[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

JPH10313047A - チャッキングの再現性を向上するための技術的手段 - Google Patents

チャッキングの再現性を向上するための技術的手段

Info

Publication number
JPH10313047A
JPH10313047A JP10081767A JP8176798A JPH10313047A JP H10313047 A JPH10313047 A JP H10313047A JP 10081767 A JP10081767 A JP 10081767A JP 8176798 A JP8176798 A JP 8176798A JP H10313047 A JPH10313047 A JP H10313047A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
chamber
electrostatic chuck
wafer
substrate
plasma
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP10081767A
Other languages
English (en)
Inventor
Fred C Redeker
シー． レデカー フレッド
Robert J Steger
ジェイ． ステガー ロバート
Ri Shiichan
リ シーチャン
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Applied Materials Inc
Original Assignee
Applied Materials Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Applied Materials Inc filed Critical Applied Materials Inc
Publication of JPH10313047A publication Critical patent/JPH10313047A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
    • C23C16/4404—Coatings or surface treatment on the inside of the reaction chamber or on parts thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • C23C16/4586—Elements in the interior of the support, e.g. electrodes, heating or cooling devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Jigs For Machine Tools (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 基板のプラズマ式ＣＶＤ処理に用いる静電チ
ャックのチャッキング力の再現性を向上するための方法
と装置を提供すること。 【解決手段】 本発明は、各チャンバクリーニングプロ
セス後に、SiO2等の誘電体層７６で静電チャック３２の
プリコーティングを行うものである。静電チャック３２
上に堆積される均一に固着した誘電体層７６は、チャン
バクリーニング中のチャック表面を覆うカバーウェーハ
の必要性を排除し、より信頼できるウェーハの把持を提
供する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、真空処理チャンバ
内の半導体ウェーハ等の基板保持に関する。より詳細に
は、本発明は、静電チャック上の基板のチャッキング再
現性を向上させる方法と装置とに関する。
【０００２】
【従来の技術】静電チャックは、半導体処理システムに
おけるペデスタル上に個々の基板を保持するのに用いら
れる。静電チャックの一例は米国特許第５，３１５，４
７３号明細書に記載されており、この米国特許明細書の
内容は、本明細書に引用して組み込まれている。静電チ
ャックは普通、少くともひとつの誘電体層と電極とを含
み、これらは、チャンバペデスタル上に配置されるか、
ペデスタルの一体型部分として形成され得る。基板は、
誘電体層と接触して載置され、直流電圧が、電極上に印
加されて、静電引力を生じ、基板を把持する。静電チャ
ックは、低圧チャンバ環境とペデスタル面との間で確立
され得る最大差圧が、基板を堅固に把持するのに不十分
な、あるいは、機械的な基板クランプが望ましくない真
空処理環境内で、特に有効である。
【０００３】静電チャックを、単一誘電体層と電極と同
じ程度に小さいものから形成してもよいが、より代表的
な作業構成は、チャンバペデスタル上に支持されて、基
板を受け取り、支持する薄い積層部材である。積層部材
は、好ましくはメッシュ等の薄い銅部材の電極コアを含
み、この積層部材はポリイミド等の有機材料からなる上
下の誘電体層間に挟まれるのが好ましい。ポリアミド等
の接着材を用いて、電極コアにポリイミド層を取り付け
てもよい。積層部材の下側誘電体層は、通常ポリアミド
等の接着材を用いて、ペデスタルの上面に直に取り付け
られ、上側誘電体層は、基板を受ける平面を形成する。
高電圧電位を電極に供給するために、積層部材の一体型
延長部として形成されるストラップが、ペデスタルの端
部周辺に延び、ペデスタル下部の高電圧コネクタと結合
している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】静電チャックの誘電体
層として有機材料を用いることは、チャックの有効寿命
に固有の限界を生じる。何故なら、ポリイミドを含む有
機材料は、多くのプロセスガスおよびプラズマに対し
て、特に酸素と酸素ベースのプラズマに対して、許容度
が比較的低いからである。誘電体チャックの誘電性部分
の表面積の大部分が、基板によってプラズマから保護さ
れるが、誘電体材料は通常、その有効寿命までプラズマ
に暴露される。
【０００５】繰り返し行われるプラズマプロセス・クリ
ーニングサイクルは最終的に、電極とプラズマとの間で
アークが生じ得る点まで誘電体層を腐食させて、静電チ
ャックの効力を損なう。特に上で言及したもの以外の誘
電体材料も、プロセスガス、クリーニングガス、および
プラズマへの暴露によって悪影響を受けるであろう。例
えば、クオーツ（石英）および二酸化ケイ素等の誘電体
は、CHF3およびCF4プラズマ環境によって腐食する。同
様に、積層部材構造を用いるもの以外のチャック構成
は、プロセスガス、クリーニングガス、およびプラズマ
によって悪影響を受けるかもしれず、その結果、それら
の誘電体層を、アークが電極とプラズマとの間で形成さ
れる点まで腐食させるおそれがある。
【０００６】静電チャックに伴って生じる別の問題に
は、チャック表面で電荷蓄積が生じ得る、ということか
ある。この結果、基板上の把持力は、バイアスが取り除
かれない限り、瞬時には取り除かれない。いくつかの場
合では、この力のうち多くの残留が、クランプ電圧除去
後、３０秒間から６０秒間残留するので、問題である。
ウェーハが取り外し可能となる前に、この電荷を逃がす
のに必要な待ち時間が、システムのスループットを低減
