JPH1116966A - Pad arrangement method of one-chip microcomputer - Google Patents
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- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 10
- 230000006870 function Effects 0.000 description 6
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 5
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は不揮発性メモリを内
蔵した1チップマイクロコンピュータに関し、特に当該
マイクロコンピュータにおけるパッド配置方法に関する
技術である。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a one-chip microcomputer having a built-in nonvolatile memory and, more particularly, to a technique related to a pad arrangement method in the microcomputer.
【0002】[0002]
【従来の技術】最近の1チップマイクロコンピュータを
見ていると、プログラムデータを記憶する不揮発性メモ
リとして、マスクROMに代わりEEPROM(フラッ
シュメモリ)を内蔵する傾向が高まっている。これは、
EEPROMがマスクROMに無い特徴を持つからであ
る。例えば、1チップマイクロコンピュータの機能を変
更する場合、マスクROMで対応しようとすると、新し
いマスクを設計及び製造しなければならないため、開発
費用が高くなると共に開発期間が長くなる等の問題があ
る。これに対し、EEPROMで対応すれば、古いプロ
グラムデータを電気消去した後にPROMライタ等を用
いて新しいプログラムデータを書き込むことができるた
め、開発費用を抑えて開発期間を短縮できる。2. Description of the Related Art When looking at recent one-chip microcomputers, there is an increasing tendency to incorporate an EEPROM (flash memory) instead of a mask ROM as a nonvolatile memory for storing program data. this is,
This is because the EEPROM has features not found in the mask ROM. For example, when the function of a one-chip microcomputer is changed, if a mask ROM is used, a new mask must be designed and manufactured. Therefore, there is a problem that a development cost is increased and a development period is lengthened. On the other hand, if the EEPROM is used, new program data can be written using a PROM writer or the like after the old program data is electrically erased, so that the development cost can be reduced and the development period can be shortened.
【0003】図6は上記の特徴を持つEEPROMのセ
ル部分(一例として2ビット分)の構造を示す図であ
る。図6において1、2はフローティングゲート付のM
OSトランジスタである。当該MOSトランジスタ1、
2は、各々1ビットセルに相当し、ゲートはワードライ
ンWL1、WL2と接続され、ドレインはビットライン
BLと共通接続され、ソースはソースラインSL(常時
0ボルト)と共通接続されている。3はセンスアンプで
あり、基準電流とビットラインBLの電流とを比較し、
論理値「1」または「0」を出力するものである。FIG. 6 is a diagram showing a structure of a cell portion (for example, 2 bits) of an EEPROM having the above characteristics. 6, reference numerals 1 and 2 denote Ms with floating gates.
OS transistor. The MOS transistor 1,
Numerals 2 each correspond to a 1-bit cell, the gate is connected to the word lines WL1 and WL2, the drain is commonly connected to the bit line BL, and the source is commonly connected to the source line SL (always 0 volt). 3 is a sense amplifier, which compares a reference current with a current of the bit line BL,
It outputs a logical value "1" or "0".
【0004】例えば、ワードラインWL1に制御電圧V
H(例えば4ボルト)が印加された場合、MOSトラン
ジスタ1にセル電流が流れてビットラインBLの電流が
基準電流より大きくなるため、センスアンプ3から論理
値「1」が出力される。一方、ワードラインWL1に制
御電圧VHが印加された場合、MOSトランジスタ1が
プログラム状態であればオフし、当該MOSトランジス
タ1にセル電流が流れなくなってビットラインBLの電
流が基準電流より小さくなるため、センスアンプ3から
論理値「0」が出力される。尚、MOSトランジスタ2
も同様に動作する。即ち、選択されたMOSトランジス
タ1、2が消去状態であれば各ビット値は論理値「1」
となり、MOSトランジスタ1、2がプログラム状態で
あれば各ビット値は論理値「0」となるようにEEPR
OMは構成されている。For example, a control voltage V is applied to the word line WL1.
