JPH11246972A - 薄膜形成装置 - Google Patents
薄膜形成装置Info
- Publication number
- JPH11246972A JPH11246972A JP10064572A JP6457298A JPH11246972A JP H11246972 A JPH11246972 A JP H11246972A JP 10064572 A JP10064572 A JP 10064572A JP 6457298 A JP6457298 A JP 6457298A JP H11246972 A JPH11246972 A JP H11246972A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- thin film
- film
- rings
- film forming
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 基板表面にプラズマＣＶＤによって膜厚分布
の均一度の高い炭素系薄膜を形成する。 【解決手段】 基板（ディスク）１３の内外周のエッジ
にＣリング１７、１８を（ａ）のように取り付けて、両
表面において基板１３の表面とＣリング１７、１８の表
面が（ｂ）のように同一面となるようにし、この状態で
プラズマＣＶＤを行って（ｂ）のようにＤＬＣ膜１９を
成膜し、その後、Ｃリング１７、１８を基板１３から取
り外す。
の均一度の高い炭素系薄膜を形成する。 【解決手段】 基板（ディスク）１３の内外周のエッジ
にＣリング１７、１８を（ａ）のように取り付けて、両
表面において基板１３の表面とＣリング１７、１８の表
面が（ｂ）のように同一面となるようにし、この状態で
プラズマＣＶＤを行って（ｂ）のようにＤＬＣ膜１９を
成膜し、その後、Ｃリング１７、１８を基板１３から取
り外す。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、薄膜形成装置に
関し、とくに、ハードディスク記録装置の記録媒体であ
る磁気ディスクを製造するのに好適な、プラズマＣＶＤ
による薄膜形成装置に関する。
関し、とくに、ハードディスク記録装置の記録媒体であ
る磁気ディスクを製造するのに好適な、プラズマＣＶＤ
による薄膜形成装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】ハードディスク記録装置の磁気ディスク
は、通常、ガラス等のディスクの表面に磁性層を成膜
し、さらにその上に保護層を設けて作られる。従来で
は、この保護層として、カーボン膜を、スパッタリング
等による薄膜形成装置を用いて成膜していた。しかし、
最近、カーボン膜に代わり、耐腐食性および耐摩耗性に
優れたＤＬＣ膜（ダイアモンド状薄膜）が要求されるよ
うになってきている。そこで、高品位なＤＬＣ膜を製造
するものとしてプラズマＣＶＤによる成膜装置が注目さ
れている。
は、通常、ガラス等のディスクの表面に磁性層を成膜
し、さらにその上に保護層を設けて作られる。従来で
は、この保護層として、カーボン膜を、スパッタリング
等による薄膜形成装置を用いて成膜していた。しかし、
最近、カーボン膜に代わり、耐腐食性および耐摩耗性に
優れたＤＬＣ膜（ダイアモンド状薄膜）が要求されるよ
うになってきている。そこで、高品位なＤＬＣ膜を製造
するものとしてプラズマＣＶＤによる成膜装置が注目さ
れている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
プラズマＣＶＤによる薄膜形成装置では、基板表面の広
い範囲で均一な膜厚分布となっているＤＬＣ膜を得るこ
とができないという問題があった。すなわち、現在ハー
ドディスク基板として用いられている３．５インチディ
スクにＥＣＲ（電子サイクロトロン共鳴）−ＣＶＤによ
る薄膜形成装置によってＤＬＣ膜を両面形成すると、デ
ィスクの中心孔の周囲のエッジおよびディスク外周のエ
ッジでＤＬＣ膜の厚みが急激に増加し、ディスクの面内
で均一な膜厚分布が得られない。
プラズマＣＶＤによる薄膜形成装置では、基板表面の広
い範囲で均一な膜厚分布となっているＤＬＣ膜を得るこ
とができないという問題があった。すなわち、現在ハー
ドディスク基板として用いられている３．５インチディ
スクにＥＣＲ（電子サイクロトロン共鳴）−ＣＶＤによ
る薄膜形成装置によってＤＬＣ膜を両面形成すると、デ
