JPH11219892A - 走査型露光装置及びその視野絞り位置の測定方法 - Google Patents
走査型露光装置及びその視野絞り位置の測定方法Info
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- JPH11219892A JPH11219892A JP10023096A JP2309698A JPH11219892A JP H11219892 A JPH11219892 A JP H11219892A JP 10023096 A JP10023096 A JP 10023096A JP 2309698 A JP2309698 A JP 2309698A JP H11219892 A JPH11219892 A JP H11219892A
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70066—Size and form of the illuminated area in the mask plane, e.g. reticle masking blades or blinds
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70358—Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Lenses (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 複数の投影光学系用いる走査型露光装置にお
いて、隣接する投影光学系による露光領域の継ぎ部での
露光ムラの発生を防止する。 【解決手段】 マスクテーブルに設置したスリット板２
０のスリット２０ａを走査させ、受光センサ５０によっ
て、スリット２０ａを透過した光が視野絞りの開口部４
５ａのエッジ部を横切るときのスリット位置を検出する
ことで視野絞り４５の位置を把握する。その情報に基づ
いて、視野絞り４５の位置を適正位置に補正する。
いて、隣接する投影光学系による露光領域の継ぎ部での
露光ムラの発生を防止する。 【解決手段】 マスクテーブルに設置したスリット板２
０のスリット２０ａを走査させ、受光センサ５０によっ
て、スリット２０ａを透過した光が視野絞りの開口部４
５ａのエッジ部を横切るときのスリット位置を検出する
ことで視野絞り４５の位置を把握する。その情報に基づ
いて、視野絞り４５の位置を適正位置に補正する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子や液晶
表示素子等の製造に用いられる走査型露光装置及びその
視野絞り位置の測定方法に関する。
表示素子等の製造に用いられる走査型露光装置及びその
視野絞り位置の測定方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】大型の液晶パネルや大面積の半導体素子
等を高いスループットで製造するために、走査型露光装
置が用いられる。この走査型露光装置は、マスク又はレ
チクル（以下、マスクという）をスリット状の照明領域
で照明し、その照明領域に対して短辺方向にマスクを走
査し、照明領域と共役な露光領域に対してフォトレジス
トが塗布されたガラスプレートや半導体ウェハ等の感光
基板（以下、単に基板という）を同期して走査すること
により、マスク上のパターンを逐次基板上に露光するも
のである。
等を高いスループットで製造するために、走査型露光装
置が用いられる。この走査型露光装置は、マスク又はレ
チクル（以下、マスクという）をスリット状の照明領域
で照明し、その照明領域に対して短辺方向にマスクを走
査し、照明領域と共役な露光領域に対してフォトレジス
トが塗布されたガラスプレートや半導体ウェハ等の感光
基板（以下、単に基板という）を同期して走査すること
により、マスク上のパターンを逐次基板上に露光するも
のである。
【０００３】走査型露光装置においても、処理基板サイ
ズが大きくなった場合、スループットを上げるために
は、投影光学系の露光領域を広げる方法が考えられる。
投影光学系を大型化することなく露光領域を広げる方法
として、投影光学系を複数の小型投影光学系によって構
成し、この複数の小型投影光学系による露光領域を継ぎ
合わせて露光する方法が考えられている。
ズが大きくなった場合、スループットを上げるために
は、投影光学系の露光領域を広げる方法が考えられる。
投影光学系を大型化することなく露光領域を広げる方法
として、投影光学系を複数の小型投影光学系によって構
成し、この複数の小型投影光学系による露光領域を継ぎ
合わせて露光する方法が考えられている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】複数の投影光学系によ
る露光領域を継ぎ合わせて基板上にマスクのパターンを
露光する場合、各投影光学系による露光領域を正確に継
ぎ合わせるために、各投影光学系に視野絞りが設けられ
る。図１４は、複数の投影光学系に設けられている台形
状の視野絞りによって決定される基板上の露光領域３９
ａ，３９ｂ，３９ｃ，…を示すものであるが、各投影光
学系に設けられている視野絞りの位置がずれている場
合、隣接する視野絞りのエッジ部分によって重なり合う
ようにして露光される領域に継ぎ誤差が発生し、露光量
ムラを招いてしまうことになる。
る露光領域を継ぎ合わせて基板上にマスクのパターンを
露光する場合、各投影光学系による露光領域を正確に継
ぎ合わせるために、各投影光学系に視野絞りが設けられ
る。図１４は、複数の投影光学系に設けられている台形
状の視野絞りによって決定される基板上の露光領域３９
ａ，３９ｂ，３９ｃ，…を示すものであるが、各投影光
学系に設けられている視野絞りの位置がずれている場
合、隣接する視野絞りのエッジ部分によって重なり合う
ようにして露光される領域に継ぎ誤差が発生し、露光量
ムラを招いてしまうことになる。
【０００５】図１５は、隣接する投影光学系の視野絞り
の位置が正常な場合とずれている場合の、継ぎ部分での
露光状態を示す説明図である。図１５（ａ）は、隣接す
る投影光学系の視野絞りが正常位置にある場合を示し、