When H (for example, 4 volts) is applied, a cell current flows through the MOS transistor 1 and the current of the bit line BL becomes larger than the reference current, so that the logical value “1” is output from the sense amplifier 3. On the other hand, when the control voltage VH is applied to the word line WL1, if the MOS transistor 1 is in the programmed state, the transistor is turned off, and no cell current flows through the MOS transistor 1, and the current of the bit line BL becomes smaller than the reference current. , Sense amplifier 3 outputs a logical value "0". Note that MOS transistor 2
Operates similarly. That is, if the selected MOS transistors 1 and 2 are in the erased state, each bit value is a logical value “1”.
When the MOS transistors 1 and 2 are in the programmed state, the EEPR is set so that each bit value becomes a logical value “0”.
The OM is configured.
【0005】上述した1チップマイクロコンピュータに
関する技術は、本出願人が先に出願した特願平9−55
169号に添付した明細書等に記載されている。以下、
上記1チップマイクロコンピュータのパッド配置につい
て図7を基に説明する。図7は、上記1チップマイクロ
コンピュータのレイアウトを示す図であり、5はマイク
ロコンピュータ側のコア回路ブロックであり、6は不揮
発性メモリ(EEPROM及びマスクROM)側のコア
回路ブロックである。そして、当該マイクロコンピュー
タ側のコア回路ブロック5及び不揮発性メモリ側のコア
回路ブロック6を囲む周辺部の4辺にパッド7が多数配
置されており、それぞれのパッド7には不揮発性メモリ
用端子並びにマイクロコンピュータ用端子がランダムに
配置されている。The technology relating to the one-chip microcomputer described above is disclosed in Japanese Patent Application No. 9-55 filed earlier by the present applicant.
No. 169, for example. Less than,
The pad arrangement of the one-chip microcomputer will be described with reference to FIG. FIG. 7 is a diagram showing the layout of the one-chip microcomputer. Reference numeral 5 denotes a core circuit block on the microcomputer side, and reference numeral 6 denotes a core circuit block on the nonvolatile memory (EEPROM and mask ROM). A large number of pads 7 are arranged on four sides of a peripheral portion surrounding the core circuit block 5 on the microcomputer side and the core circuit block 6 on the nonvolatile memory. Each of the pads 7 has a nonvolatile memory terminal and Microcomputer terminals are randomly arranged.
【0006】以下、前述した1チップマイクロコンピュ
ータの出荷検査のLSIテスタによるウエハチェックに
ついて説明する。尚、当該ウエハチェック工程は、従来
周知の手順で行われるので簡単に説明する。先ず、第1
の測定工程でロジックテスタを用いて不揮発性メモリの
データ判定を行う。続いて、データ保持加速試験用のベ
ーキング工程を経た後に、第2の測定工程でロジックテ
スタを用いて前述の不揮発性メモリのデータの保持状態
の判定を行うと共に、マイクロコンピュータの機能判定
を行っていた。A description will now be given of a wafer check by an LSI tester in the above-described one-chip microcomputer shipment inspection. Since the wafer check process is performed by a conventionally well-known procedure, it will be briefly described. First, first
In the measurement step, data of the nonvolatile memory is determined using a logic tester. Subsequently, after passing through a baking step for a data retention acceleration test, in a second measurement step, a logic tester is used to determine the data retention state of the above-described nonvolatile memory and to determine the function of the microcomputer. Was.
【0007】[0007]
【発明が解決しようとする課題】前述した出荷検査のL
SIテスタでのウエハチェックの際に、前述したように
第1の測定工程でロジックテスタを用いて不揮発性メモ
リの判定を行う場合、メモリ固有の測定があり、それを
ロジックテスタで判定すると測定時間が非常に長くなる
という問題があった。また、メモリテスタのみを用いて
判定を行う場合には、マイクロコンピュータ特有の複雑
な測定が行えないという問題があった。SUMMARY OF THE INVENTION
When a non-volatile memory is determined by using a logic tester in the first measurement step as described above when a wafer is checked by an SI tester, there is a memory-specific measurement. Was very long. Further, when the determination is performed using only the memory tester, there is a problem that complicated measurement unique to the microcomputer cannot be performed.
