JPH11153872A - レジストパターン形成方法 - Google Patents
レジストパターン形成方法Info
- Publication number
- JPH11153872A JPH11153872A JP9334815A JP33481597A JPH11153872A JP H11153872 A JPH11153872 A JP H11153872A JP 9334815 A JP9334815 A JP 9334815A JP 33481597 A JP33481597 A JP 33481597A JP H11153872 A JPH11153872 A JP H11153872A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- forming
- resist pattern
- semiconductor substrate
- film
- resist
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 簡易な工程によって、裾引きや食い込みのな
い良好な形状の寸法精度の高いレジストパターンを形成
することを目的とする。 【解決手段】 半導体基板１１上に化学増幅型のフォト
レジスト膜１４を形成し、所望の半導体集積回路パター
ンを描いたマスクを通して紫外線あるいは遠紫外線を照
射し、露光後ベークの後、アルカリ現像液を用いて現像
を行うレジストパターン形成方法において、フォトレジ
スト膜１４形の成に先立ち、半導体基板１１上に多量の
光酸発生剤を吸着させた極薄い層１３を形成する。
い良好な形状の寸法精度の高いレジストパターンを形成
することを目的とする。 【解決手段】 半導体基板１１上に化学増幅型のフォト
レジスト膜１４を形成し、所望の半導体集積回路パター
ンを描いたマスクを通して紫外線あるいは遠紫外線を照
射し、露光後ベークの後、アルカリ現像液を用いて現像
を行うレジストパターン形成方法において、フォトレジ
スト膜１４形の成に先立ち、半導体基板１１上に多量の
光酸発生剤を吸着させた極薄い層１３を形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置の製造技
術に関し、特に、微細なレジストパターンの形成方法に
関する。
術に関し、特に、微細なレジストパターンの形成方法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の光リソグラフィ技術は、その露光
光にｇ線（４３６ｎｍ）、ｉ線（３６５ｎｍ）を用いた
もので、そのレジストとしては、ベース樹脂にノボラッ
ク樹脂を用い、感光剤にナフトキノンジアジドを用いた
溶解抑止型ポジ型レジストが主流であった。
光にｇ線（４３６ｎｍ）、ｉ線（３６５ｎｍ）を用いた
もので、そのレジストとしては、ベース樹脂にノボラッ
ク樹脂を用い、感光剤にナフトキノンジアジドを用いた
溶解抑止型ポジ型レジストが主流であった。
【０００３】しかし、より微細化に有利な遠紫外光であ
るエキシマレーザ光（２４８ｎｍ，１９３ｎｍ等）を用
いたリソグラフィが必要となり、そのレジストとして
は、従来のｇ線、ｉ線用では光吸収が大きすぎ、良好な
レジストパターンが得られず、また感度も大幅に低下す
るという状況であった。
るエキシマレーザ光（２４８ｎｍ，１９３ｎｍ等）を用
いたリソグラフィが必要となり、そのレジストとして
は、従来のｇ線、ｉ線用では光吸収が大きすぎ、良好な
レジストパターンが得られず、また感度も大幅に低下す
るという状況であった。
【０００４】しかし、光酸発生剤（ＰＡＧ；Ｐｈｏｔｏ
Ａｃｉｄ Ｇｅｎｅｒａｔｏｒ）から発生する酸触媒
の増感反応を利用した化学増幅糸レジストが考案され
（Ｉｔｏ ｅｔ ａｌ．１９８２Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ
ｏｎ ＶＬＳＩ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ）、短波長リソ
グラフィ用レジスト、また高感度が要求される電子線リ
ソグラフィ用レジストとして主流になりつつある。
Ａｃｉｄ Ｇｅｎｅｒａｔｏｒ）から発生する酸触媒
