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JPH10122539A - Discharged gas processing device - Google Patents

Discharged gas processing device

Info

Publication number
JPH10122539A
JPH10122539A JP27621796A JP27621796A JPH10122539A JP H10122539 A JPH10122539 A JP H10122539A JP 27621796 A JP27621796 A JP 27621796A JP 27621796 A JP27621796 A JP 27621796A JP H10122539 A JPH10122539 A JP H10122539A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
exhaust gas
gas
combustion type
combustion
harm
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP27621796A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Fumiyoshi Endou
文誉 遠藤
Shuichi Koseki
修一 小関
Yoshiaki Sugimori
由章 杉森
Maya Yamada
まや 山田
Akihiko Nitta
昭彦 新田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Japan Oxygen Co Ltd
Nippon Sanso Corp
Original Assignee
Japan Oxygen Co Ltd
Nippon Sanso Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Japan Oxygen Co Ltd, Nippon Sanso Corp filed Critical Japan Oxygen Co Ltd
Priority to JP27621796A priority Critical patent/JPH10122539A/en
Priority to TW086111582A priority patent/TW342436B/en
Priority to US09/051,457 priority patent/US6234787B1/en
Priority to PCT/JP1997/002800 priority patent/WO1998006977A1/en
Priority to KR10-1998-0701796A priority patent/KR100500786B1/en
Publication of JPH10122539A publication Critical patent/JPH10122539A/en
Pending legal-status Critical Current

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  • Incineration Of Waste (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To enable a continuous harm removal operation even in the case that a gas discharging device is stopped in its operation, provide a low cost device as well as a low cost operation and further adapted for an improvement of a existing facility by a method wherein there is provided a harm removing device different from a combustion type gas-discharging device and at the same time there is provided a change-over valve for changing-over discharged gas passages in both devices. SOLUTION: A combustion type discharged gas processing device A is provided with a discharged gas feeding passage 11 fro feeding discharged gas discharged from a semiconductor manufacturing device. Then, the discharged gas feeding passage 11 is provided with a branch passage 23 connected to a harm-removing cylinder B acting as a harm-removing processing device and concurrently an inlet section of the combustion type discharged gas processing device A and the branch passage of the branch passage 23 are provided with changing-over valves 24, 25 for use in changing-over the discharged gas passages. The harm-removing cylinder B is filled with dry harm-removing agent such as copper (II) hydroxide or copper oxide or the like and the discharge gas processed at the harm-removing cylinder B is discharged out of a gas discharging passage 26 connected to the processed gas discharging passage 12.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、排ガス処理装置に
関し、詳しくは、燃焼式排ガス処理装置を備えた排ガス
処理装置において、燃焼式排ガス処理装置の運転異常や
保守作業等で燃焼式排ガス処理装置の運転を停止させる
際にも、連続して排ガスの除害処理を行うことができる
排ガス処理装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an exhaust gas treatment apparatus and, more particularly, to an exhaust gas treatment apparatus provided with a combustion type exhaust gas treatment apparatus, which is used for abnormal operation or maintenance work of the combustion type exhaust gas treatment apparatus. The present invention relates to an exhaust gas treatment device capable of continuously performing an exhaust gas removal treatment even when the operation of the apparatus is stopped.

【0002】[0002]

【従来の技術】例えば、半導体やLCDを製造する装置
からは、可燃性又は支燃性の有害成分を含むガスが排ガ
スとして排出されるため、これらの有害成分の除害(無
害化)処理を行ってから排ガスを排出する必要がある。
このような排ガスの除害処理を行うための装置の一つと
して、燃焼式排ガス処理装置が知られている。
2. Description of the Related Art For example, since a gas containing flammable or combustible harmful components is discharged as an exhaust gas from a device for manufacturing semiconductors and LCDs, a harmless (harmless) treatment of these harmful components is performed. It is necessary to discharge exhaust gas after going.
As one of the devices for performing such an exhaust gas removal treatment, a combustion-type exhaust gas treatment device is known.

【0003】上記燃焼式排ガス処理装置は、排ガスに含
まれる各種有害成分を燃焼させたり、熱分解させたりし
て除害処理を行うもので、前記排ガスや支燃性ガス等を
燃焼バーナーから燃焼室内に噴出させて燃焼させる構造
を有している。
[0003] The combustion type exhaust gas treatment apparatus performs an abatement process by burning or decomposing various harmful components contained in the exhaust gas. The exhaust gas and the supporting gas are burned by a combustion burner. It has a structure in which it is ejected into the room and burned.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかし、上記燃焼式排
ガス処理装置は、燃焼に必要な空気等の流量異常、冷却
水等の各種ユーティリティの異常,装置の過熱、燃焼ガ
ス(処理ガス)を排気するための真空ポンプの異常等の
運転異常を生じた際には、除害運転を直ちに停止させな
ければならないが、燃焼式排ガス処理装置の運転を止め
る際には、排ガス発生源である半導体製造装置等の運転
も停止させなければならない。
However, in the above combustion type exhaust gas treatment apparatus, abnormal flow rates of air and the like necessary for combustion, abnormalities of various utilities such as cooling water, overheating of the apparatus, and exhaust of combustion gas (process gas). When an operation abnormality such as a vacuum pump abnormality occurs, the abatement operation must be stopped immediately.However, when the operation of the combustion type exhaust gas treatment device is stopped, the semiconductor manufacturing The operation of the equipment must also be stopped.