露光領域３９ａと露光領域３９ｂの継ぎ部分でも基板上
の露光量が一定となる。一方、図１５（ｂ）は隣接する
投影光学系の視野絞りの位置がずれている場合を示し、
露光領域３９ａと露光領域３９ｂの継ぎ部分で基板上の
露光量が変化（図の場合、増加）し、露光量ムラが発生
する。本発明は、このような問題点に鑑みてなされたも
ので、露光領域を継ぎ合わせてマスクパターンの露光を
行う複数の投影光学系の視野絞りの位置ずれを補正する
ことで露光ムラの発生を防止することのできる走査型露
光装置及びその視野絞り位置の測定方法を提供すること
を目的とする。
の位置が正常な場合とずれている場合の、継ぎ部分での
露光状態を示す説明図である。図１５（ａ）は、隣接す
る投影光学系の視野絞りが正常位置にある場合を示し、
露光領域３９ａと露光領域３９ｂの継ぎ部分でも基板上
の露光量が一定となる。一方、図１５（ｂ）は隣接する
投影光学系の視野絞りの位置がずれている場合を示し、
露光領域３９ａと露光領域３９ｂの継ぎ部分で基板上の
露光量が変化（図の場合、増加）し、露光量ムラが発生
する。本発明は、このような問題点に鑑みてなされたも
ので、露光領域を継ぎ合わせてマスクパターンの露光を
行う複数の投影光学系の視野絞りの位置ずれを補正する
ことで露光ムラの発生を防止することのできる走査型露
光装置及びその視野絞り位置の測定方法を提供すること
を目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の走査型露光装置
は、マスクを保持するマスクステージと、基板を保持す
る基板ステージと、マスク上の複数の照明領域を照明す
る照明光学系と、複数の照明領域の像を基板上に各々投
影する複数の投影光学系と、マスクステージと基板ステ
ージとを投影光学系に対して同期して走査する走査手段
と、各投影光学系内に配置された視野絞りとを含み、複
数の照明領域の像を基板上で継ぎ合わせて露光する走査
型露光装置において、視野絞りの位置を測定する測定手
段を備えることを特徴としている。
は、マスクを保持するマスクステージと、基板を保持す
る基板ステージと、マスク上の複数の照明領域を照明す
る照明光学系と、複数の照明領域の像を基板上に各々投
影する複数の投影光学系と、マスクステージと基板ステ
ージとを投影光学系に対して同期して走査する走査手段
と、各投影光学系内に配置された視野絞りとを含み、複
数の照明領域の像を基板上で継ぎ合わせて露光する走査
型露光装置において、視野絞りの位置を測定する測定手
段を備えることを特徴としている。
【０００７】この走査型露光装置では、視野絞り位置測
定手段によって視野絞りの位置を測定することにより、
視野絞りの位置を把握することが可能となるため、視野
絞りの位置を適正位置に補正することで、視野絞りの開
口部のエッジ部分による継ぎ誤差が低減され、露光ムラ
が解消される。視野絞り位置測定手段はマスクステージ
に保持されるスリットと、基板ステージに設置される光
検出器とで構成することができる。この場合、マスクス
テージに保持されるスリットを視野絞りの形状に合わせ
た形状とすること、具体的にはスリット形状を視野絞り
による露光領域のエッジに対して平行となるようにする
ことで、十分なＳ／Ｎ比をもって測定することができ
る。
定手段によって視野絞りの位置を測定することにより、
視野絞りの位置を把握することが可能となるため、視野
絞りの位置を適正位置に補正することで、視野絞りの開
口部のエッジ部分による継ぎ誤差が低減され、露光ムラ
が解消される。視野絞り位置測定手段はマスクステージ
に保持されるスリットと、基板ステージに設置される光
検出器とで構成することができる。この場合、マスクス
テージに保持されるスリットを視野絞りの形状に合わせ
た形状とすること、具体的にはスリット形状を視野絞り
による露光領域のエッジに対して平行となるようにする
ことで、十分なＳ／Ｎ比をもって測定することができ
る。
【０００８】本発明による視野絞り位置の測定方法は、
マスク上の複数の照明領域を各々視野絞りを有する複数
の投影光学系を介して基板上で継ぎ合わせて露光する露
光装置の視野絞りの位置を測定する方法において、マス
クの位置に配置したスリットを視野絞りに対して移動さ
せ、基板上で検出される光量とスリットの位置との関係
から視野絞りの位置を検出することを特徴としている。
この測定方法では、マスクの位置に配置したスリットを
視野絞りに対して移動させ、基板上で検出される光量と
スリットの位置との関係から視野絞りの位置を測定する
ことができる。また、複数の位置でスリットを停止させ
て光量検出を行うことでも視野絞りの位置を検出するこ
とができる。
マスク上の複数の照明領域を各々視野絞りを有する複数
の投影光学系を介して基板上で継ぎ合わせて露光する露
光装置の視野絞りの位置を測定する方法において、マス
クの位置に配置したスリットを視野絞りに対して移動さ
せ、基板上で検出される光量とスリットの位置との関係
から視野絞りの位置を検出することを特徴としている。
この測定方法では、マスクの位置に配置したスリットを
視野絞りに対して移動させ、基板上で検出される光量と
スリットの位置との関係から視野絞りの位置を測定する
ことができる。また、複数の位置でスリットを停止させ
て光量検出を行うことでも視野絞りの位置を検出するこ
とができる。
【０００９】更に、マスクの位置にスリットを配置して
視野絞りを移動させ、基板上で検出される光量と視野絞
りの位置との関係から視野絞りの位置を検出することも
できる。このとき、スリットの位置を視野絞りエッジの
設計位置に設定することにより、視野絞りの位置検出と
同時に視野絞りの位置設定を行うことができる。更にま
た、複数の位置で視野絞りを停止させて光量検出を行う
ことでも視野絞りの位置を検出することができる。ま
た、スリットの形状を視野絞りの形状に合わせた形とす
ることで、十分なＳ／Ｎを得ることができる。
視野絞りを移動させ、基板上で検出される光量と視野絞
りの位置との関係から視野絞りの位置を検出することも
できる。このとき、スリットの位置を視野絞りエッジの
設計位置に設定することにより、視野絞りの位置検出と
同時に視野絞りの位置設定を行うことができる。更にま
