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JPH1093846A - 撮像装置 - Google Patents

撮像装置

Info

Publication number
JPH1093846A
JPH1093846A JP8242077A JP24207796A JPH1093846A JP H1093846 A JPH1093846 A JP H1093846A JP 8242077 A JP8242077 A JP 8242077A JP 24207796 A JP24207796 A JP 24207796A JP H1093846 A JPH1093846 A JP H1093846A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
mirror
light
imaging
image
mirrors
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP8242077A
Other languages
English (en)
Inventor
Hidekuni Niiyama
秀邦 新山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nidec Precision Corp
Original Assignee
Nidec Copal Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nidec Copal Corp filed Critical Nidec Copal Corp
Priority to JP8242077A priority Critical patent/JPH1093846A/ja
Publication of JPH1093846A publication Critical patent/JPH1093846A/ja
Pending legal-status Critical Current

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  • Supply And Installment Of Electrical Components (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 本発明は、小型化、検査時間の短縮化及び低
コスト化を可能にした撮像装置を提供することを目的と
する。 【解決手段】 本発明による撮像装置は、読取り領域S
に配置される読取り対象物6を照らす照明系3と、読取り
対象物6を撮像する撮像系4と、撮像系4と照明系3との間
に配置されて反射光を撮像系4上に結像させるレンズ系5
とを有する撮像装置1において、撮像系4は一つのCCD
18を有し、読取り領域Sに配置させる読取り対象物6の少
なくとも二側面6aに対峙する位置に側面観察ミラー8を
配置し、各側面観察ミラー8での反射光を読取り対象物6
の底面6aに対峙する部位に合流させる合流ミラー9を各
側面観察ミラー8に対峙して配置し、各合流ミラー9によ
る反射光の合流位置に、全反射面11をもつ三角柱ミラー
10を配置し、三角柱ミラー10の全反射面11により割振ら
れた各側面像をCCD18で同時に撮像する構成である。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、撮像装置に係り、
特に、電子部品を回路基板に実装する過程において、リ
ードの側方観察に利用する撮像装置に関するものであ
る。
【0002】
【従来の技術】従来から存在する撮像装置の一例とし
て、特開平6−216580号公報がある。この公報に
開示された装置は、QFP,SOP等からなる電子部品
を回路基板上に実装する際に、ノズルで真空吸引された
電子部品のリード(アウタ・リード)を、一台のカメラ
で直接観察する構成になっている。従って、パッケージ
の側面から延びたリードの曲がり状態を、側方に配置し
たカメラで光学的に且つ非接触状態で観察し得るので、
リードの浮き沈み(コプラナリティ)等を検査でき、回
路基板に部品を実装するための事前の測定が可能とな
り、リード浮きした不良部品を事前に選別することがで
きる。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
撮像装置は、上述したように構成されているため、次の
ような課題が存在していた。すなわち、側方に配置した
一台のカメラで電子部品のリードを側方から検査してい
るので、ノズルを90度ずつ回転させながら、電子部品
の各側面を順次撮像する流れ工程が必要になり、電子部
品のリードの検査に時間がかかる。また、電子部品の四
側面を同時に検査する場合には、電子部品の周囲に四個
のカメラを配置しなければならないので、撮像装置が大
型化するといった問題点があった。
【0004】本発明は、上述の課題を解決するためにな
されたもので、特に、小型化、検査時間の短縮化及び低
コスト化を可能にした撮像装置を提供することを目的と
する。
【0005】
【課題を解決するための手段】請求項1に係る本発明の
撮像装置は、読取り領域に配置される読取り対象物を照
