JPH10275905A - シリコンウェーハの製造方法およびシリコンウェーハ - Google Patents
シリコンウェーハの製造方法およびシリコンウェーハInfo
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- JPH10275905A JPH10275905A JP9080939A JP8093997A JPH10275905A JP H10275905 A JPH10275905 A JP H10275905A JP 9080939 A JP9080939 A JP 9080939A JP 8093997 A JP8093997 A JP 8093997A JP H10275905 A JPH10275905 A JP H10275905A
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 シリコンウェーハ表面の化学的機械的研磨に
よる表面不良のないＳＯＩ構造のシリコンウェーハを得
る。 【解決手段】シリコンウェーハ表面から、水素イオン注
入を行なって、水素注入層を形成し、これを加熱して水
素注入層からシリコン表面を剥がした後、シリコンウェ
ーハを水素雰囲気中でアニールして剥がれた表面を平坦
にする。また、水素雰囲気中のプラズマ処理によりアニ
ールを行う。また、ラピッドサーマルアニールによりア
ニールを行う。
よる表面不良のないＳＯＩ構造のシリコンウェーハを得
る。 【解決手段】シリコンウェーハ表面から、水素イオン注
入を行なって、水素注入層を形成し、これを加熱して水
素注入層からシリコン表面を剥がした後、シリコンウェ
ーハを水素雰囲気中でアニールして剥がれた表面を平坦
にする。また、水素雰囲気中のプラズマ処理によりアニ
ールを行う。また、ラピッドサーマルアニールによりア
ニールを行う。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体デバイス
の低消費電力化、高速化、高集積化に有効なＳＯＩ（Si
licon on Insulator）構造のシリコンウェーハの製造方
法に関するものである。
の低消費電力化、高速化、高集積化に有効なＳＯＩ（Si
licon on Insulator）構造のシリコンウェーハの製造方
法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来からＳＯＩウェーハの製造方法とし
て、いろいろな方法が提案されているが、近年有力とさ
れる方法に、スマートカット法と称される方法がある
（例えば、ＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣＳ ＬＥＴＴＥＲＳ
31（1995）1201参照）。スマートカット法について説明
すると、先ずシリコンウェーハを熱酸化して表面にシリ
コン酸化膜を形成する。次に、シリコンウェーハ表面か
ら、水素イオン注入を行なって、水素注入層を形成す
る。次に、シリコンウェーハの水素注入層のある側に、
ベースウェーハを貼り合わせる。次に、このシリコンウ
ェーハを加熱して、水素注入層からシリコン表面を剥が
す。こうして基板材の上に薄いシリコン層を形成する。
この時、薄いシリコン層の剥がし面には微少な凸凹が形
成されるため、表面を化学的機械的に研磨し平滑化し
て、ＳＯＩウェーハを製造する。一方、最近、化学的機
械的研磨の影響がデバイスの特性、歩留まりに大きく現
われることが報告されている（H.Yamamoto et al, Proc
eeding of The ２nd International Symposium on Adva
nced Science and Technology of Silicon Materials,
（1996）P425）。
て、いろいろな方法が提案されているが、近年有力とさ
れる方法に、スマートカット法と称される方法がある
