JPH10284413A - Substrate processor and substrate processing aligner - Google Patents
Substrate processor and substrate processing alignerInfo
- Publication number
- JPH10284413A JPH10284413A JP11038597A JP11038597A JPH10284413A JP H10284413 A JPH10284413 A JP H10284413A JP 11038597 A JP11038597 A JP 11038597A JP 11038597 A JP11038597 A JP 11038597A JP H10284413 A JPH10284413 A JP H10284413A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- unit
- processing
- heat treatment
- section
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】この発明は、露光処理された
基板を熱処理しその後に現像処理する基板処理装置、お
よび、基板を露光処理する露光装置に関し、特に、化学
増幅型レジストのように露光処理された基板を加熱処理
することによって反応が促進されるレジストを使用した
フォトリソグラフィ工程により、半導体基板等の基板の
処理を行う基板処理装置、および、基板の露光処理を行
う基板処理用露光装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate processing apparatus for heat-treating an exposed substrate and then developing the same, and an exposure apparatus for exposing the substrate, and more particularly, to an exposure apparatus such as a chemically amplified resist. The present invention relates to a substrate processing apparatus for processing a substrate such as a semiconductor substrate by a photolithography process using a resist in which a reaction is accelerated by performing heat treatment on a substrate, and a substrate processing exposure apparatus for performing substrate exposure processing. .
【0002】[0002]
【従来の技術】近年、半導体デバイスの高集積化に伴っ
て回路パターンを高精細化する技術が求められており、
この要求に応えるために、半導体デバイスの製造工程で
化学増幅型レジストを使用することが行われている。こ
の化学増幅型レジストは、それが塗布された基板を所望
のパターンに露光処理することによりレジスト中に含ま
れた光酸発生剤が酸を発生させ、その後、基板を加熱処
理することにより触媒作用をもつ酸が活性化して、レジ
ストの露光部分における架橋反応(ネガ型の場合)また
は分解反応(ポジ型の場合)が促進される、といったも
のである。そして、加熱処理後に基板を冷却処理してレ
ジストの反応を停止させ、その後に基板を現像処理する
ことによりレジストの未反応部分(ネガ型の場合)また
は反応部分(ポジ型の場合)が現像液で溶解除去され、
所望のレジスト膜が得られる。2. Description of the Related Art In recent years, there has been a demand for a technique for increasing the definition of a circuit pattern as semiconductor devices become more highly integrated.
In order to meet this demand, a chemically amplified resist is used in a semiconductor device manufacturing process. This chemically amplified resist is exposed to a desired pattern on a substrate to which the resist is applied, and the photoacid generator contained in the resist generates an acid, and then the substrate is heated to perform a catalytic action. Is activated to promote a crosslinking reaction (in the case of a negative type) or a decomposition reaction (in the case of a positive type) in an exposed portion of the resist. After the heat treatment, the substrate is cooled to stop the reaction of the resist, and then the substrate is developed, so that the unreacted portion (in the case of the negative type) or the reacted portion (in the case of the positive type) of the resist is developed. Dissolved in
A desired resist film is obtained.
【0003】図6に、化学増幅型レジストを使用して基
板の処理を行う従来装置の概略構成例を示す。この例で
は、基板処理装置1と露光装置STとから装置全体が構
成されている。基板処理装置1は、複数枚の基板を収納
可能であるカセット(図示せず)が載置され、処理しよ
うとする基板をカセットから1枚ずつ取り出して搬出す
るとともに、すべての処理を終えた基板を1枚ずつ受け
取って再びカセットに収納するインデクサ部(カセット
ステージ)ID、基板移載用のアームを備えた自走式基
板搬送ロボット(図示せず)が配設された搬送ユニット
TR、基板に対し所定の処理をそれぞれ施す複数の基板
処理部を有する基板処理エリア2、ならびに、露光装置
STとの間で基板の受渡しを行うインタフェース部IF
から構成されている。基板処理エリア2の複数の基板処
理部は、この例では、スピンコータ(図示せず)を備え
たコーティング処理部SC、基板の表面とレジストとの
密着性を良くするためにHMDS(ヘキサメチルジシラ
ザン)の雰囲気下で基板を加熱処理するアドヒージョン
部AH、それぞれホットプレート(図示せず)を備えた
4つの加熱処理部HP1、HP2、HP3、HP4、ホ
ットプレート(図示せず)を備え露光処理された後の基
板を加熱処理(ポストエクスポージャベーク)する加熱
処理部(以下、「ベーク部」という)PEB、それぞれ
クールプレート(図示せず)を備えた4つの冷却処理部
CP1、CP2、CP3、CP4、および、それぞれス
ピンデベロッパ(図示せず)を備えた2つの現像処理部
SD1、SD2である。また、露光装置STは、基板を
露光処理するステッパを備えた露光処理部(図示せず)
を有している。なお、図6では、複数の基板処理部が平
面的に配置されているように描かれているが、アドヒー
ジョン部AH、熱処理部HP1〜HP4およびベーク部
PEBならびに冷却処理部CP1〜CP4は、適宜の
数、上下方向に配置されている(図1および図8におい
ても同じ)。FIG. 6 shows a schematic configuration example of a conventional apparatus for processing a substrate using a chemically amplified resist. In this example, the entire apparatus is composed of the substrate processing apparatus 1 and the exposure apparatus ST. In the substrate processing apparatus 1, a cassette (not shown) capable of storing a plurality of substrates is placed, and a substrate to be processed is taken out of the cassette one by one, carried out, and a substrate on which all the processing is completed. Unit (cassette stage) ID for receiving the sheets one by one and storing them again in a cassette, a transfer unit TR provided with a self-propelled substrate transfer robot (not shown) equipped with a substrate transfer arm, and a substrate. On the other hand, a substrate processing area 2 having a plurality of substrate processing units for performing predetermined processing, and an interface unit IF for transferring a substrate to and from the exposure apparatus ST
It is composed of In this example, the plurality of substrate processing units in the substrate processing area 2 include a coating processing unit SC having a spin coater (not shown), and HMDS (hexamethyldisilazane) for improving the adhesion between the substrate surface and the resist. ), An adhesion section AH for heating the substrate in an atmosphere, four heating sections HP1, HP2, HP3, HP4 each having a hot plate (not shown), and a hot plate (not shown) for exposure processing. (Hereinafter referred to as a “baked part”) PEB for performing a heat treatment (post-exposure baking) on the substrate after the heat treatment, and four cooling processing parts CP1, CP2, CP3 each having a cool plate (not shown). CP4 and two development processing units SD1 and SD2 each having a spin developer (not shown). The exposure apparatus ST includes an exposure processing unit (not shown) including a stepper for performing exposure processing on the substrate.
have. In FIG. 6, a plurality of substrate processing units are depicted as being arranged in a plane, but the adhesion unit AH, the heat treatment units HP1 to HP4, the bake unit PEB, and the cooling units CP1 to CP4 are appropriately (The same applies to FIGS. 1 and 8).
【0004】図6に示した基板処理装置1および露光装
置STにおける基板の処理フローの1例を図7に示す。
この図7に基づいて基板の処理手順を簡単に説明する
と、まず、インデクサ部IDからカセットに収納された
処理前の基板が1枚ずつ搬送ユニットTRへ供給され、
基板搬送ロボットが、アドヒージョン部AH、冷却処理
部CP1、コーティング処理部SC、加熱処理部HP
1、HP2および冷却処理部CP2へと順番に移動しな
がら、それぞれの基板処理部において、先に入っていた
基板を取り出すとともに処理しようとする基板を投入
し、それぞれの基板処理部により基板に対し所要の処理
が施される。これにより、基板の表面にレジスト膜が塗
布形成される。次に、表面にレジスト膜が形成された基
板は、搬送ユニットTRからインタフェース部IFへ渡
され、インタフェース部IFを通して露光装置STへ搬
入される。そして、露光装置STの露光処理部において
基板が露光処理され、露光処理が終了した基板は、露光
装置STからインタフェース部IFへ戻され、インタフ
ェース部IFを通して搬送ユニットTRへ受け渡され
る。FIG. 7 shows an example of a substrate processing flow in the substrate processing apparatus 1 and the exposure apparatus ST shown in FIG.
The processing procedure of the substrate will be briefly described with reference to FIG. 7. First, the substrates before processing stored in the cassette are supplied to the transport unit TR one by one from the indexer unit ID.
The substrate transport robot includes an adhesion section AH, a cooling section CP1, a coating section SC, and a heating section HP.
1. While sequentially moving to the HP2 and the cooling processing unit CP2, in each of the substrate processing units, the substrate that has been put in is taken out and the substrate to be processed is loaded. Required processing is performed. Thereby, a resist film is applied and formed on the surface of the substrate. Next, the substrate having the resist film formed on the surface is transferred from the transport unit TR to the interface unit IF, and is carried into the exposure apparatus ST through the interface unit IF. Then, the substrate is subjected to the exposure processing in the exposure processing section of the exposure apparatus ST, and the substrate on which the exposure processing has been completed is returned from the exposure apparatus ST to the interface section IF, and transferred to the transport unit TR through the interface section IF.
【0005】搬送ユニットTRに戻された露光処理後の
基板は、基板搬送ロボットによってベーク部PEBへ搬
送され、ベーク部PEBにより加熱処理される。この加
熱処理により、上記したように化学増幅型レジストの露
光部分における化学反応が促進される。そして、基板搬
送ロボットによって基板がベーク部PEBから冷却処理
部CP3へ搬送され、冷却処理部CP3で基板が冷却処
理される。この冷却処理により、化学増幅型レジストの
露光部分における反応が停止する。この後に、基板搬送
ロボットが、冷却処理部CP3から現像処理部SD1、
SD2、熱処理部HP3、HP4および冷却処理部CP
4へと順番に移動しながら、それぞれの基板処理部にお
いて、先に入っていた基板を取り出すとともにこれから
処理しようとする基板を投入し、それぞれの基板処理部
により基板に対し所要の処理が施される。これにより、
基板の表面に所望のパターンのレジスト膜が形成され
る。そして、表面に所望パターンのレジスト膜が形成さ
れた基板は、搬送ユニットTRからインデクサ部IDへ
渡され、インデクサ部ID上のカセット内へ収納されて
いく。[0005] The substrate after the exposure processing returned to the transport unit TR is transported to the bake section PEB by the substrate transport robot, and is heated by the bake section PEB. This heat treatment promotes the chemical reaction in the exposed portion of the chemically amplified resist as described above. Then, the substrate is transferred from the baking unit PEB to the cooling unit CP3 by the substrate transfer robot, and the substrate is cooled in the cooling unit CP3. By this cooling process, the reaction in the exposed portion of the chemically amplified resist stops. Thereafter, the substrate transfer robot moves the cooling processing unit CP3 to the developing processing unit SD1,
SD2, heat treatment sections HP3, HP4 and cooling processing section CP
While sequentially moving to step 4, in each of the substrate processing units, the substrate that has been placed in before is taken out and the substrate to be processed is loaded. The required processing is performed on the substrate by each of the substrate processing units. You. This allows
A resist film having a desired pattern is formed on the surface of the substrate. The substrate on which the resist film having the desired pattern is formed is transferred from the transport unit TR to the indexer unit ID, and is stored in the cassette on the indexer unit ID.
