[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

JPH11165256A - 化学的機械的研磨方法及びその装置 - Google Patents

化学的機械的研磨方法及びその装置

Info

Publication number
JPH11165256A
JPH11165256A JP27186098A JP27186098A JPH11165256A JP H11165256 A JPH11165256 A JP H11165256A JP 27186098 A JP27186098 A JP 27186098A JP 27186098 A JP27186098 A JP 27186098A JP H11165256 A JPH11165256 A JP H11165256A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
polishing
substrate
deformation
substrate surface
polishing pad
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP27186098A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4094743B2 (ja
Inventor
Daniel B Doran
ビー ドラン ダニエル
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
LSI Corp
Original Assignee
LSI Logic Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by LSI Logic Corp filed Critical LSI Logic Corp
Publication of JPH11165256A publication Critical patent/JPH11165256A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4094743B2 publication Critical patent/JP4094743B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/27—Work carriers
    • B24B37/30—Work carriers for single side lapping of plane surfaces
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/005—Control means for lapping machines or devices
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B49/00—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation
    • B24B49/12—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation involving optical means
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24D—TOOLS FOR GRINDING, BUFFING OR SHARPENING
    • B24D7/00—Bonded abrasive wheels, or wheels with inserted abrasive blocks, designed for acting otherwise than only by their periphery, e.g. by the front face; Bushings or mountings therefor
    • B24D7/12—Bonded abrasive wheels, or wheels with inserted abrasive blocks, designed for acting otherwise than only by their periphery, e.g. by the front face; Bushings or mountings therefor with apertures for inspecting the surface to be abraded

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 研磨パッドで基板表面を研磨する方法及び装
置を提供する。 【構成】 基板表面を研磨パッドで研磨する。研磨パッ
ドに生じる変化に呼応して基板表面を変形させる。基板
表面の変形はかかる基板表面の研磨によって一様性を増
す。さらに、該研磨パッドに生じた変化を検出する検出
ステップを含み、該研磨パッドの変化が検出されたこと
に呼応して該変形ステップが行われる。該研磨ステップ
の期間中、該変形ステップが周期的に行われる。そし
て、基板表面を変形させる該変形ステップは、複数のピ
エゾ電気素子を使用して行われる