明光により照らすための光源をもった照明系と、照明系
により照らされた際に生じる読取り対象物からの反射光
を受光して読取り対象物を撮像する撮像系と、撮像系と
照明系との間に配置されて反射光を撮像系上に結像させ
るレンズ系とを有する撮像装置において、撮像系は一つ
の側面撮像手段を有し、読取り領域に配置させる読取り
対象物の少なくとも二側面に対峙する位置に側面観察ミ
ラーを配置し、各側面観察ミラーでの反射光を読取り対
象物の底面に対峙する部位に合流させる合流ミラーを各
側面観察ミラーに対峙して配置し、各合流ミラーによる
反射光の合流位置に、反射面をもつ側面像割振り手段を
配置し、側面像割振り手段の反射面により割振られた各
側面像を側面撮像手段で同時に撮像することを特徴とす
る。
【0006】この撮像装置においては、読取り領域に配
置された読取り対象物は、照明系から出射される照明光
により照らされる。このとき、読取り対象物の側面から
の反射光は、読取り対象物の側面に対峙する位置に設け
られた側面観察ミラーで反射した後、それぞれの合流ミ
ラーに入射する。そして、各合流ミラーでは、読取り対
象物の底面に対峙する部位で合流するように光が反射す
る。その結果、合流ミラーからの反射光は、合流位置に
設けられた側面像割振り手段に入射する。このとき、各
合流ミラーによる各反射光は、完全に合流する直前にお
いて、側面像割振り手段の反射面で反射した後、それぞ
れ個別的に結像レンズ手段に達する。このようにして振
り分けられた光は、一つの側面撮像手段で、読取り対象
物の各側面の像として同時に撮像される。例えば、2枚
の側面観察ミラーを利用し、結像レンズ手段を通過した
読取り対象物の二側面の像を、一つ側面撮像手段で同時
に撮像させる場合、読取り対象物の二側面の立体的な同
時観察が可能になり、読取り対象物の二側面から延びる
リードの浮き沈み量を一度に検査することができる。ま
た、4枚の側面観察ミラーを利用し、結像レンズ手段を
通過した読取り対象物の四側面の像を、一つ側面撮像手
段で同時に撮像する場合、読取り対象物の四側面の立体
的な同時観察が可能になる。従って、読取り対象物の四
側面に配列されたリードの浮き沈み量を一度に検査する
ことができ、リードの検査スピードが飛躍的に向上す
る。特に、本発明の撮像装置は小型化が図られているの
で、電子部品実装装置内での設置スペースが他の機構と
の兼ね合いで制限される場合に有効である。
【0007】この場合、側面像割振り手段は、各合流ミ
ラーに対峙する全反射面をもった三角柱ミラー又は四角
錐ミラーであると好ましい。このような三角柱ミラー
は、2枚の側面観察ミラーと2枚の合流ミラーとの組合
わせで利用され、三角柱ミラーの反射面としては、各合
流ミラーに対峙するようにV字状に開いた全反射面が採
用される。また、四角錐ミラーは、4枚の側面観察ミラ
ーと4枚の合流ミラーとの組合わせで利用され、四角錐
ミラーの反射面としては、各合流ミラーに対峙するよう
に四角錐状に開いた全反射面が採用される。このよう
に、各合流ミラーに対峙するような全反射面を利用する
ことで、側面割振り手段による光量の損失を抑えて、側
面撮像手段によるクリアーな二側像又は四側面像の立体
的な観察が可能になる。
【0008】また、側面像割振り手段は、合流ミラーに
対峙する光分割面をもった三角柱プリズム又は四角錐プ
リズムであり、撮像系は底面撮像手段を更に有すると好
ましい。このような三角柱プリズムは、2枚の側面観察
ミラーと2枚の合流ミラーとの組合わせで利用され、三
角柱プリズムの反射面としては、各合流ミラーに対峙す
るようにV字状に開いた光分割面が採用される。また、
四角錐プリズムは、4枚の側面観察ミラーと4枚の合流
ミラーとの組合わせで利用され、四角錐プリズムの反射
面としては、各合流ミラーに対峙するように四角錐状に
開いた光分割面が採用される。このように、各合流ミラ
ーに対峙するような光分割面を利用することで、側面撮
像手段による二側像又は四側面像の立体的な観察が可能
になる。更に、側面像割振り手段は、読取り対象物の底
面に対峙する部位の合流位置に配置されているので、読
取り対象物で反射した光は、側面像割振り手段の光分割
面を透過するようにして進み、結像レンズ手段に入射す
る。そして、結像レンズ手段からの光を底面撮像手段に
入射させることで、底面撮像手段により読取り対象物の
底面の像を側面の像と別に撮像することができる。
【0009】更に、光分割面は、偏光ビームスプリッタ
であると好ましい。このような構成を採用した場合、光
分割面を透過/反射する光成分をS波/P波に分けるこ
とができるので、このようなP波成分とS波成分とをそ
れぞれの側面観察手段と底面観察手段とに振り分けるよ
うに入射させることができ、側面像と底面像との同時撮
像が可能になる。
【0010】更に、光分割面は、波長による選択透過を
行うダイクロイックミラーからなると好ましい。このよ
うな構成を採用した場合、照明系に波長帯域の異なる2
種類の光源(例えば、赤と緑のLED)を採用し、一方
の光源(赤)で読取り対象物の側面を照明し、他方の光
源(緑)で読取り対象物の底面を照明し、各光源の波長
帯域に応じた選択透過を側面像割振り手段のダイクロイ
ックミラー(光分割面)で行う。光源の種類に応じたダ