【0006】また、例えば特開平6−151293号公
報等には、図8に概略構成図を示すように、基板処理装
置3の基板処理エリア4にベーク部PEBおよび冷却処
理部CP3を配置せずに、インタフェース部IFにベー
ク部PEBおよび冷却処理部CP3を配置した構成が開
示されている。このような構成の装置では、露光装置S
Tの露光処理部で露光処理された基板は、露光装置ST
からインタフェース部IFへ渡され、インタフェース部
IFにおいてベーク部PEBにより基板が加熱処理され
て化学増幅型レジストの化学反応が促進され、冷却処理
部CP3により基板が冷却処理されてレジストの反応が
停止させられる。この後、基板は、インタフェース部I
Fから搬送ユニットTRへ戻され、基板処理エリア4に
配置された現像処理部SD1、SD2で現像処理される
ことになる。In addition, for example, in Japanese Patent Application Laid-Open No. Hei 6-151293, a bake unit PEB and a cooling unit CP3 are not arranged in a substrate processing area 4 of a substrate processing apparatus 3 as shown in FIG. Discloses a configuration in which a bake unit PEB and a cooling unit CP3 are arranged in an interface unit IF. In an apparatus having such a configuration, the exposure apparatus S
The substrate subjected to the exposure processing in the exposure processing section T is exposed to the exposure apparatus ST
From the interface unit IF, the substrate is heated by the bake unit PEB in the interface unit IF, the chemical reaction of the chemically amplified resist is promoted, and the substrate is cooled by the cooling unit CP3 to stop the reaction of the resist. Can be Thereafter, the board is moved to the interface section I.
The substrate F is returned to the transport unit TR, and is subjected to development processing in the development processing sections SD1 and SD2 arranged in the substrate processing area 4.
【0007】[0007]
【発明が解決しようとする課題】ところで、化学増幅型
レジストは、上記したように露光処理によってレジスト
内部に酸を発生させ、加熱処理によって酸の触媒作用に
よるレジストの化学反応を促進させるものである。この
ため、雰囲気中にアルカリ物質が存在すると、レジスト
内部に発生した酸が中和され、酸の触媒作用が失活して
レジストの化学反応が阻害されることになる。そこで、
基板処理装置1、3には、その上部全体を覆うように配
設されたクリーンベンチに化学吸着フィルタを設置し
て、雰囲気中からアルカリ物質を除去するようにしてい
る。しかしながら、雰囲気中のアルカリ物質を完全に除
去することは困難である。従って、レジスト中の酸とア
ルカリ物質との中和反応を極力抑えるためには、露光処
理後からベーク部PEBでの加熱処理までの時間を出来
るだけ短くする必要がある。As described above, the chemically amplified resist generates an acid inside the resist by exposure treatment, and promotes the chemical reaction of the resist by the catalytic action of the acid by heat treatment. . Therefore, when an alkaline substance is present in the atmosphere, the acid generated inside the resist is neutralized, the catalytic action of the acid is deactivated, and the chemical reaction of the resist is inhibited. Therefore,
In the substrate processing apparatuses 1 and 3, a chemical adsorption filter is installed on a clean bench provided so as to cover the entire upper part thereof, so that an alkaline substance is removed from the atmosphere. However, it is difficult to completely remove the alkaline substance in the atmosphere. Therefore, in order to minimize the neutralization reaction between the acid and the alkaline substance in the resist, it is necessary to minimize the time from the exposure processing to the heat treatment in the bake portion PEB.
【0008】ところが、図6に示したような従来の装置
では、露光処理された基板は、露光装置STから一旦イ
ンタフェース部IFへ渡され、インタフェース部IF内
を搬送されて、インタフェース部IFから搬送ユニット
TRへ渡され、搬送ユニットTRによりベーク部PEB
へ搬送される。このように、露光処理後の基板をベーク
部PEBへ搬送する過程でインタフェース部IFでの基
板の受け渡し工程が介在するため、露光処理後からベー
ク部PEBでの加熱処理までに時間がかかることにな
る。この結果、加熱処理時における酸の触媒作用が低下
してレジストの化学反応が不十分となり、現像処理した
ときにレジストパターンの形状異状が発生して、製品の
歩留りが低下する、といった問題点がある。However, in the conventional apparatus as shown in FIG. 6, the substrate subjected to the exposure processing is once passed from the exposure apparatus ST to the interface section IF, transported in the interface section IF, and transported from the interface section IF. It is passed to the unit TR and is baked by the transport unit TR.
Transported to As described above, in the process of transporting the substrate after the exposure processing to the baking unit PEB, the process of transferring the substrate at the interface unit IF is interposed, so that it takes time from the exposure processing to the heating processing in the baking unit PEB. Become. As a result, there is a problem that the catalytic action of the acid during the heat treatment decreases, the chemical reaction of the resist becomes insufficient, and the shape of the resist pattern becomes abnormal during the development treatment, and the product yield decreases. is there.
【0009】また、基板処理装置1における基板処理や
基板搬送は、一定の時間により行われるように時間管理
されているが、露光装置STでは、基板の位置合せのた
めの時間などが基板ごとに異なり、時間管理されていな
い。このため、露光装置STへ搬入された基板が露光処
理部で露光処理されてインタフェース部IFとの基板受
け渡し位置へ戻ってくるタイミングは一定でない。一
方、インタフェース部IFにおいては、基板搬送ロボッ
トが、搬送ユニットTRから基板を受け取って、その基
板を露光装置STへ渡し、また、露光処理後の基板を露
光装置STから受け取って、その基板を搬送ユニットT
Rへ渡すようにしている。このため、露光処理された基
板がインタフェース部IFとの基板受け渡し位置へ戻さ
れてくるタイミングが一定でないと、露光装置STから
基板を受け取るために基板受け渡し位置へ基板搬送ロボ
ットが移動してきても、基板受け渡し位置に基板が存在
しないために基板を受け取ることができない場合が起こ
る。また、露光処理を終えた基板が基板受け渡し位置へ
戻されてきても、基板搬送ロボットが基板受け渡し位置
へ未だ到着していない場合もある。この結果、露光処理
が終了してからインタフェース部IFへ基板が渡される
までの時間が基板ごとに異なり、従って、露光処理が終
了してから基板がベーク部PEBへ搬送されるまでの時
間が基板ごとに異なることとなる。Further, while the substrate processing and the substrate transport in the substrate processing apparatus 1 are controlled so as to be performed in a certain time, the exposure apparatus ST requires a time for the substrate alignment for each substrate. Unlikely, it is not time managed. For this reason, the timing at which the substrate carried into the exposure apparatus ST is exposed by the exposure processing unit and returns to the substrate transfer position with the interface unit IF is not constant. On the other hand, in the interface unit IF, the substrate transport robot receives the substrate from the transport unit TR, passes the substrate to the exposure apparatus ST, receives the substrate after the exposure processing from the exposure apparatus ST, and transports the substrate. Unit T
I will pass it to R. Therefore, if the timing at which the exposed substrate is returned to the substrate transfer position with the interface unit IF is not constant, even if the substrate transfer robot moves to the substrate transfer position to receive the substrate from the exposure apparatus ST, In some cases, a substrate cannot be received because the substrate does not exist at the substrate transfer position. Further, even if the substrate after the exposure processing is returned to the substrate transfer position, the substrate transfer robot may not yet arrive at the substrate transfer position. As a result, the time from the completion of the exposure processing to the transfer of the substrate to the interface unit IF differs for each substrate. Therefore, the time from the completion of the exposure processing to the transfer of the substrate to the baking unit PEB is reduced. Will be different for each.
【0010】露光装置STの露光処理部とベーク部PE
Bとの間における基板の搬送時間のばらつきがあると、
雰囲気中のアルカリ物質の影響によりレジストの露光部
分における架橋反応または分解反応の進み具合がばらつ
く。この結果、現像処理後におけるレジスト膜上のパタ
ーンの線幅がばらつき、製品の歩留りが大きく低下す
る、といった問題点があった。Exposure processing unit and bake unit PE of exposure apparatus ST
If there is a variation in the transfer time of the substrate between B and
The progress of the crosslinking reaction or the decomposition reaction in the exposed portion of the resist varies due to the influence of the alkali substance in the atmosphere. As a result, there has been a problem that the line width of the pattern on the resist film after the development processing varies, and the yield of the product is greatly reduced.
【0011】また、露光処理を終えた基板が基板受け渡
し位置へ戻されてきても、インタフェース部IFの基板
搬送ロボットとの受け渡しタイミングが合わない場合に
は、露光処理が終了してから基板がベーク部PEBへ搬
送されるまでの時間が長時間になるという不都合も生じ
ることとなる。Further, even if the substrate after the exposure processing is returned to the substrate transfer position, if the transfer timing of the interface unit IF with the substrate transfer robot does not match, the substrate is baked after the exposure processing is completed. There is also a disadvantage that it takes a long time to be transported to the unit PEB.
【0012】また、図8に示したようにインタフェース
部IFにベーク部PEBおよび冷却処理部CP3を配置
した構成の装置では、図6に示したような装置に比べる
と、露光処理後からベーク部PEBでの加熱処理までの
時間が多少短縮されるとしても、露光処理された基板
は、露光装置STから一旦インタフェース部IF内をベ
ーク部PEBへ搬送されるので、その分だけ時間を要す
る。また、図8に示した装置においても、露光装置ST
からインタフェース部IFのベーク部PEBへの基板の
搬送は、インタフェース部IFに配設された基板搬送ロ
ボットにより図6に示した装置と同様に行われるので、
やはり、露光装置STの露光処理部とインタフェース部
IFのベーク部PEBとの間における基板の搬送時間の
ばらつきを生じるとともに、露光処理を終えて基板受け
渡し位置へ戻ってきた基板についてインタフェース部I
Fの基板搬送ロボットとの受け渡しタイミングが合わな
い場合には、露光処理が終了してから基板がベーク部P
EBへ搬送されるまでの時間が長時間になるという不都
合も同様に生じることとなる。このため、現像処理後に
おけるレジストパターンの形状異常が発生したり、レジ
スト膜上のパターンの線幅がばらついたりして、製品の
歩留りが低下する、といった問題は依然として解決され
ない。Further, in the apparatus having the configuration in which the baking section PEB and the cooling processing section CP3 are arranged in the interface section IF as shown in FIG. 8, compared to the apparatus as shown in FIG. Even if the time until the heat treatment in the PEB is somewhat shortened, the substrate subjected to the exposure processing is once transported from the exposure apparatus ST through the interface section IF to the bake section PEB, so that it takes time. Also, in the apparatus shown in FIG.
The transfer of the substrate from the substrate unit to the baking unit PEB of the interface unit IF is performed in the same manner as the apparatus shown in FIG.
Also, the substrate transport time varies between the exposure processing unit of the exposure apparatus ST and the bake unit PEB of the interface unit IF, and the interface unit I returns to the substrate delivery position after the exposure processing.
If the transfer timing of the substrate F with the substrate transfer robot does not match, the substrate is not baked after the exposure process is completed.
The inconvenience that the time required for transport to the EB becomes long also occurs. For this reason, problems such as occurrence of abnormalities in the shape of the resist pattern after the development process and variation in the line width of the pattern on the resist film, resulting in a reduction in product yield, remain unsolved.