の増感反応を利用した化学増幅糸レジストが考案され
（Ｉｔｏ ｅｔ ａｌ．１９８２Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ
ｏｎ ＶＬＳＩ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ）、短波長リソ
グラフィ用レジスト、また高感度が要求される電子線リ
ソグラフィ用レジストとして主流になりつつある。
【０００５】この化学増幅系レジストは、ポジ型レジス
トの場合、溶解抑止基を導入した樹脂とＰＡＧから構成
される。このポジ型レジストに露光を行うと、露光部で
はＰＡＧから酸が発生し、露光後べ一クにより酸が溶解
抑止基に触媒として作用し、溶解抑止基の脱離が生じ
る。その結果、露光部はアルカリ可溶性となるため、ポ
ジパターンが形成される。
トの場合、溶解抑止基を導入した樹脂とＰＡＧから構成
される。このポジ型レジストに露光を行うと、露光部で
はＰＡＧから酸が発生し、露光後べ一クにより酸が溶解
抑止基に触媒として作用し、溶解抑止基の脱離が生じ
る。その結果、露光部はアルカリ可溶性となるため、ポ
ジパターンが形成される。
【０００６】一方、ネガ型レジストは、樹脂と架橋剤と
ＰＡＧから構成される。この化学増幅系ネガ型レジスト
に露光を行うと、露光部ではＰＡＧから酸が発生し、露
光後ベークにより発生した酸が架橋剤に触媒として作用
し、樹脂の架橋が生じる。その結果、露光部はアルカリ
難溶性となるため、ネガパターンが形成される。
ＰＡＧから構成される。この化学増幅系ネガ型レジスト
に露光を行うと、露光部ではＰＡＧから酸が発生し、露
光後ベークにより発生した酸が架橋剤に触媒として作用
し、樹脂の架橋が生じる。その結果、露光部はアルカリ
難溶性となるため、ネガパターンが形成される。
【０００７】しかし、化学増幅系レジストでは少量の酸
を用いてパターン形成を行うため、周辺環境に対する依
存性が大きく、レジストと下地基板との界面でパターン
異常が生じるという問題がある。これは、レジスト内で
発生した酸が、下地基板中に拡散する、あるいは下地基
板表面に存在する水や塩基性物質により失活することに
より生じる現象であり、ポジ型レジストではパターンの
裾引き、ネガ型レジストではパターンの食い込み、倒れ
として現れる（図３参照）。
を用いてパターン形成を行うため、周辺環境に対する依
存性が大きく、レジストと下地基板との界面でパターン
異常が生じるという問題がある。これは、レジスト内で
発生した酸が、下地基板中に拡散する、あるいは下地基
板表面に存在する水や塩基性物質により失活することに
より生じる現象であり、ポジ型レジストではパターンの
裾引き、ネガ型レジストではパターンの食い込み、倒れ
として現れる（図３参照）。
【０００８】なお、この図３において、３１は半導体基
板、３２はＢＰＳＧ（Ｂｏｒｏ Ｐｈｏｓｐｈｏ Ｓｉ
ｌｉｃａｔｅ Ｇｌａｓｓ）膜、３４は化学増幅系レジ
スト膜、３５はレジストパターンを示している。
板、３２はＢＰＳＧ（Ｂｏｒｏ Ｐｈｏｓｐｈｏ Ｓｉ
ｌｉｃａｔｅ Ｇｌａｓｓ）膜、３４は化学増幅系レジ
スト膜、３５はレジストパターンを示している。
【０００９】この対策として、下地基板表面に酸に不活
性なシリコン膜をスパッタ形成する方法（特開平３−２
４９６５８）が提案されているが、この方法は、有効で
あるもののシリコン膜のエッチング除去が必要になる
等、工程が非常に繁雑になる問題があった。
性なシリコン膜をスパッタ形成する方法（特開平３−２
４９６５８）が提案されているが、この方法は、有効で
あるもののシリコン膜のエッチング除去が必要になる
等、工程が非常に繁雑になる問題があった。
【００１０】これに対し、簡単な方法でパターン異常を
防止する方法として、下地表面に酸処理を施す方法（特
開平５−３４１５３６）が提案されている。
防止する方法として、下地表面に酸処理を施す方法（特
開平５−３４１５３６）が提案されている。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】しかし、酸処理により
下地基板表面に酸を供給する方法（特開平５−３４１５
３６）では、酸供給量の制御が困難であり、かえってパ
ターン異常がひどくなる場合もあるという問題がある。
