JPH11191362A - Manufacture of image display device - Google Patents
Manufacture of image display deviceInfo
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- JPH11191362A JPH11191362A JP36081397A JP36081397A JPH11191362A JP H11191362 A JPH11191362 A JP H11191362A JP 36081397 A JP36081397 A JP 36081397A JP 36081397 A JP36081397 A JP 36081397A JP H11191362 A JPH11191362 A JP H11191362A
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- image display
- display device
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- Cold Cathode And The Manufacture (AREA)
- Manufacture Of Electron Tubes, Discharge Lamp Vessels, Lead-In Wires, And The Like (AREA)
Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、電子源を用いる画
像表示装置の製造方法に関し、特に耐大気圧スペーサと
外枠の接合剤を用いて接合してなる画像表示装置の製造
方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing an image display device using an electron source, and more particularly, to a method for manufacturing an image display device which is joined by using an atmospheric pressure resistant spacer and a bonding agent for an outer frame.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来より、一般に電子を用いた画像表示
装置においては、ガラス部材であるフェースプレート、
リアプレート及び外枠からなる真空(減圧)雰囲気を維
持する真空外囲器、電子を放出させるための電子源とそ
の駆動回路、電子の衝突により発光する蛍光体等を有す
る画像形成部材、電子を画像形成部材に向けて加速する
ための加速電極とその高圧電源等が必要である。2. Description of the Related Art Conventionally, generally, in an image display apparatus using electrons, a face plate, which is a glass member,
A vacuum envelope composed of a rear plate and an outer frame for maintaining a vacuum (reduced pressure) atmosphere, an electron source for emitting electrons and its driving circuit, an image forming member having a phosphor that emits light by collision of electrons, and the like. An acceleration electrode for accelerating toward the image forming member and a high-voltage power supply for the electrode are required.
【0003】表面伝導型電子放出素子を用いた画像表示
装置として、図16に示すような装置が知られている
(例えば、本出願人の特開平6−342636号公
報)。As an image display apparatus using a surface conduction electron-emitting device, an apparatus as shown in FIG. 16 is known (for example, JP-A-6-342636 of the present applicant).
【0004】表面伝導型電子放出素子においては、電子
放出を行う前に導電性薄膜を予め通電フォーミングと呼
ばれる通電処理によって電子放出部を形成するのが一般
的であった。すなわち、通電フォーミングとは前記導電
性薄膜の両端に直流電圧あるいは非常にゆっくりとした
昇電圧を印加通電し、導電性薄膜を局所的に破壊、変形
もしくは変質せしめ、電気的に高抵抗な状態にした電子
放出部を形成することである。In a surface conduction electron-emitting device, an electron-emitting portion is generally formed by applying a current to a conductive thin film before the electron emission by an energization process called energization forming. That is, energization forming means applying a direct current voltage or a very slowly increasing voltage to both ends of the conductive thin film and energizing the same to locally break, deform or alter the conductive thin film, thereby bringing the conductive thin film into an electrically high-resistance state. Is to form an electron emitting portion.
【0005】フォーミングを終えた素子には活性化処理
を施すのが好ましい。活性化処理は、例えば有機物質の
ガスを含有する雰囲気下で、通電フォーミングと同様
に、パルスの印加を繰り返すことで行うことができる。
この処理により雰囲気中に存在する有機物質から炭素あ
るいは炭素化合物が素子上に堆積し、電子放出電流が、
増加する。[0005] It is preferable to perform an activation process on the element after forming. The activation treatment can be performed, for example, by repeating the application of a pulse in an atmosphere containing a gas of an organic substance, similarly to the energization forming.
By this treatment, carbon or a carbon compound is deposited on the device from organic substances present in the atmosphere, and the electron emission current becomes
To increase.
【0006】また、薄型画像表示装置のように扁平な真
空外囲器を用いる画像表示装置においては、耐大気圧支
持構造体としてスペーサが用いられることが多い(例え
ば、特開平2−399136号公報)。外枠やスペーサ
も同様にフリット等の接合剤により固定される。Further, in an image display device using a flat vacuum envelope such as a thin image display device, a spacer is often used as an atmospheric pressure resistant support structure (for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2-399136). ). The outer frame and the spacer are similarly fixed by a bonding agent such as a frit.
【0007】[0007]
【発明が解決しようとする課題】リアプレート上の素子
電極間への導電性薄膜形成及び、スペーサ及び外枠のフ
リットや接着剤によるリアプレートへの固定は、例えば
画像表示装置の部分断面を示す図2(a)〜(d)い示
すように行われる。同図において、201はガラスから
なるリアプレート、202はガラスからなるフェースプ
レート、203はガラスからなる外枠、204,20
5,211,212は接合剤、206は上配線、207
は素子電極(下配線側)、208は導電性薄膜、209
は蛍光体、210はメタルバック、213はスペーサ、
214はディスペンサー、25はインクジェット装置、
216は押え板である。なお、下配線及び素子電極(上
配線側)は不図示である。The formation of a conductive thin film between the device electrodes on the rear plate and the fixing of the spacer and the outer frame to the rear plate with a frit or an adhesive show, for example, a partial cross section of an image display device. This is performed as shown in FIGS. In the figure, 201 is a rear plate made of glass, 202 is a face plate made of glass, 203 is an outer frame made of glass, 204 and 20.
5, 211, 212 are bonding agents, 206 is upper wiring, 207
Is an element electrode (lower wiring side), 208 is a conductive thin film, 209
Is a phosphor, 210 is a metal back, 213 is a spacer,
214 is a dispenser, 25 is an inkjet device,
216 is a holding plate. The lower wiring and the element electrode (upper wiring side) are not shown.
【0008】(1)リアプレート上の素子電極間への導
電性薄膜形成工程の1例 導電性薄膜形成工程には、通常のフォトリソグラフィー
技術を用いられるが、フォトリソグラフィー技術を用い
ずに、図2(a)に示すように予め上下配線及び素子電
極等が形成されたリアプレートの1対の素子電極間に導
電性薄膜材料を含有する溶液を例えば液滴吐出ヘッドを
有したインクジェット装置215を用いて液滴状に、図
中208に当たる部分(素子電極間)に少なくとも1個
付与した後加熱焼成することで形成することができる。(1) One Example of a Process of Forming a Conductive Thin Film Between Device Electrodes on a Rear Plate In the process of forming a conductive thin film, ordinary photolithography technology is used. As shown in FIG. 2A, a solution containing a conductive thin film material is placed between a pair of element electrodes of a rear plate on which upper and lower wirings, element electrodes, and the like are formed in advance. It can be formed by applying at least one droplet to a portion corresponding to 208 in the drawing (between element electrodes) and then heating and firing the droplet.
【0009】(2)リアプレート上への接合剤溶液塗布
工程:同図(b) 接合剤溶液であるフリットガラスペーストすなわち粉末
ガラスにビークル(低分子量のアクリル樹脂を有機溶媒
に溶融させたもの)を加えたペーストをディスペンサー
214等を用いて、予め導電性薄膜208が形成された
リアプレート(電子源基板)201上のスペーサが配置
される位置(本図では配線206上)及び外枠が配置さ
れる位置に塗布、焼成する。(2) Step of applying bonding agent solution on rear plate: FIG. 2 (b) Frit glass paste as bonding agent solution, that is, powder glass, a vehicle (a low molecular weight acrylic resin melted in an organic solvent) Using a dispenser 214 or the like, the paste to which the spacer is added is placed on the rear plate (electron source substrate) 201 on which the conductive thin film 208 has been formed in advance, where the spacers are arranged (on the wiring 206 in this figure) and the outer frame is arranged. It is applied and baked at the position to be performed.
【0010】(3)スペーサ及び外枠とリアプレートの
接合(封着)工程:同図(c) リアプレート上の接合剤溶液塗布部分に、スペーサ及び
外枠を配置して、押え板を置き加圧しながら焼成し、ス
ペーサ及び外枠とリアプレートの接合(封着)を行う。
接着後は押え板をはずす。(3) Step of joining (sealing) the spacer and the outer frame to the rear plate: FIG. (C) The spacer and the outer frame are arranged on the bonding agent solution applied portion on the rear plate, and the holding plate is placed. It is baked while applying pressure, and the spacer (outer frame) and the rear plate are joined (sealed).
After bonding, remove the holding plate.
【0011】(4)フェースプレート接合(封着)工
程:同図(d) この後、フェースプレート上にも(b)と同様にスペー
サ及び外枠配置位置にフリットを塗布し、上記(c)の
スペーサ及び外枠が固定されたリアプレートとの接合
(封着)を行い、上記(c)のスペーサ及び外枠が固定
されたリアプレートとの接合(封着)を行い、画像表示
装置の真空維持可能な外囲器が製造される。(4) Face plate joining (sealing) step: FIG. 4 (d) Thereafter, a frit is applied to the position of the spacer and the outer frame on the face plate in the same manner as in FIG. (Sealing) with the rear plate to which the spacer and the outer frame are fixed, and bonding (sealing) with the rear plate to which the spacer and the outer frame are fixed in (c) above. An envelope capable of maintaining a vacuum is manufactured.
【0012】しかしながら、耐大気圧スペーサや外枠を
接合剤を用いて、予め上述導電性薄膜が形成されたリア
プレートと接合(封着)してなる画像表示装置の製造方
法においては、リアプレート上に形成したフリットガラ
スペーストや樹脂接着剤ワニスを焼成する際に、バイン
ダや有機溶剤の分解・燃焼に伴う放出ガスの影響でフリ
ットガラスペーストや樹脂接着剤ワニス近傍の上述導電
性薄膜の抵抗が変化する場合がある。抵抗変化は、導電
性薄膜が微粒子膜(複数の微粒子が集合した膜であり、
その微細構造として、微粒子が個々に分散配置した状態
のみならず、微粒子が互いに隣接、あるいは島状の場合
も含めて重なり合った状態の膜)であるため、放出ガス
の影響を受け易く、導電性薄膜が還元されて、抵抗が下
がる場合や、さらに還元の後凝集が進んで抵抗が上昇し
てしまう場合があるが、いずれの場合にも、後の通電フ
ォーミング処理や活性化処理を適切に行うことができ
ず、充分な電子放出電流が得られない場合があった。However, in a method of manufacturing an image display device in which an atmospheric pressure-resistant spacer or an outer frame is bonded (sealed) to a rear plate on which the above-mentioned conductive thin film is formed in advance by using a bonding agent, When firing the frit glass paste or resin adhesive varnish formed above, the resistance of the above conductive thin film near the frit glass paste or resin adhesive varnish is affected by the release gas accompanying the decomposition and combustion of the binder and organic solvent. May change. The resistance change indicates that the conductive thin film is a fine particle film (a film in which a plurality of fine particles are aggregated,
The film is not only in a state where the fine particles are individually dispersed and arranged, but also in a state in which the fine particles are adjacent to each other or in a state where they are in an overlapped state including an island shape. In some cases, the thin film is reduced and the resistance is reduced, or the resistance is increased due to further aggregation after the reduction. In any case, the energization forming process and the activation process are performed appropriately. In some cases, a sufficient electron emission current could not be obtained.
