JPH10125956A - 3族窒化物半導体発光素子 - Google Patents
3族窒化物半導体発光素子Info
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- JPH10125956A JPH10125956A JP29949896A JP29949896A JPH10125956A JP H10125956 A JPH10125956 A JP H10125956A JP 29949896 A JP29949896 A JP 29949896A JP 29949896 A JP29949896 A JP 29949896A JP H10125956 A JPH10125956 A JP H10125956A
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Abstract
発光素子の発光強度を向上させること。 【解決手段】 3族窒化物半導体から成る紫及び紫外線
領域の光を発光する発光層4を有する発光素子におい
て、発光層4の上部に形成されるp−クラッド層5のAl
GaN のアルミニウム組成率を8%以上30%以下とし、
かつ、p−クラッド層5厚さを70nm以下にした。さ
らに、p−クラッド層5の上部に形成されるp−コンタ
クト層6を薄膜化すること、及び発光層4の下部に形成
されるn−クラッド層3をAlGaN で形成すること、及び
基板であるサファイア層1の裏面に反射膜10を取り付
けることにより、紫及び紫外線領域の光の発光強度が向
上した。
Description
紫あるいは紫外線領域(430nm以下の波長)の光を
発光する3族窒化物半導体発光素子に関する。
発光する3族窒化物半導体にて構成された発光層を有す
る発光素子が知られている。そしてこの発光素子は、発
光層の下部のシリコン(Si)がドーピングされたn+ −Ga
N のn−クラッド層、発光層の上部のマグネシウム(Mg)
がドーピングされたp−Alx1Ga1-x1N のp−クラッド
層、ただしx1<0.08、p−クラッド層の上部のp
−GaN のコンタクト層によって構成されている。
ト層及びp−クラッド層では、マグネシウム(Mg)は深い
準位のアクセプタレベルを形成している。その深い準位
と伝導帯とのバンドギャップにより430nm以下の波
長の光を吸収する。そのため上記の構造では発光層から
430nm以下の波長の光を発光させる場合、上部から
発光する光の一部がp−コンタクト層及びp−クラッド
層で吸収されてしまい、発光出力が弱くなるという問題
がある。そこで、発光層より上部の層での光の吸収を最
小限にすることにより、発光強度を増大させることが本
発明の課題である。
めに請求項1の発明は、3族窒化物半導体から成る発光
層と発光層の上部に形成されるp−クラッド層とを有す
る発光素子において、p−クラッド層は厚さが70nm
以下の0.08≦x1≦0.3であるマグネシウム(Mg)
ドープAlx1Ga1-x1N から成ることを特徴とする。
窒化物半導体発光素子のp−クラッド層の上部に形成さ
れるマグネシウム(Mg)ドープGaN から成るp−コンタク
ト層の厚さを100nm以下としたことを特徴とする。
に記載の3族窒化物半導体発光素子の発光層の下に形成
されるn−クラッド層が0<x2≦0.3であるシリコ
ン(Si)ドープn + −Alx2Ga1-x2N から成ることを特徴と
する。
のいずれかに記載の3族窒化物半導体発光素子におい
て、サファイア基板の裏面に反射膜をつけたことを特徴
とする。また、請求項5の発明は、請求項4に記載の反
射膜がアルミニウムであることを特徴とする。
化物半導体発光素子のp−クラッド層は厚さが70nm
以下で0.08≦x1≦0.3であるマグネシウム(Mg)
ドープAlx1Ga1-x1N から成ることを特徴とする。これに
より、従来のx1<0.08のAlx1Ga1-x1N に比べてバ
ンドギャップが拡がり、深い準位であるマグネシウム(M
g)の準位とAlx1Ga1-x1N の伝導帯とのバンドギャップも
拡がるので、吸収する光の波長が短くなる。さらに、膜
厚が70nm以下と薄くなっているので、光の吸収量が
少なくなる。つまり、p−クラッド層で吸収する光の波
長を430nmより短波長側にずらして、かつ、膜厚を
薄くしたので、この結果、発光層より430nm以下の
光が発光された場合に吸収される光を最小限にすること
ができ、発光出力を増大することができる。
載の3族窒化物半導体発光素子のp−コンタクト層の厚
さを100nm以下としたことにより、430nm以下
の光を吸収する層が薄くなったので吸収される光の量が
減少して、発光強度が増大する。
項2に記載の3族窒化物半導体発光素子のn−クラッド
層はシリコン(Si)ドープn + -AlGaNから成ることを特徴
とする。これにより従来のシリコン(Si)ドープn + -GaN