【0005】通常、上述の運転異常は、予期せぬ状態で
発生するので、運転異常の発生と同時に燃焼式排ガス処
理装置と半導体製造装置等とを緊急停止させることにな
る。ところが、半導体製造装置を緊急停止させると、製
造途中のウエハーの成膜操作が途中でストップした状態
になり、このような成膜途中のウエハーは、改めて成膜
し直すことはできないので、不良品として処分しなけれ
ばならない。
[0005] Usually, the above-mentioned operation abnormality occurs in an unexpected state, so that the combustion-type exhaust gas treatment apparatus and the semiconductor manufacturing apparatus and the like are urgently stopped simultaneously with the occurrence of the operation abnormality. However, when the semiconductor manufacturing equipment is stopped in an emergency, the film forming operation of the wafer being manufactured is stopped halfway, and such a wafer being formed cannot be formed again. Must be disposed of.

【0006】また、燃焼式排ガス処理装置は、その運転
に伴って有害成分が燃焼したときに発生する固体酸化物
が燃焼室内壁に付着するため、装置の運転を一時的に停
止させて付着物(固体酸化物)を除去するようにしてい
るが、この付着物の除去作業を行っている間は、半導体
製造装置等の運転も停止させる必要があった。
Further, in the combustion type exhaust gas treatment apparatus, since solid oxides generated when harmful components are burned during the operation adhere to the inner wall of the combustion chamber, the operation of the apparatus is temporarily stopped, and (Solid oxide) is removed, but it is necessary to stop the operation of the semiconductor manufacturing apparatus and the like during the operation of removing the deposits.

【0007】このようなことから、燃焼式排ガス処理装
置を並列に複数台設置し、切換え運転を行うことによ
り、連続的に排ガスを除害処理できるようにすることも
考えられるが、装置コストの点だけでなく、配管が複雑
になり、設置スペースも大きくなるため、実用的ではな
い。
In view of the above, it is conceivable to install a plurality of combustion type exhaust gas treatment devices in parallel and perform a switching operation so that the exhaust gas can be continuously treated for detoxification. In addition to the point, the piping becomes complicated and the installation space becomes large, so that it is not practical.

【0008】そこで本発明は、燃焼式排ガス処理装置の
運転を一時的に停止させる場合でも、継続して排ガスの
除害処理を行うことができ、半導体製造装置等の運転を
停止させる必要がなく、しかも、簡単な装置構成で実施
することができ、装置コスト,運転コストが低廉で、既
存設備の改良にも対応可能な排ガス処理装置を提供する
ことを目的としている。
Therefore, the present invention can continuously perform the exhaust gas elimination processing even when the operation of the combustion type exhaust gas treatment apparatus is temporarily stopped, and there is no need to stop the operation of the semiconductor manufacturing apparatus and the like. In addition, an object of the present invention is to provide an exhaust gas treatment apparatus which can be implemented with a simple apparatus configuration, has low apparatus costs and operation costs, and can cope with the improvement of existing facilities.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の排ガス処理装置は、排ガス中の有害成分を
燃焼させて除害する燃焼式排ガス処理装置を備えた排ガ
ス処理装置において、前記燃焼式排ガス処理装置に排ガ
スを導入する排ガス導入経路に分岐経路を設け、該分岐
経路に前記燃焼式排ガス処理装置とは異なる除害処理手
段を設けるとともに、前記燃焼式排ガス処理装置と前記
分岐経路の除害処理手段とへの排ガス経路を切換える切
換弁を設けたことを特徴としている。
In order to achieve the above object, an exhaust gas treatment apparatus according to the present invention is an exhaust gas treatment apparatus provided with a combustion type exhaust gas treatment apparatus that burns and removes harmful components in exhaust gas. A branch path is provided in an exhaust gas introduction path for introducing exhaust gas into a combustion type exhaust gas treatment apparatus, and abatement means different from the combustion type exhaust gas treatment apparatus is provided in the branch path, and the combustion type exhaust gas treatment apparatus and the branch path are provided. A switching valve for switching an exhaust gas path to the abatement means.

【0010】さらに、本発明は、前記分岐経路に設けた
除害処理手段が、排ガス中の有害成分を吸着等により除
害処理する除害剤を充填した除害筒であることを特徴と
し、また、前記燃焼式排ガス処理装置内に残留する排ガ
スを前記分岐経路に設けた除害処理手段に向けて排出す
るパージガス導入経路を備えていることを特徴としてい
る。
Further, the present invention is characterized in that the abatement means provided in the branch path is an abatement cylinder filled with an abatement agent which removes harmful components in exhaust gas by adsorption or the like. Further, a purge gas introduction path is provided for discharging the exhaust gas remaining in the combustion type exhaust gas treatment apparatus toward the abatement processing means provided in the branch path.

