JPH11191543A - シリコンウエーハの保管用水及び保管する方法 - Google Patents
シリコンウエーハの保管用水及び保管する方法Info
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- JPH11191543A JPH11191543A JP36704997A JP36704997A JPH11191543A JP H11191543 A JPH11191543 A JP H11191543A JP 36704997 A JP36704997 A JP 36704997A JP 36704997 A JP36704997 A JP 36704997A JP H11191543 A JPH11191543 A JP H11191543A
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 シリコンウエーハを水中で保管する場合に、
シリコンウエーハの保管用水からのＣｕ汚染に起因した
酸化膜耐圧不良を防止する。 【解決手段】 シリコンウエーハを水中で保管する場合
に使用される保管用水であって、Ｃｕ濃度が０．０１pp
b 以下であることを特徴とする、シリコンウエーハの保
管用水と、シリコンウエーハを水中で保管する方法にお
いて、Ｃｕ濃度が０．０１ppb 以下の保管用水を使用す
ることを特徴とする、シリコンウエーハを水中で保管す
る方法。
シリコンウエーハの保管用水からのＣｕ汚染に起因した
酸化膜耐圧不良を防止する。 【解決手段】 シリコンウエーハを水中で保管する場合
に使用される保管用水であって、Ｃｕ濃度が０．０１pp
b 以下であることを特徴とする、シリコンウエーハの保
管用水と、シリコンウエーハを水中で保管する方法にお
いて、Ｃｕ濃度が０．０１ppb 以下の保管用水を使用す
ることを特徴とする、シリコンウエーハを水中で保管す
る方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、シリコンウエーハ
を水中で保管する場合において、使用される保管用水及
び保管方法に係り、特に研磨直後のウエーハを水中保管
する場合に使用される保管用水及び保管方法に関する。
を水中で保管する場合において、使用される保管用水及
び保管方法に係り、特に研磨直後のウエーハを水中保管
する場合に使用される保管用水及び保管方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に半導体ウエーハの製造方法は、単
結晶インゴットをスライスして薄円板状のウエーハを得
るスライス工程と、該スライス工程によって得られたウ
エーハの割れ、欠けを防止するためにその外周部を面取
りする面取り工程と、このウエーハを平面化するラッピ
ング工程と、面取り及びラッピングされたウエーハに残
留する加工歪みを除去するエッチング工程と、このウエ
ーハ表面を鏡面化する研磨（ポリッシング）工程と、研
磨されたウエーハを洗浄してこれに付着した研磨剤や異
物を除去する洗浄工程が行われる。
結晶インゴットをスライスして薄円板状のウエーハを得
るスライス工程と、該スライス工程によって得られたウ
エーハの割れ、欠けを防止するためにその外周部を面取
りする面取り工程と、このウエーハを平面化するラッピ
ング工程と、面取り及びラッピングされたウエーハに残
留する加工歪みを除去するエッチング工程と、このウエ
ーハ表面を鏡面化する研磨（ポリッシング）工程と、研
磨されたウエーハを洗浄してこれに付着した研磨剤や異
物を除去する洗浄工程が行われる。
【０００３】上記工程は、主な工程を示したもので、他
に熱処理工程等の工程が加わったり、工程順が入れ換え
られたりするが、それぞれの工程間には次工程に送るま
での一時的な保管が必要な場合が有り、そのシリコンの
状態に適した方法で行われる必要がある。
に熱処理工程等の工程が加わったり、工程順が入れ換え
られたりするが、それぞれの工程間には次工程に送るま
での一時的な保管が必要な場合が有り、そのシリコンの
状態に適した方法で行われる必要がある。
【０００４】例えば、研磨工程後のウエーハは、次工程
に洗浄工程があり、この工程に送られるまでの待ち時間
には水中で保管されることがある。これは、ウエ−ハを
大気中に放置したのでは、研磨スラリーの乾燥に起因し
たスラリーの固着が発生し、次工程の洗浄で除去するこ
とが困難となるためである。
に洗浄工程があり、この工程に送られるまでの待ち時間
には水中で保管されることがある。これは、ウエ−ハを
大気中に放置したのでは、研磨スラリーの乾燥に起因し
たスラリーの固着が発生し、次工程の洗浄で除去するこ
とが困難となるためである。
【０００５】また、このウエーハの水中保管ではパーテ
ィクル除去能の向上等を目的として、水中に界面活性剤
が添加されることもある。この場合、界面活性剤の濃度
を一定に保つため、ウエーハは溜め水（以下ピット水と
いうことがある）に浸漬した状態で保管されるのが通例
である。
ィクル除去能の向上等を目的として、水中に界面活性剤
