JPH1049824A - Thin film magnetic head and its manufacture - Google Patents
Thin film magnetic head and its manufactureInfo
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- JPH1049824A JPH1049824A JP11828597A JP11828597A JPH1049824A JP H1049824 A JPH1049824 A JP H1049824A JP 11828597 A JP11828597 A JP 11828597A JP 11828597 A JP11828597 A JP 11828597A JP H1049824 A JPH1049824 A JP H1049824A
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は薄膜磁気ヘッド及び
その製造方法に関し、特に磁気ディスク装置等の磁気記
録装置に用いられる薄膜磁気ヘッド及びその製造方法に
関する。The present invention relates to a thin film magnetic head and a method of manufacturing the same, and more particularly, to a thin film magnetic head used in a magnetic recording device such as a magnetic disk device and a method of manufacturing the same.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来、この種の薄膜磁気ヘッドにおいて
は、図5に示すように、基板11、保護膜12、下シー
ルド13、読取り用のMR(磁気抵抗)14、共通ポー
ル(下部磁性体)15、絶縁層16、フォトレジスト層
17、コイル18を順次形成し、マスク19を介してフ
ォトレジスト層17に光照射を行い[図5(a)参
照]、フォトレジスト層17をパターニングしている。2. Description of the Related Art Conventionally, in a thin film magnetic head of this type, as shown in FIG. 5, a substrate 11, a protective film 12, a lower shield 13, an MR (magnetic resistance) 14 for reading, and a common pole (lower magnetic material). 15), an insulating layer 16, a photoresist layer 17, and a coil 18 are sequentially formed, and the photoresist layer 17 is irradiated with light via a mask 19 (see FIG. 5A), and the photoresist layer 17 is patterned. I have.
【0003】このフォトレジスト層17のパターニング
を行った後に加熱処理して焼き締めフォトレジスト層
(層間絶縁層)20を形成し[図5(b)参照]、その
上に図示せぬ上部磁性体及び保護膜を形成している。層
間絶縁層20は導体コイル間や磁性層と導体コイルとの
間の絶縁以外に磁性層や導体コイルの段差を小さくする
ことを目的としている。After patterning the photoresist layer 17, a heat treatment is performed to form a baked photoresist layer (interlayer insulating layer) 20 (see FIG. 5B), on which an upper magnetic material (not shown) is formed. And a protective film. The interlayer insulating layer 20 is intended to reduce the level difference between the magnetic layer and the conductor coil in addition to the insulation between the conductor coils and between the magnetic layer and the conductor coil.
【0004】ここで、例えば、「PHOTORESIS
T FOR USE IN SILICON ETCH
ING BATHS」(IBM Technical
Disclosure Bulletin Vol.1
4 No.8,p.2309,1972)に示されてい
るように、絶縁層としてノボラック樹脂系のポジ型フォ
トレジストを用いる方法がある。Here, for example, "PHOTORESIS"
T FOR USE IN SILICON ETCH
ING BATHS "(IBM Technical
Disclosure Bulletin Vol. 1
4 No. 8, p. 2309, 1972), there is a method using a novolak resin-based positive photoresist as the insulating layer.
【0005】この場合、ポジ型フォトレジストをスピン
コート法等の方法によって全面に塗布した後、絶縁層と
して残す部分以外に紫外線の照射を行い、アルカリ水溶
液で現像することによって絶縁層のパターンが形成され
る[図5(a)参照]。In this case, after a positive photoresist is applied to the entire surface by a method such as spin coating or the like, ultraviolet rays are applied to portions other than the portion to be left as an insulating layer, and development is performed with an alkaline aqueous solution to form a pattern of the insulating layer. [See FIG. 5 (a)].
【0006】絶縁層のフォトレジストパターンは以後の
工程を経た後も安定して存在する必要があるため、約2
50℃以上で焼成されて層間絶縁層20となる[図5
(b)参照]。Since the photoresist pattern of the insulating layer needs to be stably present even after the subsequent steps, it is required
It is fired at 50 ° C. or more to form the interlayer insulating layer 20 [FIG.
(B)].
【0007】この有機絶縁膜上に上部磁気コア層を形成
し、その上から保護膜をスパッタリング等の手段によっ
て付着させることで、薄膜複合磁気ヘッドが形成され
る。上記の製造方法については、特開平2−25461
5号公報に開示された技術等がある。A thin film composite magnetic head is formed by forming an upper magnetic core layer on the organic insulating film, and attaching a protective film thereon by means such as sputtering. The above manufacturing method is disclosed in
There is a technique disclosed in Japanese Patent Laid-Open Publication No. 5 (1993) -1995.
【0008】[0008]
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の薄膜磁
気ヘッドの製造方法では、焼き締めフォトレジストの2
50℃以上のベーク温度のため、熱に対する安定性が各
ヘッド構成材料に要求される。しかしながら、高密度M
Rヘッド材料として注目されるスピンバルブヘッド材料
においては、必ずしもその温度に対する安定性が十分で
はない。In the above-described conventional method of manufacturing a thin-film magnetic head, the hardening photoresist 2
Because of the baking temperature of 50 ° C. or more, heat stability is required for each head constituent material. However, high density M
Spin valve head materials, which are attracting attention as R head materials, do not always have sufficient stability against temperature.
【0009】そのため、より低温なプロセスの開発が必
要であるが、ポジ型ノボラック樹脂は熱安定性が劣り、
軟化点も低いので、高温においても安定させるために高
温のベーク処理を施さなければならない。Therefore, it is necessary to develop a lower temperature process, but the positive type novolak resin has poor thermal stability,
Since it has a low softening point, it must be subjected to a high-temperature baking treatment to stabilize it even at high temperatures.
【0010】一方、層間膜の断面方向の先端角(APE
X)は記録特性の観点から最適化されていなければなら
ないので、従来は熱処理プロセス条件やレジスト材料の
粘度値から設定されており、選択の幅が狭く、プロセス
設定も困難である。On the other hand, the tip angle (APE) of the interlayer
Since X) must be optimized from the viewpoint of recording characteristics, it is conventionally set based on the heat treatment process conditions and the viscosity value of the resist material, and the selection range is narrow and the process setting is difficult.
【0011】そこで、本発明の目的は上記の問題点を解
消し、低温熱処理工程を用いた場合にも層間膜として十
分な特性を得ることができ、プロセスのスループットを
向上させることができる薄膜磁気ヘッド及びその製造方
法を提供することにある。Therefore, an object of the present invention is to solve the above-mentioned problems and to obtain a thin film magnetic layer capable of obtaining sufficient characteristics as an interlayer film even when a low-temperature heat treatment step is used and improving the process throughput. An object of the present invention is to provide a head and a method of manufacturing the same.
【0012】[0012]
【課題を解決するための手段】本発明による薄膜磁気ヘ
ッドは、磁気回路をなす下部磁性体及び上部磁性体と、
前記下部磁性体と前記上部磁性体との間に挟み込まれた
コイルと、前記下部磁性体と前記上部磁性体との間に前
記コイルとともに挟み込まれかつ光照射によって硬化す
るネガ型のフォトレジストからなる焼き締めフォトレジ
スト層とを備えている。A thin-film magnetic head according to the present invention comprises a lower magnetic body and an upper magnetic body forming a magnetic circuit;
A coil sandwiched between the lower magnetic body and the upper magnetic body, and a negative photoresist sandwiched between the lower magnetic body and the upper magnetic body together with the coil and cured by light irradiation. And a baking photoresist layer.
【0013】本発明による他の薄膜磁気ヘッドは、上記
の構成において、前記ネガ型のフォトレジストに、25
0nm付近に最大吸収を持つ1,1−ビス[p−クロロ
フェニル]−2,2,2−トリクロロエタン及びその異
性体、類似体、同族体及び残留化合物を0.1〜5%含
有している。Another thin-film magnetic head according to the present invention, in the above-mentioned structure, comprises:
It contains 0.1 to 5% of 1,1-bis [p-chlorophenyl] -2,2,2-trichloroethane and its isomers, analogs, homologues and residual compounds having a maximum absorption near 0 nm.
【0014】本発明による別の薄膜磁気ヘッドは、上記
の構成において、少なくとも電子線及び高圧水銀ランプ
のうちの一方の光を用いて短波長の光照射及びブロード
な光照射のうちの一方により前記光照射が行われるよう
にしている。Another thin-film magnetic head according to the present invention, in the above-mentioned structure, is characterized in that at least one of an electron beam and a high-pressure mercury lamp is used to perform short-wave light irradiation or broad light irradiation. Light irradiation is performed.
【0015】本発明によるさらに別の薄膜磁気ヘッド
は、上記の構成において、前記焼き締めフォトレジスト
層の先端角が予め設定した所定角度となるように形成さ
れた転写パターンを有するマスクを押付けて前記光照射
が行われるようにしている。Still another thin-film magnetic head according to the present invention, in the above-described configuration, presses a mask having a transfer pattern formed so that a tip angle of the hardened photoresist layer is a predetermined angle set in advance. Light irradiation is performed.