【0011】[0011]

【発明の実施の形態】以下、本発明を、図面を参照して
さらに詳細に説明する。図1は、本発明の排ガス処理装
置の一例を示す系統図であって、この排ガス処理装置
は、半導体製造装置等から排出される排ガス系統の末端
部に燃焼式排ガス処理装置Aと除害筒Bとを並列に設置
したものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to the drawings. FIG. 1 is a system diagram showing an example of an exhaust gas treatment apparatus of the present invention. This exhaust gas treatment apparatus has a combustion type exhaust gas treatment apparatus A and an abatement cylinder at an end of an exhaust gas system discharged from a semiconductor manufacturing apparatus or the like. B is installed in parallel.

【0012】燃焼式排ガス処理装置Aには、半導体製造
装置等から排出される排ガスを導入する排ガス導入経路
11と、燃焼式排ガス処理装置Aで除害処理した処理ガ
スを排気する処理ガス排気経路12とが設けられてお
り、有害成分を含む排ガスは、排ガス導入経路11から
燃焼バーナー13に供給されて燃焼除害処理された後、
処理ガス排気経路12から排出されする。
The combustion type exhaust gas treatment apparatus A has an exhaust gas introduction path 11 for introducing exhaust gas discharged from a semiconductor manufacturing apparatus or the like, and a processing gas exhaust path for exhausting the processing gas which has been treated by the combustion type exhaust gas treatment apparatus A. The exhaust gas containing harmful components is supplied from the exhaust gas introduction path 11 to the combustion burner 13 and subjected to the combustion detoxification treatment.
It is discharged from the processing gas exhaust path 12.

【0013】燃焼バーナー13は、排ガスが供給される
排ガス流路13aを中心に、窒素ガス等が供給されるリ
フトガス流路13b,有害成分燃焼用の空気等が供給さ
れる一次空気流路13c,補助燃料燃焼用の空気等が供
給される二次空気流路13d,LPG等の補助燃料が供
給される燃料流路13eを配した五重管構造を有するも
のであり、この燃焼バーナー13が設置される燃焼室1
4は、多孔性材料で形成した内壁14aと通常の金属材
料等で形成した外壁14bとの二重壁構造に形成されて
いる。
The combustion burner 13 has an exhaust gas passage 13a to which exhaust gas is supplied, a lift gas passage 13b to which nitrogen gas is supplied, and a primary air passage 13c to which air for harmful component combustion is supplied. It has a five-tube structure in which a secondary air flow path 13d to which air for auxiliary fuel combustion is supplied and a fuel flow path 13e to which auxiliary fuel such as LPG is supplied are provided. Combustion chamber 1
Reference numeral 4 denotes a double wall structure including an inner wall 14a formed of a porous material and an outer wall 14b formed of a normal metal material or the like.

【0014】さらに、燃焼室14には、着火用のパイロ
ットバーナー15と、付着物除去用のスプレーノズル1
6と、内壁14aと外壁14bとの間に形成される空間
内に圧力気体を導入する気体ノズル17とが設けられて
いる。また、燃焼室14の下部には、燃焼ガス冷却用の
冷却水ノズル18を有する排気室19が設けられてお
り、この排気室19に、水封式の真空ポンプ20及び気
液分離器21を備えた前記処理ガス排気経路12と、燃
焼式排ガス処理装置A内のガスを排出するためのパージ
ガス導入経路22とが設けられている。
Further, a pilot burner 15 for ignition and a spray nozzle 1 for removing deposits are provided in the combustion chamber 14.
6 and a gas nozzle 17 for introducing a pressurized gas into a space formed between the inner wall 14a and the outer wall 14b. An exhaust chamber 19 having a cooling water nozzle 18 for cooling the combustion gas is provided below the combustion chamber 14. A water-sealed vacuum pump 20 and a gas-liquid separator 21 are provided in the exhaust chamber 19. The processing gas exhaust path 12 provided and a purge gas introduction path 22 for discharging gas in the combustion type exhaust gas treatment apparatus A are provided.

【0015】そして、前記排ガス導入経路11には、前
記除害筒Bに接続する分岐経路23が設けられるととも
に、燃焼式排ガス処理装置Aの入口部と分岐経路23の
分岐部とには、排ガス経路を切換えるための切換弁2
4,25がそれぞれ設けられている。
The exhaust gas introduction path 11 is provided with a branch path 23 connected to the abatement cylinder B. Exhaust gas is provided between the inlet of the combustion type exhaust gas treatment apparatus A and the branch of the branch path 23. Switching valve 2 for switching the path
4, 25 are provided respectively.