た、複数の位置で視野絞りを停止させて光量検出を行う
ことでも視野絞りの位置を検出することができる。ま
た、スリットの形状を視野絞りの形状に合わせた形とす
ることで、十分なＳ／Ｎを得ることができる。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を説明する。図１は本発明による走査型露光装
置を示す概略図、図２は図１に示した投影光学系を示す
斜視図、図３は投影光学系のレンズ構成図である。図１
において、超高圧水銀ランプ等の光源２から射出された
露光光は楕円鏡３によって集光され、ダイクロイックミ
ラー４で反射されたのち、波長選択フィルタ５に導かれ
る。波長選択フィルタ５を透過した露光に必要な波長の
光は、フライアイインテグレータ６によって均一な照度
分布をもつ光束に変換され、スリット形状の開口を有す
るブラインド７によってスリット状に整形される。ブラ
インド７を通過したスリット状の光束は反射ミラー８を
介してコンデンサレンズ９の方向に反射され、コンデン
サレンズ９はこの光束をマスク１０上に結像することで
マスク１０をスリット状の照明領域３８ａ〜３８ｇで照
明する。マスク１０上のパターン像は、投影光学系１１
を介して基板ステージ１４上に保持された基板１２上に
投影露光される。
施の形態を説明する。図１は本発明による走査型露光装
置を示す概略図、図２は図１に示した投影光学系を示す
斜視図、図３は投影光学系のレンズ構成図である。図１
において、超高圧水銀ランプ等の光源２から射出された
露光光は楕円鏡３によって集光され、ダイクロイックミ
ラー４で反射されたのち、波長選択フィルタ５に導かれ
る。波長選択フィルタ５を透過した露光に必要な波長の
光は、フライアイインテグレータ６によって均一な照度
分布をもつ光束に変換され、スリット形状の開口を有す
るブラインド７によってスリット状に整形される。ブラ
インド７を通過したスリット状の光束は反射ミラー８を
介してコンデンサレンズ９の方向に反射され、コンデン
サレンズ９はこの光束をマスク１０上に結像することで
マスク１０をスリット状の照明領域３８ａ〜３８ｇで照
明する。マスク１０上のパターン像は、投影光学系１１
を介して基板ステージ１４上に保持された基板１２上に
投影露光される。
【００１１】この際、基板１２上に投影されるのはスリ
ット状のパターン像（露光領域３９ａ〜３９ｇ）であ
り、マスク１０上に形成されているマスクパターンの一
部の像である。そこで走査型露光装置では、マスク１０
を保持するマスクステージ１３と基板１２を保持する基
板ステージ１４を一体化したキャリッジ１５を、キャリ
ッジ制御部１７によって駆動制御し、マスク１０上の照
明領域３８ａ〜３８ｇ及び投影光学系１１に対して移動
走査することで、マスク１０上に形成されているマスク
パターンの全てを基板１２上に転写する。キャリッジ速
度計測部１６はキャリッジ１５の速度を計測し、キャリ
ッジ制御部１７は、キャリッジ速度計測部１６によって
計測されたキャリッジ１５の速度が上位コンピュータか
らの速度指令信号によって与えられる速度と等しくなる
ようにキャリッジ１５を駆動制御する。
ット状のパターン像（露光領域３９ａ〜３９ｇ）であ
り、マスク１０上に形成されているマスクパターンの一
部の像である。そこで走査型露光装置では、マスク１０
を保持するマスクステージ１３と基板１２を保持する基
板ステージ１４を一体化したキャリッジ１５を、キャリ
ッジ制御部１７によって駆動制御し、マスク１０上の照
明領域３８ａ〜３８ｇ及び投影光学系１１に対して移動
走査することで、マスク１０上に形成されているマスク
パターンの全てを基板１２上に転写する。キャリッジ速
度計測部１６はキャリッジ１５の速度を計測し、キャリ
ッジ制御部１７は、キャリッジ速度計測部１６によって
計測されたキャリッジ１５の速度が上位コンピュータか
らの速度指令信号によって与えられる速度と等しくなる
ようにキャリッジ１５を駆動制御する。
【００１２】尚、図１では、反射ミラー８等を用いて光
源２からの光束でマスク１０を照明しているが、別の方
法として光ファイバー等を用いて複数のスリット状の照
明領域３８ａ〜３８ｇを照明するようにしてもよい。上
記の投影光学系１１は、例えば図２に示すように、複数
の小型投影光学系３２ａ〜３２ｇを継ぎ合わせた構成と
されており、複数の投影光学系３２ａ〜３２ｇからなる
正立実像系の光学系が用いられている。ここで、Ｘ軸
は、上記のキャリッジ１５の移動方向を示し、Ｙ軸はマ
スク１０の面内でＸ軸と直交する方向を示し、Ｚ軸はマ
スク１０の法線方向（フォーカス方向）を示している。
源２からの光束でマスク１０を照明しているが、別の方
法として光ファイバー等を用いて複数のスリット状の照
明領域３８ａ〜３８ｇを照明するようにしてもよい。上
記の投影光学系１１は、例えば図２に示すように、複数
の小型投影光学系３２ａ〜３２ｇを継ぎ合わせた構成と
されており、複数の投影光学系３２ａ〜３２ｇからなる
正立実像系の光学系が用いられている。ここで、Ｘ軸
は、上記のキャリッジ１５の移動方向を示し、Ｙ軸はマ
スク１０の面内でＸ軸と直交する方向を示し、Ｚ軸はマ
スク１０の法線方向（フォーカス方向）を示している。
【００１３】これらの投影光学系３２ａ〜３２ｇは、例
えば図３に示すように、２組のダイソン型光学系を組み
合わせた構成を有し、第１の部分光学系４１〜４４と、
視野絞り４５と、第２の部分光学系４６〜４９から構成
されている。第１の部分光学系４１〜４４は、マスク１
０に面して４５°の傾斜で配置された反射面を持つ直角
プリズム４１と、マスク１０の面内方向に沿った光軸を
有し、凸面を直角プリズム４１の反射面に向けた平凸レ
ンズ成分４２と、全体としてメニスカス形状であって凹
面を平凸レンズ成分４２側に向けた反射面を有するレン
ズ成分４３と、直角プリズム４１の反射面と直交しかつ
マスク１０の面に対して４５°の傾斜で配置された反射
面を持つ直角プリズム４４とを有する。
えば図３に示すように、２組のダイソン型光学系を組み
合わせた構成を有し、第１の部分光学系４１〜４４と、
視野絞り４５と、第２の部分光学系４６〜４９から構成
されている。第１の部分光学系４１〜４４は、マスク１