が添加されることもある。この場合、界面活性剤の濃度
を一定に保つため、ウエーハは溜め水（以下ピット水と
いうことがある）に浸漬した状態で保管されるのが通例
である。
【０００６】そして、一般的にこのシリコンウエーハの
保管に用いられる水はウエーハを汚染しないように超純
水を使用している。
保管に用いられる水はウエーハを汚染しないように超純
水を使用している。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ところで、ウエーハ表
面に不純物、特に重金属が吸着したまま、熱処理を施す
と、不純物がデバイスの電気的特性に悪影響を及ぼすこ
とは知られている。その為、熱処理前にこのような不純
物を除去するための洗浄工程が設置されるのが普通であ
る。
面に不純物、特に重金属が吸着したまま、熱処理を施す
と、不純物がデバイスの電気的特性に悪影響を及ぼすこ
とは知られている。その為、熱処理前にこのような不純
物を除去するための洗浄工程が設置されるのが普通であ
る。
【０００８】従って、洗浄液中の汚染状況および洗浄工
程後のシリコンウエーハ表面等の汚染状況を把握するこ
とは、きわめて重要であり、従来より研究されていると
ころである。
程後のシリコンウエーハ表面等の汚染状況を把握するこ
とは、きわめて重要であり、従来より研究されていると
ころである。
【０００９】しかし、これは洗浄前の工程で付着したも
のを除去する時の話であり、洗浄前の工程で汚染された
ものを、この洗浄で除去し、あるいは洗浄中に汚染され
ないようにし、清浄な表面を有するシリコンウエーハを
得るものである。
のを除去する時の話であり、洗浄前の工程で汚染された
ものを、この洗浄で除去し、あるいは洗浄中に汚染され
ないようにし、清浄な表面を有するシリコンウエーハを
得るものである。
【００１０】ところが、上記洗浄工程の汚染濃度を管理
し、洗浄を行って清浄な表面を有するシリコンウエーハ
を得ても最終的なウエーハで酸化膜耐圧不良が発生する
ことがある。
し、洗浄を行って清浄な表面を有するシリコンウエーハ
を得ても最終的なウエーハで酸化膜耐圧不良が発生する
ことがある。
【００１１】この酸化膜耐圧不良は、一般に、金属汚染
を受けたウエーハで、その金属がウエーハに残った場
合、耐圧劣化が発生することが知られている。そこで、
洗浄後のシリコンウエーハ表面の金属不純物分析を行
い、その分析値と酸化膜耐圧不良が発生したウエーハと
の相関調査を行ったが、不良ウエーハと良品ウエーハと
の間に顕著な差は見られなかった。つまり酸化膜耐圧不
良が発生した不良ウエーハも洗浄はきちんと行われてお
り、不純物は除去されている事が分かった。
を受けたウエーハで、その金属がウエーハに残った場
合、耐圧劣化が発生することが知られている。そこで、
洗浄後のシリコンウエーハ表面の金属不純物分析を行
い、その分析値と酸化膜耐圧不良が発生したウエーハと
の相関調査を行ったが、不良ウエーハと良品ウエーハと
の間に顕著な差は見られなかった。つまり酸化膜耐圧不
良が発生した不良ウエーハも洗浄はきちんと行われてお
り、不純物は除去されている事が分かった。
【００１２】そこで、本発明者がこのような耐圧不良の
発生原因を解析した結果、この不良原因が、洗浄前の工
程でのシリコンウエーハの保管方法にあることが判っ
た。特に、保管用水のＣｕ濃度が０．０１ppb よりも高
い場合に、この水に研磨直後の疎水性面を有するシリコ
ンウエーハを保管すると、その後このウエーハに熱酸化
を施したときの酸化膜品質の劣化が著しいことが判明し
た。
発生原因を解析した結果、この不良原因が、洗浄前の工
程でのシリコンウエーハの保管方法にあることが判っ
た。特に、保管用水のＣｕ濃度が０．０１ppb よりも高
い場合に、この水に研磨直後の疎水性面を有するシリコ
ンウエーハを保管すると、その後このウエーハに熱酸化
を施したときの酸化膜品質の劣化が著しいことが判明し
た。
【００１３】本発明は、このような問題点に鑑みなされ
たもので、保管中の汚染を防止し、酸化膜耐圧不良の発
生を防止する、シリコンウエーハの保管用水及び保管方
法を提供することを主目的とするものである。
たもので、保管中の汚染を防止し、酸化膜耐圧不良の発
生を防止する、シリコンウエーハの保管用水及び保管方
法を提供することを主目的とするものである。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するためになされたもので、本発明の請求項１に記載
した発明は、シリコンウエーハを水中で保管する場合に
使用される保管用水であって、Ｃｕ濃度が０．０１ppb
以下であることを特徴とするシリコンウエーハの保管用
水である。
決するためになされたもので、本発明の請求項１に記載
した発明は、シリコンウエーハを水中で保管する場合に
使用される保管用水であって、Ｃｕ濃度が０．０１ppb
以下であることを特徴とするシリコンウエーハの保管用
水である。
【００１５】このように保管用水のＣｕ濃度を０．０１