【0013】本発明は、上記従来技術の欠陥に鑑み、リ
アプレート上に形成したフリットガラスペーストや樹脂
接着剤ワニスを焼成する際の有機溶剤の分解・燃焼に伴
う放出ガスによる悪影響をなくした工程を実現し、後の
通電フォーミング処理や活性化処理を適切に行うことが
できる画像表示装置の製造方法を提供することを目的と
する。In view of the above-mentioned deficiencies of the prior art, the present invention provides a process for eliminating the adverse effects of the released gas accompanying the decomposition and combustion of an organic solvent when firing a frit glass paste or a resin adhesive varnish formed on a rear plate. It is an object of the present invention to provide a method of manufacturing an image display device which can realize the following energization forming process and activation process appropriately.
【0014】[0014]
【課題を解決するための手段】前記の目的は以下の手段
によって達成される。The above object is achieved by the following means.
【0015】すなわち、本発明は、蛍光体及び電子加速
電極が形成されているフェースプレートと、1対の素子
電極と該一対の素子電極をつなぎその一部に電極放出部
を有する導電性薄膜とから構成される複数の表面伝導型
電子放出素子を形成したリアプレート(電子源基板)
と、前記フェースプレートと前記リアプレートとの間に
あって周を包囲する外枠と、耐大気圧支持構造として前
記フェースプレートと前記リアプレートとの間に配置さ
れたスペーサと、からなる画像表示装置の製造方法にお
いて、前記外枠と前記リアプレートの接合及び前記スペ
ーサと前記リアプレートの接合を行う接合剤の焼成工程
を行った後に前記導電性薄膜形成工程を行うことを特徴
とする画像表示装置の製造方法を提案するものであり、
前記の画像表示装置の製造方法であって、前記外枠と前
記リアプレートの接合及び前記スペーサと前記リアプレ
ートの接合を行う接合剤の焼成工程がフリットガラスペ
ーストの焼成工程を含むこと、前記の画像表示装置の製
造方法であって、前記外枠と前記リアプレートの接合及
び前記スペーサと前記リアプレートの接合を行う接合剤
の焼成工程が樹脂製接着剤ワニスの焼成工程を含むこ
と、前記の画像表示装置の製造方法であって、前記導電
性薄膜形成工程が液滴吐出ヘッドを有したインクジェッ
ト装置により形成する工程であること、前記の画像表示
装置の製造方法であって、前記導電性薄膜より形成され
る電子源が表面伝導型の電子放出素子であることを含
む。That is, the present invention relates to a face plate on which a phosphor and an electron accelerating electrode are formed, a pair of device electrodes, a conductive thin film connecting the pair of device electrodes, and having an electrode emission part in a part thereof. Plate (electron source substrate) formed with a plurality of surface conduction electron-emitting devices composed of
An outer frame surrounding the periphery between the face plate and the rear plate; and a spacer disposed between the face plate and the rear plate as an anti-atmospheric pressure support structure. In the manufacturing method, the conductive thin film forming step is performed after performing a firing step of a bonding agent for bonding the outer frame and the rear plate and bonding the spacer and the rear plate. It proposes a manufacturing method,
The method of manufacturing the image display device, wherein the step of baking a bonding agent for bonding the outer frame and the rear plate and bonding the spacer and the rear plate includes a step of baking a frit glass paste. A method of manufacturing an image display device, wherein the step of baking a bonding agent for bonding the outer frame and the rear plate and bonding the spacer and the rear plate includes a baking step of a resin adhesive varnish; The method for manufacturing an image display device, wherein the step of forming the conductive thin film is a step of forming the conductive thin film by an ink jet device having a droplet discharge head; The electron source thus formed is a surface conduction electron-emitting device.
【0016】本発明は接合剤焼成工程を行った後、すな
わちリアプレート上にスペーサと外枠を固定した後に、
導電性薄膜形成工程を行うことにより、リアプレート上
に形成したフリットガラスペーストや接着剤ワニスを焼
成する際のバインダや有機溶剤の分解・燃焼に伴う放出
ガス雰囲気に導電性薄膜がさらされずに済ませることが
できる。したがって、バインダや有機溶剤の分類・燃焼
に伴う放出ガスにより導電性薄膜の抵抗変化を生じるこ
となく、後の通電フォーミング処理や活性化処理を適切
に行うことができるので、充分な電子放出電流を得るこ
とができる画像表示装置の製造方法を提供することがで
きる。According to the present invention, after performing the bonding agent firing step, that is, after fixing the spacer and the outer frame on the rear plate,
Conducting the conductive thin film forming process, which keeps the conductive thin film from being exposed to the release gas atmosphere accompanying the decomposition and combustion of the binder and organic solvent when firing the frit glass paste and adhesive varnish formed on the rear plate be able to. Therefore, it is possible to appropriately perform the energization forming process and the activation process without causing a change in the resistance of the conductive thin film due to the emission gas accompanying the classification and combustion of the binder and the organic solvent. It is possible to provide a method for manufacturing an image display device that can be obtained.
【0017】[0017]
【発明の実施の形態】本発明の画像表示装置の製造方法
は、耐大気圧支持構造体のスペーサが設置されている画
像表示装置の製造方法に好ましく用いられる。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The method of manufacturing an image display device of the present invention is preferably used in a method of manufacturing an image display device provided with spacers of an anti-atmospheric pressure support structure.
【0018】以下本発明の画像表示装置の製造方法にし
たがって、リアプレート上素子電極間への導電性薄膜形
成及びスペーサ及び外枠のフリットや接着剤によるリア
プレートへの固定する工程が、画像表示装置の部分断面
を示す図1(a)〜(d)に示すように行われる。同図
において、101は青板ガラスからなるリアプレート、
102は青板ガラスからなるフェースプレート、103
は青板ガラスからなる外枠、104,105,111,
112は接合剤、106は上配線、107は素子電極
(上配線側)、108は導電性薄膜、109は蛍光体、
110はメタルバアク、113はスペーサ、114はデ
ィスペンサー、115はインクジェット装置、116は
押え板である。In the following, according to the method of manufacturing an image display device of the present invention, the steps of forming a conductive thin film between the device electrodes on the rear plate and fixing the spacer and the outer frame to the rear plate with a frit or an adhesive are described below. This is performed as shown in FIGS. 1 (a) to 1 (d) which show a partial cross section of the apparatus. In the figure, 101 is a rear plate made of blue glass,
102 is a face plate made of blue sheet glass, 103
Is an outer frame made of blue sheet glass, 104, 105, 111,
112 is a bonding agent, 106 is an upper wiring, 107 is an element electrode (upper wiring side), 108 is a conductive thin film, 109 is a phosphor,
110 is a metal backing, 113 is a spacer, 114 is a dispenser, 115 is an ink jet device, and 116 is a holding plate.
【0019】(1)リアプレート上への接合剤溶液塗布
工程:同図(a) 接合剤溶液であるフリットガラスペーストすなわち粉末
ガラスにビークル(低分子量のアクリル樹脂を有機溶媒
に溶融させたもの)を加えたペーストや樹脂接着剤ワニ
ス(主に耐熱性樹脂接着剤を有機溶剤に溶かしたもの)
をディスペンサー114等を用いて、未だ導電性薄膜1
08が形成されていないリアプレート(電子源基板)1
01上のスペーサが配置される位置(本図では配線10
6上)及び外枠が配置される位置に塗布、焼成する。(1) Step of applying bonding agent solution on rear plate: (a) Frit glass paste as bonding agent solution, that is, powder glass, vehicle (low molecular weight acrylic resin melted in organic solvent) Paste and resin adhesive varnish (mainly heat-resistant resin adhesive dissolved in organic solvent)
Using the dispenser 114 or the like,
Rear plate (electron source substrate) 1 on which 08 is not formed
01 (the wiring 10 in this drawing)
6) Apply and bake at the positions where the outer frame is to be arranged.
【0020】(2)スペーサ及び外枠とリアプレートの
接合(封着)工程:同図(b) リアプレート上の接合剤溶液塗布部分に、スペーサ及び
外枠を配置して、押え板を置き加圧しながら焼成し、ス
ペーサ及び外枠とリアプレートの接合(封着)を行う。
接着後は押え板をはずす。(2) Step of joining (sealing) the spacer and the outer frame to the rear plate: FIG. (B) The spacer and the outer frame are arranged on the bonding agent solution application portion on the rear plate, and the holding plate is placed. It is baked while applying pressure, and the spacer (outer frame) and the rear plate are joined (sealed).
After bonding, remove the holding plate.
【0021】(3)リアプレート上の素子電極間への導
電性薄膜溶液塗布工程:同図(c) 予め上下配線及び素子電極等が形成されたリアプレート
の1対の素子電極間に導電性薄膜材料を含有する溶液を
例えば液滴吐出ヘッドを有したインクジェット装置21
5を用いて液滴状に少なくとも1個素子電極間に付与す
る。(3) Step of applying a conductive thin film solution between device electrodes on the rear plate: FIG. 3C. Conductivity between a pair of device electrodes of the rear plate on which upper and lower wiring, device electrodes, etc. are formed in advance. Ink jet apparatus 21 having a solution containing a thin film material, for example, a droplet discharge head
5 is used to apply at least one droplet between the device electrodes.
【0022】既に(2)の工程でスペーサ及び外枠がリ
アプレートに接合されているために、導電性薄膜形成工
程には、通常のフォトリソグラフィー技術を用いること
ができないがインクジェット装置等の液適を吐出させる
ことのできる装置を用いることによって、はじめてスペ
ーサ及び外枠がリアプレートに接合されていても、導電
性薄膜溶液塗布工程を行うことが可能である。このイン
クジェット装置を用いて、スペーサ及び外枠の上方か
ら、導伝性薄膜溶液塗布工程を行うことも本発明の特徴
である。Since the spacer and the outer frame have already been joined to the rear plate in the step (2), ordinary photolithography cannot be used in the conductive thin film forming step. By using a device that can discharge the conductive thin film, the conductive thin film solution applying step can be performed even if the spacer and the outer frame are first joined to the rear plate. It is also a feature of the present invention that the conductive thin film solution coating step is performed from above the spacer and the outer frame using this ink jet apparatus.