させる。もし、残留電荷力が存在したままで、過度の力
がウェーハを持ち上げるため加えられると、ウェーハが
傷付く恐れがある。
【０００７】デチャッキング（チャッキング解除ないし
は取外し）問題へのひとつの解決手段は、導電性不純物
を有するチャックのセラミック面をドープして、チャッ
クの表面伝導率を増すことであった。表面のドーピング
により、チャッキング電極とウェーハインターフェース
との間で残留電荷がより容易に移動することができる。
この解決法は、チャックの表面状態を、ウェーハに加え
られるチャッキング力の臨界状態にさせる。しかし、チ
ャックの表面状態および特性は、代表的なシステムチャ
ンバ内で用いるプロセスプラズマおよびクリーニング用
プラズマへの暴露によって相当に変化する可能性があ
る。これには更に、誘電体層の劣化が、ウェーハの早ま
った開放に終わる問題がある。
【０００８】従って、静電チャック上の誘電体層の劣化
の結果として直面する問題を排除し、静電チャック上へ
の基板チャッキングの信頼性を向上させる技術のニーズ
が依然として残っている。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、静電チャック
を有する真空チャンバ内の基板を処理し、チャンバクリ
ーニングの間、カバーウェーハの必要性を排除する方法
と装置とを提供する。本発明のひとつの態様では、信頼
性のある基板の把持および解放は、各チャンバクリーニ
ングプロセスの後、誘電体材料を用いて静電チャックの
基板支持面をプリコーティングすることによって提供さ
れる。プリコーティングステップでは、SiO2層等の誘電
体層が、静電チャック上に堆積される。一実施態様で
は、誘電体層が、ドープされたセラミック面上に堆積さ
れる。プリコート層は、普通はチャンバクリーニングサ
イクルに続いて、チャンバ内部の表面をコーティングす
るチャンバシーズニングステップの間に堆積されるのが
好ましい。プリコート層は、後続のチャンバクリーニン
グプロセスの間に除去され、クリーニングプロセスが完
了した後、基板処理を再開する前に再度置かれる。プリ
コート層は、静電チャック上の何れの表面変化もマスキ
ングし、静電チャックの表面全体にわたる概して均一で
一貫した誘電体層を提供することにより、基板の再現可
能な把持および解放を提供する。約１５０℃より高い温
度での静電チャックのプリコーティングが、最も均一な
プリコート層を提供し、従って最も信頼できるウェーハ
の把持および解放を提供する。
【００１０】本発明の上に記載の特徴、利点、および目
的を達成し、詳細に理解できるよう、上で簡単に要約さ
れた本発明のより詳細な説明を、添付図面に示す本発明
の実施形態に沿って行う。
【００１１】しかし、添付図面は、本発明の代表実施形
態だけを示し、従って、その範囲を限定するものではな
く、本発明が、他の等しく効果的な実施形態を認め得る
ことに注意されたい。
【００１２】
【発明の実施の形態】本発明は、処理チャンバ（真空チ
ャンバないしはプラズマチャンバ）内で基板保持に用い
られる静電チャックの作用効果を向上させる方法を提供
する。この方法は、概略的に述べるならば、静電チャッ
クの基板支持面（ウェーハ支持面）上に誘電材料の層を
堆積し、基板をウェーハ支持面上に位置決めし、そして
基板を静電チャックのウェーハ支持面上で保持する間に
処理することを含む。真空チャンバは、誘電体層を堆積
できる化学的気相堆積チャンバであるのが好ましい。好
適なチャンバは、アルティマ(Ultima)チャンバまたはＤ
ｘＺチャンバ等の高密度プラズマチャンバであり、両方
とも、カリフォルニア州、サンタクララのアプライドマ
テリアルズインコーポレイテッドから入手可能である。
シラン、ジクロロシラン、またはテトラエチルオルトシ
リケート（TEOS）等の前駆体プロセスガスは、誘電体層
を堆積するのに用いることができる。静電チャック上に
堆積させる誘電体材料は、定期的に行われるチャンバク
リーニングプロセスの間に除去され、静電チャック上の
別の基板を位置決めする前に再堆積させなければならな
い。各チャンバクリーニングステップ後の誘電体層の再
堆積は、堆積プロセスまたはチャンバクリーニングプロ
セスによって変更されない均一な表面が静電チャック上
に提供されるので、利点となる。
【００１３】本発明は更に、プラズマゾーンを備えるプ
ラズマチャンバと、プラズマゾーン内に基板を保持する
ためのウェーハ支持面を備える静電チャックと、真空シ
ステムとを備える基板処理システムを提供する。処理シ
ステムは更に、一つ以上のプロセスガスの供給源と、プ
ラズマゾーンにプラズマを生じさせるプラズマチャンバ
に連結された一つ以上のＲＦ電源装置と、システムのコ
ンピューター制御を提供するコントローラとを備える。
プロセスステップは、コントローラに連結されるメモリ
によって選択され、そのメモリは、一つ以上のクリーニ
ングガスのプラズマで真空チャンバをクリーニングする
ステップと、誘電体材料の層を静電チャックの基板支持
面上へ直に堆積させるステップと、基板を基板支持面上
へ位置決めするステップと、基板を静電チャックが保持
する間に処理するステップと、真空チャンバから基板を
取り除くステップとを有するプロセスを選択するための
コンピュータ読込可能プログラムコードを備えるコンピ
ュータ使用可能媒体を備える。
【００１４】本発明の方法は、基板と、均一な誘電体層
を堆積できるコンポーネントとを保持するための静電チ
ャックを有する任意の処理チャンバで用いることができ
る。ＨＤＰ−ＣＶＤチャンバないしはＤｘＺチャンバ等
の好適な処理チャンバは、Ｃｅｎｔｕｒａ（商標）プラ
ットホーム上に取り付けられるのが好ましい。以下、本
発明を、ＨＤＰ−ＣＶＤチャンバに関して説明するが、
本発明は、異なる製造業者から入手可能な種々のチャン
バ内で行うことができる。
【００１５】ＨＤＰ−ＣＶＤ処理チャンバは、セラミッ
ク静電チャック内に配設される電極を含み、誘電体材料
のプラズマ式堆積が可能である。プラットホームは、コ
ンピュータ操作式であり、チャンバ内のウェーハ処理に
先立ち各チャンバクリーニングの後、誘電体層で静電チ
ャックの表面をプリコートすることができるよう変更可
能なプログラムコードを含む。
【００１６】［プラットホームコンポーネント］図１
は、本発明に従つて、誘電体材料を用いて静電チャック
をプリコートするようプログラムされたＣｅｎｔｕｒａ
（商標）プラットホームの平面略図である。カセット１
０内に収容された基板は、プラットホームから、第１の
ロードロックチャンバ１２内の第１スリットバルブを介
して、または、第２のロードロックチャンバ１４内の第
２スリットバルブを介して導入され、引き出される。ブ
レード１８を有するロボット１６は、トランスファチャ
ンバ２０内に設置され、ウェーハ２２を、トランスファ
チャンバ２０に取り付けられる種々のチャンバ２４、２
６、２８間で移動させる。チャンバは、マルチスロット
冷却チャンバ２４と、ウェーハ配向チャンバ２６と、そ
れぞれが以下でより詳細に述べるような静電チャックを
含む２つのＨＤＰ−ＣＶＤ処理チャンバ２８とを含む。
マイクロプロセッサーコントローラ３０と関連ソフトウ
ェアは、基板の処理と動きをシステムを介して制御する
ために設けられている。
【００１７】図２は、静電チャック３２と関連するコイ
ル形状寸法を主に示すＨＤＰ−ＣＶＤチャンバ２８の概
略側面図である。チャンバ本体３４は、ひとつ以上のプ
ロセスガスをプラズマゾーン３８に導入するためのひと