これは、露光部・末露光部ともに酸が同様に供給される
ため、露光により形成された露光部・未露光部の酸のコ
ントラストが崩れてしまい、高精度の選択現像が不可能
になるためである。
下地基板表面に酸を供給する方法（特開平５−３４１５
３６）では、酸供給量の制御が困難であり、かえってパ
ターン異常がひどくなる場合もあるという問題がある。
これは、露光部・末露光部ともに酸が同様に供給される
ため、露光により形成された露光部・未露光部の酸のコ
ントラストが崩れてしまい、高精度の選択現像が不可能
になるためである。
【００１２】本発明は、以上のような点を考慮してなさ
れたもので、簡易な工程によって、裾引きや食い込みの
ない良好な形状の寸法精度の高いレジストパターンを形
成することを目的とする。
れたもので、簡易な工程によって、裾引きや食い込みの
ない良好な形状の寸法精度の高いレジストパターンを形
成することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するた
め、本発明では、半導体基板上に化学増幅型のフォトレ
ジスト膜を形成し、所望の半導体集積回路パターンを描
いたマスクを通して紫外線あるいは遠紫外線を照射し、
露光後ベークの後、アルカリ現像液を用いて現像を行う
レジストパターン形成方法において、フォトレジスト膜
形成に先立ち、半導体基板上に多量の光酸発生剤を吸着
させた極薄い酸発生層を形成する方法を採用している。
その場合、酸発生層をスピン塗布により形成することも
できる。また、半導体基板上にＢＰＳＧ（Ｂｏｒｏ Ｐ
ｈｏｓｐｈｏ Ｓｉｌｉｃａｔｅ Ｇｌａｓｓ）膜を形
成し、その上に酸発生層を形成することもできる。ま
た、酸発生層は、トリフェニルサルフォニウムをメチル
エチルケトンに溶解したものをＢＰＳＧ膜上にスピン塗
布して形成することもできる。また、本発明では、半導
体基板上に化学増幅型のフォトレジスト膜を形成し、所
望の半導体集積回路パターンを描いたマスクを通して紫
外線あるいは遠紫外線を照射し、露光後ベークの後、ア
ルカリ現像液を用いて現像を行うレジストパターン形成
方法において、フォトレジスト膜形成に先立ち、半導体
基板上に多量の光酸発生剤を含有する樹脂層を形成する
方法を採用した。その場合、樹脂層をスピン塗布により
形成することもできる。また、半導体基板上にＢＰＳＧ
（Ｂｏｒｏ Ｐｈｏｓｐｈｏ Ｓｉｌｉｃａｔｅ Ｇｌ
ａｓｓ）膜を形成し、その上に樹脂層を形成することも
できる。また、樹脂層は、化学増幅系ポジ型レジストを
その溶媒で希釈し、トリフェニルサルフォニウムを溶解
させたものをＢＰＳＧ膜上にスピン塗布して形成するこ
ともできる。
め、本発明では、半導体基板上に化学増幅型のフォトレ
ジスト膜を形成し、所望の半導体集積回路パターンを描
いたマスクを通して紫外線あるいは遠紫外線を照射し、
露光後ベークの後、アルカリ現像液を用いて現像を行う
レジストパターン形成方法において、フォトレジスト膜
形成に先立ち、半導体基板上に多量の光酸発生剤を吸着
させた極薄い酸発生層を形成する方法を採用している。
その場合、酸発生層をスピン塗布により形成することも
できる。また、半導体基板上にＢＰＳＧ（Ｂｏｒｏ Ｐ
ｈｏｓｐｈｏ Ｓｉｌｉｃａｔｅ Ｇｌａｓｓ）膜を形
成し、その上に酸発生層を形成することもできる。ま
た、酸発生層は、トリフェニルサルフォニウムをメチル
エチルケトンに溶解したものをＢＰＳＧ膜上にスピン塗
布して形成することもできる。また、本発明では、半導
体基板上に化学増幅型のフォトレジスト膜を形成し、所
望の半導体集積回路パターンを描いたマスクを通して紫
外線あるいは遠紫外線を照射し、露光後ベークの後、ア
ルカリ現像液を用いて現像を行うレジストパターン形成
方法において、フォトレジスト膜形成に先立ち、半導体
基板上に多量の光酸発生剤を含有する樹脂層を形成する
方法を採用した。その場合、樹脂層をスピン塗布により
形成することもできる。また、半導体基板上にＢＰＳＧ
（Ｂｏｒｏ Ｐｈｏｓｐｈｏ Ｓｉｌｉｃａｔｅ Ｇｌ
ａｓｓ）膜を形成し、その上に樹脂層を形成することも
できる。また、樹脂層は、化学増幅系ポジ型レジストを
その溶媒で希釈し、トリフェニルサルフォニウムを溶解
させたものをＢＰＳＧ膜上にスピン塗布して形成するこ