ィスクの中心孔の周囲のエッジおよびディスク外周のエ
ッジでＤＬＣ膜の厚みが急激に増加し、ディスクの面内
で均一な膜厚分布が得られない。
【０００４】この発明は、上記に鑑み、プラズマＣＶＤ
によって基板表面に炭素系薄膜を形成する際に基板表面
での膜厚均一度を向上させるように改善した、薄膜形成
装置を提供することを目的とする。
によって基板表面に炭素系薄膜を形成する際に基板表面
での膜厚均一度を向上させるように改善した、薄膜形成
装置を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、この発明による薄膜形成装置においては、真空の反
応容器と、該反応容器内に導入された炭素を含むガスを
プラズマ化する手段と、表面に薄膜を形成する基板のエ
ッジに着脱可能に装着されて該基板の表面を実質的に拡
大するダミー部材と、該ダミー部材の装着された状態で
上記の反応容器内に配置された基板の表面に炭素のプラ
ズマイオンを堆積させる手段とが備えられることが特徴
となっている。
め、この発明による薄膜形成装置においては、真空の反
応容器と、該反応容器内に導入された炭素を含むガスを
プラズマ化する手段と、表面に薄膜を形成する基板のエ
ッジに着脱可能に装着されて該基板の表面を実質的に拡
大するダミー部材と、該ダミー部材の装着された状態で
上記の反応容器内に配置された基板の表面に炭素のプラ
ズマイオンを堆積させる手段とが備えられることが特徴
となっている。
【０００６】ダミー部材が基板のエッジに装着されるこ
とにより、基板の表面がそのエッジ方向に拡大されたこ
とになる。この状態で反応容器内でプラズマイオンの堆
積がなされるので、基板とダミー部材とを含めた全体の
エッジにおいて炭素系膜の厚さが増加することとなり、
つまり膜厚が増加するのはダミー部材の表面部分という
ことになる。そのため、薄膜形成の後、ダミー部を基板
から取り外せば、膜厚が増加した部分は取り去ることが
でき、基板の表面には、そのエッジまで膜厚が均一とな
った薄膜が残ることになる。したがって、基板の全表面
において膜厚が均一な薄膜を得ることが可能となる。
とにより、基板の表面がそのエッジ方向に拡大されたこ
とになる。この状態で反応容器内でプラズマイオンの堆
積がなされるので、基板とダミー部材とを含めた全体の
エッジにおいて炭素系膜の厚さが増加することとなり、
つまり膜厚が増加するのはダミー部材の表面部分という
ことになる。そのため、薄膜形成の後、ダミー部を基板
から取り外せば、膜厚が増加した部分は取り去ることが
でき、基板の表面には、そのエッジまで膜厚が均一とな
った薄膜が残ることになる。したがって、基板の全表面
において膜厚が均一な薄膜を得ることが可能となる。
【０００７】
【発明の実施の形態】つぎに、この発明の実施の形態に
ついて図面を参照しながら詳細に説明する。この発明の
実施の形態では、一例として、ハードディスク用の３．
５インチディスクの両面にＥＣＲ−ＣＶＤ薄膜形成装置
によってＤＬＣ膜を形成するものとしている。まず、図
１に示すように、基板（ディスク）１３の外周のエッジ
にＣリング１７をネジ等を用いて装着するとともに、基
板１３の中心孔の周囲のエッジにネジ等を用いてＣリン
グ１８を取り付ける。図１の（ｂ）に示すように、これ
らのＣリング１７、１８は、材質が基板１３と同一（ガ
ラス板または金属板）でしかも厚さが基板１３と同程度
となっており、基板１３に取り付けられた状態で基板１
３の表裏両面において基板１３とは段差のない同一平面
となるようになっている。Ｃリング１７、１８の材質に
ついては、基板（ガラス板または金属板）１３と同一で
あることが好ましい。
ついて図面を参照しながら詳細に説明する。この発明の
実施の形態では、一例として、ハードディスク用の３．
５インチディスクの両面にＥＣＲ−ＣＶＤ薄膜形成装置
によってＤＬＣ膜を形成するものとしている。まず、図
１に示すように、基板（ディスク）１３の外周のエッジ
にＣリング１７をネジ等を用いて装着するとともに、基
板１３の中心孔の周囲のエッジにネジ等を用いてＣリン
グ１８を取り付ける。図１の（ｂ）に示すように、これ
らのＣリング１７、１８は、材質が基板１３と同一（ガ
ラス板または金属板）でしかも厚さが基板１３と同程度
となっており、基板１３に取り付けられた状態で基板１
３の表裏両面において基板１３とは段差のない同一平面
となるようになっている。Ｃリング１７、１８の材質に
