JPH1117114A

JPH1117114A - 可変容量回路

Info

Publication number: JPH1117114A
Application number: JP16841597A
Authority: JP
Inventors: Yasuhiro Sakurai; 保宏桜井; Atsushi Nobuoka; 淳信岡; Hiroyuki Miyama; 博行深山
Original assignee: Citizen Watch Co Ltd
Current assignee: Citizen Watch Co Ltd
Priority date: 1997-06-25
Filing date: 1997-06-25
Publication date: 1999-01-22
Anticipated expiration: 2017-06-25
Also published as: JP3742197B2

Abstract

(57)【要約】【課題】従来の可変容量回路は、可変容量素子の物理
的な容量変化の一部しか使用しないため、使用電圧範囲
での容量変化率が小さい。【解決手段】第１の固定容量１とＭＯＳ型コンデンサ
３と第２の固定容量５とを直列に接続し、ＭＯＳ型コン
デンサ３のゲート電極と対抗電極との両方で容量値を制
御することにより、ＭＯＳ型コンデンサ３の物理的な最
大容量変化のほとんどすべてを活用可能とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、間接補償方式の温
度補償型水晶発振器や、電圧制御型水晶発振器などに搭
載される可変容量回路の構成に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】可変容量回路は、すくなくとも１つの可
変容量素子を使用して構成され、従来技術の構成の１つ
の例を図６に示す。

【０００３】図６に示すように、ＤＣカットコンデンサ
の役目を果たす固定容量１と、可変容量素子２１とを直
列に接続し、可変容量素子２１の他端子をグランドに接
続する。

【０００４】そして、固定容量１と可変容量素子２１と
の接続点に入力抵抗７を接続する。制御信号は、この入
力抵抗７を介して印加される。

【０００５】入力抵抗７は交流信号を遮断する役目を果
たすものであり、もし制御信号を発生する回路の出力イ
ンピーダンスが充分高ければ、入力抵抗７を省略する場
合もある。

【０００６】また、可変容量素子２１の接続先は、高電
位側の電源（Ｖｃｃ）の場合もある。

【０００７】図６に示すような可変容量回路を、たとえ
ば水晶発振器に接続すれば電圧可変型水晶発振器とな
り、さらにその制御信号を温度補償信号とするならば、
間接補償方式の温度補償型水晶発振器となる。

【０００８】ところで可変容量素子２１は、可変容量ダ
イオードやＭＯＳ型コンデンサなどが体表的なものであ
る。

【０００９】可変容量ダイオードやＭＯＳ型コンデンサ
は、いずれも半導体の空乏層幅が電圧によって変化する
ことを利用しており、容量変化率を大きくするために、
その製造段階でいくつかの工夫をしている。

【００１０】可変容量ダイオードはｐｎ接合ダイオード
の一種であり、空乏層が伸びる側すなわち低濃度側の不
純物濃度分布に傾斜を設けたり、薄くするなどの工夫が
みられる。

【００１１】また、ＭＯＳ型コンデンサの場合は、半導
体基板の不純物濃度を薄くしたり、ゲート酸化膜の膜厚
を薄くするなどの工夫がみられる。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、半導体
の不純物濃度を薄くすることには限度があるため、容量
の最小値はあまり小さくはできない上に、不純物濃度に
よって最小容量値を小さくしようとすると、使用電圧範
囲での最大容量値も小さくなってしまうという問題点が
ある。

【００１３】またさらにＭＯＳ型コンデンサの場合は、
ゲート酸化膜の膜厚を薄くして物理的な最大容量値を大
きくしても、使用電圧範囲での最大容量値はあまり大き
くはならないという問題点がある。

【００１４】つまり従来技術のように、可変容量素子の
製造段階での工夫による方法では、使用電圧範囲での容
量変化率を大きくできないという課題がある。

【００１５】〔発明の目的〕本発明の目的は、使用電圧
範囲での容量変化率が大きい可変容量回路を提供するこ
とである。

【００１６】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明による可変容量回路の構成は、下記の通りと
する。

【００１７】すなわち本発明による可変容量回路の構成
は、第１の固定容量がＭＯＳ型コンデンサのゲート電極
に接続し、第２の固定容量がＭＯＳ型コンデンサの対抗
電極に接続し、ＭＯＳ型コンデンサのゲート電極を第１
の制御信号入力とし、ＭＯＳ型コンデンサの対抗電極を
第２の制御信号入力とすることを特徴とする。