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は一般に半導体デバイスの
製造に関し、特に基板の化学的機械的研磨（chemical m
echanical polishing）に関する。特に本発明は基板研
磨の一様性を改善するため、基板の化学的機械的研磨に
使用される条件を能動的に調整する化学的機械的研磨方
法及び化学的機械的研磨装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】集積回路の加工とか光学的デバイス製造
のいくつかの技術分野では、集積回路、光学的デバイス
その他のデバイスを形成する原加工片が実質上平坦な前
面および背面をもっていることがしばしばきわめて重要
である。
【０００３】そのような平坦面を与える一つのプロセス
は、所定形状に合致する研磨パッドで基板の表面を研削
することである。これは、通常「機械的研磨」と呼ばれ
る。かかるパッドとの関係で化学的スラリを使用すると
き、スラリとパッドの組合せによって、一般に単なる機
械的研磨によるよりも高い材料除去率が可能となる。こ
の組み合わせた化学的かつ機械的研磨は、普通、化学的
機械的研磨（「chemical mechanical polishing」、以
下、ＣＭＰという）と呼ばれ、基板の研磨あるいは平坦
化を行う単なる機械的研磨プロセスに対する改良である
と考えられている。ＣＭＰ技術は通常は集積回路ダイの
製造に使用される、半導体ウェーハ製造技術である。
【０００４】ＣＭＰは、ウェステク（Westech）372/372
M研磨機などの市販の研磨機上で半導体ウェーハおよび
／またはチップを処理するときに実行される。標準的な
ＣＭＰ器具は円形の研磨テーブルと基板を保持するため
の回転式キャリアとを具えている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ＣＭＰプロセスを使用
してシリコンウェーハのような基板を研磨するときに研
磨の一様性を確保することには困難な点がある。一例と
してＣＭＰ器具１００の一部を図１に示す。ＣＭＰ器具
１００はウェーハキャリア１０２を含むが、これは充填
領域１０４および孔１０６を介して真空および背圧を与
えるものである。真空は基板１１０の表面１０８をウェ
ーハキャリア１０２に固着させるために使用される。Ｃ
ＭＰ器具１００はまた、主研磨パッド１１２を含む。こ
れは主プラテン１１４に結合されている。基板１１０の
研磨面１１６を研磨するため、ウェーハキャリア１０２
および主プラテン１１４は共にＣＭＰプロセス期間中、
回転する。この回転期間中、主研磨パッド１１２に反跳
その他の変動が関わり、その結果、主研磨パッド１１２
の変形が図に示すような部位１１８に生じる。パッドの
反跳などに起因するこれらの変形は基板１１０の周縁１
２０付近の研磨率の低下を来たす。基板１１０の周縁１
２０の内側のみで高い研磨率が得られる。特に研磨面１
１６の部位１２６および部位１２８では、谷１２２およ
び谷１２４では研磨が低くなる。それゆえ研磨によって
基板表面にいっそうの一様性を与えることができる改良
されたＣＭＰ法およびＣＭＰ装置を与えることが有用で
ある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は研磨パッドで基
板表面を研磨する方法および装置を与える。基板表面は
研磨パッドを使用して研磨される。基板表面は研磨パッ
ドに生じる変化に呼応して変形される。基板表面の研磨
によって基板表面のかかる変形の一様性が増す。
【０００７】本発明の新規な特徴は前記の特許請求の範
囲に記載してあるが、添付の図面を参照しつつ、本発
明、その好適な態様、課題、および利点を下記の詳細な
説明で明らかにする。
【０００８】
【実施例】化学的機械的研磨プロセスにおけるプロセス
変数には、通常、押しつけ力、ウェーハキャリア背圧、
ウェーハキャリア回転速度、主プラテン回転速度、およ
び研磨スラリ流速が含まれる。ある特定の主研磨パッド
を選択することにより、所望の研磨応答を達成するため
のプロセス変数を調節することができる。制御の対象と
ならない変数は上に上記の変数で補償はできるが、依
然、制御されないままに残る。
【０００９】標準のウェーハキャリアを使用するとき空
気圧をウェーハの背面に加えて、効果的にウェーハをウ
ェーハキャリア表面から外向きに湾曲させることができ
る。この作用は研磨による非一様性を補償するために行
われる。この方法における基礎的な問題は、空気が圧縮
性流体であり、生じたウェーハ背部の空気の「泡」を封
じ込めることができないことである。空気の「泡」は漂
流し、またその形状はたかだかウェーハキャリアの中心
に関して対称にしかならない。研磨パッドの反跳効果を
完全に補償するように背圧を加えることはまったくでき
ない。
【００１０】本発明によって与えられる電気的に能動化
されるウェーハキャリアは、主研磨パッドの可橈性から
生ずる未制御変数を補償するようにウェーハ形状を制御
することができる。さらに、電気的に能動的なウェーハ
キャリアは研磨対称の基板に加わる内部的応力に起因す
るウェーハ湾曲を補償することができる。これらの内部
的応力は研磨オペレーションに先だって基板上に堆積さ
れた種々のフィルム間の応力不整合から起きる。
【００１１】図面、特に図２は本発明の好適な実施例の
ＣＭＰ器具を示す。ＣＭＰ器具２００は電動式のウェー
ハキャリアであって、改良されたウェーハ研磨一様性を
与えるＣＭＰオペレーションを行うため、ウェーハ形状
を調節するために使用するものである。ＣＭＰ器具２０
０はウェーハキャリア２０２を含むが、これはＣＭＰオ
ペレーションに際して基板２０４を保持するために使用
される。ウェーハキャリア２０２は回転できるように設
計されており、このため、基板２０４の回転を起こす。
図示した例では基板２０４の背面に加えた真空によって
基板２０４がウェーハキャリア２０２に吸着する。ウェ
ーハキャリア２０２はウェーハキャリア真空線２０６を
含むが、これはＣＭＰオペレーションの期間中、ウェー
ハキャリア２０２に基板２０４を吸着させるための真空
を与える。ＣＭＰ器具２００は多数のいろいろの形態の
基板を処理するのに使用することができる。最も普通に
はＣＭＰ器具２００はシリコンウェーハのような半導体
ウェーハを処理するのに使用される。加えて、ウェーハ
キャリア２０２にはウェーハキャリア背圧空気供給線２
０８が接続される。ウェーハ上の所定位置に基板を保持
するために使用されたウェーハキャリア真空によってウ
ェーハに湾曲が生じうるが、背圧空気供給線２０８はこ