イクロイックミラーの光透過/反射機能により、赤色の
波長からなる側面像と、緑色の波長からなる底面像とを
振り分けることができる。従って、赤色の側面像と緑色
の底面像とを側面観察手段と底面観察手段とに入射させ
ることで、側面像と底面像との撮像が可能になる。
【0011】
【発明の実施の形態】以下、図面と共に本発明による撮
像装置の好適な実施形態について詳細に説明する。
【0012】(第1の実施形態)図1は、第1の実施形
態に係る撮像装置1を示す斜視図である。同図に示す撮
像装置1は、暗箱を構成するケーシング2を備え、この
ケーシング2内において、上部には照明系3が配置さ
れ、下部には撮像系4が配置され、照明系3と撮像系4
との間にはレンズ系5が配置されている。この撮像装置
1は、電子部品の小型化,薄型化,多機能化の要求から
開発されたパッケージをもつ電子部品(表面実装デバイ
ス)の撮像を行い、図示しない電子部品実装装置の一部
として組み込まれている。パッケージとしては、QF
P,SOP,SOJ,QFJ等がある。
【0013】図1及び図2に示すように、撮像装置1の
最上部には、パッケージ化された読取り対象物としての
電子部品6を配置させる読取り領域Sが設けられ、この
読取り領域Sは、吸着ノズル7を利用して部品ストック
場所から回路基板(図示せず)上に搬送させる途中の電
子部品6を、部品検査のために一時的に取込む領域であ
る。この読取り領域Sの二方には全反射型のミラーから
なる二枚の側面観察ミラー8が配置されている。各側面
観察ミラー8は、読取り領域Sを中心として、水平方向
に180度の位相角をもって配設されると共に、90度
の反射角をもってケーシング2の内壁面に固定され、読
取り領域S内の電子部品6の各側面6aと水平方向にお
いて一対一で対峙している。
【0014】また、各側面観察ミラー8の下方には、9
0度の反射角をもってケーシング2の内壁面に固定され
た二枚の合流ミラー9が配置されている。各合流ミラー
9は、全反射型のミラーからなると共に、側面観察ミラ
ー8に対して90度の相対角度をもって配置されてい
る。従って、このような合流ミラー9を利用すること
で、各側面観察ミラー8での反射光を、電子部品6の底
面6bに対峙する部位に合流させることができる。すな
わち、側面観察ミラー8と合流ミラー9との協働によ
り、電子部品6の側面6aから出射する側面像光路Kを
コ字状に折り曲げることができ、側面6aからの反射光
を、電子部品6の底面6bに対峙する部位に向けて逆進
させることができる。
【0015】合流ミラー9,9間において、各合流ミラ
ー9による反射光の合流位置には、三角柱ミラーからな
る側面像割振り手段10が配置され、この三角柱ミラー
10は、二枚の合流ミラー9に対峙する二枚の全反射面
11を有している。図3〜図5に示すように、三角柱ミ
ラー10の外形は三角柱状をなし、各全反射面11は、
90度の相対角度をもってV字状に開いた鏡面からな
る。そして、三角柱ミラー10の全反射面11に入射し
た光は、二種類の側面像光路Kとしてレンズ系5に入射
する。
【0016】図1及び図2に示すように、読取り領域S
の下方には照明系3が配置され、照明系3は、電子部品
6の各側面6aを斜め下方から照らすための光源15を
有している。光源15はLEDの列として取付け台16
上に配列され、この取付け台16はケーシング2に固定
されている。照明系3の下方にはレンズ系5が配置さ
れ、このレンズ系5は、一つの結像レンズ手段17から
なると共に、三角柱ミラー10の真下に位置する。更
に、結像レンズ手段17は、固定焦点型であり所望の焦
点距離を有し、読取り領域Sの真下において、この結像
レンズ手段17は中心軸線に対して同心的に配置されて
いる。そして、結像レンズ手段17は、三角柱ミラー1
0の各反射面11に写った各側面像を取り入れることが
できる程度の広角性及び被写界深度を有している。ま
た、撮像系4は一つのCCD(側面撮像手段)18から
なり、このCCD18は、結像レンズ手段17の焦点位
置に配設され、結像レンズ手段17の真下において、中
心軸線に対して同心的に配設されている。従って、結像
レンズ手段17を通過した電子部品6の二つの側面像1
9を、CCD18で同時に撮像させることができる(図
6参照)。
【0017】次に、四つの側面6aに複数のリードLが
配列されたQFPタイプの電子部品6を、撮像装置1で
撮像する際の動作説明をする。
【0018】先ず、電子部品実装装置(図示せず)の吸
着ノズル7により真空吸引されて所定場所から矢印方向
に搬入させた電子部品6を撮像装置1の読取り領域S内
に配置させる。そして、LEDからなる光源15を点灯
させることにより、電子部品6の対向する二側面6a,
6aが照明される。このとき、各側面6aに配列させた
各リードLが照らされると同時に、各リードLでの反射
光は、二方の各側面観察ミラー8に入射し、各側面観察
ミラー8で反射した光は各合流ミラー9に入射する。そ
して、各合流ミラー9の光は、三角柱ミラー10の各全
反射面11に向けて、電子部品6の底面6bに対峙する
部位で合流するように反射する。その結果、各合流ミラ
ー9からの反射光は、合流位置に設けられた三角柱ミラ
ー10の各全反射面11に入射し、三角柱ミラー10の
各全反射面11で反射した後、それぞれ個別的に一つの