ついては、基板（ガラス板または金属板）１３と同一で
あることが好ましい。
【０００８】このようにＣリング１７、１８が取り付け
られた基板１３が、図２に示すようなＥＣＲ−ＣＶＤ薄
膜形成装置の真空チャンバ１１内に、基板ホルダ１４に
よって保持されて配置される。この真空チャンバ１１は
図示しない排気系によって真空に排気されており、この
中でガスのプラズマ化およびデポジションが行われる反
応容器となっている。基板１３は基板ホルダ１４によっ
て保持された状態で、真空チャンバ１１の側面に設けら
れたロードロック室１２を介して真空チャンバ１１内に
搬入され、且つこれから搬出される。
られた基板１３が、図２に示すようなＥＣＲ−ＣＶＤ薄
膜形成装置の真空チャンバ１１内に、基板ホルダ１４に
よって保持されて配置される。この真空チャンバ１１は
図示しない排気系によって真空に排気されており、この
中でガスのプラズマ化およびデポジションが行われる反
応容器となっている。基板１３は基板ホルダ１４によっ
て保持された状態で、真空チャンバ１１の側面に設けら
れたロードロック室１２を介して真空チャンバ１１内に
搬入され、且つこれから搬出される。
【０００９】基板１３には基板ホルダ１４を通じて電圧
印加装置１５により負の直流電圧あるいは高周波電圧が
印加されるようになっている。真空チャンバ１１には、
その中にアルゴンガスや炭素を含んだガスを導入するた
めの、ボンベおよび制御バルブ等からなるガス導入系１
６が接続されている。また、この例では、真空チャンバ
１１の両側面（図では左右）の窓に、キャビティ２１、
２１が連結されている。このキャビティ２１にはマイク
ロ波を導入するための導波管２２が取り付けられ、且つ
その周囲にマグネットコイル２３、２４が設けられてお
り、このキャビティ２１内でＥＣＲ（電子サイクロトロ
ン共鳴）プラズマが発生するようにされている。
印加装置１５により負の直流電圧あるいは高周波電圧が
印加されるようになっている。真空チャンバ１１には、
その中にアルゴンガスや炭素を含んだガスを導入するた
めの、ボンベおよび制御バルブ等からなるガス導入系１
６が接続されている。また、この例では、真空チャンバ
１１の両側面（図では左右）の窓に、キャビティ２１、
２１が連結されている。このキャビティ２１にはマイク
ロ波を導入するための導波管２２が取り付けられ、且つ
その周囲にマグネットコイル２３、２４が設けられてお
り、このキャビティ２１内でＥＣＲ（電子サイクロトロ
ン共鳴）プラズマが発生するようにされている。
【００１０】導波管２２により２．４５ＧＨｚのマイク
ロ波をキャビティ２１内に導入し、同時にマグネットコ
イル２３、２４により磁場を形成することにより、ＥＣ
Ｒを発生させて活性なＥＣＲプラズマを形成する。この
ＥＣＲプラズマは、マグネットコイル２３、２４により
真空チャンバ１１内に形成されたミラー磁場あるいはカ
スプ磁場等の適宜な磁場により真空チャンバ１１内に引
き出される。
ロ波をキャビティ２１内に導入し、同時にマグネットコ
イル２３、２４により磁場を形成することにより、ＥＣ
Ｒを発生させて活性なＥＣＲプラズマを形成する。この
ＥＣＲプラズマは、マグネットコイル２３、２４により
真空チャンバ１１内に形成されたミラー磁場あるいはカ
スプ磁場等の適宜な磁場により真空チャンバ１１内に引
き出される。
【００１１】制御装置２５は、電圧印加装置１５を制御
して基板１３に加える電圧をコントロールするととも
に、ガス導入系１６のバルブを開閉してガスを真空チャ
ンバ１１内に導入する。また、マグネットコイル２３、
２４に電流を流す電源（図示しない）を制御して、発生
磁場をコントロールする。
して基板１３に加える電圧をコントロールするととも
に、ガス導入系１６のバルブを開閉してガスを真空チャ
ンバ１１内に導入する。また、マグネットコイル２３、
２４に電流を流す電源（図示しない）を制御して、発生
磁場をコントロールする。
【００１２】基板１３の両面にＤＬＣ膜を成膜する場
合、基板１３に負の電圧を印加し、真空チャンバ１１内
にＣｎＨｍガス（炭化水素ガス）あるいは不活性ガスと
ＣｎＨｍガスとの混合ガスを真空チャンバ１１に導入す
る。このＣｎＨｍガスがＥＣＲプラズマによってイオン
化され、炭素イオンおよび水素イオンが基板１３に付着
して薄膜を形成する。このようなＥＣＲ−ＣＶＤにより
図１の（ｂ）に示すように基板１３の両面に同時にＤＬ