ともできる。
【００１４】本発明では、レジスト−基板界面におい
て、露光部では多量の酸が発生し、基板中への酸拡散や
基板表面での酸失活による酸濃度の低下を補償すること
ができる。一方、未露光部のレジスト−基板界面では、
酸は発生しないため、露光部・未露光部の高精度の選択
現像が可能になり、裾引きや食い込みのない良好なパタ
ーンが形成できることになる。
て、露光部では多量の酸が発生し、基板中への酸拡散や
基板表面での酸失活による酸濃度の低下を補償すること
ができる。一方、未露光部のレジスト−基板界面では、
酸は発生しないため、露光部・未露光部の高精度の選択
現像が可能になり、裾引きや食い込みのない良好なパタ
ーンが形成できることになる。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な実施の形態
について図面を参照して説明する。図１（ａ）〜（ｄ）
及び図２（ａ）〜（ｄ）は本発明の実施の形態１及び実
施の形態２に係るレジストパターン形成方法を説明する
工程図である。
について図面を参照して説明する。図１（ａ）〜（ｄ）
及び図２（ａ）〜（ｄ）は本発明の実施の形態１及び実
施の形態２に係るレジストパターン形成方法を説明する
工程図である。
【００１６】（実施の形態１）本実施の形態に係るレジ
ストパターン形成方法は、化学増幅系フォトレジスト膜
１４の形成に先立ち、下地基板１上に多量の酸発生剤を
含む極薄い層１３を形成する点に特徴がある。
ストパターン形成方法は、化学増幅系フォトレジスト膜
１４の形成に先立ち、下地基板１上に多量の酸発生剤を
含む極薄い層１３を形成する点に特徴がある。
【００１７】すなわち、まず、シリコン基板１１上に、
膜厚１μｍのＢＰＳＧ（ＢｏｒｏＰｈｏｓｐｈｏ Ｓｉ
ｌｉｃａｔｅ Ｇｌａｓｓ）膜１２をＣＶＤ法により形
成する（図１ａ）。
膜厚１μｍのＢＰＳＧ（ＢｏｒｏＰｈｏｓｐｈｏ Ｓｉ
ｌｉｃａｔｅ Ｇｌａｓｓ）膜１２をＣＶＤ法により形
成する（図１ａ）。
【００１８】続いて、酸発生剤トリフェニルサルフオニ
ウム＝トリフレートをメチルエチルケトンに１重量％溶
解させてＢＰＳＧ膜１２上にスピン塗布し、酸発生剤の
極薄い層（酸発生層）１３を形成する（図１ｂ）。
ウム＝トリフレートをメチルエチルケトンに１重量％溶
解させてＢＰＳＧ膜１２上にスピン塗布し、酸発生剤の
極薄い層（酸発生層）１３を形成する（図１ｂ）。
【００１９】その後、化学増幅系ネガ型レジスト膜１４
をスピン塗布、露光前ベークにより形成する（図１
ｃ）。
をスピン塗布、露光前ベークにより形成する（図１
ｃ）。
【００２０】次に、ＫｒＦエキシマレーザステッパーに
より、マスクを通したパターン露光を行い、露光後ベー
クの後、２．３８％テトラメチルアンモニウムハイドロ
オキサイド（ＴＭＡＨ）水溶液により現像を行う。
より、マスクを通したパターン露光を行い、露光後ベー
クの後、２．３８％テトラメチルアンモニウムハイドロ
オキサイド（ＴＭＡＨ）水溶液により現像を行う。
【００２１】これにより、食い込みのない、垂直な側壁
形状のネガ型レジストパターン１５を得ることができた
（図１ｄ）。
形状のネガ型レジストパターン１５を得ることができた
（図１ｄ）。
【００２２】一方、ＢＰＳＧ膜１２上に直接ネガ型レジ
スト膜１４を形成した場合には、パターン底部に顕著な
食い込みが見られ、０．３０μｍ以下の微細なパターン
では倒れが見られた。
スト膜１４を形成した場合には、パターン底部に顕著な
食い込みが見られ、０．３０μｍ以下の微細なパターン
では倒れが見られた。
【００２３】（実施の形態２）図２（ａ）〜（ｄ）は、
本発明の実施の形態２に係るレジストパターン形成方法
の工程図を示すものである。
本発明の実施の形態２に係るレジストパターン形成方法
の工程図を示すものである。
【００２４】】本実施の形態では、シリコン基板２１上
に、膜厚１μｍのＢＰＳＧ（ＢｏｒｏＰｈｏｓｐｈｏ
Ｓｉｌｉｃａｔｅ Ｇｌａｓｓ）膜２２をＣＶＤ法によ
り形成する（図２ａ）。
に、膜厚１μｍのＢＰＳＧ（ＢｏｒｏＰｈｏｓｐｈｏ
Ｓｉｌｉｃａｔｅ Ｇｌａｓｓ）膜２２をＣＶＤ法によ
り形成する（図２ａ）。
【００２５】続いて、本例で用いる化学増幅系ポジ型レ
ジストをその溶媒で１０倍に希釈し、トリフェニルサル