【0016】本発明による薄膜磁気ヘッドの製造方法
は、磁気回路をなす下部磁性体と上部磁性体との間にコ
イル及び焼き締めフォトレジスト層が挟み込まれた構造
を有する薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、前記下部
磁性体を形成する工程と、光照射によって硬化するネガ
型のフォトレジストを前記下部磁性体上に塗布する工程
と、予め設定されたパターンのマスクを介して前記ネガ
型のフォトレジストに前記光照射を行う工程と、前記光
照射が行われたネガ型のフォトレジストを加熱処理して
前記焼き締めフォトレジスト層を形成する工程と、前記
焼き締めフォトレジスト層上に前記コイルを形成する工
程と、前記ネガ型のフォトレジストを前記コイル上に塗
布する工程と、前記マスクを介して前記ネガ型のフォト
レジストに前記光照射を行う工程と、前記光照射が行わ
れたネガ型のフォトレジストを加熱処理して前記焼き締
めフォトレジスト層を形成する工程と、前記焼き締めフ
ォトレジスト層上に前記上部磁性体を形成する工程とか
らなっている。A method of manufacturing a thin film magnetic head according to the present invention is a method of manufacturing a thin film magnetic head having a structure in which a coil and a hardened photoresist layer are sandwiched between a lower magnetic material and an upper magnetic material forming a magnetic circuit. A step of forming the lower magnetic body, a step of applying a negative-type photoresist which is cured by light irradiation on the lower magnetic body, and a step of forming the negative-type photomask through a mask having a predetermined pattern. A step of performing the light irradiation on the resist, a step of heat-treating the negative-type photoresist subjected to the light irradiation to form the hardened photoresist layer, and forming the coil on the hardened photoresist layer. Forming, applying the negative photoresist on the coil, and irradiating the negative photoresist with the light through the mask. Performing a heat treatment on the light-irradiated negative-type photoresist to form the hardened photoresist layer; and forming the upper magnetic material on the hardened photoresist layer. It consists of
【0017】本発明による他の薄膜磁気ヘッドの製造方
法は、上記の工程において、前記ネガ型のフォトレジス
トに、250nm付近に最大吸収を持つ1,1−ビス
[p−クロロフェニル]−2,2,2−トリクロロエタ
ン及びその異性体、類似体、同族体及び残留化合物を
0.1〜5%含有している。According to another method of manufacturing a thin film magnetic head according to the present invention, in the above-mentioned process, 1,1-bis [p-chlorophenyl] -2,2 having a maximum absorption around 250 nm is added to the negative photoresist. , 2-trichloroethane and its isomers, analogs, homologs and residual compounds in an amount of 0.1 to 5%.
【0018】本発明による別の薄膜磁気ヘッドの製造方
法は、上記の工程において、前記光照射を行う工程が、
少なくとも電子線及び高圧水銀ランプのうちの一方の光
を用いて短波長の光照射及びブロードな光照射のうちの
一方により前記光照射を行うようにしている。In another method of manufacturing a thin-film magnetic head according to the present invention, in the above-mentioned step, the step of irradiating the light includes the steps of:
At least one of the electron beam and the high-pressure mercury lamp is used to perform the light irradiation by one of short-wavelength light irradiation and broad light irradiation.
【0019】本発明によるさらに別の薄膜磁気ヘッドの
製造方法は、上記の工程において、前記光照射を行う工
程が、前記焼き締めフォトレジスト層の先端角が予め設
定した所定角度となるように形成された転写パターンを
有するマスクを前記ネガ型のフォトレジスト上に押付け
て前記光照射を行うようにしている。In still another method of manufacturing a thin-film magnetic head according to the present invention, in the above-mentioned step, the step of irradiating the light is formed so that the tip angle of the hardened photoresist layer becomes a predetermined angle. The mask having the transferred transfer pattern is pressed onto the negative photoresist to perform the light irradiation.
【0020】[0020]
【発明の実施の形態】まず、本発明の作用について以下
に述べる。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS First, the operation of the present invention will be described below.
【0021】磁気回路をなす下部磁性体層と上部磁性体
層との間にコイルとともに挟み込まれる焼き締めフォト
レジスト層に光照射によって硬化するネガ型のフォトレ
ジストを用いる。A negative photoresist hardened by light irradiation is used for a hardened photoresist layer sandwiched with a coil between a lower magnetic layer and an upper magnetic layer forming a magnetic circuit.
【0022】これによって、架橋密度が向上した層間絶
縁膜が得られ、その結果、硬化後の熱処理による熱膨
張、収縮変化が小さく、信頼性の高い層間絶縁膜が得ら
れる。As a result, an interlayer insulating film having an improved crosslink density can be obtained. As a result, a highly reliable interlayer insulating film having small changes in thermal expansion and shrinkage due to heat treatment after curing can be obtained.
【0023】また、従来の約250℃以上の熱処理温度
に対して、200℃以下の低温熱処理が可能となること
によって、従来用いることができなかったスピンバルブ
ヘッド材料を使用することが可能となる。In addition, since a low-temperature heat treatment of 200 ° C. or less can be performed with respect to the conventional heat treatment temperature of about 250 ° C. or more, it is possible to use a spin valve head material that could not be used conventionally. .
【0024】さらに、従来よりも低い低温熱処理プロセ
スとなるので、プロセスのスループットが向上し、コス
ト低減も可能となる。よって、低温熱処理工程を用いた
場合にも層間膜として十分な特性を得ることができ、プ
ロセスのスループットを向上させることができる。Further, since the low-temperature heat treatment process is lower than the conventional one, the throughput of the process is improved, and the cost can be reduced. Therefore, even when the low-temperature heat treatment step is used, sufficient characteristics as an interlayer film can be obtained, and the throughput of the process can be improved.
【0025】すなわち、本発明ではフォトレジストに対
して200℃以下の低温熱処理工程を採用した場合にも
層間膜として十分な特性を得るようにし、層間膜の硬化
が十分となるように通常の露光条件で照射される光の波
長よりもより短波長も含めたブロードな波長源を用いた
装置(高出力紫外線照射装置)を使用して硬化を促進さ
せている。That is, in the present invention, even when a low-temperature heat treatment step of 200 ° C. or less is applied to a photoresist, sufficient characteristics as an interlayer film are obtained, and ordinary exposure is performed so that the interlayer film is sufficiently cured. The curing is promoted by using an apparatus (a high-output ultraviolet irradiation apparatus) using a broad wavelength source including a shorter wavelength than the wavelength of the light irradiated under the condition.
【0026】次に、本発明の実施例について図面を参照
して説明する。図1は本発明の一実施例を示す構成図で
あり、図2は本発明の一実施例による薄膜磁気ヘッドの
製造工程を示す図である。これら図1及び図2を用いて
本発明の一実施例による薄膜磁気ヘッドの製造工程につ
いて説明する。Next, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a configuration diagram showing one embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a diagram showing a manufacturing process of a thin-film magnetic head according to one embodiment of the present invention. The manufacturing process of the thin-film magnetic head according to one embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.
【0027】本発明の一実施例による薄膜磁気ヘッドを
製造する場合、まずAl2 O3 −TiC基板1上にスパ
ッタリング法等によってアルミナ等の保護膜(絶縁層)
2を形成し(図2の工程S1)、パーマロイ等の軟磁性
層をスパッタリング法あるいはメッキ法等によって成膜
し、下シールド3を形成する(図2の工程S2)。When manufacturing a thin film magnetic head according to one embodiment of the present invention, first, a protective film (insulating layer) such as alumina is formed on an Al 2 O 3 —TiC substrate 1 by a sputtering method or the like.
2 (step S1 in FIG. 2), a soft magnetic layer such as permalloy is formed by sputtering or plating, and the lower shield 3 is formed (step S2 in FIG. 2).
【0028】下シールド3を形成した後に、読取り用の
MR部4、例えばNiO,CoO,NiFe,Cu等の
スピンバルブ膜から構成される層を形成する(図2の工
程S3)。その後、ギャップ層を形成するため、所定膜
厚のアルミナ等の絶縁層5を形成する(図2の工程S
4)。After the lower shield 3 is formed, a read MR section 4, for example, a layer composed of a spin valve film of NiO, CoO, NiFe, Cu or the like is formed (step S3 in FIG. 2). Thereafter, in order to form a gap layer, an insulating layer 5 of alumina or the like having a predetermined thickness is formed.
4).
【0029】この上にパーマロイ等の軟磁性層をスパッ
タリング法あるいはメッキ法等によって成膜し、共通ポ
ール(下部磁性体)6とする(図2の工程S5)。その
共通ポール6の上に、250nm付近に最大吸収を持つ
1,1−ビス[p−クロロフェニル]−2,2,2−ト
リクロロエタン及びその異性体、類似体、同族体及び残
留化合物を0.1〜5%含有しているネガ型フォトレジ
スト7をスピンコート法によって塗布する(図2の工程
S6)。A soft magnetic layer such as permalloy is formed thereon by sputtering or plating to form a common pole (lower magnetic body) 6 (step S5 in FIG. 2). On the common pole 6, 0.11,1-bis [p-chlorophenyl] -2,2,2-trichloroethane having its maximum absorption around 250 nm and its isomers, analogs, homologues and residual compounds were added in an amount of 0.1%. A negative photoresist 7 containing about 5% is applied by spin coating (step S6 in FIG. 2).
【0030】ここで、残留化合物とはハロゲン化有機物
(1,1−ビスP−クロロフェニル等)の合成化合物の
合成の間に生じ、その合成化合物に密接に関連のある不
純物を含有しているものである。Here, the term "residual compound" refers to a compound which is generated during the synthesis of a synthetic compound of a halogenated organic compound (such as 1,1-bis-P-chlorophenyl) and contains impurities closely related to the synthetic compound. It is.
【0031】また、ネガ型フォトレジスト7としては他
に、1,2,5,6,9,10−ヘキサブロモシクロド
デカン、1,10−ジブロモドデカン、1,1−ビス
[p−クロロフェニル]−2,2−ジクロロエタン、
1,1−ビス[p−クロロフェニル]−2,2−ジクロ
ロエチレン、1,2,3,4,5,6−ヘキサクロロシ
クロロヘキサン等を含むネガ型樹脂を用いることができ
る。As the negative photoresist 7, other than 1,2,5,6,9,10-hexabromocyclododecane, 1,10-dibromododecane, 1,1-bis [p-chlorophenyl]- 2,2-dichloroethane,
Negative resins containing 1,1-bis [p-chlorophenyl] -2,2-dichloroethylene, 1,2,3,4,5,6-hexachlorocyclohexane and the like can be used.