【0008】従って、測定時間の短縮化を犠牲にして第
1、第2の測定工程ともロジックテスタによる測定を行
っていた。また、図7に示すように不揮発性メモリ用端
子とマイクロコンピュータ用端子が4方向のパッドにそ
れぞれランダムに配置されているため、複数のチップを
同時に測定することができなかった。即ち、図8に示す
ように不揮発性メモり用端子が接続されているパッド7
を例えばパッド7Aで示すと、当該パッド7Aが4方向
のパッドにランダムに配置されているため、4方向に配
置されている各パッド7Aにプローブカードの針8Aを
対応させる必要があり、プローブカードに対して1チッ
プしか測定できず、複数のチップを同時に測定すること
ができず、測定時間の短縮化を図ることができなかっ
た。Therefore, at the expense of shortening the measurement time, the first and second measurement steps have been performed by the logic tester. Further, as shown in FIG. 7, the terminals for the nonvolatile memory and the terminals for the microcomputer are randomly arranged on the pads in four directions, respectively, so that a plurality of chips cannot be measured at the same time. That is, as shown in FIG. 8, the pad 7 to which the nonvolatile memory terminal is connected is connected.
Is represented by, for example, a pad 7A, since the pads 7A are randomly arranged on pads in four directions, it is necessary to make the needles 8A of the probe card correspond to the pads 7A arranged in four directions. , Only one chip could be measured, a plurality of chips could not be measured at the same time, and the measurement time could not be reduced.
【0009】従って、本発明では1チップマイクロコン
ピュータの測定方法において、複数のチップを同時測定
可能とする測定方法の合理化を実現するためのパッド配
置方法を提供するものである。Accordingly, the present invention provides a pad arranging method for realizing a rationalization of a measuring method capable of simultaneously measuring a plurality of chips in a measuring method of a one-chip microcomputer.
【0010】[0010]
【課題を解決するための手段】本発明は前述した従来の
欠点に鑑み成されたもので、プログラムメモリとしてデ
ータを書き換え可能なEEPROMから成る不揮発性メ
モリを内蔵した1チップマイクロコンピュータのパッド
配置方法において、対向する2辺に不揮発性メモリ用の
パッドを配置し、他の対向する2辺にマイクロコンピュ
ータ用のパッドを配置することで、複数のチップを同時
に測定可能としたものである。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above-mentioned conventional drawbacks, and has been made in view of the above-mentioned problems. In this, a plurality of chips can be measured simultaneously by arranging pads for nonvolatile memory on two opposing sides and arranging pads for a microcomputer on the other two opposing sides.
【0011】更には、不揮発性メモリにプログラムされ
たデータの保持試験を行うため、2回のウエハチェック
を行う際に、第1の測定工程では、メモリテスタを用い
て不揮発性メモリ内のデータ判定を行い、保持加速試験
用のベーキング工程後に、第2の測定工程では、従来と
同様にロジックテスタを用いて前記不揮発性メモリ内の
データを判定すると共に、マイクロコンピュータの機能
判定を行うことで、従来の第1の測定工程で用いていた
ロジックテスタに代えてメモリテスタを用いることでト
ータルの測定時間の短縮化が図れるものである。Further, in order to perform a retention test of data programmed in the nonvolatile memory, when performing two wafer checks, in the first measurement step, data determination in the nonvolatile memory is performed using a memory tester. After the baking step for the retention acceleration test, in the second measurement step, the data in the nonvolatile memory is determined using a logic tester as in the related art, and the function of the microcomputer is determined. By using a memory tester instead of the logic tester used in the conventional first measurement process, the total measurement time can be reduced.