０に面して４５°の傾斜で配置された反射面を持つ直角
プリズム４１と、マスク１０の面内方向に沿った光軸を
有し、凸面を直角プリズム４１の反射面に向けた平凸レ
ンズ成分４２と、全体としてメニスカス形状であって凹
面を平凸レンズ成分４２側に向けた反射面を有するレン
ズ成分４３と、直角プリズム４１の反射面と直交しかつ
マスク１０の面に対して４５°の傾斜で配置された反射
面を持つ直角プリズム４４とを有する。
【００１４】マスク１０を介した照明光学系からの露光
光は、直角プリズム４１によって光路が９０°偏向さ
れ、直角プリズム４１に接合された平凸レンズ成分４２
に入射する。このレンズ成分４２には、平凸レンズ成分
４２とは異なる硝材にて構成されたレンズ成分４３が接
合されており、直角プリズム４１からの光はレンズ成分
４２，４３の接合面４２ａにて屈折し、反射膜が蒸着さ
れた反射面４３ａに達する。反射面４３ａで反射された
光は、接合面４２ａで屈折され、レンズ成分４２に接合
された直角プリズム４４に達する。レンズ成分４２から
の光は、直角プリズム４４により光路が９０°偏向され
て、この直角プリズム４４の射出面側すなわち視野絞り
４５の位置にマスク１０の１次像を形成する。
光は、直角プリズム４１によって光路が９０°偏向さ
れ、直角プリズム４１に接合された平凸レンズ成分４２
に入射する。このレンズ成分４２には、平凸レンズ成分
４２とは異なる硝材にて構成されたレンズ成分４３が接
合されており、直角プリズム４１からの光はレンズ成分
４２，４３の接合面４２ａにて屈折し、反射膜が蒸着さ
れた反射面４３ａに達する。反射面４３ａで反射された
光は、接合面４２ａで屈折され、レンズ成分４２に接合
された直角プリズム４４に達する。レンズ成分４２から
の光は、直角プリズム４４により光路が９０°偏向され
て、この直角プリズム４４の射出面側すなわち視野絞り
４５の位置にマスク１０の１次像を形成する。
【００１５】視野絞り４５の開口部４５ａを通過した１
次像からの光は、第２の部分光学系４６〜４９を介し
て、マスク１０の２次像を基板１２の表面上に形成す
る。この第２の部分光学系の構成は第１の部分光学系と
同一である。第２の部分光学系４６〜４９は、第１の部
分光学系と同じく、Ｘ方向が正かつＹ方向が負となる等
倍像を形成する。したがって、基板１２の表面に形成さ
れる２次像は、マスク１０の等倍の正立像（上下左右方
向の横倍率が正の像）となる。投影光学系３２ａ（第１
及び第２の部分光学系）は、両側テレセントリック光学
系である。
次像からの光は、第２の部分光学系４６〜４９を介し
て、マスク１０の２次像を基板１２の表面上に形成す
る。この第２の部分光学系の構成は第１の部分光学系と
同一である。第２の部分光学系４６〜４９は、第１の部
分光学系と同じく、Ｘ方向が正かつＹ方向が負となる等
倍像を形成する。したがって、基板１２の表面に形成さ
れる２次像は、マスク１０の等倍の正立像（上下左右方
向の横倍率が正の像）となる。投影光学系３２ａ（第１
及び第２の部分光学系）は、両側テレセントリック光学
系である。
【００１６】視野絞り４５は例えば図２の露光領域３９
ａ，３９ｂ，３９ｃ，‥‥に対応する台形状の開口部４
５ａ，４５ｂ，４５ｃ，‥‥を有し、この台形状の開口
部４５ａ，４５ｂ，４５ｃ，‥‥により基板１２上の露
光領域が台形状に規定される。すなわち、投影光学系３
２ａ〜３２ｇは、投影光学系内の視野絞り４５によって
規定される視野領域３８ａ〜３８ｇを有している。これ
らの視野領域３８ａ〜３８ｇの像は、基板１２上の露光
領域３９ａ〜３９ｇ上に等倍の正立像として形成され
る。ここで、投影光学系３２ａ〜３２ｄは、視野領域３
８ａ〜３８ｄが図中Ｙ方向に沿って配列されるように設
けられている。また、投影光学系３２ｅ〜３２ｇは、図
中Ｘ方向で視野領域３８ａ〜３８ｄとは異なる位置に、
視野領域３８ｅ〜３８ｇがＹ方向に沿って配列されるよ
うに設けられている。投影光学系３２ａ〜３２ｄと、投
影光学系３２ｅ〜３２ｇとは、それぞれの直角プリズム
同士が極近傍に位置するように配置される。
ａ，３９ｂ，３９ｃ，‥‥に対応する台形状の開口部４
５ａ，４５ｂ，４５ｃ，‥‥を有し、この台形状の開口
部４５ａ，４５ｂ，４５ｃ，‥‥により基板１２上の露
光領域が台形状に規定される。すなわち、投影光学系３
２ａ〜３２ｇは、投影光学系内の視野絞り４５によって
規定される視野領域３８ａ〜３８ｇを有している。これ
らの視野領域３８ａ〜３８ｇの像は、基板１２上の露光
領域３９ａ〜３９ｇ上に等倍の正立像として形成され
る。ここで、投影光学系３２ａ〜３２ｄは、視野領域３
８ａ〜３８ｄが図中Ｙ方向に沿って配列されるように設
けられている。また、投影光学系３２ｅ〜３２ｇは、図
中Ｘ方向で視野領域３８ａ〜３８ｄとは異なる位置に、
視野領域３８ｅ〜３８ｇがＹ方向に沿って配列されるよ
うに設けられている。投影光学系３２ａ〜３２ｄと、投
影光学系３２ｅ〜３２ｇとは、それぞれの直角プリズム
同士が極近傍に位置するように配置される。
【００１７】基板１２上には、投影光学系３２ａ〜３２
ｄによって、図中Ｙ方向に沿って配列された露光領域３
９ａ〜３９ｄが形成され、投影光学系３２ｅ〜３２ｇに
よって露光領域３９ａ〜３９ｄとは異なる位置にＹ方向
に沿って配列された露光領域３９ｅ〜３９ｇが形成され
る。これらの露光領域３９ａ〜３９ｇは、視野領域３８
ａ〜３８ｇの等倍の正立像である。
ｄによって、図中Ｙ方向に沿って配列された露光領域３
９ａ〜３９ｄが形成され、投影光学系３２ｅ〜３２ｇに
よって露光領域３９ａ〜３９ｄとは異なる位置にＹ方向
に沿って配列された露光領域３９ｅ〜３９ｇが形成され
る。これらの露光領域３９ａ〜３９ｇは、視野領域３８
ａ〜３８ｇの等倍の正立像である。
【００１８】図４は、本発明による視野絞り位置の測定
手段を設けた投影光学系の一例を示す概略図であり、図
１の投影光学系１１に相当するものである。視野絞り４
５の装置を測定する際には、スリット２０ａが設けられ
たスリット板２０をマスクテーブル上に設置する。スリ
ット板２０が載置されたマスクテーブルは、コントロー
ラ５２の制御下におかれた駆動制御部５４によって駆動
されるマスクテーブル駆動機構５５によって移動走査さ
れる。スリット板２０のスリット２０ａの位置は、マス