【0013】この発明は、以上のような事情に鑑みてな
されたものであり、露光処理された基板を加熱処理する
までの時間を短縮し、かつ、基板の露光処理が終了して
から加熱処理されるまでの時間の基板間でのばらつきを
無くして、現像処理品質の低下を防ぐとともに現像処理
品質の均一化を図り、製品歩留りを向上させることがで
きる基板処理装置を提供すること、ならびに、露光処理
された基板を加熱処理するまでの時間を短縮し、かつ、
基板の露光処理が終了してから加熱処理されるまでの時
間の基板間でのばらつきを無くして、現像処理品質の低
下を防ぐとともに現像処理品質の均一化を図り、製品歩
留りを向上させることができる露光装置を提供すること
を目的とする。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above circumstances, and shortens the time required to heat a substrate that has been subjected to an exposure process. To provide a substrate processing apparatus capable of preventing the deterioration of the development processing quality, uniforming the development processing quality, and improving the product yield, while eliminating the variation between the substrates in the time required for the processing. Reduce the time until the exposed substrate is heated, and
Eliminating the variation in the time from the completion of the exposure processing of the substrate to the heating processing between the substrates, preventing the deterioration of the development processing quality, uniforming the development processing quality, and improving the product yield. It is an object of the present invention to provide an exposure apparatus that can perform the exposure.
【0014】[0014]
【課題を解決するための手段】請求項1に係る発明は、
基板の受け渡しを行うインタフェース部と、少なくと
も、露光処理された基板を現像処理する現像手段を有す
る基板処理部とを備えた基板処理装置において、露光処
理された基板を熱処理する熱処理部、この熱処理部へ露
光処理された基板を搬送する専用の第1の基板搬送手
段、および、前記熱処理部から熱処理された基板を前記
インタフェース部へ搬出するための第2の基板搬送手段
からなる熱処理ユニットを設け、露光処理された基板
が、前記熱処理ユニットを経て前記インタフェース部へ
搬送され、そのインタフェース部から前記基板処理部へ
受け渡されて、前記現像手段により基板が現像処理され
るようにしたことを特徴とする。The invention according to claim 1 is
In a substrate processing apparatus provided with an interface unit for transferring a substrate and at least a substrate processing unit having a developing unit for developing the exposed substrate, a heat treatment unit for heat-treating the exposed substrate, A first substrate transfer unit dedicated to transfer the substrate subjected to the exposure processing, and a heat treatment unit including a second substrate transfer unit for unloading the substrate heat-treated from the heat treatment unit to the interface unit, The substrate subjected to the exposure processing is transported to the interface unit via the heat treatment unit, passed from the interface unit to the substrate processing unit, and the substrate is subjected to development processing by the developing unit. I do.
【0015】請求項2に係る発明は、請求項1記載の基
板処理装置において、熱処理ユニットの熱処理部を、露
光処理された基板を加熱処理する加熱処理部と、この加
熱処理部により加熱処理された基板を冷却処理する冷却
処理部とから構成したことを特徴とする。According to a second aspect of the present invention, in the substrate processing apparatus of the first aspect, the heat treatment section of the heat treatment unit is heat-treated by the heat treatment section for heating the exposed substrate. And a cooling unit for cooling the substrate.
【0016】請求項3に係る発明は、請求項1記載の基
板処理装置において、第1の基板搬送手段による熱処理
部への露光処理終了直後の基板の搬送に要する搬送時
間、および、前記熱処理部における基板の熱処理時間が
それぞれ一定に保たれるように制御する第1の制御手段
を設けたことを特徴とする。According to a third aspect of the present invention, in the substrate processing apparatus according to the first aspect, a transfer time required for transferring the substrate immediately after the completion of the exposure processing to the heat treatment section by the first substrate transfer means, and the heat treatment section Wherein a first control means for controlling the heat treatment time of the substrate in each of the methods is kept constant.
【0017】請求項4に係る発明は、請求項2記載の基
板処理装置において、第2の基板搬送手段により加熱処
理部から冷却処理部への基板の搬送が行われるように
し、その第2の基板搬送手段による加熱処理部から冷却
処理部への基板の搬送に要する搬送時間、ならびに、前
記加熱処理部および前記冷却処理部における基板の各処
理時間がそれぞれ一定に保たれるように制御する第2の
制御手段を設けたことを特徴とする。According to a fourth aspect of the present invention, in the substrate processing apparatus of the second aspect, the second substrate transfer means transfers the substrate from the heating processing section to the cooling processing section. A transport time required for transporting the substrate from the heat processing unit to the cooling processing unit by the substrate transport unit, and a control for controlling each processing time of the substrate in the heat processing unit and the cooling processing unit to be kept constant. 2 is provided.
【0018】請求項5に係る発明は、基板を露光処理す
る露光処理部と、露光処理された基板を熱処理する熱処
理部と、前記露光処理部で露光処理された基板を前記熱
処理部へ搬送する基板搬送手段とを備えたことを特徴と
する。According to a fifth aspect of the present invention, there is provided an exposure processing section for performing exposure processing on a substrate, a heat treatment section for performing heat treatment on the exposed substrate, and transporting the substrate subjected to exposure processing in the exposure processing section to the heat treatment section. Substrate transfer means.
【0019】請求項6に係る発明は、基板を露光処理す
る露光処理部と、この露光処理部へ基板を搬送する基板
搬送手段とを備えた露光装置において、露光処理された
基板を熱処理する熱処理部、前記露光処理部から前記熱
処理部へ露光処理された基板を搬送する専用の第1の基
板搬送手段、および、前記熱処理部から熱処理された基
板を外部へ搬出するための第2の基板搬送手段を設けた
ことを特徴とする。According to a sixth aspect of the present invention, there is provided an exposure apparatus comprising: an exposure processing section for exposing a substrate; and a substrate transport means for transporting the substrate to the exposure processing section. Unit, a first substrate transfer unit dedicated to transfer the substrate subjected to the exposure processing from the exposure processing unit to the heat treatment unit, and a second substrate transfer unit to carry out the substrate heat-treated from the heat treatment unit to the outside Means are provided.
【0020】請求項7に係る発明は、請求項5または請
求項6記載の露光装置において、熱処理部を、露光処理
された基板を加熱処理する加熱処理部と、この加熱処理
部により加熱処理された基板を冷却処理する冷却処理部
とから構成したことを特徴とする。According to a seventh aspect of the present invention, in the exposure apparatus according to the fifth or sixth aspect, the heat treatment section includes a heat treatment section for heating the exposed substrate, and a heat treatment section for performing heat treatment by the heat treatment section. And a cooling unit for cooling the substrate.
【0021】請求項8に係る発明は、請求項6記載の露
光装置において、第1の基板搬送手段による露光処理部
から熱処理部への基板の搬送に要する搬送時間、およ
び、前記熱処理部における基板の熱処理時間がそれぞれ
一定に保たれるように制御する第1の制御手段を設けた
ことを特徴とする。According to an eighth aspect of the present invention, in the exposure apparatus according to the sixth aspect, a transfer time required for transferring the substrate from the exposure processing section to the heat treatment section by the first substrate transfer means, and a substrate in the heat treatment section. A first control means for controlling the heat treatment times to be kept constant.
【0022】請求項9に係る発明は、請求項7記載の露
光装置において、第2の基板搬送手段により加熱処理部
から冷却処理部への基板の搬送が行われるようにし、そ
の第2の基板搬送手段による加熱処理部から冷却処理部
への基板の搬送に要する搬送時間、ならびに、前記加熱
処理部および前記冷却処理部における基板の各処理時間
がそれぞれ一定に保たれるように制御する第2の制御手
段を設けたことを特徴とする。According to a ninth aspect of the present invention, in the exposure apparatus according to the seventh aspect, the substrate is transferred from the heating processing section to the cooling processing section by the second substrate transfer means. The second control is performed so that the transport time required for transporting the substrate from the heat processing unit to the cooling processing unit by the transport unit, and the respective processing times of the substrates in the heat processing unit and the cooling processing unit are kept constant. Is provided.
【0023】請求項1に係る発明の基板処理装置では、
露光処理された基板は、熱処理ユニットに投入され、第
1の基板搬送手段によって熱処理部へ搬送され、熱処理
部により加熱処理される。この場合、第1の基板搬送手
段は、熱処理ユニット内において基板を熱処理部へ搬送
するためだけに使用される。このため、熱処理部へ基板
を投入した第1の基板搬送手段は、直ちに、露光処理さ
れた基板の受け渡し位置へ移動して、露光処理された基
板を受け取るために常に待機した状態にある。従って、
露光処理された基板が基板の受け渡し位置へ搬送されて
くると、その基板は、待機させられることなく第1の基
板搬送手段によってそのまま熱処理部へ搬送される。こ
のため、露光処理された基板を加熱処理するまでの時間
が短縮され、また、基板の露光処理が終了してから加熱
処理されるまでの時間の基板間でのばらつきが無くな
る。従って、化学増幅型レジストを使用した場合には、
雰囲気中のアルカリ物質の影響が低減されかつ均一にな
って、レジストの化学反応が阻害されることがなくな
り、また、化学反応の進み具合が基板間でばらつくこと
がなくなる。熱処理部により熱処理(加熱および冷却処
理)された基板は、第2の基板搬送手段により熱処理部
からインタフェース部へ搬出され、インタフェース部か
ら基板処理部へ受け渡されて、現像処理手段により現像
処理される。In the substrate processing apparatus according to the first aspect of the present invention,
The substrate subjected to the exposure processing is put into a heat treatment unit, transported to a heat treatment section by a first substrate transport means, and subjected to heat treatment by the heat treatment section. In this case, the first substrate transfer means is used only for transferring the substrate to the heat treatment unit in the heat treatment unit. For this reason, the first substrate transfer means that has loaded the substrate into the heat treatment section immediately moves to the delivery position of the exposed substrate and is always in a standby state to receive the exposed substrate. Therefore,
When the substrate subjected to the exposure processing is transported to the transfer position of the substrate, the substrate is directly transported to the heat treatment unit by the first substrate transport unit without waiting. For this reason, the time required to heat the exposed substrate is reduced, and the time required from the completion of the exposure processing of the substrate to the time when the heat processing is performed is not varied between the substrates. Therefore, when a chemically amplified resist is used,
The effect of the alkali substance in the atmosphere is reduced and uniform, so that the chemical reaction of the resist is not hindered, and the progress of the chemical reaction does not vary between the substrates. The substrate that has been heat-treated (heated and cooled) by the heat-treating unit is carried out from the heat-treating unit to the interface unit by the second substrate transfer unit, passed from the interface unit to the substrate processing unit, and developed by the developing unit. You.
【0024】請求項2に係る発明の基板処理装置では、
熱処理ユニットへ搬入された基板は、加熱処理部へ搬送
されて、加熱処理部により加熱処理された後、加熱処理
部から冷却処理部へ搬送されて、冷却処理部により冷却
処理される。In the substrate processing apparatus according to the second aspect of the present invention,
The substrate carried into the heat treatment unit is conveyed to the heat treatment unit, is subjected to heat treatment by the heat treatment unit, is conveyed from the heat treatment unit to the cooling treatment unit, and is cooled by the cooling treatment unit.