Ｃ膜１９の成膜がなされる。
合、基板１３に負の電圧を印加し、真空チャンバ１１内
にＣｎＨｍガス（炭化水素ガス）あるいは不活性ガスと
ＣｎＨｍガスとの混合ガスを真空チャンバ１１に導入す
る。このＣｎＨｍガスがＥＣＲプラズマによってイオン
化され、炭素イオンおよび水素イオンが基板１３に付着
して薄膜を形成する。このようなＥＣＲ−ＣＶＤにより
図１の（ｂ）に示すように基板１３の両面に同時にＤＬ
Ｃ膜１９の成膜がなされる。
【００１３】このＤＬＣ膜１９は、図１の（ｂ）のよう
に被堆積物つまり基板１３とＣリング１７、１８の全体
のエッジにおいて膜厚が急激に増大するようにして形成
される。そこで、ＣＶＤの完了後、基板１３を真空チャ
ンバ１１から取り出して、Ｃリング１７、１８を基板１
３から取り外せば、膜厚が急激に増大した部分は取り除
かれることとなって、基板１３のエッジまで膜厚が均一
となったＤＬＣ膜１９を得ることができる。
に被堆積物つまり基板１３とＣリング１７、１８の全体
のエッジにおいて膜厚が急激に増大するようにして形成
される。そこで、ＣＶＤの完了後、基板１３を真空チャ
ンバ１１から取り出して、Ｃリング１７、１８を基板１
３から取り外せば、膜厚が急激に増大した部分は取り除
かれることとなって、基板１３のエッジまで膜厚が均一
となったＤＬＣ膜１９を得ることができる。
【００１４】ちなみに、このようなＣリング１７、１８
を用いない場合は、図１の（ｃ）に示すように基板１３
それ自身のエッジにおいて膜厚が急激に増大したＤＬＣ
膜１９が形成されてしまうので、基板１３の表面の全面
にわたって膜厚を均一にすることはできない。
を用いない場合は、図１の（ｃ）に示すように基板１３
それ自身のエッジにおいて膜厚が急激に増大したＤＬＣ
膜１９が形成されてしまうので、基板１３の表面の全面
にわたって膜厚を均一にすることはできない。
【００１５】なお、上記は一つの例についての説明であ
り、この発明は上記の構成に限定されないものであるこ
とはもちろんである。たとえば、基板１３の外周および
内周のエッジに装着するＣリング１７、１８の形状およ
び装着手段などは図示のものに限定されない。また、ハ
ードディスク記録装置の磁気ディスクの製造プロセスに
おいて保護層を両面同時に形成する場合だけでなく、一
般の基板１３の両面に対してその他の薄膜を形成するこ
とも可能であることは言うまでもない。
り、この発明は上記の構成に限定されないものであるこ
とはもちろんである。たとえば、基板１３の外周および
内周のエッジに装着するＣリング１７、１８の形状およ
び装着手段などは図示のものに限定されない。また、ハ
ードディスク記録装置の磁気ディスクの製造プロセスに
おいて保護層を両面同時に形成する場合だけでなく、一
般の基板１３の両面に対してその他の薄膜を形成するこ
とも可能であることは言うまでもない。
【００１６】
【発明の効果】以上説明したように、この発明の薄膜形
成装置によれば、プラズマＣＶＤにより基板のエッジに
まで膜厚が均一になった薄膜を基板表面に形成すること
ができる。プラズマＣＶＤにより形成した炭素系薄膜
は、耐摩耗性・耐腐食性・耐剥離性・耐電圧特性・耐絶
縁性に優れ、磁気ディスクの保護膜として最適であり、
このような炭素系薄膜を均一な膜厚で効率よく成膜でき
るので、磁気ディスクの製造プロセスに用いるのに好適
である。
成装置によれば、プラズマＣＶＤにより基板のエッジに
まで膜厚が均一になった薄膜を基板表面に形成すること
ができる。プラズマＣＶＤにより形成した炭素系薄膜
は、耐摩耗性・耐腐食性・耐剥離性・耐電圧特性・耐絶
縁性に優れ、磁気ディスクの保護膜として最適であり、
このような炭素系薄膜を均一な膜厚で効率よく成膜でき
るので、磁気ディスクの製造プロセスに用いるのに好適
である。
【図１】この発明の実施形態にかかる基板およびＣリン
グの形状を示す正面図およびそのＡ−Ａ線端面図。
グの形状を示す正面図およびそのＡ−Ａ線端面図。
【図２】この発明の実施形態にかかる薄膜形成装置の全
体を示すブロック図。
体を示すブロック図。
１１ 真空チャンバ １２ ロードロック室 １３ 基板（ディスク） １４ 基板ホルダ １５ 電圧印加装置 １６ ガス導入系 １７、１８ Ｃリング １９ ＤＬＣ膜 ２１ キャビティ ２２ 導波管 ２３、２４ マグネットコイル ２５ 制御装置
Claims (1)
- 【請求項１】 真空の反応容器と、該反応容器内に導入
された炭素を含むガスをプラズマ化する手段と、表面に