【0012】[0012]
【発明の実施の形態】以下、本発明が適用される不揮発
性メモリを内蔵した一般的な1チップマイクロコンピュ
ータについて図面を参照しながら説明する。先ず、図1
はマイクロコンピュータのROMを不揮発性メモリ(E
EPROM)に置き換えた構成のものであり、図1に示
すように当該EEPROM11は、プログラム領域1
2、データ領域13及び制御回路14から構成され、1
5は例えばCPU、I/Oポート等から成るコア部であ
る。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, a general one-chip microcomputer incorporating a nonvolatile memory to which the present invention is applied will be described with reference to the drawings. First, FIG.
Replaces the ROM of the microcomputer with the non-volatile memory (E
EPROM), and the EEPROM 11 includes a program area 1 as shown in FIG.
2, composed of a data area 13 and a control circuit 14,
Reference numeral 5 denotes a core unit including, for example, a CPU, an I / O port, and the like.
【0013】また、図2は図1の1チップマイクロコン
ピュータに比して独立した複数のEEPROM17、1
8を有するものであり、第1のEEPROM17は、プ
ログラム領域19及び制御回路20を有し、第2のEE
PROM18は、データ領域21及び制御回路22を有
する構成で、23はコア部である。更に、図3は第1の
不揮発性メモリとしてのEEPROM24と第2の不揮
発性メモリとしてのマスクROM25を有するものであ
り、EEPROM24は、第1のプログラム領域26、
データ領域27及び制御回路28を有する構成で、マス
クROM25は、第2のプログラム領域29となり、3
0はコア部である。FIG. 2 shows a plurality of independent EEPROMs 17 and 1 compared to the one-chip microcomputer shown in FIG.
8, the first EEPROM 17 has a program area 19 and a control circuit 20, and has a second EEPROM 17.
The PROM 18 has a configuration including a data area 21 and a control circuit 22, and 23 is a core unit. FIG. 3 further includes an EEPROM 24 as a first nonvolatile memory and a mask ROM 25 as a second nonvolatile memory. The EEPROM 24 has a first program area 26,
With the configuration having the data area 27 and the control circuit 28, the mask ROM 25 becomes the second program area 29
0 is a core part.
【0014】前記マスクROM25には、前記EEPR
OM24のデータ書き換えプログラムが記憶されてい
る。そして、当該マスクROM25には、全ての使用者
が必要とするEEPROM24のデータ書き換えプログ
ラムのみを実装し、かつ使用者による書き換えを不可能
にしてある。以下、上述した1チップマイクロコンピュ
ータに適用される本発明のパッド配置方法について図面
を参照しながら説明する。In the mask ROM 25, the EEPR
A data rewriting program of the OM 24 is stored. In the mask ROM 25, only a data rewriting program of the EEPROM 24 required by all users is mounted, and rewriting by the users is disabled. Hereinafter, the pad arrangement method of the present invention applied to the above-described one-chip microcomputer will be described with reference to the drawings.
【0015】図4は、本発明の1チップマイクロコンピ
ュータのレイアウトを示す図であり、31はマイクロコ
ンピュータ側のコア回路ブロックであり、32は不揮発
性メモリ側のコア回路ブロックである。尚、当該不揮発
性メモリ側のコア回路ブロック32に含まれる不揮発性
メモリは、前述したEEPROM11(図1参照)、第
1及び第2のEEPROM17、18(図2参照)、及
び第1の不揮発性メモリとしてのEEPROM24と第
2の不揮発性メモリとしてのマスクROM25(図3参
照)である。そして、当該マイクロコンピュータ側のコ
ア回路ブロック31及び不揮発性メモリ側のコア回路ブ
ロック32を囲む周辺部の4辺にパッド33が多数配置
されている。FIG. 4 is a diagram showing a layout of a one-chip microcomputer according to the present invention, wherein 31 is a core circuit block on the microcomputer side, and 32 is a core circuit block on the nonvolatile memory side. The nonvolatile memory included in the core circuit block 32 on the nonvolatile memory side includes the above-described EEPROM 11 (see FIG. 1), the first and second EEPROMs 17 and 18 (see FIG. 2), and the first nonvolatile memory. An EEPROM 24 as a memory and a mask ROM 25 as a second nonvolatile memory (see FIG. 3). A large number of pads 33 are arranged on four sides of a peripheral portion surrounding the core circuit block 31 on the microcomputer side and the core circuit block 32 on the non-volatile memory side.