【0016】上記分岐経路23に設けた除害筒Bは、そ
の内部に、排ガス中の有害成分を吸着したり、化学反応
により無害化したりする乾式除害剤、例えば、水酸化第
二銅や酸化銅等を主成分とした除害剤を充填したもので
あって、除害筒Bで除害処理された排ガスは、処理ガス
排気経路12に接続した排気経路26から排気される。
The abatement cylinder B provided in the branch path 23 has a dry abatement agent that adsorbs harmful components in exhaust gas or detoxifies it by a chemical reaction, such as cupric hydroxide or the like. Exhaust gas which is filled with an abatement agent containing copper oxide or the like as a main component and is abated by the abatement cylinder B is exhausted from an exhaust path 26 connected to the processing gas exhaust path 12.

【0017】まず、通常の運転状態では、燃焼式排ガス
処理装置Aの入口部の切換弁24が開、分岐経路23の
切換弁25が閉、付着物除去用スプレーノズル16が
閉、冷却水ノズル18の弁18aが開、パージガス導入
経路22の弁22aが閉であって、燃焼バーナー13の
各流路13a,13b,13c,13d,13eには、
排ガス,窒素ガス,有害成分燃焼用の空気,補助燃料燃
焼用の空気,LPG等がそれぞれ供給され、パイロット
バーナー15には、経路15a,15bからLPG等の
燃料と空気とがそれぞれ供給されてパイロット火炎が形
成されており、気体ノズル17からは圧縮空気等が導入
されている。
First, in a normal operation state, the switching valve 24 at the inlet of the combustion type exhaust gas treatment apparatus A is opened, the switching valve 25 of the branch path 23 is closed, the spray nozzle 16 for removing attached matter is closed, and the cooling water nozzle is opened. 18, the valve 18a of the purge gas introduction path 22 is closed, and the flow paths 13a, 13b, 13c, 13d, 13e of the combustion burner 13 are provided with:
Exhaust gas, nitrogen gas, air for combustion of harmful components, air for combustion of auxiliary fuel, LPG, etc. are respectively supplied to the pilot burner 15. Fuel and air such as LPG are supplied to the pilot burner 15 from the passages 15 a, 15 b, respectively. A flame is formed, and compressed air or the like is introduced from the gas nozzle 17.

【0018】排ガス導入経路11から燃焼バーナー13
に供給された排ガス中の有害成分は、燃焼バーナー13
の燃焼火炎中で燃焼したり、熱分解したりして無害化さ
れ、燃焼時に発生した固体酸化物は、内壁14aの多孔
性材料を通って噴出する圧縮空気により内壁面への付着
を抑えられ、燃焼ガスと共に排気室19に流下する。冷
却水ノズル18から噴出する冷却水で冷却された燃焼ガ
スは、固体酸化物及び冷却水と共に真空ポンプ20に吸
引され、気液分離器21で冷却水等と分離して処理ガス
排気経路12から排気される。一方、真空ポンプ20で
の撹拌作用により冷却水中に懸濁した固体酸化物は、気
液分離器21から冷却水と共に経路21aに抜出され、
固液分離等の後処理が行われる。
From the exhaust gas introduction path 11 to the combustion burner 13
Components in the exhaust gas supplied to the combustion burner 13
The solid oxide generated during combustion is detoxified by burning in a combustion flame or by thermal decomposition, and its adhesion to the inner wall surface is suppressed by compressed air ejected through the porous material of the inner wall 14a. , Together with the combustion gas. The combustion gas cooled by the cooling water ejected from the cooling water nozzle 18 is sucked by the vacuum pump 20 together with the solid oxide and the cooling water, separated from the cooling water and the like by the gas-liquid separator 21, and discharged from the processing gas exhaust passage 12. Exhausted. On the other hand, the solid oxide suspended in the cooling water by the stirring action of the vacuum pump 20 is extracted from the gas-liquid separator 21 along with the cooling water to the path 21a,
Post-processing such as solid-liquid separation is performed.

【0019】このように、本形態例に示す排ガス処理装
置は、通常の運転状態では、燃焼式排ガス処理装置Aに
おける燃焼除害処理のみで排ガスの除害処理を行うよう
にしている。
As described above, in the exhaust gas treatment apparatus shown in this embodiment, in the normal operation state, the exhaust gas elimination processing is performed only by the combustion elimination processing in the combustion type exhaust gas treatment apparatus A.