の湾曲に反対するための所定の空気圧を与える。キャリ
ア真空および背圧の両方を同時に加えることができる。
【００１２】ＣＭＰ器具２００はまた主研磨プラテン２
１０を含み、ＣＭＰオペレーションに際して回転する。
主研磨プラテン２１０は主研磨パッド２１２を保持し、
ＣＭＰオペレーションの期間中、この研磨パッドを回転
させる。研磨スラリを与えるため、研磨スラリ線２１４
が使用される。研磨スラリは基板２０４のような基板を
研磨するためのＣＭＰオペレーションに際して主研磨パ
ッド２１２に加えられる。さらに、ＣＭＰオペレーショ
ンの期間中、その場でフィルム厚測定（現場フィルム厚
測定という）を行うため、ＣＭＰ器具２００はレーザー
２１８およびセンサ２２０を含んだフィルム厚測定ユニ
ット２１６を含む。この代わりに、ＣＭＰオペレーショ
ンを周期的に停止させて現場フィルム厚測定ユニット２
１６を使用してフィルム厚を測定することができる。現
場フィルム厚測定ユニット２１６内にはレーザー干渉計
または類似のデバイスを用いた工学フィルム厚み測定器
がある。コヒーレント光ビーム２２２が主研磨プラテン
２１０の窓２２４およびこれと対応する主研磨パッド２
１２の窓２２６を通過する。コヒーレント光ビーム２２
２は窓２２４および２２６を通過してから基板２０４か
ら反射され、主研磨パッド２１２の下に位置するセンサ
２２０に戻る。図示した例では主研磨パッド２１２の窓
２２６は、研磨オペレーションの期間中、可橈性プラス
チックその他類似の材料で充填されるが、これはその上
を研磨スラリが流れるようにするための連続的表面を与
えるためである。
【００１３】フィルム厚の測定結果はフィルム厚／エン
ドポイント解析兼ドライバインターフェース（film thi
ckness/endpoint analysis and driver interface）２
２８に送られる。本フィルム厚測定システムが現場フィ
ルム厚測定を行う手段となる。これらの測定をウェーハ
の表面上で時間的に統合すると、フィルム除去率を決定
することができる。さらに、種々の除去率を使用するこ
とによってユーザー定義したゾーン（領域）の一様性を
決定できる。ゾーンデータはウェーハキャリア位置デー
タに結合されたうえでドライバモジュール２３０内の解
析ユニットに送られる。次いでドライバモジュール２３
０はこの適切な信号をピエゾ素子アレイ／マトリックス
に送る。その結果、最良の研磨一様性（しばしば研磨非
一様性と呼ばれる）を達成するための理想的ウェーハ形
状を生ずる。（非一様性の値が低いほど好ましい。）
フィルム厚測定値は、データ線２３２によって現場フィ
ルム厚測定ユニット２１６に接続されているフィルム厚
／エンドポイント解析兼ドライバインターフェース２２
８に送られる。
【００１４】次にフィルム厚測定値はフィルム厚／エン
ドポイント解析兼ドライバインターフェース２２８か
ら、データ線２３４により接続されているドライバモジ
ュール２３０に送られる。ドライバモジュール２３０は
複数の変位ユニット（図示してなし）を含む変位ユニッ
トに制御信号を与える。図に示す実施例では、この変位
ユニットはピエゾ電気素子である。変位ユニットはウェ
ーハキャリア２０２内に配置されている。これらの制御
信号は制御線２３６を使用してピエゾ電気素子に送られ
る。線２３６はドライバモジュール２３０をウェーハキ
ャリア２０２内に配置されているピエゾ電気素子に結合
する。これらの制御信号は、ＣＭＰにより処理される際
に基板２０４のような基板の形状を調節するのに使用さ
れる。
【００１５】図示した例では、確実にウェーハ表面を研
磨パッドに相対的に平坦なものとするため、ピエゾ素子
の形態をした変位ユニットはウェーハの元々の湾曲を中
和する補償を行うのに使用される。これらのピエゾ電気
素子はまた、半導体製造プロセス中にウェーハが経験す
るいろいろの熱的処理およびフィルム応力による任意の
湾曲を補償するのに使用される。これは、現在のシステ
ムは既存の真空保持機構でウェーハ形状を制御すること
ができないために研磨全体を見たときに中央研磨率が遅
滞する、と言う欠点を補償する助けとなる。加えて、研
磨パッドの変形に由来する効果を低減するため、ピエゾ
電気素子は研磨中のウェーハ表面を調節するのにも使用
される。
【００１６】参照する図３は本発明の好適な図２の実施
例ＣＭＰの一部を線図で示す。図３で図２と同じあるい
は対応する要素は同じ参照番号で示す。ウェーハキャリ
ア２０２は図３ではキャリア２０２に装着した基板２０
４を有する。図示した例では、基板２０４は半導体ウェ
ーハである。基板２０４には充填接続体３００を介して
真空が供給される。この実施例でわかるように、主研磨
パッド２１２は非一様形状を有する。特に主研磨パッド
２１２の部分３０２では変形部が存在する。主研磨パッ
ド２１２のこのような変形はパッドの反跳効果などの多
数の原因から生ずる。主研磨パッド２１２のこのような
変形部位３０２は基板２０４の研磨表面３０４の研磨を
一様でなくする。
【００１７】図示した実施例の変位ユニット３０６は多
数のピエゾ電気素子３０８、３１００、３１２、３１
４、および３１６を含む。これらの主研磨パッド２１２
の変形に呼応して基板２０４上の研磨表面３０４を一時
的に変形もしくは湾曲させるのに使用される。ピエゾ電
気素子３０８、３１０、３１２、３１４、および３１６
は電気的インターフェース３１８によりドライバモジュ
ール２３０に結合される。ピエゾ電気素子３０８および
３１６は正の湾曲モードにあり、基板２０４を造形する
のに使用されている。ピエゾ電気素子３１２は負の湾曲
モードにあり、やはり基板２０４を造形するのに使用さ
れている。ピエゾ電気素子３１０および３１４は本例で
は中性状態にある。
【００１８】研磨表面３０４の湾曲すなわち変形は、主
研磨パッド２１２の形状が変わっても研磨表面３０４お
よび基板２０４の研磨が一様に行われるようになってい
る。図３からわかるように、基板２０４の研磨表面３０
４は主研磨パッド２１２の部位３０２内の低い領域３２
０および３２２を補償して主研磨パッド２１２の変形に
よる効果を最小限に留めるように変形または湾曲されて
いる。
【００１９】図４ないし図８は本発明の好適な実施例で
ある変位素子の形状を示す。これらの図は、ピエゾ電気
素子のような変位素子がどの様にウェーハキャリア内に
配置されるかを示す。これらの図は、半導体ウェーハの
ような基板を保持し、湾曲し、あるいは変形するのに使
用されるキャリアの表面の配置を示す。図４のウェーハ
キャリア４００は共心的な輪の形でピエゾ電気素子を含
む。特に図４に示す例ではウェーハキャリア４００は共