クテーブルに固定された移動鏡５７ａからの反射光を受
けるレーザ干渉計５７によってモニタされており、この
モニタ出力はコントローラ５２に与えられる。
手段を設けた投影光学系の一例を示す概略図であり、図
１の投影光学系１１に相当するものである。視野絞り４
５の装置を測定する際には、スリット２０ａが設けられ
たスリット板２０をマスクテーブル上に設置する。スリ
ット板２０が載置されたマスクテーブルは、コントロー
ラ５２の制御下におかれた駆動制御部５４によって駆動
されるマスクテーブル駆動機構５５によって移動走査さ
れる。スリット板２０のスリット２０ａの位置は、マス
クテーブルに固定された移動鏡５７ａからの反射光を受
けるレーザ干渉計５７によってモニタされており、この
モニタ出力はコントローラ５２に与えられる。
【００１９】また、視野絞り４５は、コントローラ５２
の制御下におかれた駆動制御部５４によって駆動される
視野絞り駆動機構５６によって移動可能である。視野絞
り４５の位置は、視野絞り４５を載置したテーブルに固
定された移動鏡５８ａからの反射光を受けるレーザ干渉
計５８によってモニタされており、このモニタ出力はコ
ントローラ５２に与えられる。光源２からの照明光は、
スリット板２０のスリット２０ａを通して視野絞り４５
を有する投影光学系１１に入射する。投影光学系１１の
出射側には、ＳＰＤ（シリコン・フォト・ダイオード）
等の受光センサ５０が配置されており、スリット２０ａ
及び投影光学系１１内の視野絞り４５の開口部４５ａを
通過した照明光は受光センサ５０で受光される。受光セ
ンサ５０からの受光信号は、光電変換器５１によって電
気信号に変換されたのち、コントローラ５２によって制
御される信号処理部５３に出力される。
の制御下におかれた駆動制御部５４によって駆動される
視野絞り駆動機構５６によって移動可能である。視野絞
り４５の位置は、視野絞り４５を載置したテーブルに固
定された移動鏡５８ａからの反射光を受けるレーザ干渉
計５８によってモニタされており、このモニタ出力はコ
ントローラ５２に与えられる。光源２からの照明光は、
スリット板２０のスリット２０ａを通して視野絞り４５
を有する投影光学系１１に入射する。投影光学系１１の
出射側には、ＳＰＤ（シリコン・フォト・ダイオード）
等の受光センサ５０が配置されており、スリット２０ａ
及び投影光学系１１内の視野絞り４５の開口部４５ａを
通過した照明光は受光センサ５０で受光される。受光セ
ンサ５０からの受光信号は、光電変換器５１によって電
気信号に変換されたのち、コントローラ５２によって制
御される信号処理部５３に出力される。
【００２０】次に、視野絞り４５の位置の測定方法の具
体例について説明する。 （第１の方法）第１の方法は、スリット板２０のスリッ
ト２０ａの形状を十分に小さい点とみなし、このスリッ
ト２０ａを視野絞り４５側を固定としてスキャンさせ、
視野絞り４５の位置を測定するものである。スリット板
２０のスリット２０ａの位置は、レーザ干渉計５７によ
ってモニタされている。スリット２０ａをマスクテーブ
ル駆動機構５５の駆動によってＸ方向（露光時のスキャ
ン方向）にスキャンし、図５のに示すように、受光セ
ンサ５０の出力が変化する位置を検出する。この受光セ
ンサ５０の出力変化は、スリット２０ａを透過した光が
視野絞り４５の開口部４５ａのエッジを横切ったことに
よるものであり、このときレーザ干渉計５７によって求
められるスリット２０ａの位置から視野絞り４５の開口
部４５ａのエッジ位置が求められる。そして、検出され
た位置を図５に示す理想の視野絞りエッジ位置と比
較することにより視野絞り４５の開口部４５ａのエッジ
位置のずれ量が検出される。
体例について説明する。 （第１の方法）第１の方法は、スリット板２０のスリッ
ト２０ａの形状を十分に小さい点とみなし、このスリッ
ト２０ａを視野絞り４５側を固定としてスキャンさせ、
視野絞り４５の位置を測定するものである。スリット板
２０のスリット２０ａの位置は、レーザ干渉計５７によ
ってモニタされている。スリット２０ａをマスクテーブ
ル駆動機構５５の駆動によってＸ方向（露光時のスキャ
ン方向）にスキャンし、図５のに示すように、受光セ
ンサ５０の出力が変化する位置を検出する。この受光セ
ンサ５０の出力変化は、スリット２０ａを透過した光が
視野絞り４５の開口部４５ａのエッジを横切ったことに
よるものであり、このときレーザ干渉計５７によって求
められるスリット２０ａの位置から視野絞り４５の開口
部４５ａのエッジ位置が求められる。そして、検出され
た位置を図５に示す理想の視野絞りエッジ位置と比
較することにより視野絞り４５の開口部４５ａのエッジ
位置のずれ量が検出される。
【００２１】ここで、視野絞り４５の開口部４５ａが、
図６に示すように台形状である場合について考えると、
走査露光時のスキャン方向であるＸ方向と、Ｘ，Ｙ平面
上での回転方向であるθ方向のずれ量は次のようにして
求められる。図６に示す視野絞りの開口部４５ａに対し
て、Ｙ方向に距離Ｌだけ離れたＡ点とＢ点の計測を行な
った場合を考える。このとき、図７に示すように、Ａ点
でのＸ方向のずれ量の計測値がＸａであり、Ｂ点でのＸ
方向のずれ量の計測値がＸｂであるとすると、視野絞り
４５のＸ方向のずれ量Ｘと回転方向のずれ量θは、θが
十分小さいという条件下で、それぞれ以下の式で求める
ことができる。
図６に示すように台形状である場合について考えると、
走査露光時のスキャン方向であるＸ方向と、Ｘ，Ｙ平面
上での回転方向であるθ方向のずれ量は次のようにして
求められる。図６に示す視野絞りの開口部４５ａに対し
て、Ｙ方向に距離Ｌだけ離れたＡ点とＢ点の計測を行な
った場合を考える。このとき、図７に示すように、Ａ点
でのＸ方向のずれ量の計測値がＸａであり、Ｂ点でのＸ
方向のずれ量の計測値がＸｂであるとすると、視野絞り
４５のＸ方向のずれ量Ｘと回転方向のずれ量θは、θが
十分小さいという条件下で、それぞれ以下の式で求める
ことができる。
【００２２】Ｘ＝（Ｘａ＋Ｘｂ）／２ θ＝（Ｘａ−Ｘｂ）／Ｌ また、Ｙ方向のずれ量は、図６に示すＣ点でのＹ方向の
計測値のずれ量となる。このような測定結果に基づき、
視野絞り４５の位置を補正するには、例えば図１１に示