【0032】このネガ型フォトレジスト7の上に所定の
絶縁層パターンマスク9aを設置し(図2の工程S
7)、絶縁層パターンマスク9a(図示せず)を介して
ネガ型フォトレジスト7に光照射を行ってパターニング
し、層間絶縁層として残す部分以外のネガ型フォトレジ
スト7を現像液にてエッチングする(図2の工程S
8)。その後、200℃以下の不活性ガス雰囲気中で加
熱処理を施し、焼き締めフォトレジストよりなる層間絶
縁膜を形成する(図2の工程S9)。A predetermined insulating layer pattern mask 9a is set on the negative photoresist 7 (step S in FIG. 2).
7) The negative photoresist 7 is patterned by irradiating light to the negative photoresist 7 through an insulating layer pattern mask 9a (not shown), and the negative photoresist 7 other than the portion left as an interlayer insulating layer is etched with a developing solution. (Step S in FIG. 2)
8). Thereafter, heat treatment is performed in an inert gas atmosphere at a temperature of 200 ° C. or less to form an interlayer insulating film made of a hardened photoresist (step S9 in FIG. 2).
【0033】続いて、メッキ法でコイル8を形成する
(図2の工程S10)。その際、コイル8による段差を
解消するために、上記のネガ型フォトレジスト7をスピ
ンコート法によって塗布する(図2の工程S11)。Subsequently, the coil 8 is formed by plating (step S10 in FIG. 2). At this time, in order to eliminate a step due to the coil 8, the negative photoresist 7 is applied by spin coating (step S11 in FIG. 2).
【0034】このネガ型フォトレジスト7の上に所定の
絶縁層パターンマスク9b(図1の絶縁層パターンマス
ク9)を設置し(図2の工程S12)、絶縁層パターン
マスク9bを介してネガ型フォトレジスト7に光照射を
行ってパターニングし、層間絶縁層として残す部分以外
のネガ型フォトレジスト7を現像液にてエッチングする
(図2の工程S13)。その後、200℃以下の不活性
ガス雰囲気中で加熱処理を施し、焼き締めフォトレジス
トよりなる層間絶縁膜を形成する(図2の工程S1
4)。A predetermined insulating layer pattern mask 9b (insulating layer pattern mask 9 in FIG. 1) is set on the negative photoresist 7 (step S12 in FIG. 2), and the negative type photoresist is applied via the insulating layer pattern mask 9b. The photoresist 7 is irradiated with light to be patterned, and the negative photoresist 7 other than the portion left as an interlayer insulating layer is etched with a developing solution (step S13 in FIG. 2). Thereafter, heat treatment is performed in an inert gas atmosphere at 200 ° C. or lower to form an interlayer insulating film made of a hardened photoresist (Step S1 in FIG. 2).
4).
【0035】尚、工程S7で設置される絶縁層パターン
マスク9aと工程S12で設置される絶縁層パターンマ
スク9bとはその形成パターンが異なるものが使用さ
れ、これら絶縁層パターンマスク9a,9bを用いたパ
ターニングで、層間絶縁膜はその断面方向の先端角(A
PEX)が所定角度となるように形成される。また、上
記の工程S10から工程S14は形成されるコイル8の
段数に応じて、例えば2段であれば2回、3段であれば
3回繰返し行われる。The insulating layer pattern mask 9a provided in step S7 and the insulating layer pattern mask 9b provided in step S12 have different formation patterns, and these insulating layer pattern masks 9a and 9b are used. In the patterning, the interlayer insulating film has a tip angle (A
PEX) is formed at a predetermined angle. In addition, the above-described steps S10 to S14 are repeatedly performed, for example, two times for two steps and three times for three steps in accordance with the number of steps of the coil 8 to be formed.
【0036】この層間絶縁膜が形成されると、その上に
共通ポール6と同様にして図示せぬ上部磁性体層を形成
し、さらにその上にアルミナ膜からなる保護膜(図示せ
ず)を形成することで(図2の工程S15)、複合磁気
ヘッド構造が形成される。After this interlayer insulating film is formed, an upper magnetic layer (not shown) is formed thereon in the same manner as the common pole 6, and a protective film (not shown) made of an alumina film is further formed thereon. By forming them (step S15 in FIG. 2), a composite magnetic head structure is formed.
【0037】図3は本発明の他の実施例による薄膜磁気
ヘッドの製造工程を示す図である。この図3を用いて本
発明の他の実施例による薄膜磁気ヘッドの製造工程につ
いて説明する。FIG. 3 is a view showing a manufacturing process of a thin-film magnetic head according to another embodiment of the present invention. The manufacturing process of the thin-film magnetic head according to another embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.
【0038】本発明の他の実施例による薄膜磁気ヘッド
を製造する場合、まずAl2 O3 −TiC基板上にスパ
ッタリング法等によってアルミナ等の絶縁層を形成し
(図3の工程S21)、パーマロイ等の軟磁性層をスパ
ッタリング法あるいはメッキ法等によって成膜し、下シ
ールドを形成する(図3の工程S22)。When manufacturing a thin-film magnetic head according to another embodiment of the present invention, first, an insulating layer of alumina or the like is formed on an Al 2 O 3 —TiC substrate by a sputtering method or the like (step S21 in FIG. 3), and a permalloy is formed. Is formed by a sputtering method or a plating method to form a lower shield (Step S22 in FIG. 3).
【0039】下シールドを形成した後に、読取り用のM
R部、例えばNiO,CoO,NiFe,Cu等のスピ
ンバルブ膜から構成される層を形成する(図3の工程S
23)。その後、ギャップ層を形成するため、所定膜厚
のアルミナ等の絶縁層を形成する(図3の工程S2
4)。After forming the lower shield, the read M
An R portion, for example, a layer composed of a spin valve film of NiO, CoO, NiFe, Cu, or the like is formed (Step S in FIG. 3).
23). Thereafter, in order to form a gap layer, an insulating layer such as alumina having a predetermined thickness is formed (Step S2 in FIG. 3).
4).
【0040】この上にパーマロイ等の軟磁性層をスパッ
タリング法あるいはメッキ法等によって成膜し、共通ポ
ールとする(図3の工程S25)。その共通ポールの上
に1,1−ビス[p−クロロフェニル]−2,2,2−
トリクロロエタン及びその異性体、類似体、同族体及び
残留化合物を0.1〜5%含有しているネガ型フォトレ
ジストをスピンコート法によって塗布する(図3の工程
S26)。A soft magnetic layer such as permalloy is formed thereon by sputtering or plating to form a common pole (step S25 in FIG. 3). On the common pole, 1,1-bis [p-chlorophenyl] -2,2,2-
A negative photoresist containing 0.1 to 5% of trichloroethane and its isomers, analogs, homologs and residual compounds is applied by spin coating (step S26 in FIG. 3).
【0041】このネガ型フォトレジストの上に所定の平
坦(フラット)な絶縁層パターンマスクを設置し(図3
の工程S27)、絶縁層パターンマスクを介してネガ型
フォトレジストに電子線や高圧水銀ランプ等からの短い
波長あるいはブロードな光による光照射を行ってパター
ニングし、層間絶縁層として残す部分以外のネガ型フォ
トレジストを現像液にてエッチングする(図3の工程S
28)。その後、200℃以下の不活性ガス雰囲気中で
加熱処理を施し、焼き締めフォトレジストよりなる層間
絶縁膜を形成する(図3の工程S29)。A predetermined flat (flat) insulating layer pattern mask is set on the negative photoresist (FIG. 3).
Step S27), the negative photoresist is patterned by irradiating the negative photoresist with a short wavelength or broad light from an electron beam, a high-pressure mercury lamp, or the like via an insulating layer pattern mask, and the negative photoresist other than the part left as an interlayer insulating layer is patterned. Is etched with a developing solution (step S in FIG. 3).
28). Thereafter, heat treatment is performed in an inert gas atmosphere at a temperature of 200 ° C. or lower to form an interlayer insulating film made of a baked photoresist (Step S29 in FIG. 3).
【0042】続いて、メッキ法でコイルを形成する(図
3の工程S30)。その際、コイルによる段差を解消す
るために、上記のネガ型フォトレジストをスピンコート
法によって塗布する(図3の工程S31)。Subsequently, a coil is formed by plating (step S30 in FIG. 3). At this time, in order to eliminate a step due to the coil, the negative photoresist is applied by a spin coating method (step S31 in FIG. 3).
【0043】このネガ型フォトレジストの上に所定の平
坦な絶縁層パターンマスクを設置し(図3の工程S3
2)、絶縁層パターンマスクを介してネガ型フォトレジ
ストに光照射を行ってパターニングし、層間絶縁層とし
て残す部分以外のネガ型フォトレジストを現像液にてエ
ッチングする(図3の工程S33)。その後、200℃
以下の不活性ガス雰囲気中で加熱処理を施し、焼き締め
フォトレジストよりなる層間絶縁膜を形成する(図3の
工程S34)。A predetermined flat insulating layer pattern mask is set on the negative photoresist (Step S3 in FIG. 3).
2), the negative photoresist is irradiated with light through an insulating layer pattern mask to be patterned, and the negative photoresist except for a portion left as an interlayer insulating layer is etched with a developing solution (step S33 in FIG. 3). Then 200 ° C
A heat treatment is performed in the following inert gas atmosphere to form an interlayer insulating film made of a hardened photoresist (Step S34 in FIG. 3).