【００１８】あるいはまた本発明による可変容量回路の
構成は、ＭＯＳ型コンデンサのゲート電極に第１の固定
容量と第１の入力抵抗とが接続し、ＭＯＳ型コンデンサ
の対抗電極に第２の固定容量と第２の入力抵抗とが接続
し、第１の入力抵抗を第１の制御信号入力とし、第２の
入力抵抗を第２の制御信号入力とすることを特徴とす
る。

【００１９】あるいはまた本発明の可変容量回路の構成
は、第１の固定容量が第１のＭＯＳ型コンデンサのゲー
ト電極に接続し、第２の固定容量が第１のＭＯＳ型コン
デンサの対抗電極に接続し、第３の固定容量が第２のＭ
ＯＳ型コンデンサのゲート電極に接続し、第２のＭＯＳ
型コンデンサの対抗電極が第１のＭＯＳ型コンデンサの
対抗電極に接続し、第１のＭＯＳ型コンデンサのゲート
電極を第１の制御信号入力とし、第１のＭＯＳ型コンデ
ンサの対抗電極を第２の制御信号入力とし、第２のＭＯ
Ｓ型コンデンサのゲート電極を第３の制御信号入力とす
ることを特徴とする。

【００２０】あるいは本発明における可変容量回路の構
成は、第１のＭＯＳ型コンデンサのゲート電極に第１の
固定容量と第１の入力抵抗とが接続し、第１のＭＯＳ型
コンデンサの対抗電極に第２の固定容量と第２の入力抵
抗とが接続し、第２のＭＯＳ型コンデンサのゲート電極
に第３の固定容量と第３の入力抵抗とが接続し、第２の
ＭＯＳ型コンデンサの対抗電極が第１のＭＯＳ型コンデ
ンサの対抗電極に接続し、第１の入力抵抗を第１の制御
信号入力とし、第２の入力抵抗を第２の制御信号入力と
し、第３の入力抵抗を第３の制御信号入力とすることを
特徴とする。

【００２１】あるいはまた本発明における可変容量回路
の構成は、第１の固定容量が第１のＭＯＳ型コンデンサ
のゲート電極に接続し、第２の固定容量が第１のＭＯＳ
型コンデンサの対抗電極に接続し、第３の固定容量が第
２のＭＯＳ型コンデンサの対抗電極に接続し、第２のＭ
ＯＳ型コンデンサのゲート電極が第１のＭＯＳ型コンデ
ンサの対抗電極に接続し、第１のＭＯＳ型コンデンサの
ゲート電極を第１の制御信号入力とし、第１のＭＯＳ型
コンデンサの対抗電極を第２の制御信号入力とし、第２
のＭＯＳ型コンデンサの対抗電極を第３の制御信号入力
とすることを特徴とする。

【００２２】あるいは本発明の可変容量回路の構成は、
第１のＭＯＳ型コンデンサのゲート電極に第１の固定容
量と第１の入力抵抗とが接続し、第１のＭＯＳ型コンデ
ンサの対抗電極に第２の固定容量と第２の入力抵抗とが
接続し、第２のＭＯＳ型コンデンサの対抗電極に第３の
固定容量と第３の入力抵抗とが接続し、第２のＭＯＳ型
コンデンサのゲート電極が第１のＭＯＳ型コンデンサの
対抗電極に接続し、第１の入力抵抗を第１の制御信号入
力とし、第２の入力抵抗を第２の制御信号入力とし、第
３の入力抵抗を第３の制御信号入力とすることを特徴と
する。

【００２３】あるいはまた本発明の可変容量回路の構成
は、第１の固定容量と第２の固定容量との間に複数のＭ
ＯＳ型コンデンサの直列接続を接続し、各ＭＯＳ型コン
デンサの両端子をそれぞれ制御信号入力とすることを特
徴とする。

【００２４】あるいはまた本発明の可変容量回路の構成
は、第１の固定容量と第２の固定容量との間に複数のＭ
ＯＳ型コンデンサの直列接続を接続し、各接続点にそれ
ぞれ入力抵抗の一端子を接続し、各入力抵抗の他端子を
それぞれ制御信号入力とすることを特徴とする。