ppb 以下とすることにより、シリコンウエーハを水中で
保管した場合における、ウエーハへのＣｕイオンの影響
を無くし、その後シリコンウエーハに熱酸化が施された
ときの酸化膜品質の劣化を防ぐことができる。
ppb 以下とすることにより、シリコンウエーハを水中で
保管した場合における、ウエーハへのＣｕイオンの影響
を無くし、その後シリコンウエーハに熱酸化が施された
ときの酸化膜品質の劣化を防ぐことができる。
【００１６】そして、本発明の請求項２に記載した発明
は、シリコンウエーハを水中で保管する場合に使用され
る保管用水であって、Ｃｕ濃度が０．０１ppb 以下であ
り、界面活性剤が添加されていることを特徴とする、シ
リコンウエーハの保管用水である。
は、シリコンウエーハを水中で保管する場合に使用され
る保管用水であって、Ｃｕ濃度が０．０１ppb 以下であ
り、界面活性剤が添加されていることを特徴とする、シ
リコンウエーハの保管用水である。
【００１７】このように保管用水に界面活性剤を添加し
ても、保管用水全体に含まれるＣｕ濃度を０．０１ppb
以下とすることにより、酸化膜耐圧不良の発生を防止す
ることができ、また保管用水に界面活性剤を添加するこ
とにより、パーティクル除去能等を向上させることがで
きる。
ても、保管用水全体に含まれるＣｕ濃度を０．０１ppb
以下とすることにより、酸化膜耐圧不良の発生を防止す
ることができ、また保管用水に界面活性剤を添加するこ
とにより、パーティクル除去能等を向上させることがで
きる。
【００１８】また、本発明の請求項３に記載した発明
は、シリコンウエーハを水中で保管する方法において、
Ｃｕ濃度が０．０１ppb 以下の保管用水を使用すること
を特徴とする、シリコンウエーハを水中で保管する方法
である。
は、シリコンウエーハを水中で保管する方法において、
Ｃｕ濃度が０．０１ppb 以下の保管用水を使用すること
を特徴とする、シリコンウエーハを水中で保管する方法
である。
【００１９】このように、Ｃｕ濃度が０．０１ppb 以下
の保管用水を使用して、シリコンウエーハを水中で保管
することにより、ウエーハを大気中に放置した場合にお
けるスラリー等の固着の発生を防ぎ、なおかつ保管中の
汚染も防ぎ酸化膜耐圧不良の発生も防止することができ
る。
の保管用水を使用して、シリコンウエーハを水中で保管
することにより、ウエーハを大気中に放置した場合にお
けるスラリー等の固着の発生を防ぎ、なおかつ保管中の
汚染も防ぎ酸化膜耐圧不良の発生も防止することができ
る。
【００２０】さらに、本発明の請求項４に記載した発明
は、シリコンウエーハを水中で保管する方法において、
Ｃｕ濃度が０．０１ppb 以下であり、界面活性剤が添加
された保管用水を使用することを特徴とする、シリコン
ウエーハを水中で保管する方法である。
は、シリコンウエーハを水中で保管する方法において、
Ｃｕ濃度が０．０１ppb 以下であり、界面活性剤が添加
された保管用水を使用することを特徴とする、シリコン
ウエーハを水中で保管する方法である。
【００２１】このように、Ｃｕ濃度が０．０１ppb 以下
であり、界面活性剤を添加された保管用水を使用するこ
とにより、酸化膜耐圧不良の発生を防ぎ、なおかつパー
ティクルの付着の防止あるいは除去をすることができ
る。この場合、添加された界面活性剤の濃度を一定に保
つために、ウエーハをピット水の状態で保管することが
望ましい。
であり、界面活性剤を添加された保管用水を使用するこ
とにより、酸化膜耐圧不良の発生を防ぎ、なおかつパー
ティクルの付着の防止あるいは除去をすることができ
る。この場合、添加された界面活性剤の濃度を一定に保
つために、ウエーハをピット水の状態で保管することが
望ましい。
【００２２】そして、本発明の請求項５に記載した発明
は、シリコンウエーハを水中で保管する方法において、
シリコンウエーハが疎水性面であることを特徴とする、
請求項３または請求項４に記載したシリコンウエーハを
水中で保管する方法である。
は、シリコンウエーハを水中で保管する方法において、
シリコンウエーハが疎水性面であることを特徴とする、
請求項３または請求項４に記載したシリコンウエーハを
水中で保管する方法である。
【００２３】本発明の請求項３及び請求項４に記載した
シリコンウエーハを水中で保管する方法は、シリコンウ
エーハ表面が親水性面であるか疎水性面であるかを問わ
ず効果を発揮するものであるが、特に請求項５のように
水中保管する前にウエーハ表面に酸化膜を有さない疎水
性面であるシリコンウエーハを水中で保管する場合にお
いて効果が顕著である。
シリコンウエーハを水中で保管する方法は、シリコンウ
エーハ表面が親水性面であるか疎水性面であるかを問わ
ず効果を発揮するものであるが、特に請求項５のように
水中保管する前にウエーハ表面に酸化膜を有さない疎水
性面であるシリコンウエーハを水中で保管する場合にお
いて効果が顕著である。
【００２４】さらに、本発明の請求項６に記載した発明
は、シリコンウエーハを水中で保管する方法において、
シリコンウエーハを研磨した直後に保管することを特徴