結像レンズ手段17に達する。その後、三角柱ミラー1
0で振り分けられた光は、図6に示すように、一つのC
CD18(側面撮像手段)で電子部品6の二つの側面像
19として同時に撮像される。この場合、二つの側面像
19は鏡面対称状態で撮像される。
【0019】そして、CCD18で撮像された側面像1
9は、図示しない画像処理装置にデータとして送り込ま
れることにより、各リードLにおける浮き沈み量の検査
や吸着ノズル7による吸着姿勢の良否チャックに利用さ
れる。この段階で、リード配列の悪い不良品や吸着姿勢
の悪い電子部品6は事前に選別される。このように、電
子部品6の二つの側面像19,19を立体的に同時に撮
像することで、電子部品6の検査スピードや検査精度が
向上する。なお、CCD18による一回目の撮像後、吸
着ノズル7を90度回転させることで、電子部品6にお
ける他の二つの側面6aを撮像することができる。
【0020】(第2の実施形態)前述の第1実施形態に
関連するものとして、電子部品6の四つの側面6aを同
時に観察する場合がある。この場合、電子部品6の四つ
の側面6aと水平方向において一対一で対峙するような
四枚の側面観察ミラー8を利用し、これに対応して四枚
の合流ミラー9をケーシング2内に配置させる。このよ
うに構成することにより、各合流ミラー9で反射した光
を、電子部品6の底面6bの真下の合流位置に四方から
入射させることができる。そこで、この合流位置には、
図7〜図9に示すような正四角錐ミラーからなる側面像
割振り手段20が配置され、この正四角錐ミラー20
は、四枚の合流ミラー9に対峙する四枚の全反射面21
を有している。正四角錐ミラー20の外形はピラミッド
状をなし、各全反射面21は、正四角錐状に開いた鏡面
からなる。そして、正四角錐ミラー20の各全反射面2
1に入射した光は、4本の光路としてレンズ系5に入射
し、図10に示すように、CCD18で電子部品6の四
つの側面像19として同時に撮像される。この場合、四
つの側面像19は鏡面対称状態で撮像される。
【0021】このように、結像レンズ手段17を通過し
た電子部品6の四つの側面像19を、一つCCD(側面
撮像手段)18で同時に撮像することができ、電子部品
6の四側面6aの立体的な同時観察が可能になる。従っ
て、電子部品6の四つの側面6aに配列されたリードL
の浮き沈み量を一度に全て検査することができ、リード
Lの検査スピードが飛躍的に向上する。
【0022】(第3の実施形態)図11は、第3の実施
形態の撮像装置30を示す概略図である。なお、この第
3実施形態の説明において、図1に示した撮像装置1と
同一又は同等な構成部分については同一符号を付し、簡
単な説明に留める。
【0023】図11に示すように、撮像装置30は、電
子部品6の各側面6a及び底面6bを斜め下方から照ら
すための光源15を有し、光源15はLEDの列として
取付け台16上に配列されている。撮像装置30の最上
部には、電子部品6を配置させる読取り領域Sが設けら
れ、この読取り領域Sの二方には全反射型のミラーから
なる二枚の側面観察ミラー8が配置されている。また、
各側面観察ミラー8の下方には、90度の反射角をもっ
てケーシング2の内壁面に固定された二枚の合流ミラー
9が配置されている。
【0024】更に、合流ミラー9,9間において、各合
流ミラー9による反射光の合流位置、すなわち電子部品
6の底面6bに対峙する位置には、三角柱プリズムから
なる側面像割振り手段31が配置されて、この三角柱プ
リズム31は、二枚の合流ミラー9に対峙する二枚の光
分割面32を有している。各光分割面32は、ハーフミ
ラーの薄膜からなり反射面と透過面との二つの機能を合
わせもっている。図12〜図14に示すように、三角柱
プリズム31はキューブ体の中で形成され、その三角柱
プリズム31の外形は三角柱状をなし、各光分割面32
は、90度の相対角度をもってV字状に開いた鏡面から
なる。そして、合流ミラー9から光分割面32に入射し
た光は、二種類の側面像光路Kとしてレンズ系5の結像
レンズ手段17に入射し、電子部品6の底面6bから光
分割面32に入射した光は、一種類の底面像光路Gとし
て結像レンズ手段17に入射する。
【0025】図11に示すように、結像レンズ手段17
の下方にはビームスプリッタキューブ33が配置され、
このビームスプリッタキューブ33により光路を2方向
に振り分け、各光路上には、側面像用CCDからなる側
面観察手段34と、底面像用CCDからなる底面観察手
段35とが配置されている。この場合、側面像用CCD
34は、結像レンズ手段17により二種類の側面像を結
像させることのできる焦点位置に設けられ、底面像用C
CD35は、一種類の底面像を結像させることのできる
焦点位置に設けられている。
【0026】更に、側面像光路Kと底面像光路Gとが三
角柱プリズム31で合流する前において、側面像光路K
の途中にはソレノイド(図示せず)等の所定の駆動手段
により光路開閉を行う第1のシャッタ36が配置され、
底面像光路Gの途中にも、所定の駆動手段により光路開
閉を可能にした第2のシャッタ37が配置されている。
そこで、第1のシャッタ36と第2のシャッタ37とを
選択的に切り替えることで、側面像光路Kと底面像光路
Gとの何れかを三角柱プリズム31に入射させることが