【0044】尚、工程S27で設置される絶縁層パター
ンマスクと工程S32で設置される絶縁層パターンマス
クとはその形成パターンが異なるものが使用され、これ
ら絶縁層パターンマスクを用いたパターニングで、層間
絶縁膜はその断面方向の先端角が所定角度となるように
形成される。また、上記の工程S30から工程S34は
形成されるコイルの段数に応じて、例えば2段であれば
2回、3段であれば3回繰返し行われる。The insulating layer pattern mask provided in step S27 and the insulating layer pattern mask provided in step S32 have different formation patterns. The insulating film is formed such that a tip angle in a cross-sectional direction thereof becomes a predetermined angle. In addition, the above-described steps S30 to S34 are repeatedly performed, for example, two times for two steps and three times for three steps in accordance with the number of coils to be formed.
【0045】この層間絶縁膜が形成されると、その上に
共通ポールと同様にして上部磁性体層を形成し、さらに
その上にアルミナ膜からなる保護膜を形成することで
(図3の工程S35)、複合磁気ヘッド構造が形成され
る。After the interlayer insulating film is formed, an upper magnetic layer is formed thereon in the same manner as the common pole, and a protective film made of an alumina film is formed thereon (step shown in FIG. 3). S35), a composite magnetic head structure is formed.
【0046】図4は本発明の別の実施例による薄膜磁気
ヘッドの製造工程を示す図である。この図4を用いて本
発明の別の実施例による薄膜磁気ヘッドの製造工程につ
いて説明する。FIG. 4 is a diagram showing a manufacturing process of a thin-film magnetic head according to another embodiment of the present invention. The manufacturing process of the thin-film magnetic head according to another embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.
【0047】本発明の別の実施例による薄膜磁気ヘッド
を製造する場合、まずAl2 O3 −TiC基板上にスパ
ッタリング法等によってアルミナ等の絶縁層を形成し
(図4の工程S41)、パーマロイ等の軟磁性層をスパ
ッタリング法あるいはメッキ法等によって成膜し、下シ
ールドを形成する(図4の工程S42)。When manufacturing a thin-film magnetic head according to another embodiment of the present invention, first, an insulating layer of alumina or the like is formed on an Al 2 O 3 —TiC substrate by a sputtering method or the like (step S41 in FIG. 4), and a permalloy is formed. Is formed by a sputtering method or a plating method to form a lower shield (step S42 in FIG. 4).
【0048】下シールドを形成した後に、読取り用のM
R部、例えばNiO,CoO,NiFe,Cu等のスピ
ンバルブ膜から構成される層を形成する(図4の工程S
43)。その後、ギャップ層を形成するため、所定膜厚
のアルミナ等の絶縁層を形成する(図4の工程S4
4)。After forming the lower shield, the read M
R layer, for example, a layer composed of a spin valve film of NiO, CoO, NiFe, Cu, etc. is formed (Step S in FIG. 4).
43). Thereafter, in order to form a gap layer, an insulating layer such as alumina having a predetermined thickness is formed (Step S4 in FIG. 4).
4).
【0049】この上にパーマロイ等の軟磁性層をスパッ
タリング法あるいはメッキ法等によって成膜し、共通ポ
ールとする(図4の工程S45)。その共通ポールの上
に1,1−ビス[p−クロロフェニル]−2,2,2−
トリクロロエタン及びその異性体、類似体、同族体及び
残留化合物を0.1〜5%含有しているネガ型フォトレ
ジストをスピンコート法によって塗布する(図4の工程
S46)。A soft magnetic layer such as permalloy is formed thereon by sputtering or plating to form a common pole (Step S45 in FIG. 4). On the common pole, 1,1-bis [p-chlorophenyl] -2,2,2-
A negative photoresist containing 0.1 to 5% of trichloroethane and its isomers, analogs, homologues and residual compounds is applied by spin coating (step S46 in FIG. 4).
【0050】このネガ型フォトレジストの上に所定の傾
斜形状のあるガラスマスクを押付けて設置する(図4の
工程S47)。この場合、ガラスマスクは層間絶縁膜の
断面方向の先端角が所定角度となるような傾斜形状(転
写パターン)を持っている(図1の絶縁層パターンマス
ク9参照)。また、ネガ型フォトレジストは光照射によ
る硬化前なので、所定の押圧力で押付けることができ
る。A glass mask having a predetermined inclined shape is pressed and set on the negative photoresist (Step S47 in FIG. 4). In this case, the glass mask has an inclined shape (transfer pattern) such that the tip angle in the cross-sectional direction of the interlayer insulating film becomes a predetermined angle (see the insulating layer pattern mask 9 in FIG. 1). Further, since the negative photoresist is not cured by light irradiation, it can be pressed with a predetermined pressing force.
【0051】このガラスマスクを介してネガ型フォトレ
ジストに電子線や高圧水銀ランプ等からの短い波長ある
いはブロードな光による光照射を行ってパターニング
し、層間絶縁層として残す部分以外のネガ型フォトレジ
ストを現像液にてエッチングする(図4の工程S4
8)。その後、200℃以下の不活性ガス雰囲気中で加
熱処理を施し、焼き締めフォトレジストよりなる層間絶
縁膜を形成する(図4の工程S49)。The negative photoresist is patterned by irradiating the negative photoresist with a short wavelength or broad light from an electron beam, a high-pressure mercury lamp, or the like through this glass mask, and excluding the portion left as an interlayer insulating layer. Is etched with a developing solution (step S4 in FIG. 4).
8). Thereafter, heat treatment is performed in an inert gas atmosphere at 200 ° C. or lower to form an interlayer insulating film made of a hardened photoresist (Step S49 in FIG. 4).
【0052】続いて、メッキ法でコイルを形成する(図
4の工程S50)。その際、コイルによる段差を解消す
るために、上記のネガ型フォトレジストをスピンコート
法によって塗布する(図4の工程S51)。Subsequently, a coil is formed by a plating method (step S50 in FIG. 4). At this time, in order to eliminate a step due to the coil, the negative photoresist is applied by spin coating (step S51 in FIG. 4).
【0053】このネガ型フォトレジストの上に所定の傾
斜形状のあるガラスマスクを押付けて設置し(図4の工
程S52)、ガラスマスクを介してネガ型フォトレジス
トに光照射を行ってパターニングし、層間絶縁層として
残す部分以外のネガ型フォトレジストを現像液にてエッ
チングする(図4の工程S53)。その後、200℃以
下の不活性ガス雰囲気中で加熱処理を施し、焼き締めフ
ォトレジストよりなる層間絶縁膜を形成する(図4の工
程S54)。A glass mask having a predetermined inclined shape is pressed and set on the negative photoresist (Step S52 in FIG. 4), and the negative photoresist is irradiated with light through the glass mask and patterned. The negative photoresist other than the portion left as the interlayer insulating layer is etched with a developing solution (step S53 in FIG. 4). Thereafter, heat treatment is performed in an inert gas atmosphere at a temperature of 200 ° C. or lower to form an interlayer insulating film made of a hardened photoresist (Step S54 in FIG. 4).
【0054】尚、工程S47で設置されるガラスマスク
と工程S52で設置されるガラスマスクとはその形成パ
ターンが異なるものが使用され、これらガラスマスクを
用いたパターニングで、層間絶縁膜はその断面方向の先
端角が所定角度となるように形成される。また、上記の
工程S50から工程S54は形成されるコイルの段数に
応じて、例えば2段であれば2回、3段であれば3回繰
返し行われる。The glass mask provided in the step S47 and the glass mask provided in the step S52 have different formation patterns. The patterning using these glass masks causes the interlayer insulating film to extend in the cross-sectional direction. Is formed so that the tip angle of the is equal to a predetermined angle. Further, the above-described steps S50 to S54 are repeatedly performed, for example, two times for two steps and three times for three steps according to the number of steps of the coil to be formed.
【0055】この層間絶縁膜が形成されると、その上に
共通ポールと同様にして上部磁性体層を形成し、さらに
その上にアルミナ膜からなる保護膜を形成することで
(図4の工程S55)、複合磁気ヘッド構造が形成され
る。After the interlayer insulating film is formed, an upper magnetic layer is formed thereon in the same manner as the common pole, and a protective film made of an alumina film is further formed thereon (step shown in FIG. 4). S55), a composite magnetic head structure is formed.
【0056】このように、磁気回路をなす下部磁性体層
(共通ポール6)と上部磁性体層との間にコイル8とと
もに挟み込まれる焼き締めフォトレジスト層に光照射に
よって硬化するネガ型のフォトレジスト7を用いること
によって、架橋密度が向上した層間絶縁膜が得られる。
その結果、硬化後の熱処理による熱膨張、収縮変化が小
さく、信頼性の高い層間絶縁膜が得られる。As described above, the negative photoresist hardened by light irradiation is applied to the hardened photoresist layer sandwiched together with the coil 8 between the lower magnetic layer (common pole 6) and the upper magnetic layer forming a magnetic circuit. By using 7, an interlayer insulating film having an improved crosslinking density can be obtained.
As a result, a highly reliable interlayer insulating film with small changes in thermal expansion and contraction due to heat treatment after curing can be obtained.
【0057】また、従来の約250℃以上の熱処理温度
に対して、200℃以下の低温熱処理が可能となること
によって、従来用いることができなかったスピンバルブ
ヘッド材料を使用することが可能となる。Further, since a low-temperature heat treatment of 200 ° C. or less can be performed with respect to the conventional heat treatment temperature of about 250 ° C. or more, it is possible to use a spin valve head material which cannot be conventionally used. .