【００２５】あるいはまた本発明の可変容量回路の構成
は、固定容量と、ＭＯＳ型コンデンサと、低電位側の電
源と高電位側の電源との間の電位を出力する定電圧発生
回路とを備え、固定容量がＭＯＳ型コンデンサのゲート
電極に接続し、ＭＯＳ型コンデンサの対抗電極が定電圧
発生回路の出力に接続することを特徴とする。

【００２６】あるいはまた本発明の可変容量回路の構成
は、固定容量と、ＭＯＳ型コンデンサと、入力抵抗と、
低電位側の電源と高電位側の電源との間の電位を出力す
る定電圧発生回路とを備え、固定容量と入力抵抗とがＭ
ＯＳ型コンデンサのゲート電極に接続し、ＭＯＳ型コン
デンサの対抗電極が定電圧発生回路の出力に接続するこ
とを特徴とする。

【００２７】なお、本発明においては、ＭＯＳ型コンデ
ンサのゲート電極はゲート絶縁膜上の電極を示し、対抗
電極は半導体基板側の電極を示すものとする。

【００２８】〔作用〕本発明は、可変容量素子はＭＯＳ
型コンデンサとし、その使用方法の工夫で容量変化率の
拡大を実現するものである。

【００２９】従来技術の可変容量回路においては、可変
容量素子を電源あるいはグランドに接続するため、可変
容量素子が有する物理的な容量値の可変範囲のうちの一
部しか使用しない構成になっている。

【００３０】これに対して本発明の可変容量回路では、
ＭＯＳ型コンデンサの接続先を電源電圧内の中間電位と
しており、使用電圧範囲を電源電圧範囲外にまで実質的
にずらすことで、容量変化率の大きい部分を有効に使用
するようにしている。

【００３１】さらにそれのみならず、本発明の可変容量
回路においては、可変容量素子の両端子に信号を印加す
ることにより、２つの信号の合成を容易に実現できると
いう効果もある。

【００３２】

【発明の実施の形態】以下、図面を使用して本発明の可
変容量回路における最適な実施形態を説明する。まずは
じめに本発明の第１の実施の形態を説明する。図１は、
本発明の第１の実施の形態における可変容量回路の構成
を示す回路図である。

【００３３】〔第１の実施の形態の説明：図１、図２〕
図１に示すように、第１の固定容量１がＭＯＳ型コンデ
ンサ３のゲート電極に接続し、第２の固定容量５がＭＯ
Ｓ型コンデンサ３の対抗電極に接続し、第２の固定容量
５の他端子がグランドに接続する。

【００３４】そして、第１の入力抵抗７がＭＯＳ型コン
デンサ３のゲート電極に接続し、第２の入力抵抗９がＭ
ＯＳ型コンデンサ３の対抗電極に接続する。

【００３５】第１の固定容量１の他端子は、たとえば水
晶発振回路などに接続する。

【００３６】第１の入力抵抗７および第２の入力抵抗９
は、直流信号を通し交流信号を遮断する役目を果たすも
のであり、もし制御信号を発生する回路の出力インピー
ダンスが充分に高ければ、これらの入力抵抗を介さず
に、直接制御信号を印加して差し支えない。

【００３７】第１の入力抵抗７および第２の入力抵抗９
を介してそれぞれ印加される第１の制御信号Ａおよび第
２の制御信号Ｂは、ＭＯＳ型コンデンサ３の容量値が電
源電圧変動の影響を受けないようにするため、同一の電
位を基準として発生する信号とする。たとえばどちらも
グランドを基準とするなどである。

【００３８】さて、図１に示す第１の実施の形態の有効
性は、ＭＯＳ型コンデンサ３の電気特性を理解すること
により明らかとなる。

【００３９】そこで、まずはじめにＭＯＳ型コンデンサ
３の電気特性について説明する。図２は、ＭＯＳ型コン
デンサの電気特性の１つの例である。

【００４０】〔ＭＯＳ型コンデンサの説明：図２〕図２
に示す電気特性は、ｐ形半導体基板とｐ形ゲート電極と
を有するＭＯＳ型コンデンサの特性例であり、半導体基
板を基準とするゲート電極の電圧と、容量値との関係を
表すものである。この電気特性は、一般にＣ−Ｖカーブ
と呼ばれている。

【００４１】図２には２本のＣ−Ｖカーブを示してお
り、それぞれ高濃度のｐ形半導体基板でゲート絶縁膜が
厚い場合のＣ−Ｖカーブ１７と、低濃度のｐ形半導体基
板でゲート絶縁膜が薄い場合のＣ−Ｖカーブ１９とを表
している。