できる。すなわち、第1のシャッタ36と第2のシャッ
タ37の一方を閉鎖し他方を開放することで、側面像光
路Kと底面像光路Gとの何れか一方のみを結像レンズ手
段17に選択的に入射させることができる。
【0027】次に、四つの側面6aに複数のリードLが
配列されたQFPタイプの電子部品6を、撮像装置30
で撮像する際の動作説明をする。
【0028】先ず、電子部品実装装置(図示せず)の吸
着ノズル7により真空吸引されて所定場所から搬送され
た電子部品6を撮像装置30の読取り領域S内に配置さ
せる。そして、LEDからなる光源15を点灯させるこ
とにより、電子部品6の対向する二側面6a,6a及び
底面6bが照明される。ここで、第1のシャッタ36は
予め開かれ、第2のシャッタ37は閉じられているの
で、三角柱プリズム31の各光分割面32には、二つの
側面像光路Kに沿った光のみが達し、光分割面32で反
射した光は、それぞれ個別的に一つの結像レンズ手段1
7に達する。その後、ビームスプリッタキューブ33に
より振り分けられた光は、図6に示すように、側面像用
CCD34(側面撮像手段)で電子部品6の二つの側面
像19として同時に撮像される。この場合、二つの側面
像19は鏡面対称状態で撮像される。
【0029】また、第1のシャッタ36を閉じ、第2の
シャッタ37を開いた場合、三角柱プリズム31には、
底面像光路Gに沿った光のみが達し、光分割面32を透
過した光は結像レンズ手段17に達する。その後、ビー
ムスプリッタキューブ33で振り分けられた光は、図1
5に示すように、底面像用CCD35(底面撮像手段)
で電子部品6の底面像38として撮像される。
【0030】そして、各CCD34,35で撮像された
側面像19及び底面像38は、図示しない画像処理装置
にデータとして送り込まれることにより、各リードLに
おける浮き沈み量の検査や吸着ノズル7による吸着姿勢
の良否チャックに利用される。なお、CCD34による
一回目の撮像後、吸着ノズル7を90度回転させること
で、電子部品6における他の二つの側面6aを撮像する
ことができる。
【0031】(第4の実施形態)前述した第3の実施形
態に関連するものとして、図16に示すような撮像装置
40がある。この撮像装置40が前述の撮像装置30と
異なる点は、ハーフミラーの薄膜からなる光分割面32
に代えて、偏光ビームスプリッタの薄膜からなる光分割
面41をもった三角柱プリズム42を採用し、ビームス
プリッタキューブ33に代えて、偏光ビームスプリッタ
キューブ43を採用した点にある。従って、三角柱プリ
ズム42の光分割面41を反射したS波成分は、偏光ビ
ームスプリッタキューブ43でも反射してCCD34に
入射し、このCCD34で電子部品6の二つの側面像1
9として同時に撮像される(図6参照)。また、三角柱
プリズム42の光分割面41を透過したP波成分は、偏
光ビームスプリッタキューブ43でも透過してCCD3
5に入射し、このCCD35で電子部品6の底面像38
として撮像される(図15参照)。このように構成する
ことで、図11に示したような第1及び第2のシャッタ
36,37が不要になる。
【0032】(第5の実施形態)更に、前述した第3の
実施形態に関連するものとして、電子部品6の四つの側
面6aを同時に観察する場合がある。この場合、電子部
品6の四つの側面6aと水平方向において一対一で対峙
するような四枚の側面観察ミラー8を利用し、これに対
応して四枚の合流ミラー9をケーシング2内に配置させ
る。このように構成することにより、合流ミラー9で反
射した光を、電子部品6の底面6bの真下の合流位置に
四方から入射させることができる。そこで、この合流位
置には、図17〜図19に示すように、正四角錐プリズ
ムからなる側面像割振り手段45が配置され、この正四
角錐プリズム45は、四枚の合流ミラー9に対峙する四
枚の光分割面46を有している。各光分割面46は、ハ
ーフミラーの薄膜からなり反射面と透過面との二つの機
能を合わせもっている。
【0033】この正四角錐プリズム45はキューブ体の
中で形成され、その正四角錐プリズム45の外形はピラ
ミッド状をなし、各光分割面46は、正四角錐状に開い
た鏡面からなる。そして、合流ミラー9から光分割面4
6に入射した光は、光分割面46で反射した後、四種類
の側面像光路Kとしてレンズ系5の結像レンズ手段17
に入射し、電子部品6の底面6bから光分割面46に入
射した光は、光分割面46を透過した後、一種類の底面
像光路Gとして結像レンズ手段17に入射する。従っ
て、図10に示すように、結像レンズ手段17を通過し
た電子部品6の四つの側面像19を、CCD(側面撮像
手段)34で同時に撮像することができ、電子部品6の
四側面6aの立体的な同時観察が可能になる。また、底
面像38は、CCD(底面撮像手段)35で撮像される
(図15参照)。
【0034】(第6の実施形態)更に、前述の第3〜第
5の実施形態に関連するものとして、三角柱プリズム3
1,42の光分割面32,41及び正四角錐プリズム4
5の光分割面46をダイクロイックミラーの薄膜で形成
し、ビームスプリッタキューブ33及び偏光ビームスプ
リッタキューブ43をダイクロイックミラーキューブに
することもできる。この場合、照明系3には、波長帯域