心的な輪４０２、４０４、４０６、４０８、および４１
０を含む。図５ではウェーハキャリア４１２はピエゾ電
気素子からなる、間隔を空けて配置した「フィンガー」
を含む。これらのピエゾ電気素子は部位４１４、４１
６、４１８および４２０のようなフィンガー内にある。
図６では独立のピエゾ電気素子を含むグリッドアレイ４
２２がキャリア４２４内に使用されている。図７ではキ
ャリア４２６は図４のキャリア４０２で使用されている
ものと類似の共心的輪を含む。しかしキャリア４２６の
これらの共心的輪は、区画４２８に分割されている。図
４ないし図８はピエゾ電気素子の特定な形状例を示す
が、達成すべき基板に望ましい形状に応じて任意の幾何
学的形状あるいは密度のピエゾ電気素子を採用すること
ができる。
【００２０】図８を参照すると、本発明の好適な実施例
に基づき電気的に能動的なウェーハキャリアシステムを
使用してＣＭＰを得るプロセスの流れ図が示してある。
このプロセスはすべてのピエゾ電気素子を中性位置に配
置することから始まる（ステップ５００）。次にパイロ
ットウェーハの研磨が始まる（ステップ５０２）。この
パイロットウェーハはバッチで処理する最初のウェーハ
で、他のウェーハをバッチ処理するための設定を決定す
るのに使用される。ステップ５０４で、研磨したウェー
ハの直径測定走査が行われる。直径走査データが解析さ
れ、高または低除去率の範囲が同定される（ステップ５
０６）。このステップは、オフライン解析パッケージを
使って行われる。そのデータは電気的能動的ウェーハキ
ャリアでピエゾ電気素子を駆動するための適切な設定を
得るために使用される（ステップ５０８）。次いでこの
ウェーハはその設定を使って研磨され、ウェーハに所望
の一様性が達成される（ステップ５１０）。もしも全フ
ィルム厚および研磨の一様性が受容可能であれば、バッ
チ処理で別のウェーハを研磨するのに現設定を使用す
る。受容可能でないなら上記解析に基づいて新たな設定
を行い、他のウェーハをバッチ処理で研磨する。
【００２１】図９の流れ図は本発明の好適な実施例であ
る、研磨プロセスにおけるウェーハ形状自動調節プロセ
スを示す。図９に示すプロセスは、研磨プロセス途中に
おいて研磨しているウェーハ表面を測定する能力を必要
とする。これは図２に示すような電気的に能動的なウェ
ーハキャリアを使用することによって達成することがで
きる。このプロセスはウェーハを研磨することにより始
まる（ステップ６００）。ウェーハが研磨されていると
きに図２に示した現場フィルム厚測定ユニット２１６の
ような装置を使用して、除去率データが得られる（ステ
ップ６０２）。データは解析され、ウェーハの位置およ
び一様性が求められる（ステップ６０４）。この位置お
よび一様性に関するデータはアドレスデータに変換され
る。アドレスデータを使用して適切なピエゾ電気素子を
調節し、所望の一様性を達成する。この解析は図２のド
ライバインターフェース２２８を使用して行われる。こ
の位置および一様性に関するデータはドライバデータに
変換されてドライバモジュール２３０に送られる。ドラ
イバモジュール２３０はピエゾ電気素子を調節してウェ
ーハの形状を変える（ステップ６０６）。図９に示すこ
のプロセスを使用して、測定のために研磨プロセスを中
断することなしに研磨を続けながら、基板の形状が変化
することができる。
【００２２】
【効果】それゆえ本発明は、キャリアに基板を保持する
ために使用した真空によって導入される湾曲あるいはＣ
ＭＰ期間中に使用した研磨パッドの形状変化などの要因
を補償すべく基板を調節する方法および装置を与える。
研磨パッドの形状変化に応答して基板の研磨表面の形状
を変化させることにより、本方法および本装置は研磨オ
ペレーションを通して当該基板研磨表面の一様性を改善
する。したがって本発明は、ウェーハの湾曲およびパッ
ドの反跳効果に起因する研磨パッドの形状変化などの問
題を解決することにより、既存のシステムを超えた利点
を与える。本発明はまた、ウェーハ処理に由来する諸々
の応力に関する問題を解決する。
【００２３】本発明の好適な実施例は例示および説明の
ために提示したものであって本発明を実施例に開示した
形態および範囲に限定するものではない。多数の設計変
更および置換例が可能であることが当業者には明らかで
あろう。本実施例は本発明の要旨を最良の形態で例示
し、当業者が本発明を理解して特定の目的に合わせて種
々の形態で実施できるようにするためであることを了解
されたい。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の好適な実施例に基づくＣＭＰ器具の一
部を示す図である。
【図２】本発明の好適な実施例に基づくＣＭＰ器具の図
である。
【図３】本発明の好適な実施例に基づくＣＭＰ器具の一
部の線図である。
【図４】本発明の好適な実施例に基づく変位素子の一形
状を例示する図である。
【図５】本発明の好適な実施例に基づく変位素子の一形
状を例示する図である。
【図６】本発明の好適な実施例に基づく変位素子の一形
状を例示する図である。
【図７】本発明の好適な実施例に基づく変位素子の一形
状を例示する図である。
【図８】本発明の好適な実施例に基づく電気的能動ウェ
ーハキャリアシステムを使用するＣＭＰに対するプロセ
スの流れ図である。
【図９】本発明の好適な実施例に基づく研磨プロセス期
間中、ウェーハの形状を調節するためのプロセスの流れ
図である。
【符号の説明】
２００ ＣＭＰ器具 ２０２ ウェーハキャリア ２０４ 基板 ２０６ ウェーハキャリア真空線 ２０８ ウェーハキャリア背圧空気供給線 ２１０ 主研磨プラテン ２１２ 主研磨パッド ２１４ 研磨スラリ線 ２１６ フィルム厚測定ユニット ２１８ レーザー ２２０ センサ ２１０ 主研磨プラテン ２２２ コヒーレント光ビーム ２２４ 窓 ２２６ 窓 ２２８ フィルム厚／エンドポイント解析兼ドライ
バインターフェース ２３０ ドライバモジュール ２３２ データ線 ２３４ データ線 ３００ 充填接続体 ３０４ 研磨表面 ３０６ 変位ユニット ３０８ ピエゾ電気素子 ３１０ ピエゾ電気素子 ３１１ ピエゾ電気素子 ３１２ ピエゾ電気素子 ３１３ ピエゾ電気素子 ３１４ ピエゾ電気素子 ３１５ ピエゾ電気素子 ３１６ ピエゾ電気素子 ３１７ ピエゾ電気素子 ３１８ ピエゾ電気素子 ４００ ウェーハキャリア ４１２ ウェーハキャリア ４１４ フィンガー ４１５ フィンガー ４１６ フィンガー ４１７ フィンガー ４１８ フィンガー ４１９ フィンガー ４２０ フィンガー ４２２ グリッドアレイ ４２４ キャリア ４２６ キャリア

