JPH10223926A - 光結合装置 - Google Patents
光結合装置Info
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- JPH10223926A JPH10223926A JP2869497A JP2869497A JPH10223926A JP H10223926 A JPH10223926 A JP H10223926A JP 2869497 A JP2869497 A JP 2869497A JP 2869497 A JP2869497 A JP 2869497A JP H10223926 A JPH10223926 A JP H10223926A
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- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
Abstract
位置不良による検出ミスをなくすことのできる透過型の
光結合装置を提供する。 【解決手段】 立体基板3の発光側凹部4および受光側
凹部5に発光素子1および受光素子2を搭載する。発光
素子1をモールドして発光側透光性モールド体7を、受
光素子2をモールドして受光側透光性モールド体8を形
成する。発光素子1の出射側に発光側反射体9を、受光
素子2の入射側に受光側反射体10をそれぞれ設け、両
反射体9,10の間に被検出物通過用の隙間11を形成
する。発光素子1から発した光は、発光側反射体9によ
って反射され、隙間11を通過し、受光側反射体10に
よって反射され、受光素子2に達する。
Description
り無接点で検出する光結合装置(フォトインタラプタ)
に関するものである。
結合装置としては、従来より、図7に示すようないわゆ
る透過型の光結合装置がある。この透過型光結合装置を
図7および図8に示す製造工程のフロー図を参照して簡
単に説明すると、リードフレーム21,22にそれぞれ
発光素子23および受光素子24をダイボンディング
し、それぞれを金線25で図示しない他のリードフレー
ムにワイヤボンディングする。
ドフレーム21,22の一端側を透光性樹脂によりモー
ルドし透光性樹脂体26,27を形成する。次に、リー
ドフレーム21,22の他端側をカットし略L字状にフ
ォーミング(折り曲げ)する。そして、各素子23,2
4が対向するようにリードフレーム21,22を配置
し、被検出物通過用の隙間28を形成するように遮光性
樹脂にて2次モールドし遮光性樹脂体29を形成し、製
品とする。
Interconnect Device)パッケージを用いた反射型の光
結合装置も提案されている。この反射型光結合装置を図
9および図10に示す製造工程のフロー図を参照して簡
単に説明すると、発光用および受光用の一対の金メッキ
等のメッキ配線41a,41b,42a,42bが施さ
れた立体基板43の凹部44,45に、発光素子46お
よび受光素子47をダイボンディングし、それぞれ金線
48でワイヤボンディングする。
脂をポッティングして封止し透光性樹脂体49を形成す
る。このとき、基板43の遮蔽壁50によって、発光素
子46と受光素子47とは光学的に分離される。上記基
板43は、図9には示していないが上下左右に多連とな
っており、その後ダイシングにより切り出し単品化す
る。
透過型光結合装置では、例えば、OA機器等の回路基板
に面実装される場合、その半田付けを行うときに、リー
ドフレーム21,22のフォーミングの具合によって、
光結合装置が回路基板に対して傾いて半田付けされて実
装される場合がある。そのため、被検出物を検出する際
に、被検出物が遮光性樹脂体29に接触したりして隙間
28をスムーズに通過せず、光路を横切らず検出ミスを
生じる場合があるという問題があった。
基板に対して傾いて実装されるといった問題は起こり得
ないが、通常、光結合装置に対して上方にある被検出物
を検出するため、スペースの都合上、上方に被検出物を
配することが困難な場合がある。そのため、上方以外に
ある被検出物を検出することのできる光結合装置が望ま
れていた。
装したときの位置不良による検出ミスをなくすことので
きる透過型光結合装置を提供することである。
検出ミスをなくすとともに、被検出物の位置の多様化を
図れる反射型光結合装置を提供することである。
段は、発光素子と、受光素子と、これらを搭載し発光素
子および受光素子の間に発光素子から放射される光の回
り込みを防止するための遮蔽壁が設けられた基板と、発