【0023】(4)フェースプレート接合(封着)工
程:同図(d) この後、フェースプレート上にも(a)と同様にスペー
サ及び外枠配置位置にフリットや接着剤を塗布し、上記
(b)のスペーサ及び外枠が固定されたリアプレートと
の接合(封着)を行い、画像表示装置の真空維持可能な
外囲器が製造される。(4) Face plate joining (sealing) step: (d) After that, a frit or an adhesive is applied to the position of the spacer and the outer frame on the face plate in the same manner as in (a). By joining (sealing) the spacer and the rear plate to which the outer frame is fixed in (b), an envelope capable of maintaining the vacuum of the image display device is manufactured.
【0024】以上のようにして、接合剤焼成工程を行っ
た後、すなわちリアプレート上にスペーサと外枠を固定
した後に、導電性薄膜形成工程を行うことにより、リア
プレート上に形成したフリットガラスペーストや接着剤
ワニスを焼成する際のバインダや有機溶剤の分解・燃焼
に伴う放出ガス雰囲気に導電性薄膜がさらされずに済ま
せることができる。したがって、バインダや有機溶剤の
分解・燃焼に伴う放出ガスによる導電性薄膜の抵抗変化
を生じることはなかった。また後の通電フォーミング処
理や活性化処理を適切に行うことができるので、充分な
電子放出電流を得ることができる画像表示装置の製造方
法を提供することができる。As described above, after performing the bonding agent baking step, that is, after fixing the spacer and the outer frame on the rear plate, the conductive thin film forming step is performed, whereby the frit glass formed on the rear plate is formed. It is possible to prevent the conductive thin film from being exposed to an atmosphere of a released gas accompanying decomposition and combustion of a binder or an organic solvent when baking a paste or an adhesive varnish. Therefore, the resistance of the conductive thin film did not change due to the released gas accompanying the decomposition and combustion of the binder and the organic solvent. In addition, since the energization forming process and the activation process can be appropriately performed later, it is possible to provide a method of manufacturing an image display device capable of obtaining a sufficient electron emission current.
【0025】[0025]
【実施例】以下、実施例を挙げて本発明を詳しく説明す
るが、本発明はこれら実施例に限定されるものではな
い。EXAMPLES Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to examples, but the present invention is not limited to these examples.
【0026】[実施例1]第1の実施例として、接合剤
としてフリットガラスを用いた場合について説明する。Embodiment 1 As a first embodiment, a case where frit glass is used as a bonding agent will be described.
【0027】はじめに表面伝導型の電子放出素子を用い
た画像表示装置について説明する。図3は本発明の画像
表示装置の一部の破断斜視図である。フェースプレート
806、リアプレート801、スペーサ213及び外枠
802、及びこれらを接合する図示しない接着剤で外囲
器808が構成されており、内部は真空が維持される。First, an image display device using a surface conduction electron-emitting device will be described. FIG. 3 is a partially cutaway perspective view of the image display device of the present invention. An envelope 808 is made up of a face plate 806, a rear plate 801, a spacer 213, an outer frame 802, and an adhesive (not shown) for joining them, and a vacuum is maintained inside.
【0028】リアプレートは通常青板(ソーダライムガ
ス)、SiO2 を表面に形成した青板ガラス等が基板と
して用いられ、この上に電子放出素子804及び電子放
出素子を駆動する信号を供給する配線702及び703
が基板上に形成されている。一方、フェースプレート
は、通常前述のガラス等が基板として用いられ、このガ
ラス基板803の内面に蛍光体804と例えば黒色体で
できた非発光部810がマトリクス状(ブラックマトリ
クス)またはストライプ状(ブラックストライプ)に形
成され、さらにメタルバック805(電子加速電極)が
形成されている。電子放出素子から放出された電子は、
メタルバックに印加された高電圧で加速され、蛍光体に
衝突し、蛍光体を発光させる。メタルバックの導電性が
充分でないときは補助的手段として、ガラス基板とブラ
ックストライプ(ブラックマトリクス)及び蛍光体との
間に透明導電層を設けることもある。As the rear plate, a blue plate (soda lime gas), a blue plate glass having SiO 2 formed on its surface, etc. are used as a substrate, and the electron-emitting device 804 and a wiring for supplying a signal for driving the electron-emitting device are provided thereon. 702 and 703
Are formed on the substrate. On the other hand, for the face plate, the above-mentioned glass or the like is usually used as a substrate. A metal back 805 (electron acceleration electrode) is formed. The electrons emitted from the electron-emitting device are
It is accelerated by the high voltage applied to the metal back, collides with the phosphor, and causes the phosphor to emit light. When the conductivity of the metal back is not sufficient, a transparent conductive layer may be provided between the glass substrate and the black stripe (black matrix) and the phosphor as an auxiliary means.
【0029】また図3の画像表示装置のフェースプレー
トに形成された蛍光膜を模式的に示すと図4のようにな
っている。蛍光膜804はモノクロームの場合は蛍光体
のみから構成することができる。カラー表示の場合は、
混色等を目立たなくするため、必要な三原色蛍光体90
2の間を非発光部901とすると。非発光部は黒色体と
すると外光反射によるコントラストの低下も抑制するこ
とができるので好ましい。非発光部のパターンは、画素
配列に合わせてストライプ状やマトリクス状とすること
が好ましい。FIG. 4 schematically shows the fluorescent film formed on the face plate of the image display device shown in FIG. The fluorescent film 804 can be composed of only a phosphor in the case of monochrome. For color display,
In order to make color mixing less noticeable, the necessary three primary color phosphors 90 are used.
Assume that the non-light emitting portion 901 is between the two. It is preferable that the non-light-emitting portion be a black body because a decrease in contrast due to reflection of external light can be suppressed. The pattern of the non-light-emitting portion is preferably a stripe shape or a matrix shape according to the pixel arrangement.
【0030】ガラス基板803に蛍光体を塗布する方法
は、モノクロームでもカラーの場合でも、沈澱法、印刷
法等が採用できる。蛍光膜804の内面側には、通常メ
タルバック805が設けられる。As a method of applying a fluorescent substance to the glass substrate 803, a precipitation method, a printing method, and the like can be adopted regardless of whether it is monochrome or color. Usually, a metal back 805 is provided on the inner surface side of the fluorescent film 804.
【0031】用いられる電子放出素子としては制限はな
く、熱電子源及び冷陰極電子源を用いることができる
が、特に好ましいのは冷陰極電子源である表面伝導型電
子放出素子である。The electron-emitting device to be used is not particularly limited, and a thermionic electron source and a cold cathode electron source can be used, but a surface conduction electron-emitting device which is a cold cathode electron source is particularly preferable.
【0032】図5(a),(b)ははそれぞれ表面伝導
型電子放出素子の平面図、断面図で、301は基板、3
02と303は素子電極、304は導電性薄膜、305
は電子放出部である。図6において、421は段差形成
部で、基板401、素子電極402及び403、導電性
薄膜404、電子放出部405等から構成される。平面
型表面伝導型電子放出素子は方法によって製造すること
ができる。FIGS. 5A and 5B are a plan view and a cross-sectional view of a surface conduction electron-emitting device, respectively.
02 and 303 are device electrodes, 304 is a conductive thin film, 305
Denotes an electron emission portion. In FIG. 6, reference numeral 421 denotes a step forming portion, which includes a substrate 401, device electrodes 402 and 403, a conductive thin film 404, an electron emitting portion 405, and the like. The planar surface conduction electron-emitting device can be manufactured by a method.
【0033】図3に示した画像表示装置は単純マトリク
ス配置となっている。これを模式的に示すと図7のよう
になっている。図7において、701は基板、702は
X方向配線、703はY方向配線である。704は表面
伝導型電子放出素子、705は結線である。なお、表面
伝導型電子放出素子704は、前述した平面型あるいは
垂直型のどちらであってもよい。The image display device shown in FIG. 3 has a simple matrix arrangement. This is schematically shown in FIG. 7, reference numeral 701 denotes a substrate, 702 denotes an X-direction wiring, and 703 denotes a Y-direction wiring. 704 is a surface conduction electron-emitting device, and 705 is a connection. Note that the surface conduction electron-emitting device 704 may be either of the above-mentioned flat type or vertical type.
【0034】m本のX方向配線702は、Dx1,Dx
2,・・・・,Dxmからなり、真空蒸着法、印刷法、
スパッタ法等を用いて形成された導電性金属等で構成す
ることができる。配線の材料、膜厚、幅は、適宜設計さ
れる、Y方法配線703は、Dy1,Dy2,・・・
・,Dynのn本の配線よりなり、X方向配線702と
同様に形成される。これらm本のX方向配線702とn
本のY方向配線703との間には、不図示の層間絶縁層
が設けられており、両者を電気的に分離している(m,
nは共に整数)。The m X-direction wirings 702 are Dx1, Dx
2, ... Dxm, vacuum deposition method, printing method,
It can be made of a conductive metal or the like formed by a sputtering method or the like. The material, thickness, and width of the wiring are appropriately designed. The Y-method wiring 703 includes Dy1, Dy2,.
., Dyn and are formed in the same manner as the X-direction wiring 702. These m X-directional wirings 702 and n
An interlayer insulating layer (not shown) is provided between the Y-direction wiring 703 and the Y-direction wiring 703 to electrically separate them from each other (m, m).
n is an integer).
【0035】表面伝導型放出素子704を構成する一対
の電極(不図示)は、m本のX方向配線702とn本の
Y方向配線703と導電性金属等からなる結線705に
よって電気的に接続されている。A pair of electrodes (not shown) constituting the surface conduction electron-emitting device 704 are electrically connected to m X-directional wires 702 and n Y-directional wires 703 by a connection 705 made of a conductive metal or the like. Have been.
【0036】X方向配線702には、X方向に配列した
表面伝導型放出素子704の行を、選択するための走査
信号を印加する不図示の走査信号印加手段が接続され
る。一方、Y方向配線703にはY方向に配列した表面
伝導型放出素子704の各列を入力信号に応じて、変調
するための不図示の変調信号発生手段が接続されてい
る。各電子放出素子に印加される駆動電圧は、当該素子
に印加される走査信号と変調信号の差電圧として供給さ
れる。The X-direction wiring 702 is connected to a scanning signal applying means (not shown) for applying a scanning signal for selecting a row of the surface conduction electron-emitting devices 704 arranged in the X direction. On the other hand, a modulation signal generating means (not shown) for modulating each column of the surface conduction electron-emitting devices 704 arranged in the Y direction according to an input signal is connected to the Y-direction wiring 703. The driving voltage applied to each electron-emitting device is supplied as a difference voltage between a scanning signal and a modulation signal applied to the device.