つ以上の側面ガス入口３６を有する。ドーム４０は、チ
ャンバ本体３４に取り付けられ、頂部アンテナコイル４
４を受容するための凹形下面を有するチャンバ蓋４２を
支持している。また、チャンバ蓋４２は、プラズマゾー
ン３８へひとつ以上のプロセスガスを導入するための中
央ガス入口４６を有している。側面コイルホルダ４８
は、ドーム４０の周囲側面に取り付けられ、側面アンテ
ナコイル５０を受け入れるための凹形内面を有する。Ｒ
Ｆ電源５２は、ＲＦ電力を頂部アンテナコイル４４に与
え、別のＲＦ電源５４は、ＲＦ電力を側面アンテナコイ
ル５０に与える。代替として、単一のＲＦ電源が、分流
器を介して両コイル４４、５０にＲＦ電力を供給しても
よい。このデュアルコイル構造は、処理されるウェーハ
に適切に合わせられた場合、均一なイオン電流をその表
面にわたって発生させることができる。
【００１８】堆積ガスは、側面ガス入口３６および中央
ガス入口４６の両方を通してチャンバに導入される。タ
ーボポンプ５６、または他の圧送システムは、処理の
間、バルブアセンブリ５８を介してチャンバの外へガス
を排出して、普通は約０．５mTorrから約５０mTorrまで
の、チャンバ内の所望の圧力を維持する。静電チャック
３２は、チャンバ本体３４によって支持されるペデスタ
ル６０上に取り付けられる。リフトピン６２は、ペデス
タル６０および静電チャック３２内の通路を通して移動
し、上昇してロボットブレード１８から基板２２を取り
外し、次いで基板２２を静電チャック３２の上へ降ろ
す。
【００１９】チャンバ本体３４は、アルミニウム製であ
るのが好ましく、ドームは、ＲＦエネルギー透過性であ
るセラミック材料または他の誘電材料でできているのが
好ましい。コイル４４、５０は、銅製、または他の導電
金属製であるのが好ましい。静電チャックは、セラミッ
ク材料製であるのが好ましく、最も好ましくは、より導
電性を高めるよう金属性不純物でドープされて、その上
に生じる何れの電荷集積も分散させる、酸化アルミニウ
ム（Al2O3）製、または窒化アルミニウム（AlN）製であ
る。
【００２０】図３は、チャック内に埋め込まれたＲＦ電
極６４とチャッキング電極６６とを示す静電チャック３
２の概略側面図である。ＲＦ電極６４は、ＲＦ電源６８
に接続されている。チャッキング電極６６は、バイポ―
ラチャッキング電極またはユニポーラチャッキング電極
としてもよく、米国特許第５３１５４７３号明細書に記
載されているように、静電チャック３２上の基板支持面
７０に対して基板を保持する電界を形成する。チャッキ
ング電極は、ＲＦフィルタ７２を介して電源７４に接続
されている。
【００２１】［静電チャックのプリコート］本発明の方
法では、従来のチャンバクリーニングステップの後、イ
ンシトゥー（in-situ：その場）チャンバプリコートス
テップが行われ、図４で示すように静電チャック３２の
基板支持面７０上に誘電体層７６を堆積する。高密度シ
ランプラズマは、SiO2等の、誘電体材料を直接基板支持
面７０上に堆積するのに用いられるのが好ましい。シラ
ン、ジクロロシラン、およびTEOS等の前駆体プロセスガ
スは、本発明において優位に用いられ得る。しかし、他
の誘電体堆積プロセスも本明細書において意図している
ものである。この誘電体層７６は、後続のチャンバクリ
ーニングプロセスによって完全に除去されて、各チャン
バクリーニング後に再堆積されなければならない。
【００２２】プリコート層（誘電体層）７６は、約１０
００オングストローム（０．１μｍ）から約５０００オ
ングストローム（０．５μｍ）の間の厚さであって、使
用するチャッキング電圧によって決定される下限値の厚
さを有するのが好ましい。より大きな厚さは、本質的に
静電チャック内のドープされたセラミック材料を絶縁
し、ウェーハ上の残留電荷が静電チャック３２に分散す
ることを防ぐことができる。しかし、他の厚さが、使用
するチャッキング電圧とバイアス電圧、および、処理中
にウェーハを固定するのに必要な把持力に依存して用い
られてもよい。
【００２３】米国特許第５３１５４７３号のように、ピ
ーク値５００から１０００ボルトの矩形波電圧を用いな
ければならないというよりはむしろ、誘電体（好ましく
はSiO2）の堆積は、ピーク値が約２５０ボルトの矩形波
電圧の使用を許容して、確実にウェーハを把持する。こ
のプリコートステップは、１５０℃を超えるチャック表
面温度で特に有効であることが見出された。この温度範
囲では、プリコート層７６全体のピンホール密度が低
い。
【００２４】［システムコントローラ］ロードロックチ
ャンバ１２、１４と、処理チャンバ２４、２６、２８
と、トランスファチャンバ２０とは、システムコントロ
ーラ３０によって制御される。処理プラットホームは、
好適な実施形態においてはハードディスクドライブであ
る記憶装置に保存されるシステム制御ソフトウェアを実
行するシステムコントローラ３０によって制御される質
量流量制御装置（MFC）およびＲＦ電源装置等のアナロ
グアセンブリを含む。モーターおよび光センサは、ＨＤ
Ｐ−ＣＶＤチャンバ２８内の真空を維持するバルブアセ
ンブリ５８およびポンプ５６等の可動式機械アセンブリ
の位置を移動し、決定するのに用いられる。
【００２５】システムコントローラ３０は、基板処理プ
ラットホームの全ての動作内容を制御し、コントローラ
３０の好適な実施形態には、ハードディスクドライブ、
フロッピーディスクドライブ、およびカードラックが含
まれる。カードラックは、シングルボードコンピュータ
（SBC）と、アナログおよびデジタル入出力ボードと、
インターフェースボードと、ステッパーモーターコント
ローラーボードとを含む。システムコントローラは、ボ
ード、カードケージ、およびコネクタ寸法と形式を規定
するVersa Modular Europeans（VME）基準値に従う。VM
E基準値は、１６ビットデータバスと２４ビットアドレ
スバスとを有するバス構造も規定する。
【００２６】システムコントローラ３０は、ハードディ
スクドライブに記憶されるコンピュータープログラムの
制御下で動作する。コンピュータープログラムは、プロ
セスステップ、ガスの混合、ＲＦ出力レベル、特定プロ
セスの他のパラメーターのシーケンスおよびタイミング
の命令を出す。ユーザーとシステムコントローラー３０
との間のインターフェースは、ＣＲＴモニタとライトペ
ンが一般的である。好適な実施形態では、第２のモニタ
が、システムコントローラ３０に含まれ、第１のモニタ
が、オペレータ用にクリーンルーム壁に取り付けられ、
他のモニタが、サービス技術者用に壁の後ろに取り付け
られている。両モニタは、同時に同じ情報を表示する
が、１本のライトペンだけが、使用可能である。ライト
ペンは、ＣＲＴディスプレイによって発せられた光をペ
ン先端の光センサーで検出する。特定の画面または機能
を選択するには、オペレータは、表示画面の指定区域に
触れ、ペン上のボタンを押す。接触した区域は、そのハ
イライト色を変えるか、あるいは、新しいメニューまた
は画面を表示し、ライトペンと表示画面との間の交信を
一致させる。
【００２７】本発明のプロセスは、例えば、システムコ
ントローラ３０上で実行されるコンピュータープログラ
ム製品４１０を用いて遂行できる。コンピュータープロ
グラムコードは、任意の従来のコンピュータ読取可能プ
ログラム言語、例えば６８０００アセンブラー言語、
Ｃ、Ｃ++、またはPascal等で書くことができる。適切な
プログラムコードは、従来のテキストエディターを用い