光素子をモールドしてなる発光側透光性モールド体と、
受光素子をモールドしてなる受光側透光性モールド体
と、発光素子の出射側に設けられた発光側反射体と、受
光素子の入射側に設けられた受光側反射体とを備え、発
光側反射体および受光側反射体の間には被検出物通過用
の隙間が形成され、発光素子から発した光は、発光側反
射体によって反射され、隙間を通過し、受光側反射体に
よって反射され、受光素子に達することを特徴とするも
のである。
反射体とは隙間を挟んで対向しており、発光素子から発
した光は発光側反射体で反射して隙間を通過する。隙間
に被検出物があれば被検出物によって光が遮断され、被
検出物がなければ光は隙間を通過して、受光側反射体に
反射されて受光素子に達する。このように、上記構成で
は、従来のようなリードフレームを有しない透過型の光
結合装置を構成でき、そのため回路基板に対して傾くこ
となく面実装することができる。したがって、被検出物
の位置不良による検出ミスをなくすことができ、被検出
物がスムーズに隙間を通過することができる。
発光素子と、受光素子と、これらを搭載し発光素子およ
び受光素子の間に発光素子から放射される光の回り込み
を防止するための遮蔽壁が設けられた基板と、発光素子
をモールドしてなる発光側透光性モールド体と、受光素
子をモールドしてなる受光側透光性モールド体と、発光
素子の出射側に設けられた発光側反射体と、受光素子の
入射側に設けられた受光側反射体とを備え、発光側反射
体は側方にある被検出物に向けて発光素子からの光を反
射させ、受光側反射体は被検出物からの反射光を受光素
子に向けて反射させることを特徴とするものである。
射体は互いに対向しておらず、直接の光路は形成されな
い。そのため、発光素子から発した光は発光側反射体で
反射し、被検出物に向かう。そして、被検出物があれば
光は被検出物で反射し、受光側反射体で反射し受光素子
に達し、被検出物がなければ光は受光素子には達しな
い。発光側反射体および受光側反射体は、発光素子から
発した光が上記のような光路をとるように配置されてい
る。
はなく、任意の位置、例えば側方で検出することができ
る。なお、この場合の側方としては、各反射体に対して
側方であり、発光側反射体からの反射光を受光側反射体
に向けて反射させることのできる位置であれば特に限定
されず、上方も含む。
側凹部を有する立体基板とされ、発光側凹部に発光素子
が、受光側凹部に受光素子がそれぞれ搭載される。した
がって、リードフレームを有しない従来のMIDパッケ
ージを用いて透過型または反射型の光結合装置を構成で
きる。
からなっていてもよく、このようにすれば、例えば、分
割された受光素子のそれぞれの受光面でより確実に光を
検出することができる。
図面を参照して詳細に説明する。
施形態に係る光結合装置を示す図である。この光結合装
置は、被検出物の有無を光により無接点で検出するため
の、いわゆる透過型の光結合装置である。
ダイオード等からなる発光素子1と、フォトトランジス
タ等からなる受光素子2と、これらを搭載する基板3と
を有している。基板3は、絶縁性の樹脂、セラミックス
等からなるMIDパッケージで構成される立体基板とさ
れ、その上面には発光側凹部4および受光側凹部5が形
成され、発光素子1は発光側凹部4の底面に、受光素子
2は受光側凹部5の底面にそれぞれ搭載されている。発
光側凹部4および受光側凹部5の間には、発光素子1か
ら放射される光の回り込みを防止するための遮蔽壁6が
設けられている。
された発光側透光性樹脂体7が形成され、受光側凹部5
には透光性樹脂にてモールドされた受光側透光性樹脂体
8が形成されている。発光素子1の出射側、すなわち発
光側透光性樹脂体7の上部には発光側反射体9が、受光
素子2の入射側、すなわち受光側透光性樹脂体8の上部
には受光側反射体10がそれぞれ透光性樹脂にてモール
ドされ設けられている。そして、発光側反射体9および
受光側反射体10の間には、被検出物通過用の隙間11
が形成されている。
及んでおり、これにより隙間11の高さを大としなが
ら、光結合装置全体の高さを大きくしなくてもよく、小
型化を図れる。
a,12bおよび一対の受光側メッキ配線13a,13
bが形成されている。一対の発光側メッキ配線12a,
12bは、基板3の発光側凹部4の底面から壁面を介し
て基板3の上面および側面を経て下面に至る電極を兼ね
た金メッキが施されてなる。また、一対の受光側メッキ
配線13a,13bは、基板3の受光側凹部5の底面か
ら壁面を介して基板3の上面および側面を経て下面に至
る金メッキが施されてなる。そして、発光素子1は、発