【0037】上記構成において、単純なマトリクス配線
を用いて、個別の素子を選択し、独立に駆動可能とする
ことができる。In the above configuration, individual elements can be selected and driven independently using a simple matrix wiring.
【0038】次に、単純マトリクス配置の電子源を用い
て構成した表示パネルに、NTSC方式のテレビ信号に
基づいたテレビジョン表示を行うための駆動回路の構成
例について、図8を用いて説明する。Next, an example of the configuration of a drive circuit for performing television display based on an NTSC television signal on a display panel configured using electron sources arranged in a simple matrix arrangement will be described with reference to FIG. .
【0039】図8において、1001は表示パネル、1
002は走査回路、1003は制御回路、1004はシ
フトレジスタである。1005はメインメモリ、100
6は同期信号分離回路、1007は変調信号発生器、V
xVaは直流電圧源である。In FIG. 8, reference numeral 1001 denotes a display panel;
002 is a scanning circuit, 1003 is a control circuit, and 1004 is a shift register. 1005 is the main memory, 100
6 is a synchronization signal separation circuit, 1007 is a modulation signal generator, V
xVa is a DC voltage source.
【0040】このような構成をとり得る本発明の画像表
示装置においては、各電子放出素子に、容器外端子Do
x1乃至Doxm、Doy1乃至Doynを介して電圧
を印加することにより、電子放出が生ずる。高圧端子H
vを介してメタルバック805、あるいは透明電極(不
図示)に高圧(数kVから十数kV)を印加し、電子ビ
ームを加速する。加速された電子は、蛍光膜804に衝
突し、発光が生じて画像が形成される。In the image display device of the present invention which can take such a configuration, each of the electron-emitting devices is provided with an external terminal Do.
By applying a voltage via x1 to Doxm and Doy1 to Doyn, electron emission occurs. High voltage terminal H
A high voltage (several kV to several tens of kV) is applied to the metal back 805 or a transparent electrode (not shown) via v to accelerate the electron beam. The accelerated electrons collide with the fluorescent film 804 and emit light to form an image.
【0041】ここで述べた画像表示装置の構成例は一例
であり、本発明の技術思想に基づいて種々の変形が可能
である。入力信号については、NTSC方式に限られる
るものではなく、PAL,SECAM方式等や、これよ
りも多数の走査線からなるTV信号(例えば、MUSE
方式をはじめとする高品位TV)方式も採用できる。The configuration example of the image display device described here is merely an example, and various modifications can be made based on the technical idea of the present invention. The input signal is not limited to the NTSC system, but may be a PAL or SECAM system or a TV signal (for example, MUSE) composed of a larger number of scanning lines.
And other high-definition TV) systems.
【0042】さらに本発明は、はしご型配置の電子源を
備えた画像表示装置に適用することができる。これを図
9及び図10を用いて説明する。Furthermore, the present invention can be applied to an image display device provided with a ladder-type electron source. This will be described with reference to FIGS.
【0043】図9は、はしご型配置の電子源の一例を示
す模式図である。図9において、1100は電子源基
板、1101は電子放出素子である。1120(Dx1
〜Dx10)は、電子放出素子1101に接続する共通
配線である。電子放出素子1101は、基板1100上
に、X方向に並列に複数個は配されている(これを素子
行と呼ぶ)。この素子行が複数個配されて、電子源を構
成している。各素子行の共通配線間に駆動電圧を印加す
ることで、各素子行を独立に駆動させることができる。
すなわち、電子ビームを放出させたい素子行には、電子
放出しきい値以上の電圧を、電子ビームを放出しない素
子行には、電子放出しきい値以下の電圧を印加する。各
素子行間の共通配線Dx2〜Dx9を、例えばDx2,
Dx3を同一配線とすることもできる。FIG. 9 is a schematic view showing an example of a ladder-type electron source. In FIG. 9, reference numeral 1100 denotes an electron source substrate, and 1101 denotes an electron-emitting device. 1120 (Dx1
To Dx10) are common wirings connected to the electron-emitting device 1101. A plurality of electron-emitting devices 1101 are arranged on the substrate 1100 in parallel in the X direction (this is called an element row). A plurality of the element rows are arranged to constitute an electron source. By applying a drive voltage between the common wires of each element row, each element row can be driven independently.
That is, a voltage equal to or higher than the electron emission threshold is applied to an element row that wants to emit an electron beam, and a voltage equal to or lower than the electron emission threshold is applied to an element row that does not emit an electron beam. The common wirings Dx2 to Dx9 between the element rows are, for example, Dx2
Dx3 may be the same wiring.
【0044】図10は、はしご型配置の電子源を備えた
画像表示装置におけるパネルの構造の一例を示す模式図
である。1200はグリッド電極、1201は電子が通
過するための空孔、1202はDox1,Dox2,・
・・・,Doxmよりなる容器外端子である。1203
は、グリッド電極1200と接続されたG1,G2,・
・・・,Gnからなる容器外端子である。図10におい
ては、図3、図9に示した部位と同じ部位には、これら
の図に付したのと同一の符号を付している。ここに示し
た画像表示装置と、図3に示した単純マトリクス配置の
画像表示装置の大きな違いは、電子源基板1110とフ
ェースプレート806の間にグリッド電極1200を備
えているか否かである。FIG. 10 is a schematic diagram showing an example of the structure of a panel in an image display device having a ladder-type electron source. 1200 is a grid electrode, 1201 is a hole for passing electrons, 1202 is Dox1, Dox2,.
... External terminals made of Doxm. 1203
Are G1, G2,... Connected to the grid electrode 1200.
.., External terminals made of Gn. In FIG. 10, the same portions as those shown in FIGS. 3 and 9 are denoted by the same reference numerals as those shown in these drawings. A major difference between the image display device shown here and the image display device having the simple matrix arrangement shown in FIG. 3 is whether or not a grid electrode 1200 is provided between the electron source substrate 1110 and the face plate 806.
【0045】グリッド電極1200は、表面伝導型電子
放出素子から放出された電子ビームを変調するものであ
り、はしご型配置の素子行と直交して設けられたストラ
イプ状の電極に電子ビームを通過させるため、各素子に
対応して1個ずつ円形の開口1201が設けられてい
る。グリッドの形状や設置位置は図10に示したものに
限定されるものではない。例えば、開口としてメッシュ
状に多数の通過口を設けることもでき、グリッドを表面
伝導型電子放出素子の周囲や近傍に設けることもでき
る。The grid electrode 1200 modulates the electron beam emitted from the surface conduction electron-emitting device, and allows the electron beam to pass through a stripe-shaped electrode provided orthogonal to the ladder-shaped device row. Therefore, one circular opening 1201 is provided for each element. The shape and installation position of the grid are not limited to those shown in FIG. For example, a large number of passage openings may be provided in the form of a mesh as openings, and a grid may be provided around or near the surface conduction electron-emitting device.
【0046】容器外端子1202及びグリッド容器外端
子1203は、不図示の制御回路と電気的に接続されて
いる。The terminal outside the container 1202 and the terminal outside the grid container 1203 are electrically connected to a control circuit (not shown).
【0047】本例の画像表示装置では素子行を1列ずつ
順次駆動(走査)していくのと同期してグリッド電極列
に画像の1ライン分の変調信号を同時に印加する。これ
により、各電子ビームの蛍光体への照射を制御し、画像
を1ラインずつ表示することができる。In the image display apparatus of this embodiment, a modulation signal for one line of an image is simultaneously applied to the grid electrode rows in synchronization with the sequential driving (scanning) of the element rows one by one. This makes it possible to control the irradiation of each electron beam to the phosphor and display an image one line at a time.
【0048】このようなはしご型配置の電子源を備えた
画像表示装置の場合には、導電性スペーサを、グリッド
の電子通過孔(開口)のない領域状に配置し、前述の画
像表示装置の製造と同じように作製することができる。In the case of such an image display device having a ladder-shaped arrangement of electron sources, the conductive spacers are arranged in an area of the grid having no electron passage holes (openings), and the image display device of the above-described image display device is provided. It can be manufactured in the same way as manufacturing.
【0049】本発明の画像表示装置は、テレビジョン放
送の表示装置、テレビ会議システムやコンピュータ等の
表示装置の他、感光性ドラム等を用いて構成された光プ
リンターとしての画像表示装置としても用いることがで
きる。The image display device of the present invention is used not only as a display device for a television broadcast, a display device such as a video conference system or a computer, but also as an image display device as an optical printer using a photosensitive drum or the like. be able to.
【0050】電子放出素子として平面型表面伝導型電子
放出素子を用い、単純マトリクス配置した電子源を用い
た画像表示装置を作製した例を図1、図11、図12、
図13、図14を用いて示す。FIGS. 1, 11, 12, and 13 show examples in which a flat surface conduction electron-emitting device is used as an electron-emitting device and an image display device using an electron source arranged in a simple matrix is manufactured.
This will be described with reference to FIGS.
【0051】電子源の一部の平面図を図11に示す。ま
た、図中A−A’断面図を図12に、製造手順を図13
及び図14に示す。ただし、図11、図12、図13、
図14において同じ符号は同じ部材を示す。FIG. 11 is a plan view of a part of the electron source. FIG. 12 is a sectional view taken along the line AA ′ in FIG.
And FIG. However, FIG. 11, FIG. 12, FIG.
In FIG. 14, the same reference numerals indicate the same members.
【0052】ここで1は基板、72はX方向配線(下配
線とも呼ぶ)、73はY方向配線(上配線と呼ぶ)、3
は電子放出部を含む薄膜、2,3は素子電極、151は
層間絶縁層、152は素子電極3と下配線72と電気的
接続のためのコンタクトホールである。Here, 1 is a substrate, 72 is an X-direction wiring (also called a lower wiring), 73 is a Y-direction wiring (also called an upper wiring), 3
Is a thin film including an electron emitting portion, 2 and 3 are device electrodes, 151 is an interlayer insulating layer, and 152 is a contact hole for electrical connection between the device electrode 3 and the lower wiring 72.