て単一ファイルか複数ファイルに入力され、コンピュー
タのメモリシステム等のコンピュータ使用可能媒体に記
憶されるか組み込まれる。入力されたコードテキストが
高水準言語内である場合、コードはコンパイルされ、結
果として生じるコンパイラーコードは、次いで、予めコ
ンパイルされた(precompiled)ウィンドウズライブラリ
ールーチンのオブジェクトコードとリンクする。リンク
され、コンパイルされたオブジェクトコードを実行する
には、システムユーザーは、オブジェクトコードを呼び
出して、コンピューターシステムにメモリ内のコードを
ロードさせ、ＣＰＵがそのコードを読み取り、実行し
て、プログラムに識別されるタスクを行う。
【００２８】図５は、コンピュータープログラム４１０
の階層的な制御構造の実例となるブロック図を示す。ユ
ーザーは、ライトペンインターフェースを用いてＣＲＴ
モニタ上に表示されるメニューまたは画面に応答して、
プロセスセット数とプロセスチャンバ数をプロセスセレ
クターサブルーチン４２０へ入力する。プロセスセット
は、明記されたプロセスを実行するのに必要なプロセス
パラメータのスケジュールセットであり、予め定められ
たセット数によって識別される。プロセスセレクターサ
ブルーチン４２０は、(i)所望のプロセスチャンバと、
(ii)所望のプロセスを実行するため、プロセスチャンバ
を操作するのに必要な所望のプロセスパラメータのセッ
トと、を識別する。特定プロセス実行用のプロセスパラ
メータは、例えば、プロセスガス組成および流量、温
度、圧力、ＲＦバイアス出力レベルおよび磁界出力レベ
ル等のプラズマ条件、冷却ガス圧力、チャンバ壁温度等
のプロセス条件と関連し、ユーザーにレシピの形で提供
される。レシピにより明記されるパラメータは、ライト
ペン/ＣＲＴモニタインターフェースを利用して入力さ
れる。
【００２９】プロセスを監視する信号は、システムコン
トローラのアナログ入力およびデジタル入力ボードによ
って提供され、プロセスを制御する信号は、システムコ
ントローラ３０のアナログ出力およびデジタル出力ボー
ド上に出力される。
【００３０】プロセスシーケンササブルーチン４３０
は、識別されたプロセスチャンバとプロセスパラメータ
のセットをプロセスセレクターサブルーチン４２０から
受け取るための、そして、種々のプロセスチャンバの操
作を制御するためのプログラムコードを備える。複数の
ユーザーが、プロセスセット数とプロセスチャンバ数を
入力することができるか、または、単一ユーザーが、複
数のプロセスチャンバ数を入力することができるので、
シーケンササブルーチン４３０は、選択したプロセスを
所望の順序にスケジューリングするように動作する。シ
ーケンササブルーチン４３０は、(i)チャンバが使用中
であるかを決定するためプロセスチャンバの動作を監視
するステップと、(ii)どのプロセスが使用中のチャンバ
内で実行されているかを決定するステップと、(iii)プ
ロセスチャンバの可使用性と実行されるプロセス形式に
基づいて、所望のプロセスを実行するステップと、を実
行するプログラムコードを含むのが好ましい。プロセス
チャンバを監視する従来の方法は、ポーリング等を用い
ることができる。プロセスが実行されるスケジューリン
グ時、シーケンササブルーチン４３０は、選択されたプ
ロセス用の所望のプロセス状況との比較に用いるプロセ
スチャンバの現在状況、入力要求する各特定ユーザーの
「年（age）」、またはシステムプログラマがスケジュ
ール優先度を決定するために含みたいと望む他の任意の
関連事項、を考慮に入れるように作成することができ
る。
【００３１】シーケンササブルーチン４３０が、どのプ
ロセスチャンバおよびプロセスセットの組合わせが次に
実行されるかを決定すれば、シーケンササブルーチン４
３０は、特定のプロセスセットパラメータを、シーケン
ササブルーチン４３０によって決定されるプロセスセッ
トに従ってプロセスチャンバ内の多重処理タスクを制御
するチャンバマネージャーサブルーチン４４０に通過さ
せることによってプロセスセットの実行を生じる。例え
ば、チャンバマネージャーサブルーチン４４０は、ＨＤ
Ｐ−ＣＶＤプロセスチャンバ２８内のスパッタリングと
ＣＶＤプロセス操作とを制御するためのプログラムコー
ドを備える。チャンバマネージャーサブルーチン４４０
はまた、選択されたプロセスセットを実行するために必
要なチャンバコンポーネントの操作を制御する種々のチ
ャンバコンポーネントサブルーチンの実行も制御する。
チャンバコンポーネントサブルーチンの例には、静電チ
ャック制御サブルーチン４５０、プロセスガス制御サブ
ルーチン４６０、圧力制御サブルーチン４７０、ヒータ
制御サブルーチン４８０、プラズマ制御サブルーチン４
９０がある。当該技術に精通する者は、どのプロセスが
プロセスチャンバ内で実行されるのが望ましいかによっ
て、別のチャンバ制御サブルーチンを含むことができる
と、容易に認めるであろう。
【００３２】動作において、チャンバマネージャーサブ
ルーチン４４０は、実行される特定のプロセスセットに
従い、選択的に、スケジューリングを行うか、プロセス
コンポーネントサブルーチンを呼び出すかをする。チャ
ンバマネージャーサブルーチン４４０は、シーケンササ
ブルーチン４３０が何れのプロセスチャンバおよびプロ
セスセットを次に実行するのかを予定するのと同様の方
法で、プロセスコンポーネントサブルーチンを予定す
る。普通には、チャンバマネージャーサブルーチン４４
０は、どのコンポーネントを作動させる必要があるか
を、実行されるプロセスセット用のプロセスパラメータ
に基づいて決定する種々のチャンバコンポーネントを監
視するステップと、監視ステップと決定ステップとに応
答してチャンバコンポーネントサブルーチンを実行させ
るステップとを含む。
【００３３】特定のチャンバコンポーネントサブルーチ
ンの動作を、ここで図５を参照して説明する。静電チャ
ック制御サブルーチン４５０は、静電チャック３２の基
板支持面（ウェーハ支持面）７０上のウェーハ２２を位
置決めし、把持し、解放するのに用いるチャンバコンポ
ーネントを制御するプログラムコードを有する。ウェー
ハがプロセスチャンバ２８へ装填される時、リフトピン
６２は、ロボットブレード１８からのウェーハを持ち上
げ、ウェーハ支持面７０上へウェーハを降ろす。動作に
おいて、静電チャック制御サブルーチン４５０は、チャ
ンバマネージャーサブルーチン４４０から転送されるプ
ロセスセットパラメータに応答して、チャッキング電極
６６を制御する。
【００３４】プロセスガス制御サブルーチン４６０は、
プロセスガス組成および流量を制御するプログラムコー
ドを有する。プロセスガス制御サブルーチン４６０は、
安全遮断バルブの開／閉位置を制御し、更には所望のガ
ス流量を得るよう質量流量コントローラーを増加／減少
させる。プロセスガス制御サブルーチン４６０は、全て
のチャンバコンポーネントサブルーチンであり、所望の
ガス流量に関するチャンバマネージャーサブルーチンプ
ロセスパラメータから受け取るものとして、チャンバマ
ネージャーサブルーチン４４０によって呼び出される。
普通には、プロセスガス制御サブルーチン４６０は、ガ
ス供給ラインを開き、繰り返して(i)必要な質量流量コ
ントローラーを読み取り、(ii)読取り値をチャンバマネ
ージャーサブルーチン４４０から受け取った所望の流量
と比較し、(iii)必要であれば、ガス供給ラインの流量
を調節することを行うことによって作動する。更に、プ