光側メッキ配線12aに搭載され、金線14により発光
側メッキ配線12bに接続されている。また、受光素子
2は、受光側メッキ配線13aに搭載され、金線14に
より受光側メッキ配線13bに接続されている。
は、略三角柱状のプリズムとされ、発光側反射体9の光
出射面9aと受光側反射体10の光入射面10aとが互
いに対向して、かつ平行に配され、これらによって隙間
11が形成される。また、プリズムの背面の傾斜面が光
を反射するための反射壁9b,10bとされる。なお、
反射壁9b,10bの外面には、光が反射しやすいよう
に、遮光性の樹脂やアルミニウム等の金属が覆われてい
てもよい。また、各反射体9,10は、プリズムに限ら
ずミラー等でもよい。
に、発光素子1から発した光は、発光側反射体9の反射
壁9bで反射して隙間11を通過する。このとき、隙間
11に被検出物がなければ、光は受光側反射体10の反
射壁10bで反射され受光素子2に達する。また、隙間
11に被検出物があれば、光が遮られ受光素子2には達
しない。このようにして被検出物の有無が検出される。
参照して説明する。まず、各メッキ配線12a,12
b,13a,13bが施された立体基板3の一方のメッ
キ配線12a,13aに発光素子1および受光素子2を
それぞれダイボンディングして搭載する。次に、他方の
メッキ配線12b,13bに金線14にて発光素子1お
よび受光素子2をそれぞれワイヤボンディングして結線
する。
シ樹脂等の透光性樹脂でトランスファ成形によりモール
ドしたり、あるいはポッティングしたりして充填し、発
光側透光性樹脂体7および受光側透光性樹脂体8を形成
する。そして、発光側透光性樹脂体7の上部に、発光側
反射体9を透光性樹脂でトランスファ成形によりモール
ドする。また、受光側透光性樹脂体8の上部に、受光側
反射体10を透光性樹脂でトランスファ成形によりモー
ルドする。
右に多連となっており、その後ダイシングにより切り出
し単品化する。そして、例えば、OA機器等の回路基板
に半田リフロー装置により表面実装して、被検出物の有
無を無接点で識別する透過型フォトインタラプタとして
使用する。
樹脂体7および受光側透光性樹脂体8とは別々にモール
ド成形されたが、各樹脂体7,8と一体的にトランスフ
ァー成形されてもよい。さらに、各反射体9,10同士
を一体的に成形して、その後ダイシングにより中間部分
をカットすることにより分離して、隙間11としてもよ
い。
ームを有さず、光を反射させる発光側反射体9および受
光側反射体10を形成したMIDパッケージで構成する
ことにより、従来のように回路基板に対して傾いて実装
されることがなくなる。そのため、被検出物が隙間11
をスムーズに、かつ光路に対して正確に通過することが
でき、検出ミスが生じず被検出物を良好に検出すること
ができる。
透過型光結合装置に比べ、高さ方向に小さくでき、小型
化を図ることができる。
示す図である。この光結合装置の特徴は、受光側の反射
体が複数設けられている点にある。同図では、受光素子
2が分割されており、それに対応して受光側反射体1
5,16が2個設けられている。これにより、発光素子
1から発した光は発光側反射体9で反射され、2個の受
光側反射体15,16によって反射され、分割された受
光素子2でそれぞれ受光される。
数設けることにより、受光側反射体が1つの場合に比
べ、分割された受光素子2の各受光面に対してより確実
に光を照射することができる。
と、立体基板3の各凹部4,5に施された金メッキ配線
12a,13cに発光素子1、多分割フォトダイオード
からなる受光素子2をダイボンディングし、それぞれ金
線14にてワイヤボンディングにて結線する。次に、エ
ポキシ樹脂等の透光性樹脂で発光側透光性樹脂体7およ
び受光側透光性樹脂体8を形成し、それらの上部にエポ
キシ樹脂等の透光性樹脂で発光側反射体9および受光側
反射体15,16をトランスファ成形によりモールドす
る。このとき、受光側反射体15,16を分割された受
光素子2の受光面に対応して複数モールドする。その
後、上下左右に多連となっている基板3を、ダイシング
により切り出し単品化する。そして、例えば、OA機器
等の回路基板に半田リフロー装置により表面実装して、
透過型フォトインタラプタとして使用する。
を分割しない構成としてもよく、例えば、図4に示すよ
うに、平面視で受光側反射体15,16を発光側反射体
9の対向面に対してやや傾けて配置してもよい。このよ
うにすることにより、受光素子2の受光面の特定部分に
光を集光させることができる。