【００４２】図２から明らかなように、物理的な容量変
化率を大きくするためには、Ｃ−Ｖカーブ１７の条件で
はなく、Ｃ−Ｖカーブ１９の条件でＭＯＳ型コンデンサ
を形成する必要がある。

【００４３】しかしながら、図２に示すように、Ｃ−Ｖ
カーブ１９はＣ−Ｖカーブ１７に比べて左方向に移動し
ている。

【００４４】このＣ−Ｖカーブの移動は、ＭＯＳトラン
ジスタのスレショールド電圧の移動と同じ現象であり、
ゲート絶縁膜を薄くしたり、半導体基板の不純物濃度を
薄くしたりすれば、左方向への移動は避けられない。

【００４５】そして、従来技術のように半導体基板を電
源やグランドに接続するならば、昇圧回路などを使用し
ない限り、Ｃ−Ｖカーブのうちゲート電圧がプラス側か
マイナス側かのどちらかしか使用できない。

【００４６】したがって、たとえ物理的な容量変化率が
大きくても、Ｃ−Ｖカーブ１９のような特性のＭＯＳ型
コンデンサでは、実際の使用電圧範囲での容量変化率が
小さくなってしまう。

【００４７】物理的な容量変化率が大きいままで、Ｃ−
Ｖカーブを右方向に移動させるためには、ゲート電極材
料を、ｐ形よりももっとｐ形の傾向が強い物質、すなわ
ち仕事関数が大きい物質に変更する必要がある。

【００４８】しかし、半導体集積回路の電気特性に悪影
響を与えることなく、そのような条件を満たす適当な物
質は、今のところ見つかっていない。

【００４９】そこで、ＭＯＳ型コンデンサの電気特性を
改良するのではなく、その使用方法を工夫することによ
って、使用電圧範囲での容量変化率を大きくしなければ
ならない。

【００５０】そのような工夫の１つが、図１に示す本発
明の第１の実施の形態である。

【００５１】図１に示すように、ＭＯＳ型コンデンサ３
の容量値を決める第１の制御信号Ａおよび第２の制御信
号Ｂは、それぞれ第１の固定容量１および第２の固定容
量５によって、周囲から直流的に遮断されているから、
電源電圧範囲内で任意の電位をとることができる。

【００５２】そこでたとえば、第２の制御信号Ｂを電源
電圧の半分程度にしておき、第１の制御信号Ａをグラン
ドレベルから電源電圧まで変化させるならば、図２に示
すＣ−Ｖカーブを、ゲート電圧がマイナスの領域かラプ
ラスの領域まで使用することに相当する。

【００５３】したがって、Ｃ−Ｖカーブ１９のような特
性のＭＯＳ型コンデンサならば、容量変化が最も大きい
範囲を使用できることになり、従来の構成に比べて、容
量変化率は大幅に向上する。

【００５４】さらに、本発明の第１の実施の形態では、
容量変化率の拡大だけではなく、第１の制御信号Ａと第
２の制御信号Ｂとの信号合成という効果もある。

【００５５】すなわち、ＭＯＳ型コンデンサ３の容量値
は、第１の制御信号Ａによって制御されると共に、第２
の制御信号Ｂによっても制御されるから、一方の制御信
号を反転して他方の制御信号と合成し、この合成信号で
ＭＯＳ型コンデンサ３を制御することと等価である。

【００５６】以上の説明で明らかなように、本発明の第
１の実施の形態では、２つの固定容量とＭＯＳ型コンデ
ンサとを直列接続し、ＭＯＳ型コンデンサのゲート電極
と対抗電極との両方に制御信号を印加することにより、
物理的な最大容量変化のほぼすべてを利用できるため、
使用電圧範囲での容量変化率を大幅に拡大することがで
き、さらに信号合成の効果もある。

【００５７】つぎに、本発明の第２の実施の形態を説明
する。図３は、本発明の第２の実施の形態における可変
容量回路の構成を示す回路図である。

【００５８】〔第２の実施の形態の説明：図３〕図３の
回路図に示すように、第１の固定容量１が第１のＭＯＳ
型コンデンサ３のゲート電極に接続し、第２の固定容量
５が第１のＭＯＳ型コンデンサ３の対抗電極に接続し、
第２の固定容量５の他端子がグランドに接続する。