フオニウム＝トリフレートを５重量％溶解させてＢＰＳ
Ｇ膜１２上にスピン塗布し、続いて露光前ベークを行っ
て、多量の酸発生剤を含む極薄い層（樹脂層）２３を形
成する（図２ｂ）。
ジストをその溶媒で１０倍に希釈し、トリフェニルサル
フオニウム＝トリフレートを５重量％溶解させてＢＰＳ
Ｇ膜１２上にスピン塗布し、続いて露光前ベークを行っ
て、多量の酸発生剤を含む極薄い層（樹脂層）２３を形
成する（図２ｂ）。
【００２６】その後、ポジ型レジスト膜１４をスピン塗
布し、露光前ベークにより形成する（図２ｃ）。
布し、露光前ベークにより形成する（図２ｃ）。
【００２７】次に、ＫｒＦエキシマレーザステッパーに
より、マスクを通したパターン露光を行い、露光後ベー
クの後、２．３８％テトラメチルアンモニウムハイドロ
オキサイド（ＴＭＡＨ）水溶液により現像を行う。
より、マスクを通したパターン露光を行い、露光後ベー
クの後、２．３８％テトラメチルアンモニウムハイドロ
オキサイド（ＴＭＡＨ）水溶液により現像を行う。
【００２８】これにより、裾引きのない、垂直な側壁形
状のポジ型レジストパターン２５を得ることができた
（図２ｄ）。
状のポジ型レジストパターン２５を得ることができた
（図２ｄ）。
【００２９】
【発明の効果】以上説明したように本発明の方法によ
り、化学増幅糸レジストパターンでみられるレジスト基
板界面でのパターン異常を解消することができ、良好な
形状の０．３０μｍ以下の徹細なレジストパターンを得
ることができる。また、解像度、焦点深度、寸法精度と
も格段（１０％以上）の向上を図ることができる。
り、化学増幅糸レジストパターンでみられるレジスト基
板界面でのパターン異常を解消することができ、良好な
形状の０．３０μｍ以下の徹細なレジストパターンを得
ることができる。また、解像度、焦点深度、寸法精度と
も格段（１０％以上）の向上を図ることができる。
【図１】本発明の実施の形態１に係るレジストパターン
形成方法を説明する工程図である。
形成方法を説明する工程図である。
【図２】本発明の実施の形態２に係るレジストパターン
形成方法を説明する工程図である。
形成方法を説明する工程図である。
【図３】従来のレジストパターンの形成方法を説明する
工程図である。
工程図である。
１１、２１、 ３１ シリコン基板（半導体基板） １２、２２、３２ ＢＰＳＧ膜 １３、多量の光酸発生剤を吸着させた層（酸発生層） ２３ 多量の光酸発生剤を含む層（樹脂層） １４、２４、３４ 化学増幅系レジスト膜 １５、２５、 ３５ レジストパターン
Claims (8)
- 【請求項１】半導体基板上に化学増幅型のフォトレジス
ト膜を形成し、所望の半導体集積回路パターンを描いた
マスクを通して紫外線あるいは遠紫外線を照射し、露光
後ベークの後、アルカリ現像液を用いて現像を行うレジ
ストパターン形成方法において、フォトレジスト膜形成
に先立ち、半導体基板上に多量の光酸発生剤を吸着させ
た極薄い酸発生層を形成することを特徴とする、レジス
トパターン形成方法。 - 【請求項２】 前記酸発生層をスピン塗布により形成す
ることを特徴とする、請求項１記載のレジストパターン
形成方法。 - 【請求項３】 前記半導体基板上にＢＰＳＧ（Ｂｏｒｏ
ＰｈｏｓｐｈｏＳｉｌｉｃａｔｅ Ｇｌａｓｓ）膜を
形成し、その上に前記酸発生層を形成することを特徴と
する、請求項１又は２記載のレジストパターン形成方
法。 - 【請求項４】 前記酸発生層は、トリフェニルサルフォ
ニウムをメチルエチルケトンに溶解したものをＢＰＳＧ
膜上にスピン塗布して形成していることを特徴とする請
求項１〜３の何れかに記載のレジストパターン形成方
法。 - 【請求項５】半導体基板上に化学増幅型のフォトレジス
ト膜を形成し、所望の半導体集積回路パターンを描いた
マスクを通して紫外線あるいは遠紫外線を照射し、露光
後ベークの後、アルカリ現像液を用いて現像を行うレジ
ストパターン形成方法において、フォトレジスト膜形成
に先立ち、半導体基板上に多量の光酸発生剤を含有する
樹脂層を形成することを特徴とする、レジストパターン
形成方法。 - 【請求項６】 前記樹脂層をスピン塗布により形成する
ことを特徴とする、請求項５記載のレジストパターン形
成方法。 - 【請求項７】 前記半導体基板上にＢＰＳＧ（Ｂｏｒｏ