【0016】本発明のパッド配置方法の特徴は、前述し
たマイクロコンピュータ側のコア回路ブロック31及び
不揮発性メモリ側のコア回路ブロック32を囲む周辺部
の4辺に配置された前記パッド33において、ある対向
する2辺に配置されているパッド33Aは不揮発性メモ
リ端子用のパッドであり、他の対向する2辺に配置され
ているパッド33Bはマイクロコンピュータ端子用のパ
ッドである。A feature of the pad arrangement method of the present invention resides in the pads 33 arranged on four sides of the peripheral portion surrounding the core circuit block 31 on the microcomputer side and the core circuit block 32 on the non-volatile memory side. Pads 33A arranged on two opposite sides are pads for nonvolatile memory terminals, and pads 33B arranged on the other two opposite sides are pads for microcomputer terminals.
【0017】このように本発明では、対向する2辺に不
揮発性メモリ端子用のパッド33Aとマイクロコンピュ
ータ端子用のパッド33Bとをそれぞれに分けて配置さ
せたものである。以上説明したように、本発明では不揮
発性メモリ端子用のパッド33Aとマイクロコンピュー
タ端子用のパッド33Bとを対向する2辺にそれぞれ配
置することで、図5に示すように複数のチップを並べて
同時測定を行うことが可能となり、1チップ当たりの測
定時間の短縮化が図れる。尚、34はプローブカードの
窓であり、35はプローブカードの針であり、ここから
LSIテスタとの信号のやりとりが行われる。従って、
前述したプローブカードの窓34サイズによるが、その
許容サイズまで同時測定が可能である(図5には、2チ
ップに対して、図示しないメモリテスタによる不揮発性
メモリ内のデータの同時測定状態を示している。)。As described above, in the present invention, the pad 33A for the non-volatile memory terminal and the pad 33B for the microcomputer terminal are separately arranged on two opposing sides. As described above, in the present invention, the pads 33A for the non-volatile memory terminals and the pads 33B for the microcomputer terminals are arranged on the two opposite sides, respectively, so that a plurality of chips are arranged side by side as shown in FIG. Measurement can be performed, and the measurement time per chip can be reduced. Reference numeral 34 denotes a window of the probe card, and reference numeral 35 denotes a needle of the probe card, from which signals are exchanged with the LSI tester. Therefore,
Simultaneous measurement is possible up to the allowable size depending on the size of the window 34 of the probe card described above (FIG. 5 shows a state of simultaneous measurement of data in the nonvolatile memory by a memory tester (not shown) for two chips. ing.).
【0018】以下、前述した1チップマイクロコンピュ
ータの出荷検査のLSIテスタによるウエハチェックに
ついて説明する。先ず、第1の測定工程でメモリテスタ
を用いて不揮発性メモリのデータ判定を行う。続いて、
データ保持加速試験用のベーキング工程を経た後に、第
2の測定工程でロジックテスタを用いて前述の不揮発性
メモリのデータの保持判定を行うと共に、マイクロコン
ピュータの機能判定を行う。A description will now be given of a wafer check by an LSI tester in the above-described one-chip microcomputer shipment inspection. First, in a first measurement step, data determination of a nonvolatile memory is performed using a memory tester. continue,
After passing through the baking step for the data retention acceleration test, in the second measurement step, the data retention of the above-described nonvolatile memory is determined using a logic tester, and the function of the microcomputer is determined.