すように、Ｘ，Ｙ方向のずれ量を零とする方向にバネ６
０の付勢力に抗して視野絞り駆動機構５６からｘ，ｙ
１，ｙ２の力を加えればよい。
計測値のずれ量となる。このような測定結果に基づき、
視野絞り４５の位置を補正するには、例えば図１１に示
すように、Ｘ，Ｙ方向のずれ量を零とする方向にバネ６
０の付勢力に抗して視野絞り駆動機構５６からｘ，ｙ
１，ｙ２の力を加えればよい。
【００２３】次に、視野絞りのフォーカス方向（Ｚ方
向）のずれ量の測定方法について説明する。まず、視野
絞り４５全体をフォーカス方向（Ｚ方向）に移動させ、
このフォーカス方向における何点かにおいて、例えば図
６のＡ点でのスリット２０ａのＸ方向スキャンを行なわ
せる。このとき、視野絞り４５のフォーカス方向（Ｚ方
向）での位置にずれがあると、視野絞り４５の開口部４
５ａのエッジ部分に回析現象によって光のにじみが発生
するため、そのにじみ量をフォーカス方向（Ｚ方向）の
何点かの位置で測定すれば、フォーカス方向（Ｚ方向）
のずれ量を知ることができる。
向）のずれ量の測定方法について説明する。まず、視野
絞り４５全体をフォーカス方向（Ｚ方向）に移動させ、
このフォーカス方向における何点かにおいて、例えば図
６のＡ点でのスリット２０ａのＸ方向スキャンを行なわ
せる。このとき、視野絞り４５のフォーカス方向（Ｚ方
向）での位置にずれがあると、視野絞り４５の開口部４
５ａのエッジ部分に回析現象によって光のにじみが発生
するため、そのにじみ量をフォーカス方向（Ｚ方向）の
何点かの位置で測定すれば、フォーカス方向（Ｚ方向）
のずれ量を知ることができる。
【００２４】そこで、視野絞り４５をフォーカス方向
（Ｚ方向）に適当な間隔でＺ１，Ｚ２，Ｚ３とステップ
させ、スリット２０ａを図６のＡ点でＸ方向スキャンさ
せたとき、図８に示すような光量分布が得られたとす
る。視野絞り４５が理想的なＺ方向位置にあれば、図８
（ｄ）に示すように、スリット２０ａが視野絞り４５の
開口部エッジを横切るとき、受光センサ５０の受光量が
急激な立ち上がりを示し、光量分布におけるにじみ量は
ほぼ零となる。
（Ｚ方向）に適当な間隔でＺ１，Ｚ２，Ｚ３とステップ
させ、スリット２０ａを図６のＡ点でＸ方向スキャンさ
せたとき、図８に示すような光量分布が得られたとす
る。視野絞り４５が理想的なＺ方向位置にあれば、図８
（ｄ）に示すように、スリット２０ａが視野絞り４５の
開口部エッジを横切るとき、受光センサ５０の受光量が
急激な立ち上がりを示し、光量分布におけるにじみ量は
ほぼ零となる。
【００２５】これに対し、図８（ａ）に示す位置Ｚ１で
の測定結果は、にじみ量Ｘ１が大きく、視野絞りのＺ方
向位置が理想位置からずれていることを示す。図８
（ｂ）に示すＺ２位置での測定結果は、にじみがあるが
そのにじみ量Ｘ２が図８（ａ）の場合のにじみ量Ｘ１よ
り小さく、Ｚ１よりＺ２の方が理想のＺ位置に近いこと
がわかる。図８（ｃ）に示すＺ３位置での測定結果は、
にじみ量Ｘ３がにじみ量Ｘ２より大きくなっており、視
野絞り４５のＺ位置をＺ２からＺ３へステップさせたと
き理想のＺ位置を越えてしまったこと、すなわち理想の
Ｚ位置はＺ２とＺ３の間にあることが分かる。
の測定結果は、にじみ量Ｘ１が大きく、視野絞りのＺ方
向位置が理想位置からずれていることを示す。図８
（ｂ）に示すＺ２位置での測定結果は、にじみがあるが
そのにじみ量Ｘ２が図８（ａ）の場合のにじみ量Ｘ１よ
り小さく、Ｚ１よりＺ２の方が理想のＺ位置に近いこと
がわかる。図８（ｃ）に示すＺ３位置での測定結果は、
にじみ量Ｘ３がにじみ量Ｘ２より大きくなっており、視
野絞り４５のＺ位置をＺ２からＺ３へステップさせたと
き理想のＺ位置を越えてしまったこと、すなわち理想の
Ｚ位置はＺ２とＺ３の間にあることが分かる。
【００２６】このような測定結果から、視野絞り４５の
開口部４５の点Ａの理想的な位置ＺａとＺ１，Ｚ３の関
係は、にじみ量Ｘ１，Ｘ３を用いて図９のように表わす
ことができ、理想的な位置Ｚａは、次式で表わされる。
開口部４５の点Ａの理想的な位置ＺａとＺ１，Ｚ３の関
係は、にじみ量Ｘ１，Ｘ３を用いて図９のように表わす
ことができ、理想的な位置Ｚａは、次式で表わされる。
【００２７】 Ｘ１／（Ｚａ−Ｚ１）＝Ｘ３／（Ｚ３−Ｚａ） ∴Ｚａ＝（Ｘ１・Ｚ３＋Ｘ３・Ｚ１）／（Ｘ１＋Ｘ３） このような測定を、図６におけるＢ点、Ｃ点でそれぞれ
実施することにより、それぞれのフォーカス方向の理想
位置であるＺｂ，Ｚｃを測定することができ、チルト
（Ｘ軸中心の回転成分、Ｙ軸中心の回転成分）のずれも
測定することができる。
実施することにより、それぞれのフォーカス方向の理想
位置であるＺｂ，Ｚｃを測定することができ、チルト
（Ｘ軸中心の回転成分、Ｙ軸中心の回転成分）のずれも
測定することができる。
【００２８】この測定結果に基づき、視野絞り４５のフ
ォーカス方向の位置を補正する場合には、例えば図１２
に示すように、開口部６３を有する支持プレート６２上
に、ピエゾ素子６１等のような駆動素子を設け、ピエゾ
素子６１を測定結果に応じて視野絞り４５の開口部のエ
ッジ上の点Ａ，Ｂ，Ｃにおけるずれ量がそれぞれ零とな
る方向へ駆動することで、視野絞り４５のフォーカス方
向の位置ずれを補正することができる。
ォーカス方向の位置を補正する場合には、例えば図１２
に示すように、開口部６３を有する支持プレート６２上
に、ピエゾ素子６１等のような駆動素子を設け、ピエゾ
素子６１を測定結果に応じて視野絞り４５の開口部のエ
ッジ上の点Ａ，Ｂ，Ｃにおけるずれ量がそれぞれ零とな
る方向へ駆動することで、視野絞り４５のフォーカス方
向の位置ずれを補正することができる。
【００２９】（第２の方法）第１の方法は、スリット板
２０のスリット２０ａをスキャンさせて固定した視野絞
りの開口部のエッジ位置を測定する方法であるが、スリ
ット板２０の位置を固定して図１の視野絞り駆動機構５
６により視野絞り４５の開口部４５ａ側をスキャンさせ
ることでも視野絞り４５の開口部４５ａのエッジ位置を
測定することができる。このとき、スリット板２０のス
リット２０ａを透過した光線が視野絞り４５の位置で、
視野絞り４５の開口部４５ａの設計上のエッジ位置を通
るように設定しておくことにより、視野絞り４５のずれ