【0058】さらに、従来よりも低い低温熱処理プロセ
スとなるので、プロセスのスループットが向上し、コス
ト低減も可能となる。よって、低温熱処理工程を用いた
場合にも層間膜として十分な特性を得ることができ、プ
ロセスのスループットを向上させることができる。Further, since the low-temperature heat treatment process is lower than the conventional one, the throughput of the process is improved, and the cost can be reduced. Therefore, even when the low-temperature heat treatment step is used, sufficient characteristics as an interlayer film can be obtained, and the throughput of the process can be improved.
【0059】すなわち、本発明ではフォトレジストに対
して200℃以下の低温熱処理工程を採用した場合にも
層間膜として十分な特性を得るようにし、層間膜の硬化
が十分となるように通常の露光条件で照射される光の波
長よりもより短波長も含めたブロードな波長源を用いた
装置(高出力紫外線照射装置)を使用して硬化を促進さ
せている。That is, in the present invention, even when a low-temperature heat treatment step of 200 ° C. or less is applied to the photoresist, sufficient characteristics as an interlayer film are obtained, and ordinary exposure is performed so that the interlayer film is sufficiently cured. The curing is promoted by using an apparatus (a high-output ultraviolet irradiation apparatus) using a broad wavelength source including a shorter wavelength than the wavelength of the light irradiated under the condition.
【0060】通常、フォトレジストにはネガ型とポジ型
との2つのタイプがあり、ポジ型においては光照射され
た部分が現像液で除去される。これに対し、ネガ型にお
いては光照射されなかった部分が現像液で除去される。Normally, there are two types of photoresists, a negative type and a positive type. In the positive type, a portion irradiated with light is removed by a developer. On the other hand, in the negative type, the portion not irradiated with light is removed by the developer.
【0061】一方、フォトレジストの架橋密度は光照射
によって向上するが、ポジ型フォトレジストでこの効果
を得るためには再度光照射を行わなければならない等と
いう理由でプロセス増となったり、また架橋密度の点で
大きな効果が得られなかったりしている。On the other hand, the cross-linking density of the photoresist is improved by light irradiation. However, in order to obtain this effect with a positive photoresist, the light irradiation must be performed again to increase the process, or the cross-linking density may be increased. A large effect cannot be obtained in terms of density.
【0062】しかしながら、本発明ではネガ型フォトレ
ジストを用いているので、層間膜のうち必要な部分に光
照射を行い、光照射されなかった部分を現像液で除去す
ればよいため、架橋密度の向上のために再度光照射を行
う必要がない。However, in the present invention, since a negative photoresist is used, a necessary portion of the interlayer film may be irradiated with light, and the unexposed portion may be removed with a developing solution. There is no need to perform light irradiation again for improvement.
【0063】よって、プロセスのスループットを向上さ
せることができ、しかもネガ型フォトレジストの熱処理
が200℃以下の低温熱処理となるので、温度に対する
安定性が十分でないスピンバルブヘッド材料を使用する
ことが可能となり、低温熱処理工程を用いた場合にも層
間膜として十分な特性を得ることができる。Therefore, the throughput of the process can be improved, and the heat treatment of the negative photoresist is a low-temperature heat treatment of 200 ° C. or less, so that it is possible to use a spin valve head material having insufficient temperature stability. Thus, even when a low-temperature heat treatment step is used, sufficient characteristics as an interlayer film can be obtained.
【0064】尚、請求項の記載に関連して本発明はさら
に次の態様をとりうる。The present invention can further take the following aspects in connection with the description of the claims.
【0065】(1)磁気回路をなす下部磁性体及び上部
磁性体と、前記下部磁性体と前記上部磁性体との間に挟
み込まれたコイルと、前記下部磁性体と前記上部磁性体
との間に前記コイルとともに挟み込まれかつ光照射によ
って硬化するネガ型のフォトレジストからなる焼き締め
フォトレジスト層とを有し、前記ネガ型のフォトレジス
トが、1,2,5,6,9,10−ヘキサブロモシクロ
ドデカン及びその異性体、類似体、同族体及び残留化合
物を含有していることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。(1) A lower magnetic body and an upper magnetic body forming a magnetic circuit, a coil sandwiched between the lower magnetic body and the upper magnetic body, and a coil between the lower magnetic body and the upper magnetic body. A hardened photoresist layer made of a negative photoresist sandwiched between the coil and cured by light irradiation, wherein the negative photoresist is 1,2,5,6,9,10-hexa. A thin-film magnetic head comprising bromocyclododecane and its isomers, analogs, homologues and residual compounds.
【0066】(2)前記ネガ型のフォトレジストは、少
なくとも電子線及び高圧水銀ランプのうちの一方の光を
用いて短波長の光照射及びブロードな光照射のうちの一
方により前記光照射が行われるようにしたことを特徴と
する(1)記載の薄膜磁気ヘッド。(2) The negative photoresist is irradiated with at least one of an electron beam and a high-pressure mercury lamp by one of short-wavelength light irradiation and broad light irradiation. (1) The thin-film magnetic head according to (1).
【0067】(3)前記ネガ型のフォトレジストは、前
記焼き締めフォトレジスト層の先端角が予め設定した所
定角度となるように形成された転写パターンを有するマ
スクを押付けて前記光照射が行われるようにしたことを
特徴とする(1)または(2)記載の薄膜磁気ヘッド。(3) The light irradiation is performed on the negative type photoresist by pressing a mask having a transfer pattern formed such that the tip angle of the hardened photoresist layer becomes a predetermined angle set in advance. The thin-film magnetic head according to (1) or (2), wherein:
【0068】(4)磁気回路をなす下部磁性体と上部磁
性体との間にコイル及び焼き締めフォトレジスト層が挟
み込まれた構造を有する薄膜磁気ヘッドの製造方法であ
って、前記下部磁性体を形成する工程と、光照射によっ
て硬化するネガ型のフォトレジストを前記下部磁性体上
に塗布する工程と、予め設定されたパターンのマスクを
介して前記ネガ型のフォトレジストに前記光照射を行う
工程と、前記光照射が行われたネガ型のフォトレジスト
を加熱処理して前記焼き締めフォトレジスト層を形成す
る工程と、前記焼き締めフォトレジスト層上に前記コイ
ルを形成する工程と、前記ネガ型のフォトレジストを前
記コイル上に塗布する工程と、前記マスクを介して前記
ネガ型のフォトレジストに前記光照射を行う工程と、前
記光照射が行われたネガ型のフォトレジストを加熱処理
して前記焼き締めフォトレジスト層を形成する工程と、
前記焼き締めフォトレジスト層上に前記上部磁性体を形
成する工程とからなり、前記ネガ型のフォトレジスト
が、1,2,5,6,9,10−ヘキサブロモシクロド
デカン及びその異性体、類似体、同族体及び残留化合物
を含有していることを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造
方法。(4) A method of manufacturing a thin-film magnetic head having a structure in which a coil and a hardened photoresist layer are sandwiched between a lower magnetic body and an upper magnetic body forming a magnetic circuit, wherein the lower magnetic body is Forming, applying a negative photoresist that is cured by light irradiation on the lower magnetic body, and performing the light irradiation on the negative photoresist through a mask having a predetermined pattern. Heat-treating the light-irradiated negative-type photoresist to form the baked photoresist layer; forming the coil on the baked photoresist layer; Applying the photoresist on the coil, performing the light irradiation on the negative photoresist through the mask, and performing the light irradiation. A step of forming the baked clamping photoresist layer by heat treatment of negative photoresist,
Forming the upper magnetic material on the hardened photoresist layer, wherein the negative photoresist is 1,2,5,6,9,10-hexabromocyclododecane and its isomers, A method for manufacturing a thin-film magnetic head, comprising a magnetic body, a homologue and a residual compound.
【0069】(5)前記光照射を行う工程は、少なくと
も電子線及び高圧水銀ランプのうちの一方の光を用いて
短波長の光照射及びブロードな光照射のうちの一方によ
り前記光照射を行うようにしたことを特徴とする(4)
記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。(5) In the step of performing the light irradiation, the light irradiation is performed by one of short-wavelength light irradiation and broad light irradiation using at least one of an electron beam and a high-pressure mercury lamp. (4)
The manufacturing method of the thin film magnetic head according to the above.
【0070】(6)前記光照射を行う工程は、前記焼き
締めフォトレジスト層の先端角が予め設定した所定角度
となるように形成された転写パターンを有するマスクを
前記ネガ型のフォトレジスト上に押付けて前記光照射を
行うようにしたことを特徴とする(4)または(5)記
載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。(6) In the step of performing the light irradiation, a mask having a transfer pattern formed so that the tip angle of the hardened photoresist layer becomes a predetermined angle is set on the negative photoresist. The method of manufacturing a thin-film magnetic head according to (4) or (5), wherein the light irradiation is performed by pressing.
【0071】(7)磁気回路をなす下部磁性体及び上部
磁性体と、前記下部磁性体と前記上部磁性体との間に挟
み込まれたコイルと、前記下部磁性体と前記上部磁性体
との間に前記コイルとともに挟み込まれかつ光照射によ
って硬化するネガ型のフォトレジストからなる焼き締め
フォトレジスト層とを有し、前記ネガ型のフォトレジス
トが、1,10−ジブロモドデカン及びその異性体、類
似体、同族体及び残留化合物を含有していることを特徴
とする薄膜磁気ヘッド。(7) A lower magnetic body and an upper magnetic body forming a magnetic circuit, a coil interposed between the lower magnetic body and the upper magnetic body, and a coil between the lower magnetic body and the upper magnetic body. A hardened photoresist layer made of a negative photoresist that is sandwiched together with the coil and cured by light irradiation, wherein the negative photoresist is 1,10-dibromododecane and its isomers and analogs And a homologue and a residual compound.