（例えば、ＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣＳ ＬＥＴＴＥＲＳ
31（1995）1201参照）。スマートカット法について説明
すると、先ずシリコンウェーハを熱酸化して表面にシリ
コン酸化膜を形成する。次に、シリコンウェーハ表面か
ら、水素イオン注入を行なって、水素注入層を形成す
る。次に、シリコンウェーハの水素注入層のある側に、
ベースウェーハを貼り合わせる。次に、このシリコンウ
ェーハを加熱して、水素注入層からシリコン表面を剥が
す。こうして基板材の上に薄いシリコン層を形成する。
この時、薄いシリコン層の剥がし面には微少な凸凹が形
成されるため、表面を化学的機械的に研磨し平滑化し
て、ＳＯＩウェーハを製造する。一方、最近、化学的機
械的研磨の影響がデバイスの特性、歩留まりに大きく現
われることが報告されている（H.Yamamoto et al, Proc
eeding of The ２nd International Symposium on Adva
nced Science and Technology of Silicon Materials,
（1996）P425）。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】このようなシリコンウ
ェーハ表面の研磨における不良は、上記のようなスマー
トカット法など従来の方法で製造したＳＯＩ構造のウェ
ーハでも同様に生じ、デバイスの特性、歩留まりを低下
させる原因となっていた。この発明は、このような従来
の問題を解決し、表面に不良のないＳＯＩ構造の半導体
ウェーハを提供しようとするものである。
ェーハ表面の研磨における不良は、上記のようなスマー
トカット法など従来の方法で製造したＳＯＩ構造のウェ
ーハでも同様に生じ、デバイスの特性、歩留まりを低下
させる原因となっていた。この発明は、このような従来
の問題を解決し、表面に不良のないＳＯＩ構造の半導体
ウェーハを提供しようとするものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】この発明のシリコンウェ
ーハの製造方法は、表面にシリコン酸化膜が形成された
シリコンウェーハ材の一の主面から水素イオンを注入し
て水素注入層を形成する工程と、上記シリコンウェーハ
材の上記一の主面に基板材を張り合わせる工程と、上記
シリコンウェーハ材を加熱して上記シリコンウェーハ材
の上記基板材と張り合わされた部分のシリコンウェーハ
を上記水素注入層において剥ぐ工程と、上記基板材と張
り合わされて剥がされた部分の上記シリコンウェーハを
水素雰囲気中でアニールして剥がされた表面を平坦にす
る工程とを含むことを特徴とするものである。
ーハの製造方法は、表面にシリコン酸化膜が形成された
シリコンウェーハ材の一の主面から水素イオンを注入し
て水素注入層を形成する工程と、上記シリコンウェーハ
材の上記一の主面に基板材を張り合わせる工程と、上記
シリコンウェーハ材を加熱して上記シリコンウェーハ材
の上記基板材と張り合わされた部分のシリコンウェーハ
を上記水素注入層において剥ぐ工程と、上記基板材と張
り合わされて剥がされた部分の上記シリコンウェーハを
水素雰囲気中でアニールして剥がされた表面を平坦にす
る工程とを含むことを特徴とするものである。
【０００５】また、この発明のシリコンウェーハの製造
方法は、上記アニールを、摂氏１０５０度から１３５０
度の範囲に加熱して行うことを特徴とするものである。
また、この発明のシリコンウェーハの製造方法は、上記
アニールを、水素雰囲気中のプラズマ処理により行うこ
とを特徴とするものである。
方法は、上記アニールを、摂氏１０５０度から１３５０
度の範囲に加熱して行うことを特徴とするものである。
また、この発明のシリコンウェーハの製造方法は、上記
アニールを、水素雰囲気中のプラズマ処理により行うこ
とを特徴とするものである。
【０００６】また、この発明のシリコンウェーハの製造
方法は、上記アニールを、ラピッドサーマルアニールに