Claims (21)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】半導体基板の表面を研磨パッドで研磨する
    方法であって、 該基板の表面を該研磨パッドを使用して研磨する研磨ス
    テップと、 該研磨パッドに生じた変化に呼応して該基板表面を変形
    させる変形ステップとを含み、 該基板表面の研磨によって該基板表面の変形が一様性を
    増加させることを特徴とする化学的機械的研磨方法。
  2. 【請求項２】請求項１に記載の方法であってさらに、該
    研磨パッドに生じた変化を検出する検出ステップを含
    み、該研磨パッドの変化が検出されたことに呼応して該
    変形ステップが行われることを特徴とする化学的機械的
    研磨方法。
  3. 【請求項３】請求項１に記載の方法において、該研磨ス
    テップの期間中、該変形ステップが周期的に行われるこ
    とを特徴とする化学的機械的研磨方法。
  4. 【請求項４】請求項１に記載の方法において、基板表面
    を変形させる該変形ステップが複数のピエゾ電気素子を
    使用して行われることを特徴とする化学的機械的研磨方
    法。
  5. 【請求項５】請求項２に記載の方法において、該検出ス
    テップがセンサを使用して行われることを特徴とする化
    学的機械的研磨方法。
  6. 【請求項６】請求項２に記載の方法において、該検出ス
    テップが、該研磨ステップを中断し、該基板表面を測定
    するステップを含むことを特徴とする化学的機械的研磨
    方法。
  7. 【請求項７】請求項２に記載の方法において、該検出ス
    テップが、該研磨ステップの起きるときに該基板表面を
    測定するステップを含むことを特徴とする化学的機械的
    研磨方法。
  8. 【請求項８】半導体基板の表面を研磨パッドで研磨する
    装置であって、 該基板の表面を該研磨パッドを使用して研磨する研磨手
    段と、 該研磨パッドに生じた変化に呼応して該基板表面を変形
    する変形手段とを含み、 該基板表面の研磨によって該基板表面の変形が一様性を
    増大するようにされていることを特徴とする化学的機械
    的研磨装置。
  9. 【請求項９】請求項８に記載の装置であってさらに、該
    研磨パッドに生じた変化を検出する検出手段を含み、該
    研磨パッドの変形が検出されたことに呼応して該基板表
    面が変形されることを特徴とする化学的機械的研磨装
    置。
  10. 【請求項１０】請求項８に記載の装置において、該変形
    手段による変形が該基板表面の研磨期間中、周期的に行
    われることを特徴とする化学的機械的研磨装置。
  11. 【請求項１１】請求項８に記載の装置において、該変形
    手段が複数のピエゾ電気素子を含むことを特徴とする化
    学的機械的研磨装置。
  12. 【請求項１２】半導体基板表面を研磨する装置であっ
    て、 該基板を保持するように形成されたキャリアと、 該キャリア内に装填された変形ユニットとを含み、 該基板の一様な研磨（一様研磨）が生じるよう、該基板
    表面の研磨期間中、該基板表面を選択的に変形させるよ
    うに該変形ユニットが使用されることを特徴とする化学
    的機械的研磨装置。
  13. 【請求項１３】請求項１２に記載の装置であってさら
    に、該変形ユニットに結合された制御ユニットを含み、
    該制御ユニットが該変形ユニットを制御することを特徴
    とする化学的機械的研磨装置。
  14. 【請求項１４】請求項１３に記載の装置であってさら
    に、 該基板表面を研磨するための形状を有する研磨パッド
    と、 該研磨パッドの該形状の変化を検出するように構成さ
    れ、かつ該制御ユニットに接続されたセンサとを含み、 該基板表面の一様研磨を最適化するため、該基板の表面
    を変形すべく該制御ユニットが該変形ユニットに信号を
    送ることを特徴とする化学的機械的研磨装置。
  15. 【請求項１５】請求項１２に記載の装置において、該基
    板がウェーハであることを特徴とする化学的機械的研磨
    装置。
  16. 【請求項１６】請求項１２に記載の装置において、該基
    板がシリコンウェーハであることを特徴とする化学的機
    械的研磨装置。
  17. 【請求項１７】請求項１２に記載の装置において、該変
    形ユニットが複数のピエゾ電気素子を含むことを特徴と
    する化学的機械的研磨装置。
  18. 【請求項１８】半導体ウェーハの表面を研磨する装置で
    あって、 該半導体ウェーハを保持するように形成されたキャリア
    と、 該半導体ウェーハを研磨するように配置された研磨パッ
    ドと、 該キャリア内に配置された複数の変位素子とを含み、 該半導体ウェーハに一様な研磨（一様研磨）が生じるよ
    う、該半導体ウェーハ表面の研磨期間中、該半導体ウェ
    ーハ表面を選択的に変形するように該変位素子が使用さ
    れることを特徴とする化学的機械的研磨装置。
  19. 【請求項１９】請求項１８に記載の装置において、該複
    数の変位素子が複数のピエゾ電気素子であることを特徴
    とする化学的機械的研磨装置。
  20. 【請求項２０】請求項１８に記載の装置において、該半
    導体ウェーハがシリコンウェーハであることを特徴とす
    る化学的機械的研磨装置。
  21. 【請求項２１】半導体基板を研磨するための化学的機械
    的研磨装置であって、 該基板を保持するように形成されたキャリアと、 該キャリア内に配置された複数の変位素子にして、該半
    導体ウェーハに一様な研磨（一様研磨）が生じるよう、
    該半導体ウェーハ表面の研磨期間中、該半導体ウェーハ
    表面を選択的に変形するために使用される変位素子と、 該基板表面を研磨するための形状を有する研磨パッド
    と、 該研磨パッドの該形状の変化を検出するように構成され
    センサと、 該複数の変位素子と該センサとに接続された制御ユニッ
    トにして、該基板表面の一様研磨を最適化するため、該
    基板の表面を変形すべく該制御ユニットが該複数の変形
    素子に信号を送るようにされた制御ユニットとを含むこ
    とを特徴とする化学的機械的研磨装置。
JP27186098A 1997-09-29 1998-09-25 化学的機械的研磨方法及びその装置 Expired - Fee Related JP4094743B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US08/939689 1997-09-29
US08/939,689 US5888120A (en) 1997-09-29 1997-09-29 Method and apparatus for chemical mechanical polishing