【0020】燃焼室14内に付着した固体酸化物を除去
する際には、切換弁25を開くとともに切換弁24を閉
じ、切換弁24より下流の燃焼式排ガス処理装置A内に
未処理の有害成分が残らないようにして燃焼運転を停止
させる。なお、切換弁24を閉じるタイミングは、例え
ば、半導体製造装置等の運転状況に応じて排ガス導入経
路11を流れる排ガス中の有害成分量が少なくなるとき
を見計らって行うようにしてもよく、あるいは、排ガス
導入経路11の適当な位置に希釈ガス導入経路27から
希釈ガスを導入して燃焼式排ガス処理装置A内に流入す
る有害成分濃度を低下させてから行うようにしてもよ
い。いずれにしても、燃焼式排ガス処理装置A内(燃焼
室14内)に規定濃度以上の有害成分が残留しないよう
にすればよい。
When removing the solid oxide adhering to the inside of the combustion chamber 14, the switching valve 25 is opened and the switching valve 24 is closed, and the untreated harmful gas is discharged into the combustion type exhaust gas treatment apparatus A downstream from the switching valve 24. The combustion operation is stopped so that no components remain. Note that the timing of closing the switching valve 24 may be performed, for example, when the amount of harmful components in the exhaust gas flowing through the exhaust gas introduction path 11 decreases according to the operation state of the semiconductor manufacturing apparatus or the like, or The process may be performed after introducing the diluent gas from the dilution gas introduction path 27 to an appropriate position in the exhaust gas introduction path 11 to reduce the concentration of harmful components flowing into the combustion type exhaust gas treatment apparatus A. In any case, it is sufficient that no harmful component having a concentration equal to or higher than the specified concentration remains in the combustion type exhaust gas treatment apparatus A (in the combustion chamber 14).

【0021】切換弁24を閉じ、燃焼室14内の温度が
十分に冷却されたことを温度センサー(図示せず)で確
認した後、スプレーノズル16から水等を噴射して内壁
面の付着物を除去する。この間、半導体製造装置等から
排出された有害成分を含む排ガスは、排ガス導入経路1
1から分岐経路23に流れ、除害筒B内の除害剤により
除害処理されて排気経路26から排気される。
After the switching valve 24 is closed and it is confirmed by a temperature sensor (not shown) that the temperature in the combustion chamber 14 has been sufficiently cooled, water or the like is sprayed from the spray nozzle 16 to deposit on the inner wall surface. Is removed. During this time, the exhaust gas containing harmful components discharged from the semiconductor manufacturing equipment and the like flows into the exhaust gas introduction route 1
1 flows to the branch route 23, is subjected to the abatement treatment by the abatement agent in the abatement cylinder B, and is exhausted from the exhaust passage 26.

【0022】したがって、燃焼式排ガス処理装置Aの付
着物除去、その他の保守作業を行っている間も、除害筒
Bによる排ガスの除害処理を継続することができるの
で、半導体製造装置等の運転を継続して行うことがで
き、生産性を大幅に向上させることができる。
Accordingly, the exhaust gas elimination process by the elimination cylinder B can be continued even while removing the deposits of the combustion type exhaust gas treatment device A and performing other maintenance work. Operation can be continued, and productivity can be significantly improved.

【0023】また、燃焼式排ガス処理装置Aの運転異常
が発生して燃焼式排ガス処理装置Aを緊急停止させる場
合は、有害成分が処理ガス排気経路12から排出される
のを防止するため、直ちに真空ポンプ20を停止させる
とともに、分岐経路23の切換弁25を開いて排ガスを
除害筒Bに導入する。そして、燃焼式排ガス処理装置A
の燃焼室14から入口側の切換弁24に至る間に残留す
る有害成分を燃焼室14内から排出するため、弁22a
を開いてパージガス導入経路22から窒素ガス等のパー
ジガスを燃焼室14内に逆方向に導入し、有害成分を含
むガスを分岐経路23に向けて流し、除害筒Bに導入し
て除害処理を行う。燃焼室14内のパージを十分に行っ
た後、切換弁24を閉じるとともに、弁22aを閉じ
る。
When an abnormal operation of the combustion type exhaust gas treatment device A occurs and the combustion type exhaust gas treatment device A is urgently stopped, the harmful components are prevented from being discharged from the treatment gas exhaust passage 12 immediately. The vacuum pump 20 is stopped, and the switching valve 25 of the branch path 23 is opened to introduce the exhaust gas into the abatement cylinder B. And the combustion type exhaust gas treatment device A
In order to discharge harmful components remaining from the combustion chamber 14 to the inlet side switching valve 24 from the combustion chamber 14, the valve 22a
Is opened, a purge gas such as nitrogen gas is introduced into the combustion chamber 14 in the reverse direction from the purge gas introduction path 22, and a gas containing harmful components is caused to flow toward the branch path 23, and is introduced into the detoxification cylinder B to perform the detoxification treatment. I do. After sufficiently purging the combustion chamber 14, the switching valve 24 is closed and the valve 22a is closed.

【0024】これにより、燃焼室14内の有害成分や燃
焼成分がパージされるので、運転再開時にこれらが急激
に燃焼して爆発を起こすこともなく、また、運転異常を
解消するための保守作業、例えば、燃焼式排ガス処理装
置Aを分解点検しても有害成分が放出されることがない
ので、安全に作業を進めることができる。
As a result, the harmful components and the combustion components in the combustion chamber 14 are purged, so that they do not rapidly burn and cause an explosion when the operation is restarted, and a maintenance operation for eliminating the operation abnormality. For example, even if the combustion-type exhaust gas treatment device A is disassembled and inspected, no harmful components are released, so that the operation can be performed safely.

