JPH10270672A - 固体撮像素子 - Google Patents
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- JPH10270672A JPH10270672A JP9071886A JP7188697A JPH10270672A JP H10270672 A JPH10270672 A JP H10270672A JP 9071886 A JP9071886 A JP 9071886A JP 7188697 A JP7188697 A JP 7188697A JP H10270672 A JPH10270672 A JP H10270672A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 受光部上に形成したマイクロレンズの曲率半
径や受光部上の層厚を大きく変化させなくても、集光位
置の調整を行うことができるようにすることにより、小
型化や高解像化に好適な固体撮像素子を提供する。 【解決手段】 センサ部2上に対応してマイクロレンズ
17が形成され、マイクロレンズ17上に、マイクロレ
ンズ17の屈折率より低い屈折率の層18が形成され、
最上面が実質的に平坦面である固体撮像素子10を構成
する。
径や受光部上の層厚を大きく変化させなくても、集光位
置の調整を行うことができるようにすることにより、小
型化や高解像化に好適な固体撮像素子を提供する。 【解決手段】 センサ部2上に対応してマイクロレンズ
17が形成され、マイクロレンズ17上に、マイクロレ
ンズ17の屈折率より低い屈折率の層18が形成され、
最上面が実質的に平坦面である固体撮像素子10を構成
する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、センサ部上にマイ
クロレンズを形成した固体撮像素子に係わる。
クロレンズを形成した固体撮像素子に係わる。
【0002】
【従来の技術】CCD固体撮像素子に対して、小型化や
高解像度化のために、フォトダイオードからなる受光部
とCCDレジスタとによって構成されるユニットセルが
縮小化される傾向にある。これにより、受光部であるフ
ォトダイオードの面積が減少し、CCD固体撮像素子の
主要特性の1つである、光電変換特性、即ち光感度を低
下させている。
高解像度化のために、フォトダイオードからなる受光部
とCCDレジスタとによって構成されるユニットセルが
縮小化される傾向にある。これにより、受光部であるフ
ォトダイオードの面積が減少し、CCD固体撮像素子の
主要特性の1つである、光電変換特性、即ち光感度を低
下させている。
【0003】実際に、民生用の小型ビデオカメラに使用
される光学サイズの主流は、1/3インチ型から1/4
インチ型ヘと移行し、更には1/6インチ型もしくは更
に小さいサイズの検討もなされている。また、画素数は
25万画素、36万画素、38万画素から56万画素の
範囲まで広がっている。
される光学サイズの主流は、1/3インチ型から1/4
インチ型ヘと移行し、更には1/6インチ型もしくは更
に小さいサイズの検討もなされている。また、画素数は
25万画素、36万画素、38万画素から56万画素の
範囲まで広がっている。
【0004】こうしたCCD固体撮像素子の光感度を向
上させる技術として、各フォトダイオードに対応した位
置にマイクロレンズを設けることにより、入射光を効率
良く受光部に集光する、いわゆるオンチップマイクロレ
ンズと呼ばれる技術が確立され、導入に至っている。
上させる技術として、各フォトダイオードに対応した位
置にマイクロレンズを設けることにより、入射光を効率
良く受光部に集光する、いわゆるオンチップマイクロレ
ンズと呼ばれる技術が確立され、導入に至っている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】図6に、従来における
一般的なオンチップマイクロレンズを形成したCCD固
体撮像素子の水平方向、即ち垂直CCDレジスタの転送
方向と直交する方向における断面図を示す。
一般的なオンチップマイクロレンズを形成したCCD固
体撮像素子の水平方向、即ち垂直CCDレジスタの転送
方向と直交する方向における断面図を示す。
【0006】図6に示すように、例えばシリコンからな
る半導体基板31内に、拡散層等により、垂直CCDレ
ジスタ40を構成する電荷転送部32、及び受光部33
を構成するフォトダイオードが形成され、電荷転送部3
2上には絶縁膜を介して垂直転送電極34が形成され、
この垂直転送電極34を覆って、遮光膜35が形成され
ている。受光部33は遮光膜35の開口に対応して形成
されている。
る半導体基板31内に、拡散層等により、垂直CCDレ