とする、請求項３ないし請求項５のいずれか１項に記載
したシリコンウエーハを水中で保管する方法である。
は、シリコンウエーハを水中で保管する方法において、
シリコンウエーハを研磨した直後に保管することを特徴
とする、請求項３ないし請求項５のいずれか１項に記載
したシリコンウエーハを水中で保管する方法である。
【００２５】本発明の請求項３ないし請求項５に記載し
たシリコンウエーハを水中で保管する方法は、研磨した
直後の疎水性面であるシリコンウエーハを水中で保管す
る場合において特に効果を有する。すなわち、シリコン
ウエーハの製造工程で研磨工程が終了した後、研磨直後
のシリコンウエーハを次工程である洗浄工程に送るまで
の待ち時間において、本発明の請求項３ないし請求項５
に記載したシリコンウエーハを水中で保管する方法を使
用することができる。
たシリコンウエーハを水中で保管する方法は、研磨した
直後の疎水性面であるシリコンウエーハを水中で保管す
る場合において特に効果を有する。すなわち、シリコン
ウエーハの製造工程で研磨工程が終了した後、研磨直後
のシリコンウエーハを次工程である洗浄工程に送るまで
の待ち時間において、本発明の請求項３ないし請求項５
に記載したシリコンウエーハを水中で保管する方法を使
用することができる。
【００２６】以下、本発明をさらに詳細に説明するが、
本発明はこれらに限定されるわけではない。本発明者
は、上記のような酸化膜耐圧不良の発生原因を解析した
結果、疎水性面を有するシリコンウエーハとイオン化傾
向がシリコンより小さい金属が共存した場合に問題がで
ることを発見した。このような状態が存在する工程とし
て、特に研磨工程と洗浄工程の工程間において研磨直後
のウエーハを洗浄前に一時的に水中に保管する場合が問
題である事を見出した。
本発明はこれらに限定されるわけではない。本発明者
は、上記のような酸化膜耐圧不良の発生原因を解析した
結果、疎水性面を有するシリコンウエーハとイオン化傾
向がシリコンより小さい金属が共存した場合に問題がで
ることを発見した。このような状態が存在する工程とし
て、特に研磨工程と洗浄工程の工程間において研磨直後
のウエーハを洗浄前に一時的に水中に保管する場合が問
題である事を見出した。
【００２７】また、この時特にＣｕ濃度が０．０１ppb
よりも高い場合、特に問題であり、ウエーハの酸化膜品
質が劣化することが判明した。反対に、Ｃｕの濃度が
０．０１ppb 以下の濃度の保管用水を使用した場合は、
ウエーハの酸化膜品質の劣化は検出されなかった。
よりも高い場合、特に問題であり、ウエーハの酸化膜品
質が劣化することが判明した。反対に、Ｃｕの濃度が
０．０１ppb 以下の濃度の保管用水を使用した場合は、
ウエーハの酸化膜品質の劣化は検出されなかった。
【００２８】なお、酸化膜品質不良発生の原因は明らか
ではないが、保管用水中にＣｕ、特にＣｕイオンがある
と、これがＳｉと電気化学的に反応して析出し、シリコ
ンウエーハ上に欠陥を形成する為と考えられる。この現
象は保管用水に界面活性剤が添加されている状態でも添
加されていない状態でも起こるが、添加した場合によく
観察された。これは界面活性剤がＣｕの析出形態に何ら
かの影響を及ぼしたことにより、酸化膜品質を低下させ
る欠陥の生成を促進した為と考えられる。
ではないが、保管用水中にＣｕ、特にＣｕイオンがある
と、これがＳｉと電気化学的に反応して析出し、シリコ
ンウエーハ上に欠陥を形成する為と考えられる。この現
象は保管用水に界面活性剤が添加されている状態でも添
加されていない状態でも起こるが、添加した場合によく
観察された。これは界面活性剤がＣｕの析出形態に何ら
かの影響を及ぼしたことにより、酸化膜品質を低下させ
る欠陥の生成を促進した為と考えられる。
【００２９】この場合、その後の洗浄で表面に析出した
Ｃｕ等は除去する事が可能であるはずであるが、反応に
よって生じたシリコンウエーハ表面の欠陥が残り、酸化
膜品質の不良につながると思われる。
Ｃｕ等は除去する事が可能であるはずであるが、反応に
よって生じたシリコンウエーハ表面の欠陥が残り、酸化
膜品質の不良につながると思われる。
【００３０】そこで、本発明者は、Ｃｕの濃度を０．０
１ppb 以下にした保管用水を使用して、シリコンウエー
ハの水中保管を行うことにより、シリコンウエーハの酸
化膜品質の不良化を防ぐことを発想し、本発明を完成さ
せたものである。
１ppb 以下にした保管用水を使用して、シリコンウエー
ハの水中保管を行うことにより、シリコンウエーハの酸
化膜品質の不良化を防ぐことを発想し、本発明を完成さ
せたものである。
【００３１】すなわち、シリコンウエーハ上の欠陥の原
因となる、保管用水中のＣｕ濃度を０．０１ppb 以下に
することにより、保管用水中のＣｕイオンがＳｉと電気
化学的に反応して析出することを防止し、そのＣｕ汚染
に伴い発生するシリコンウエーハ表面の歪み等の欠陥に
よる酸化膜耐圧不良を防ぐことができるのである。
因となる、保管用水中のＣｕ濃度を０．０１ppb 以下に
