exo混合物) 0.40
g(3.2mmol)、無水マレイン酸 2.98g(30.4mmol)、参考
例2で得られた5-ノルボルネン-2-メチル 3-メトキシ-2
-ブテノエート 10.31g(46.4mmol)及び乾燥テトラヒド
ロフラン(THF) 44mlを混合し、これを65℃に加熱
した後、アゾビスイソブチロニトリル0.53g(3.2mmol)
を加えて、窒素気流中、同温度で16時間重合反応させ
た。反応終了後、反応液をn-ヘキサン 500ml中に注いで
ポリマーを析出させた。これを濾取し、乾燥して目的物
5.93g(収率 43%)を得た。得られたポリマーの5-ノ
ルボルネン-2-メタノール単位,無水マレイン酸単位及
び5-ノルボルネン-2-メチル3-メトキシ-2-ブテノエート
単位の構成比率は1H-NMR測定より約0.16:0.33:0.
50であった。また、ポリスチレンを標準としたGPC
(ゲルパーミュエーションクロマトグラフィ,溶媒:テ
トラヒドロフラン)測定から重量平均分子量(Mw)は20
00、分散度は1.50であった。Reference Example 6 5-norbornene-2-methanol (endo-exo mixture) 0.40
g (3.2 mmol), maleic anhydride 2.98 g (30.4 mmol), 5-norbornene-2-methyl 3-methoxy-2 obtained in Reference Example 2.
A mixture of 10.31 g (46.4 mmol) of -butenoate and 44 ml of dry tetrahydrofuran (THF) was heated to 65 ° C., and then 0.53 g (3.2 mmol) of azobisisobutyronitrile was mixed.
Was added, and a polymerization reaction was carried out at the same temperature in a nitrogen stream for 16 hours. After completion of the reaction, the reaction solution was poured into 500 ml of n-hexane to precipitate a polymer. This is collected by filtration, dried and dried.
5.93 g (43% yield) were obtained. The composition ratio of 5-norbornene-2-methanol unit, maleic anhydride unit and 5-norbornene-2-methyl-3-methoxy-2-butenoate unit in the obtained polymer was about 0.16: 0.33: 0.
It was 50. GPC using polystyrene as standard
(Gel permeation chromatography, solvent: tetrahydrofuran), the weight average molecular weight (Mw) was found to be 20.
00, the degree of dispersion was 1.50.
【0206】参考例7. 参考例5に於いて、5-ノルボルネン-2-メチル 3-メトキ
シ-2-ブテノエートの代わりに参考例3で得られた5-ノ
ルボルネン-2-メチル 3-エトキシ-2-ブテノエートを用
いた以外は参考例6と全く同様にして重合反応を行い、
目的物 5.75g(収率 40%)を得た。得られたポリマー
の5-ノルボルネン-2-メタノール単位,無水マレイン酸
単位及び5-ノルボルネン-2-メチル 3-エトキシ-2-ブテ
ノエート単位の構成比率は1H-NMR測定より約0.16:
0.33:0.50であった。また、ポリスチレンを標準とした
GPC(溶媒:テトラヒドロフラン)測定から重量平均
分子量(Mw)は2300、分散度は1.48であった。Reference Example 7 In Reference Example 5, except that 5-norbornene-2-methyl 3-ethoxy-2-butenoate obtained in Reference Example 3 was used instead of 5-norbornene-2-methyl 3-methoxy-2-butenoate. A polymerization reaction was carried out in exactly the same manner as in Reference Example 6,
5.75 g (yield 40%) of the desired product was obtained. The composition ratio of the 5-norbornene-2-methanol unit, maleic anhydride unit and 5-norbornene-2-methyl 3-ethoxy-2-butenoate unit in the obtained polymer was about 0.16 by 1H-NMR measurement.
0.33: 0.50. GPC (solvent: tetrahydrofuran) measurement using polystyrene as a standard revealed that the weight average molecular weight (Mw) was 2300 and the dispersity was 1.48.