の異なる二種類の光源(例えば、電子部品6の側面照射
用に「赤色LED」、底面照射用に「緑色LED」)1
5が利用され、赤と緑の各波長帯域に応じた選択透過を
三角柱プリズム31,42及び正四角錐プリズム45で
達成し、光源15の種類に応じた光反射/透過を可能に
する。そして、ダイクロイックミラーキューブでも光源
15の種類に応じた光反射/透過を可能にしているの
で、ダイクロイックミラーで振り分けられた波長成分を
側面像用CCD(側面観察手段)34と底面像用CCD
(底面観察手段)35とに入射させることができ、側面
像と底面像との同時撮像が可能になる。また、電子部品
に対して赤光と緑光とを時間差をもたせて点灯照明とす
ることにより、側面像と底面像とを個別に撮像すること
も可能である。更には、この同時撮像と個別撮像とを所
定の選択手段により適宜選択切替えるようにしてもよ
い。このように構成することで、図11に示したような
第1及び第2のシャッタ36,37が不要になる。
【0035】(第7の実施形態)図20は、第7の実施
形態の撮像装置50を示す概略図である。なお、この第
7実施形態の説明において、図1及び図11に示した撮
像装置1及び30と同一又は同等な構成部分については
同一符号を付し、簡単な説明に留める。
【0036】図20及び図21に示すように、撮像装置
50は、電子部品6の各側面6a及び底面6bを斜め下
方から照らすための光源15を有し、光源15はLED
の列として取付け台16上に配列されている。撮像装置
50の最上部には、電子部品6を配置させる読取り領域
Sが設けられ、この読取り領域Sの二方には全反射型の
ミラーからなる二枚の側面観察ミラー8が配置されてい
る。また、各側面観察ミラー8の下方には、90度の反
射角をもってケーシング2の内壁面に固定された二枚の
合流ミラー9が配置されている。
【0037】更に、合流ミラー9,9間において、各合
流ミラー9による反射光の合流位置、すなわち電子部品
6の底面6bに対峙する位置には、三角柱プリズムから
なる側面像割振り手段51が配置され、この三角柱プリ
ズム51は、二枚の合流ミラー9に対峙する二枚の光分
割面52を有している。各光分割面52は、ハーフミラ
ーの薄膜からなり反射面と透過面との二つの機能を合わ
せもっている。図12〜図14に示すように、三角柱プ
リズム51はキューブ体の中で形成され、その三角柱プ
リズム51の外形は三角柱状をなし、各光分割面52
は、90度の相対角度をもってV字状に開いた鏡面から
なる。そして、合流ミラー9から光分割面52に入射し
た光は、光分割面52で反射した後、三角柱プリズム5
1の下方に配置したビームスプリッタキューブ53に二
種類の側面像光路Kとして入射し、電子部品6の底面6
bから光分割面52に入射した光は、光分割面52を透
過した後、ビームスプリッタキューブ53に一種類の底
面像光路Gとして入射する。
【0038】ビームスプリッタキューブ53は、光路を
二方向に振り分けることができ、各光路上には、側面像
用CCDからなる側面観察手段54と、底面像用CCD
からなる底面観察手段55とを配置させる。また、側面
像用CCD54とビームスプリッタキューブ53との間
には側面像用結像レンズ手段70が配置され、底面像用
CCD55とビームスプリッタキューブ53との間には
底面像用結像レンズ手段71が配置されている。この場
合、側面像用CCD54は、結像レンズ手段70により
二種類の側面像を結像させることのできる焦点位置に設
けられ、底面像用CCD55は、結像レンズ手段71に
より一種類の底面像を結像させることのできる焦点位置
に設けられている。
【0039】更に、側面像光路Kと底面像光路Gとが三
角柱プリズム51で合流する前において、側面像光路K
の途中にはソレノイド(図示せず)等の所定の駆動手段
により光路開閉を行う第1のシャッタ56が配置され、
底面像光路Gの途中にも、所定の駆動手段により光路開
閉を可能にした第2のシャッタ57が配置されている。
そこで、第1のシャッタ56と第2のシャッタ57とを
選択的に切り替えることで、側面像光路Kと底面像光路
Gとの何れかを三角柱プリズム51に入射させることが
できる。すなわち、第1のシャッタ56と第2のシャッ
タ57の一方を閉鎖し他方を開放することで、側面像光
路Kと底面像光路Gとの何れか一方のみをビームスプリ
ッタキューブ53に選択的に入射させることができる。
【0040】次に、四つの側面6aに複数のリードLが
配列されたQFPタイプの電子部品6を、撮像装置50
で撮像する際の動作説明をする。
【0041】先ず、電子部品実装装置(図示せず)の吸
着ノズル7により真空吸引されて所定場所から矢印方向
に搬入させた電子部品6を撮像装置50の読取り領域S
内に配置させる。そして、LEDからなる光源15を点
灯させることにより、電子部品6の対向する二側面6
a,6a及び底面6bが照明される。ここで、第1のシ
ャッタ56は予め開かれ、第2のシャッタ57は閉じら
れているので、三角柱プリズム51の各光分割面52に
は、二つの側面像光路Kに沿った光のみが達し、光分割
面52で反射した光は、個別的にビームスプリッタキュ
ーブ53に達する。その後、ビームスプリッタキューブ
53により振り分けられた光は、図6に示すように、側
面像用CCD54(側面撮像手段)で電子部品6の二つ