することにより、保管用水中のＣｕイオンがＳｉと電気
化学的に反応して析出することを防止し、そのＣｕ汚染
に伴い発生するシリコンウエーハ表面の歪み等の欠陥に
よる酸化膜耐圧不良を防ぐことができるのである。
【００３２】また本発明の保管用水は、必ずしも単独で
使用しなければならないものではなく、他の溶液等と混
合して使用することもできる。例えば、本発明の保管用
水に界面活性剤を添加し混合することにより、パーティ
クル除去能を向上させることができる。この場合の界面
活性剤としては、ポリオキシエチレンアルキルフェニル
エーテル等を挙げることができる。また、本発明の保管
用水と有機溶剤等を混合して、保管液として用いてもよ
い。
使用しなければならないものではなく、他の溶液等と混
合して使用することもできる。例えば、本発明の保管用
水に界面活性剤を添加し混合することにより、パーティ
クル除去能を向上させることができる。この場合の界面
活性剤としては、ポリオキシエチレンアルキルフェニル
エーテル等を挙げることができる。また、本発明の保管
用水と有機溶剤等を混合して、保管液として用いてもよ
い。
【００３３】この場合、保管用水中の界面活性剤の濃度
を一定に保つために、保管用水をピット水の状態で使用
するのが望ましい。尚、ここでピット水とは、シリコン
ウエーハを水中で保管する場合に使用される保管用水槽
において、水槽内保管用水の流出入あるいは循環等を行
わず、保管用水を一定の静止状態で使用する形態をい
う。
を一定に保つために、保管用水をピット水の状態で使用
するのが望ましい。尚、ここでピット水とは、シリコン
ウエーハを水中で保管する場合に使用される保管用水槽
において、水槽内保管用水の流出入あるいは循環等を行
わず、保管用水を一定の静止状態で使用する形態をい
う。
【００３４】また、本発明の保管用水は、上記の界面活
性剤を添加する場合に限らず、有機溶剤等の他の溶液と
混合して保管水として用いてもよく、このような保管用
水でも、酸化膜耐圧特性の劣化を防ぐ効果がある。
性剤を添加する場合に限らず、有機溶剤等の他の溶液と
混合して保管水として用いてもよく、このような保管用
水でも、酸化膜耐圧特性の劣化を防ぐ効果がある。
【００３５】また本発明の保管用水及び保管方法は、保
管されるシリコンウエーハの表面が親水性面であるか疎
水性面であるかを問わず効果を有するものである。ただ
し自然酸化膜を有さない疎水性面であるシリコンウエー
ハは、表面が活性であり汚染され易いので、特に本発明
の保管用水及び保管方法を使用することが有益である。
管されるシリコンウエーハの表面が親水性面であるか疎
水性面であるかを問わず効果を有するものである。ただ
し自然酸化膜を有さない疎水性面であるシリコンウエー
ハは、表面が活性であり汚染され易いので、特に本発明
の保管用水及び保管方法を使用することが有益である。
【００３６】従って、研磨直後の自然酸化膜を有さない
疎水性面であるシリコンウエーハを水中で保管する場合
において、本発明は最適であり、例えばシリコンウエー
ハの製造工程である研磨工程と洗浄工程の間の待ち時間
に、ウエーハが水中で保管される場合に、本発明の保管
用水及び保管方法を使用することができる。また、本発
明の他の適用場面としては、シリコンウエーハのフッ酸
（ＨＦ）を用いたエッチングあるいは洗浄後に適用する
ことが挙げられる。これはフッ酸（ＨＦ）によりシリコ
ンウエーハ表面の酸化膜が除去され、活性となってＣｕ
に汚染され易くなるからである。
疎水性面であるシリコンウエーハを水中で保管する場合
において、本発明は最適であり、例えばシリコンウエー
ハの製造工程である研磨工程と洗浄工程の間の待ち時間
に、ウエーハが水中で保管される場合に、本発明の保管
用水及び保管方法を使用することができる。また、本発
明の他の適用場面としては、シリコンウエーハのフッ酸
（ＨＦ）を用いたエッチングあるいは洗浄後に適用する
ことが挙げられる。これはフッ酸（ＨＦ）によりシリコ
ンウエーハ表面の酸化膜が除去され、活性となってＣｕ
に汚染され易くなるからである。
【００３７】よって、本発明の使用により、工程間の待
ち時間に大気中に放置した場合の研磨スラリーの固着は
もちろんのこと、従来の水中保管において問題となって
いた保管用水からの汚染に起因した酸化膜耐圧特性の劣
化を防ぐことが可能となる。
ち時間に大気中に放置した場合の研磨スラリーの固着は
もちろんのこと、従来の水中保管において問題となって
いた保管用水からの汚染に起因した酸化膜耐圧特性の劣
化を防ぐことが可能となる。
【００３８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、実施例により説明するが、本発明はこれらに限定さ
れるものではない。
て、実施例により説明するが、本発明はこれらに限定さ
れるものではない。
【００３９】
【実施例】以下、本発明の実施例をあげる。 （実施例１）ピット水として、超純水に界面活性剤ポリ
オキシエチレンアルキルフェニルエーテルを添加し、そ
の後銅を添加することによってピット水中のＣｕイオン