【0207】参考例8. 参考例6に於いて、5-ノルボルネン-2-メチル 3-メトキ
シ-2-ブテノエートの代わりに参考例4で得られた5-ノ
ルボルネン-2-メチル 2,2-(2',2'-ジメチルプロピレン
ジオキシ)ブタノエートを用いた以外は参考例6と全く
同様にして重合反応を行い、目的物 6.48g(収率 38
%)を得た。得られたポリマーの5-ノルボルネン-2-メ
タノール単位,無水マレイン酸単位及び5-ノルボルネン
-2-メチル 2,2-(2',2'-ジメチルプロピレンジオキシ)ブ
タノエート単位の構成比率は1H-NMR測定より約0.1
6:0.33:0.50であった。また、ポリスチレンを標準と
したGPC(溶媒:テトラヒドロフラン)測定から重量
平均分子量(Mw)は2000、分散度は1.50であった。Reference Example 8 In Reference Example 6, 5-norbornene-2-methyl 2,2- (2 ', 2'-dimethyl obtained in Reference Example 4 was used instead of 5-norbornene-2-methyl 3-methoxy-2-butenoate. A polymerization reaction was carried out in exactly the same manner as in Reference Example 6 except that propylenedioxy) butanoate was used, to give 6.48 g of the desired product (yield 38
%). 5-norbornene-2-methanol unit, maleic anhydride unit and 5-norbornene of the polymer obtained
The composition ratio of -2-methyl 2,2- (2 ', 2'-dimethylpropylenedioxy) butanoate unit was about 0.1 from 1H-NMR measurement.
6: 0.33: 0.50. GPC (solvent: tetrahydrofuran) measurement using polystyrene as a standard revealed that the weight average molecular weight (Mw) was 2000 and the degree of dispersion was 1.50.
【0208】参考例9. 参考例6に於いて、5-ノルボルネン-2-メチル 3-メトキ
シ-2-ブテノエートの代わりに参考例5で得られた5-ノ
ルボルネン-2-メチル 2,2-(2'-ブチル-2'-エチルプロピ
レンジオキシ)ブタノエートを用いた以外は参考例6と
全く同様にして重合反応を行い、目的物 6.69g(収率
34%)を得た。得られたポリマーの5-ノルボルネン-2-
メタノール単位,無水マレイン酸単位及び5-ノルボルネ
ン-2-メチル 2,2-(2'-ブチル-2'-エチルプロピレンジオ
キシ)ブタノエート単位の構成比率は1H-NMR測定よ
り約0.16:0.33:0.50であった。また、ポリスチレンを
標準としたGPC(溶媒:テトラヒドロフラン)測定か
ら重量平均分子量(Mw)は2500、分散度は1.29であっ
た。Reference Example 9 In Reference Example 6, 5-norbornene-2-methyl 2,2- (2′-butyl-2 ′) obtained in Reference Example 5 was used instead of 5-norbornene-2-methyl 3-methoxy-2-butenoate. A polymerization reaction was carried out in exactly the same manner as in Reference Example 6 except that (-ethylpropylenedioxy) butanoate was used.
34%). The resulting polymer 5-norbornene-2-
The composition ratio of methanol unit, maleic anhydride unit and 5-norbornene-2-methyl 2,2- (2′-butyl-2′-ethylpropylenedioxy) butanoate unit was about 0.16: 0.33: 0.50 by 1 H-NMR measurement. Met. GPC (solvent: tetrahydrofuran) measurement using polystyrene as a standard revealed that the weight average molecular weight (Mw) was 2500 and the dispersity was 1.29.
【0209】参考例10. 窒素気流下、[Pd(CH3CN)4][BF4]2 0.09g(0.2mmol)を
ニトロメタン 15mlに懸濁し、この懸濁液に参考例1で
得られた5-ノルボルネン-2-メチル アセトアセテート1.
25g(6mmol)、参考例2で得られた5-ノルボルネン-2
-メチル 3-メトキシ-2-ブテノエート3.11g(14mmo
l)、及びニトロメタン5mlからなる溶液を室温で5分
間かけて滴下し、室温で16時間重合反応させた。反応終
了後、重合触媒をろ去し、得られた母液をジイソプロピ
ルエーテル(IPE)200ml中に注いでポリマーを析出
させた。これを濾取し、乾燥して目的物1.98g(収率45
%)を得た。得られたポリマーの5-ノルボルネン-2-メ
チル アセトアセテート単位、5-ノルボルネン-2-メチル
3-メトキシ-2-ブテノエート単位の構成比率は1H-N
MR測定より約0.30:0.70であった。また、ポリスチレ
ンを標準としたGPC(ゲルパーミュエーションクロマ
トグラフィ,溶媒:テトラヒドロフラン)測定から重量
平均分子量(Mw)は19200、分散度は2.27であった。Reference Example 10 Under a nitrogen stream, 0.09 g (0.2 mmol) of [Pd (CH 3 CN) 4 ] [BF 4 ] 2 was suspended in 15 ml of nitromethane, and the 5-norbornene-2-methyl obtained in Reference Example 1 was added to the suspension. Acetoacetate 1.