量の測定と共に、視野絞り４５の位置補正が１工程で行
なわれるため、第１の方法に比べて位置補正に要する時
間を短縮することができる。
２０のスリット２０ａをスキャンさせて固定した視野絞
りの開口部のエッジ位置を測定する方法であるが、スリ
ット板２０の位置を固定して図１の視野絞り駆動機構５
６により視野絞り４５の開口部４５ａ側をスキャンさせ
ることでも視野絞り４５の開口部４５ａのエッジ位置を
測定することができる。このとき、スリット板２０のス
リット２０ａを透過した光線が視野絞り４５の位置で、
視野絞り４５の開口部４５ａの設計上のエッジ位置を通
るように設定しておくことにより、視野絞り４５のずれ
量の測定と共に、視野絞り４５の位置補正が１工程で行
なわれるため、第１の方法に比べて位置補正に要する時
間を短縮することができる。
【００３０】（第３の方法）第１及び第２の方法では、
スリット板２０のスリット２０ａ又は視野絞り４５の開
口部４５ａの形状を十分に小さい点とみなした場合につ
いて説明したが、受光センサ５０の位置で十分な光量を
得ると共に、電気的なノイズや迷光の影響を避けるため
には、図１０に示すように、スリット板２０に設けるス
リット２０ａの形状を視野絞り４５の開口部４５ａの形
状に合わせた形状とすることが好ましい。図１０（ａ）
は、視野絞り４５の開口部４５ａのが台形状である場合
の例であり、この場合スリット板２０のスリット２０ａ
のＸ向測定用スリット２０ａｘを、視野絞り開口部４５
ａのＸ方向エッジ４５ａｘに対して平行となる細長い形
状とする。また、スリット板２０のスリット２０ａのＹ
方向測定用スリット２０ａｙは、視野絞り開口部４５ａ
のＹ方向エッジ４５ａｙに対して平行となる細長い形状
とする。
スリット板２０のスリット２０ａ又は視野絞り４５の開
口部４５ａの形状を十分に小さい点とみなした場合につ
いて説明したが、受光センサ５０の位置で十分な光量を
得ると共に、電気的なノイズや迷光の影響を避けるため
には、図１０に示すように、スリット板２０に設けるス
リット２０ａの形状を視野絞り４５の開口部４５ａの形
状に合わせた形状とすることが好ましい。図１０（ａ）
は、視野絞り４５の開口部４５ａのが台形状である場合
の例であり、この場合スリット板２０のスリット２０ａ
のＸ向測定用スリット２０ａｘを、視野絞り開口部４５
ａのＸ方向エッジ４５ａｘに対して平行となる細長い形
状とする。また、スリット板２０のスリット２０ａのＹ
方向測定用スリット２０ａｙは、視野絞り開口部４５ａ
のＹ方向エッジ４５ａｙに対して平行となる細長い形状
とする。
【００３１】このように、Ｘ方向測定用スリット２０ａ
ｘ及びＹ方向測定用スリット２０ａｙをそれぞれの測定
対象であるエッジ４５ａｘ及び４５ａｙに対して平行と
なる細長い形状とすることで、スリットを透過する光量
を増大することができ、十分なＳ／Ｎ比を得ることがで
きる。また、図１０（ｂ）は、視野絞り４５の開口部４
５ａが六角形状である場合の例であり、この場合にも上
記と同様に、スリット板２０のＸ方向測定用スリット２
０ａｘを視野絞り開口部４５ａのＸ方向エッジ４５ａｘ
に対して平行な細長い形状とし、スリット板２０のＹ方
向測定用スリット２０ａｙを視野絞り開口部４５ａのＹ
方向エッジ４５ａｙに対して平行な細長い形状とするこ
とで、スリットを透過する光量を増大し、十分なＳ／Ｎ
比を得ることができる。
ｘ及びＹ方向測定用スリット２０ａｙをそれぞれの測定
対象であるエッジ４５ａｘ及び４５ａｙに対して平行と
なる細長い形状とすることで、スリットを透過する光量
を増大することができ、十分なＳ／Ｎ比を得ることがで
きる。また、図１０（ｂ）は、視野絞り４５の開口部４
５ａが六角形状である場合の例であり、この場合にも上
記と同様に、スリット板２０のＸ方向測定用スリット２
０ａｘを視野絞り開口部４５ａのＸ方向エッジ４５ａｘ
に対して平行な細長い形状とし、スリット板２０のＹ方
向測定用スリット２０ａｙを視野絞り開口部４５ａのＹ
方向エッジ４５ａｙに対して平行な細長い形状とするこ
とで、スリットを透過する光量を増大し、十分なＳ／Ｎ
比を得ることができる。
【００３２】（第４の方法）第１〜第３の方法では、ス
リット板２０のスリット２０ａ又は視野絞り４５をスキ
ャンさせて視野絞り４５のずれ量を測定する場合につい
て説明したが、このようなスキャンを行なうことなくず
れ量を求めることもできる。すなわち、スリット板２０
又は視野絞り４５の位置をステップ的に何カ所かに移動
させ、その各位置でのＸ方向、Ｙ方向及びフォーカス方
向の測定（サンプリング）を行なうことにより、視野絞
り４５のずれ量を測定することができる。この方法によ
れば、上記のスキャンによる速度ムラや、センサの応答
時間及び測定時のサンプリング時間等を考慮する必要が
なく、簡便な方法である。
リット板２０のスリット２０ａ又は視野絞り４５をスキ
ャンさせて視野絞り４５のずれ量を測定する場合につい
て説明したが、このようなスキャンを行なうことなくず
れ量を求めることもできる。すなわち、スリット板２０
又は視野絞り４５の位置をステップ的に何カ所かに移動
させ、その各位置でのＸ方向、Ｙ方向及びフォーカス方
向の測定（サンプリング）を行なうことにより、視野絞
り４５のずれ量を測定することができる。この方法によ
れば、上記のスキャンによる速度ムラや、センサの応答
時間及び測定時のサンプリング時間等を考慮する必要が
なく、簡便な方法である。
【００３３】
【発明の効果】本発明によると、測定手段によって投影
光学系の視野絞りの位置を測定することにより、視野絞
りの位置を把握することが可能となるため、視野絞りの
位置を適正位置に補正することで、走査露光時における
複数の投影光学系間の継ぎ部での露光量を一定にするこ
とができ、露光ムラの発生を防止することができる。
光学系の視野絞りの位置を測定することにより、視野絞
りの位置を把握することが可能となるため、視野絞りの
位置を適正位置に補正することで、走査露光時における
複数の投影光学系間の継ぎ部での露光量を一定にするこ
とができ、露光ムラの発生を防止することができる。
【図１】本発明による走査型露光装置を示す概略図。
【図２】複数の小型投影光学系を継ぎ合わせた投影光学