ロセスガス制御サブルーチン４６０は、不安全な流量に
関してガス流量を監視するステップと、不安全な状態が
検出された場合、安全遮断バルブを作動させるステップ
とを含む。
【００３５】いくつかのプロセスでは、反応性プロセス
ガスがチャンバ内に導入される前に、アルゴン等の不活
性ガスが、チャンバ内に流入されて、チャンバ内の圧力
を安定させる。これらのプロセスでは、プロセスガス制
御サブルーチン４６０は、チャンバ内の圧力を安定させ
るのに必要な時間チャンバ内に不活性ガスを流入させる
ステップを含むようプログラムされ、その後、上で説明
したステップが実行されるようにしている。加えて、プ
ロセスガスが、例えばTEOSのような液体前駆体から蒸発
するものである場合、プロセスガス制御サブルーチン４
６０は、液体前駆体をヘリウム等の搬送ガス内で蒸発さ
せるステップを含むよう書き込まれている。プロセスの
この形式のため、プロセスガス制御サブルーチン４６０
は、搬送ガスおよび液体前駆体の流れを調節する。上記
のように、所望のプロセスガスの流れは、プロセスガス
制御サブルーチン４６０へプロセスパラメータとして伝
達される。更に、プロセスガス制御サブルーチン４６０
は、与えられたプロセスガス流量のための必要値を含む
保存されたテーブルにアクセスすることにより、必要な
搬送ガス流量および液体前駆体流量を得るステップを含
む。必要値が得られると、搬送ガス流量と前駆体液流量
は、監視され、必要値と比較されて、それに応じて調節
される。
【００３６】圧力制御サブルーチン４７０は、チャンバ
内の圧力をバルブアセンブリ５８の開口サイズを調節す
ることによって制御するプログラムコードを備える。絞
り弁の開口サイズは、総プロセスガス流れ、プロセスチ
ャンバのサイズ、圧送設定点圧力、に関して所望のレベ
ルにチャンバ圧力を制御するよう設定されている。圧力
制御サブルーチン４７０が呼び出される時、所望の圧力
レベル、つまりターゲット圧力レベルは、パラメータと
してチャンバマネージャーサブルーチン４４０から受け
取られる。圧力制御サブルーチン４７０は作動して、チ
ャンバに連結される一つ以上の従来の圧力マノメータを
読み取ることによりチャンバ内の圧力を測定し、測定値
をターゲット圧力と比較し、ＰＩＤ（比例、積分、微
分）値をターゲット圧力に対応する保存された圧力テー
ブルから得て、そして、圧力テーブルから得られたＰＩ
Ｄ値に従って絞り弁を調節する。代替として、圧力制御
サブルーチン４７０は、チャンバを所望の圧力に調節す
るために、絞り弁を特定の開口サイズに開閉するよう書
き込まれていてもよい。
【００３７】ヒーター制御サブルーチン４８０は、種々
のチャンバ面を加熱するのに用いる抵抗加熱コイルの温
度を制御するプログラムコードを備える。ヒーター制御
サブルーチン４８０は、チャンバマネージャーサブルー
チン４４０によって呼び出され、ターゲット、つまり設
定点温度パラメータを受け取る。ヒーター制御サブルー
チン４８０は、熱電対の電圧出力を測定することによっ
て温度を測定し、測定温度を設定点温度と比較し、そし
て、加熱コイルに印加される電流を増減して、設定点温
度を得る。温度は、記憶された換算テーブル中の対応温
度を調べることにより測定電圧から得られるか、また
は、四次多項式を用いて温度を計算することによって得
られる。ヒーター制御サブルーチン４８０は、抵抗加熱
コイルに印加する電流の上昇/下降を徐々に制御する。
徐々に上昇/下降させることは、加熱コイルの寿命およ
び信頼性を増す。加えて、内蔵フェイルセイフモード
は、プロセス安全コンプライアンスを検出するよう含む
ことができ、プロセスチャンバが適切にセットアップさ
れていない場合、加熱コイルの動作を遮断できる。
【００３８】プラズマ制御サブルーチン４９０は、チャ
ンバ内のプロセス電極に印加されるＲＦバイアス電圧出
力レベルを設定し、任意に、チャンバ内に生じる磁界レ
ベルを設定するプログラムコードを備える。前記チャン
バコンポーネントサブルーチンと同様に、プラズマ制御
サブルーチン４９０は、チャンバマネージャーサブルー
チン４４０によって呼び出される。
【００３９】図６を参照すると、ＨＰＤ−ＣＶＤチャン
バ２８用のチャンバマネージャー４４０は、チャンバク
リーニング５００に備えるプログラムコードを含む。こ
のクリーニング５００は、上記のような、SiO2のＨＤＰ
−ＣＶＤ堆積等の、誘電体材料を用いる静電チャックの
プリコーティング５０２が後に続けられる。静電チャッ
ク３２をプリコートした後、プログラムコードは、静電
チャック３２上のウェーハの位置決め５０４と、ウェー
ハ上の集積回路の形成に精通する者には既知の方法での
ウェーハの処理５０６とに備える。例えば、SiO2は同時
的に、ウェーハ上へ堆積され、ＨＤＰ−ＣＶＤチャンバ
壁にスパッタされ得て、高アスペクト比のラインまたは
バイア（via）を有するサブハーフミクロンデバイスの
ギャップ充填を高める。ここにおいて、幅に対するギャ
ップ高さの比は、１．２：１より大きい。プログラムコ
ードは、次いでチャンバからのウェーハの取り出し５０
８に備える。多数のウェーハは、チャンバクリーニング
ステップ５００へ戻る前に、位置決め５０４、処理５０
６、取り出し５０８がなされ得る。
【００４０】上記のＣＶＤシステムの説明は、主に実例
を示す目的であり、電極サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）
プラズマＣＶＤデバイス等、他のプラズマＣＶＤ装置
は、処理プラットホーム内でシステムコントローラーの
有無にかかわらず使用できる。加えて、静電チャック設
計およびＲＦ電極の位置における変更等、上記システム
の変更は可能である。
【００４１】以上、本発明の好適な実施形態について述
べたが、本発明の他の、そして更なる実施形態を本発明
の範囲から逸脱することなく創案することができ、それ
らの範囲は特許請求の範囲により定められる。
【図面の簡単な説明】
【図１】ＨＤＰ−ＣＶＤ処理チャンバ内の静電チャック
をプリコートするようプログラムされた、市販のウェー
ハ処理プラットホームの概略平面図である。
【図２】図１のプラットホームに含まれるＨＤＰ−ＣＶ
Ｄ処理チャンバのレイアウトを概略的に示す部分断面側
面図である。
【図３】図２の処理チャンバ内に含まれる静電チャック
の概略側面図である。
【図４】図３の静電チャックの表面上の誘電体材料のプ
リコート層の概略側面図である。
【図５】図１のウェーハ処理プラットホームに関して用
いられるプロセス制御用コンピュータプログラム製品の
フローチャートである。
【図６】ウェーハを処理する前に、誘電体材料を用いる
静電チャックのプリコートを行う場合に採られる好まし
いプロセスステップを示すフローチャートである。
【符号の説明】
２２…ウェーハ（基板）、２８…処理チャンバ（プラズ
マチャンバ、真空チャンバ）、３０…コントローラ、３
２…静電チャック、３８…プラズマゾーン、６０…ペデ
スタル、６４…ＲＦ電極、６６…チャッキング電極、６
８…ＲＦ電源、７０…ウェーハ支持面（基板支持面）、
７２…ＲＦフイルタ、７４…電源、７６…誘電体層。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ロバート ジェイ． ステガー アメリカ合衆国， カリフォルニア州， クパティノ， バール ストリート 22293 (72)発明者 シーチャン リ アメリカ合衆国， カリフォルニア州， クパティノ， ドニントン ドライヴ 1202