濃度を０〜１００ppb まで種々の濃度に調整したピット
槽を用意した。界面活性剤の濃度は、いずれも１０ｖｏ
ｌ％とした。
オキシエチレンアルキルフェニルエーテルを添加し、そ
の後銅を添加することによってピット水中のＣｕイオン
濃度を０〜１００ppb まで種々の濃度に調整したピット
槽を用意した。界面活性剤の濃度は、いずれも１０ｖｏ
ｌ％とした。
【００４０】次にチョクラルスキー法で成長させたシリ
コン単結晶より加工した鏡面ウエーハの自然酸化膜を希
フッ酸水溶液（ＤＨＦ）によって除去した。この処理は
シリコンウエーハの表面の自然酸化膜を除去してシリコ
ン表面を疎水面とし、研磨直後のシリコンウエーハと同
じ状態にするために行う。このウエーハを上記汚染ピッ
ト水中に３０分間浸漬したのち、一般的に用いられてい
るＲＣＡ洗浄を行い、次いで熱酸化後の酸化膜品質を評
価した。ここで、ＲＣＡ洗浄は、Ｋｅｒｎが提案したシ
リコンウエーハの標準的洗浄方法で、３段の工程からな
り、１段目にＮＨ4 ＯＨ／Ｈ2 Ｏ2 で酸化膜とシリコン
表面を除去し、２段目でＨＦにより前段でついた酸化膜
を除去し、３段目でＨＣｌ／Ｈ2 Ｏ2 により重金属を除
去して自然酸化膜をつけるシリコンウエーハの洗浄方法
である。
コン単結晶より加工した鏡面ウエーハの自然酸化膜を希
フッ酸水溶液（ＤＨＦ）によって除去した。この処理は
シリコンウエーハの表面の自然酸化膜を除去してシリコ
ン表面を疎水面とし、研磨直後のシリコンウエーハと同
じ状態にするために行う。このウエーハを上記汚染ピッ
ト水中に３０分間浸漬したのち、一般的に用いられてい
るＲＣＡ洗浄を行い、次いで熱酸化後の酸化膜品質を評
価した。ここで、ＲＣＡ洗浄は、Ｋｅｒｎが提案したシ
リコンウエーハの標準的洗浄方法で、３段の工程からな
り、１段目にＮＨ4 ＯＨ／Ｈ2 Ｏ2 で酸化膜とシリコン
表面を除去し、２段目でＨＦにより前段でついた酸化膜
を除去し、３段目でＨＣｌ／Ｈ2 Ｏ2 により重金属を除
去して自然酸化膜をつけるシリコンウエーハの洗浄方法
である。
【００４１】酸化膜品質の評価はＣｕデコレーション法
で行った。Ｃｕデコレーション法は、Ｃｕ2+が溶存する
液体の中で、熱酸化膜に電位を印加すると、酸化膜が劣
化している部位に電流が流れ、Ｃｕ2+がＣｕとなって析
出することを利用した酸化膜品質評価法である。すなわ
ち、析出物の密度が低いほど、酸化膜品質は良好といえ
る（W.J.Shannon; A Study of Dielectric Defect Dete
ction by Decorationwith Copper RCA Review. 30, 43
0, 1970 ）。
で行った。Ｃｕデコレーション法は、Ｃｕ2+が溶存する
液体の中で、熱酸化膜に電位を印加すると、酸化膜が劣
化している部位に電流が流れ、Ｃｕ2+がＣｕとなって析
出することを利用した酸化膜品質評価法である。すなわ
ち、析出物の密度が低いほど、酸化膜品質は良好といえ
る（W.J.Shannon; A Study of Dielectric Defect Dete
ction by Decorationwith Copper RCA Review. 30, 43
0, 1970 ）。
【００４２】今回は、厚さ２５ｎｍの熱酸化膜を形成
し、ここに５ＭＶ／ｃｍの電界を１５分間印加し、析出
したＣｕ析出物の密度を光学顕微鏡により計測すること
によって評価した。
し、ここに５ＭＶ／ｃｍの電界を１５分間印加し、析出
したＣｕ析出物の密度を光学顕微鏡により計測すること
によって評価した。
【００４３】図１にＣｕイオン濃度とＣｕデコレーショ
ン処理後のＣｕ析出物密度との関係を示す。これを見る
とＣｕイオンが０．１ppb 以上になると急激に析出物が
増加し１０ppb 以上では５００pcs/cm2 より多くなる。
本発明の濃度０．０１ppb 以下にすることによって、故
意汚染しなかった純水中に浸漬したウエーハと同等の酸
化膜品質が得られることがわかる。
ン処理後のＣｕ析出物密度との関係を示す。これを見る
とＣｕイオンが０．１ppb 以上になると急激に析出物が
増加し１０ppb 以上では５００pcs/cm2 より多くなる。
本発明の濃度０．０１ppb 以下にすることによって、故
意汚染しなかった純水中に浸漬したウエーハと同等の酸
化膜品質が得られることがわかる。
【００４４】以上の実施例は希フッ酸水溶液（ＤＨＦ）
で自然酸化膜を除去したシリコンウエーハを使用した
が、研磨直後のシリコンウエーハのように酸化膜を有さ
ないシリコンウエーハについても同様の結果が得られて
いる。
で自然酸化膜を除去したシリコンウエーハを使用した
が、研磨直後のシリコンウエーハのように酸化膜を有さ
ないシリコンウエーハについても同様の結果が得られて
いる。
【００４５】本発明は、上記実施形態に限定されるもの
ではない。上記実施形態は、例示であり、本発明の特許
請求の範囲に記載された技術思想と実質的に同一な構成
を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるもの
であっても本発明の技術的範囲に包含される。
ではない。上記実施形態は、例示であり、本発明の特許
請求の範囲に記載された技術思想と実質的に同一な構成
を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるもの
であっても本発明の技術的範囲に包含される。
【００４６】例えば、本発明が使用される場合は、シリ
コンウエーハを製造する工程間において、一時的に使用
される場合に限らず、シリコンウエーハを水中で保管す
る場合には、いかなる場合であっても適用可能であり、
上記の効果を有する。
コンウエーハを製造する工程間において、一時的に使用
される場合に限らず、シリコンウエーハを水中で保管す
る場合には、いかなる場合であっても適用可能であり、
上記の効果を有する。
【００４７】また、本発明でいう水中のＣｕ濃度とは、
Ｃｕイオンの形で含有される場合に特に影響が大きい。
しかしこれに限られず、単体、錯体等でも保管水でイオ
ン化する成分を含んでいればその形態は問わない。
Ｃｕイオンの形で含有される場合に特に影響が大きい。
しかしこれに限られず、単体、錯体等でも保管水でイオ
ン化する成分を含んでいればその形態は問わない。
【００４８】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、シ
リコンウエーハを水中で保管する場合に問題となってい
た、保管用水からのＣｕ汚染に起因する酸化膜耐圧不良
を防ぐことができる。特に、研磨工程後の疎水性面であ
るシリコンウエーハを、洗浄工程に送られるまでの待ち
時間に水中で保管する場合に、本発明を使用すれば、ウ
エーハを大気中に放置した場合の研磨スラリーの固着を
防止しつつ、シリコンウエーハの酸化膜耐圧不良の発生
を防ぐことができる。
リコンウエーハを水中で保管する場合に問題となってい
た、保管用水からのＣｕ汚染に起因する酸化膜耐圧不良
を防ぐことができる。特に、研磨工程後の疎水性面であ
るシリコンウエーハを、洗浄工程に送られるまでの待ち
時間に水中で保管する場合に、本発明を使用すれば、ウ
エーハを大気中に放置した場合の研磨スラリーの固着を
防止しつつ、シリコンウエーハの酸化膜耐圧不良の発生
を防ぐことができる。
【図１】ピット水中のＣｕイオン濃度とＣｕデコレーシ
ョン処理後のＣｕ析出物密度との関係を示す図である。
ョン処理後のＣｕ析出物密度との関係を示す図である。
Claims (6)
- 【請求項１】 シリコンウエーハを水中で保管する場合
に使用される保管用水であって、Ｃｕ濃度が０．０１pp
b 以下であることを特徴とする、シリコンウエーハの保
管用水。 - 【請求項２】 シリコンウエーハを水中で保管する場合
に使用される保管用水であって、Ｃｕ濃度が０．０１pp
b 以下であり、界面活性剤が添加されていることを特徴
とする、シリコンウエーハの保管用水。 - 【請求項３】 シリコンウエーハを水中で保管する方法
において、Ｃｕ濃度が０．０１ppb 以下の保管用水を使
用することを特徴とする、シリコンウエーハを水中で保
管する方法。 - 【請求項４】 シリコンウエーハを水中で保管する方法
において、Ｃｕ濃度が０．０１ppb 以下であり、界面活
性剤が添加された保管用水を使用することを特徴とす
る、シリコンウエーハを水中で保管する方法。 - 【請求項５】 前記保管されるシリコンウエーハが疎水
性面であることを特徴とする、請求項３または請求項４
に記載したシリコンウエーハを水中で保管する方法。 - 【請求項６】 シリコンウエーハを研磨した直後に保管
することを特徴とする、請求項３ないし請求項５のいず
れか１項に記載したシリコンウエーハを水中で保管する
方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP36704997A JP3255103B2 (ja) | 1997-12-25 | 1997-12-25 | シリコンウエーハの保管用水及び保管する方法 |
| US09/218,997 US6884721B2 (en) | 1997-12-25 | 1998-12-22 | Silicon wafer storage water and silicon wafer storage method |
| TW087121546A TW565631B (en) | 1997-12-25 | 1998-12-23 | Silicon wafer storage water and silicon wafer storage method |
| MYPI98005850A MY123872A (en) | 1997-12-25 | 1998-12-23 | Silicon wafer storage water and silicon wafer storage method |