25 g (6 mmol) of 5-norbornene-2 obtained in Reference Example 2
-Methyl 3-methoxy-2-butenoate 3.11g (14mmo
l) and a solution comprising 5 ml of nitromethane were added dropwise at room temperature over 5 minutes, and a polymerization reaction was carried out at room temperature for 16 hours. After completion of the reaction, the polymerization catalyst was removed by filtration, and the obtained mother liquor was poured into 200 ml of diisopropyl ether (IPE) to precipitate a polymer. This was collected by filtration and dried to obtain 1.98 g of the desired product (yield 45
%). 5-norbornene-2-methyl acetoacetate unit of the resulting polymer, 5-norbornene-2-methyl
The composition ratio of 3-methoxy-2-butenoate units is 1H-N
It was about 0.30: 0.70 from MR measurement. GPC (gel permeation chromatography, solvent: tetrahydrofuran) measurement using polystyrene as a standard showed that the weight average molecular weight (Mw) was 19200 and the dispersity was 2.27.
【0210】実施例1. 下記の組成から成るレジスト組成物を調製した。 (a)参考例5で得られたポリマー 3.0g (b)酸発生剤 60mg (トリフェニルスルホニウム トリフルオロメタンスルホネート) (c)エチレングリコールジメチルエーテル 15.6gEmbodiment 1 A resist composition having the following composition was prepared. (A) 3.0 g of the polymer obtained in Reference Example 5 (b) Acid generator 60 mg (triphenylsulfonium trifluoromethanesulfonate) (c) 15.6 g of ethylene glycol dimethyl ether
【0211】上記組成から成るレジスト組成物を0.1μm
のテフロンフィルターで濾過し、得られた濾液をシリコ
ンウエハー上にスピンコートした後、140℃で60秒間ホ
ットプレート上でベーキングを行い、膜厚が0.4μmのレ
ジスト膜を得た。次いで、窒素で充分にパージされた投
影式露光実験機中に成膜したウエハーを静置し、パター
ンを描いたマスクを介してArFエキシマレーザ光(λ
=193nm;NA 0.55)を露光した。露光後90℃で60秒間ホ
ットプレート上で加熱し、現像液[2.38%TMAH水溶
液。液温23℃。]を用いてパドル法で60秒間、現像した
後、60秒間超純水でリンス処理を行い、0.17μm(露光
量約36mJ/cm2)のラインアンド スペースパターンが得
られた。The resist composition having the above composition was used in an amount of 0.1 μm
The resulting filtrate was spin-coated on a silicon wafer and baked on a hot plate at 140 ° C. for 60 seconds to obtain a resist film having a thickness of 0.4 μm. Next, the formed wafer is allowed to stand still in a projection exposure experiment machine sufficiently purged with nitrogen, and ArF excimer laser light (λ
= 193 nm; NA 0.55). After exposure, the film was heated on a hot plate at 90 ° C. for 60 seconds, and a developing solution [2.38% TMAH aqueous solution. Liquid temperature 23 ° C. , And then rinsed with ultrapure water for 60 seconds to obtain a 0.17 μm (exposure amount: about 36 mJ / cm 2 ) line and space pattern.
【0212】[0212]
【発明の効果】以上述べたように、本発明は、半導体素
子等の製造に於いて用いられる新規なレジスト組成物と
これを用いたパターン形成方法を提供するものであり、
本発明のレジスト組成物は、次世代露光技術として有力
なArFエキシマレーザ用レジスト材料として極めて有
効に使用し得る。従って本発明は、例えば半導体産業等
に於ける微細パターンの形成にとって大きな価値を有す
るものである。As described above, the present invention provides a novel resist composition used in the production of semiconductor devices and the like and a pattern forming method using the same.