【0025】このとき、パージガス導入経路22を設け
ずに、燃焼バーナー13や気体ノズル17等からパージ
ガスを導入することもできるが、パージガス導入経路2
2によってパージガスを燃焼室14の下流側から導入す
ることにより、燃焼室14内の有害成分等を効率よく除
害筒Bに向けて排出することができる。
At this time, the purge gas can be introduced from the combustion burner 13 or the gas nozzle 17 without providing the purge gas introduction path 22.
By introducing the purge gas from the downstream side of the combustion chamber 14 by the method 2, harmful components and the like in the combustion chamber 14 can be efficiently discharged to the abatement cylinder B.

【0026】さらに、前記同様に、排ガスの除害処理を
除害筒Bで継続して行うことができるので、半導体製造
装置等を停止させる必要がなくなり、成膜途中のウエハ
ーの成膜操作を最後まで行うことができ、該ウエハーが
不良品となることがなく、ウエハーのロスを無くすこと
ができる。
Further, similarly to the above, since the exhaust gas abatement process can be continuously performed in the abatement cylinder B, it is not necessary to stop the semiconductor manufacturing apparatus and the like, and the film forming operation of the wafer during the film formation can be performed. The process can be performed to the end, the wafer does not become a defective product, and the loss of the wafer can be eliminated.

【0027】なお、除害剤の処理能力に応じて希釈ガス
導入経路27から希釈ガスを導入し、有害成分濃度を下
げることにより、除害筒Bでの除害処理を更に確実に行
うことができる。また、半導体製造装置等の運転状態
が、有毒成分や有害成分等を使用していない状態のとき
には、例えば、排ガス組成が窒素と水素とである場合に
は、希釈ガス導入経路27から窒素ガスのような希釈ガ
スを導入して水素濃度を低下させるだけで排ガスを大気
中に放出することもできる。
In addition, by introducing a diluent gas from the diluent gas introduction path 27 in accordance with the processing capacity of the abatement agent and reducing the concentration of harmful components, the abatement process in the abatement cylinder B can be performed more reliably. it can. Further, when the operation state of the semiconductor manufacturing apparatus or the like does not use toxic components or harmful components, for example, when the exhaust gas composition is nitrogen and hydrogen, Exhaust gas can be released into the atmosphere simply by introducing such a diluent gas to lower the hydrogen concentration.

【0028】さらに、分岐経路23に設ける除害処理手
段は、上述の除害筒B以外に、他の除害手段、例えば、
周知の湿式除害装置等も用いることができるが、上記乾
式除害剤を充填した除害筒Bの場合は、充填筒と簡単な
配管及び弁を設けるだけで実施することができ、除害処
理に際して加熱や冷却,液の循環等の操作を全く必要と
せず、各種ユーティリティが不要であり、排ガスを導入
するだけで除害処理を行えるため、燃焼式排ガス処理装
置Aの予備的な除害処理手段として最適である。特に、
乾式除害剤として水酸化第二銅を用いることにより、半
導体製造装置等で使用する各種有害成分を効率よく確実
に除害処理することができる。
Further, in addition to the abatement cylinder B described above, other abatement means, for example,
A well-known wet-type abatement apparatus can be used, but in the case of the abatement cylinder B filled with the dry abatement agent, the abatement can be performed only by providing a filling cylinder and simple piping and valves. The treatment does not require any operation such as heating, cooling, circulation of liquid, etc., does not require various utilities, and can perform detoxification treatment only by introducing exhaust gas. Most suitable as processing means. Especially,
By using cupric hydroxide as a dry abatement agent, various harmful components used in a semiconductor manufacturing apparatus or the like can be efficiently and reliably removed.

【0029】また、各経路に設ける弁としては、通常、
各部の流量や温度に応じて自動的に開閉する自動弁を使
用するが、燃焼式排ガス処理装置Aの入口の切換弁24
に停電時に閉じる弁を、分岐経路23の切換弁25に停
電時に開く弁を、それぞれ用いることにより、停電が発
生した際にも瞬時に排ガスを除害筒Bに導入して除害処
理を行うことができ、安全性をより高めることができ
る。
The valves provided in each path are usually
Although an automatic valve that automatically opens and closes according to the flow rate and temperature of each part is used, the switching valve 24 at the inlet of the combustion type exhaust gas treatment device A is used.
By using a valve that closes during a power failure and a valve that opens during a power failure as a switching valve 25 of the branch path 23, even when a power failure occurs, exhaust gas is instantaneously introduced into the abatement cylinder B to perform abatement processing. Safety can be further improved.

【0030】なお、燃焼式排ガス処理装置Aの構造や形
状は任意であり、従来から用いられている燃焼式排ガス
処理装置を用いることができる。
The structure and shape of the combustion type exhaust gas treatment device A are arbitrary, and a conventionally used combustion type exhaust gas treatment device can be used.