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH11165256A true JPH11165256A (ja) 1999-06-22
JP4094743B2 JP4094743B2 (ja) 2008-06-04

Family

ID=25473573

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP27186098A Expired - Fee Related JP4094743B2 (ja) 1997-09-29 1998-09-25 化学的機械的研磨方法及びその装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US5888120A (ja)
EP (1) EP0904895A3 (ja)
JP (1) JP4094743B2 (ja)
TW (1) TW403690B (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001060572A (ja) * 1999-07-09 2001-03-06 Applied Materials Inc 化学機械研磨装置でのウェーハ研磨の閉ループ制御
US8694145B2 (en) 2001-06-19 2014-04-08 Applied Materials, Inc. Feedback control of a chemical mechanical polishing device providing manipulation of removal rate profiles
JP2020126872A (ja) * 2019-02-01 2020-08-20 株式会社ブイ・テクノロジー 研磨ヘッド、研磨装置及び研磨方法
JP2021112797A (ja) * 2020-01-17 2021-08-05 株式会社荏原製作所 研磨ヘッドシステムおよび研磨装置
JP2023517454A (ja) * 2020-06-24 2023-04-26 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 圧電圧力制御によるキャリアヘッドの研磨

Families Citing this family (81)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6115233A (en) * 1996-06-28 2000-09-05 Lsi Logic Corporation Integrated circuit device having a capacitor with the dielectric peripheral region being greater than the dielectric central region
US6108093A (en) * 1997-06-04 2000-08-22 Lsi Logic Corporation Automated inspection system for residual metal after chemical-mechanical polishing
JP3450651B2 (ja) * 1997-06-10 2003-09-29 キヤノン株式会社 研磨方法及びそれを用いた研磨装置
US6069085A (en) 1997-07-23 2000-05-30 Lsi Logic Corporation Slurry filling a recess formed during semiconductor fabrication
US6093280A (en) * 1997-08-18 2000-07-25 Lsi Logic Corporation Chemical-mechanical polishing pad conditioning systems
US6168508B1 (en) 1997-08-25 2001-01-02 Lsi Logic Corporation Polishing pad surface for improved process control
JPH1187286A (ja) 1997-09-05 1999-03-30 Lsi Logic Corp 半導体ウエハの二段階式化学的機械的研磨方法及び装置
US6234883B1 (en) 1997-10-01 2001-05-22 Lsi Logic Corporation Method and apparatus for concurrent pad conditioning and wafer buff in chemical mechanical polishing
US6106371A (en) * 1997-10-30 2000-08-22 Lsi Logic Corporation Effective pad conditioning
US6531397B1 (en) 1998-01-09 2003-03-11 Lsi Logic Corporation Method and apparatus for using across wafer back pressure differentials to influence the performance of chemical mechanical polishing
US6224466B1 (en) * 1998-02-02 2001-05-01 Micron Technology, Inc. Methods of polishing materials, methods of slowing a rate of material removal of a polishing process
US6060370A (en) * 1998-06-16 2000-05-09 Lsi Logic Corporation Method for shallow trench isolations with chemical-mechanical polishing
US6077783A (en) * 1998-06-30 2000-06-20 Lsi Logic Corporation Method and apparatus for detecting a polishing endpoint based upon heat conducted through a semiconductor wafer
US6268224B1 (en) 1998-06-30 2001-07-31 Lsi Logic Corporation Method and apparatus for detecting an ion-implanted polishing endpoint layer within a semiconductor wafer
US6241847B1 (en) 1998-06-30 2001-06-05 Lsi Logic Corporation Method and apparatus for detecting a polishing endpoint based upon infrared signals
US6071818A (en) 1998-06-30 2000-06-06 Lsi Logic Corporation Endpoint detection method and apparatus which utilize an endpoint polishing layer of catalyst material
US6074517A (en) * 1998-07-08 2000-06-13 Lsi Logic Corporation Method and apparatus for detecting an endpoint polishing layer by transmitting infrared light signals through a semiconductor wafer
US6066266A (en) * 1998-07-08 2000-05-23 Lsi Logic Corporation In-situ chemical-mechanical polishing slurry formulation for compensation of polish pad degradation
US6285035B1 (en) 1998-07-08 2001-09-04 Lsi Logic Corporation Apparatus for detecting an endpoint polishing layer of a semiconductor wafer having a wafer carrier with independent concentric sub-carriers and associated method
US6080670A (en) * 1998-08-10 2000-06-27 Lsi Logic Corporation Method of detecting a polishing endpoint layer of a semiconductor wafer which includes a non-reactive reporting specie
US6201253B1 (en) 1998-10-22 2001-03-13 Lsi Logic Corporation Method and apparatus for detecting a planarized outer layer of a semiconductor wafer with a confocal optical system
US6390890B1 (en) 1999-02-06 2002-05-21 Charles J Molnar Finishing semiconductor wafers with a fixed abrasive finishing element
US6121147A (en) * 1998-12-11 2000-09-19 Lsi Logic Corporation Apparatus and method of detecting a polishing endpoint layer of a semiconductor wafer which includes a metallic reporting substance
US6117779A (en) 1998-12-15 2000-09-12 Lsi Logic Corporation Endpoint detection method and apparatus which utilize a chelating agent to detect a polishing endpoint
US6528389B1 (en) 1998-12-17 2003-03-04 Lsi Logic Corporation Substrate planarization with a chemical mechanical polishing stop layer
JP2000254857A (ja) 1999-01-06 2000-09-19 Tokyo Seimitsu Co Ltd 平面加工装置及び平面加工方法
US6641463B1 (en) 1999-02-06 2003-11-04 Beaver Creek Concepts Inc Finishing components and elements
US6176764B1 (en) 1999-03-10 2001-01-23 Micron Technology, Inc. Polishing chucks, semiconductor wafer polishing chucks, abrading methods, polishing methods, simiconductor wafer polishing methods, and methods of forming polishing chucks
US6050882A (en) * 1999-06-10 2000-04-18 Applied Materials, Inc. Carrier head to apply pressure to and retain a substrate
SG86415A1 (en) * 1999-07-09 2002-02-19 Applied Materials Inc Closed-loop control of wafer polishing in a chemical mechanical polishing system
US6451699B1 (en) 1999-07-30 2002-09-17 Lsi Logic Corporation Method and apparatus for planarizing a wafer surface of a semiconductor wafer having an elevated portion extending therefrom
US6722963B1 (en) 1999-08-03 2004-04-20 Micron Technology, Inc. Apparatus for chemical-mechanical planarization of microelectronic substrates with a carrier and membrane
US6705930B2 (en) 2000-01-28 2004-03-16 Lam Research Corporation System and method for polishing and planarizing semiconductor wafers using reduced surface area polishing pads and variable partial pad-wafer overlapping techniques
US6340326B1 (en) 2000-01-28 2002-01-22 Lam Research Corporation System and method for controlled polishing and planarization of semiconductor wafers
US6336853B1 (en) * 2000-03-31 2002-01-08 Speedfam-Ipec Corporation Carrier having pistons for distributing a pressing force on the back surface of a workpiece
US7751609B1 (en) 2000-04-20 2010-07-06 Lsi Logic Corporation Determination of film thickness during chemical mechanical polishing
US6375550B1 (en) 2000-06-05 2002-04-23 Lsi Logic Corporation Method and apparatus for enhancing uniformity during polishing of a semiconductor wafer
US6541383B1 (en) 2000-06-29 2003-04-01 Lsi Logic Corporation Apparatus and method for planarizing the surface of a semiconductor wafer
US6464566B1 (en) 2000-06-29 2002-10-15 Lsi Logic Corporation Apparatus and method for linearly planarizing a surface of a semiconductor wafer
KR20030025281A (ko) * 2000-07-31 2003-03-28 에이에스엠엘 유에스, 인코포레이티드 화학 기계적 연마시 종결점을 검출하기 위한 인-시츄 방법및 장치
US6585572B1 (en) 2000-08-22 2003-07-01 Lam Research Corporation Subaperture chemical mechanical polishing system
US6652357B1 (en) 2000-09-22 2003-11-25 Lam Research Corporation Methods for controlling retaining ring and wafer head tilt for chemical mechanical polishing
US7481695B2 (en) 2000-08-22 2009-01-27 Lam Research Corporation Polishing apparatus and methods having high processing workload for controlling polishing pressure applied by polishing head
US6640155B2 (en) 2000-08-22 2003-10-28 Lam Research Corporation Chemical mechanical polishing apparatus and methods with central control of polishing pressure applied by polishing head
US6489242B1 (en) 2000-09-13 2002-12-03 Lsi Logic Corporation Process for planarization of integrated circuit structure which inhibits cracking of low dielectric constant dielectric material adjacent underlying raised structures
US6471566B1 (en) 2000-09-18 2002-10-29 Lam Research Corporation Sacrificial retaining ring CMP system and methods for implementing the same
US6443815B1 (en) 2000-09-22 2002-09-03 Lam Research Corporation Apparatus and methods for controlling pad conditioning head tilt for chemical mechanical polishing
US6319836B1 (en) 2000-09-26 2001-11-20 Lsi Logic Corporation Planarization system
US6391768B1 (en) 2000-10-30 2002-05-21 Lsi Logic Corporation Process for CMP removal of excess trench or via filler metal which inhibits formation of concave regions on oxide surface of integrated circuit structure
US6607967B1 (en) 2000-11-15 2003-08-19 Lsi Logic Corporation Process for forming planarized isolation trench in integrated circuit structure on semiconductor substrate
US6776695B2 (en) 2000-12-21 2004-08-17 Lam Research Corporation Platen design for improving edge performance in CMP applications
US6607425B1 (en) 2000-12-21 2003-08-19 Lam Research Corporation Pressurized membrane platen design for improving performance in CMP applications
US6439981B1 (en) 2000-12-28 2002-08-27 Lsi Logic Corporation Arrangement and method for polishing a surface of a semiconductor wafer
US6372524B1 (en) 2001-03-06 2002-04-16 Lsi Logic Corporation Method for CMP endpoint detection
US6503828B1 (en) 2001-06-14 2003-01-07 Lsi Logic Corporation Process for selective polishing of metal-filled trenches of integrated circuit structures
US6964924B1 (en) 2001-09-11 2005-11-15 Lsi Logic Corporation Integrated circuit process monitoring and metrology system
US6736720B2 (en) * 2001-12-26 2004-05-18 Lam Research Corporation Apparatus and methods for controlling wafer temperature in chemical mechanical polishing
US7024268B1 (en) 2002-03-22 2006-04-04 Applied Materials Inc. Feedback controlled polishing processes
US20030199112A1 (en) 2002-03-22 2003-10-23 Applied Materials, Inc. Copper wiring module control
US6937915B1 (en) * 2002-03-28 2005-08-30 Lam Research Corporation Apparatus and methods for detecting transitions of wafer surface properties in chemical mechanical polishing for process status and control
WO2004048038A1 (en) 2002-11-22 2004-06-10 Applied Materials Inc. Methods and apparatus for polishing control
KR100506934B1 (ko) * 2003-01-10 2005-08-05 삼성전자주식회사 연마장치 및 이를 사용하는 연마방법
DE10303407A1 (de) * 2003-01-27 2004-08-19 Friedrich-Schiller-Universität Jena Verfahren und Vorrichtung zur hochgenauen Bearbeitung der Oberfläche eines Objektes, insbesondere zum Polieren und Läppen von Halbleitersubstraten
US7018273B1 (en) 2003-06-27 2006-03-28 Lam Research Corporation Platen with diaphragm and method for optimizing wafer polishing
US6991516B1 (en) 2003-08-18 2006-01-31 Applied Materials Inc. Chemical mechanical polishing with multi-stage monitoring of metal clearing
US7074109B1 (en) 2003-08-18 2006-07-11 Applied Materials Chemical mechanical polishing control system and method
US6955588B1 (en) 2004-03-31 2005-10-18 Lam Research Corporation Method of and platen for controlling removal rate characteristics in chemical mechanical planarization
DE102005016411B4 (de) * 2005-04-08 2007-03-29 IGAM Ingenieurgesellschaft für angewandte Mechanik mbH Vorrichtung zur hochgenauen Oberflächenbearbeitung eines Werkstückes
US7312154B2 (en) * 2005-12-20 2007-12-25 Corning Incorporated Method of polishing a semiconductor-on-insulator structure
US8215946B2 (en) * 2006-05-18 2012-07-10 Molecular Imprints, Inc. Imprint lithography system and method
US20110132871A1 (en) * 2008-04-03 2011-06-09 Tufts University Shear sensors and uses thereof
US20120122373A1 (en) * 2010-11-15 2012-05-17 Stmicroelectronics, Inc. Precise real time and position low pressure control of chemical mechanical polish (cmp) head
KR101602544B1 (ko) * 2010-11-18 2016-03-10 캐보트 마이크로일렉트로닉스 코포레이션 투과성 영역을 포함하는 연마 패드
US9620953B2 (en) 2013-03-25 2017-04-11 Wen Technology, Inc. Methods providing control for electro-permanent magnetic devices and related electro-permanent magnetic devices and controllers
JP2014223684A (ja) * 2013-05-15 2014-12-04 株式会社東芝 研磨装置および研磨方法
US9997420B2 (en) * 2013-12-27 2018-06-12 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited Method and/or system for chemical mechanical planarization (CMP)
KR102213468B1 (ko) * 2014-08-26 2021-02-08 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 버프 처리 장치 및 기판 처리 장치
US10734149B2 (en) 2016-03-23 2020-08-04 Wen Technology Inc. Electro-permanent magnetic devices including unbalanced switching and permanent magnets and related methods and controllers
JP7220648B2 (ja) * 2019-12-20 2023-02-10 株式会社荏原製作所 基板処理装置および基板処理方法
JP7365282B2 (ja) * 2020-03-26 2023-10-19 株式会社荏原製作所 研磨ヘッドシステムおよび研磨装置
JP2023538198A (ja) * 2021-03-05 2023-09-07 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド コスト関数または予想される将来のパラメータ変化を使用した、基板研磨中の処理パラメータの制御