【0025】請求項3に係る発明の基板処理装置では、
第1制御手段による制御により、露光処理終了直後の基
板が熱処理部へ搬送される搬送時間、および、熱処理部
における基板の熱処理時間がそれぞれ一定に保たれるの
で、基板間での処理履歴の均等化が図られ、処理品質の
管理が容易になって、基板間での処理品質が均一化す
る。In the substrate processing apparatus according to the third aspect of the present invention,
By the control of the first control means, the transfer time during which the substrate is transferred to the heat treatment section immediately after the end of the exposure processing and the heat treatment time of the substrate in the heat treatment section are kept constant, so that the processing histories between the substrates can be equalized. Therefore, the management of the processing quality is facilitated, and the processing quality between the substrates is made uniform.
【0026】請求項4に係る発明の基板処理装置では、
第2の基板搬送手段により加熱処理部から加熱処理され
た基板が冷却処理部へ搬送される。そして、第2の制御
手段による制御により、加熱処理部における基板の加熱
処理時間、加熱処理部から冷却処理部への基板の搬送時
間、および、冷却処理部における基板の冷却処理時間が
それぞれ一定に保たれるので、基板間での熱処理の履歴
の均等化が図られ、処理品質の管理が容易になって、基
板間での処理品質が均一化する。In the substrate processing apparatus according to the fourth aspect of the present invention,
The substrate that has been subjected to the heat treatment from the heat treatment unit by the second substrate carrying means is carried to the cooling treatment unit. Then, by the control of the second control means, the heat treatment time of the substrate in the heat treatment unit, the transport time of the substrate from the heat treatment unit to the cooling treatment unit, and the cooling time of the substrate in the cooling treatment unit are each constant. Since it is kept, the history of the heat treatment between the substrates is equalized, the management of the processing quality becomes easy, and the processing quality between the substrates becomes uniform.
【0027】請求項5に係る発明の露光装置では、露光
処理部により露光処理された基板を装置内部の基板搬送
手段により直ぐに受け取って熱処理部への搬送が行わ
れ、熱処理部で基板の熱処理が行われる。このため、露
光処理された基板を加熱処理するまでの時間が短縮さ
れ、また、基板の露光処理が終了してから加熱処理され
るまでの時間の基板間でのばらつきが緩和される。従っ
て、化学増幅型レジストを使用した場合には、雰囲気中
のアルカリ物質の影響が低減され、かつ均一になって、
レジストの化学反応が阻害されることがなくなり、ま
た、化学反応の進み具合が基板間でばらつくことが緩和
される。In the exposure apparatus according to the fifth aspect of the present invention, the substrate exposed by the exposure processing section is immediately received by the substrate transfer means inside the apparatus and transferred to the heat treatment section. Done. For this reason, the time required for performing the heat treatment on the exposed substrate is reduced, and the variation in the time required for performing the heat treatment after the substrate exposure processing is completed is reduced. Therefore, when a chemically amplified resist is used, the influence of the alkali substance in the atmosphere is reduced and uniform,
The chemical reaction of the resist is not hindered, and the progress of the chemical reaction is less likely to vary between the substrates.
【0028】請求項6に係る発明の露光装置では、装置
内へ搬入された基板は、基板搬送手段によって露光処理
部へ搬送され、露光処理部により露光処理される。露光
処理された基板は、第1の基板搬送手段によって熱処理
部へ搬送され、熱処理部により加熱処理される。この場
合、第1の基板搬送手段は、露光装置内において基板を
熱処理部へ搬送するためだけに使用される。このため、
熱処理部へ基板を投入した第1の基板搬送手段は、直ち
に、露光処理された基板の受け渡し位置へ移動して、露
光処理された基板を受け取るために常に待機した状態に
ある。従って、露光処理された基板が基板の受け渡し位
置へ搬送されてくると、その基板は、待機させられるこ
となく第1の基板搬送手段によってそのまま熱処理部へ
搬送される。このため、露光処理された基板を加熱処理
するまでの時間が短縮され、また、基板の露光処理が終
了してから加熱処理されるまでの時間の基板間でのばら
つきが無くなる。従って、化学増幅型レジストを使用し
た場合には、雰囲気中のアルカリ物質の影響が低減され
かつ均一になって、レジストの化学反応が阻害されるこ
とがなくなり、また、化学反応の進み具合が基板間でば
らつくことがなくなる。熱処理部により熱処理(加熱お
よび冷却処理)された基板は、第2の基板搬送手段によ
り熱処理部から装置外部との基板受け渡し位置へ搬送さ
れる。In the exposure apparatus according to the sixth aspect of the present invention, the substrate carried into the apparatus is transported to the exposure processing section by the substrate transport means, and is exposed by the exposure processing section. The substrate that has been subjected to the exposure processing is transferred to the heat treatment unit by the first substrate transfer unit, and is subjected to heat treatment by the heat treatment unit. In this case, the first substrate transfer means is used only for transferring the substrate to the heat treatment section in the exposure apparatus. For this reason,
The first substrate transfer means that has loaded the substrate into the heat treatment unit immediately moves to the delivery position of the exposed substrate and is always in a standby state to receive the exposed substrate. Therefore, when the exposed substrate is transported to the substrate transfer position, the substrate is directly transported to the heat treatment unit by the first substrate transport unit without being kept on standby. For this reason, the time required to heat the exposed substrate is reduced, and the time required from the completion of the exposure processing of the substrate to the time when the heat processing is performed is not varied between the substrates. Therefore, when a chemically amplified resist is used, the influence of an alkaline substance in the atmosphere is reduced and uniform, and the chemical reaction of the resist is not hindered. There is no variation between them. The substrate that has been heat-treated (heated and cooled) by the heat-treating unit is transferred from the heat-treating unit to a substrate transfer position with the outside of the apparatus by the second substrate transfer unit.
【0029】請求項7に係る発明の露光装置では、露光
処理部により露光処理された基板は、加熱処理部へ搬送
されて、加熱処理部により加熱処理された後、加熱処理
部から冷却処理部へ搬送されて、冷却処理部により冷却
処理される。In the exposure apparatus according to the present invention, the substrate subjected to the exposure processing by the exposure processing unit is transported to the heating processing unit, subjected to the heating processing by the heating processing unit, and then transferred from the heating processing unit to the cooling processing unit. And cooled by the cooling unit.
【0030】請求項8に係る発明の露光装置では、第1
制御手段による制御により、露光処理終了直後の基板が
熱処理部へ搬送される搬送時間、および、熱処理部にお
ける基板の熱処理時間がそれぞれ一定に保たれるので、
基板間での処理履歴の均等化が図られ、処理品質の管理
が容易になって、基板間での処理品質が均一化する。In the exposure apparatus of the invention according to claim 8, the first
By the control by the control means, the transfer time during which the substrate is transferred to the heat treatment section immediately after the exposure processing is completed, and the heat treatment time of the substrate in the heat treatment section is kept constant.
The processing history between the substrates is equalized, the management of the processing quality becomes easy, and the processing quality between the substrates becomes uniform.
【0031】請求項9に係る発明の露光装置では、第2
の基板搬送手段により加熱処理部から加熱処理された基
板が冷却処理部へ搬送される。そして、第2の制御手段
による制御により、加熱処理部における基板の加熱処理
時間、加熱処理部から冷却処理部への基板の搬送時間、
および、冷却処理部における基板の冷却処理時間がそれ
ぞれ一定に保たれるので、基板間での熱処理の履歴の均
等化が図られ、処理品質の管理が容易になって、基板間
での処理品質が均一化する。In the exposure apparatus according to the ninth aspect, the second
The substrate that has been subjected to the heat treatment from the heat treatment section by the substrate carrying means is carried to the cooling treatment section. Then, under the control of the second control means, the heat treatment time of the substrate in the heat treatment unit, the transfer time of the substrate from the heat treatment unit to the cooling treatment unit,
In addition, since the cooling processing time of the substrate in the cooling processing unit is kept constant, the history of the heat treatment between the substrates is equalized, the management of the processing quality is facilitated, and the processing quality between the substrates is improved. Becomes uniform.
【0032】[0032]
【発明の実施の形態】以下、この発明の好適な実施形態
について図1ないし図5を参照しながら説明する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A preferred embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS.
【0033】図1は、この発明に係る基板処理装置に露
光装置を連設した装置全体の概略構成図である。この基
板処理装置10は、図6および図8に示した各基板処理
装置1、3と同様、インデクサ部ID、搬送ユニットT
R、複数の基板処理部を有する基板処理エリア12、お
よびインタフェース部IFとを備えて構成されている。
基板処理エリア12には、図8に示した基板処理装置3
と同様に、コーティング処理部SC、アドヒージョン部
AH、4つの加熱処理部HP1〜HP4、3つの冷却処
理部CP1、CP2、CP4、および2つの現像処理部
SD1、SD2が配置されている。そして、この基板処
理装置10には、基板処理エリア12やインタフェース
IFにベーク部PEBおよび冷却処理部CP3を配置す
るのに代えて、基板処理装置10に熱処理ユニット14
を設け、熱処理ユニット14にベーク部PEBおよび冷
却処理部CP3を配置している。この熱処理ユニット1
4は、インタフェースIFと露光装置STとの間に介在
するように、基板処理装置10の、露光装置STと対向
する端部に配設されている。FIG. 1 is a schematic structural view of an entire apparatus in which an exposure apparatus is connected to a substrate processing apparatus according to the present invention. This substrate processing apparatus 10 has an indexer unit ID and a transport unit T, similarly to the substrate processing apparatuses 1 and 3 shown in FIGS.
R, a substrate processing area 12 having a plurality of substrate processing units, and an interface unit IF.
In the substrate processing area 12, the substrate processing apparatus 3 shown in FIG.
Similarly to the above, a coating processing section SC, an adhesion section AH, four heating processing sections HP1 to HP4, three cooling processing sections CP1, CP2, CP4, and two development processing sections SD1, SD2 are arranged. In the substrate processing apparatus 10, instead of arranging the bake unit PEB and the cooling processing unit CP3 in the substrate processing area 12 and the interface IF, the heat treatment unit 14 is added to the substrate processing apparatus 10.
And the bake part PEB and the cooling part CP3 are arranged in the heat treatment unit 14. This heat treatment unit 1
Numeral 4 is disposed at an end of the substrate processing apparatus 10 facing the exposure apparatus ST so as to be interposed between the interface IF and the exposure apparatus ST.