【0053】次に製造方法を、図13及び図14に基づ
いて工程順にしたがって具体的に説明する。なお、以下
の各工程a〜fは図13及び図14の(a)〜(f)に
対応するものである。Next, the manufacturing method will be specifically described in the order of steps with reference to FIGS. The following steps a to f correspond to (a) to (f) of FIGS. 13 and 14.
【0054】工程−a 清浄化した青板ガラス上に厚さ0.5ミクロンのシリコ
ン酸化膜をスパッタ法で形成した基板1上に真空蒸着に
より、厚さ50オングストロームのCr、厚さ6000
オングストロームのAuを順次積層した後、ホストレジ
スト(AZ1370・ヘキスト社製)をスピンナーによ
り回転塗布し、ベークした後、ホトマスク像を露光し、
現像して、下配線72のレジストパターンを形成し、A
u/Cr堆積膜をウエットエチングして、所望の形状の
下配線72を形成した。Step-a A 50 Å thick Cr film and a 6000 Å film thickness are formed on a substrate 1 having a 0.5 μm thick silicon oxide film formed on a cleaned blue plate glass by sputtering.
After sequentially stacking Angstrom Au, a host resist (AZ1370, manufactured by Hoechst) is spin-coated with a spinner, baked, and then exposed to a photomask image.
Developing to form a resist pattern of the lower wiring 72;
The u / Cr deposited film was wet-etched to form a lower wiring 72 having a desired shape.
【0055】工程−b 次に、厚さ1.0ミクロンのシリコン酸化膜からなる層
間絶縁層151をRFスパッタ法により堆積した。Step-b Next, an interlayer insulating layer 151 made of a silicon oxide film having a thickness of 1.0 μm was deposited by RF sputtering.
【0056】工程−c 工程bで堆積したシリコン酸化膜にコンタクトホール1
52を形成するためのホトレジストパターンを作り、こ
れをマスクとして層間絶縁層151をエッチングしてコ
ンタクトホール152を形成した。エッチングはCF4
とH2 ガスを用いてRIE(Reactive Ion Etching) 法
によった。Step-c The contact hole 1 is formed in the silicon oxide film deposited in the step b.
A photoresist pattern for forming 52 was formed, and using this as a mask, the interlayer insulating layer 151 was etched to form a contact hole 152. Etching is CF 4
RIE (Reactive Ion Etching) method using H 2 and H 2 gas.
【0057】工程−d その後、素子電極2,3と素子電極間ギャップLとなる
べきパターンをホトレジスト(RD−2000N−41
・日立化成社製)で形成し、真空蒸着法により、厚さ5
0オングストロームのTi、厚さ1000オングストロ
ームのNiを順次堆積した。ホトレジストパターンを有
機溶剤で溶解し、Ni/Ti堆積膜をリフトオフし、素
子電極間隔L1が3ミクロメーター、幅W1が300ミ
クロンの素子電極2,3を形成した。Step-d Thereafter, a pattern to be a gap L between the device electrodes 2 and 3 and the device electrode is formed by a photoresist (RD-2000N-41).
・ Hitachi Kasei Co., Ltd.) and have a thickness of 5
0 Å of Ti and 1000 Å of Ni were sequentially deposited. The photoresist pattern was dissolved with an organic solvent, and the Ni / Ti deposited film was lifted off to form device electrodes 2 and 3 having a device electrode interval L1 of 3 micrometers and a width W1 of 300 microns.
【0058】工程−e 素子電極2,3の上に上配線73用のホトレジストパタ
ーンを形成した後、厚さ50オングストロームのTi,
厚さ5000オングストロームのAuを順次真空蒸着に
より堆積し、リフトオフにより不要の部分を除去して、
所望の形状の上配線73を形成した。Step-e After a photoresist pattern for the upper wiring 73 is formed on the device electrodes 2 and 3, a 50 angstrom thick Ti,
5000 Å thick Au is sequentially deposited by vacuum evaporation, and unnecessary portions are removed by lift-off,
The upper wiring 73 having a desired shape was formed.
【0059】工程−f コンタクトホール152部分以外にレジストを塗布して
パターンを形成し、真空蒸着により厚さ50オングスト
ロームのTi、厚さ5000オングストロームのAuを
順次堆積した。リフトオフにより不要の部分を除去する
ことにより、コンタクトホール152を埋め込んだ。以
上の工程により素子電極2,3間に導電性薄膜を形成す
る前のリアプレート(電子源基板)71を作製した。Step-f A resist was applied to portions other than the contact hole 152 to form a pattern, and 50 Å thick Ti and 5000 Å thick Au were sequentially deposited by vacuum evaporation. Unnecessary portions were removed by lift-off to bury the contact holes 152. Through the above steps, a rear plate (electron source substrate) 71 before forming a conductive thin film between the device electrodes 2 and 3 was manufactured.
【0060】以上のようにして作製した導電膜形成前の
リアプレートを用いて、本発明の画像表示装置の製造方
法にしたがって、スペーサ及び外枠のフリットよりリア
プレートへの固定する工程及びリアプレート上素子電極
間への導電性薄膜形成が、画像表示装置の部分断面を示
す図1(a)〜(d)に示すように行われる。同図は実
施態様と同じであるので、図の説明は省略する。Using the rear plate before the conductive film formed as described above, according to the method of manufacturing an image display device of the present invention, the step of fixing the spacer and the outer frame to the rear plate from the frit and the rear plate The formation of the conductive thin film between the upper element electrodes is performed as shown in FIGS. 1A to 1D showing a partial cross section of the image display device. Since the figure is the same as the embodiment, the description of the figure is omitted.
【0061】(1)リアプレート上への接合剤溶液塗布
工程:同図(a) 接合剤溶液として、フリットガラスペーストすなわち粉
末ガラス(日本電気硝子(株)製LS3081)にビー
クル(アクリル樹脂:エルバサイトをタービネオールに
10%溶融させたもの)を加えたペーストをディスペン
サー114を用いて、予めリアプレート(電子源基板)
101上のスペーサが配置される位置(本図では配線1
06上)及び外枠が配置される位置に以下の条件で形成
した。フリットガラスペーストを内径0.2mmのノズ
ルを装着したディペンサーに装填して、吐出圧力1kg
f/cm2 、ギャップ(ノズル先端と被塗布部材間距
離)0.2mm、ノズル送り速度15mm/secの条
件で行った。(1) Step of applying bonding agent solution on rear plate: (a) As a bonding agent solution, a frit glass paste, that is, powdered glass (LS3081 manufactured by Nippon Electric Glass Co., Ltd.) is applied to a vehicle (acrylic resin: Elba). Using a dispenser 114, a paste to which a site is melted in turbineol at 10%) is preliminarily rear-plated (electron source substrate).
101 (where wiring 1 is located)
06) and the position where the outer frame is arranged under the following conditions. The frit glass paste is loaded into a depenser equipped with a nozzle having an inner diameter of 0.2 mm, and the discharge pressure is 1 kg.
The measurement was performed under the conditions of f / cm 2 , a gap (distance between the tip of the nozzle and the member to be coated) of 0.2 mm, and a nozzle feed speed of 15 mm / sec.
【0062】(2)スペーサ及び外枠とリアプレートの
接合(封着)工程:同図(b) リアプレート上の上記フリットガラスペースト塗布部分
に、スペーサ及び外枠を位置合わせして配置して、押え
板を置き、電気炉に設置した後、重りを乗せて、大気中
で最高温度410度で10分間焼成し、スペーサ及び外
枠とリアプレートの接合(封着)を行った。(2) Step of joining (sealing) the spacer and the outer frame to the rear plate: FIG. (B) The spacer and the outer frame are aligned and arranged on the above-mentioned frit glass paste application portion on the rear plate. After placing the presser plate and placing it in an electric furnace, it was put on a weight and baked at a maximum temperature of 410 ° C. for 10 minutes in the air to join (sealing) the spacer and the outer frame to the rear plate.
【0063】(3)リアプレート上素子電極間への導電
性薄膜材料を含有する溶液の塗布工程:同図(c) 以下に電子源基板の導電性薄膜(微粒子膜)形成方法を
順次説明する。すなわち導電性薄膜材料を含有する溶液
を液滴吐出ヘッドを有したインクジェット装置115を
用いて液滴状に付与する方法について説明する。(3) Step of applying a solution containing a conductive thin film material between the device electrodes on the rear plate: FIG. 3 (c) A method of forming a conductive thin film (fine particle film) on the electron source substrate will be described below. . That is, a method for applying a solution containing a conductive thin film material in the form of droplets using the inkjet apparatus 115 having a droplet discharge head will be described.
【0064】図17は、電子源基板における表面伝導型
電子放出素子の導電性薄膜(微粒子膜)を形成する際に
用いるインクジェット式液滴付与装置の吐出ヘッドユニ
ットを示した概略構成図である。FIG. 17 is a schematic structural view showing a discharge head unit of an ink jet type droplet applying apparatus used for forming a conductive thin film (fine particle film) of a surface conduction electron-emitting device on an electron source substrate.
【0065】ここで図17より吐出ヘッドユニットの構
成を説明する。1707は検出光学系で、電子源基板上
の画像情報を取り込むもので、液滴179を吐出させる
インクジェットヘッド1708に近接し、検出光学系1
707の光軸1711及び焦点位置と、インクジェット
ヘッド1708による液滴1709の着弾位置1710
とが一致するよう配置されている。この場合、検出光学
系1707とインクジェットヘッド1708との位置関
係はヘッドアライメント微動機構1712とヘッドアラ
イメント制御機構1713により精密に調整できるよう
になっている。検出光学系1707には、CCDカメラ
とレンズとを用いている。液滴の原料溶液としては、酢
酸パラジウム−エタノール−アミン錯体の水溶液を用い
た。インク吐出ヘッドは、バブルエット方式のものであ
る。Here, the configuration of the ejection head unit will be described with reference to FIG. Reference numeral 1707 denotes a detection optical system which captures image information on the electron source substrate.
The optical axis 1711 and the focal position of 707, and the landing position 1710 of the droplet 1709 by the inkjet head 1708
Are arranged so as to match. In this case, the positional relationship between the detection optical system 1707 and the inkjet head 1708 can be precisely adjusted by the head alignment fine movement mechanism 1712 and the head alignment control mechanism 1713. The detection optical system 1707 uses a CCD camera and a lens. An aqueous solution of a palladium acetate-ethanol-amine complex was used as a raw material solution for the droplets. The ink ejection head is of a bubble jet type.