【0072】(8)前記ネガ型のフォトレジストは、少
なくとも電子線及び高圧水銀ランプのうちの一方の光を
用いて短波長の光照射及びブロードな光照射のうちの一
方により前記光照射が行われるようにしたことを特徴と
する(7)記載の薄膜磁気ヘッド。(8) The negative photoresist is irradiated with at least one of an electron beam and a high-pressure mercury lamp by one of short-wavelength light irradiation and broad light irradiation. (7) The thin film magnetic head according to (7).
【0073】(9)前記ネガ型のフォトレジストは、前
記焼き締めフォトレジスト層の先端角が予め設定した所
定角度となるように形成された転写パターンを有するマ
スクを押付けて前記光照射が行われるようにしたことを
特徴とする(7)または(8)記載の薄膜磁気ヘッド。(9) The light irradiation is performed on the negative photoresist by pressing a mask having a transfer pattern formed so that the tip angle of the hardened photoresist layer becomes a predetermined angle set in advance. The thin-film magnetic head according to (7) or (8), characterized in that:
【0074】(10)磁気回路をなす下部磁性体と上部
磁性体との間にコイル及び焼き締めフォトレジスト層が
挟み込まれた構造を有する薄膜磁気ヘッドの製造方法で
あって、前記下部磁性体を形成する工程と、光照射によ
って硬化するネガ型のフォトレジストを前記下部磁性体
上に塗布する工程と、予め設定されたパターンのマスク
を介して前記ネガ型のフォトレジストに前記光照射を行
う工程と、前記光照射が行われたネガ型のフォトレジス
トを加熱処理して前記焼き締めフォトレジスト層を形成
する工程と、前記焼き締めフォトレジスト層上に前記コ
イルを形成する工程と、前記ネガ型のフォトレジストを
前記コイル上に塗布する工程と、前記マスクを介して前
記ネガ型のフォトレジストに前記光照射を行う工程と、
前記光照射が行われたネガ型のフォトレジストを加熱処
理して前記焼き締めフォトレジスト層を形成する工程
と、前記焼き締めフォトレジスト層上に前記上部磁性体
を形成する工程とからなり、前記ネガ型のフォトレジス
トが、1,10−ジブロモドデカン及びその異性体、類
似体、同族体及び残留化合物を含有していることを特徴
とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。(10) A method for manufacturing a thin film magnetic head having a structure in which a coil and a hardened photoresist layer are sandwiched between a lower magnetic body and an upper magnetic body forming a magnetic circuit, wherein the lower magnetic body is Forming, applying a negative photoresist that is cured by light irradiation on the lower magnetic body, and performing the light irradiation on the negative photoresist through a mask having a predetermined pattern. Heat-treating the light-irradiated negative-type photoresist to form the baked photoresist layer; forming the coil on the baked photoresist layer; Applying a photoresist on the coil, and irradiating the light to the negative photoresist through the mask,
A step of heat-treating the light-irradiated negative-type photoresist to form the hardened photoresist layer, and a step of forming the upper magnetic material on the hardened photoresist layer, A method for producing a thin film magnetic head, wherein the negative photoresist contains 1,10-dibromododecane and its isomers, analogs, homologues and residual compounds.
【0075】(11)前記光照射を行う工程は、少なく
とも電子線及び高圧水銀ランプのうちの一方の光を用い
て短波長の光照射及びブロードな光照射のうちの一方に
より前記光照射を行うようにしたことを特徴とする(1
0)記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。(11) In the step of performing light irradiation, the light irradiation is performed by one of short-wavelength light irradiation and broad light irradiation using at least one of an electron beam and a high-pressure mercury lamp. (1)
0) The method for manufacturing a thin-film magnetic head according to the above.
【0076】(12)前記光照射を行う工程は、前記焼
き締めフォトレジスト層の先端角が予め設定した所定角
度となるように形成された転写パターンを有するマスク
を前記ネガ型のフォトレジスト上に押付けて前記光照射
を行うようにしたことを特徴とする(10)または(1
1)記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。(12) In the step of irradiating the light, the mask having a transfer pattern formed so that the tip angle of the hardened photoresist layer becomes a predetermined angle is set on the negative photoresist. (10) or (1) wherein the light irradiation is performed by pressing.
1) A method for manufacturing the thin-film magnetic head according to the above.
【0077】(13)磁気回路をなす下部磁性体及び上
部磁性体と、前記下部磁性体と前記上部磁性体との間に
挟み込まれたコイルと、前記下部磁性体と前記上部磁性
体との間に前記コイルとともに挟み込まれかつ光照射に
よって硬化するネガ型のフォトレジストからなる焼き締
めフォトレジスト層とを有し、前記ネガ型のフォトレジ
ストが、1,1−ビス[p−クロロフェニル]−2,2
−ジクロロエタン及びその異性体、類似体、同族体及び
残留化合物を含有していることを特徴とする薄膜磁気ヘ
ッド。(13) A lower magnetic body and an upper magnetic body forming a magnetic circuit, a coil interposed between the lower magnetic body and the upper magnetic body, and a coil between the lower magnetic body and the upper magnetic body. A hardened photoresist layer made of a negative photoresist that is sandwiched together with the coil and cured by light irradiation, wherein the negative photoresist is 1,1-bis [p-chlorophenyl] -2, 2
A thin-film magnetic head comprising dichloroethane and its isomers, analogues, homologues and residual compounds;
【0078】(14)前記ネガ型のフォトレジストは、
少なくとも電子線及び高圧水銀ランプのうちの一方の光
を用いて短波長の光照射及びブロードな光照射のうちの
一方により前記光照射が行われるようにしたことを特徴
とする(13)記載の薄膜磁気ヘッド。(14) The negative type photoresist is
(13) The method according to (13), wherein the light irradiation is performed by at least one of short-wavelength light irradiation and broad light irradiation using at least one of an electron beam and a high-pressure mercury lamp. Thin film magnetic head.
【0079】(15)前記ネガ型のフォトレジストは、
前記焼き締めフォトレジスト層の先端角が予め設定した
所定角度となるように形成された転写パターンを有する
マスクを押付けて前記光照射が行われるようにしたこと
を特徴とする(13)または(14)記載の薄膜磁気ヘ
ッド。(15) The negative type photoresist is
(13) or (14), wherein the light irradiation is performed by pressing a mask having a transfer pattern formed so that the tip angle of the hardened photoresist layer becomes a predetermined angle set in advance. The thin film magnetic head according to the above (1).
【0080】(16)磁気回路をなす下部磁性体と上部
磁性体との間にコイル及び焼き締めフォトレジスト層が
挟み込まれた構造を有する薄膜磁気ヘッドの製造方法で
あって、前記下部磁性体を形成する工程と、光照射によ
って硬化するネガ型のフォトレジストを前記下部磁性体
上に塗布する工程と、予め設定されたパターンのマスク
を介して前記ネガ型のフォトレジストに前記光照射を行
う工程と、前記光照射が行われたネガ型のフォトレジス
トを加熱処理して前記焼き締めフォトレジスト層を形成
する工程と、前記焼き締めフォトレジスト層上に前記コ
イルを形成する工程と、前記ネガ型のフォトレジストを
前記コイル上に塗布する工程と、前記マスクを介して前
記ネガ型のフォトレジストに前記光照射を行う工程と、
前記光照射が行われたネガ型のフォトレジストを加熱処
理して前記焼き締めフォトレジスト層を形成する工程
と、前記焼き締めフォトレジスト層上に前記上部磁性体
を形成する工程とからなり、前記ネガ型のフォトレジス
トが、1,1−ビス[p−クロロフェニル]−2,2−
ジクロロエタン及びその異性体、類似体、同族体及び残
留化合物を含有していることを特徴とする薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法。(16) A method of manufacturing a thin-film magnetic head having a structure in which a coil and a hardened photoresist layer are sandwiched between a lower magnetic material and an upper magnetic material forming a magnetic circuit, wherein the lower magnetic material is Forming, applying a negative photoresist that is cured by light irradiation on the lower magnetic body, and performing the light irradiation on the negative photoresist through a mask having a predetermined pattern. Heat-treating the light-irradiated negative-type photoresist to form the baked photoresist layer; forming the coil on the baked photoresist layer; Applying a photoresist on the coil, and irradiating the light to the negative photoresist through the mask,
A step of heat-treating the light-irradiated negative-type photoresist to form the hardened photoresist layer, and a step of forming the upper magnetic material on the hardened photoresist layer, The negative photoresist is 1,1-bis [p-chlorophenyl] -2,2-
A method for producing a thin-film magnetic head, comprising dichloroethane and its isomers, analogs, homologues and residual compounds.
【0081】(17)前記光照射を行う工程は、少なく
とも電子線及び高圧水銀ランプのうちの一方の光を用い
て短波長の光照射及びブロードな光照射のうちの一方に
より前記光照射を行うようにしたことを特徴とする(1
6)記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。(17) In the light irradiation step, the light irradiation is performed by one of short-wavelength light irradiation and broad light irradiation using at least one of an electron beam and a high-pressure mercury lamp. (1)
6) The method for manufacturing a thin film magnetic head according to the above.
【0082】(18)前記光照射を行う工程は、前記焼
き締めフォトレジスト層の先端角が予め設定した所定角
度となるように形成された転写パターンを有するマスク
を前記ネガ型のフォトレジスト上に押付けて前記光照射
を行うようにしたことを特徴とする(16)または(1
7)記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。(18) In the step of irradiating the light, the mask having a transfer pattern formed so that the tip angle of the hardened photoresist layer becomes a predetermined angle is set on the negative photoresist. (16) or (1), wherein the light irradiation is performed by pressing.
7) The method for manufacturing a thin-film magnetic head according to the above.