【0019】以上説明したように、不揮発性メモリに書
き込まれたデータの保持試験を行うため、2回のウエハ
チェックを行う際に、第1の測定工程では、図5に示す
ようにメモリテスタを用いて不揮発性メモリのデータ判
定を行い、続いて保持加速試験用のベーキング工程後
に、第2の測定工程では、図示しないロジックテスタを
用いて従来と同様に前記不揮発性メモリのデータを判定
すると共にマイクロコンピュータの機能判定を行うこと
で、従来の第1の測定工程で用いていたロジックテスタ
に代えてメモリ専用のメモリテスタを用いることでトー
タルの測定時間の短縮化が図れる。尚、マイクロコンピ
ュータ側の測定を行う際には、図5に示すチップを90
度回転させた状態で測定することで、複数のチップを同
時に測定することができる。As described above, in order to perform a retention test of data written in the nonvolatile memory, when performing two wafer checks, in the first measurement step, the memory tester is used as shown in FIG. The data of the non-volatile memory is determined by using a logic tester (not shown) in the second measurement step after the baking step for the retention acceleration test. By performing the function determination of the microcomputer, the total measurement time can be reduced by using a memory tester dedicated to a memory instead of the logic tester used in the first measurement step in the related art. Note that the chip shown in FIG.
A plurality of chips can be measured at the same time by performing measurement in a state rotated by degrees.
【0020】[0020]
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、1
チップマイクロコンピュータのパッド配置方法におい
て、対向する2辺に不揮発性メモリ用のパッドを配置
し、他の対向する2辺にマイクロコンピュータ用のパッ
ドを配置することで、複数のチップの同時測定が可能と
なり、1チップ当たりの測定時間の短縮化が図れる。As described above, according to the present invention, 1
Simultaneous measurement of multiple chips is possible by arranging pads for nonvolatile memory on two opposing sides and arranging pads for microcomputers on the other two opposing sides in the chip microcomputer pad arrangement method Thus, the measurement time per chip can be shortened.
【0021】また、不揮発性メモリ内に書き込まれたデ
ータの保持試験を行うため、2回のウエハチェックを行
う際に、第1の測定工程では、メモリテスタを用いて不
揮発性メモリのデータの判定を行い、保持加速試験用の
ベーキング工程後に、第2の測定工程では、従来と同様
にロジックテスタを用いて前記不揮発性メモリ内のデー
タの判定を行うと共に、マイクロコンピュータの機能判
定を行うことで、従来の第1の測定工程で用いていたロ
ジックテスタに代えてメモリテスタを用いること、更に
複数のチップの同時測定が可能なことでトータルの測定
時間の短縮化が図れる。Further, in order to perform a retention test of data written in the nonvolatile memory, when performing two wafer checks, in the first measurement step, the data of the nonvolatile memory is determined using a memory tester. After the baking step for the retention acceleration test, in the second measurement step, data in the nonvolatile memory is determined using a logic tester as in the related art, and the function of the microcomputer is determined. In addition, the use of a memory tester instead of the logic tester used in the conventional first measurement process, and the simultaneous measurement of a plurality of chips can be performed, so that the total measurement time can be reduced.
【図1】本発明が適用される一般的な1チップマイクロ
コンピュータを示す図である。FIG. 1 is a diagram showing a general one-chip microcomputer to which the present invention is applied.
【図2】本発明が適用される一般的な1チップマイクロ
コンピュータを示す図である。FIG. 2 is a diagram showing a general one-chip microcomputer to which the present invention is applied.
【図3】本発明が適用される一般的な1チップマイクロ
コンピュータを示す図である。FIG. 3 is a diagram showing a general one-chip microcomputer to which the present invention is applied.
【図4】本発明の一実施の形態の1チップマイクロコン
ピュータのパッドレイアウトを示す図である。FIG. 4 is a diagram showing a pad layout of the one-chip microcomputer according to one embodiment of the present invention;
【図5】本発明の一実施の形態の1チップマイクロコン
ピュータのウエハチェック状態を示す図である。FIG. 5 is a diagram showing a wafer check state of the one-chip microcomputer of one embodiment of the present invention.
【図6】従来の1チップマイクロコンピュータに適用さ
れるEEPROMの構造を示す図である。FIG. 6 is a diagram showing a structure of an EEPROM applied to a conventional one-chip microcomputer.
【図7】従来の1チップマイクロコンピュータのパッド
レイアウトを示す図である。FIG. 7 is a diagram showing a pad layout of a conventional one-chip microcomputer.
【図8】従来の1チップマイクロコンピュータのウエハ
チェック状態を示す図である。FIG. 8 is a diagram showing a wafer check state of a conventional one-chip microcomputer.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 FI H01L 27/04 G01R 31/28 V 21/822 H01L 27/04 E 27/115 27/10 434 27/10 461 (72)発明者 舘川 克己 大阪府守口市京阪本通2丁目5番5号 三 洋電機株式会社内──────────────────────────────────────────────────の Continued on the front page (51) Int.Cl. 6 Identification symbol FI H01L 27/04 G01R 31/28 V 21/822 H01L 27/04 E 27/115 27/10 434 27/10 461 (72) Invention Katsumi Tatekawa 2-5-5 Keihanhondori, Moriguchi-shi, Osaka Sanyo Electric Co., Ltd.
Claims (3)
クロコンピュータのパッド配置方法において、対向する
2辺に不揮発性メモリ用のパッドを配置し、他の対向す
る2辺にマイクロコンピュータ用のパッドを配置したこ
とを特徴とする1チップマイクロコンピュータのパッド
配置方法。1. A pad arrangement method for a one-chip microcomputer having a built-in nonvolatile memory, wherein pads for a nonvolatile memory are arranged on two opposite sides, and pads for a microcomputer are arranged on the other two opposite sides. A pad arrangement method for a one-chip microcomputer, comprising:
え可能な不揮発性メモリを内蔵した1チップマイクロコ
ンピュータのパッド配置方法において、対向する2辺に
前記不揮発性メモリ用のパッドを配置し、他の対向する
2辺にマイクロコンピュータ用のパッドを配置したこと
を特徴とする1チップマイクロコンピュータのパッド配
置方法。2. A pad arrangement method for a one-chip microcomputer having a rewritable nonvolatile memory as a program memory, wherein pads for the nonvolatile memory are arranged on two opposing sides, and the other opposing two pads are arranged. A pad arrangement method for a one-chip microcomputer, wherein a pad for a microcomputer is arranged on a side.
ることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の1
チップマイクロコンピュータのパッド配置方法。3. The device according to claim 1, wherein the nonvolatile memory is an EEPROM.
A pad arrangement method for a chip microcomputer.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16278797A JP3515328B2 (en) | 1997-06-19 | 1997-06-19 | Wafer check method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP16278797A JP3515328B2 (en) | 1997-06-19 | 1997-06-19 | Wafer check method |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH1116966A true JPH1116966A (en) | 1999-01-22 |
JP3515328B2 JP3515328B2 (en) | 2004-04-05 |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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Country Status (1)
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---|---|
JP (1) | JP3515328B2 (en) |
Cited By (2)
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---|---|---|---|---|
KR100496084B1 (en) * | 2001-09-21 | 2005-06-20 | 미쓰비시 덴키 시스템 엘에스아이 디자인 가부시키가이샤 | Semiconductor device comprising memories on the inside and outside of bonding pad |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2019054102A (en) | 2017-09-14 | 2019-04-04 | 東芝メモリ株式会社 | Memory device and method of manufacturing the same |
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Publication number | Publication date |
---|---|
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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