く、発光側反射体9も複数設けるようにしてもよい。さ
らに、各反射体15,16の成形は、トランスファ成形
等の金型による成形の他に、製品切出し時のダイシング
により行うようにしてもよい。
係る光結合装置を示す図である。この光結合装置は反射
型の光結合装置であり、発光側反射体9は、その側方に
ある被検出物Sに向けて発光素子1からの光を反射さ
せ、受光側反射体10は、被検出物Sからの反射光を受
光素子2に向けて反射させる。すなわち、発光側反射体
9の光出射面9aが基板3の一側方を向き、受光側反射
体10の光入射面10aも一側方を向くようにそれぞれ
配置されている点に特徴がある。そのため、従来のよう
に被検出物Sを上方ではなく、側方に位置させることが
できる。
は、第1実施形態のそれらと比べやや小の略三角柱状の
プリズムとされ、各反射体9,10を基板3上で時計回
りに回転させたようになっている。その他の構成は、第
1実施形態と同様である。
まず、立体基板3の各凹部4,5に施された金メッキ配
線12a,13aに発光素子1と受光素子2とをダイボ
ンディングし、それぞれを金線14にてワイヤボンディ
ングして結線する。これをエポキシ樹脂等の透光性樹脂
で発光側透光性樹脂体7および受光側透光性樹脂体8を
形成し、それらの上部にエポキシ樹脂等の透光性樹脂
で、発光側反射体9および受光側反射体10を側方にあ
る被検出物Sが検出できるような位置においてトランス
ファ成形によりモールドして形成する。その後、上下左
右に多連となっている基板3を、ダイシングにより切り
出し単品化する。そして、例えば、OA機器等の回路基
板に半田リフロー装置により表面実装して、被検出物S
の有無を無接点で識別する反射型フォトインタラプタと
して使用する。
ずに一側を向くように配置することにより、回路基板に
対して水平な被検出物Sしか検出できなかった従来の光
結合装置に比べ、回路基板に対して略垂直な被検出物S
の有無を検出することができる。
b,10bの傾斜角度等を被検出物Sの位置に応じて適
度に設定することにより、任意の位置にある被検出物S
を検出することが可能となる。そのため、光結合装置の
適用用途を広げることができる。
も、受光側反射体10を複数設けるようにしてもよい。
また、図6に示すように、基板3にさらに凹部17を形
成し、その凹部17に被検出物Sを通過させるようにし
てもよい。そうすることにより、第1実施形態の光結合
装置に比べ、基板3上での被検出物Sの通過方向を約9
0°変えることができる。また、各反射体9,10と被
検出物Sを接近させることができるので、その検出精度
を上げることができる。
るものではなく、本発明の範囲内で上記実施形態に多く
の修正および変更を加え得ることができる。例えば、反
射体9,10の光入射面9aおよび光出射面10aにレ
ンズを形成して、集光性を高めてもよい。
らなるが、複数のプリズムを組み合わせたものにする
と、基板3より下方以外にある被検出物を検出すること
ができる。
のようなリードフレームを有しない、MIDパッケージ
で構成された透過型の光結合装置とすることができるの
で、回路基板に対して傾くことなく実装することができ
る。そのため、実装不良による検出ミスを防げ、被検出
物がスムーズに隙間を通過することができ、被検出物を
良好に検出することのできる透過型光結合装置を提供す
ることができる。しかも、従来のものに比べて高さ方向
に小さくでき、小型化を図れる。
検出物に向けて発光素子からの光を反射させ、受光側反
射体は、被検出物からの反射光を受光素子に向けて反射
させるように配置されているので、被検出物を従来のよ
うに上方ではなく、任意の位置、例えば側方で検出する
ことができる反射型光結合装置を提供することができ
る。
部を有する立体基板とされ、発光側凹部に発光素子が、
受光側凹部に受光素子がそれぞれ搭載されるので、リー
ドフレームを有しない従来のMIDパッケージを用いて
透過型または反射型の光結合装置を構成することができ
る。
ら構成されるので、例えば、分割された受光素子のそれ
ぞれの受光面でより確実に光を検出することができる。
し、(a) は平面図、(b) はA−A断面図、(c) はB−B
断面図
し、(a) は平面図、(b) はC−C断面図、(c) はD−D
断面図
示す図
平面図、(b) はE−E断面図、(c) はF−F断面図
し、(a) は平面図、(b) はG−G断面図
図、(b) はH−H断面図
Claims (4)
- 【請求項1】 発光素子と、受光素子と、これらを搭載
し前記発光素子および受光素子の間に発光素子から放射