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3110341C2 (de) * 1980-03-19 1983-11-17 Hitachi, Ltd., Tokyo Verfahren und Vorrichtung zum Ausrichten eines dünnen Substrats in der Bildebene eines Kopiergerätes
US4506184A (en) * 1984-01-10 1985-03-19 Varian Associates, Inc. Deformable chuck driven by piezoelectric means
KR900001241B1 (ko) * 1985-04-17 1990-03-05 가부시기가이샤 히다찌세이사꾸쇼 광 노출 장치
US5094536A (en) * 1990-11-05 1992-03-10 Litel Instruments Deformable wafer chuck
US5635083A (en) * 1993-08-06 1997-06-03 Intel Corporation Method and apparatus for chemical-mechanical polishing using pneumatic pressure applied to the backside of a substrate
US5643060A (en) * 1993-08-25 1997-07-01 Micron Technology, Inc. System for real-time control of semiconductor wafer polishing including heater
US5584746A (en) * 1993-10-18 1996-12-17 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. Method of polishing semiconductor wafers and apparatus therefor
DE4335980C2 (de) * 1993-10-21 1998-09-10 Wacker Siltronic Halbleitermat Verfahren zum Positionieren einer Werkstückhalterung
JP3329034B2 (ja) * 1993-11-06 2002-09-30 ソニー株式会社 半導体基板の研磨装置
US5624299A (en) * 1993-12-27 1997-04-29 Applied Materials, Inc. Chemical mechanical polishing apparatus with improved carrier and method of use
US5573877A (en) * 1994-03-15 1996-11-12 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Exposure method and exposure apparatus
US5607341A (en) * 1994-08-08 1997-03-04 Leach; Michael A. Method and structure for polishing a wafer during manufacture of integrated circuits
US5558563A (en) * 1995-02-23 1996-09-24 International Business Machines Corporation Method and apparatus for uniform polishing of a substrate