The resist composition of the present invention can be used very effectively as a resist material for ArF excimer laser, which is a promising next-generation exposure technology. Therefore, the present invention has great value for forming fine patterns in the semiconductor industry, for example.
Claims (4)
基を表し、Zはスペーサー又は結合手を表し、Rは保護
された水酸基を1又は2個有する置換アルキル基又は置
換アルケニル基を表す。)で示されるモノマー単位を構
成単位として含んで成るポリマーと、露光により酸を発
生する感光性化合物と、これ等を溶解可能な溶剤とを含
んで成るレジスト組成物。1. A compound of the general formula [1a] (Wherein, X represents a polycyclic hydrocarbon group which may have a substituent, Z represents a spacer or a bond, and R represents a substituted alkyl group or a substituted alkyl group having one or two protected hydroxyl groups. A resist composition comprising a polymer comprising a monomer unit represented by an alkenyl group) as a constituent unit, a photosensitive compound capable of generating an acid upon exposure, and a solvent capable of dissolving the same.
る、保護された水酸基を1又は2個有する置換アルキル
基又はアルケニル基が一般式[5] 【化2】 (式中、R1びR2は夫々独立して、水素原子,アルキル
基,置換アルキル基又は脂肪族多環式炭化水素基を表
し、また、R1とR2とが結合し、夫々が隣接する炭素原
子と一緒になって脂肪族環を形成していても良く、R3
はアルキル基,アルケニル基,ヒドロキシアルキル基,
アルキルオキシカルボニル基又はアルキルシリル基を表
す。)又は一般式[6] 【化3】 (式中、R4はアルキル基を表し、R1,R2及びR3は前
記と同じ。また、R3とR4とが結合して置換基を有して
いても良いメチレン鎖又は置換基を有していても良い脂
肪族環を形成していても良い。)で示される基である、
請求項1に記載のレジスト組成物。2. A substituted alkyl or alkenyl group having one or two protected hydroxyl groups represented by R in the general formula [1a] is represented by the general formula [5]: (Wherein R 1 and R 2 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group, a substituted alkyl group or an aliphatic polycyclic hydrocarbon group, and R 1 and R 2 are bonded to each other; R 3 may be an aliphatic ring together with an adjacent carbon atom.
Represents an alkyl group, an alkenyl group, a hydroxyalkyl group,
Represents an alkyloxycarbonyl group or an alkylsilyl group. ) Or the general formula [6] (In the formula, R 4 represents an alkyl group, R 1 , R 2 and R 3 are the same as those described above. Further, a methylene chain or a substituted or unsubstituted methylene chain may be bonded to R 3 and R 4 . May form an aliphatic ring which may have a group).
The resist composition according to claim 1.
る、置換基を有していても良い多環式炭化水素基が一般
式[2a] 【化4】 (式中、R16及びR17は夫々独立して、水素原子,アル
キル基,シアノ基,アルキルオキシカルボニル基又はカ
ルバモイル基を表し、kは0又は1を表す。)で示され
る基、一般式[3a] 【化5】 (式中、R18及びR19は夫々独立して、水素原子,アル
キル基,シアノ基,アルキルオキシカルボニル基又はカ
ルバモイル基を表す。)で示される基、又は一般式[4
a] 【化6】 で示される基である、請求項1又は2に記載のレジスト
組成物。3. The polycyclic hydrocarbon group represented by X in the general formula [1a], which may have a substituent, is represented by the general formula [2a]: (Wherein, R 16 and R 17 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group, a cyano group, an alkyloxycarbonyl group or a carbamoyl group, and k represents 0 or 1), and a general formula: [3a] embedded image (Wherein, R 18 and R 19 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group, a cyano group, an alkyloxycarbonyl group or a carbamoyl group), or a general formula [4
a] embedded image The resist composition according to claim 1, which is a group represented by the formula:
組成物を(1)基板上に塗布する工程と、(2)加熱処
理の後、マスクを介して220nm以下の光で露光する工程
と、(3)必要に応じて加熱処理した後、現像液を用い
て現像する工程、とを含んで成るパターン形成方法。4. Exposing the resist composition according to claim 1 to a substrate, and (2) exposing with a light of 220 nm or less through a mask after a heat treatment. A pattern formation method comprising: a step of performing (3) a heat treatment as necessary and then developing using a developer.
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