【0034】インタフェース部IFおよび熱処理ユニッ
ト14の構成の1例を、図3に示した概略平面図により
説明する。まず、インタフェース部IFには、搬送ユニ
ットTR(図1参照)の一端部に対向する位置に、搬送
ユニットTRとの間で基板Wの受け渡しを行う基板受け
渡し部Pが設けられている。基板受け渡し部Pには、複
数本、例えば3本の支持ピン16が植設されている。そ
して、それら支持ピン16上に、搬送ユニットTRの基
板搬送ロボット(図示せず)によって搬送されてきた露
光処理前の基板Wが移載されて支持され、また、支持ピ
ン16上に露光処理済みの基板Wが支持されて、その支
持ピン16上から基板Wを搬送ユニットTRの基板搬送
ロボットが受け取る。この基板受け渡し部Pを挾んで搬
送ユニットTRの一端部と対向する位置に、基板移載用
のアーム20を備えた基板移載ロボット18が配設され
ている。基板移載ロボット18は、そのアーム20が昇
降するとともにその長手方向に伸縮し、さらにアーム2
0が水平面内において180°の角度範囲内で回動する
ように構成されている。An example of the configuration of the interface section IF and the heat treatment unit 14 will be described with reference to the schematic plan view shown in FIG. First, the interface unit IF is provided with a substrate transfer unit P that transfers a substrate W to and from the transport unit TR at a position facing one end of the transport unit TR (see FIG. 1). A plurality of, for example, three support pins 16 are implanted in the substrate transfer section P. Then, the substrate W before the exposure processing transferred by the substrate transfer robot (not shown) of the transfer unit TR is transferred and supported on the support pins 16, and the exposure processing is performed on the support pins 16. Is supported, and the substrate transport robot of the transport unit TR receives the substrate W from above the support pins 16. A substrate transfer robot 18 having a substrate transfer arm 20 is disposed at a position facing one end of the transport unit TR with the substrate transfer portion P interposed therebetween. The substrate transfer robot 18 moves up and down the arm 20 and expands and contracts in the longitudinal direction.
0 is configured to rotate within an angle range of 180 ° in a horizontal plane.
【0035】また、基板移載ロボット18を挾んで基板
受け渡し部Pと対向する位置に、露光装置STへ露光処
理前の基板Wを渡すための基板搬出用テーブル22が配
設されている。また、基板移載ロボット18に対向し基
板受け渡し部Pおよび基板搬出用テーブル22とそれぞ
れ90°の角度をなす位置に、処理ユニット14から露
光処理済みの基板を受け取るための基板搬入用テーブル
30が配設されている。基板搬出用テーブル22および
基板搬入用テーブル30にはそれぞれ、複数本、例えば
3本の支持ピン26、32が植設されており、それら支
持ピン26、32上に基板Wが支持される。また、基板
搬出用テーブル22および基板搬入用テーブル30には
それぞれ、支持ピン26、32を挾んでその両側に対向
するように配設され互いに離間および接近するように移
動自在に支持された一対のガイド板28a、28b;3
3a、33bから構成された基板センタリング機構が設
けられている。各ガイド板28a、28b;33a、3
3bは、互いに対向する端縁が基板Wの外周縁形状に合
わせてそれぞれ円弧状に形成されており、一対のガイド
板28a、28b;33a、33bが互いに接近したと
きに、各ガイド板28a、28b;33a、33bの円
弧状の端縁が基板Wの外周縁に当接することにより、基
板Wが基板搬出用テーブル22および基板搬入用テーブ
ル30に対し心合わせされて位置決めされるようになっ
ている。A substrate unloading table 22 for transferring a substrate W before exposure processing to the exposure apparatus ST is provided at a position facing the substrate transfer section P with the substrate transfer robot 18 interposed therebetween. Further, at a position facing the substrate transfer robot 18 and at an angle of 90 ° with the substrate transfer unit P and the substrate unloading table 22, a substrate loading table 30 for receiving the exposed substrate from the processing unit 14 is provided. It is arranged. A plurality of, for example, three support pins 26 and 32 are implanted in the substrate carrying-out table 22 and the substrate carrying-in table 30, respectively, and the substrate W is supported on the support pins 26 and 32. The substrate unloading table 22 and the substrate unloading table 30 are respectively disposed on both sides of the support pins 26 and 32 so as to face each other, and are movably supported so as to be separated from and approach to each other. Guide plates 28a, 28b; 3
A substrate centering mechanism composed of 3a and 33b is provided. Each guide plate 28a, 28b; 33a, 3
3b, the edges facing each other are formed in an arc shape in accordance with the outer peripheral edge shape of the substrate W, and when the pair of guide plates 28a, 28b; 33a, 33b approach each other, each guide plate 28a, 28b; the arc-shaped edges of 33a and 33b abut against the outer peripheral edge of the substrate W, whereby the substrate W is aligned and positioned with respect to the substrate carrying-out table 22 and the substrate carrying-in table 30. I have.
【0036】次に、熱処理ユニット14には、ベーク部
PEBおよび冷却処理部CP3が配設されている。ベー
ク部PEBと冷却処理部CP3とは、図4に概略正面図
を示すように、上下に配置されている。上段のベーク部
PEBには、ホットプレート34が配設され、そのホッ
トプレート34に穿設された貫通孔(図示せず)を貫通
して上下方向に移動する複数本、例えば3本の支持ピン
36が設けられている。そして、ベーク部PEBは、支
持ピン36が上昇した状態において基板Wを受け取り、
その後に支持ピン36が下降することにより、二点鎖線
で示したように基板Wをホットプレート34の上面に当
接もしくは近接させ、その状態で基板Wを加熱処理す
る。加熱処理後、支持ピン36が上昇することにより、
基板Wはホットプレート34の上面から離間し、この状
態でベーク部PEBから基板Wが取り出される。また、
下段の冷却処理部CP1には、クールプレート38が配
設されており、図示されていないが、ベーク部PEBと
同様に、クールプレート38に穿設された貫通孔を貫通
して上下方向に移動する複数本、例えば3本の支持ピン
が設けられている。そして、冷却処理部CP1は、支持
ピンが上昇した状態で基板Wを受け取り、その後に支持
ピンが下降して基板Wをクールプレート38の上面に当
接もしくは近接させ、その状態で基板Wを冷却処理し、
冷却処理後、支持ピンが上昇して基板Wをクールプレー
ト38の上面から離間させ、この状態で基板Wの取出し
が行われる。なお、ベーク部PEBと冷却処理部CP1
とを上下に配置せずに、横方向に並べるようにしてもよ
い。また、ベーク部PEBと冷却処理部CP1とを別々
に設けずに、ペルチェ素子を用いるなどしてホットプレ
ートとクールプレートとの両機能をもつプレートを備え
た熱処理部としてもよい。Next, the heat treatment unit 14 is provided with a bake section PEB and a cooling section CP3. The bake part PEB and the cooling processing part CP3 are arranged vertically as shown in a schematic front view in FIG. A hot plate 34 is provided in the upper bake portion PEB, and a plurality of, for example, three support pins that move vertically through a through hole (not shown) formed in the hot plate 34. 36 are provided. Then, the baking unit PEB receives the substrate W in a state where the support pins 36 are raised,
Thereafter, when the support pins 36 are lowered, the substrate W is brought into contact with or close to the upper surface of the hot plate 34 as shown by a two-dot chain line, and the substrate W is subjected to heat treatment in that state. After the heat treatment, the support pins 36 are raised,
The substrate W is separated from the upper surface of the hot plate 34, and in this state, the substrate W is taken out from the bake portion PEB. Also,
A cool plate 38 is provided in the lower cooling processing unit CP1, and although not shown, moves in the vertical direction through a through hole formed in the cool plate 38, like the bake unit PEB. , For example, three support pins are provided. Then, the cooling processing unit CP1 receives the substrate W with the support pins raised, and then lowers the support pins to bring the substrate W into contact with or close to the upper surface of the cool plate 38, and cool the substrate W in that state. Process,
After the cooling process, the support pins are lifted to separate the substrate W from the upper surface of the cool plate 38, and the substrate W is taken out in this state. The baking part PEB and the cooling part CP1
May not be arranged vertically, but may be arranged horizontally. Further, instead of separately providing the bake section PEB and the cooling section CP1, a heat treatment section having a plate having both functions of a hot plate and a cool plate by using a Peltier element may be used.
【0037】また、熱処理ユニット14には、基板搬送
ユニット40が設けられており、基板搬送ユニット40
には、それぞれ基板移載用のアーム44、48を備えた
2台の基板搬送ロボット42、46が配設されている。
各基板搬送ロボット42、46のアーム44、48はそ
れぞれ、昇降するとともにその長手方向に伸縮し、さら
に水平面内において回動する。また、一方の基板搬送ロ
ボット42は、露光装置STの基板搬出位置に対向する
位置とベーク部PEB(冷却処理部CP1)の前方位置
との間を直線的に往復移動する移動機構を有しており、
他方の基板搬送ロボット46は、冷却処理部CP1(ベ
ーク部PEB)の前方位置とインタフェース部IFの基
板搬入用テーブル30に対向する位置との間を直線的に
往復移動する移動機構を有している。そして、基板搬送
ロボット42は、露光装置STから露光処理後の基板W
を受け取って、その基板Wをベーク部PEBに投入す
る。また、基板搬送ロボット46は、ベーク部PEBに
より加熱処理された基板Wをベーク部PEBから取り出
して、その基板Wを冷却処理部CP1へ投入し、また、
冷却処理部CP1により冷却処理された基板Wを冷却処
理部CP1から取り出して、インタフェース部IFの基
板搬入用テーブル30へ搬送する。そして、基板搬送ロ
ボット42により露光処理終了直後の基板Wをベーク部
PEBへ搬送する搬送時間、ベーク部PEBにおいて基
板Wを加熱処理する処理時間、基板搬送ロボット46に
よりベーク部PEBから冷却処理部CP3へ基板Wを搬
送する搬送時間、ならびに、冷却処理部CP3において
基板Wを冷却処理する処理時間は、図示しないコントロ
ーラによりそれぞれ一定に保たれるように制御されるよ
うになっている。The heat treatment unit 14 is provided with a substrate transport unit 40.
Are provided with two substrate transfer robots 42 and 46 having substrate transfer arms 44 and 48, respectively.
The arms 44 and 48 of the substrate transfer robots 42 and 46 respectively move up and down, expand and contract in the longitudinal direction, and further rotate in a horizontal plane. The one substrate transfer robot 42 has a moving mechanism that linearly reciprocates between a position facing the substrate unloading position of the exposure apparatus ST and a position in front of the bake unit PEB (cooling processing unit CP1). Yes,
The other substrate transport robot 46 has a moving mechanism that linearly reciprocates between a position in front of the cooling processing unit CP1 (bake unit PEB) and a position of the interface unit IF facing the substrate loading table 30. I have. Then, the substrate transport robot 42 sends the exposed substrate W from the exposure apparatus ST.
Is received, and the substrate W is loaded into the baking unit PEB. Further, the substrate transport robot 46 takes out the substrate W heated by the baking unit PEB from the baking unit PEB, throws the substrate W into the cooling processing unit CP1, and
The substrate W cooled by the cooling processing unit CP1 is taken out of the cooling processing unit CP1, and transported to the substrate loading table 30 of the interface unit IF. Then, the substrate transport robot 42 transports the substrate W immediately after the completion of the exposure processing to the bake part PEB, the processing time for heating the substrate W in the bake part PEB, and the substrate transport robot 46 from the bake part PEB to the cooling processing part CP3. The transport time for transporting the substrate W to the substrate W and the processing time for cooling the substrate W in the cooling processor CP3 are controlled by a controller (not shown) so as to be kept constant.
【0038】図3に示したインタフェース部IFおよび
熱処理ユニット14における動作を説明すると、表面に
レジスト膜が形成された露光処理前の基板Wが搬送ユニ
ットTRからインタフェース部IFの基板受け渡し部P
へ搬送されてきて支持ピン16上に支持されると、基板
Wは、基板移載ロボット18によって基板搬出用テーブ
ル22の支持ピン26上へ移し替えられ、一対のガイド
板28a、28bによって位置決めされる。そして、基
板Wは、露光装置STの基板搬送機構(図示せず)によ
り支持ピン26上から露光装置STへ受け渡され、露光
装置STの露光処理部(図示せず)へ投入される。露光
処理部による露光処理が終了すると、露光処理後の基板
Wは、露光装置STの基板搬送機構によって露光装置S
Tの基板搬出位置へ搬送され、熱処理ユニット14の基
板搬送ロボット42により、露光装置STの基板搬出位
置からベーク部PEBへ搬送される。そして、露光処理
後の基板Wは、ベーク部PEBにより加熱処理された
後、基板搬送ロボット46によってベーク部PEBから
冷却処理部CP1へ搬送され、加熱処理後の基板Wが冷
却処理される。露光処理され加熱および冷却処理された
基板Wは、基板搬送ロボット46によって冷却処理部C
P1からインタフェース部IFの基板搬入テーブル30
へ搬送されて支持ピン32上に支持される。そして、露
光処理済みの基板Wは、一対のガイド板33a、33b
によって位置決めされた後、基板移載ロボット18によ
って支持ピン32上から基板受け渡し部Pの支持ピン1
6上へ移し替えられ、搬送ユニットTRの基板搬送ロボ
ット(図示せず)によりインタフェース部IFから搬出
されて、現像処理部SD1、SD2(図1参照)へ搬送
される。The operation of the interface unit IF and the heat treatment unit 14 shown in FIG. 3 will be described. A substrate W having a resist film formed on its surface before exposure processing is transferred from the transport unit TR to the substrate transfer unit P of the interface unit IF.
The substrate W is transferred to the support pins 26 of the substrate unloading table 22 by the substrate transfer robot 18 and is positioned by the pair of guide plates 28a and 28b. You. Then, the substrate W is transferred from above the support pins 26 to the exposure apparatus ST by a substrate transport mechanism (not shown) of the exposure apparatus ST, and is loaded into an exposure processing section (not shown) of the exposure apparatus ST. When the exposure processing by the exposure processing unit is completed, the substrate W after the exposure processing is transferred to the exposure apparatus S by the substrate transport mechanism of the exposure apparatus ST.
The substrate is transferred to the substrate unloading position of T, and is transferred from the substrate unloading position of the exposure apparatus ST to the baking unit PEB by the substrate transfer robot 42 of the heat treatment unit 14. Then, the substrate W after the exposure processing is heated by the baking unit PEB, and then transferred from the baking unit PEB to the cooling processing unit CP1 by the substrate transfer robot 46, and the substrate W after the heating processing is cooled. The substrate W subjected to the exposure processing and the heating and cooling processing is cooled by a cooling processing unit C by the substrate transfer robot 46.
Board loading table 30 of interface section IF from P1
And is supported on the support pins 32. Then, the substrate W that has been subjected to the exposure processing is a pair of guide plates 33a and 33b.
After being positioned by the substrate transfer robot 18, the support pins 1 of the substrate transfer portion P are
6 and transferred out of the interface unit IF by the substrate transfer robot (not shown) of the transfer unit TR and transferred to the development processing units SD1 and SD2 (see FIG. 1).
【0039】図1に示した基板処理装置10および露光
装置STにおける基板の処理フローを図2に示す。この
図2に基づいて基板の処理手順を説明すると、まず、イ
ンデクサ部IDからカセットに収納された処理前の基板
が1枚ずつ搬送ユニットTRへ供給される。搬送ユニッ
トTRへ供給された基板は、アドヒージョン部AH、冷
却処理部CP2、コーティング処理部SC、加熱処理部
HP1、HP2および冷却処理部CP2へと順番に搬送
されながら、それぞれの基板処理部により所要の処理が
施される。これにより、基板の表面にレジスト膜が塗布
形成される。次に、表面にレジスト膜が形成された基板
は、搬送ユニットTRからインタフェース部IFへ渡さ
れ、上記したような動作によりインタフェース部IFを
通して露光装置STへ搬入される。そして、露光装置S
Tの露光処理部において基板が露光処理され、露光処理
が終了した基板は、露光装置STから熱処理ユニット1
4へ搬入される。熱処理ユニット14内へ搬入された露
光処理後の基板は、上記したような動作により、ベーク
部PEBで加熱処理された後冷却処理部CP3で冷却処
理され、その後に、インタフェース部IFへ戻され、イ
ンタフェース部IFを通して搬送ユニットTRへ受け渡
される。搬送ユニットTRに戻された露光処理済みの基
板は、現像処理部SD1、SD2、熱処理部HP3、H
P4および冷却処理部CP4へと順番に搬送されなが
ら、それぞれの基板処理部により所要の処理が施され
る。これにより、基板の表面に所望のパターンのレジス
ト膜が形成され、表面に所望パターンのレジスト膜が形
成された基板は、搬送ユニットTRからインデクサ部I
Dへ渡され、インデクサ部ID上のカセット内へ収納さ
れていく。FIG. 2 shows a substrate processing flow in the substrate processing apparatus 10 and the exposure apparatus ST shown in FIG. The substrate processing procedure will be described with reference to FIG. 2. First, the substrates before processing stored in the cassette are supplied to the transport unit TR one by one from the indexer unit ID. The substrates supplied to the transport unit TR are transported to the adhesion section AH, the cooling processing section CP2, the coating processing section SC, the heating processing sections HP1, HP2, and the cooling processing section CP2 in order, and required by the respective substrate processing sections. Is performed. Thereby, a resist film is applied and formed on the surface of the substrate. Next, the substrate having the resist film formed on the surface is transferred from the transport unit TR to the interface unit IF, and is carried into the exposure apparatus ST through the interface unit IF by the above-described operation. Then, the exposure apparatus S
The substrate is subjected to the exposure processing in the exposure processing section of T, and the substrate after the exposure processing is
It is carried into 4. The substrate subjected to the exposure processing carried into the heat treatment unit 14 is subjected to the heating operation in the baking unit PEB, then the cooling processing in the cooling processing unit CP3, and then returned to the interface unit IF by the above-described operation. It is delivered to the transport unit TR through the interface unit IF. The substrates subjected to the exposure processing returned to the transport unit TR are subjected to development processing sections SD1, SD2, heat treatment sections HP3, H
The required processing is performed by the respective substrate processing units while being sequentially transported to the P4 and the cooling processing unit CP4. As a result, a resist film having a desired pattern is formed on the surface of the substrate, and the substrate having the resist film having the desired pattern formed on the surface is transferred from the transport unit TR to the indexer unit I.
D and is stored in the cassette on the indexer ID.
【0040】次に、図5により、この発明に係る露光装
置について説明する。図5は、この発明の実施形態の1
例を示す露光装置の概略平面図である。Next, an exposure apparatus according to the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 5 shows Embodiment 1 of the present invention.
It is a schematic plan view of an exposure apparatus showing an example.
【0041】この露光装置50は、ベーク部PEBおよ
び冷却処理部CP3をそれ自体に備えており、ベーク部
PEBおよび冷却処理部CP3が設けられていない基板
処理装置に連設されて使用される。露光装置50には、
ステッパ(図示せず)が設けられた露光処理部52、お
よび、基板処理装置のインタフェース部IFから露光処
理前の基板Wを受け取ってその基板Wを露光処理部52
へ投入する基板搬送ロボット56を備えた基板搬送ユニ
ット54の他に、それぞれ基板移載用のアーム60、6
4を備えた2台の基板搬送ロボット58、62が配設さ
れている。各基板搬送ロボット58、62のアーム6
0、64はそれぞれ、昇降するとともにその長手方向に
伸縮し、さらに水平面内において回動する。また、一方
の基板搬送ロボット58は、露光処理部52との基板受
け渡し位置とベーク部PEB(冷却処理部CP1)の前
方位置との間を直線的に往復移動する移動機構を有して
おり、他方の基板搬送ロボット62は、冷却処理部CP
1(ベーク部PEB)の前方位置とインタフェース部I
Fへの基板Wの搬出を行う基板搬出位置との間を直線的
に往復移動する移動機構を有している。そして、基板搬
送ロボット58は、露光処理部から取り出された露光処
理後の基板Wを直ちに受け取って、その基板Wをベーク
部PEBに投入する。また、基板搬送ロボット62は、
ベーク部PEBにより加熱処理された基板Wをベーク部
PEBから取り出して、その基板Wを冷却処理部CP1
へ投入し、また、冷却処理部CP1により冷却処理され
た基板Wを冷却処理部CP1から取り出して、基板処理
装置のインタフェース部IFとの境界位置である基板搬
出位置へ搬送する。そして、基板搬送ロボット58によ
り露光処理部52から取り出された直後の基板Wをベー
ク部PEBへ搬送する搬送時間、ベーク部PEBにおい
て基板Wを加熱処理する処理時間、基板搬送ロボット6
2によりベーク部PEBから冷却処理部CP3へ基板W
を搬送する搬送時間、ならびに、冷却処理部CP3にお
いて基板Wを冷却処理する処理時間は、図示しないコン
トローラによりそれぞれ一定に保たれるように制御され
る。The exposure apparatus 50 has a bake section PEB and a cooling section CP3 in itself, and is used by being connected to a substrate processing apparatus in which the bake section PEB and the cooling section CP3 are not provided. The exposure device 50 includes:
An exposure processing section 52 provided with a stepper (not shown), and a substrate W before exposure processing received from an interface section IF of the substrate processing apparatus, and the substrate W is processed by the exposure processing section 52
In addition to the substrate transfer unit 54 having the substrate transfer robot 56 to be loaded into the
4 are provided. Arm 6 of each substrate transfer robot 58, 62
Each of 0 and 64 moves up and down, expands and contracts in its longitudinal direction, and further rotates in a horizontal plane. The one substrate transport robot 58 has a moving mechanism that linearly reciprocates between a substrate transfer position with the exposure processing unit 52 and a position in front of the bake unit PEB (cooling processing unit CP1). The other substrate transfer robot 62 includes a cooling unit CP
1 (bake part PEB) forward position and interface part I
It has a moving mechanism that linearly reciprocates between a substrate unloading position where the substrate W is unloaded to F. Then, the substrate transport robot 58 immediately receives the substrate W after the exposure processing taken out from the exposure processing unit, and puts the substrate W into the baking unit PEB. Further, the substrate transfer robot 62
The substrate W heated by the bake part PEB is taken out of the bake part PEB, and the substrate W is cooled.
The substrate W cooled by the cooling processing unit CP1 is taken out of the cooling processing unit CP1, and transported to a substrate unloading position which is a boundary position with the interface unit IF of the substrate processing apparatus. Then, a transport time for transporting the substrate W immediately after being taken out of the exposure processing unit 52 by the substrate transport robot 58 to the bake unit PEB, a processing time for heating the substrate W in the bake unit PEB,
Substrate W from bake part PEB to cooling processing part CP3 by 2
And a processing time for cooling the substrate W in the cooling processing unit CP3 are controlled by a controller (not shown) so as to be kept constant.