薄膜を形成する基板のエッジに着脱可能に装着されて該
基板の表面を実質的に拡大するダミー部材と、該ダミー
部材の装着された状態で上記の反応容器内に配置された
基板の表面に炭素のプラズマイオンを堆積させる手段と
を備えることを特徴とする薄膜形成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10064572A JPH11246972A (ja) | 1998-02-28 | 1998-02-28 | 薄膜形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10064572A JPH11246972A (ja) | 1998-02-28 | 1998-02-28 | 薄膜形成装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11246972A true JPH11246972A (ja) | 1999-09-14 |
Family
ID=13262085
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10064572A Pending JPH11246972A (ja) | 1998-02-28 | 1998-02-28 | 薄膜形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11246972A (ja) |
-
1998
- 1998-02-28 JP JP10064572A patent/JPH11246972A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6455101B1 (en) | Method for depositing a protective carbon coating on a data recording disk | |
| JP3944946B2 (ja) | 薄膜形成装置 | |
| JPH11246972A (ja) | 薄膜形成装置 | |
| US4512284A (en) | Glow discharge apparatus for use in coating a disc-shaped substrate | |
| JP2000306696A (ja) | Ｅｃｒプラズマ装置 | |
| JP2002133650A (ja) | 磁気記録ディスク用成膜装置 | |
| JP2808922B2 (ja) | ダイヤモンド状カーボン膜形成方法 | |
| JPH05295538A (ja) | 両面スパッタ成膜方法及びその装置 | |
| JP2000163741A (ja) | ディスク基板の製造装置 | |
| US6089185A (en) | Thin film forming apparatus | |
| JP3391245B2 (ja) | 薄膜形成装置 | |
| JP2936790B2 (ja) | 薄膜形成装置 | |
| US6223686B1 (en) | Apparatus for forming a thin film by plasma chemical vapor deposition | |
| JP3644586B2 (ja) | 磁気記録媒体およびその製造方法 | |
| JPH10298751A (ja) | 薄膜形成装置 | |
| JPH09125243A (ja) | 薄膜形成装置 | |
| JP3172384B2 (ja) | 硬質炭素被膜形成装置及びこれを用いた被膜形成方法 | |
| JP3037587B2 (ja) | スパッタリング装置 | |
| JPH05271924A (ja) | 複数基板同時スパッタ成膜方法とその装置並びに複数基板同時スパッタ成膜システム | |
| JP2001181849A (ja) | Ｅｃｒ保護膜の成膜方法およびｅｃｒ成膜装置 | |
| JP2995705B2 (ja) | 硬質カーボン膜形成方法 | |
| JPH03115194A (ja) | 多結晶ダイヤモンド薄膜の製造方法 | |
| JPH07122137B2 (ja) | 硬質カーボン膜形成方法 | |
| JP2715277B2 (ja) | 薄膜形成装置 | |
| JP2001220681A (ja) | プラズマｃｖｄ装置及び薄膜形成方法 |