に比べてバンドギャップが広がることにより、430n
m以下の波長の光を吸収することがなくなる。よって、
発光強度が増大することになる。
項3のいずれかに記載の3族窒化物半導体発光素子のサ
ファイア基板の裏面に反射膜をつけたこと、また、請求
項5に示すように請求項4に記載の3族窒化物半導体発
光素子の反射膜をアルミニウムにしたことにより発光層
より下部に向かった光も反射膜にて反射させることによ
り上部から発光させることができる。よって上部がら発
光する光の発光強度が増大する。
基づいて説明する。なお本発明は下記実施例に限定され
るものではない。図1は本願実施例の発光素子100の
全体図を示す。発光素子100は、サファイア基板1を
有しており、そのサファイア基板1上に50nmのAlN
バッファ層2が形成されている。また、サファイア基板
1の下部には厚さが200nmのアルミニウム反射膜1
0が形成されている。
5.0μm、電子濃度1×1018/cm3 、シリコン濃
度4×1018/cm3 のシリコン(Si)ドープn + −Al
0.08Ga0.92N から成る高キャリア濃度n−クラッド層
3、全膜厚約410nmでGaN から成るバリア層とシリ
コン(Si)が5×1018/cm3 の濃度で添加されている
In0.07Ga0.93N から成る井戸層から成る多重量子井戸構
造の発光層4、膜厚50nm、ホール濃度5×1017/
cm3 、マグネシウム(Mg)濃度5×1020/cm3 のマ
グネシウム(Mg)ドープAl0.08Ga0.92N からなるp−クラ
ッド層5、膜厚30nm、ホール濃度7×1018/cm
3 、マグネシウム(Mg)濃度5×1021/cm3のマグネ
シウム(Mg)ドープGaN からなるp−コンタクト層6が形
成されている。そして、p−コンタクト層6の上面全体
にNi/Au の2重層から成る透明電極8が形成され、その
透明電極8の隅の部分にNi/Au の2重層から成るボンデ
ィングのためのパッド9が形成されている。また、n−
クラッド層3上にはAlから成る電極7が形成されてい
る。
に膜厚10nmのGaN から成る21層のバリア層41と
膜厚10nmのシリコン(Si)が5×1018/cm3 の濃
度で添加されているIn0.07Ga0.93N から成る20層の井
戸層42とが交互に積層された多重量子井戸構造であ
り、全膜厚は約410nmである。
ついて説明する。上記発光素子100は、有機金属気相
成長法(以下MOVPE)による気相成長により製造さ
れた。用いられたガスは、アンモニア(NH3) 、キャリア
ガスH2又はN2、トリメチルガリウム(Ga(CH3)3)(以下
「TMG 」と記す)、トリメチルアルミニウム(Al(CH3)3)
(以下「TMA 」と記す)、トリメチルインジウム(In(CH
3)3)(以下「TMI 」と記す)、シラン(SiH4)、シクロペ
ンタジエニルマグネシウム(Mg(C5H5)2) (以下「CP2Mg
」と記す)である。
面を主面とし、単結晶のサファイア基板1をMOVPE
装置の反応室に載置されたサセプタに装着する。次に、
常圧でH2を流速2liter/分で約30分間反応室に流しな
がら温度1100℃でサファイア基板をベーキングし
た。
又はN2を10liter/分、NH3 を10liter/分、TMA を
1.8×10-5モル/分で約90秒間供給してAlN のバ
ッファ層2を約50nmの厚さに形成した。次に、サフ
ァイア基板1の温度を1100℃に保持し、H2を20li
ter/分、NH3 を10liter/分、TMA を0.47×10-4
モル/分、TMG を1.12×10-4モル/分、H2ガスに
より0.86ppmに希釈されたシラン(SiH4)を2×1
0-7モル/分で100分導入し、膜厚5.0μm、電子
濃度1×1018/cm3 、シリコン濃度4×1018/c
m3 のシリコン(Si)ドープAl0.08Ga0.92N からなる高キ
ャリア濃度n−クラッド層3を形成した。
℃に保持し、H2を20liter/分、NH3 を10liter/分、
TMG を1.7×10-4モル/分で3分間導入してGaN か
ら成る厚さ10nmのバリア層41を形成した。次に、
H2を20liter/分、NH3 を10liter/分、TMG を2.1
×10-4モル/分、TMI を0.02×10-4モル/分、
H2ガスにより0.86ppmに希釈されたシラン(SiH4)
を10×10-8モル/分で3分間導入して、シリコン(S
i)が5×1018/cm3 の濃度で添加されているIn0.07
Ga0.93N から成る厚さ10nmの井戸層42を形成し
た。このような手順の繰り返しにより、図2に示すよう
にバリア層41と井戸層42とを交互に、21層と20
層だけ積層した多重量子井戸構造で、全膜厚が410n
mの発光層4を形成した。
はN2を10liter/分、NH3 を10liter/分、TMA を0.
47×10-4モル/分、TMG を1.12×10-4モル/
分、Cp2Mg を2×10-5モル/分で0.5分間導入し、
膜厚約50nm、マグネシウム(Mg)濃度が5×1020/
cm3 のマグネシウム(Mg)ドープAl0.08Ga0.92N からな
るp−クラッド層5を形成した。なおこの状態では、p
−クラッド層5は抵抗率108 Ωcm以上の絶縁体であ
る。
N2を20liter/分、NH3 を10liter/分、TMG を1.1
2×10-4モル/分、Cp2Mg を2×10-5モル/分で
0.5分間導入し、膜厚30nm、マグネシウム(Mg)濃
度が5×1021/cm3 のマグネシウム(Mg)ドープGaN
からなるp−コンタクト層6を形成した。なおこの状態
では、p−コンタクト層6は抵抗率108 Ωcm以上の
絶縁体である。
タクト層6及びp−クラッド層5に一様に電子線を照射
した。電子線の照射条件は、加速電圧約10kV、試料
電流1μA、ビームの移動速度0.2mm/sec、ビ
ーム径60μmφ、真空度5.0×10-5Torrであ
る。この電子線の照射により、p−コンタクト層6及び
p−クラッド層5は、それぞれ、ホール濃度5×1017
/cm3 、7×1018/cm3 、抵抗率1Ωcm、0.
7Ωcmのp伝導型半導体となった。このようにして多
層構造のウエハが得られた。
層6の上に、スパッタリングによりSiO2層11を200
nmの厚さに形成し、そのSiO2層11の上にフォトレジ
スト12を塗布した。そして、フォトリソグラフにより
図3に示すように、p−コンタクト層6上において、n
−クラッド層3に対する電極形成部位A’のフォトレジ
スト12を除去した。次に、図4に示すように、フォト
レジスト12によって覆われていないSiO2層11をフッ
化水素酸系エッチング液で除去した。
によって覆われていない部位のp−コンタクト層6、p
−クラッド層5、発光層4、n−クラッド層3を、真空
度0.04Torr、高周波電力0.44W/cm2 、
BCl3ガスを10ml/分の割合で供給しドライエッチン
グした後、Arでドライエッチングした。この工程で、図
5に示すように、n−クラッド層3に対する電極取り出
しのための孔Aが形成された。その後、フォトレジスト
12及びSiO2層11を除去した。
トレジストの塗布、フォトリソグラフィ−工程、エッチ
ング工程を経て、p−コンタクト層6の上に透明電極8
を形成した。そして、その透明電極8の一部にNi/Au の
2層を蒸着してパッド9を形成した。一方、n−クラッ
ド層3に対してはアルミニウムを蒸着して電極7を形成
した。
ミニウムを厚さ200nm蒸着して反射層10を形成し
た。その後、上記のごとく処理されたウエハは、各素子
毎に切断され、図1に示す構造の発光ダイオードを得
た。この発光素子は駆動電流20mAで発光ピーク波長
380nmであり、従来構造のLEDに比べて発光強度
は10倍になった。
光を発光する3族窒化物半導体発光素子の紫及び紫外線
領域の光を吸収するマグネシウム(Mg)が添加されている
p−クラッド層およびp−コンタクト層を薄膜化するこ
とにより、紫及び紫外線領域の光が吸収される確率が減
少することにより発光効率が増大した。また、p−クラ
ッド層のアルミニウムの混晶比を増加させることにより
バンドギャップを大きくして紫及び紫外線領域の光が吸
収されないようにしたことにより発光効率が増大した。
また、n−クラッド層をGaN でなくAlGaN にすることに
よりバンドギャップを大きくして紫及び紫外線領域の光
が吸収されないようにし、さらに、サファイア基板の下
部に反射膜を形成することにより発光層より下部に発光
した光も上部から発光するようにした結果、発光強度が
増大した。
戸構造であるが、単一量子井戸構造あるいはバルク構造
でもよい。また、発光層はGaN 、InGaN でなくても43
0nm以下の紫及び紫外線領域の光が発光できるならば
どの3族窒化物半導体を用いてもよい。また、上記実施
例では井戸層にのみシリコンがドーピングされている