【００５９】また、第３の固定容量１１が第２のＭＯＳ
型コンデンサ１３のゲート電極に接続し、第２のＭＯＳ
型コンデンサ１３の対抗電極が第１のＭＯＳ型コンデン
サ３の対抗電極に接続する。

【００６０】そして、第１の入力抵抗７が第１のＭＯＳ
型コンデンサ３のゲート電極に接続し、第２の入力抵抗
９が第１のＭＯＳ型コンデンサ３の対抗電極に接続し、
第３の入力抵抗１５が第２のＭＯＳ型コンデンサ１３の
ゲート電極に接続する。

【００６１】ただし、これらの入力抵抗は、制御信号発
生回路の出力インピーダンスが充分高い場合は、省略し
て差し支えない。

【００６２】第１の実施の形態で説明したように、ＭＯ
Ｓ型コンデンサのゲート電極と対抗電極との両方に制御
信号を印加することにより、物理的な最大容量変化のほ
ぼすべてを利用できるから、図３に示す構成により、第
１のＭＯＳ型コンデンサ３および第２のＭＯＳ型コンデ
ンサ１３のいずれも、使用電圧範囲で容量変化率を大き
くすることができる。

【００６３】しかもそれぞれ独立に容量値を制御できる
から、たとえば第１の固定容量を水晶振動子の一方の端
子に接続し、第３の固定容量を水晶振動子の他方の端子
に接続して水晶発振回路を構成すれば、補償温度範囲が
広い温度補償型水晶発振器などを容易に構成することが
できる。

【００６４】また、同様の接続で、第１の入力抵抗７を
介して印加する制御信号Ａと、第３の入力抵抗１５を介
して印加する制御信号Ｄとを同一の信号とすれば、周波
数可変幅が広い電圧制御型水晶発振器を構成することが
できる。

【００６５】なおこのように、第１の入力抵抗７を介し
て印加する制御信号Ａと、第３の入力抵抗１５を介して
印加する制御信号Ｄとを同一の信号とする場合には、第
１の入力抵抗７あるいは第３の入力抵抗１５のいずれか
一方は、省略することができない。

【００６６】つぎに、本発明の第３の実施の形態を説明
する。図４は、本発明の第３の実施の形態における可変
容量回路の構成を示す回路図である。

【００６７】〔第３の実施の形態の説明：図４〕図４の
回路図に示すように、第１の固定容量１が第１のＭＯＳ
型コンデンサ３のゲート電極に接続し、第１のＭＯＳ型
コンデンサ３の対抗電極が第２のＭＯＳ型コンデンサ１
３の対抗電極に接続し、第２の固定容量５が第２のＭＯ
Ｓ型コンデンサ３のゲート電極に接続し、第２の固定容
量５の他端子がグランドに接続する。

【００６８】そして、第１の入力抵抗７が第１のＭＯＳ
型コンデンサ３のゲート電極に接続し、第２の入力抵抗
９が第１のＭＯＳ型コンデンサ３の対抗電極に接続し、
第３の入力抵抗１５が第２のＭＯＳ型コンデンサ１３の
ゲート電極に接続する。

【００６９】ただし、これらの入力抵抗は、制御信号発
生回路の出力インピーダンスが充分高い場合は、省略し
て差し支えない。

【００７０】図４に示す第３の実施の形態は、容量変化
率の拡大もさることながら、信号の合成を重視する構成
である。

【００７１】したがって、たとえば温度補償信号と外部
周波数制御信号とｆゼロ調整信号とによって周波数を制
御する温度補償型水晶発振器のように、周波数を制御す
る信号の数が多い水晶発振器などへの適用が最適であ
る。

【００７２】つぎに、本発明の第４の実施の形態を説明
する。図５は、本発明の第４の実施の形態における可変
容量回路の構成を示すブロック回路図である。

【００７３】〔第４の実施の形態の説明：図５〕図５の
回路図に示すように、固定容量１がＭＯＳ型コンデンサ
３のゲート電極に接続し、ＭＯＳ型コンデンサ３の対抗
電極が、電源電圧範囲内のある一定電圧を出力する定電
圧発生回路２３に接続する。