より行うことを特徴とするものである。また、この発明
のシリコンウェーハの製造方法は、上記アニールを、上
記剥がされた表面の化学的機械的研磨を行った後に行な
うことを特徴とするものである。
方法は、上記アニールを、ラピッドサーマルアニールに
より行うことを特徴とするものである。また、この発明
のシリコンウェーハの製造方法は、上記アニールを、上
記剥がされた表面の化学的機械的研磨を行った後に行な
うことを特徴とするものである。
【０００７】また、この発明のシリコンウェーハの製造
方法は、表面にシリコン酸化膜が形成されたシリコンウ
ェーハ材の一の主面から水素イオンを注入して水素注入
層を形成する工程と、上記シリコンウェーハ材の上記一
の主面に基板材を張り合わせる工程と、上記シリコンウ
ェーハ材を加熱して上記シリコンウェーハ材の上記基板
材と張り合わされた部分のシリコンウェーハを上記水素
注入層において剥ぐ工程と、上記基板材と張り合わされ
て剥がされた部分の上記シリコンウェーハの表面にシリ
コンをエピタキシャル成長させて平坦な新表面を形成す
る工程とを含むことを特徴とするものである。また、こ
の発明のシリコンウェーハの製造方法は、上記のシリコ
ンのエピタキシャル成長を、トリクロルシラン（ＳｉＨ
Ｃｌ3）、ジクロルシラン（ＳｉＨ2Ｃｌ2）、モノクロ
ルシラン（ＳｉＨ2Ｃｌ）またはモノシラン（ＳｉＨ4）
中で摂氏８００度以上の温度で行なうことを特徴とする
ものである。
方法は、表面にシリコン酸化膜が形成されたシリコンウ
ェーハ材の一の主面から水素イオンを注入して水素注入
層を形成する工程と、上記シリコンウェーハ材の上記一
の主面に基板材を張り合わせる工程と、上記シリコンウ
ェーハ材を加熱して上記シリコンウェーハ材の上記基板
材と張り合わされた部分のシリコンウェーハを上記水素
注入層において剥ぐ工程と、上記基板材と張り合わされ
て剥がされた部分の上記シリコンウェーハの表面にシリ
コンをエピタキシャル成長させて平坦な新表面を形成す
る工程とを含むことを特徴とするものである。また、こ
の発明のシリコンウェーハの製造方法は、上記のシリコ
ンのエピタキシャル成長を、トリクロルシラン（ＳｉＨ
Ｃｌ3）、ジクロルシラン（ＳｉＨ2Ｃｌ2）、モノクロ
ルシラン（ＳｉＨ2Ｃｌ）またはモノシラン（ＳｉＨ4）
中で摂氏８００度以上の温度で行なうことを特徴とする
ものである。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態を図
を参照して説明する。なお、図中、同一の符号は同一ま
たは相当の部分を示す。 実施の形態１．図１は、この発明の実施の形態１のＳＯ
Ｉウェーハの製造方法を説明する図であり、（ａ）〜
（ｆ）は、各工程の断面図を示す。この製造方法につい
て説明すると、先ず図１（ａ）に示すように、シリコン
ウェーハ材１を準備し、図２（ｂ）に示すように、シリ
コンウェーハ材１を熱酸化して表面にシリコン酸化膜２
を形成する。次に、図１（ｃ）に示すように、シリコン
ウェーハ材１の一つの表面から、２×１０16〜１×１０
17／ｃｍ2の水素イオン注入を行なって、水素注入層４
を形成する。その後、図１（ｄ）に示すように、シリコ
ンウェーハ材１の水素注入をした表面の側に、別のシリ
コンウェーハ材（ベースウェーハ）などの適当な基板材
５を貼り合わせる。
を参照して説明する。なお、図中、同一の符号は同一ま
たは相当の部分を示す。 実施の形態１．図１は、この発明の実施の形態１のＳＯ
Ｉウェーハの製造方法を説明する図であり、（ａ）〜
（ｆ）は、各工程の断面図を示す。この製造方法につい
て説明すると、先ず図１（ａ）に示すように、シリコン
ウェーハ材１を準備し、図２（ｂ）に示すように、シリ
コンウェーハ材１を熱酸化して表面にシリコン酸化膜２
を形成する。次に、図１（ｃ）に示すように、シリコン
ウェーハ材１の一つの表面から、２×１０16〜１×１０
17／ｃｍ2の水素イオン注入を行なって、水素注入層４
を形成する。その後、図１（ｄ）に示すように、シリコ
ンウェーハ材１の水素注入をした表面の側に、別のシリ