される光の回り込みを防止するための遮蔽壁が設けられ
た基板と、前記発光素子をモールドしてなる発光側透光
性モールド体と、前記受光素子をモールドしてなる受光
側透光性モールド体と、前記発光素子の出射側に設けら
れた発光側反射体と、前記受光素子の入射側に設けられ
た受光側反射体とを備え、前記発光側反射体および受光
側反射体の間には被検出物通過用の隙間が形成され、前
記発光素子から発した光は、前記発光側反射体によって
反射され、前記隙間を通過し、前記受光側反射体によっ
て反射され、前記受光素子に達することを特徴とする光
結合装置。 - 【請求項2】 発光素子と、受光素子と、これらを搭載
し前記発光素子および受光素子の間に発光素子から放射
される光の回り込みを防止するための遮蔽壁が設けられ
た基板と、前記発光素子をモールドしてなる発光側透光
性モールド体と、前記受光素子をモールドしてなる受光
側透光性モールド体と、前記発光素子の出射側に設けら
れた発光側反射体と、前記受光素子の入射側に設けられ
た受光側反射体とを備え、前記発光側反射体はその側方
にある被検出物に向けて前記発光素子からの光を反射さ
せ、前記受光側反射体は被検出物からの反射光を前記受
光素子に向けて反射させることを特徴とする光結合装
置。 - 【請求項3】 前記基板は、発光側凹部および受光側凹
部を有する立体基板とされ、前記発光側凹部に前記発光
素子が、前記受光側凹部に前記受光素子がそれぞれ搭載
されたことを特徴とする請求項1または2記載の光結合
装置。 - 【請求項4】 前記受光側反射体は、複数のプリズムか
らなることを特徴とする請求項1ないし3のいずれかに
記載の光結合装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP02869497A JP3476326B2 (ja) | 1997-02-13 | 1997-02-13 | 光結合装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP02869497A JP3476326B2 (ja) | 1997-02-13 | 1997-02-13 | 光結合装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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JPH10223926A true JPH10223926A (ja) | 1998-08-21 |
JP3476326B2 JP3476326B2 (ja) | 2003-12-10 |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP02869497A Expired - Fee Related JP3476326B2 (ja) | 1997-02-13 | 1997-02-13 | 光結合装置 |
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---|---|
JP (1) | JP3476326B2 (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007059657A (ja) * | 2005-08-25 | 2007-03-08 | Citizen Electronics Co Ltd | フォトインタラプタ |
JP2007201360A (ja) * | 2006-01-30 | 2007-08-09 | Citizen Electronics Co Ltd | フォトリフレクタ装置 |
JP2008159942A (ja) * | 2006-12-25 | 2008-07-10 | Matsushita Electric Works Ltd | 物体検出センサ |
CN109727967A (zh) * | 2019-01-18 | 2019-05-07 | 深圳成光兴光电技术股份有限公司 | 透镜一体化红外对管模组以及具有该模组的红外传感器 |
CN115719539A (zh) * | 2021-08-26 | 2023-02-28 | 原相科技股份有限公司 | 烟雾检测器的光机结构 |
-
1997
- 1997-02-13 JP JP02869497A patent/JP3476326B2/ja not_active Expired - Fee Related
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