【0031】[0031]

【実施例】【Example】

実施例1 図1に示す構成の装置を使用し、除害筒B内には、水酸
化第二銅を主成分とする除害剤を充填した。半導体製造
装置等から排出される排ガスに相当するガスとしては、
窒素ガス中にシラン3%を含む試験ガスを使用した。試
験ガスを毎時9.0m3 で燃焼式排ガス処理装置Aに導
入し、燃焼除害処理を行った。このとき、処理ガス排気
経路12から排出される処理ガス中のシラン濃度は、許
容濃度である5ppmの1/10未満であった。
Example 1 The abatement cylinder B was filled with an abatement agent containing cupric hydroxide as a main component using an apparatus having the configuration shown in FIG. As the gas corresponding to the exhaust gas discharged from semiconductor manufacturing equipment, etc.,
A test gas containing 3% silane in nitrogen gas was used. The test gas was introduced into the combustion type exhaust gas treatment device A at 9.0 m 3 per hour to perform the combustion detoxification treatment. At this time, the silane concentration in the processing gas discharged from the processing gas exhaust passage 12 was less than 1/10 of the allowable concentration of 5 ppm.

【0032】3時間経過後、切換弁25を開くとともに
切換弁24を閉じ、試験ガスを分岐経路23から除害筒
Bに導入して除害処理を行うようにした。
After a lapse of 3 hours, the switching valve 25 was opened and the switching valve 24 was closed, and the test gas was introduced into the abatement cylinder B from the branch path 23 to perform the abatement treatment.

【0033】燃焼式排ガス処理装置Aでは、切換弁24
を閉じた後、切換弁24から燃焼室14に至る間に残留
する試験ガスが無くなる時間を考慮して30分後に燃焼
バーナー13の燃焼運転を停止させた。そして、燃焼室
14の温度が50℃以下になったときにスプレーノズル
16から水をスプレーして付着物の除去を行った。その
後、パイロットバーナー15及び燃焼バーナー13に着
火し、燃焼室14の温度が200℃を超えた時点で切換
弁24を開き、切換弁25を閉じて燃焼式排ガス処理装
置Aによる除害処理を再開した。
In the combustion type exhaust gas treatment apparatus A, the switching valve 24
After closing, the combustion operation of the combustion burner 13 was stopped after 30 minutes in consideration of the time during which the test gas remaining from the switching valve 24 to the combustion chamber 14 disappeared. Then, when the temperature of the combustion chamber 14 became 50 ° C. or less, water was sprayed from the spray nozzle 16 to remove deposits. Thereafter, the pilot burner 15 and the combustion burner 13 are ignited. When the temperature of the combustion chamber 14 exceeds 200 ° C., the switching valve 24 is opened, the switching valve 25 is closed, and the abatement processing by the combustion type exhaust gas treatment device A is restarted. did.

【0034】燃焼式排ガス処理装置Aの運転再開までの
間に除害筒Bから排気経路26に排出されたガス中のシ
ラン濃度は、許容濃度の1/10未満であった。
The silane concentration in the gas discharged from the abatement cylinder B to the exhaust path 26 until the operation of the combustion type exhaust gas treatment apparatus A was restarted was less than 1/10 of the allowable concentration.

【0035】実施例2 試験ガスとしてシラン5000ppmを含む窒素ガスを
用い、実施例1と同様にして燃焼式排ガス処理装置Aで
の燃焼除害処理を行っているときに、燃焼バーナー13
の燃焼を急停止させ、これと同時に、分岐経路23の切
換弁24を開いて除害筒Bによる除害処理を開始した。
また、真空ポンプ20も略同時に停止させ、パイロット
バーナー15も消火した。
Example 2 A nitrogen gas containing 5,000 ppm of silane was used as a test gas.
Was stopped suddenly, and at the same time, the switching valve 24 of the branch path 23 was opened to start the abatement process by the abatement cylinder B.
At the same time, the vacuum pump 20 was stopped, and the pilot burner 15 was extinguished.

【0036】パージガス導入経路22の弁22aを開い
て燃焼室14内に窒素ガスを毎時6m3 で導入し、燃焼
室14内のガスを逆流させて除害筒Bに向けて流した。
この窒素ガスによるパージを30分間行った後の燃焼室
14内のガス中には、シランは検出されなかった。ま
た、燃焼式排ガス処理装置Aの運転再開も問題なく行う
ことができた。
The valve 22a of the purge gas introduction path 22 was opened to introduce nitrogen gas into the combustion chamber 14 at a rate of 6 m 3 per hour, and the gas in the combustion chamber 14 was caused to flow back to the detoxification cylinder B.
No silane was detected in the gas in the combustion chamber 14 after the purging with nitrogen gas for 30 minutes. In addition, the restart of the combustion type exhaust gas treatment device A could be performed without any problem.