系を示す斜視図。
系を示す斜視図。
【図３】投影光学系のレンズ構成図。
【図４】本発明による視野絞り位置測定手段を備える投
影光学系を示す概略図。
影光学系を示す概略図。
【図５】視野絞りの位置測定を説明する図。
【図６】視野絞りの開口部と測定用スリットの位置関係
を示す説明図。
を示す説明図。
【図７】視野絞りの位置測定方法を示す説明図。
【図８】視野絞りのＺ方向位置測定方法を説明する図。
【図９】視野絞りのＺ方向位置測定方法を説明する図。
【図１０】視野絞りの位置測定用のスリット形状を示す
図。
図。
【図１１】視野絞り駆動機構の一例を示す斜視図。
【図１２】視野絞り駆動機構の一例を示す断面図。
【図１３】六角形の視野絞りによる露光領域を示す説明
図。
図。
【図１４】台形状の視野絞りによる露光領域を示す説明
図。
図。
【図１５】視野絞りが正常な状態と位置ずれした状態の
露光状態を示す説明図。
露光状態を示す説明図。
２…光源、１０…マスク、１１…投影光学系、２０…ス
リット板、２０ａ…スリット、４５…視野絞り、４５ａ
…開口部、５０…受光センサ、５１…光電変換器、５２
…コントローラ、５３…信号処理部、５４…駆動制御
部、５５…マスクテーブル駆動機構、５６…視野絞り駆
動機構、５７，５８…レーザ干渉計、５７ａ，５８ａ…
移動鏡、６１…ピエゾ素子
リット板、２０ａ…スリット、４５…視野絞り、４５ａ
…開口部、５０…受光センサ、５１…光電変換器、５２
…コントローラ、５３…信号処理部、５４…駆動制御
部、５５…マスクテーブル駆動機構、５６…視野絞り駆
動機構、５７，５８…レーザ干渉計、５７ａ，５８ａ…
移動鏡、６１…ピエゾ素子
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｇ０３Ｆ 7/20 Ｇ０３Ｆ 7/20 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５０２Ｇ
Claims (8)
- 【請求項１】 マスクを保持するマスクステージと、基
板を保持する基板ステージと、前記マスク上の複数の照
明領域を照明する照明光学系と、前記複数の照明領域の
像を前記基板上に各々投影する複数の投影光学系と、前
記マスクステージと前記基板ステージとを前記投影光学
系に対して同期して走査する走査手段と、前記各投影光
学系内に配置された視野絞りとを含み、前記複数の照明
領域の像を基板上で継ぎ合わせて露光する走査型露光装
置において、 前記視野絞りの位置を測定する測定手段を備えることを
特徴とする走査型露光装置。 - 【請求項２】 前記測定手段は前記マスクステージに保
持されるスリットと、前記基板ステージに設置される光
検出器とを備えることを特徴とする請求項１記載の走査
型露光装置。 - 【請求項３】 前記スリットは前記視野絞りの形状に合
わせた形状を有することを特徴とする請求項２記載の走
査型露光装置。 - 【請求項４】 マスク上の複数の照明領域を各々視野絞
りを有する複数の投影光学系を介して基板上で継ぎ合わ
せて露光する露光装置の前記視野絞りの位置を測定する
方法において、 前記マスクの位置に配置したスリットを前記視野絞りに
対して移動させ、前記基板上で検出される光量と前記ス
リットの位置との関係から前記視野絞りの位置を検出す
ることを特徴とする視野絞り位置の測定方法。 - 【請求項５】 複数の位置で前記スリットを停止させて
光量検出を行うことを特徴とする請求項４記載の視野絞
り位置の測定方法。 - 【請求項６】 マスク上の複数の照明領域を各々視野絞
りを有する複数の投影光学系を介して基板上で継ぎ合わ
せて露光する露光装置の前記視野絞りの位置を測定する
方法において、 前記マスクの位置にスリットを配置して前記視野絞りを
移動させ、前記基板上で検出される光量と前記視野絞り
の位置との関係から前記視野絞りの位置を検出すること
を特徴とする視野絞り位置の測定方法。 - 【請求項７】 複数の位置で視野絞りを停止させて光量
検出を行うことを特徴とする請求項６記載の視野絞り位
置の測定方法。 - 【請求項８】 前記スリットの形状を前記視野絞りの形
状に合わせた形とすることを特徴とする請求項４〜７の
いずれか１項記載の視野絞り位置の測定方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10023096A JPH11219892A (ja) | 1998-02-04 | 1998-02-04 | 走査型露光装置及びその視野絞り位置の測定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10023096A JPH11219892A (ja) | 1998-02-04 | 1998-02-04 | 走査型露光装置及びその視野絞り位置の測定方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11219892A true JPH11219892A (ja) | 1999-08-10 |
Family
ID=12100924
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10023096A Pending JPH11219892A (ja) | 1998-02-04 | 1998-02-04 | 走査型露光装置及びその視野絞り位置の測定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11219892A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002319530A (ja) * | 2001-04-20 | 2002-10-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 露光装置、及び露光方法 |
| JP2008270568A (ja) * | 2007-04-20 | 2008-11-06 | Canon Inc | 露光装置及びデバイス製造方法 |
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