【0083】(19)磁気回路をなす下部磁性体及び上
部磁性体と、前記下部磁性体と前記上部磁性体との間に
挟み込まれたコイルと、前記下部磁性体と前記上部磁性
体との間に前記コイルとともに挟み込まれかつ光照射に
よって硬化するネガ型のフォトレジストからなる焼き締
めフォトレジスト層とを有し、前記ネガ型のフォトレジ
ストが、1,1−ビス[p−クロロフェニル]−2,2
−ジクロロエチレン及びその異性体、類似体、同族体及
び残留化合物を含有していることを特徴とする薄膜磁気
ヘッド。(19) A lower magnetic body and an upper magnetic body forming a magnetic circuit, a coil sandwiched between the lower magnetic body and the upper magnetic body, and a coil between the lower magnetic body and the upper magnetic body. A hardened photoresist layer made of a negative photoresist that is sandwiched together with the coil and cured by light irradiation, wherein the negative photoresist is 1,1-bis [p-chlorophenyl] -2, 2
A thin-film magnetic head comprising dichloroethylene and its isomers, analogues, homologues and residual compounds.
【0084】(20)前記ネガ型のフォトレジストは、
少なくとも電子線及び高圧水銀ランプのうちの一方の光
を用いて短波長の光照射及びブロードな光照射のうちの
一方により前記光照射が行われるようにしたことを特徴
とする(19)記載の薄膜磁気ヘッド。(20) The negative type photoresist is
(19) The method according to (19), wherein the light irradiation is performed by one of short-wavelength light irradiation and broad light irradiation using at least one of an electron beam and a high-pressure mercury lamp. Thin film magnetic head.
【0085】(21)前記ネガ型のフォトレジストは、
前記焼き締めフォトレジスト層の先端角が予め設定した
所定角度となるように形成された転写パターンを有する
マスクを押付けて前記光照射が行われるようにしたこと
を特徴とする(19)または(20)記載の薄膜磁気ヘ
ッド。(21) The negative type photoresist is
(19) or (20) wherein the light irradiation is performed by pressing a mask having a transfer pattern formed so that a tip angle of the hardened photoresist layer becomes a preset predetermined angle. The thin film magnetic head according to the above (1).
【0086】(22)磁気回路をなす下部磁性体と上部
磁性体との間にコイル及び焼き締めフォトレジスト層が
挟み込まれた構造を有する薄膜磁気ヘッドの製造方法で
あって、前記下部磁性体を形成する工程と、光照射によ
って硬化するネガ型のフォトレジストを前記下部磁性体
上に塗布する工程と、予め設定されたパターンのマスク
を介して前記ネガ型のフォトレジストに前記光照射を行
う工程と、前記光照射が行われたネガ型のフォトレジス
トを加熱処理して前記焼き締めフォトレジスト層を形成
する工程と、前記焼き締めフォトレジスト層上に前記コ
イルを形成する工程と、前記ネガ型のフォトレジストを
前記コイル上に塗布する工程と、前記マスクを介して前
記ネガ型のフォトレジストに前記光照射を行う工程と、
前記光照射が行われたネガ型のフォトレジストを加熱処
理して前記焼き締めフォトレジスト層を形成する工程
と、前記焼き締めフォトレジスト層上に前記上部磁性体
を形成する工程とからなり、前記ネガ型のフォトレジス
トが、1,1−ビス[p−クロロフェニル]−2,2−
ジクロロエチレン及びその異性体、類似体、同族体及び
残留化合物を含有していることを特徴とする薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法。(22) A method of manufacturing a thin film magnetic head having a structure in which a coil and a hardened photoresist layer are sandwiched between a lower magnetic body and an upper magnetic body forming a magnetic circuit, wherein the lower magnetic body is Forming, applying a negative photoresist that is cured by light irradiation on the lower magnetic body, and performing the light irradiation on the negative photoresist through a mask having a predetermined pattern. Heat-treating the light-irradiated negative-type photoresist to form the baked photoresist layer; forming the coil on the baked photoresist layer; Applying a photoresist on the coil, and irradiating the light to the negative photoresist through the mask,
A step of heat-treating the light-irradiated negative-type photoresist to form the hardened photoresist layer, and a step of forming the upper magnetic material on the hardened photoresist layer, The negative photoresist is 1,1-bis [p-chlorophenyl] -2,2-
A method for producing a thin-film magnetic head, comprising dichloroethylene and its isomers, analogs, homologues and residual compounds.
【0087】(23)前記光照射を行う工程は、少なく
とも電子線及び高圧水銀ランプのうちの一方の光を用い
て短波長の光照射及びブロードな光照射のうちの一方に
より前記光照射を行うようにしたことを特徴とする(2
2)記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。(23) In the light irradiation step, the light irradiation is performed by one of short-wavelength light irradiation and broad light irradiation using at least one of an electron beam and a high-pressure mercury lamp. (2)
2) The method for manufacturing a thin-film magnetic head according to the above.
【0088】(24)前記光照射を行う工程は、前記焼
き締めフォトレジスト層の先端角が予め設定した所定角
度となるように形成された転写パターンを有するマスク
を前記ネガ型のフォトレジスト上に押付けて前記光照射
を行うようにしたことを特徴とする(22)または(2
3)記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。(24) The step of irradiating the light is performed by placing a mask having a transfer pattern formed such that the tip angle of the hardened photoresist layer is at a predetermined angle set in advance on the negative photoresist. (22) or (2) wherein the light irradiation is performed by pressing.
3) The method for manufacturing a thin film magnetic head according to the above.
【0089】(25)磁気回路をなす下部磁性体及び上
部磁性体と、前記下部磁性体と前記上部磁性体との間に
挟み込まれたコイルと、前記下部磁性体と前記上部磁性
体との間に前記コイルとともに挟み込まれかつ光照射に
よって硬化するネガ型のフォトレジストからなる焼き締
めフォトレジスト層とを有し、前記ネガ型のフォトレジ
ストが、1,2,3,4,5,6−ヘキサクロロシクロ
ロヘキサン及びその異性体、類似体、同族体及び残留化
合物を含有していることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。(25) A lower magnetic body and an upper magnetic body forming a magnetic circuit, a coil sandwiched between the lower magnetic body and the upper magnetic body, and a coil between the lower magnetic body and the upper magnetic body. And a baking photoresist layer made of a negative photoresist that is sandwiched together with the coil and cured by light irradiation, wherein the negative photoresist is 1,2,3,4,5,6-hexachloro A thin-film magnetic head comprising cyclochlorohexane and its isomers, analogs, homologues and residual compounds.
【0090】(26)前記ネガ型のフォトレジストは、
少なくとも電子線及び高圧水銀ランプのうちの一方の光
を用いて短波長の光照射及びブロードな光照射のうちの
一方により前記光照射が行われるようにしたことを特徴
とする(25)記載の薄膜磁気ヘッド。(26) The negative type photoresist is
(25) The method according to (25), wherein the light irradiation is performed by one of short-wavelength light irradiation and broad light irradiation using at least one of an electron beam and a high-pressure mercury lamp. Thin film magnetic head.
【0091】(27)前記ネガ型のフォトレジストは、
前記焼き締めフォトレジスト層の先端角が予め設定した
所定角度となるように形成された転写パターンを有する
マスクを押付けて前記光照射が行われるようにしたこと
を特徴とする(25)または(26)記載の薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法。(27) The negative type photoresist is
(25) or (26) wherein the light irradiation is performed by pressing a mask having a transfer pattern formed so that the tip angle of the hardened photoresist layer becomes a predetermined angle set in advance. A) manufacturing method of the thin film magnetic head described in the above.
【0092】(28)磁気回路をなす下部磁性体と上部
磁性体との間にコイル及び焼き締めフォトレジスト層が
挟み込まれた構造を有する薄膜磁気ヘッドの製造方法で
あって、前記下部磁性体を形成する工程と、光照射が行
われたネガ型のフォトレジストを前記下部磁性体上に塗
布する工程と、予め設定されたパターンのマスクを介し
て前記ネガ型のフォトレジストに前記光照射を行う工程
と、前記光照射が行われたネガ型のフォトレジストを加
熱処理して前記焼き締めフォトレジスト層を形成する工
程と、前記焼き締めフォトレジスト層上に前記コイルを
形成する工程と、前記ネガ型のフォトレジストを前記コ
イル上に塗布する工程と、前記マスクを介して前記ネガ
型のフォトレジストに前記光照射を行う工程と、前記光
照射によって硬化したネガ型のフォトレジストを加熱処
理して前記焼き締めフォトレジスト層を形成する工程
と、前記焼き締めフォトレジスト層上に前記上部磁性体
を形成する工程とからなり、前記ネガ型のフォトレジス
トが、1,2,3,4,5,6−ヘキサクロロシクロロ
ヘキサン及びその異性体、類似体、同族体及び残留化合
物を含有していることを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製
造方法。(28) A method of manufacturing a thin-film magnetic head having a structure in which a coil and a hardened photoresist layer are sandwiched between a lower magnetic body and an upper magnetic body forming a magnetic circuit, wherein the lower magnetic body is Forming, applying light-irradiated negative-type photoresist on the lower magnetic body, and performing the light-irradiation on the negative-type photoresist through a mask having a preset pattern. A step of heat-treating the light-irradiated negative photoresist to form the hardened photoresist layer; a step of forming the coil on the hardened photoresist layer; Applying a photoresist of a mold on the coil, performing the light irradiation on the negative photoresist through the mask, and curing by the light irradiation. Heating the negative photoresist to form the hardened photoresist layer, and forming the upper magnetic material on the hardened photoresist layer, wherein the negative photoresist is , 1,2,3,4,5,6-hexachlorocyclohexane and its isomers, analogs, homologues and residual compounds.