【0037】燃焼式排ガス処理装置Aの緊急停止から運
転再開までの間に除害筒Bから排気経路26に排出され
たガス中のシラン濃度は、実施例1と同様に、許容濃度
の1/10未満であった。
As in the first embodiment, the silane concentration in the gas discharged from the abatement cylinder B to the exhaust passage 26 between the emergency stop of the combustion type exhaust gas treatment apparatus A and the resumption of operation is 1/1 / the allowable concentration. It was less than 10.

【0038】[0038]

【発明の効果】以上説明したように、本発明の排ガス処
理装置によれば、燃焼式排ガス処理装置が停止したとき
にも排ガスの除害処理を継続して行うことができるの
で、半導体製造装置等の運転を停止させる必要がなく、
不良品の発生を防止でき、生産性を低下させることもな
い。特に、除害剤を充填した除害筒を用いることによ
り、装置コストや運転コストを低く抑えることができ、
設置スペースも小さくすることができる。また、既存設
備にも容易に対応することができる。
As described above, according to the exhaust gas treatment apparatus of the present invention, even when the combustion-type exhaust gas treatment apparatus is stopped, the exhaust gas elimination processing can be continuously performed. There is no need to stop operation such as
The occurrence of defective products can be prevented, and the productivity does not decrease. In particular, by using the abatement cylinder filled with the abatement agent, it is possible to reduce the equipment cost and operating cost,
The installation space can be reduced. Also, it can easily cope with existing facilities.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 本発明の排ガス処理装置の一例を示す系統図
である。
FIG. 1 is a system diagram showing an example of an exhaust gas treatment device of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

A…燃焼式排ガス処理装置、B…除害筒、11…排ガス
導入経路、12…処理ガス排気経路、13…燃焼バーナ
ー、14…燃焼室、15…パイロットバーナー、16…
スプレーノズル、17…気体ノズル、18…冷却水ノズ
ル、19…排気室、20…真空ポンプ、21…気液分離
器、22…パージガス導入経路、23…分岐経路、2
4,25…切換弁、26…排気経路
A: combustion type exhaust gas treatment device, B: abatement cylinder, 11: exhaust gas introduction path, 12: treated gas exhaust path, 13: combustion burner, 14: combustion chamber, 15: pilot burner, 16 ...
Spray nozzle, 17 gas nozzle, 18 cooling water nozzle, 19 exhaust chamber, 20 vacuum pump, 21 gas-liquid separator, 22 purge gas introduction path, 23 branch path, 2
4, 25: switching valve, 26: exhaust path

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山田 まや 山梨県北巨摩郡高根町下黒沢3054−3 日 本酸素株式会社内 (72)発明者 新田 昭彦 山梨県北巨摩郡高根町下黒沢3054−3 日 本酸素株式会社内 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Maya Yamada, Inventor 3054-3 Shimokurosawa, Takane-cho, Kita-Koma-gun, Yamanashi Prefecture Inside Nihon Oki Co., Ltd. (72) Akihiko Nitta 3054-3 Shimo-Kurosawa, Takane-cho, Kita-Koma-gun, Yamanashi Japan Oxygen Co., Ltd.

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 排ガス中の有害成分を燃焼させて除害す
る燃焼式排ガス処理装置を備えた排ガス処理装置におい
て、前記燃焼式排ガス処理装置に排ガスを導入する排ガ
ス導入経路に分岐経路を設け、該分岐経路に前記燃焼式
排ガス処理装置とは異なる除害処理手段を設けるととも
に、前記燃焼式排ガス処理装置と前記分岐経路の除害処
理手段とへの排ガス経路を切換える切換弁を設けたこと
を特徴とする排ガス処理装置。
1. An exhaust gas treatment apparatus comprising a combustion type exhaust gas treatment apparatus for burning and removing harmful components in exhaust gas, wherein a branch path is provided in an exhaust gas introduction path for introducing exhaust gas to the combustion type exhaust gas treatment apparatus. The branch path includes abatement treatment means different from the combustion type exhaust gas treatment apparatus, and a switching valve for switching an exhaust gas path to the combustion type exhaust gas treatment apparatus and the abatement treatment means of the branch path is provided. Exhaust gas treatment equipment characterized.
【請求項2】 前記分岐経路に設けた除害処理手段は、
排ガス中の有害成分を吸着等により除害処理する除害剤
を充填した除害筒であることを特徴とする請求項1記載
の排ガス処理装置。
2. The abatement processing means provided on the branch route,
2. The exhaust gas treatment device according to claim 1, wherein the exhaust gas treatment device is a detoxifying cylinder filled with a detoxifying agent for detoxifying a harmful component in exhaust gas by adsorption or the like.
【請求項3】 前記燃焼式排ガス処理装置内に残留する
排ガスを前記分岐経路に設けた除害処理手段に向けて排
出するパージガス導入経路を備えていることを特徴とす
る請求項1記載の排ガス処理装置。
3. The exhaust gas according to claim 1, further comprising a purge gas introduction path for discharging the exhaust gas remaining in the combustion type exhaust gas treatment apparatus toward the abatement processing means provided in the branch path. Processing equipment.
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