【0066】この装置で液滴を各素子電極ギャップ部分
へ順次4回ずつ重ねて付与した後、素子電極基板を35
0℃の焼成炉で20分間加熱し、水分や有機成分を除去
することで、素子電極部には酸化パラジウム(PdO)
微粒子からなる導電性薄膜が形成された。After the droplets are sequentially applied to the gaps of the device electrodes four times by using this apparatus, the device electrode substrate is removed from the device electrode substrate.
By heating for 20 minutes in a baking furnace at 0 ° C. to remove moisture and organic components, palladium oxide (PdO)
A conductive thin film composed of fine particles was formed.
【0067】(4)フェースプレート接合(封着)工
程:同図(d) この後、フェースプレート上にも(a)と同様にスペー
サ及び外枠配置位置にフリットを塗布し、上記(b)の
スペーサ及び外枠が固定されたリアプレートとの接合
(封着)を行い、画像表示装置の真空維持可能な外囲器
が製造される。(4) Face plate joining (sealing) step: (d) in the same figure. Then, a frit is applied to the position of the spacer and outer frame on the face plate in the same manner as (a), and the above (b) is applied. (Sealing) with the spacer and the rear plate to which the outer frame is fixed, thereby manufacturing an envelope capable of maintaining the vacuum of the image display device.
【0068】以上のようにして、接合剤焼成工程を行っ
た後、すなわちリアプレート上にスペーサと外枠を固定
した後に、導電性薄膜形成工程を行うことにより、リア
プレート上に形成したフリットガラスペーストや接着剤
ワニスを焼成する際のバインダや有機溶剤の分解・燃焼
に伴う放出ガス雰囲気に導電性薄膜がさらされずに済ま
せることができる。したがって、バインダや有機溶剤の
分解・燃焼に伴う放出ガスによる導電性薄膜の抵抗変化
はほとんど検知できなかった。As described above, after performing the bonding agent baking step, that is, fixing the spacer and the outer frame on the rear plate, and then performing the conductive thin film forming step, the frit glass formed on the rear plate is formed. It is possible to prevent the conductive thin film from being exposed to an atmosphere of a released gas accompanying decomposition and combustion of a binder or an organic solvent when baking a paste or an adhesive varnish. Therefore, a change in resistance of the conductive thin film due to the released gas accompanying the decomposition and combustion of the binder and the organic solvent could hardly be detected.
【0069】以上のようにして完成した外囲器内の雰囲
気を充分な真空に達した後、容器外端子Dx1乃至Dx
mとDy1乃至Dynを通じ素子に電圧を印加し、導電
性薄膜をフォーミング処理することで電子放出部を作製
した。After the atmosphere in the envelope completed as described above reaches a sufficient vacuum, the outer terminals Dx1 to Dx1
A voltage was applied to the device through m and Dy1 to Dyn, and the conductive thin film was subjected to a forming treatment to produce an electron-emitting portion.
【0070】フォーミング処理の電圧波形は、図15と
した。また本実施例ではT1と1ミリ秒とし、T2を1
0ミリ秒として、三角波の波高値は、0.1Vステップ
で徐々に増加させてフォーミングを行った。フォーミン
グの終了は、抵抗測定パルスでの測定値は約1Mオーム
以上となったときとして、同時に素子への電圧印加を終
了した。FIG. 15 shows the voltage waveform of the forming process. In this embodiment, T1 is set to 1 millisecond, and T2 is set to 1
Assuming 0 ms, the peak value of the triangular wave was gradually increased in steps of 0.1 V to perform forming. Forming was terminated when the measured value of the resistance measurement pulse was about 1 M ohm or more, and voltage application to the element was terminated at the same time.
【0071】次に、波高値14V、パルス幅30マイク
ロ秒で、素子電流Ifと放出電流Ieを測定しながら、
活性工程を行った。活性化処理は、例えば有機物質のガ
スを含有する雰囲気下で、通電フォーミングと同様に、
電圧印加により行うことができる。この処理により、雰
囲気中に存在する有機ガス物質から、炭素あるいは炭素
化合物が素子上に堆積し、素子電流Ifと放出電流Ie
が増加する。なお印加電圧は適宜設定される。Next, while measuring the device current If and the emission current Ie at a peak value of 14 V and a pulse width of 30 microseconds,
An activation step was performed. The activation treatment, for example, under an atmosphere containing a gas of an organic substance, similarly to the energization forming,
It can be performed by applying a voltage. By this treatment, carbon or a carbon compound is deposited on the device from the organic gas substance existing in the atmosphere, and the device current If and the emission current Ie
Increase. Note that the applied voltage is appropriately set.
【0072】以上のようにフォーミング工程、活性化工
程を行い電子放出部を有する表面伝導型電子放出素子を
作製した。The surface conduction electron-emitting device having the electron-emitting portion was manufactured by performing the forming step and the activating step as described above.
【0073】その後充分なベーキング処理を行った後、
排気管をガスバーナーで熱することで溶着し外囲器の封
止を行った。After performing a sufficient baking process,
The exhaust pipe was welded by heating with a gas burner, and the envelope was sealed.
【0074】最後に封止後の真空度を維持するために、
ゲッター処理を行った。これは、封止を行う直前あるい
は封止後に、抵抗加熱あるいは高周波加熱等を用いた加
熱により、外囲器内の所定の位置(不図示)に配置され
たゲッターを加熱し、蒸着膜を形成する処理である。ゲ
ッター処理は通常Ba等が主成分であり、該蒸着膜の吸
着作用により、真空度を維持するものである。Finally, in order to maintain the degree of vacuum after sealing,
Getter processing was performed. This is to heat a getter disposed at a predetermined position (not shown) in the envelope by heating using resistance heating or high-frequency heating immediately before or after sealing to form a deposited film. This is the processing to be performed. In the getter process, Ba or the like is usually the main component, and the degree of vacuum is maintained by the adsorption action of the deposited film.
【0075】以上のようにして完成した外囲器に不図示
の画像表示用の駆動回路を取り付け、完成した本発明の
画像表示装置において、各電子放出素子には、容器外端
子Dx1乃至DxmとDy1乃至Dynを通じ、素子に
電圧を印加することにより、電子放出させ、高圧端子H
vを通じ、メタルバックに高圧を印加し、電子ビームを
加速し、蛍光膜に衝突させ、励起・発光させることで画
像を表示した。画像は、均一に優れ、安定した良質のも
のであった。A drive circuit for image display (not shown) is attached to the envelope completed as described above, and in the completed image display device of the present invention, each electron-emitting device has external terminals Dx1 to Dxm. By applying a voltage to the device through Dy1 to Dyn, electrons are emitted, and the high voltage terminal H
Through v, a high voltage was applied to the metal back, the electron beam was accelerated, collided with the fluorescent film, and excited and emitted to display an image. The images were uniformly excellent, stable and of good quality.
【0076】以上のようにして、フリットペースト焼成
工程を行った後、すなわちリアプレート上にスペーサと
外枠を固定した後に、導電性薄膜形成工程を行うことに
より、リアプレート上に形成したフリットガラスペース
トや接着材ワニスを焼成する際のバインダや有機溶剤の
分解・燃焼に伴う放出ガス雰囲気に導電性薄膜がさらさ
れずに済ませることができ、バインダや有機溶剤の分解
・燃焼に伴う放出ガスによる導電性薄膜の抵抗変化を生
じることはほとんどなく、後の通電フォーミング処理や
活性化処理を適切に行うことができるので、充分な電子
放出電流を得ることができる画像表示装置の製造方法を
提供することができた。As described above, after the frit paste baking step is performed, that is, after the spacer and the outer frame are fixed on the rear plate, the conductive thin film forming step is performed, whereby the frit glass formed on the rear plate is formed. The conductive thin film does not need to be exposed to the atmosphere of the released gas accompanying the decomposition and burning of the binder and organic solvent when baking paste and adhesive varnish, and the conductivity due to the released gas accompanying the decomposition and burning of the binder and organic solvent can be eliminated. To provide a method of manufacturing an image display device capable of obtaining a sufficient electron emission current because a resistance change of a conductive thin film hardly occurs and a subsequent energization forming process and an activation process can be appropriately performed. Was completed.
【0077】[実施例2]第2の実施例として、接合剤
として樹脂を主成分とする接着剤を用いた場合について
説明する。[Embodiment 2] As a second embodiment, a case where an adhesive mainly composed of a resin is used as a bonding agent will be described.
【0078】接合剤としての実施例1に示したフリット
(低融点ガラス)の代わりに樹脂を主成分とする接着剤
を用いることができる。本発明の画像表示装置に適用可
能な接着剤の条件は、以下の通りである。Instead of the frit (low-melting glass) shown in Embodiment 1 as a bonding agent, an adhesive mainly composed of a resin can be used. The conditions of the adhesive applicable to the image display device of the present invention are as follows.
【0079】1.シール性: 高真空維持(真空リーク
極小、ガス透過極小)可能 ただし、真空維持が必要な個所のみ 2.耐熱性: 真空中ベーク(高真空形成)工程におけ
る耐熱性 3.放出ガス特性: 低放出ガス(高真空維持)特性1. Sealability: High vacuum can be maintained (minimum vacuum leak, minimum gas permeation), but only where vacuum maintenance is required. 2. Heat resistance: Heat resistance in the baking in vacuum (high vacuum forming) process. Emission gas characteristics: Low emission gas (high vacuum maintained) characteristics
【0080】上記の条件を満たす樹脂を主成分とする接
着剤候補としては、ポリアミドイミド、ポリベンゾイミ
ダゾール、ポリイミド、ポリキナゾロン、ポリオキサジ
アゾール等が挙げられる。Adhesive candidates mainly composed of a resin satisfying the above conditions include polyamide imide, polybenzimidazole, polyimide, polyquinazolone, polyoxadiazole and the like.
【0081】樹脂を主成分とする接着剤として、ポリベ
ンゾイミダゾール(PBI)樹脂を主成分とする接着剤
が最も好ましい1つとして用いられる。ポリベンゾイミ
ダゾール(PBI)のワニスを用いると、300℃以上
で加熱することにより、溶剤を蒸発させ、PBIを架橋
させて、強度・耐薬品性を向上させるので、前記1〜3
の条件を満たすことができる。PBIは他の接着剤と比
較して、特にガス透過性が極めて小さい点が好ましい。As an adhesive containing a resin as a main component, an adhesive containing a polybenzimidazole (PBI) resin as a main component is most preferably used. When a varnish of polybenzimidazole (PBI) is used, by heating at 300 ° C. or more, the solvent is evaporated and the PBI is cross-linked to improve the strength and chemical resistance.
Condition can be satisfied. It is preferable that PBI has an extremely small gas permeability as compared with other adhesives.