の側面像19として同時に撮像される。この場合、二つ
の側面像19は鏡面対称状態で撮像される。
【0042】また、第1のシャッタ56を閉じ、第2の
シャッタ57を開いた場合、三角柱プリズム51には、
底面像光路Gに沿った光のみが達し、光分割面52を透
過した光はビームスプリッタキューブ53に達する。そ
の後、ビームスプリッタキューブ53で振り分けられた
光は、図15に示すように、底面像用CCD55(底面
撮像手段)で電子部品6の底面像38として撮像され
る。
【0043】そして、各CCD54,55で撮像された
側面像19及び底面像38は、図示しない画像処理装置
にデータとして送り込まれることにより、各リードLに
おける浮き沈み量の検査や吸着ノズル7による吸着姿勢
の良否チャックに利用される。なお、CCD54による
一回目の撮像後、吸着ノズル7を90度回転させること
で、電子部品6における他の二つの側面6aを撮像する
ことができる。
【0044】(第8の実施形態)前述した第7の実施形
態に関連するものとして、図22に示すような撮像装置
60がある。この撮像装置60が前述の撮像装置50と
異なる点は、ハーフミラーの薄膜からなる光分割面52
に代えて、偏光ビームスプリッタの薄膜からなる光分割
面61をもった三角柱プリズム62を採用し、ビームス
プリッタキューブ53に代えて、偏光ビームスプリッタ
キューブ63を採用した点にある。従って、三角柱プリ
ズム62の光分割面61を反射したS波成分は、偏光ビ
ームスプリッタキューブ63でも反射してCCD54に
入射し、このCCD54で電子部品6の二つの側面像1
9として同時に撮像される(図6参照)。また、三角柱
プリズム62の光分割面61を透過したP波成分は、偏
光ビームスプリッタキューブ63でも透過してCCD5
5に入射し、このCCD55で電子部品6の底面像38
として撮像される(図15参照)。このように構成する
ことで、図21に示したような第1及び第2のシャッタ
56,57が不要になる。
【0045】(第9の実施形態)更に、前述した第7の
実施形態に関連するものとして、電子部品6の四つの側
面6aを同時に観察する場合がある。この場合、電子部
品6の四つの側面6aと水平方向において一対一で対峙
するような四枚の側面観察ミラー8を利用し、これに対
応して四枚の合流ミラー9をケーシング2内に配置させ
る。このように構成することで、合流ミラー9で反射し
た光を、電子部品6の底面6bの真下の合流位置に四方
から入射させることができる。そこで、この合流位置に
は、図17〜図19に示すように、正四角錐プリズムか
らなる側面像割振り手段65が配置され、この正四角錐
プリズム65は、四枚の合流ミラー9に対峙する四枚の
光分割面66を有している。各光分割面66は、ハーフ
ミラーの薄膜からなり反射面と透過面との二つの機能を
合わせもっている。
【0046】この正四角錐プリズム65はキューブ体の
中で形成され、その正四角錐プリズム65の外形はピラ
ミッド状をなし、各光分割面66は、正四角錐状に開い
た鏡面からなる。そして、合流ミラー9から光分割面6
6に入射した光は、光分割面66で反射した後、ビーム
スプリッタキューブ53に四種類の側面像光路Kとして
入射し、電子部品6の底面6bから光分割面66に入射
した光は、光分割面66を透過した後、ビームスプリッ
タキューブ53に一種類の底面像光路Gとして入射す
る。従って、ビームスプリッタキューブ53で反射した
光は、側面像用結像レンズ手段70を通過し、図10に
示すように、CCD(側面撮像手段)54で電子部品6
の四つの側面像19として同時に撮像され、電子部品6
の四側面6aの立体的な同時観察が可能になる。また、
底面像38は、CCD(底面撮像手段)55で撮像され
る(図15参照)。
【0047】(第10の実施形態)更に、前述の第7〜
第9の実施形態に関連するものとして、三角柱プリズム
51,62の光分割面52,61及び正四角錐プリズム
65の光分割面66をダイクロイックミラーの薄膜で形
成し、ビームスプリッタキューブ53及び偏光ビームス
プリッタキューブ63をダイクロイックミラーキューブ
にすることもできる。この場合、照明系3には、波長帯
域の異なる二種類の光源(例えば、電子部品6の側面照
射用に「赤色LED」、底面照射用に「緑色LED」)
15が利用され、赤と緑の各波長帯域に応じた選択透過
を三角柱プリズム51,62及び正四角錐プリズム65
で達成し、光源15の種類に応じた光反射/透過を可能
にする。そして、ダイクロイックミラーキューブでも光
源15の種類に応じた光反射/透過を可能にしているの
で、ダイクロイックミラーで振り分けられた波長成分を
それぞれの側面像用CCD(側面観察手段)54と底面
像用CCD(底面観察手段)55とに入射させることが
でき、側面像と底面像との同時撮像が可能になる。ま
た、電子部品に対して赤光と緑光とを時間差をもたせて
点灯照明とすることにより、側面像と底面像とを個別に
撮像することも可能である。更には、この同時撮像と個
別撮像とを所定の選択手段により適宜選択切替えるよう
にしてもよい。このように構成することで、図21に示
したような第1及び第2のシャッタ56,57が不要に
なる。
【0048】本発明の撮像装置は、前述した第1〜第1
0の実施形態に限定されるものではなく、電子部品6の
撮像に限らず、吸着ノズル7の先端に設けられた吸着面
を読取り対象物として、その水平度や高さレベルをチェ
ックする場合にも利用される。
【0049】
【発明の効果】本発明による撮像装置は、以上のように
構成されているため、次のような効果を得る。すなわ
ち、撮像系は一つの側面撮像手段を有し、読取り領域に
配置させる読取り対象物の少なくとも二側面に対峙する
位置に側面観察ミラーを配置し、各側面観察ミラーでの
反射光を読取り対象物の底面に対峙する部位に合流させ
る合流ミラーを各側面観察ミラーに対峙して配置し、各
合流ミラーによる反射光の合流位置に、反射面をもつ側
面像割振り手段を配置し、側面像割振り手段の反射面に
より割振られた各側面像を側面撮像手段で同時に撮像す
ることにより、撮像装置を小型化することができ、部品
点数を減らすことでコストの低減を図り、しかも読取り
対象物の検査時間の短縮化を可能にしている。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る撮像装置の一実施形態を示す斜視
図である。
【図2】図1に示した撮像装置の構成を示す概略図であ
る。
【図3】三角柱ミラーを示す斜視図である。
【図4】図3に示した三角柱ミラーの正面図である。
【図5】図3に示した三角柱ミラーの底面図である。
【図6】CCDにより撮像された電子部品の側面画像を
示す図である。
【図7】正四角錐ミラーを示す斜視図である。
【図8】図7に示した正四角錐ミラーの正面図である。
【図9】図7に示した正四角錐ミラーの底面図である。
【図10】CCDにより撮像された電子部品の側面画像
を示す図である。
【図11】本発明に係る撮像装置の他の実施形態を示す
概略図である。
【図12】三角柱プリズムを示す斜視図である。
【図13】図12に示した三角柱プリズムの正面図であ
る。
【図14】図12に示した三角柱プリズムの底面図であ
る。
【図15】CCDにより撮像された電子部品の底面画像
を示す図である。
【図16】本発明に係る撮像装置の更に他の実施形態を
示す概略図である。
【図17】正四角錐プリズムを示す斜視図である。
【図18】図17に示した正四角錐プリズムの正面図で
ある。
【図19】図17に示した正四角錐プリズムの底面図で
ある。
【図20】本発明に係る撮像装置の更に他の実施形態を
示す斜視図である。
【図21】図20に示した撮像装置の構成を示す概略図
である。
【図22】本発明に係る撮像装置の更に他の実施形態を
示す概略図である。
【符号の説明】
S…読取り領域、1,30,40,50,60…撮像装
置、3…照明系、4…撮像系、5…レンズ系、6…読取
り対象物、6a…側面、6b…底面、8…側面観察ミラ
ー、9…合流ミラー、10…三角柱ミラー(側面像割振
り手段)、11,21…全反射面(反射面)、15…光
源、18,34,54…CCD(側面撮像手段)、20
…正四角錐ミラー(側面像割振り手段)、31,42,
51,62…三角柱プリズム(側面像割振り手段)、3
2,41,46,52,61,66…光分割面(反射
面)、45,65…正四角錐プリズム(側面像割振り手
段)。

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 読取り領域に配置される読取り対象物を
    照明光により照らすための光源をもった照明系と、前記
    照明系により照らされた際に生じる前記読取り対象物か
    らの反射光を受光して前記読取り対象物を撮像する撮像
    系と、前記撮像系と前記照明系との間に配置されて前記
    反射光を前記撮像系上に結像させるレンズ系とを有する
    撮像装置において、 前記撮像系は一つの側面撮像手段を有し、前記読取り領
    域に配置させる前記読取り対象物の少なくとも二側面に
    対峙する位置に側面観察ミラーを配置し、前記各側面観
    察ミラーでの反射光を前記読取り対象物の底面に対峙す
    る部位に合流させる合流ミラーを前記各側面観察ミラー
    に対峙して配置し、前記各合流ミラーによる前記反射光
    の合流位置に、反射面をもつ側面像割振り手段を配置
    し、前記側面像割振り手段の前記反射面により割振られ
    た各側面像を前記側面撮像手段で同時に撮像することを
    特徴とする撮像装置。
  2. 【請求項2】 前記側面像割振り手段は、前記各合流ミ
    ラーに対峙する全反射面をもった三角柱ミラー又は四角
    錐ミラーであることを特徴とする請求項1記載の撮像装
    置。
  3. 【請求項3】 前記側面像割振り手段は、前記合流ミラ
    ーに対峙する光分割面をもった三角柱プリズム又は四角
    錐プリズムであり、前記撮像系は底面撮像手段を更に有
    することを特徴とする請求項1記載の撮像装置。
  4. 【請求項4】 前記光分割面は、偏光ビームスプリッタ
    であることを特徴とする請求項3記載の撮像装置。
  5. 【請求項5】 前記光分割面は、波長による選択透過を
    行うダイクロイックミラーからなることを特徴とする請
    求項3記載の撮像装置。
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