【００７４】そして、入力抵抗７がＭＯＳ型コンデンサ
３のゲート電極に接続する。

【００７５】ただし、この入力抵抗７は、制御信号発生
回路の出力インピーダンスが充分高い場合は、省略して
差し支えない。

【００７６】図５に示す第４の実施の形態は、図１に示
す第１の実施の形態を少し変形したものであり、ＭＯＳ
型コンデンサ３の対抗電極に第２の制御信号を印加する
代わりに、定電圧発生回路２３によって一定電圧を供給
する構成となっている。

【００７７】この第４の実施の形態では、信号合成とい
う効果はないが、使用電圧範囲で容量変化率を拡大する
という目的は達成できる。

【００７８】ここでただし、定電圧発生回路２３は一定
電圧を供給するのみでなく、交流信号も通す必要がある
から、その出力インピーダンスは充分低く設定しなけれ
ばならない。

【００７９】以上のように実施の形態に基づき本発明を
具体的に説明したが、本発明は上記の実施の形態に限定
されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々
の変更が可能である。

【００８０】たとえば、図１に示す第１の実施の形態、
あるいは図３に示す第２の実施の形態あるいは図４に示
す第３の実施の形態において、いずれも第２の固定容量
の接続先をグランドとしているが、接続先の電位に制限
はないから、高電位側の電源（Ｖｃｃ）でもよい。

【００８１】また、図３に示す第２の実施の形態あるい
は図４に示す第３の実施の形態において、第１のＭＯＳ
型コンデンサ３と第２のＭＯＳ型コンデンサ１３との対
抗電極同士を接続しているが、別チップで構成するなど
の方法により半導体基板を分離するならば、第２のＭＯ
Ｓ型コンデンサ１３のゲート電極を第１のＭＯＳ型コン
デンサ３の対抗電極に接続してもよい。

【００８２】なお、本発明の可変容量回路は、可変容量
素子としてＭＯＳ型コンデンサを使用しているが、直流
電流が流れないという条件を満足するならば、どのよう
な可変容量素子でもよい。

【００８３】可変容量ダイオードの場合は、順方向のと
き直流電流が流れるため、２つの制御信号の相互関係に
制約を設けなければならず、使用不可能ではないが、本
発明にとって好適な可変容量素子とはいえない。

【００８４】

【発明の効果】以上のように、本発明の可変容量回路に
おいては、ＭＯＳ型コンデンサのゲート電極と対抗電極
との両方に、電源電圧とは異なる信号あるいは電位を印
加することにより、ＭＯＳ型コンデンサが有する物理的
な最大容量変化のほぼすべてを利用できるため、使用電
圧範囲での容量変化率が大きい可変容量回路を提供する
ことができる。

【００８５】また本発明の可変容量回路においては、Ｍ
ＯＳ型コンデンサのゲート電極と対抗電極との両方に信
号を印加することにより、信号合成という効果もある。

【００８６】したがって、温度補償型水晶発振器に適用
すれば温度補償範囲を拡大することができ、また電圧制
御型水晶発振器に適用すれば周波数可変幅を拡大するこ
とができ、その効果は非常に大きい。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態における可変容量回
路の構成を示す回路図である。