【0042】図5に示した露光装置50においては、基
板搬送ロボット58は、露光処理部52により露光処理
された基板Wをベーク部PEBへ搬送するためだけに使
用される。このため、基板搬送ロボット58は、ベーク
部PEBへ基板Wを投入すると直ちに、露光処理部52
との基板受け渡し位置へ移動し、常に、露光処理部52
から次の基板Wが取り出されてくるのを待機している。
従って、露光処理部52により露光処理された基板Wが
基板受け渡し位置へ搬送されると、その基板Wは、待機
させられることなく基板搬送ロボット58によってその
ままベーク部PEBへ搬送される。このため、露光処理
部52による基板Wの露光処理が終了してからベーク部
PEBによる基板Wの加熱処理が行われるまでの時間が
極めて短縮され、また、その間における搬送時間が基板
間でばらつくことが無くなる。In the exposure apparatus 50 shown in FIG. 5, the substrate transport robot 58 is used only to transport the substrate W exposed by the exposure processing unit 52 to the baking unit PEB. Therefore, immediately after the substrate W is loaded into the bake unit PEB, the substrate transfer robot 58
To the substrate transfer position, and the exposure processing unit 52
Is waiting for the next substrate W to be taken out.
Therefore, when the substrate W subjected to the exposure processing by the exposure processing unit 52 is transported to the substrate transfer position, the substrate W is directly transported to the bake unit PEB by the substrate transport robot 58 without being kept on standby. For this reason, the time from the completion of the exposure processing of the substrate W by the exposure processing unit 52 to the time when the heating processing of the substrate W is performed by the baking unit PEB is extremely shortened, and the transfer time during that time varies between the substrates. Disappears.
【0043】なお、上記実施形態の露光装置において
は、露光処理部からの露光処理後の基板Wの取出しとベ
ーク部PEBへの基板Wの搬送とを別の基板搬送手段に
より行う例を示したが、これを1台の基板搬送手段によ
り実現するようにしてもよい。この場合にも、露光処理
が終了してからベーク部PEBによる基板Wの加熱処理
が行われるまでの時間を従来より短縮することができ
る。In the exposure apparatus of the above-described embodiment, an example has been shown in which the substrate W after the exposure processing from the exposure processing section is taken out and the substrate W is carried to the bake section PEB by another substrate carrying means. However, this may be realized by one substrate transfer means. Also in this case, the time from the end of the exposure processing to the time when the substrate W is heated by the bake portion PEB can be shortened as compared with the conventional case.
【0044】[0044]
【発明の効果】請求項1に係る発明の基板処理装置を使
用すると、露光処理された基板を加熱処理するまでの時
間が短縮され、かつ、基板の露光処理が終了してから加
熱処理されるまでの時間の基板間でのばらつきが無くな
るので、化学増幅型レジストを使用したような場合に
は、雰囲気中のアルカリ物質の影響が低減されかつ均一
になって、レジストの化学反応が阻害されたり、化学反
応の進み具合が基板間でばらついたりすることがなくな
る。従って、現像処理品質の低下を防ぐとともに現像処
理品質の均一化を図ることができ、この結果、製品歩留
りが向上することとなる。When the substrate processing apparatus according to the first aspect of the present invention is used, the time required to heat the exposed substrate is reduced, and the substrate is heated after the exposure processing is completed. Since there is no variation between substrates in the time required, when a chemically amplified resist is used, the effects of alkali substances in the atmosphere are reduced and uniform, and the chemical reaction of the resist is hindered. In addition, the progress of the chemical reaction does not vary between the substrates. Therefore, it is possible to prevent the deterioration of the development processing quality and to make the development processing quality uniform, and as a result, the product yield is improved.
【0045】請求項2に係る発明の基板処理装置では、
基板は、露光処理後に短時間かつ一定時間のうちに、熱
処理ユニットにおいて加熱処理部により加熱処理された
後に冷却処理部により冷却処理される。In the substrate processing apparatus according to the second aspect of the present invention,
The substrate is subjected to heat treatment by the heat treatment unit in the heat treatment unit within a short period of time after the exposure treatment, and then cooled by the cooling treatment unit.
【0046】請求項3に係る発明の基板処理装置では、
基板間での処理履歴の均等化が図られ、処理品質の管理
が容易になって、基板間での処理品質が均一化する。In the substrate processing apparatus according to the third aspect of the present invention,
The processing history between the substrates is equalized, the management of the processing quality becomes easy, and the processing quality between the substrates becomes uniform.
【0047】請求項4に係る発明の基板処理装置では、
基板間での熱処理の履歴の均等化が図られ、処理品質の
管理が容易になって、基板間での処理品質が均一化す
る。In the substrate processing apparatus according to the fourth aspect of the present invention,
The history of the heat treatment between the substrates is equalized, the management of the processing quality is facilitated, and the processing quality between the substrates is made uniform.
【0048】請求項5に係る発明の露光装置では、露光
処理された基板を加熱処理するまでの時間が短縮され、
また、基板の露光処理が終了してから加熱処理されるま
での時間の基板間でのばらつきが緩和される。従って、
化学増幅型レジストを使用した場合には、雰囲気中のア
ルカリ物質の影響が低減され、かつ均一になって、レジ
ストの化学反応が阻害されることがなくなり、また、化
学反応の進み具合が基板間でばらつくことが緩和され
る。In the exposure apparatus according to the fifth aspect of the present invention, the time required to heat the exposed substrate is reduced.
In addition, variations in the time from the completion of the exposure processing of the substrates to the time of the heating processing between the substrates are reduced. Therefore,
When a chemically amplified resist is used, the influence of an alkaline substance in the atmosphere is reduced and uniform, so that the chemical reaction of the resist is not hindered. Variations are reduced.
【0049】請求項6に係る発明の露光装置を使用する
と、露光処理された基板を露光処理部から受け取って加
熱処理するまでの時間が極めて短縮され、かつ、基板の
露光処理が終了してから加熱処理されるまでの時間の基
板間でのばらつきが無くなるので、化学増幅型レジスト
を使用したような場合には、雰囲気中のアルカリ物質の
影響が低減されかつ均一になって、レジストの化学反応
が阻害されたり、化学反応の進み具合が基板間でばらつ
いたりすることがなくなる。従って、現像処理品質の低
下を防ぐとともに現像処理品質の均一化を図ることがで
き、この結果、製品歩留りが向上することとなる。When the exposure apparatus according to the sixth aspect of the present invention is used, the time required for receiving the exposed substrate from the exposure processing unit and performing the heating process is extremely shortened, and after the substrate exposure process is completed. Since there is no variation between substrates in the time until heat treatment, when a chemically amplified resist is used, the influence of an alkaline substance in the atmosphere is reduced and uniform, and the chemical reaction of the resist is reduced. And the progress of the chemical reaction does not vary between the substrates. Therefore, it is possible to prevent the deterioration of the development processing quality and to make the development processing quality uniform, and as a result, the product yield is improved.
【0050】請求項7に係る発明の露光装置では、露光
処理部により露光処理された基板は、露光処理後に短時
間かつ一定時間のうちに、装置内に設けられた加熱処理
部により加熱処理された後に冷却処理部により冷却処理
される。In the exposure apparatus according to the seventh aspect of the present invention, the substrate exposed by the exposure processing section is heat-treated by a heating processing section provided within the apparatus within a short period of time after the exposure processing for a certain period of time. After the cooling process, the cooling process is performed.
【0051】請求項8に係る発明の露光装置では、基板
間での処理履歴の均等化が図られ、処理品質の管理が容
易になって、基板間での処理品質が均一化する。In the exposure apparatus according to the eighth aspect of the present invention, the processing history between the substrates is equalized, the management of the processing quality is facilitated, and the processing quality between the substrates is made uniform.
【0052】請求項9に係る発明の露光装置では、基板
間での熱処理の履歴の均等化が図られ、処理品質の管理
が容易になって、基板間での処理品質が均一化する。In the exposure apparatus according to the ninth aspect of the present invention, the history of the heat treatment between the substrates is equalized, the management of the processing quality is facilitated, and the processing quality between the substrates is made uniform.
【図1】この発明に係る基板処理装置に露光装置を連設
した装置全体の概略構成図である。FIG. 1 is a schematic configuration diagram of an entire apparatus in which an exposure apparatus is connected to a substrate processing apparatus according to the present invention.
【図2】図1に示した基板処理装置および露光装置にお
ける基板の処理フローを示す図2である。FIG. 2 is a diagram illustrating a substrate processing flow in the substrate processing apparatus and the exposure apparatus illustrated in FIG. 1;
【図3】図1に示した基板処理装置のインタフェース部
および熱処理ユニットの構成の1例を示す概略平面図で
ある。FIG. 3 is a schematic plan view showing an example of a configuration of an interface unit and a heat treatment unit of the substrate processing apparatus shown in FIG.
【図4】図1に示した基板処理装置の熱処理ユニットに
おけるベーク部および冷却処理部の構成の1例を示す概
略正面図である。FIG. 4 is a schematic front view illustrating an example of a configuration of a baking unit and a cooling processing unit in the heat treatment unit of the substrate processing apparatus illustrated in FIG.
【図5】この発明に係る露光装置の1実施形態を示す概
略平面図である。FIG. 5 is a schematic plan view showing one embodiment of an exposure apparatus according to the present invention.
【図6】従来の基板処理装置の1例を示す概略構成図で
ある。FIG. 6 is a schematic configuration diagram illustrating an example of a conventional substrate processing apparatus.
【図7】図6に示した基板処理装置および露光装置にお
ける基板の処理フローを示す図2である。FIG. 7 is a flowchart illustrating a substrate processing flow in the substrate processing apparatus and the exposure apparatus illustrated in FIG. 6;
【図8】従来の基板処理装置の別の例を示す概略構成図
である。FIG. 8 is a schematic configuration diagram showing another example of a conventional substrate processing apparatus.