コンウェーハ材（ベースウェーハ）などの適当な基板材
５を貼り合わせる。
【０００９】その後、このシリコンウェーハ材１を４０
０〜６００℃に加熱すると、図５（ｅ）に示すように、
基板材５が張り合わされた側のシリコンウェーハ材１の
表面部分を水素注入層４から剥がすことができる。こう
して基板材５の上に薄いシリコン層６を形成したＳＯＩ
構造のシリコンウェーハ７を得る。この時、薄いシリコ
ン層６の剥がし面には２０ｎｍ程度の凸凹が形成され
る。そのため、必要に応じて、図５（ｆ）に示すよう
に、シリコン層６の表面を化学的機械的に研磨し平滑化
する。ここまでの工程は、いわゆるスマートカット法と
称される方法と同様である。
０〜６００℃に加熱すると、図５（ｅ）に示すように、
基板材５が張り合わされた側のシリコンウェーハ材１の
表面部分を水素注入層４から剥がすことができる。こう
して基板材５の上に薄いシリコン層６を形成したＳＯＩ
構造のシリコンウェーハ７を得る。この時、薄いシリコ
ン層６の剥がし面には２０ｎｍ程度の凸凹が形成され
る。そのため、必要に応じて、図５（ｆ）に示すよう
に、シリコン層６の表面を化学的機械的に研磨し平滑化
する。ここまでの工程は、いわゆるスマートカット法と
称される方法と同様である。
【００１０】次に、シリコンウェーハ７を、水素雰囲気
中でアニールする。図２は、アニールを行うためのアニ
ール装置（炉）をしめす。図２において、７はアニール
をするシリコンウェーハ、８はこのウェーハを保持する
保持具、９は炉体である。炉体９の上部入り口から水素
ガスが導入され、下部出口から排出される。このアニー
ル炉により、図１（ｅ）の段階のシリコンウェーハ７
を、摂氏１０５０度から１３５０度で水素雰囲気中で数
１０秒から数１０分のアニールを行なう。これにより図
１（ｆ）に示すような表面の平坦なシリコンウェーハ７
が得られる。加熱温度が、摂氏１０５０度以下だと、ア
ニールに長時間を要する。また、加熱温度が、摂氏１３
５０度以上だと、シリコンが溶融するので適当でない。
このように、加熱温度を、摂氏１０５０度〜１３５０度
の範囲とすることにより、プロセスの安定化、スループ
ットの向上、ウェーハ品質の向上が実現できる。
中でアニールする。図２は、アニールを行うためのアニ
ール装置（炉）をしめす。図２において、７はアニール
をするシリコンウェーハ、８はこのウェーハを保持する
保持具、９は炉体である。炉体９の上部入り口から水素
ガスが導入され、下部出口から排出される。このアニー
ル炉により、図１（ｅ）の段階のシリコンウェーハ７
を、摂氏１０５０度から１３５０度で水素雰囲気中で数
１０秒から数１０分のアニールを行なう。これにより図
１（ｆ）に示すような表面の平坦なシリコンウェーハ７
が得られる。加熱温度が、摂氏１０５０度以下だと、ア
ニールに長時間を要する。また、加熱温度が、摂氏１３
５０度以上だと、シリコンが溶融するので適当でない。
このように、加熱温度を、摂氏１０５０度〜１３５０度
の範囲とすることにより、プロセスの安定化、スループ
ットの向上、ウェーハ品質の向上が実現できる。
【００１１】上記のように水素雰囲気中でのアニールに
より、シリコンウェーハの表面が平坦になるのは、表面
のシリコン原子が再配列する等の効果による。シリコン
原子の再配列の様子を図３に示す。図３（ａ）は、アニ
ールする前のシリコン表面を拡大して模式的に示した断
面図である。水素雰囲気中で加熱すると、図３（ｂ）に
示すように、水素の効果によりシリコン表面が活性化さ
れ、シリコン原子が表面を動き回わりエネルギー安定点
に移動する。この結果、図３（ｃ）に示すように、表面
が平坦になる。
より、シリコンウェーハの表面が平坦になるのは、表面
のシリコン原子が再配列する等の効果による。シリコン
原子の再配列の様子を図３に示す。図３（ａ）は、アニ
ールする前のシリコン表面を拡大して模式的に示した断
面図である。水素雰囲気中で加熱すると、図３（ｂ）に
示すように、水素の効果によりシリコン表面が活性化さ
れ、シリコン原子が表面を動き回わりエネルギー安定点
に移動する。この結果、図３（ｃ）に示すように、表面
が平坦になる。
【００１２】アニールするシリコンウェーハは、図１
（ｅ）の段階で表面が剥がれたままでアニールすると、
化学的機械的研磨の影響のないシリコンウェーハが製造
できる。また、図１（ｆ）の段階で、アニールするまえ
に、必要に応じて表面に影響を残さない程度に、適度に
化学的機械的研磨を施しておくようにしてもよい。予め
適度の化学的機械的研磨を施した場合には、水素による
アニールの簡略化、迅速化を図ることができ、またこの
場合にも最終的に化学的機械的研磨の影響のないシリコ
ンウェーハを得ることができる。
（ｅ）の段階で表面が剥がれたままでアニールすると、
化学的機械的研磨の影響のないシリコンウェーハが製造
できる。また、図１（ｆ）の段階で、アニールするまえ
に、必要に応じて表面に影響を残さない程度に、適度に
化学的機械的研磨を施しておくようにしてもよい。予め
適度の化学的機械的研磨を施した場合には、水素による
アニールの簡略化、迅速化を図ることができ、またこの
場合にも最終的に化学的機械的研磨の影響のないシリコ
ンウェーハを得ることができる。
【００１３】実施の形態２．図４は、この発明の実施の
形態２のＳＯＩ構造のシリコンウェーハの製造方法を説
明する図であり、ラピッドアニール装置を示す。図４に
おいて、７はアニールをするシリコンウェーハ、１０は
このシリコンウェーハを保持する保持具（サセプタ）、
１１は透明チャンバ、１２は加熱用の赤外線等のランプ
を示す。水素ガスは、チャンバ１１の図示左側の入口よ
り導入され、右側の出口から排出される。
形態２のＳＯＩ構造のシリコンウェーハの製造方法を説
明する図であり、ラピッドアニール装置を示す。図４に
おいて、７はアニールをするシリコンウェーハ、１０は
このシリコンウェーハを保持する保持具（サセプタ）、
１１は透明チャンバ、１２は加熱用の赤外線等のランプ
を示す。水素ガスは、チャンバ１１の図示左側の入口よ
り導入され、右側の出口から排出される。
【００１４】実施の形態１では、水素処理をアニール炉
を用いたバッチ方式で行なっている。この実施の形態で
は、シリコンウェーハ１枚毎の、枚葉の処理が可能であ
り、熱放射光をシリコンウェーハに短時間照射してアニ
ールする、いわゆる短時間アニール（ラピッドサーマル
アニール）により処理する。ラピッドアニール装置とし
ては、ハロゲンランプ、アークランプなどによる赤外線
アニール装置、キセノンフラシュランプなどによるフラ
シュランプアニール装置などが用いられる。なお、アニ
ールするシリコンウェーハ７の準備工程は、実施の形態
１と同様である。このような短時間アニールによれば、
プロセスが制御しやすい等の効果がある。
を用いたバッチ方式で行なっている。この実施の形態で
は、シリコンウェーハ１枚毎の、枚葉の処理が可能であ
り、熱放射光をシリコンウェーハに短時間照射してアニ
ールする、いわゆる短時間アニール（ラピッドサーマル
アニール）により処理する。ラピッドアニール装置とし
ては、ハロゲンランプ、アークランプなどによる赤外線
アニール装置、キセノンフラシュランプなどによるフラ
シュランプアニール装置などが用いられる。なお、アニ
ールするシリコンウェーハ７の準備工程は、実施の形態
１と同様である。このような短時間アニールによれば、
プロセスが制御しやすい等の効果がある。
【００１５】実施の形態３．図５は、この発明の実施の
形態３のＳＯＩ構造のシリコンウェーハの製造方法を説
明する図であり、プラズマアニール装置を示す。図５に
おいて、７はアニールをするシリコンウェーハ、１３は
シリコンウェーハ７を挟む電極、１４はチャンバ、１５
は高周波発生機、１６はコンデンサを示す。また、電極
１３の下側電極は、図示していない加熱装置により温度
を数１００℃にコントロールする。水素ガスは、チャン
バ１４の図示左側の入口より導入され、右側の出口から
排出される。この例では、水素中のプラズマ処理を高周
波電力により行なっている。また、プラズマの発生はＥ
ＣＲ（電子−サイクロトロン共鳴）、光等の他の励起源
を用いて行なっても良い。なお、アニールするシリコン
ウェーハ７の準備工程は、実施の形態１と同様である。
形態３のＳＯＩ構造のシリコンウェーハの製造方法を説
明する図であり、プラズマアニール装置を示す。図５に
おいて、７はアニールをするシリコンウェーハ、１３は
シリコンウェーハ７を挟む電極、１４はチャンバ、１５
は高周波発生機、１６はコンデンサを示す。また、電極
１３の下側電極は、図示していない加熱装置により温度
を数１００℃にコントロールする。水素ガスは、チャン
バ１４の図示左側の入口より導入され、右側の出口から
排出される。この例では、水素中のプラズマ処理を高周
波電力により行なっている。また、プラズマの発生はＥ
ＣＲ（電子−サイクロトロン共鳴）、光等の他の励起源
を用いて行なっても良い。なお、アニールするシリコン
ウェーハ７の準備工程は、実施の形態１と同様である。
【００１６】実施の形態１及び２では、水素中の高温処
理でのアニールで行なっている。この実施の形態では、
プラズマ中で水素処理をしてアニールを行なう。このよ
うにすると、処理温度を室温から６００℃程度まで下げ
ることができる等の効果がある。また、このようなプラ
ズマ処理では、処理時間は、実施の形態１に比べて短い
ので、プロセスが制御しやすい、汚染が導入されにくい
等の効果がある。
理でのアニールで行なっている。この実施の形態では、
プラズマ中で水素処理をしてアニールを行なう。このよ
うにすると、処理温度を室温から６００℃程度まで下げ
ることができる等の効果がある。また、このようなプラ
ズマ処理では、処理時間は、実施の形態１に比べて短い
ので、プロセスが制御しやすい、汚染が導入されにくい
等の効果がある。
【００１７】実施の形態４．図６は、この発明の実施の
形態４のＳＯＩ構造のシリコンウェーハの製造方法を説
明する図であり、シリコンのエピタキシャル成長装置を
示す。図６において、７はエピタキシャル成長をさせる
シリコンウェーハ、１７はこのシリコンウェーハを保持
して回転する保持具、１８は高周波コイル、１９はチャ
ンバを示す。水素ガスは、チャンバ１４の図示左側の入
口より導入され、右側の出口から排出される。
形態４のＳＯＩ構造のシリコンウェーハの製造方法を説
明する図であり、シリコンのエピタキシャル成長装置を
示す。図６において、７はエピタキシャル成長をさせる
シリコンウェーハ、１７はこのシリコンウェーハを保持
して回転する保持具、１８は高周波コイル、１９はチャ
ンバを示す。水素ガスは、チャンバ１４の図示左側の入
口より導入され、右側の出口から排出される。
【００１８】実施の形態１ではウェーハ剥がしの後、水
素アニールを行なっている。これに対し、この実施の形
態では、図１（ｅ）の工程で水素注入層４から薄いシリ
コン層６を剥がした後、剥がされた面にシリコンのエピ
タキシャル成長を行ない新たな表面を平坦に形成する。
このシリコンのエピタキシャル成長は、トリクロルシラ
ン（ＳｉＨＣｌ3）、ジクロルシラン（ＳｉＨ2Ｃ
ｌ2）、モノクロルシラン（ＳｉＨ2Ｃｌ）またはモノシ
ラン（ＳｉＨ4）中で８００℃以上で行なう。これらの
材料を用いることにより、シリコン成長層の表面での欠
陥低減層を形成することができる。なお、エピタキシャ
ル成長をさせるためのシリコンウェーハ７の準備工程
は、実施の形態１と同様である。このような製造方法に
よれば、化学的機械的研磨の影響をなくすことができる
上、さらにシリコンウェーハのシリコン層６の膜厚の制
御等が可能となる。
素アニールを行なっている。これに対し、この実施の形
態では、図１（ｅ）の工程で水素注入層４から薄いシリ
コン層６を剥がした後、剥がされた面にシリコンのエピ
タキシャル成長を行ない新たな表面を平坦に形成する。
このシリコンのエピタキシャル成長は、トリクロルシラ
ン（ＳｉＨＣｌ3）、ジクロルシラン（ＳｉＨ2Ｃ
ｌ2）、モノクロルシラン（ＳｉＨ2Ｃｌ）またはモノシ
ラン（ＳｉＨ4）中で８００℃以上で行なう。これらの
材料を用いることにより、シリコン成長層の表面での欠
陥低減層を形成することができる。なお、エピタキシャ
ル成長をさせるためのシリコンウェーハ７の準備工程
は、実施の形態１と同様である。このような製造方法に
よれば、化学的機械的研磨の影響をなくすことができる
上、さらにシリコンウェーハのシリコン層６の膜厚の制
御等が可能となる。
【００１９】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、表面が化学的機械的研磨の影響を受けない特性のよ
い表面層を備えたＳＯＩ構造のシリコンウェーハを得る
ことができる。
ば、表面が化学的機械的研磨の影響を受けない特性のよ
い表面層を備えたＳＯＩ構造のシリコンウェーハを得る
ことができる。
【図１】 この発明の実施の形態１よるシリコンウェー
ハの製造プロセスを示す断面図。
ハの製造プロセスを示す断面図。
【図２】 この発明の実施の形態１における水素中の熱
処理を行なうアニール装置を示す断面図。
処理を行なうアニール装置を示す断面図。
【図３】 この発明の実施の形態１におけるシリコンウ
ェーハの表面を説明するための断面図。
ェーハの表面を説明するための断面図。
【図４】 この発明の実施の形態２における水素中の熱
処理を行うラピッドアニール装置を示す断面図。
処理を行うラピッドアニール装置を示す断面図。
【図５】 この発明の実施の形態３における水素処理を
水素プラズマ中で行なうプラズマアニール装置を示す断
面図。
水素プラズマ中で行なうプラズマアニール装置を示す断
面図。
【図６】 この発明の実施の形態４におけるエピタキシ
ャル成長を説明するための図。
ャル成長を説明するための図。
【図７】 この発明の実施の形態４におけるシリコンウ
ェーハを示す断面図。
ェーハを示す断面図。
１ シリコンウェーハ材、 ２ シリコン酸化膜、 ４
水素注入層、 ５基板材、 ６ シリコン層、 ７
シリコンウェーハ。
水素注入層、 ５基板材、 ６ シリコン層、 ７
シリコンウェーハ。
Claims (8)
- 【請求項１】 表面にシリコン酸化膜が形成されたシリ
コンウェーハ材の一の主面から水素イオンを注入して水
素注入層を形成する工程と、上記シリコンウェーハ材の
上記一の主面に基板材を張り合わせる工程と、上記シリ
コンウェーハ材を加熱して上記シリコンウェーハ材の上
記基板材と張り合わされた部分のシリコンウェーハを上
記水素注入層において剥ぐ工程と、上記基板材と張り合
わされて剥がされた部分の上記シリコンウェーハを水素
雰囲気中でアニールして剥がされた表面を平坦にする工
程とを含むことを特徴とするシリコンウェーハの製造方
法。 - 【請求項２】 上記アニールを、摂氏１０５０度から１
３５０度の範囲に加熱して行うことを特徴とする請求項
１に記載のシリコンウェーハの製造方法。 - 【請求項３】 上記アニールを、水素雰囲気中のプラズ
マ処理により行うことを特徴とする請求項１に記載のシ
リコンウェーハの製造方法。 - 【請求項４】 上記アニールを、ラピッドサーマルアニ
ールにより行うことを特徴とする請求項１に記載のシリ
コンウェーハの製造方法。 - 【請求項５】 上記アニールを、上記剥がされた表面の
化学的機械的研磨を行った後に行なうことを特徴とする
請求項１ないし４のいずれかに記載のシリコンウェーハ
の製造方法。 - 【請求項６】 表面にシリコン酸化膜が形成されたシリ
コンウェーハ材の一の主面から水素イオンを注入して水
素注入層を形成する工程と、上記シリコンウェーハ材の
上記一の主面に基板材を張り合わせる工程と、上記シリ
コンウェーハ材を加熱して上記シリコンウェーハ材の上
記基板材と張り合わされた部分のシリコンウェーハを上
記水素注入層において剥ぐ工程と、上記基板材と張り合
わされて剥がされた部分の上記シリコンウェーハの表面
にシリコンをエピタキシャル成長させて平坦な新表面を
形成する工程とを含むことを特徴とするシリコンウェー
ハの製造方法。 - 【請求項７】 上記のシリコンのエピタキシャル成長
を、トリクロルシラン（ＳｉＨＣｌ3）、ジクロルシラ
ン（ＳｉＨ2Ｃｌ2）、モノクロルシラン（ＳｉＨ2Ｃ
ｌ）またはモノシラン（ＳｉＨ4）中で摂氏８００度以
上の温度で行なうことを特徴とする請求項６に記載のシ
リコンウェーハの製造方法。 - 【請求項８】 請求項１ないし７のいずれかに記載の製
造方法により製造されたことを特徴とするシリコンウェ
ーハ。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9080939A JPH10275905A (ja) | 1997-03-31 | 1997-03-31 | シリコンウェーハの製造方法およびシリコンウェーハ |
| TW086115996A TW409418B (en) | 1997-03-31 | 1997-10-28 | SOI silicon wafer and its manufacturing method |
| FR9715079A FR2761526B1 (fr) | 1997-03-31 | 1997-12-01 | Procede pour fabriquer une tranche de silicium et tranche de silicium fabriquee par ce procede |
| DE19753494A DE19753494A1 (de) | 1997-03-31 | 1997-12-02 | Verfahren zur Herstellung eines Siliziumwafers und dadurch hergestellte Siliziumwafer |
| KR1019970065258A KR19980079501A (ko) | 1997-03-31 | 1997-12-02 | 실리콘 웨이퍼의 제조 방법 및 실리콘 웨이퍼 |
| FR9806168A FR2762136B1 (fr) | 1997-03-31 | 1998-05-15 | Procede pour fabriquer une tranche de silicium et tranche de silicium fabriquee par ce procede |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9080939A JPH10275905A (ja) | 1997-03-31 | 1997-03-31 | シリコンウェーハの製造方法およびシリコンウェーハ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10275905A true JPH10275905A (ja) | 1998-10-13 |
Family
ID=13732451
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9080939A Pending JPH10275905A (ja) | 1997-03-31 | 1997-03-31 | シリコンウェーハの製造方法およびシリコンウェーハ |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10275905A (ja) |
| KR (1) | KR19980079501A (ja) |
| DE (1) | DE19753494A1 (ja) |
| FR (2) | FR2761526B1 (ja) |
| TW (1) | TW409418B (ja) |
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- 1997-12-01 FR FR9715079A patent/FR2761526B1/fr not_active Expired - Lifetime
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