【0082】また、ポリイミド樹脂を主成分とする接着
剤が好ましく用いられる。ポリイミドワニスを用いる
と、300℃以上で加熱することにより、乾燥、熱イミ
ド化を行った後、熱圧着により接着することにより、2
〜3の条件を満たすことができる。An adhesive containing a polyimide resin as a main component is preferably used. When a polyimide varnish is used, it is heated at 300 ° C. or more, dried and thermally imidized, and then bonded by thermocompression bonding.
~ 3 conditions can be satisfied.
【0083】上記2種類の樹脂系接着剤ワニス及び前述
のフリットガラスペーストは、それぞれディッピング、
スプレー、ディスペンサー塗布、スクリーン印刷、正電
塗装等の公知のコーティング法で、接合箇所にコーティ
ングし、熱処理により硬化させ、接着を行う。The above two types of resin adhesive varnish and the above-mentioned frit glass paste were dipped,
The joints are coated by a known coating method such as spraying, dispenser coating, screen printing, and positive electrode coating, and cured by heat treatment to bond.
【0084】本実施例では、ポリベンゾイルイミダゾー
ル(PBI)のワニスをディスペンサー塗布する方法を
用いた。In this example, a method of applying a varnish of polybenzoyl imidazole (PBI) by a dispenser was used.
【0085】実施例1と同様にして作製した導電膜形成
前のリアプレートを用いて、本発明の画像表示装置の製
造方法にしたがって、スペーサ及び外枠のフリットより
リアプレートへの固定する工程及びリアプレート上素子
電極間への導電性薄膜形成が、画像表示装置の部分断面
を示す図1(a)〜(d)に示すように行われる。同図
は実施態様と同じであるので、図の説明は省略する。According to the method of manufacturing an image display device of the present invention, a step of fixing the spacer and the outer frame to the rear plate from the frit using the rear plate before the formation of the conductive film manufactured in the same manner as in Example 1. The formation of the conductive thin film between the device electrodes on the rear plate is performed as shown in FIGS. 1A to 1D showing partial cross sections of the image display device. Since the figure is the same as the embodiment, the description of the figure is omitted.
【0086】(1)リアプレート上への接合剤溶液塗布
工程:同図(a) 接合剤溶液として、ポリベンゾイミダゾール(PBI)
ノワニス:ヘキストインダストリ−(株)製品名 PB
I MR Solition(マトリックスレジンソリ
ューション:樹脂濃度10wt%、溶剤ジメチルアセト
アミド)をディスペンサー114を用いて、予めリアプ
レート(電子源基板)101上のスペーサが配置される
位置(本図では配線106上)及び外枠が配置される位
置に以下の条件で形成した。ワニスを内径0.3mmの
ノズルを装着したディペンサーに装填して、吐出圧力
0.03kgf/cm2 、ギャップ(ノズル先端と被塗
布部材間距離)0.1mm、ノズル送り速度12mm/
secの条件で行った。(1) Step of applying bonding agent solution on rear plate: (a) Polybenzimidazole (PBI) is used as the bonding agent solution.
Nowis: Hoechst Industry Co., Ltd. Product name PB
Using the dispenser 114, IMR Solution (matrix resin solution: resin concentration 10 wt%, solvent dimethylacetamide) is used to dispose the spacers on the rear plate (electron source substrate) 101 in advance (on the wiring 106 in this figure) and It was formed under the following conditions at the position where the outer frame was arranged. The varnish was loaded into a depenser equipped with a nozzle having an inner diameter of 0.3 mm, a discharge pressure was 0.03 kgf / cm 2 , a gap (distance between the nozzle tip and the member to be coated) was 0.1 mm, and a nozzle feed speed was 12 mm /
This was performed under the condition of sec.
【0087】(2)スペーサ及び外枠とリアプレートの
接合(封着)工程:同図(b) リアプレート上の上記フリットガラスペースト塗布部分
に、スペーサ及び外枠を位置合わせして配置して、押え
板を置き、電気炉に設置した後、重りを乗せて、大気中
で最高温度300度で60分間焼成し、スペーサ及び外
枠とリアプレートの接合(封着)を行った。(2) Step of bonding (sealing) the spacer and the outer frame to the rear plate: FIG. (B) The spacer and the outer frame are aligned and arranged on the frit glass paste application portion on the rear plate. After placing the presser plate and placing it in an electric furnace, it was put on a weight and baked at a maximum temperature of 300 ° C. for 60 minutes in the air to join (sealing) the spacer and the outer frame to the rear plate.
【0088】(3)リアプレート上素子電極間への導電
性薄膜材料を含有する溶液の塗布工程:同図(c) 導電性薄膜材料を含有する溶液を実施例1と同様に液滴
吐出ヘッドを有したインクジェット装置115を用いて
液滴状に付与し、焼成することで素子電極間をつなぐ酸
化パラジウム(PdO)微粒子からなる導電性薄膜が形
成された。(3) Step of applying a solution containing a conductive thin film material between element electrodes on the rear plate: FIG. 9C. The ink was applied in the form of droplets using an ink jet device 115 having a liquid crystal layer, and was baked to form a conductive thin film made of palladium oxide (PdO) fine particles connecting between the device electrodes.
【0089】(4)フェースプレート接合(封着)工
程:同図(d) この後、フェースプレート上にも(a)と同様にスペー
サ及び外枠配置位置にフリットを塗布し、実施例1
(b)と同様にスペーサ及び外枠が固定されたリプレー
トとの接合(封着)を行い、画像表示装置の真空維持可
能な外囲器が製造される。(4) Face plate joining (sealing) step: FIG. 9D Thereafter, a frit is applied to the position of the spacer and the outer frame on the face plate in the same manner as in FIG.
Bonding (sealing) with the replate to which the spacer and the outer frame are fixed is performed in the same manner as in (b), and an envelope capable of maintaining the vacuum of the image display device is manufactured.
【0090】以上のようにして、接合剤焼成工程を行っ
た後、すなわちリアプレート上にスペーサと外枠を固定
した後に、導電性薄膜形成工程を行うことにより、リア
プレート上に形成したフリットガラスペーストや接着剤
ワニスを焼成する際のバインダや有機溶剤の分解・燃焼
に伴う放出ガス雰囲気に導電性薄膜がさらされずに済ま
せることができる。したがって、バインダや有機溶剤の
分解・燃焼に伴う放出ガスによる導電性薄膜の抵抗変化
を生じることはなかった。As described above, after performing the bonding agent firing step, that is, after fixing the spacer and the outer frame on the rear plate, the conductive thin film forming step is performed, whereby the frit glass formed on the rear plate is formed. It is possible to prevent the conductive thin film from being exposed to an atmosphere of a released gas accompanying decomposition and combustion of a binder or an organic solvent when baking a paste or an adhesive varnish. Therefore, the resistance of the conductive thin film did not change due to the released gas accompanying the decomposition and combustion of the binder and the organic solvent.
【0091】この後、実施例1と同様に通電フォーミン
グ及び活性化処理を行い、画像形成装置を完成した。こ
の画像表示装置に高圧を印加して、画像表示させたとこ
ろ、画像は均一に優れ、安定した良質のものであった。Thereafter, the energization forming and the activation process were performed in the same manner as in the first embodiment to complete the image forming apparatus. When an image was displayed by applying a high voltage to this image display device, the image was uniformly excellent and stable.
【0092】以上のようにして、フリットペースト焼成
工程を行った後、すなわちリアプレート上にスペーサと
外枠を固定した後に、導電性薄膜形成工程を行うことに
より、リアプレート上に形成した接着材ワニスを焼成す
る際の有機溶剤の分解・燃焼に伴う放出ガス雰囲気に導
電性薄膜がさらされずに済ませることができ、有機溶剤
の分解・燃焼に伴う放出ガスによる導電性薄膜の抵抗変
化を生じることはほとんどなく、後の通電フォーミング
処理や活性化処理を適切に行うことができるので、充分
な電子放出電流を得ることができる画像表示装置の製造
方法を提供することができた。As described above, after the frit paste baking step is performed, that is, after the spacer and the outer frame are fixed on the rear plate, the conductive thin film forming step is performed, whereby the adhesive material formed on the rear plate is formed. The conductive thin film can be kept from being exposed to the atmosphere of the release gas accompanying the decomposition and combustion of the organic solvent when firing the varnish, and the resistance of the conductive thin film changes due to the release gas due to the decomposition and combustion of the organic solvent. Since the energization forming process and the activation process can be appropriately performed later, a method of manufacturing an image display device capable of obtaining a sufficient electron emission current can be provided.
【0093】[0093]
【発明の効果】以上説明したように、本発明では、接合
剤焼成工程を行った後、すなわちリアプレート上にスペ
ーサと外枠を固定した後に、導電性薄膜形成工程を行う
ことにより、リアプレート上に形成したフリットガラス
ペーストや接着剤ワニスを焼成する際のバインダや有機
溶剤の分解・燃焼に伴う放出ガス雰囲気に導電性薄膜が
さらされずに済ませることができた。したがって、バイ
ンダや有機溶剤の分解・燃焼に伴う放出ガスによる導電
性薄膜の抵抗変化を生じることはなかった。As described above, according to the present invention, the rear plate is formed by performing the bonding agent firing step, that is, after fixing the spacer and the outer frame on the rear plate, and then performing the conductive thin film forming step. The conductive thin film could be kept from being exposed to the atmosphere of the released gas accompanying the decomposition and combustion of the binder and the organic solvent when firing the frit glass paste and the adhesive varnish formed thereon. Therefore, the resistance of the conductive thin film did not change due to the released gas accompanying the decomposition and combustion of the binder and the organic solvent.
【0094】また、後の通電フォーミング処理や活性化
処理を適切に行うことができるので、充分な電子放出電
流を得ることができる画像表示装置の製造方法を提供す
ることができた。Further, since the energization forming process and the activation process can be appropriately performed later, a method of manufacturing an image display device capable of obtaining a sufficient electron emission current can be provided.
【0095】また、導電性薄膜を数百℃で加熱する工程
が従来は2回あったが、本発明では、予めスパッタ、外
枠を接合後、導電性薄膜を形成しているので、導電性薄
膜が、経験する加熱工程が1度で済む。このことにより
加熱による導電性薄膜の変質も抑制できる。Although the step of heating the conductive thin film at several hundred degrees Celsius was conventionally performed twice, in the present invention, the conductive thin film is formed after the sputter and the outer frame are joined in advance, so that the conductive thin film is formed. The film undergoes only one heating step. As a result, deterioration of the conductive thin film due to heating can be suppressed.