ジスタ40を構成する電荷転送部32、及び受光部33
を構成するフォトダイオードが形成され、電荷転送部3
2上には絶縁膜を介して垂直転送電極34が形成され、
この垂直転送電極34を覆って、遮光膜35が形成され
ている。受光部33は遮光膜35の開口に対応して形成
されている。
【0007】さらに、受光部33上及び遮光膜35を覆
って透明平坦化膜36が形成され、この透明平坦化膜3
6により平坦化された面上に、カラーフィルター37が
形成されている。このカラーフィルター37の上には、
再び透明平坦化膜38が形成され、その上に表面が一定
の曲率を有する球面であるマイクロレンズ39が形成さ
れて、CCD固体撮像素子30を構成している。
って透明平坦化膜36が形成され、この透明平坦化膜3
6により平坦化された面上に、カラーフィルター37が
形成されている。このカラーフィルター37の上には、
再び透明平坦化膜38が形成され、その上に表面が一定
の曲率を有する球面であるマイクロレンズ39が形成さ
れて、CCD固体撮像素子30を構成している。
【0008】この図6では、入射光Lの光路はCCD固
体撮像素子30に対して垂直に入射する平行入射光とし
ている。図中fは、マイクロレンズ39の焦点距離、r
はマイクロレンズ39の曲率半径をそれぞれ示す。
体撮像素子30に対して垂直に入射する平行入射光とし
ている。図中fは、マイクロレンズ39の焦点距離、r
はマイクロレンズ39の曲率半径をそれぞれ示す。
【0009】将来的には、更なるCCD固体撮像素子3
0のユニットセル縮小化は確実であるが、図6に示すよ
うな単層のマイクロレンズ39では入射光Lを効率良
く、受光部33内に集光させることが困難となってく
る。即ち、図6に示すように、マイクロレンズ39に入
射した光Lが、受光部33からかなり高い位置f0で集
光する。このため、受光部33に入射する光量が少なく
なり、光感度が低下してしまう。
0のユニットセル縮小化は確実であるが、図6に示すよ
うな単層のマイクロレンズ39では入射光Lを効率良
く、受光部33内に集光させることが困難となってく
る。即ち、図6に示すように、マイクロレンズ39に入
射した光Lが、受光部33からかなり高い位置f0で集
光する。このため、受光部33に入射する光量が少なく
なり、光感度が低下してしまう。
【0010】また、焦点の位置が受光部33上のより上
方であるほど、集光した後の光Lが垂直CCDレジスタ
32へ入射することにより、いわゆるスミアの現象が生
じやすくなる。この現象はユニットセルの縮小化が進む
ほど顕著になる。
方であるほど、集光した後の光Lが垂直CCDレジスタ
32へ入射することにより、いわゆるスミアの現象が生
じやすくなる。この現象はユニットセルの縮小化が進む
ほど顕著になる。
【0011】集光を改善するためには、主に受光部33
表面からマイクロレンズ39までの距離(以下、層厚と
する)hを低くすることと、マイクロレンズ39の曲率
半径rを大きくすることが必要である。
表面からマイクロレンズ39までの距離(以下、層厚と
する)hを低くすることと、マイクロレンズ39の曲率
半径rを大きくすることが必要である。
【0012】しかしながら、均一なカラーフィルター3
7やマイクロレンズ39を形成するために、平坦化透明
膜36,38や、CCD固体撮像素子の色分光を合わせ
るためのカラーフィルター37等の厚さがある程度は必
要であるため、この層厚hを低くするにも限界がある。
7やマイクロレンズ39を形成するために、平坦化透明
膜36,38や、CCD固体撮像素子の色分光を合わせ
るためのカラーフィルター37等の厚さがある程度は必
要であるため、この層厚hを低くするにも限界がある。
【0013】一方、マイクロレンズ39の曲率半径rを
大きくするためには、例えば透明樹脂の熱リフローによ
ってマイクロレンズ39を形成する時に、熱リフロー前
の透明樹脂膜厚を薄く設定する必要がある。
大きくするためには、例えば透明樹脂の熱リフローによ
ってマイクロレンズ39を形成する時に、熱リフロー前
の透明樹脂膜厚を薄く設定する必要がある。
【0014】しかしながら、マイクロレンズ39を構成
する透明樹脂の膜厚を薄くすると、図8に示すように、
熱リフローした後のレンズの形状が、レンズ上部がやや
平坦な偏平な形状となってしまい、一定の曲率を有する
良好なリフロー形状が得られず、集光に支障が出てくる
可能性がある。また、透明樹脂の膜厚を薄くすると、下
地の段差の影響により透明樹脂を均一に塗布することが
困難になる。
する透明樹脂の膜厚を薄くすると、図8に示すように、
熱リフローした後のレンズの形状が、レンズ上部がやや
平坦な偏平な形状となってしまい、一定の曲率を有する
良好なリフロー形状が得られず、集光に支障が出てくる
可能性がある。また、透明樹脂の膜厚を薄くすると、下
地の段差の影響により透明樹脂を均一に塗布することが
困難になる。
【0015】従って、均一なマイクロレンズを形成する
ためには、その曲率半径rを大きくすることにも限界が
ある。
ためには、その曲率半径rを大きくすることにも限界が
ある。
【0016】上述した問題の解決のために、本発明にお
いては、受光部上に形成したマイクロレンズの曲率半径
や受光部上の層厚を大きく変化させなくても、集光位置
の調整を行うことができるようにすることにより、小型
化や高解像化に好適な固体撮像素子を提供するものであ
る。
いては、受光部上に形成したマイクロレンズの曲率半径
や受光部上の層厚を大きく変化させなくても、集光位置
の調整を行うことができるようにすることにより、小型
化や高解像化に好適な固体撮像素子を提供するものであ
る。
【0017】
【課題を解決するための手段】本発明の固体撮像素子
は、センサ部上に対応して形成されたマイクロレンズ上
に、マイクロレンズの屈折率より低い屈折率の層が形成
され、最上面が実質的に平坦面である構成とする。
は、センサ部上に対応して形成されたマイクロレンズ上
に、マイクロレンズの屈折率より低い屈折率の層が形成
され、最上面が実質的に平坦面である構成とする。
【0018】上述の本発明の構成によれば、マイクロレ
ンズ上にマイクロレンズの屈折率より低い屈折率の層が
形成されていることにより、マイクロレンズ上が空気の
場合と比較して、マイクロレンズに入射する光の集光位
置を深くすることができる。また、最上面が実質的に平
坦面であるため、最上面においては垂直に入射した光の
屈折は生じない。
ンズ上にマイクロレンズの屈折率より低い屈折率の層が
形成されていることにより、マイクロレンズ上が空気の
場合と比較して、マイクロレンズに入射する光の集光位
置を深くすることができる。また、最上面が実質的に平
坦面であるため、最上面においては垂直に入射した光の
屈折は生じない。
【0019】
【発明の実施の形態】本発明は、センサ部上に対応して
マイクロレンズが形成され、マイクロレンズ上に、マイ
クロレンズの屈折率より低い屈折率の層が形成され、最
上面が実質的に平坦面である固体撮像素子である。
マイクロレンズが形成され、マイクロレンズ上に、マイ
クロレンズの屈折率より低い屈折率の層が形成され、最
上面が実質的に平坦面である固体撮像素子である。
【0020】また本発明は、上記固体撮像素子におい
て、マイクロレンズの屈折率より低い屈折率の層の上に
反射防止膜が形成された構成とする。
て、マイクロレンズの屈折率より低い屈折率の層の上に
反射防止膜が形成された構成とする。
【0021】また本発明は、上記固体撮像素子におい
て、センサ部の開口の短辺の長さaと、半導体表面から
マイクロレンズのレンズ底面までの長さbの比a/bが
1/3以下である構成とする。
て、センサ部の開口の短辺の長さaと、半導体表面から
マイクロレンズのレンズ底面までの長さbの比a/bが
1/3以下である構成とする。
【0022】以下、図面を参照して本発明の固体撮像素
子の実施例を説明する。図1及び図2に、本発明の固体
撮像素子の実施例、本例ではインターライン転送方式の
CCD固体撮像素子の概略構成図を示す。図1は平面
図、図2は水平転送方向、いわゆるH方向(又は図1に
おけるa−a′断面)における断面図をそれぞれ示す。
子の実施例を説明する。図1及び図2に、本発明の固体
撮像素子の実施例、本例ではインターライン転送方式の
CCD固体撮像素子の概略構成図を示す。図1は平面
図、図2は水平転送方向、いわゆるH方向(又は図1に
おけるa−a′断面)における断面図をそれぞれ示す。
【0023】図1に示すように、このCCD固体撮像素
子10は、撮像領域において、マトリックス状に配置さ
れたフォトダイオードからなる受光部(センサ部)2を
有し、この受光部2の各列に対応して垂直CCDレジス
タ1が設けられて構成される。図中3は、1つの受光部
2と垂直CCDレジスタ1で構成されるユニットセルを
示す。
子10は、撮像領域において、マトリックス状に配置さ
れたフォトダイオードからなる受光部(センサ部)2を
有し、この受光部2の各列に対応して垂直CCDレジス
タ1が設けられて構成される。図中3は、1つの受光部
2と垂直CCDレジスタ1で構成されるユニットセルを
示す。
【0024】また、断面構造としては、図2に示すよう
に、例えばシリコンからなる半導体基板11内に、拡散
層等により、受光部2を構成するフォトダイオード、及
び垂直CCDレジスタ1を構成する電荷転送部4が形成
され、電荷転送部4上には絶縁膜を介して垂直転送電極
12が形成され、この垂直転送電極12を覆って、遮光
膜13が形成されている。図2の場合には、受光部2は
遮光膜13の開口に対応して形成されている。受光部2
上及び遮光膜13を覆って透明平坦化膜14が形成さ
れ、これにより平坦化された面上にカラーフィルター1
5が形成されている。カラーフィルター15の上には、
再び透明平坦化膜16が形成され、その上に表面が一定
の曲率を有する球面であるマイクロレンズ17が形成さ
れている。
に、例えばシリコンからなる半導体基板11内に、拡散
層等により、受光部2を構成するフォトダイオード、及
び垂直CCDレジスタ1を構成する電荷転送部4が形成
され、電荷転送部4上には絶縁膜を介して垂直転送電極
12が形成され、この垂直転送電極12を覆って、遮光
膜13が形成されている。図2の場合には、受光部2は
遮光膜13の開口に対応して形成されている。受光部2
上及び遮光膜13を覆って透明平坦化膜14が形成さ
れ、これにより平坦化された面上にカラーフィルター1
5が形成されている。カラーフィルター15の上には、
再び透明平坦化膜16が形成され、その上に表面が一定
の曲率を有する球面であるマイクロレンズ17が形成さ
れている。
【0025】本例においては、特にマイクロレンズ17
上を覆って、マイクロレンズ17よりも屈折率の低い透
明膜からなる屈折率調整層18を形成する。
上を覆って、マイクロレンズ17よりも屈折率の低い透
明膜からなる屈折率調整層18を形成する。
【0026】ここでマイクロレンズ17の高さHlと、
屈折率調整層18の厚さ、即ちマイクロレンズ17の底
面から屈折率調整層18の上面までの高さHiとの間に
は、次の数1の関係が成り立つ。
屈折率調整層18の厚さ、即ちマイクロレンズ17の底
面から屈折率調整層18の上面までの高さHiとの間に
は、次の数1の関係が成り立つ。
【0027】
【数1】Hl<Hi
【0028】図3に屈折率n1の媒体から、屈折率n
2,レンズ曲率半径rを持つマイクロレンズに平行光が
入射した模式図を示す。このときのマイクロレンズの焦
点距離fは次の数2で表すことができる。
2,レンズ曲率半径rを持つマイクロレンズに平行光が
入射した模式図を示す。このときのマイクロレンズの焦
点距離fは次の数2で表すことができる。
【0029】
【数2】
【0030】図6に示したような一般的な固体撮像素子
の場合、n1の媒体は空気(n1=1.0)であり、n
2の屈折率を持つ材料は、例えばポリスチレン系樹脂
(n2≒1.6)である。この場合の焦点距離fは、f
≒2.67rとなる。
の場合、n1の媒体は空気(n1=1.0)であり、n
2の屈折率を持つ材料は、例えばポリスチレン系樹脂
(n2≒1.6)である。この場合の焦点距離fは、f
≒2.67rとなる。
【0031】これに対して、上述の図2に示す実施例の
構造をとった場合において、例えば屈折率n1の屈折率
調整層18の材料に、弗素系樹脂(例えば、旭硝子株式
会社製:サイトップ/屈折率n1=1.34)を用いた
場合、焦点距離fは約6.15rとなり、焦点距離fは
従来より約2.3倍延長される。
構造をとった場合において、例えば屈折率n1の屈折率
調整層18の材料に、弗素系樹脂(例えば、旭硝子株式
会社製:サイトップ/屈折率n1=1.34)を用いた
場合、焦点距離fは約6.15rとなり、焦点距離fは
従来より約2.3倍延長される。
【0032】また、上述の図2に示す実施例の構造をと
った場合において、例えば屈折率n2のマイクロレンズ
17に、ポリイミド樹脂(屈折率n2≒1.75)を用
い、屈折率n1の屈折率調整層18に弗素系樹脂(屈折
率n1=1.34)を用いた場合には、焦点距離fは約
4.2rとなる。
った場合において、例えば屈折率n2のマイクロレンズ
17に、ポリイミド樹脂(屈折率n2≒1.75)を用
い、屈折率n1の屈折率調整層18に弗素系樹脂(屈折
率n1=1.34)を用いた場合には、焦点距離fは約
4.2rとなる。
【0033】このように、マイクロレンズ17よりも屈
折率の低い透明膜からなる屈折率調整層18を設置した
ことにより、マイクロレンズ17に入射した光は、図6
で示した場合より焦点距離fが延び、焦点の位置も図6
の場合の位置f0よりLfの分深くなった位置Fとな
る。即ち、屈折率n1のマイクロレンズ17と屈折率n
2の屈折率調整層18により構成される、屈折率が異な
る材料の組み合わせによって、焦点距離fを自在に制御
することができる。これにより、受光部2に入射する光
量が増加し、CCD固体撮像素子10の光感度が増大す
る。
折率の低い透明膜からなる屈折率調整層18を設置した
ことにより、マイクロレンズ17に入射した光は、図6
で示した場合より焦点距離fが延び、焦点の位置も図6
の場合の位置f0よりLfの分深くなった位置Fとな
る。即ち、屈折率n1のマイクロレンズ17と屈折率n
2の屈折率調整層18により構成される、屈折率が異な
る材料の組み合わせによって、焦点距離fを自在に制御
することができる。これにより、受光部2に入射する光
量が増加し、CCD固体撮像素子10の光感度が増大す
る。
【0034】また本例では、屈折率調整層18における
入射光Lの反射を防止するために、屈折率調整層18上
に反射防止膜19を設けている。これにより、入射光L
が反射して受光部へ入射する光量の減少を抑制すること
ができる。
入射光Lの反射を防止するために、屈折率調整層18上
に反射防止膜19を設けている。これにより、入射光L
が反射して受光部へ入射する光量の減少を抑制すること
ができる。
【0035】図4に屈折率n1の屈折率調整層18上
に、屈折率n3,膜厚Tを有する、反射防止膜19を設
置した場合の光路を示す。このように、屈折率n1の屈
折率調整層18上に反射防止膜19を設置する場合にお
いては、反射防止膜19の屈折率n3及び膜厚Tは、理
想的には以下の数3の条件を満たせばよい。
に、屈折率n3,膜厚Tを有する、反射防止膜19を設
置した場合の光路を示す。このように、屈折率n1の屈
折率調整層18上に反射防止膜19を設置する場合にお
いては、反射防止膜19の屈折率n3及び膜厚Tは、理
想的には以下の数3の条件を満たせばよい。
【0036】
【数3】n3=√(n1) T=λ/4(λ:反射防止したい光の波長)
【0037】この数3の条件に完全に合致させることは
困難であるが、実際には、数3の条件に近い屈折率を有
する材料を反射防止膜19に用いる。尚、この反射防止
膜19は必ずしも設置しなくてもよい。
困難であるが、実際には、数3の条件に近い屈折率を有
する材料を反射防止膜19に用いる。尚、この反射防止
膜19は必ずしも設置しなくてもよい。
【0038】また、好ましくは、受光部(センサ部)2
の開口の短辺の長さaと、半導体表面即ち受光部2の表
面からマイクロレンズ17の底面までの長さb(層厚
h)の比a/bを1/3以下とする。従来のようにマイ
クロレンズ39上が空気である場合には、入射光Lが受
光部2よりかなり上方で集光して受光部へ入射する光量
が減少し、また集光した後に広がった光が垂直CCDレ
ジスタに入射してスミアを生じる。
の開口の短辺の長さaと、半導体表面即ち受光部2の表
面からマイクロレンズ17の底面までの長さb(層厚
h)の比a/bを1/3以下とする。従来のようにマイ
クロレンズ39上が空気である場合には、入射光Lが受
光部2よりかなり上方で集光して受光部へ入射する光量
が減少し、また集光した後に広がった光が垂直CCDレ
ジスタに入射してスミアを生じる。
【0039】上述の比a/bの値が充分大きい場合に
は、集光位置が受光部表面よりかなり上方であっても、
受光部が広く、また垂直CCDレジスタの間隔Dvも充
分であるので、このような問題が生じにくい。一方、a
/bの値が1/3以下であると、この光量の減少及びス
ミアの発生の問題が顕著になることから、本発明により
屈折率調整層18を設けて焦点距離fを調節することに
より、受光部への入射光量を増加させ、かつスミアを防
止できる効果が大きくなる。
は、集光位置が受光部表面よりかなり上方であっても、
受光部が広く、また垂直CCDレジスタの間隔Dvも充
分であるので、このような問題が生じにくい。一方、a
/bの値が1/3以下であると、この光量の減少及びス
ミアの発生の問題が顕著になることから、本発明により
屈折率調整層18を設けて焦点距離fを調節することに
より、受光部への入射光量を増加させ、かつスミアを防
止できる効果が大きくなる。
【0040】上述の実施例では、焦点f1が受光部2の
表面、即ち半導体基板11の表面より上方に位置してい
るが、受光部2の表面より下方であっても構わない。
表面、即ち半導体基板11の表面より上方に位置してい
るが、受光部2の表面より下方であっても構わない。
【0041】次に、本発明の固体撮像素子の具体的な設
計例を示す。まず、比較説明のために、図7に従来の構
造による平行光の集光状態の模式図(水平方向の断面
図)を示す。ここで、マイクロレンズ39の上層は空気
(屈折率n1=1.0)とし、マイクロレンズ39及び
下層の屈折率n2は=1.60としている。また、マイ
クロレンズ39の下層の厚さ、即ち層厚h(b)を4.
50μm、受光部33の開口部の幅aを1.0μm、垂
直CCDレジスタ32の間隔Dvを2.0μmとしてい
る。
計例を示す。まず、比較説明のために、図7に従来の構
造による平行光の集光状態の模式図(水平方向の断面
図)を示す。ここで、マイクロレンズ39の上層は空気
(屈折率n1=1.0)とし、マイクロレンズ39及び
下層の屈折率n2は=1.60としている。また、マイ
クロレンズ39の下層の厚さ、即ち層厚h(b)を4.
50μm、受光部33の開口部の幅aを1.0μm、垂
直CCDレジスタ32の間隔Dvを2.0μmとしてい
る。
【0042】マイクロレンズ39の曲率半径r1が1.
0μmのときには、マイクロレンズ39の高さh1は約
0.9〜1.0μmであり、焦点距離f1は2.67μ
mとなるため、入射光Lは効率良く受光部33に集光し
ない。しかも、焦点を過ぎた入射光Lが広がって遮光膜
34に入射するようになるため、感度劣化の原因とな
る。また入射光の斜め光成分が多いため、スミアの原因
ともなる。
0μmのときには、マイクロレンズ39の高さh1は約
0.9〜1.0μmであり、焦点距離f1は2.67μ
mとなるため、入射光Lは効率良く受光部33に集光し
ない。しかも、焦点を過ぎた入射光Lが広がって遮光膜
34に入射するようになるため、感度劣化の原因とな
る。また入射光の斜め光成分が多いため、スミアの原因
ともなる。
【0043】従来は、この焦点距離f1を延長する方法
として、マイクロレンズ39の曲率半径r1を、r2と
大きくして対応していた。ここで、マイクロレンズ39
の曲率半径r2を1.7μmにすると、マイクロレンズ
の高さh2は約0.3〜0.4μmとなり、焦点距離f
2が4.54μmに延長されて、集光状態も良好とな
る。
として、マイクロレンズ39の曲率半径r1を、r2と
大きくして対応していた。ここで、マイクロレンズ39
の曲率半径r2を1.7μmにすると、マイクロレンズ
の高さh2は約0.3〜0.4μmとなり、焦点距離f
2が4.54μmに延長されて、集光状態も良好とな
る。
【0044】しかしながら、1.7μmの曲率半径r2
を得るためには、レンズ材を0.2〜0.3μm程度に
薄く塗布する必要がある。このとき、下地層例えば、ス
クライブライン,ボンディングパッド等の段差の影響で
レンズ材を均一に塗布することが因難になる。また、レ
ンズ材が薄くなることにより、図8に示すように、良好
なリフロー形状が得られず、集光に支障が出てくる可能
性がある。
を得るためには、レンズ材を0.2〜0.3μm程度に
薄く塗布する必要がある。このとき、下地層例えば、ス
クライブライン,ボンディングパッド等の段差の影響で
レンズ材を均一に塗布することが因難になる。また、レ
ンズ材が薄くなることにより、図8に示すように、良好
なリフロー形状が得られず、集光に支障が出てくる可能
性がある。
【0045】これに対し、高さh1,曲率半径r1を有
するマイクロレンズ39を形成する場合には、レンズ材
の塗布膜厚も約0.8〜0.9μmでよく、良好なリフ
ロー形状が得られる膜厚であるため、均一なレンズ形状
を得るための設計マージンが広がる。
するマイクロレンズ39を形成する場合には、レンズ材
の塗布膜厚も約0.8〜0.9μmでよく、良好なリフ
ロー形状が得られる膜厚であるため、均一なレンズ形状
を得るための設計マージンが広がる。
【0046】次に、図7で示した従来例と同様の構造に
本発明を適用した設計例を図5に示す。先に図7に示し
た、高さh1,曲率半径r1を有するマイクロレンズ3
9と同じ大きさ、即ち高さHl(h1)及び曲率半径r
(r1)を有するマイクロレンズ17を形成する。そし
て、このマイクロレンズ17上に、屈折率調整層18を
構成する透明樹脂を、塗布することにより、或いはパッ
ケージ組み立て時にポッティング(滴下)することによ
り、屈折率調整層18を形成した。
本発明を適用した設計例を図5に示す。先に図7に示し
た、高さh1,曲率半径r1を有するマイクロレンズ3
9と同じ大きさ、即ち高さHl(h1)及び曲率半径r
(r1)を有するマイクロレンズ17を形成する。そし
て、このマイクロレンズ17上に、屈折率調整層18を
構成する透明樹脂を、塗布することにより、或いはパッ
ケージ組み立て時にポッティング(滴下)することによ
り、屈折率調整層18を形成した。
【0047】屈折率調整層18の材料には、弗素系樹脂
(例えば旭硝子株式会社製:サイトップ、屈折率n1=
1.34)を用いた。このとき、図5に示すように、焦
点距離fが6.15μmに迄延長され、集光状態も良好
となった。
(例えば旭硝子株式会社製:サイトップ、屈折率n1=
1.34)を用いた。このとき、図5に示すように、焦
点距離fが6.15μmに迄延長され、集光状態も良好
となった。
【0048】尚、上述の図5及び図7のマイクロレンズ
の曲率半径r,r1,r2の値は、それぞれ近似値を用
いている。
の曲率半径r,r1,r2の値は、それぞれ近似値を用
いている。
【0049】ここで、上述のマイクロレンズ17の製法
については、例えばマイクロレンズ材を直接リフローす
る製法、あるいはフォトレジストをリフローした後にエ
ッチバックによりフォトレジストからマイクロレンズ材
へレンズ形状を転写する製法等でもよく、製法の如何を
問わない。
については、例えばマイクロレンズ材を直接リフローす
る製法、あるいはフォトレジストをリフローした後にエ
ッチバックによりフォトレジストからマイクロレンズ材
へレンズ形状を転写する製法等でもよく、製法の如何を
問わない。
【0050】また、マイクロレンズから受光部表面迄の
間には、実際にはカラーフィルター、平坦化膜、パッシ
ベーション膜等の複数の膜が存在しているが、図中では
これらを一義的に同一屈折率として、入射光Lの光路を
示している。
間には、実際にはカラーフィルター、平坦化膜、パッシ
ベーション膜等の複数の膜が存在しているが、図中では
これらを一義的に同一屈折率として、入射光Lの光路を
示している。
【0051】上述の例では、平行入射光の場合について
示したが、マイクロレンズに対して斜めに光が入射する
ユニットセルに対しても、本発明を同様に適用すること
ができる。この場合には、入射光の光路に対応して、マ
イクロレンズと受光部の位置関係を水平方向にずらして
形成して、入射光が受光部に入射するように固体撮像素
子を構成してやればよい。
示したが、マイクロレンズに対して斜めに光が入射する
ユニットセルに対しても、本発明を同様に適用すること
ができる。この場合には、入射光の光路に対応して、マ
イクロレンズと受光部の位置関係を水平方向にずらして
形成して、入射光が受光部に入射するように固体撮像素
子を構成してやればよい。
【0052】また、上述のマイクロレンズの屈折率より
低い屈折率の屈折率調整層18を、固体撮像素子上を覆
ってパッケージを形成する透明な封止樹脂として用いる
ことができる。この場合には、例えばマイクロレンズを
形成した固体撮像素子上に、これを覆ってマイクロレン
ズの屈折率より低い屈折率の透明樹脂を滴下し、この透
明樹脂を固化することによってパッケージを製造するこ
とができる。これにより、ガラス等で封止する一般的な
パッケージ方式と比較して、固体撮像素子のパッケージ
を低コストで製造することができる。
低い屈折率の屈折率調整層18を、固体撮像素子上を覆
ってパッケージを形成する透明な封止樹脂として用いる
ことができる。この場合には、例えばマイクロレンズを
形成した固体撮像素子上に、これを覆ってマイクロレン
ズの屈折率より低い屈折率の透明樹脂を滴下し、この透
明樹脂を固化することによってパッケージを製造するこ
とができる。これにより、ガラス等で封止する一般的な
パッケージ方式と比較して、固体撮像素子のパッケージ
を低コストで製造することができる。
【0053】本発明の固体撮像素子は、上述の例に限定
されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で
その他様々な構成が取り得る。
されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で
その他様々な構成が取り得る。
【0054】
【発明の効果】上述の本発明による固体撮像素子によれ
ば、マイクロレンズより屈折率の低い材料からなる層を
マイクロレンズ上に形成し、最上面を実質的に平坦面と
することにより、固体撮像素子のユニットセルの微細化
が図られた状態において、光感度を向上させることがで
きる。
ば、マイクロレンズより屈折率の低い材料からなる層を
マイクロレンズ上に形成し、最上面を実質的に平坦面と
することにより、固体撮像素子のユニットセルの微細化
が図られた状態において、光感度を向上させることがで
きる。
【0055】また、さらにマイクロレンズの屈折率より
低い屈折率の層の上に反射防止膜が形成されたときに
は、マイクロレンズの屈折率より低い屈折率の層におけ
る反射を防止して、受光部に入射する光量を増加させる
ことができる。
低い屈折率の層の上に反射防止膜が形成されたときに
は、マイクロレンズの屈折率より低い屈折率の層におけ
る反射を防止して、受光部に入射する光量を増加させる
ことができる。
【0056】また、マイクロレンズの屈折率より低い屈
折率の層を、固体撮像素子上を覆ってパッケージを構成
する透明な封止樹脂として用いた場合には、ガラス等で
封止する一般的なパッケージ方式と比較して、固体撮像
素子のパッケージを低コストで製造することができる。
折率の層を、固体撮像素子上を覆ってパッケージを構成
する透明な封止樹脂として用いた場合には、ガラス等で
封止する一般的なパッケージ方式と比較して、固体撮像
素子のパッケージを低コストで製造することができる。
【図1】本発明の固体撮像素子の実施例の平面図であ
る。
る。
【図2】本発明の固体撮像素子の実施例の水平転送方向
の断面図である。
の断面図である。
【図3】本発明の固体撮像素子における入射光の挙動を
説明する図である。
説明する図である。
【図4】図2の固体撮像素子における入射光の挙動を説
明する図である。
明する図である。
【図5】図2の固体撮像素子の設計例を示す図である。
【図6】従来のCCD固体撮像素子の水平転送方向の断
面図である。
面図である。
【図7】図6のCCD固体撮像素子の設計例を示す図で
ある。
ある。
【図8】レンズ材を薄くした場合を説明する図である。
1 垂直CCDレジスタ、2 受光部(センサ部)、3
ユニットセル、4 電荷転送部、10 CCD固体撮
像素子、11 半導体基板、12 垂直転送電極、13
遮光膜、14,16 透明平坦化膜、15 カラーフ
ィルター、17マイクロレンズ、18 屈折率調整層、
19 反射防止膜、30 CCD固体撮像素子、31
半導体基板、32 電荷転送部、33 受光部、34
垂直転送電極、35 遮光膜、36,38 透明平坦化
膜、37 カラーフィルター、39 マイクロレンズ、
40 垂直CCDレジスタ、L 入射光、f 焦点距
離、r,r1,r2 マイクロレンズの曲率半径、b,