10 基板処理装置 12 基板処理エリア 14 熱処理ユニット 18 基板移載ロボット 22 基板搬出用テーブル 30 基板搬入用テーブル 40 基板搬送ユニット 42、46、56、58、62 基板搬送ロボット 50 露光装置 52 露光処理部 54 基板搬送ユニット ID インデクサ部 TR 搬送ユニット IF インタフェース部 SC コーティング処理部 AH アドヒージョン部 HP1〜HP4 加熱処理部 CP1〜CP4 冷却処理部 PEB 露光処理後の基板を加熱する加熱処理部(ベー
ク部) SD1、SD2 現像処理部 ST 露光装置 P 基板受け渡し部DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Substrate processing apparatus 12 Substrate processing area 14 Heat treatment unit 18 Substrate transfer robot 22 Substrate carry-out table 30 Substrate carry-in table 40 Substrate transfer unit 42, 46, 56, 58, 62 Substrate transfer robot 50 Exposure device 52 Exposure processing part 54 Substrate transport unit ID Indexer unit TR Transport unit IF interface unit SC Coating unit AH Adhesion unit HP1 to HP4 Heat processing unit CP1 to CP4 Cooling unit PEB Heating unit (bake unit) for heating substrate after exposure processing SD1, SD2 Development processing unit ST Exposure device P Substrate transfer unit
フロントページの続き (72)発明者 今西 保夫 京都市伏見区羽束師古川町322番地 大日 本スクリーン製造株式会社洛西事業所内 (72)発明者 岩見 優樹 京都市伏見区羽束師古川町322番地 大日 本スクリーン製造株式会社洛西事業所内 (72)発明者 西村 譲一 京都市伏見区羽束師古川町322番地 大日 本スクリーン製造株式会社洛西事業所内 (72)発明者 森田 彰彦 京都市伏見区羽束師古川町322番地 大日 本スクリーン製造株式会社洛西事業所内 (72)発明者 川本 隆範 京都市伏見区羽束師古川町322番地 大日 本スクリーン製造株式会社洛西事業所内Continued on the front page (72) Inventor Yasuo Imanishi 322 Hashinashi Furukawacho, Fushimi-ku, Kyoto-shi Dainichi Screen Manufacturing Co., Ltd.Rakusai Office (72) Inventor Yuki Iwami 322 Hazushi-Furukawa-cho, Fushimi-ku, Kyoto-Dainhon Inside Screen Manufacturing Co., Ltd. (72) Joichi Nishimura, Inventor Johichi Nishimura 322 Hahazushi Furukawacho, Fushimi-ku, Kyoto-shi Dainichi Inside Screen Manufacturing Co., Ltd. (72) Inventor Akihiko Morita Hashizushi Furukawacho, Fushimi-ku, Kyoto-shi 322 Dainichi Screen Manufacturing Co., Ltd.Rakusai Office (72) Inventor Takanori Kawamoto 322 Hainashishi Furukawacho, Fushimi-ku, Kyoto Dainichi Screen Manufacturing Co., Ltd.Rakusai Office
Claims (9)
と、 少なくとも、露光処理された基板を現像処理する現像手
段を有する基板処理部と、を備えた基板処理装置におい
て、 露光処理された基板を熱処理する熱処理部、この熱処理
部へ露光処理された基板を搬送する専用の第1の基板搬
送手段、および、前記熱処理部から熱処理された基板を
前記インタフェース部へ搬出するための第2の基板搬送
手段からなる熱処理ユニットを設け、 露光処理された基板を、前記熱処理ユニットを経て前記
インタフェース部へ搬送し、そのインタフェース部から
前記基板処理部へ受け渡して、前記現像手段により基板
を現像処理するようにしたことを特徴とする基板処理装
置。1. A substrate processing apparatus comprising: an interface unit for transferring a substrate; and a substrate processing unit having at least a developing unit for developing the exposed substrate. A heat treatment unit, a first substrate transfer unit dedicated to transfer the substrate exposed to the heat treatment unit to the heat treatment unit, and a second substrate transfer unit to unload the substrate heat-treated from the heat treatment unit to the interface unit. Wherein the exposed substrate is transported to the interface unit via the heat treatment unit, transferred from the interface unit to the substrate processing unit, and developed by the developing unit. A substrate processing apparatus characterized by the above-mentioned.
された基板を加熱処理する加熱処理部と、この加熱処理
部により加熱処理された基板を冷却処理する冷却処理部
とから構成された請求項1記載の基板処理装置。2. A heat treatment unit of the heat treatment unit, comprising: a heat treatment unit for heating the exposed substrate; and a cooling unit for cooling the substrate heated by the heat treatment unit. 2. The substrate processing apparatus according to 1.
露光処理終了直後の基板の搬送に要する搬送時間、およ
び、前記熱処理部における基板の熱処理時間がそれぞれ
一定に保たれるように制御する第1の制御手段が設けら
れた請求項1記載の基板処理装置。3. A control is performed such that a transfer time required for transferring the substrate immediately after the exposure processing to the heat treatment section by the first substrate transfer means and a heat treatment time of the substrate in the heat treatment section are kept constant. The substrate processing apparatus according to claim 1, further comprising a first control unit.
ら冷却処理部への基板の搬送が行われ、その第2の基板
搬送手段による加熱処理部から冷却処理部への基板の搬
送に要する搬送時間、ならびに、前記加熱処理部および
前記冷却処理部における基板の各処理時間がそれぞれ一
定に保たれるように制御する第2の制御手段が設けられ
た請求項2記載の基板処理装置。4. A substrate is transported from the heat processing section to the cooling section by the second substrate transport section, and is required for transport of the substrate from the heat processing section to the cooling section by the second substrate transport section. 3. The substrate processing apparatus according to claim 2, further comprising a second control unit that controls the transport time and each processing time of the substrate in the heat processing unit and the cooling processing unit to be kept constant. 4.
搬送する基板搬送手段と、を備えたことを特徴とする基
板処理用露光装置。5. An exposure processing section for exposing a substrate, a heat treatment section for heat-treating the exposed substrate, and a substrate transfer section for transferring the substrate exposed in the exposure processing section to the heat treatment section. An exposure apparatus for substrate processing, comprising:
えた露光装置において、 露光処理された基板を熱処理する熱処理部、前記露光処
理部から前記熱処理部へ露光処理された基板を搬送する
専用の第1の基板搬送手段、および、前記熱処理部から
熱処理された基板を外部へ搬出するための第2の基板搬
送手段を設けたことを特徴とする基板処理用露光装置。6. An exposure apparatus comprising: an exposure processing section that performs exposure processing on a substrate; and a substrate transport unit that transports the substrate to the exposure processing section. Dedicated substrate transfer means for transferring the substrate subjected to the exposure processing from the heat treatment section to the heat treatment section, and second substrate transfer means for carrying out the heat-treated substrate from the heat treatment section to the outside An exposure apparatus for processing a substrate, comprising:
処理する加熱処理部と、この加熱処理部により加熱処理
された基板を冷却処理する冷却処理部とから構成された
請求項5または請求項6記載の基板処理用露光装置。7. The heat treatment unit according to claim 5, wherein the heat treatment unit comprises a heat treatment unit for heating the exposed substrate, and a cooling treatment unit for cooling the substrate heated by the heat treatment unit. Item 7. An exposure apparatus for processing a substrate according to Item 6.
ら熱処理部への基板の搬送に要する搬送時間、および、
前記熱処理部における基板の熱処理時間がそれぞれ一定
に保たれるように制御する第1の制御手段が設けられた
請求項6記載の基板処理用露光装置。8. A transport time required for transporting the substrate from the exposure processing section to the heat treatment section by the first substrate transport means, and
7. The substrate processing exposure apparatus according to claim 6, further comprising first control means for controlling a heat treatment time of the substrate in the heat treatment unit to be kept constant.
ら冷却処理部への基板の搬送が行われ、その第2の基板
搬送手段による加熱処理部から冷却処理部への基板の搬
送に要する搬送時間、ならびに、前記加熱処理部および
前記冷却処理部における基板の各処理時間がそれぞれ一
定に保たれるように制御する第2の制御手段が設けられ
た請求項7記載の基板処理用露光装置。9. The transfer of the substrate from the heat treatment section to the cooling processing section by the second substrate transfer means, which is required for the transfer of the substrate from the heat treatment section to the cooling processing section by the second substrate transfer means. 8. The substrate processing exposure apparatus according to claim 7, further comprising a second control unit for controlling the transport time and each processing time of the substrate in the heating processing unit and the cooling processing unit to be kept constant. .
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11038597A JP3504822B2 (en) | 1997-04-10 | 1997-04-10 | Substrate processing apparatus and substrate processing exposure apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11038597A JP3504822B2 (en) | 1997-04-10 | 1997-04-10 | Substrate processing apparatus and substrate processing exposure apparatus |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH10284413A true JPH10284413A (en) | 1998-10-23 |
JP3504822B2 JP3504822B2 (en) | 2004-03-08 |
Family
ID=14534475
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11038597A Expired - Fee Related JP3504822B2 (en) | 1997-04-10 | 1997-04-10 | Substrate processing apparatus and substrate processing exposure apparatus |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3504822B2 (en) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20020036251A (en) * | 2000-11-09 | 2002-05-16 | 윤종용 | Equpiment for farbricating semiconductor |
JP2006228776A (en) * | 2005-02-15 | 2006-08-31 | Advantest Corp | Charged particle beam aligner and charged particle beam exposure method |
JP2008034437A (en) * | 2006-07-26 | 2008-02-14 | Tokyo Electron Ltd | Board processing method, program, program readable recording medium, and board processing system |
JP2008098635A (en) * | 2006-10-12 | 2008-04-24 | Asml Netherlands Bv | Lithographic equipment, combination of lithographic equipment and processing module, and device manufacturing method |
US7364376B2 (en) | 2003-05-13 | 2008-04-29 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate processing apparatus |
JP2008288498A (en) * | 2007-05-21 | 2008-11-27 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | Substrate processing equipment |
JP2009044131A (en) * | 2007-06-06 | 2009-02-26 | Asml Netherlands Bv | Integrated post-exposure bake track |
-
1997
- 1997-04-10 JP JP11038597A patent/JP3504822B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20020036251A (en) * | 2000-11-09 | 2002-05-16 | 윤종용 | Equpiment for farbricating semiconductor |
US7364376B2 (en) | 2003-05-13 | 2008-04-29 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate processing apparatus |
JP2006228776A (en) * | 2005-02-15 | 2006-08-31 | Advantest Corp | Charged particle beam aligner and charged particle beam exposure method |
JP2008034437A (en) * | 2006-07-26 | 2008-02-14 | Tokyo Electron Ltd | Board processing method, program, program readable recording medium, and board processing system |
JP2008098635A (en) * | 2006-10-12 | 2008-04-24 | Asml Netherlands Bv | Lithographic equipment, combination of lithographic equipment and processing module, and device manufacturing method |
JP2008288498A (en) * | 2007-05-21 | 2008-11-27 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | Substrate processing equipment |
JP2009044131A (en) * | 2007-06-06 | 2009-02-26 | Asml Netherlands Bv | Integrated post-exposure bake track |
KR100965615B1 (en) | 2007-06-06 | 2010-06-23 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | Integrated post-exposure bake track |
US8636458B2 (en) | 2007-06-06 | 2014-01-28 | Asml Netherlands B.V. | Integrated post-exposure bake track |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3504822B2 (en) | 2004-03-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3779393B2 (en) | Processing system | |
CN100573328C (en) | Coating, developing apparatus and coating, developing method | |
KR100199680B1 (en) | Resist treatment method and resist treatment device | |
JPH07297258A (en) | Carrying equipment of plate body | |
JP2002184671A (en) | Method and system for substrate treatment | |
JP4279102B2 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
JP2004342654A (en) | Substrate processing apparatus | |
JP3310212B2 (en) | Coating / development processing system and liquid processing system | |
JP3593496B2 (en) | Coating and development processing equipment | |
JPH10284413A (en) | Substrate processor and substrate processing aligner | |
JP2001077014A (en) | Substrate transfer device and sustem for coating- development process | |
JP2660285B2 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
JP3517121B2 (en) | Processing equipment | |
JP3936900B2 (en) | Substrate processing system | |
JPH08321537A (en) | Treatment equipment and treatment method | |
JP3957445B2 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
JP2000091218A (en) | Heating method and apparatus | |
JP2000124129A (en) | Processing apparatus | |
JP2002025904A (en) | Heat treatment equipment and substrate treatment device | |
JPH07171478A (en) | Substrate treating device | |
JPH0817724A (en) | Substrate treatment apparatus | |
JP2001168004A (en) | Wafer treating device | |
JPH11162804A (en) | Heat treatment apparatus and method | |
JPH10149977A (en) | Method for controlling treating device and treating device | |
JP2926703B2 (en) | Substrate processing method and apparatus |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20031211 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071219 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081219 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081219 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091219 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091219 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091219 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101219 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101219 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111219 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111219 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121219 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121219 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121219 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131219 Year of fee payment: 10 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |