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JPH10228799A - 柔軟性のあるzレジスタプログラミングを有するメモリテスタapg - Google Patents

柔軟性のあるzレジスタプログラミングを有するメモリテスタapg

Info

Publication number
JPH10228799A
JPH10228799A JP9338419A JP33841997A JPH10228799A JP H10228799 A JPH10228799 A JP H10228799A JP 9338419 A JP9338419 A JP 9338419A JP 33841997 A JP33841997 A JP 33841997A JP H10228799 A JPH10228799 A JP H10228799A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
value
apg
alu
memory
instruction
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP9338419A
Other languages
English (en)
Inventor
Michael J Sobelman
ジェイ. ソーベルマン マイケル
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Schlumberger Technologies Inc
Original Assignee
Schlumberger Technologies Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Schlumberger Technologies Inc filed Critical Schlumberger Technologies Inc
Publication of JPH10228799A publication Critical patent/JPH10228799A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C29/00Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C29/00Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/56External testing equipment for static stores, e.g. automatic test equipment [ATE]; Interfaces therefor
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/317Testing of digital circuits
    • G01R31/3181Functional testing
    • G01R31/31813Test pattern generators
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C29/00Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/04Detection or location of defective memory elements, e.g. cell constructio details, timing of test signals
    • G11C29/08Functional testing, e.g. testing during refresh, power-on self testing [POST] or distributed testing
    • G11C29/12Built-in arrangements for testing, e.g. built-in self testing [BIST] or interconnection details
    • G11C29/36Data generation devices, e.g. data inverters

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Tests Of Electronic Circuits (AREA)
  • For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 メモリ装置をテストするための自動テスト装
置における改良したアルゴリズミックパターン発生器を
提供する。 【解決手段】 メモリテスタにおけるアルゴリズミック
パターン発生器(APG)は、第一出力データ経路上に
第一値を発生するプログラム可能な第一ALUと、Z出
力データ経路上にZ値を発生するプログラム可能なZ
ALUと、Z ALUからZ値を受取るための端子を具
備すると共に第二出力データ経路上に第二値を出力する
前に第二値の低次ビット内に受取ったZ値のビットを挿
入させるための回路を具備するプログラム可能な第二A
LUとを有している。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、メモリ装置をテス
トするための自動テスト装置におけるアルゴリズミック
パターン発生器(algorithmic patte
rn generator)に関するものであって、更
に詳細には、同期型半導体ランダムアクセスメモリ装置
をテストするのに有用なアルゴリズックパターン発生器
に関するものである。
【0002】
【従来の技術】アルゴリズミックパターン発生器(AP
G)は、電子回路用の自動テスト装置の公知のコンポー
ネントである。ある従来の構成においては、APGは、
基本的に、非常に長い命令ワード(VLIW)アーキテ
クチュアを有する、特別目的の非常に高速のRISCプ
ロセサである。このようなアーキテクチュアにおいて
は、各機能的ブロック即ちAPGの演算論理ユニット
(ALU)は、APG命令ワードにおける対応する組の
命令ビットを有している。典型的に、APGは2つの部
分、即ちX及びYにおけるアドレスを発生し、従ってX
レジスタとYレジスタとを有しており、その各々は、通
常、ターゲットメモリ装置に対するアドレスの半分を形
成するのに充分な幅を有している。例えば、32ビット
アドレスによってアドレス可能なメモリをテストするた
めには、各々が16ビットであるX及びYレジスタで充
分である。更に、APGは、典型的に、Zレジスタと呼
ばれる小型のユーティリティレジスタを有している。こ
れらのレジスタの各々はAPG命令による処理に露呈さ
れる。
【0003】メモリテスタは、多数の挑戦的な動作モー
ドを有するメモリをテストせねばならない。バースト動
作モードにおいては、メモリはクロック信号に応答して
それ自身に対するアドレスを発生するために内部アドレ
ス発生手段を使用する。開始アドレスから、メモリ内の
レジスタをセットすることによってプログラム可能なバ
ースト長まで、データからなるワードがメモリから読取
られ又はメモリへ書込まれる。典型的な1組の選択可能
な値は、バースト当り、1(バーストなし)、2、4、
8ワードである。
【0004】バーストモードにおいては、「シーケンシ
ャル(sequential)」又は「インターリーブ
(interleaved)」のいずれかのアドレッシ
ングモード(即ちラップ(wrap)型)が、バースト
データがアドレスされる順番を特定する。インターリー
ブモードは、又、インテルアドレッシングモードとして
も知られている。該アドレッシングモードは、メモリ内
のレジスタをセット即ち設定することによってプログラ
ムすることが可能である。バースト長が8である場合に
シーケンシャルモードにおいてのアドレッシングモード
動作を例示するために、開始アドレスの低次3ビットが
次のより高いアドレスビットがインクリメントされる前
に8個のアドレスを介してモジュロ8でインクリメント
され、一方、インターリーブモードにおいては、該アド
レスの低次3ビットが開始アドレス低次3ビットと0か
ら7へカウントするカウンタとの排他的OR(XOR)
として形成される。開始アドレスが低次開始ビット01
0(二進)を有しているので、インターリーブアドレス
シーケンスの低次3ビットは2,3,0,1,6,7,
4,5(十進数)である。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、以上の点に
鑑みなされたものであって、バースト、インターリーブ
又はシーケンシャル、及びラッピング(wrappin
g)モードのアドレッシングを有するメモリ装置に対す
るテストのプログラミングを簡単化する操作方法及びZ
レジスタアーキテクチュアを提供することを目的とす
る。
【0006】
【課題を解決するための手段】一般的に、1つの側面に
おいては、本発明はメモリテスタにおけるアルゴリズミ
ックパターン発生器(APG)を特徴としている。該A
PGは第一出力データ経路上に第一値を発生するプログ
ラム可能な第一ALUと、Z出力データ経路上にZ値を
発生するプログラム可能なZ ALUと、前記Z AL
UからのZ値を受取るための端子及び第二出力データ経
路上に第二値を出力する前に第二値の低次ビット内に受
取ったZ値のビットを挿入する回路を具備するプログラ
ム可能な第二ALUとを有している。本発明の好適実施
例は、以下の特徴のうちの1つ又はそれ以上を包含して
いる。第一ALUはX ALUであり、第一値はX値で
あり、第二ALUはY ALUであり、且つ第二値はY
値である。第一値及び第二値は、テスト中のメモリの複
数個のメモリセルからなるアレイ内の位置を画定するた
めに発生され、且つ第二値はバースト動作モードにおい
てテスト中のメモリによって内部的にインクリメントさ
れるアドレスビットに対応する低次ビットを包含してい
る。第二ALUはZ ALUからのZCARRY信号を
受取る端子を有しており、且つZCARRY信号をテス
トするALU命令に応答してステップ値により第二値を
インクリメントさせる回路を有しており、該ステップ値
はバースト動作モードにおけるテスト中のメモリ装置の
バースト長である。
【0007】一般的に、別の側面においては、本発明は
メモリ装置をテストするためのメモリテスタにおけるA
PGをプログラミングする方法を特徴としている。本方
法は、インターリーブされているアドレスを発生させる
ために非零シードを表わす値と非零バースト長nを表わ
す値を設定する単一の命令をAPGによる実行のために
APGへ供給することを包含している。本発明の好適実
施例は、以下の特徴のうちの1つ又はそれ以上を包含し
ている。APGは非常に長い命令ワード(VLIW)命
令フォーマットを有している。本方法は、カウンタをリ
セットさせるための中間の命令なしでAPGによる実行
のためにn回をカウンタに対するインクリメント命令を
与え、且つ前のステップからのカウンタのn値を使用し
てインターリーブされているアドレッシングモードでバ
ースト動作モードにおいてメモリ装置をテストするため
のn個のアドレスを形成することを包含している。バー
スト長は、4,8,16からなるグループから選択され
る。
【0008】一般的に、別の側面においては、本発明
は、非零シードを表わすシード値をシードレジスタ内に
ロードさせ、テスト中のメモリ装置のバースト動作モー
ドの非零バースト長nを表わす値を限界レジスタ内にロ
ードさせ、インターリーブモード信号をセット又はクリ
アさせ、且つ非零シードから開始して零からn−1へn
個の別個の値を介してカウンタをカウントさせてインタ
ーリーブモード信号が存在する場合にはインターリーブ
されたアドレスを形成し且つそうでない場合にはシーケ
ンシャルアドレスを形成して全n個の別個の値が形成さ
れた場合にのみ前記カウンタからのキャリィ信号をアサ
ート(assert)させる、命令によってプログラム
することの可能なメモリテスタにおけるAPGを特徴と
している。本発明の好適実施例は以下の特徴のうちの1
つ又はそれ以上を包含している。APGは、更に、テス
ト中のメモリ装置のメモリアレイにおけるメモリセル位
置の座標として使用するための値を形成するため、及び
前記値の低次ビットとして該カウンタのlog2 n低次
ビットを挿入させるための命令によってプログラム可能
である。該値はy値である。APGは、更に、前記キャ
リィ信号の値をテストし且つそれがセットされている場
合にはプログラム可能な寸法のステップ値だけ値をイン
クリメントさせるための命令によってプログラム可能で
ある。APGは、更に、前記キャリィ信号の値をテスト
し且つそれがセットされている場合にはプログラム可能
な寸法のステップ値だけ値をデクリメントさせるための
命令によってプログラム可能である。
【0009】本発明の利点としては以下のうちの1つ又
はそれ以上のものがある。本発明は、APG命令ワード
内において最小数の付加的なビットを必要とするに過ぎ
ない。本発明のZレジスタを使用する場合には、プログ
ラマーは単にレジスタをセットし且つカウントを開始す
ることによってバーストモード装置に対するメモリテス
タをプログラムすることが可能であり、開始アドレスが
非零低次ビットを有する場合であってもバーストモード
におけるアドレスのラッピングを取扱うためにAPGの
ALUをプログラムすることは必要ではない。この開始
アドレスの値に対するテスタ動作の透明性はそれのより
少ないものがAPGをプログラムするために必要とされ
るという点においてパターンメモリを節約している。更
に、それは、テスト中のメモリの動作モードに拘らずに
メモリをテストするためのスタンダードパターンのライ
ブラリを再使用することを可能とする。
【0010】
【発明の実施の形態】図1を参照すると、アルゴリズミ
ックテストパターン発生器(APG)はシーケンサ10
2、Z ALU200、Y ALU300、X ALU
104を包含している。X ALU及びY ALUは夫
々出力端子106及び301を有しており、そこにおい
て、夫々X値及びY値は、x[16]及びy[16]を
供給し、それらはメモリ装置アドレスを形成するために
APGによって使用される。Y値は、更に、アドレスに
依存するテストデータを発生する場合に使用される。
尚、d[n]という表記法は、データdがnビット幅で
あることを表わしている。又、d[n:m]という表記
法は、dのn乃至mのビットを表わしており、ビット0
が最小桁ビットであることを表わしている。
【0011】X及びY ALUはZ ALUから信号Z
CARRYを受取り、それの発生及び使用について説明
する。Y ALUもZ ALU出力端子201から以下
に説明するようにZ ALUによって発生されたデータ
z[4]を受取る。
【0012】シーケンサ102はX,Y,Z ALUの
各々へALU命令を与える。ALU命令の各々は、シー
ケンス制御プログラムの動作を介してALU命令メモリ
(不図示)からシーケンサによって検索されるVLIW
命令の一部である。それが本発明に影響を与える限り、
該シーケンサは従来の公知の構成のものとすることが可
能である。
【0013】X及びY ALUによって発生されるx
[16]及びy[16]データは、最大で216×2
16(何故ならば、x及びyは16ビット幅であるから)
の寸法のアレイにおけるメモリセルの位置を識別即ち同
定する。装置内の格納されているビットの物理的配列に
関連する影響に対してテストすることが望ましいので、
アレイの実際の位置に関してテストパターンをプログラ
ムすることが一般的である。然しながら、実際のx及び
yの位置は、通常は、装置に対するアドレスとして使用
することは不可能である。何故ならば、メモリ装置は、
一般的には、メモリセルへの入力のアドレスのマッピン
グをスクランブルするからである。従って、メモリテス
タはテスト中の装置のこの動作を補償し且つ物理的アド
レスを発生するためにX及びYレジスタから下流側に回
路を有している。それが本発明に影響を与える限り、こ
の下流側の回路も従来の公知の構成のものとすることが
可能である。
【0014】図2を参照すると、Z ALU200(図
1)はZMAX[4]レジスタ202、Z_CARRY
_GEN[4]カウンタ回路204、ZREG[4]レ
ジスタ206(Zレジスタ)、及びZSEED[4]レ
ジスタ208を包含している。ところで、この場合の図
は本発明の特徴をより良く示すために簡単化されており
且つ概念的なものであるという点に注意すべきである。
例えば、該図面は生産例における高速を達成するために
使用されるAPGのパイプライン構造を示すものではな
い。該図面は、又、ZREGレジスタとZSEEDレジ
スタとが別々の構成として示しているが、これらは冗長
なものであり(以下の説明から明らかとなるように)、
従って生産例は1個の共用の物理的レジスタを有するに
過ぎない。
【0015】ALU命令によって設定される信号ZHO
LD又はZINC210を使用してライン212上に0
(ホールド用)又は1(インクリメント用)のデータを
発生させ、ライン212はカウンタ204の入力端及び
加算器214の入力端へ接続している。加算器214へ
の他方の入力端はZレジスタ206であり、従って、A
PGの各サイクル期間中に、0又は1のいずれかが、Z
HOLD又はZINCの状態に依存して、Zレジスタへ
加算される。
【0016】ALU命令はテスト中のメモリ装置のバー
スト長−1でZMAXレジスタ202及びカウンタ20
4の両方をロードする。バースト長−1は、更に、カウ
ンタ上のマスクとして使用され、実効的に、その幅を設
定する(バースト長は、常に、2の整数羃である)。従
って、バースト長がALU命令によって4へセットされ
ると、カウンタ204はモジュロ4カウンタとなる。Z
がインクリメントされる各クロックサイクルにおいて
(ZINCが真であり信号212が1である)、カウン
タ204もインクリメントする。それがバースト長−1
に到達すると、ZMAXレジスタ202内の値及びカウ
ンタ204の値は同一であり、従ってNOT−XORゲ
ート216の出力はキャリィ信号ZCARRYをアサー
ト即ち活性化させる。このことは、z値のバースト長を
数がZ ALUによって発生されている場合におこり、
且つ従ってバーストの終りをマークする。
【0017】カウンタ204をバースト長−1へ初期化
させることは、Z ALUレジスタの最初のインクリメ
ント上で直接的なZCARRYを発生させる。このこと
が行なわれるのは、APG構成が「次のサイクル」では
なく「このサイクル」タイミングを有しているからであ
り、「次のサイクル」構成においては、初期的なカウン
タ値は0である。
【0018】カウンタ204は、インターリーブ型動作
モードが有効である場合にインターリーブさせたシーケ
ンスの値を発生するために使用することも可能である。
インターリーブ型動作においては、ライン218上の信
号Z又はZINTが、マルチプレクサ(mux)220
への入力及びmux222へのZSEED208入力と
してカウンタ204の出力を選択する。XORゲート2
24は該シードとカウンタ値との排他的OR(XOR)
を発生し、該シードに基づいてインテルシーケンスを発
生させる。カウント動作が開始する前に、ALU命令が
バースト長−1でZMAXレジスタ202をロードし且
つインターリーブシーケンス用のシード値でシードレジ
スタ208をロードする。該シード値はゼロでないもの
即ち非零(non−zero)とすることが可能であ
り、それはZ ALUをラップ(wrap)モードで動
作させるために必要なことの全てである。注意すべきこ
とであるが、このZ ALUアーキテクチュアが以上に
説明したようにプログラムされている場合には、ZCA
RRY信号は、バーストの中間において発生されたアド
レスの数値的ラップアラウンドを発生させる非零シード
を有するインターリーブ型アドレッシングモードにおい
ても、ゲート216から適切な時間において発生され
る。更に注意すべきことであるが、該シード値はその他
のプログラミング変化を必要とすることなしに変更させ
ることが可能であり、従ってインターリーブ型モードプ
ログラミングは殆ど努力することなしに既存のAPGプ
ログラミングに付け加えることが可能である。
【0019】シーケンシャル(即ち、非インターリーブ
型)動作モードにおいては、mux222が0をXOR
ゲート224の1つの入力端へ通過させ、従って該ゲー
トは単にその他方の入力をその出力へ通過させるに過ぎ
ない。シーケンシャルモードにおいては、mux220
は加算器214からの出力を選択する。この状態におい
ての加算器214の出力は、Zレジスタの値であるか
(ZHOLDが真であり、ライン212上は0)又は1
だけインクリメントされているZレジスタ(ZINCが
真であり、ライン212上に1)のいずれかである。そ
の値はゲート224を介して通過し且つZレジスタ20
6内に格納され、該シーケンサからインクリメントZ又
はホールドZ命令を行なわせる。
【0020】Z ALUの動作の関連する側面は、その
命令セット内において見ることも可能である。Z AL
Uは、以下の表にリストした命令を包含するシーケンサ
からのALU命令に応答する。
【0021】 命 令 コメント HOLDZ Zレジスタを不変に維持。
【0022】 ZBURST 命令において特定されたオペランドでZSEEDレ ジスタ及びZMAXレジスタをロード。
【0023】 LDZ ラップモードに対しZレジスタをロード(ZINT をクリア)。
【0024】 INTLDZ インターリーブモードに対してZレジスタをロード (ZINTをセット)。
【0025】 INCZ Zレジスタをインクリメント。
【0026】 INCZ@XCARRY XCARRY(X ALUから)が真である場合に のみZをインクリメント。
【0027】 INCZ@YCARRY YCARRY(Y ALUから)が真である場合に のみZをインクリメント。
【0028】図3を参照すると、Y ALUはY_CO
UNTER回路302を有しており、それは、Y[1
6]レジスタ304と、YSTEP[16]レジスタ3
06と、YLSBSEL[4]レジスタ308とを有し
ている。Y_COUNTER回路は、入力として、YS
TEPレジスタ306内の値を受取り且つその値によっ
てALU命令に応答してYレジスタ304の内容をイン
クリメント又はデクリメントすべく接続されている。特
に、ZCARRYが真である場合に、YレジスタをYS
TEPだけインクリメントするための命令が与えられ
る。YSTEPがバースト長に設定されている場合に
は、この命令の使用は、Yの高次部分を適切な時間にお
いて適切な量だけインクリメントさせ、一方Z ALU
はインターリーブ型又はシーケンシャルモードアドレッ
シング用の低次ビットを発生する。
【0029】YLSBSELレジスタ308は、Z A
LUのz出力のうちのどのビットが、APGにおける下
流側において使用するためにmux310からの修正し
たY出力を発生させるために、Yレジスタ304の対応
する低次ビットに対して置換すべきであるかを選択する
ためにALU命令によってロードさせることが可能であ
る。YLSBSELがバースト長−1に設定されている
場合には(例えば、バースト長が8である場合には7に
設定)、Z ALUによって発生される低次アドレスビ
ットが直接的にY値内へ挿入される。この構成は、Zレ
ジスタの幅を有するテスト中のメモリに対してテスタが
信号経路を与えることを必要とすることなしに、Zレジ
スタでプログラミングすることの便益性をALUプログ
ラマーへ与えている。
【0030】Y ALUの動作の関連する側面は、その
命令セットを見ることによって理解することも可能であ
る。Y ALUは、以下の表にリスト命令を含むシーケ
ンサからのALU命令に応答する。
【0031】 命 令 コメント HOLDY Yレジスタを不変に維持。
【0032】 HDY Yレジスタを命令において特定されているオペラン ドでロード。
【0033】 LDYSTEP YSTEPレジスタを命令において特定されている オペランドでロード。
【0034】 INCY YレジスタをYSTEPレジスタ内の値だけインク リメント。
【0035】 DECY YレジスタをYSTEPレジスタ内の値だけデクリ メント。
【0036】 INCY@ZCARRY ZCARRY=1である場合にのみY=Y+YST EP。
【0037】 DECY@ZCARRY ZCARRY=1である場合にのみY=Y−YST EP。
【0038】 YLSB=0 YLSBSELレジスタを0でロード(Zからのビ ットは挿入しない)。
【0039】 YLSB=Z0 YLSBSELレジスタを1でロード(z[0:0 ]がy[0:0]に対して挿入)。
【0040】 YLSB=Z1 YLSBSELレジスタを3でロード(z[1:0 ]をy[1:0]に対して挿入)。
【0041】 YLSB=Z2 YLSBSELレジスタを7でロード(z[2:0 ]をy[2:0]に対して挿入)。
【0042】 YLSB=Z3 YLSBSELレジスタを15でロード(z[3: 0]をy[3:0]に対して挿入)。
【0043】別の実施例においては、YSTEP値及び
YLSBSEL値は、両方とも、バースト長に従って設
定され、且つ別個のレジスタは実現されない。
【0044】再度図1を参照すると、Y ALU300
と同様に、X ALU104がZALU200からZC
ARRY信号を受取り且つZCARRYが真である場合
にXレジスタをインクリメントし且つデクリメントする
命令をサポートする。本実施例においては、Y ALU
が低次Yビットの置換を与えるので、低次Xビットに対
してZビットの置換を与えるものではないという点にお
いて、X ALU104がY ALU300とは異なっ
ている。その他の実施例においては、この置換は、X
ALU内に設けられるか、又は第二置換カウンタと共に
又はなしでX及びY ALUの両方において設けられ
る。
【0045】その他の実施例は本発明の特許請求の範囲
内のものである。Z ALUレジスタは4以外の幅を有
することが可能であり、その幅は、好適には、8より大
きな2の羃である。X ALU及びY ALUは、16
以外の幅でもってx及びyの値を発生することが可能で
あり、幅は、好適には、12以上であって、好適には2
の羃である。
【0046】以上、本発明の具体的実施の態様について
詳細に説明したが、本発明は、これら具体例にのみ限定
されるべきものではなく、本発明の技術的範囲を逸脱す
ることなしに種々の変形が可能であることは勿論であ
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の1つの側面を例示したアルゴリズミ
ックテストパターン発生器(APG)の一部を示した概
略ブロック図。
【図2】 図1のAPGのZレジスタALU(演算論理
ユニット)の一部を示した概略ブロック図。
【図3】 図1のAPGのYレジスタALUの一部を示
した概略ブロック図。
【符号の説明】
102 シーケンサ 104 X ALU 106,201,301 出力端子 200 Z ALU 300 Y ALU

Claims (13)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 メモリテスタにおけるアルゴリズミック
    パターン発生器(APG)において、 第一出力データ経路上に第一値を発生させるプログラム
    可能な第一ALU、 Z出力データ経路上にZ値を発生するプログラム可能な
    Z ALU、 Z ALUからのZ値を受取るための端子と、第二出力
    データ経路上に第二値を出力する前に第二値の低次ビッ
    ト内に前記受取ったZ値のビットを挿入する回路とを具
    備するプログラム可能な第二ALU、を有することを特
    徴とするAPG。
  2. 【請求項2】 請求項1において、前記第一ALUがX
    ALUであり、前記第一値がX値であり、前記第二A
    LUがY ALUであり且つ前記第二値がY値であるこ
    とを特徴とするAPG。
  3. 【請求項3】 請求項1において、前記第一値及び第二
    値がテスト中のメモリの複数個のメモリセルからなるア
    レイ内の位置を画定するために発生され、且つ前記第二
    値がバースト動作モードにおいてテスト中のメモリによ
    って内部的にインクリメントされるアドレスビットに対
    応する低次ビットを有していることを特徴とするAP
    G。
  4. 【請求項4】 請求項1において、前記第二ALUが、 Z ALUからのZCARRY信号を受取るための端子
    と、 前記ZCARRY信号をテストするALU命令に応答し
    てステップ値により第二値をインクリメントさせる回
    路、を有しており、前記ステップ値がバースト動作モー
    ドにおけるテスト中のメモリ装置のバースト長であるこ
    とを特徴とするAPG。
  5. 【請求項5】 メモリテスタにおいて、メモリ装置をテ
    ストするためのAPGをプログラミングする方法におい
    て、 インターリーブされているアドレスを発生するために非
    零シードを表わす値と非零バースト長nを表わす値を設
    定する単一命令を前記APGによって実行するために前
    記APGへ供給することを特徴とする方法。
  6. 【請求項6】 請求項5において、前記APGが非常に
    長い命令ワード(VLIW)命令フォーマットを有して
    いることを特徴とする方法。
  7. 【請求項7】 請求項5において、更に、 カウンタをリセットさせるための中間の命令なしで前記
    APGによる実行のためにn回数をカウンタに対してイ
    ンクリメント命令を与え、 先行ステップから前記カウンタのn値を使用してn個の
    アドレスを形成しインターリーブ型アドレッシングモー
    ドでバースト動作モードにおいて前記メモリ装置をテス
    トする、ことを特徴とする方法。
  8. 【請求項8】 請求項5において、前記バースト長が
    4,8,16から構成されるグループから選択したもの
    であることを特徴とする方法。
  9. 【請求項9】 命令によってプログラム可能なメモリテ
    スタにおけるAPGにおいて、 シードレジスタ内に非零シードを表わすシード値をロー
    ドし、 テスト中のメモリ装置のバースト動作モードの非零バー
    スト長nを表わす値を限界レジスタ内にロードし、 インターリーブモード信号をセット又はクリアし、 非零シードから開始して0からn−1へn個の別個の値
    を介してカウンタをカウントしてインターリーブモード
    信号が存在する場合にはインターリーブしたアドレスを
    形成し且つそうでない場合にはシーケンシャルアドレス
    を形成し且つ全n個の別個の値が形成された場合にのみ
    前記カウンタからのキャリィ信号を活性化させる、ため
    の命令によってプログラム可能なメモリテスタにおける
    APG。
  10. 【請求項10】 請求項9において、更に、 テスト中のメモリ装置のメモリアレイ内のメモリセル位
    置の座標として使用するための値を形成し、 前記値の低次ビットとして前記カウンタのlog2 n低
    次ビットを挿入する、ための命令によってプログラム可
    能なメモリテスタにおけるAPG。
  11. 【請求項11】 請求項10において、前記値がY値で
    あることを特徴とするAPG。
  12. 【請求項12】 請求項9において、更に、 キャリィ信号の値をテストし且つそれがセットされてい
    る場合には、プログラム可能な寸法のステップ値だけ値
    をインクリメントさせる、ための命令によってプログラ
    ム可能なメモリテスタにおけるAPG。
  13. 【請求項13】 請求項9において、更に、 前記キャリィ信号の前記値をテストし且つそれがセット
    されている場合には、プログラム可能な寸法のステップ
    値だけ値をデクリメントさせる、ための命令によってプ
    ログラム可能なメモリテスタにおけるAPG。
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