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 真空チャンバ内に配設される静電チャッ
    クの表面を準備調整する方法であって、 誘電体層を、前記真空チャンバ内に配置される静電チャ
    ックのウェーハ支持面上に堆積させるステップと、 基板を前記ウェーハ支持面上に位置決めするステップ
    と、 前記基板を、前記静電チャックに保持しつつ処理するス
    テップと、を含む方法。
  2. 【請求項２】 前記誘電体層が、厚さ約１０００オング
    ストローム〜約１５０００オングストロームの酸化物層
    である請求項１に記載の方法。
  3. 【請求項３】 前記酸化物層は、高密度プラズマを用い
    て堆積される請求項２に記載の方法。
  4. 【請求項４】 前記静電チャックは、セラミック材料を
    含み、前記誘電体材料を堆積する時、約１５０℃より高
    い温度に維持される請求項３に記載の方法。
  5. 【請求項５】 前記セラミック材料がドーパント材料を
    含む請求項４に記載の方法。
  6. 【請求項６】 真空チャンバ内に配設される静電チャッ
    クの表面を準備調整する方法であって、 前記真空チャンバを、一つまたはそれ以上のクリーニン
    グガスでクリーニングするステップと、 前記静電チャックの暴露面上に、誘電体層を堆積するス
    テップと、 基板を前記静電チャック上に位置決めするステップと、 前記静電チャック上の前記基板を処理するステップとを
    含む方法。
  7. 【請求項７】 前記誘電体層が、厚さ約１０００オング
    ストローム〜約１５０００オングストロームの酸化物層
    である請求項６に記載の方法。
  8. 【請求項８】 前記酸化物層は、高密度プラズマを用い
    て堆積される請求項７に記載の方法。
  9. 【請求項９】 前記静電チャックは、セラミック材料を
    含み、前記誘電体層を堆積する時、約１５０℃より高い
    温度に維持される請求項８に記載の方法。
  10. 【請求項１０】 プラズマゾーンと、反応ゾーン内でウ
    ェーハを保持するためのウェーハ支持面を有する静電チ
    ャックと、真空システムとを備えるプラズマチャンバ、 前記チャンバに連結されるプロセスガスの供給源、 前記プラズマチャンバに連結されて、前記プラズマゾー
    ン内に高密度プラズマを発生させる一つまたはそれ以上
    のＲＦ電源装置、 前記プラズマチャンバと、前記プロセスガスの供給源
    と、前記ＲＦ電源装置とを制御するためのコンピュータ
    を備えるコントローラー、及び、 前記コントローラーに連結されるメモリを具備するウェ
    ーハ処理システムであって、 前記メモリは、前記真空チャンバをクリーニングガスの
    プラズマでクリーニングするステップと、前記静電チャ
    ックのウェーハ支持面上に誘電体層を堆積するステップ
    と、ウェーハをウェーハ支持面上に位置決めするステッ
    プと、前記ウェーハを、前記静電チャックに保持しつつ
    処理するステップと、前記真空チャンバから前記ウェー
    ハを取り外すステップとを有するプロセスを選択するた
    めのコンピュータ読込可能プログラムコードを含むコン
    ピュータ使用可能媒体を備える、ウェーハ処理システ
    ム。
JP10081767A 1997-03-27 1998-03-27 チャッキングの再現性を向上するための技術的手段 Pending JPH10313047A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US82815497A 1997-03-27 1997-03-27
US08/828154 1997-03-27