| EP98310707A EP0926714A1 (en) | 1997-12-25 | 1998-12-23 | Silicon wafer storage water and silicon wafer storage method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP36704997A JP3255103B2 (ja) | 1997-12-25 | 1997-12-25 | シリコンウエーハの保管用水及び保管する方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11191543A true JPH11191543A (ja) | 1999-07-13 |
| JP3255103B2 JP3255103B2 (ja) | 2002-02-12 |
Family
ID=18488338
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP36704997A Expired - Fee Related JP3255103B2 (ja) | 1997-12-25 | 1997-12-25 | シリコンウエーハの保管用水及び保管する方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3255103B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001071788A1 (fr) * | 2000-03-17 | 2001-09-27 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Eau pour le stockage de plaquettes de silicium et procede de stockage |
| JP2002261058A (ja) * | 2001-03-06 | 2002-09-13 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 化合物半導体ウエハの製造方法 |
| US8303722B2 (en) | 2001-03-16 | 2012-11-06 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Water and method for storing silicon wafer |
| JP2016068281A (ja) * | 2014-09-26 | 2016-05-09 | ブラザー工業株式会社 | 液体吐出装置の製造方法、及び、液体吐出装置 |
| KR20160101927A (ko) * | 2013-12-26 | 2016-08-26 | 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤 | 슬라이스 방법 |
-
1997
- 1997-12-25 JP JP36704997A patent/JP3255103B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001071788A1 (fr) * | 2000-03-17 | 2001-09-27 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Eau pour le stockage de plaquettes de silicium et procede de stockage |
| JP2002261058A (ja) * | 2001-03-06 | 2002-09-13 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 化合物半導体ウエハの製造方法 |
| CN100405553C (zh) * | 2001-03-06 | 2008-07-23 | 住友电气工业株式会社 | 化合物半导体晶片的制备方法 |
| US8303722B2 (en) | 2001-03-16 | 2012-11-06 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Water and method for storing silicon wafer |
| KR20160101927A (ko) * | 2013-12-26 | 2016-08-26 | 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤 | 슬라이스 방법 |
| JP2016068281A (ja) * | 2014-09-26 | 2016-05-09 | ブラザー工業株式会社 | 液体吐出装置の製造方法、及び、液体吐出装置 |
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|---|---|
| JP3255103B2 (ja) | 2002-02-12 |
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