【図1】図1(a)〜(d)は本発明の画像表示装置の
製造工程を示す断面図である。FIGS. 1A to 1D are cross-sectional views illustrating a process of manufacturing an image display device according to the present invention.
【図2】図2(a)〜(d)は、従来の画像表示装置の
製造工程を示す断面図である。FIGS. 2A to 2D are cross-sectional views illustrating a manufacturing process of a conventional image display device.
【図3】本発明の画像表示装置の一例を示す斜視図であ
る。FIG. 3 is a perspective view showing an example of the image display device of the present invention.
【図4】図4(a),(b)は蛍光膜の一例を示す模式
図である。FIGS. 4A and 4B are schematic diagrams showing an example of a fluorescent film.
【図5】図5(a),(b)はそれぞれ本発明の平面型
表面伝導型電子放出素子の平面図及び断面図である。FIGS. 5A and 5B are a plan view and a cross-sectional view, respectively, of a flat surface conduction electron-emitting device of the present invention.
【図6】本発明の別の例を示す表面伝導型電子放出素子
の断面図である。FIG. 6 is a sectional view of a surface conduction electron-emitting device showing another example of the present invention.
【図7】本発明のマトリクス配置型の電子源基板の一例
を示す模式図である。FIG. 7 is a schematic view showing an example of a matrix arrangement type electron source substrate of the present invention.
【図8】画像形成装置にNTSC方式のテレビ信号に応
じて表示を行うための駆動回路の一例を示すブロック図
である。FIG. 8 is a block diagram illustrating an example of a driving circuit for performing display on the image forming apparatus in accordance with an NTSC television signal.
【図9】本発明の梯子配置型電子源基板の一例を示す模
式図である。FIG. 9 is a schematic view illustrating an example of a ladder-positioned electron source substrate according to the present invention.
【図10】本発明の画像形成装置の表示パネルの一例を
示す模式図である。FIG. 10 is a schematic diagram illustrating an example of a display panel of the image forming apparatus of the present invention.
【図11】本発明で用いられる電子源基板の模式図であ
る。FIG. 11 is a schematic view of an electron source substrate used in the present invention.
【図12】本発明の電子源基板の断面図である。FIG. 12 is a cross-sectional view of the electron source substrate of the present invention.
【図13】図13(a)〜(d)は本発明の電子源基板
の前半の製造工程を示す断面図である。13 (a) to 13 (d) are cross-sectional views showing the first half of the manufacturing process of the electron source substrate of the present invention.
【図14】図13(e)〜(f)は本発明の電子源基板
の後半の製造工程を示す断面図である。FIGS. 13E to 13F are cross-sectional views showing the latter half of the manufacturing process of the electron source substrate of the present invention.
【図15】フォーミング処理の電圧波形図を示す図であ
る。FIG. 15 is a diagram showing a voltage waveform diagram of a forming process.
【図16】従来の画像表示装置の構成を示す斜視図であ
る。FIG. 16 is a perspective view illustrating a configuration of a conventional image display device.
【図17】本発明において用いられる吐出ヘッドユニッ
トの概略構成図である。FIG. 17 is a schematic configuration diagram of an ejection head unit used in the present invention.
1,101,201,301,401,701,801
リアプレート(素子基板) 2,3,107,207,302,302,402,4
03,1702,1703 電極 4 薄膜 72,702 下(X方向)配線 73,106,206,703 上(Y方向)配線 114,214 ディスペンサー 115,215 液滴吐出ヘッドを有したインクジェ
ット装置 102,202,806 フェースプレート 103,203,802 支持枠 104,105,204,205,211,212
接着剤 109,209,804,902 蛍光膜 110,210,805 メタルバック 108,208 電子放出部を含む薄膜 151 層間絶縁層 152 コンタクトホール 153 Cr膜 304,404 導電性薄膜 305,405 電子放出部 421 段差形成部 704 表面伝導型電子放出素子 705 結線 807 高圧端子 808 外囲器 901 黒色部材 1001 表示パネル 1002 走査回路 1003 制御回路 1004 シフトレジスタ 1005 ラインメモリ 1006 同期信号分離回路 1007 変調信号発生器 1100 電子源基板 1101 電子放出素子 1102 Dx1〜Dx10は前記電子放出素子を配
線するための共通配線 1200 グリッド電極 1201 電子が通過するため開孔 1202 Dox1,Dox2,・・・・,Doxm
よりなる容器外端子 1203 グリッド電極1200と接続されたG1,
G2 1702,1703 素子電極 1706 吐出ヘッドユニット 1707 検出光学系 1708 インクジェットヘッド 1709 液滴 1710 液滴着弾位置 1711 光軸 1712 ヘッドアライメント微動機構 1713 ヘッドアライメント制御機構1,101,201,301,401,701,801
Rear plate (element substrate) 2, 3, 107, 207, 302, 302, 402, 4
03, 1702, 1703 Electrode 4 Thin film 72, 702 Lower (X-direction) wiring 73, 106, 206, 703 Upper (Y-direction) wiring 114, 214 Dispenser 115, 215 Ink-jet apparatus 102, 202 having a droplet discharge head 806 Face plate 103, 203, 802 Support frame 104, 105, 204, 205, 211, 212
Adhesives 109, 209, 804, 902 Fluorescent films 110, 210, 805 Metal backs 108, 208 Thin film including an electron emitting portion 151 Interlayer insulating layer 152 Contact hole 153 Cr film 304, 404 Conductive thin film 305, 405 Electron emitting portion 421 Step forming portion 704 Surface conduction type electron-emitting device 705 Connection 807 High voltage terminal 808 Envelope 901 Black member 1001 Display panel 1002 Scanning circuit 1003 Control circuit 1004 Shift register 1005 Line memory 1006 Synchronous signal separation circuit 1007 Modulation signal generator 1100 Electron source Substrate 1101 Electron-emitting devices 1102 Dx1 to Dx10 are common wiring for wiring the electron-emitting devices 1200 Grid electrode 1201 Opening for passing electrons 1202 Dox1, Dox2,. Doxm
G1 connected to the grid electrode 1200
G2 1702, 1703 Element electrode 1706 Discharge head unit 1707 Detection optical system 1708 Inkjet head 1709 Droplet 1710 Droplet landing position 1711 Optical axis 1712 Head alignment fine movement mechanism 1713 Head alignment control mechanism
Claims (5)
るフェースプレートと、1対の素子電極と該一対の素子
電極をつなぎその一部に電極放出部を有する導電性薄膜
とから構成される複数の表面伝導型電子放出素子を形成
したリアプレート(電子源基板)と、前記フェースプレ
ートと前記リアプレートとの間にあって周を包囲する外
枠と、耐大気圧支持構造として前記フェースプレートと
前記リアプレートとの間に配置されたスペーサと、から
なる画像表示装置の製造方法において、前記外枠と前記
リアプレートの接合及び前記スペーサと前記リアプレー
トの接合を行う接合剤の焼成工程を行った後に前記導電
性薄膜形成工程を行うことを特徴とする画像表示装置の
製造方法。1. A face plate on which a phosphor and an electron accelerating electrode are formed, a pair of device electrodes, and a conductive thin film connecting the pair of device electrodes and having an electrode emission part in a part thereof. A rear plate (electron source substrate) on which a plurality of surface conduction electron-emitting devices are formed; an outer frame surrounding the periphery between the face plate and the rear plate; In a method for manufacturing an image display device comprising a spacer disposed between the rear plate and the rear plate, a firing step of a bonding agent for bonding the outer frame to the rear plate and bonding the spacer to the rear plate is performed. A method for manufacturing an image display device, wherein the conductive thin film forming step is performed later.
て、前記外枠と前記リアプレートの接合及び前記スペー
サと前記リアプレートの接合を行う接合剤の焼成工程が
フリットガラスペーストの焼成工程を含む請求項1に記
載の画像表示装置の製造方法。2. The method of manufacturing an image display device according to claim 1, wherein the step of firing the bonding agent for bonding the outer frame and the rear plate and the step of bonding the spacer and the rear plate includes firing the frit glass paste. The method for manufacturing an image display device according to claim 1, comprising:
て、前記外枠と前記リアプレートの接合及び前記スペー
サと前記リアプレートの接合を行う接合剤の焼成工程が
樹脂製接着剤ワニスの焼成工程を含む請求項1に記載の
画像表示装置の製造方法。3. The method for manufacturing an image display device according to claim 1, wherein the step of firing the bonding agent for bonding the outer frame and the rear plate and bonding the spacer and the rear plate includes firing a resin adhesive varnish. The method for manufacturing an image display device according to claim 1 including a step.
て、前記導電性薄膜形成工程が液滴吐出ヘッドを有した
インクジェット装置により形成する工程である請求項1
〜3のうち、いずれか1項に記載の画像表示装置の製造
方法。4. The method for manufacturing an image display device according to claim 1, wherein the step of forming the conductive thin film is a step of forming the conductive thin film using an ink jet device having a droplet discharge head.
4. The method for manufacturing an image display device according to any one of Items 3 to 3.
て、前記導電性薄膜より形成される電子源が表面伝導型
の電子放出素子である請求項1〜4のうち、いずれか1
項に記載の画像表示装置の製造方法。5. The method for manufacturing an image display device according to claim 1, wherein the electron source formed of the conductive thin film is a surface conduction electron-emitting device.
Item 13. The method for manufacturing an image display device according to item 9.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP36081397A JPH11191362A (en) | 1997-12-26 | 1997-12-26 | Manufacture of image display device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP36081397A JPH11191362A (en) | 1997-12-26 | 1997-12-26 | Manufacture of image display device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11191362A true JPH11191362A (en) | 1999-07-13 |
Family
ID=18471035
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP36081397A Pending JPH11191362A (en) | 1997-12-26 | 1997-12-26 | Manufacture of image display device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH11191362A (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100416761B1 (en) * | 2001-06-12 | 2004-01-31 | 삼성에스디아이 주식회사 | Forming method of spacer in flat panel display |
WO2007080961A1 (en) * | 2006-01-12 | 2007-07-19 | Asahi Glass Company, Limited | Resin paste for hermetic sealing of display |
-
1997
- 1997-12-26 JP JP36081397A patent/JPH11191362A/en active Pending
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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KR100416761B1 (en) * | 2001-06-12 | 2004-01-31 | 삼성에스디아이 주식회사 | Forming method of spacer in flat panel display |
WO2007080961A1 (en) * | 2006-01-12 | 2007-07-19 | Asahi Glass Company, Limited | Resin paste for hermetic sealing of display |
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