【0093】(29)前記光照射を行う工程は、少なく
とも電子線及び高圧水銀ランプのうちの一方の光を用い
て短波長の光照射及びブロードな光照射のうちの一方に
より前記光照射を行うようにしたことを特徴とする(2
8)記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。(29) In the light irradiation step, the light irradiation is performed by one of short-wavelength light irradiation and broad light irradiation using at least one of an electron beam and a high-pressure mercury lamp. (2)
8) The method for manufacturing a thin-film magnetic head according to the above.
【0094】(30)前記光照射を行う工程は、前記焼
き締めフォトレジスト層の先端角が予め設定した所定角
度となるように形成された転写パターンを有するマスク
を前記ネガ型のフォトレジスト上に押付けて前記光照射
を行うようにしたことを特徴とする(28)または(2
9)記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。(30) In the step of irradiating the light, the mask having a transfer pattern formed so that the tip angle of the hardened photoresist layer becomes a predetermined angle is set on the negative photoresist. (28) or (2), wherein the light irradiation is performed by pressing.
9) The method for manufacturing a thin film magnetic head according to the above.
【0095】[0095]
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、磁
気回路をなす下部磁性体と上部磁性体との間にコイルと
ともに挟み込まれる焼き締めフォトレジスト層に光照射
によって硬化するネガ型のフォトレジストを用いること
によって、低温熱処理工程を用いた場合にも層間膜とし
て十分な特性を得ることができ、プロセスのスループッ
トを向上させることができるという効果がある。As described above, according to the present invention, a negative photoresist hardened by light irradiation on a hardened photoresist layer sandwiched with a coil between a lower magnetic material and an upper magnetic material forming a magnetic circuit. By using a resist, sufficient characteristics can be obtained as an interlayer film even when a low-temperature heat treatment step is used, and there is an effect that the throughput of the process can be improved.
【図1】本発明の一実施例を示す構成図である。FIG. 1 is a configuration diagram showing one embodiment of the present invention.
【図2】本発明の一実施例による薄膜磁気ヘッドの製造
工程を示す図である。FIG. 2 is a diagram showing a manufacturing process of the thin-film magnetic head according to one embodiment of the present invention.
【図3】本発明の他の実施例による薄膜磁気ヘッドの製
造工程を示す図である。FIG. 3 is a diagram showing a manufacturing process of a thin-film magnetic head according to another embodiment of the present invention.
【図4】本発明の別の実施例による薄膜磁気ヘッドの製
造工程を示す図である。FIG. 4 is a diagram showing a manufacturing process of a thin-film magnetic head according to another embodiment of the present invention.
【図5】(a)は従来例におけるフォトレジストへの光
照射の工程を示す図、(b)はフォトレジストに対して
熱処理を行って層間絶縁膜を形成する工程を示す図であ
る。FIG. 5A is a diagram showing a process of irradiating a photoresist with light in a conventional example, and FIG. 5B is a diagram showing a process of forming an interlayer insulating film by performing a heat treatment on the photoresist.
1 基板 2 保護膜 3 下シールド 4 読取り用MR部 5 絶縁膜 6 共通ポール 7 ネガ型フォトレジスト 8 コイル 9 絶縁層パターンマスク DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate 2 Protective film 3 Lower shield 4 MR part for reading 5 Insulating film 6 Common pole 7 Negative photoresist 8 Coil 9 Insulating layer pattern mask
Claims (8)
体と、前記下部磁性体と前記上部磁性体との間に挟み込
まれたコイルと、前記下部磁性体と前記上部磁性体との
間に前記コイルとともに挟み込まれかつ光照射によって
硬化するネガ型のフォトレジストからなる焼き締めフォ
トレジスト層とを有することを特徴とする薄膜磁気ヘッ
ド。A lower magnetic body and an upper magnetic body that form a magnetic circuit; a coil interposed between the lower magnetic body and the upper magnetic body; and a coil between the lower magnetic body and the upper magnetic body. A thin-film magnetic head comprising a negative-working photoresist layer sandwiched between the coil and cured by light irradiation.
nm付近に最大吸収を持つ1,1−ビス[p−クロロフ
ェニル]−2,2,2−トリクロロエタン及びその異性
体、類似体、同族体及び残留化合物を0.1〜5%含有
していることを特徴とする請求項1記載の薄膜磁気ヘッ
ド。2. The method of claim 2, wherein the negative photoresist is 250
0.1 to 5% of 1,1-bis [p-chlorophenyl] -2,2,2-trichloroethane and its isomers, analogs, homologues and residual compounds having a maximum absorption near nm. 2. The thin film magnetic head according to claim 1, wherein:
とも電子線及び高圧水銀ランプのうちの一方の光を用い
て短波長の光照射及びブロードな光照射のうちの一方に
より前記光照射が行われるようにしたことを特徴とする
請求項1または請求項2記載の薄膜磁気ヘッド。3. The light irradiation of the negative photoresist is performed by one of short-wavelength light irradiation and broad light irradiation using at least one of an electron beam and a high-pressure mercury lamp. 3. The thin film magnetic head according to claim 1, wherein
き締めフォトレジスト層の先端角が予め設定した所定角
度となるように形成された転写パターンを有するマスク
を押付けて前記光照射が行われるようにしたことを特徴
とする請求項1から請求項3のいずれか記載の薄膜磁気
ヘッド。4. The light irradiation of the negative type photoresist is performed by pressing a mask having a transfer pattern formed such that a tip angle of the baking-resist photoresist layer is set to a predetermined angle. 4. The thin-film magnetic head according to claim 1, wherein:
との間にコイル及び焼き締めフォトレジスト層が挟み込
まれた構造を有する薄膜磁気ヘッドの製造方法であっ
て、前記下部磁性体を形成する工程と、光照射によって
硬化するネガ型のフォトレジストを前記下部磁性体上に
塗布する工程と、予め設定されたパターンのマスクを介
して前記ネガ型のフォトレジストに前記光照射を行う工
程と、前記光照射が行われたネガ型のフォトレジストを
加熱処理して前記焼き締めフォトレジスト層を形成する
工程と、前記焼き締めフォトレジスト層上に前記コイル
を形成する工程と、前記ネガ型のフォトレジストを前記
コイル上に塗布する工程と、前記マスクを介して前記ネ
ガ型のフォトレジストに前記光照射を行う工程と、前記
光照射が行われたネガ型のフォトレジストを加熱処理し
て前記焼き締めフォトレジスト層を形成する工程と、前
記焼き締めフォトレジスト層上に前記上部磁性体を形成
する工程とからなることを特徴とする薄膜磁気ヘッドの
製造方法。5. A method of manufacturing a thin-film magnetic head having a structure in which a coil and a hardened photoresist layer are sandwiched between a lower magnetic body and an upper magnetic body forming a magnetic circuit, wherein the lower magnetic body is formed. And applying a negative photoresist that is cured by light irradiation on the lower magnetic body, and performing the light irradiation on the negative photoresist through a mask having a preset pattern. Heat-treating the light-irradiated negative-type photoresist to form the baked photoresist layer; forming the coil on the baked photoresist layer; and Applying a photoresist on the coil, applying the light to the negative photoresist through the mask, and applying the light to the negative. Manufacturing a thin-film magnetic head, comprising: a step of heat-treating a photoresist of a mold to form the hardened photoresist layer; and a step of forming the upper magnetic body on the hardened photoresist layer. Method.
nm付近に最大吸収を持つ1,1−ビス[p−クロロフ
ェニル]−2,2,2−トリクロロエタン及びその異性
体、類似体、同族体及び残留化合物を0.1〜5%含有
していることを特徴とする請求項5記載の薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法。6. The method of claim 5, wherein the negative photoresist is 250
0.1 to 5% of 1,1-bis [p-chlorophenyl] -2,2,2-trichloroethane and its isomers, analogs, homologues and residual compounds having a maximum absorption near nm. The method for manufacturing a thin-film magnetic head according to claim 5, wherein
子線及び高圧水銀ランプのうちの一方の光を用いて短波
長の光照射及びブロードな光照射のうちの一方により前
記光照射を行うようにしたことを特徴とする請求項5ま
たは請求項6記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。7. The step of performing the light irradiation may include performing the light irradiation by one of short-wavelength light irradiation and broad light irradiation using at least one of an electron beam and a high-pressure mercury lamp. 7. The method of manufacturing a thin-film magnetic head according to claim 5, wherein:
フォトレジスト層の先端角が予め設定した所定角度とな
るように形成された転写パターンを有するマスクを前記
ネガ型のフォトレジスト上に押付けて前記光照射を行う
ようにしたことを特徴とする請求項5から請求項7のい
ずれか記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。8. The step of irradiating the light includes pressing a mask having a transfer pattern formed such that a tip angle of the hardened photoresist layer is set to a predetermined angle on the negative photoresist. The method of manufacturing a thin-film magnetic head according to any one of claims 5 to 7, wherein the light irradiation is performed.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11828597A JP2897829B2 (en) | 1996-05-08 | 1997-05-08 | Thin film magnetic head and method of manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP8-112871 | 1996-05-08 | ||
JP11287196 | 1996-05-08 | ||
JP11828597A JP2897829B2 (en) | 1996-05-08 | 1997-05-08 | Thin film magnetic head and method of manufacturing the same |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH1049824A true JPH1049824A (en) | 1998-02-20 |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7149061B2 (en) | 2001-07-31 | 2006-12-12 | Hitachi, Ltd. | Magnetic head with electro-lapping guide |
-
1997
- 1997-05-08 JP JP11828597A patent/JP2897829B2/en not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7149061B2 (en) | 2001-07-31 | 2006-12-12 | Hitachi, Ltd. | Magnetic head with electro-lapping guide |
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