【図２】本発明において可変容量素子として使用するＭ
ＯＳ型コンデンサのＣ−Ｖカーブを示すグラフである。

【図３】本発明の第２の実施の形態における可変容量回
路の構成を示す回路図である。

【図４】本発明の第３の実施の形態における可変容量回
路の構成を示す回路図である。

【図５】本発明の第４の実施の形態における可変容量回
路の構成を示す回路図である。

【図６】従来技術における可変容量回路の構成を示す回
路図である。

【符号の説明】

１第１の固定容量３ＭＯＳ型コンデンサ５第２の固定容量７第１の入力抵抗９第２の入力抵抗

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】第１の固定容量がＭＯＳ型コンデンサの
ゲート電極に接続し第２の固定容量がＭＯＳ型コンデン
サの対抗電極に接続し、ＭＯＳ型コンデンサのゲート電
極を第１の制御信号入力とし、ＭＯＳ型コンデンサの対
抗電極を第２の制御信号入力とすることを特徴とする可
変容量回路。
【請求項２】ＭＯＳ型コンデンサのゲート電極に第１
の固定容量と第１の入力抵抗とが接続し、ＭＯＳ型コン
デンサの対抗電極に第２の固定容量と第２の入力抵抗と
が接続し、第１の入力抵抗を第１の制御信号入力とし、
第２の入力抵抗を第２の制御信号入力とすることを特徴
とする可変容量回路。
【請求項３】第１の固定容量が第１のＭＯＳ型コンデ
ンサのゲート電極に接続し、第２の固定容量が第１のＭ
ＯＳ型コンデンサの対抗電極に接続し、第３の固定容量
が第２のＭＯＳ型コンデンサのゲート電極に接続し、第
２のＭＯＳ型コンデンサの対抗電極が第１のＭＯＳ型コ
ンデンサの対抗電極に接続し、第１のＭＯＳ型コンデン
サのゲート電極を第１の制御信号入力とし、第１のＭＯ
Ｓ型コンデンサの対抗電極を第２の制御信号入力とし、
第２のＭＯＳ型コンデンサのゲート電極を第３の制御信
号入力とすることを特徴とする可変容量回路。
【請求項４】第１のＭＯＳ型コンデンサのゲート電極
に第１の固定容量と第１の入力抵抗とが接続し、第１の
ＭＯＳ型コンデンサの対抗電極に第２の固定容量と第２
の入力抵抗とが接続し、第２のＭＯＳ型コンデンサのゲ
ート電極に第３の固定容量と第３の入力抵抗とが接続
し、第２のＭＯＳ型コンデンサの対抗電極が第１のＭＯ
Ｓ型コンデンサの対抗電極に接続し、第１の入力抵抗を
第１の制御信号入力とし、第２の入力抵抗を第２の制御
信号入力とし、第３の入力抵抗を第３の制御信号入力と
することを特徴とする可変容量回路。
【請求項５】第１の固定容量が第１のＭＯＳ型コンデ
ンサのゲート電極に接続し、第２の固定容量が第１のＭ
ＯＳ型コンデンサの対抗電極に接続し、第３の固定容量
が第２のＭＯＳ型コンデンサの対抗電極に接続し、第２
のＭＯＳ型コンデンサのゲート電極が第１のＭＯＳ型コ
ンデンサの対抗電極に接続し、第１のＭＯＳ型コンデン
サのゲート電極を第１の制御信号入力とし、第１のＭＯ
Ｓ型コンデンサの対抗電極を第２の制御信号入力とし、
第２のＭＯＳ型コンデンサの対抗電極を第３の制御信号
入力とすることを特徴とする可変容量回路。
【請求項６】第１のＭＯＳ型コンデンサのゲート電極
に第１の固定容量と第１の入力抵抗とが接続し、第１の
ＭＯＳ型コンデンサの対抗電極に第２の固定容量と第２
の入力抵抗とが接続し、第２のＭＯＳ型コンデンサの対
抗電極に第３の固定容量と第３の入力抵抗とが接続し、
第２のＭＯＳ型コンデンサのゲート電極が第１のＭＯＳ
型コンデンサの対抗電極に接続し、第１の入力抵抗を第
１の制御信号入力とし、第２の入力抵抗を第２の制御信
号入力とし、第３の入力抵抗を第３の制御信号入力とす
ることを特徴とする可変容量回路。
【請求項７】第１の固定容量と第２の固定容量との間
に複数のＭＯＳ型コンデンサの直列接続を接続し、各Ｍ
ＯＳ型コンデンサの両端子をそれぞれ制御信号入力とす
ることを特徴とする可変容量回路。
【請求項８】第１の固定容量と第２の固定容量との間
に複数のＭＯＳ型コンデンサの直列接続を接続し、各接
続点にそれぞれ入力抵抗の一端子を接続し、各入力抵抗
の他端子をそれぞれ制御信号入力とすることを特徴とす
る可変容量回路。
【請求項９】固定容量と、ＭＯＳ型コンデンサと、低
電位側の電源と高電位側の電源との間の電位を出力する
定電圧発生回路とを備え、固定容量がＭＯＳ型コンデン
サのゲート電極に接続し、ＭＯＳ型コンデンサの対抗電
極が定電圧発生回路の出力に接続することを特徴とする
可変容量回路。
【請求項１０】固定容量と、ＭＯＳ型コンデンサと、
入力抵抗と、低電位側の電源と高電位側の電源との間の
電位を出力する定電圧発生回路とを備え、固定容量と入
力抵抗とがＭＯＳ型コンデンサのゲート電極に接続し、
ＭＯＳ型コンデンサの対抗電極が定電圧発生回路の出力
に接続することを特徴とする可変容量回路。