が、430nm以下の紫及び紫外線領域の光が発光でき
るならば他のドナー不純物あるいはアクセプタ不純物を
井戸層又は/及びバリア層に添加してもよい。
いるが、n層とn+ 層の2層で形成されていてもよい。
さらに、p−コンタクト層も1層で形成されているが、
2層で形成されていてもよい。また、p型化する際に上
記実施例では電子線照射を行っているが、熱アニーリン
グ、N2プラズマガス中での熱処理、レーザ照射によっ行
ってもよい。
ムで形成されているが紫及び紫外線領域の光である43
0nm以下の波長の光を吸収せずに反射する材料ならば
アルミニウムでなくてもよい。
017〜1×1020/cm3 が望ましく、電子濃度は1×
1016〜1×1019/cm3 が望ましい。また、膜厚は
0.5〜10μmが望ましい。シリコン濃度が1×10
17/cm3 以下であると高抵抗となり、1×1020/c
m3 以上であると結晶性が低下するので望ましくない。
また、電子濃度が1×1016/cm3 以下であると発光
素子の直列抵抗が高くなり、1×1019/cm3 以上に
なると結晶性が悪化するので望ましくない。又、膜厚が
10μm以上となると基板が湾曲し、0.5μm以下に
なるとエッチングしてn−クラッド層3を露出させて、
n−クラッド層3に対する電極の形成が困難になるので
望ましくない。n−クラッド層3のAlGaN のAlの混晶比
は0〜30%が望ましく、より望ましい範囲は0〜15
%の範囲である。15%以下であると結晶性がより良好
な状態となるので望ましい。
17〜1×1018/cm3 が望ましい。ホール濃度が1×
1018/cm3 以上になると結晶性が悪化するために望
ましくなく、1×1017/cm3 以下になると発光素子
の直列抵抗が高くなりすぎて望ましくない。また、p−
クラッド層5の膜厚は1〜70nmが望ましい。70n
m以上では効果があまりなく、1m以下ではキャリア閉
じ込め効果が低下するために発光効率が低下するので望
ましくない。p−クラッド層5のAlGaN のAlの混晶比は
8〜30%が望ましい。8%以下であるとバンドギャッ
プが小さいために不純物のマグネシウム(Mg)レベルで紫
及び紫外線領域の光を吸収が大きいために望ましくな
く、30%以上では結晶性が悪化し、さらにホール濃度
が低下するために望ましくない。
nmの範囲が望ましく、さらには10〜20nmの範囲
が望ましい。10〜20nmの範囲では光の吸収が少な
くなるので望ましい。また、100nm以上では効果が
あまりなく、10nm以下では金属電極に対してオーミ
ック性を低下させることになるために望ましくない。
の構成を示した構成図。
を示した構成図。
断面図。
断面図。
断面図。
Claims (5)
- 【請求項1】3族窒化物半導体から成る発光層と発光層
の上に形成されるp−クラッド層とを有する発光素子に
おいて、 前記p−クラッド層は厚さ70nm以下の0.08≦x
1≦0.3であるマグネシウム(Mg)ドープAlx1Ga1-x1N
から成ることを特徴とする3族窒化物半導体発光素子。 - 【請求項2】前記p−クラッド層の上に形成されるマグ
ネシウム(Mg)ドープGaN から成るp−コンタクト層の厚
さを100nm以下としたことを特徴とする請求項1に
記載の3族窒化物半導体発光素子。 - 【請求項3】前記発光層の下に形成されるn−クラッド
層は0<x2≦0.3であるシリコン(Si)ドープn + −
Alx2Ga1-x2N から成ることを特徴とする請求項1又は請
求項2に記載の3族窒化物半導体発光素子。 - 【請求項4】3族窒化物半導体から成る発光層を有する
発光素子において、 サファイア基板を有し、そのサファイア基板の裏面に反
射膜をつけたことを特徴とする請求項1乃至請求項3の
いずれかに記載の3族窒化物半導体発光素子。 - 【請求項5】前記反射膜はアルミニウムであることを特
徴とする請求項4に記載の3族窒化物半導体素子。
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