ＰｈｏｓｐｈｏＳｉｌｉｃａｔｅ Ｇｌａｓｓ）膜を
形成し、その上に前記樹脂層を形成することを特徴とす
る、請求項５又は６記載のレジストパターン形成方法。 - 【請求項８】 前記樹脂層は、化学増幅系ポジ型レジス
トをその溶媒で希釈し、トリフェニルサルフォニウムを
溶解させたものをＢＰＳＧ膜上にスピン塗布して形成し
ていることを特徴とする請求項５〜７の何れかに記載の
レジストパターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9334815A JPH11153872A (ja) | 1997-11-20 | 1997-11-20 | レジストパターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9334815A JPH11153872A (ja) | 1997-11-20 | 1997-11-20 | レジストパターン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11153872A true JPH11153872A (ja) | 1999-06-08 |
Family
ID=18281534
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9334815A Pending JPH11153872A (ja) | 1997-11-20 | 1997-11-20 | レジストパターン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11153872A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100649800B1 (ko) * | 2000-12-28 | 2006-11-24 | 주식회사 하이닉스반도체 | 패턴 형성 방법 |
| US7504341B2 (en) | 2002-08-22 | 2009-03-17 | Fujitsu Microelectronics Limited | Method of manufacturing a semiconductor apparatus using a substrate processing agent |
| JP2013135066A (ja) * | 2011-12-26 | 2013-07-08 | Toshiba Corp | パターン形成方法 |
| WO2016181753A1 (ja) * | 2015-05-13 | 2016-11-17 | 富士フイルム株式会社 | プレリンス液、プレリンス処理方法、及び、パターン形成方法 |
-
1997
- 1997-11-20 JP JP9334815A patent/JPH11153872A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100649800B1 (ko) * | 2000-12-28 | 2006-11-24 | 주식회사 하이닉스반도체 | 패턴 형성 방법 |
| US7504341B2 (en) | 2002-08-22 | 2009-03-17 | Fujitsu Microelectronics Limited | Method of manufacturing a semiconductor apparatus using a substrate processing agent |
| JP2013135066A (ja) * | 2011-12-26 | 2013-07-08 | Toshiba Corp | パターン形成方法 |
| WO2016181753A1 (ja) * | 2015-05-13 | 2016-11-17 | 富士フイルム株式会社 | プレリンス液、プレリンス処理方法、及び、パターン形成方法 |
| JPWO2016181753A1 (ja) * | 2015-05-13 | 2018-02-22 | 富士フイルム株式会社 | プレリンス液、プレリンス処理方法、及び、パターン形成方法 |
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