h 受光部表面からマイクロレンズ底面までの高さ(層
厚)、h1,h2、Hl マイクロレンズの高さ、Hi
屈折率調整層の厚さ、a 受光部の開口部の幅、Dv
垂直CCDレジスタの間隔
ユニットセル、4 電荷転送部、10 CCD固体撮
像素子、11 半導体基板、12 垂直転送電極、13
遮光膜、14,16 透明平坦化膜、15 カラーフ
ィルター、17マイクロレンズ、18 屈折率調整層、
19 反射防止膜、30 CCD固体撮像素子、31
半導体基板、32 電荷転送部、33 受光部、34
垂直転送電極、35 遮光膜、36,38 透明平坦化
膜、37 カラーフィルター、39 マイクロレンズ、
40 垂直CCDレジスタ、L 入射光、f 焦点距
離、r,r1,r2 マイクロレンズの曲率半径、b,
h 受光部表面からマイクロレンズ底面までの高さ(層
厚)、h1,h2、Hl マイクロレンズの高さ、Hi
屈折率調整層の厚さ、a 受光部の開口部の幅、Dv
垂直CCDレジスタの間隔
Claims (3)
- 【請求項1】 センサ部上に対応してマイクロレンズが
形成され、 上記マイクロレンズ上に、該マイクロレンズの屈折率よ
り低い屈折率の層が形成され、 最上面が実質的に平坦面であることを特徴とする固体撮
像素子。 - 【請求項2】 上記マイクロレンズの屈折率より低い屈
折率の層の上に反射防止膜が形成されて成ることを特徴
とする請求項1に記載の固体撮像素子。 - 【請求項3】 上記センサ部の開口の短辺の長さaと、
半導体表面から上記マイクロレンズのレンズ底面までの
長さbの比a/bが1/3以下であることを特徴とする
請求項1に記載の固体撮像素子。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9071886A JPH10270672A (ja) | 1997-03-25 | 1997-03-25 | 固体撮像素子 |
US09/046,766 US6040591A (en) | 1997-03-25 | 1998-03-24 | Solid state imaging device having refractive index adjusting layer and method for making same |
KR1019980010281A KR100590124B1 (ko) | 1997-03-25 | 1998-03-25 | 고체촬상소자 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9071886A JPH10270672A (ja) | 1997-03-25 | 1997-03-25 | 固体撮像素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH10270672A true JPH10270672A (ja) | 1998-10-09 |
Family
ID=13473473
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9071886A Pending JPH10270672A (ja) | 1997-03-25 | 1997-03-25 | 固体撮像素子 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6040591A (ja) |
JP (1) | JPH10270672A (ja) |
KR (1) | KR100590124B1 (ja) |
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KR100741922B1 (ko) | 2005-12-29 | 2007-07-24 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 씨모스 이미지 센서 및 그 제조방법 |
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JP2010161180A (ja) * | 2009-01-07 | 2010-07-22 | Sony Corp | 固体撮像装置及びその製造方法、カメラ |
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WO2019171787A1 (ja) * | 2018-03-07 | 2019-09-12 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 撮像素子および撮像素子の製造方法 |
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WO2002065165A2 (en) | 2001-02-09 | 2002-08-22 | Digital Optics Corporation | Compensation and/or variation of wafer level produced lenses and resultant structures |
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