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008278576A Division JP4999823B2 (ja) 1997-03-27 2008-10-29 チャッキングの再現性を向上するための技術的手段

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH10313047A true JPH10313047A (ja) 1998-11-24

Family

ID=25251041

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP10081767A Pending JPH10313047A (ja) 1997-03-27 1998-03-27 チャッキングの再現性を向上するための技術的手段
JP2008278576A Expired - Fee Related JP4999823B2 (ja) 1997-03-27 2008-10-29 チャッキングの再現性を向上するための技術的手段

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008278576A Expired - Fee Related JP4999823B2 (ja) 1997-03-27 2008-10-29 チャッキングの再現性を向上するための技術的手段

Country Status (4)

Country Link
US (1) US6858265B2 (ja)
JP (2) JPH10313047A (ja)
KR (1) KR100538134B1 (ja)
TW (1) TW422892B (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002313727A (ja) * 2000-11-20 2002-10-25 Tokyo Electron Ltd 半導体製造装置のクリーニング方法
JP2003051533A (ja) * 2001-08-03 2003-02-21 Hitachi Kokusai Electric Inc 半導体装置の製造方法および基板処理装置
JP2007005381A (ja) * 2005-06-21 2007-01-11 Matsushita Electric Ind Co Ltd プラズマエッチング方法、及びプラズマエッチング装置
JP2009529225A (ja) * 2006-03-03 2009-08-13 ラム リサーチ コーポレーション プラズマ処理チャンバの選択的プレコーティングのための方法及び装置
JP2011517060A (ja) * 2008-02-25 2011-05-26 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド チャンバシーズニングによるプラズマ浸漬イオン注入プロセスおよびウェーハをデチャックするためのシーズニング層のプラズマ放電

Families Citing this family (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7144822B1 (en) * 2002-02-06 2006-12-05 Novellus Systems, Inc. High density plasma process for optimum film quality and electrical results
US7298602B2 (en) * 2003-11-26 2007-11-20 Ge Medical System, Inc. Automated superconducting magnet ramp-up system and method
US7731798B2 (en) * 2004-12-01 2010-06-08 Ultratech, Inc. Heated chuck for laser thermal processing
JP4720266B2 (ja) * 2005-04-08 2011-07-13 東京エレクトロン株式会社 成膜方法、成膜装置及びコンピュータプログラム
US7648582B2 (en) * 2005-12-23 2010-01-19 Lam Research Corporation Cleaning of electrostatic chucks using ultrasonic agitation and applied electric fields
US7732009B2 (en) * 2006-09-26 2010-06-08 United Microelectronics Corp. Method of cleaning reaction chamber, method of forming protection film and protection wafer
US7691755B2 (en) * 2007-05-15 2010-04-06 Applied Materials, Inc. Plasma immersion ion implantation with highly uniform chamber seasoning process for a toroidal source reactor
KR100870567B1 (ko) * 2007-06-27 2008-11-27 삼성전자주식회사 플라즈마를 이용한 이온 도핑 방법 및 플라즈마 이온 도핑장치
JP5632687B2 (ja) 2010-09-10 2014-11-26 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法及び基板処理装置
CN102903613B (zh) * 2011-07-25 2016-05-18 中国科学院微电子研究所 消除接触孔工艺中桥接的方法
JP5807511B2 (ja) * 2011-10-27 2015-11-10 東京エレクトロン株式会社 成膜装置及びその運用方法
JP6273188B2 (ja) * 2013-10-31 2018-01-31 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理方法
JP6275610B2 (ja) * 2014-09-26 2018-02-07 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理方法およびプラズマ処理装置
US10153139B2 (en) * 2015-06-17 2018-12-11 Applied Materials, Inc. Multiple electrode substrate support assembly and phase control system
DE102016206193A1 (de) * 2016-04-13 2017-10-19 Trumpf Gmbh + Co. Kg Elektroadhäsionsgreifer mit fraktalen Elektroden
US10923379B2 (en) * 2017-02-15 2021-02-16 Lam Research Corporation Methods for controlling clamping of insulator-type substrate on electrostatic-type substrate support structure
US11289355B2 (en) 2017-06-02 2022-03-29 Lam Research Corporation Electrostatic chuck for use in semiconductor processing
CN113936997A (zh) * 2017-06-08 2022-01-14 应用材料公司 用于硬掩模及其他图案化应用的高密度低温碳膜
CN111670491A (zh) 2018-01-31 2020-09-15 朗姆研究公司 静电卡盘(esc)基座电压隔离
JP7055031B2 (ja) * 2018-02-16 2022-04-15 東京エレクトロン株式会社 クリーニング方法及びプラズマ処理装置
US11086233B2 (en) * 2018-03-20 2021-08-10 Lam Research Corporation Protective coating for electrostatic chucks
JP7407121B2 (ja) 2018-04-09 2023-12-28 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド パターニング用途のためのカーボンハードマスク及び関連方法
US11682574B2 (en) 2018-12-03 2023-06-20 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck design with improved chucking and arcing performance
KR20210104696A (ko) * 2019-01-15 2021-08-25 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 기판 프로세싱 챔버들을 위한 페디스털
JP2022538455A (ja) 2019-07-01 2022-09-02 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド プラズマカップリング材料の最適化による膜特性の変調
US11607716B1 (en) 2020-06-23 2023-03-21 Kla Corporation Systems and methods for chuck cleaning
US11664214B2 (en) 2020-06-29 2023-05-30 Applied Materials, Inc. Methods for producing high-density, nitrogen-doped carbon films for hardmasks and other patterning applications
US11664226B2 (en) 2020-06-29 2023-05-30 Applied Materials, Inc. Methods for producing high-density carbon films for hardmasks and other patterning applications

Family Cites Families (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0722150B2 (ja) * 1984-03-07 1995-03-08 株式会社日立製作所 プラズマ処理装置
DE3709066A1 (de) * 1986-03-31 1987-10-01 Toshiba Kawasaki Kk Verfahren zum erzeugen eines duennen metallfilms durch chemisches aufdampfen
JPH01315158A (ja) * 1988-06-15 1989-12-20 Seiko Instr Inc 静電チャック
JP2846890B2 (ja) * 1989-04-11 1999-01-13 株式会社日立製作所 表面処理方法および装置
US5429070A (en) * 1989-06-13 1995-07-04 Plasma & Materials Technologies, Inc. High density plasma deposition and etching apparatus
US5300460A (en) * 1989-10-03 1994-04-05 Applied Materials, Inc. UHF/VHF plasma for use in forming integrated circuit structures on semiconductor wafers
JP3157551B2 (ja) * 1990-07-20 2001-04-16 東京エレクトロン株式会社 被処理体用載置装置及びそれを用いた処理装置
JP3238925B2 (ja) * 1990-11-17 2001-12-17 株式会社東芝 静電チャック
US5279865A (en) * 1991-06-28 1994-01-18 Digital Equipment Corporation High throughput interlevel dielectric gap filling process
US5221414A (en) * 1991-07-16 1993-06-22 Micron Technology, Inc. Process and system for stabilizing layer deposition and etch rates while simultaneously maintaining cleanliness in a water processing reaction chamber
US5315473A (en) * 1992-01-21 1994-05-24 Applied Materials, Inc. Isolated electrostatic chuck and excitation method
JPH06232113A (ja) * 1993-02-02 1994-08-19 Fuji Electric Co Ltd 半導体装置用絶縁膜の堆積方法
JP3181473B2 (ja) * 1993-08-19 2001-07-03 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JP3271389B2 (ja) * 1993-09-06 2002-04-02 富士電機株式会社 静電チャックの使用方法
US5454903A (en) * 1993-10-29 1995-10-03 Applied Materials, Inc. Plasma cleaning of a CVD or etch reactor using helium for plasma stabilization
JP3333020B2 (ja) * 1993-10-29 2002-10-07 東京エレクトロン株式会社 処理方法及び処理装置
JPH07169700A (ja) * 1993-12-16 1995-07-04 Sanyo Electric Co Ltd 基板の処理装置
JP2837087B2 (ja) * 1993-12-28 1998-12-14 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 薄膜形成方法
US5668524A (en) * 1994-02-09 1997-09-16 Kyocera Corporation Ceramic resistor and electrostatic chuck having an aluminum nitride crystal phase
JPH07335732A (ja) * 1994-06-14 1995-12-22 Tokyo Electron Ltd 静電チャック、これを用いたプラズマ処理装置及びこの製造方法
JP2813154B2 (ja) * 1994-06-30 1998-10-22 日本碍子株式会社 プラズマ発生電極装置およびプラズマ発生装置
JP3249696B2 (ja) * 1994-11-28 2002-01-21 日新電機株式会社 静電チャックおよびその使用方法
JPH08162518A (ja) * 1994-12-06 1996-06-21 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造装置
US5679215A (en) * 1996-01-02 1997-10-21 Lam Research Corporation Method of in situ cleaning a vacuum plasma processing chamber
US5811356A (en) * 1996-08-19 1998-09-22 Applied Materials, Inc. Reduction in mobile ion and metal contamination by varying season time and bias RF power during chamber cleaning
US5748436A (en) * 1996-10-02 1998-05-05 Advanced Ceramics Corporation Ceramic electrostatic chuck and method
US5712702A (en) * 1996-12-06 1998-01-27 International Business Machines Corporation Method and apparatus for determining chamber cleaning end point
JPH10303286A (ja) * 1997-02-25 1998-11-13 Applied Materials Inc 静電チャック及び半導体製造装置
JP3549188B2 (ja) * 2000-03-27 2004-08-04 日本エー・エス・エム株式会社 半導体基板への薄膜成膜方法

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002313727A (ja) * 2000-11-20 2002-10-25 Tokyo Electron Ltd 半導体製造装置のクリーニング方法
JP2003051533A (ja) * 2001-08-03 2003-02-21 Hitachi Kokusai Electric Inc 半導体装置の製造方法および基板処理装置
JP4700236B2 (ja) * 2001-08-03 2011-06-15 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法および基板処理装置
JP2007005381A (ja) * 2005-06-21 2007-01-11 Matsushita Electric Ind Co Ltd プラズマエッチング方法、及びプラズマエッチング装置
JP2009529225A (ja) * 2006-03-03 2009-08-13 ラム リサーチ コーポレーション プラズマ処理チャンバの選択的プレコーティングのための方法及び装置
JP2011517060A (ja) * 2008-02-25 2011-05-26 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド チャンバシーズニングによるプラズマ浸漬イオン注入プロセスおよびウェーハをデチャックするためのシーズニング層のプラズマ放電

Also Published As

Publication number Publication date
KR100538134B1 (ko) 2006-02-28
TW422892B (en) 2001-02-21
KR19980080767A (ko) 1998-11-25
US6858265B2 (en) 2005-02-22
JP2009105412A (ja) 2009-05-14
US20030180459A1 (en) 2003-09-25
JP4999823B2 (ja) 2012-08-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4999823B2 (ja) チャッキングの再現性を向上するための技術的手段
US6432479B2 (en) Method for in-situ, post deposition surface passivation of a chemical vapor deposited film
US6449521B1 (en) Decontamination of a plasma reactor using a plasma after a chamber clean
JP5061231B2 (ja) 水素含有ラジカルによる未変性酸化物の洗浄
KR100870852B1 (ko) 배면 오염의 저감을 위한 인 시츄 웨이퍼 열처리
US6223685B1 (en) Film to tie up loose fluorine in the chamber after a clean process
US5926743A (en) Process for chlorine trifluoride chamber cleaning
KR100298486B1 (ko) 낮은유전상수이산화실리콘샌드위치층및형성방법
US6471833B2 (en) High etch rate method for plasma etching silicon nitride
KR19990006486A (ko) 최적의 낮은 유전 상수 hdp-cvd 처리를 위한 처방 단계의 시퀀싱
JPH1167746A (ja) Ｈｄｐ−ｃｖｄ装置内の粒子特性を改善するシーズニングプロセスにおける酸素対シランの比の制御
JP4511721B2 (ja) インサイチュプレクリーニングステップを含むウェーハ上のチタン化学気相堆積法
WO1999028527A1 (en) Method and apparatus for forming a metal layer
US20040231795A1 (en) Reduction of hillocks prior to dielectric barrier deposition in Cu damascene
JPH1126399A (ja) Ｃｖｄチャンバ内のアルミニウム蓄積を低減する方法及び装置
US6083569A (en) Discharging a wafer after a plasma process for dielectric deposition
US12100578B2 (en) Substrate processing method
JP2502582B2 (ja) プラズマｃｖｄ装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20050228

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20080205

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20080501

RD03 Notification of appointment of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423

Effective date: 20080501

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20080701

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20081029

A911 Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20081104

A912 Removal of reconsideration by examiner before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912

Effective date: 20081226