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001060572A (ja) * 1999-07-09 2001-03-06 Applied Materials Inc 化学機械研磨装置でのウェーハ研磨の閉ループ制御
JP4719339B2 (ja) * 1999-07-09 2011-07-06 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 化学機械研磨装置でのウェーハ研磨の閉ループ制御
US8694145B2 (en) 2001-06-19 2014-04-08 Applied Materials, Inc. Feedback control of a chemical mechanical polishing device providing manipulation of removal rate profiles
JP2020126872A (ja) * 2019-02-01 2020-08-20 株式会社ブイ・テクノロジー 研磨ヘッド、研磨装置及び研磨方法
JP2021112797A (ja) * 2020-01-17 2021-08-05 株式会社荏原製作所 研磨ヘッドシステムおよび研磨装置
US12017323B2 (en) 2020-01-17 2024-06-25 Ebara Corporation Polishing head system and polishing apparatus
JP2023517454A (ja) * 2020-06-24 2023-04-26 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 圧電圧力制御によるキャリアヘッドの研磨
US11890715B2 (en) 2020-06-24 2024-02-06 Applied Materials, Inc. Polishing carrier head with piezoelectric pressure control
US12030156B2 (en) 2020-06-24 2024-07-09 Applied Materials, Inc. Polishing carrier head with piezoelectric pressure control

Also Published As

Publication number Publication date
EP0904895A3 (en) 2000-11-15
TW403690B (en) 2000-09-01
JP4094743B2 (ja) 2008-06-04
US5888120A (en) 1999-03-30
EP0904895A2 (en) 1999-03-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4094743B2 (ja) 化学的機械的研磨方法及びその装置
US5730642A (en) System for real-time control of semiconductor wafer polishing including optical montoring
US6306009B1 (en) System for real-time control of semiconductor wafer polishing
US6776692B1 (en) Closed-loop control of wafer polishing in a chemical mechanical polishing system
US5643060A (en) System for real-time control of semiconductor wafer polishing including heater
CN113597360B (zh) 监视化学机械抛光中的抛光垫纹理
US6905571B2 (en) Wafer polishing method and wafer polishing apparatus in semiconductor fabrication equipment
US6159075A (en) Method and system for in-situ optimization for semiconductor wafers in a chemical mechanical polishing process
US20020052052A1 (en) Chemical-mechanical planarization machine and method for uniformly planarizing semiconductor wafers
US6579151B2 (en) Retaining ring with active edge-profile control by piezoelectric actuator/sensors
JP2011098436A (ja) 化学機械研磨装置および化学機械研磨方法
JPH1015807A (ja) 研磨システム
US20050118839A1 (en) Chemical mechanical polish process control method using thermal imaging of polishing pad
KR20020020692A (ko) 웨이퍼 연마 패드의 조절 방법
US20020049029A1 (en) System and method for chemical mechanical polishing
US6878302B1 (en) Method of polishing wafers
JP3575944B2 (ja) 研磨方法、研磨装置および半導体集積回路装置の製造方法
JP2006263876A (ja) 研磨装置、研磨方法および半導体装置の製造方法
JP2023123391A (ja) エピタキシャルウエハを製造するためのシステムおよび方法
CN118977201A (zh) 监视化学机械抛光中的抛光垫纹理

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20050926

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20070920

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20071220

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20071226

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20080116

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20080213

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20080306

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110314

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130314

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130314

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140314

Year of fee payment: 6

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees