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JPH10117088A - Electromagnetic wave shielding box structure - Google Patents

Electromagnetic wave shielding box structure

Info

Publication number
JPH10117088A
JPH10117088A JP26878696A JP26878696A JPH10117088A JP H10117088 A JPH10117088 A JP H10117088A JP 26878696 A JP26878696 A JP 26878696A JP 26878696 A JP26878696 A JP 26878696A JP H10117088 A JPH10117088 A JP H10117088A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electromagnetic wave
heat
wave shielding
box structure
type semiconductor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP26878696A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Shinichi Yamada
真一 山田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP26878696A priority Critical patent/JPH10117088A/en
Publication of JPH10117088A publication Critical patent/JPH10117088A/en
Pending legal-status Critical Current

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  • Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To reduce the temperature rise in an electromagnetic wave shielding box structure and stabilize the temperature in the structure, without reducing the shielding effect of the structure by providing a heat pump. SOLUTION: In an electromagnetic wave shielding box structure 10A, an n-type semiconductor 11 and a p-type semiconductor 13 are arranged in a non- contacting state, and the semiconductors 11 and 13 are electrically connected to each other by joining a conductor 15 to one surfaces of the conductors 11 and 13. Then positive and negative electrodes 17 and 19 are respectively joined to the other surfaces of the semiconductor 11 and 13, and the electrodes 17 and 19 are joined to each other through an insulating layer 21. In addition, a shield conductive layer 120a is provided as a conductive layer to be joined to the insulating layer 21. Moreover, a heat-absorbing fin 23 is provided to the conductor 15 so as to improve the heat-absorption effect and a heat radiating film 25 is provided on the conductive layer 120a at the position where the fin 25 is faced opposite the electrodes 17 and 19. Thus a semiconductor heat pump is constituted.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、電子機器から発生
するノイズを遮蔽する電磁波シールドボックス構造に関
し、特に、シールドボックス内の熱を放熱させることが
できる電磁波シールドボックス構造に関するものであ
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an electromagnetic wave shielding box structure for shielding noise generated from electronic equipment, and more particularly to an electromagnetic wave shielding box structure capable of radiating heat in a shield box.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、EMC(Electro Magnetic Compa
tibility)の観点から、ノイズの影響を受けない、ノイ
ズを出さない装置の性能が求められている。
2. Description of the Related Art In recent years, EMC (Electro Magnetic Compa
From the viewpoint of tibility), there is a demand for a device that is not affected by noise and does not emit noise.

【0003】特に、微弱な信号をキャッチし、信号を増
幅する敏感なセンサ等はノイズの影響を受けないための
設計が要求される。また、ノイズが大きいディジタル回
路やインバータ回路からは外部にノイズが伝搬すること
による他の装置や機能の誤動作に対処する設計が要求さ
れる。
In particular, a sensitive sensor or the like that catches a weak signal and amplifies the signal needs to be designed so as not to be affected by noise. In addition, a digital circuit or an inverter circuit having a large noise requires a design to cope with a malfunction of another device or function due to the propagation of the noise to the outside.

【0004】以上のようなノイズの影響を少なくするた
めの対処方法として、伝搬するノイズを遮蔽するという
考え方がある。静電シールド、磁界シールドおよびファ
ーフィールドの電磁波シールドが遮蔽の手段である。こ
れらの場合、シールド材料で周囲を囲った電磁波シール
ドボックスを用いている。
[0004] As a countermeasure for reducing the influence of noise as described above, there is a concept of shielding transmitted noise. Electrostatic shields, magnetic field shields, and farfield electromagnetic wave shields are the means of shielding. In these cases, an electromagnetic wave shielding box surrounded by a shielding material is used.

【0005】電磁波シールドボックスでは、継ぎ目の無
いものが最も理想的な電磁波シールドボックス構造とい
える。しかしながら、シールドボックスからの信号線の
取り出しやシールドボックス内の熱を放出させるため等
の開口部が必要となる。
[0005] In an electromagnetic wave shielding box, a seamless one can be said to be the most ideal electromagnetic wave shielding box structure. However, an opening is required to take out a signal line from the shield box and release heat in the shield box.

【0006】特に、ファーフィールドの電磁波シールド
構造では、開口部の大きさは、遮蔽対象の周波数に対応
させて変える必要がある。つまり、高い周波数の程開口
部は小さく、また、遮蔽効果を高めるほど小さくしなけ
ればならない。
In particular, in the electromagnetic shielding structure of Farfield, it is necessary to change the size of the opening in accordance with the frequency to be shielded. In other words, the aperture must be smaller for higher frequencies, and smaller for higher shielding effects.

【0007】また、電磁波シールドボックス構造内にノ
イズ源や敏感なアナログ回路を閉じ込めた場合に考慮し
なければならないのは、冷却手段である。電磁波シール
ドボックス内部に発熱素子(パワーデバイス)がある場
合や高温における温度特性が精度に悪影響を及ぼす素子
(高精度オペアンプ等)では、電磁波シールドボックス
内部での温度上昇を抑える必要がある。このため、電磁
波シールドボックス内の冷却の一般的な方法として、従
来は空冷を用いている。
[0007] When a noise source or a sensitive analog circuit is confined in the electromagnetic wave shielding box structure, it is necessary to consider a cooling means. In the case where there is a heating element (power device) inside the electromagnetic wave shielding box or an element (such as a high-precision operational amplifier) whose temperature characteristics at high temperatures adversely affect the accuracy, it is necessary to suppress the temperature rise inside the electromagnetic wave shielding box. For this reason, air cooling has conventionally been used as a general method for cooling the electromagnetic wave shielding box.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
電磁波シールドボックスでは、内部を冷却するために空
冷を用いていたが、この場合、風の通る孔として開口が
必要なので、シールド効果を低減させてしまうという問
題があった。一方、コールドプレート(冷却板)内に水
を流したり、チップ近くに衝突噴流を生じさせる液冷等
もあるが、最近では冷却システムの複雑さ等から、使用
される頻度は少ない。
However, in the conventional electromagnetic wave shielding box, air cooling is used to cool the inside. In this case, an opening is required as a hole through which the wind passes, so that the shielding effect is reduced. There was a problem that it would. On the other hand, there are liquid cooling that causes water to flow in a cold plate (cooling plate) and impinging jets near the chip, but these are rarely used recently due to the complexity of the cooling system and the like.

【0009】本発明は、上記課題に鑑みてなされたもの
で、シールド効果を低減させること無く、シールドボッ
クス構造内の温度上昇の低減と温度の安定化が可能な電
磁波シールドボックス構造を提供することを目的とす
る。
The present invention has been made in view of the above problems, and provides an electromagnetic wave shielding box structure capable of reducing a temperature rise in a shield box structure and stabilizing the temperature without reducing a shielding effect. With the goal.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
請求項1記載の発明は、電磁波をシールドする電磁波シ
ールド材料で囲まれた電磁波シールドボックス構造にお
いて、ヒートポンプを備えることを要旨とする。
According to a first aspect of the present invention, there is provided an electromagnetic wave shielding box structure surrounded by an electromagnetic wave shielding material for shielding an electromagnetic wave, wherein a heat pump is provided.

【0011】請求項1記載の電磁波シールドボックス構
造にあっては、ヒートポンプを電磁波シールド材料で囲
まれた電磁波シールドボックスに備えるので、電磁波シ
ールドボックス内の熱をシールド効果を低減させること
無く放熱することができ、電磁波シールドボックス構造
内の温度上昇の低減と温度の安定化が可能となる。
In the electromagnetic wave shielding box structure according to the first aspect, since the heat pump is provided in the electromagnetic wave shielding box surrounded by the electromagnetic wave shielding material, heat in the electromagnetic wave shielding box can be radiated without reducing the shielding effect. Thus, the temperature rise in the electromagnetic wave shielding box structure can be reduced and the temperature can be stabilized.

【0012】また、請求項2記載の発明は、電磁波をシ
ールドする電磁波シールド材料で囲まれた電磁波シール
ドボックス構造において、ヒートパイプを備えることを
要旨とする。
Further, the invention according to claim 2 is characterized in that a heat pipe is provided in an electromagnetic wave shielding box structure surrounded by an electromagnetic wave shielding material for shielding electromagnetic waves.

【0013】請求項2記載の電磁波シールドボックス構
造にあっては、ヒートパイプを電磁波シールド材料で囲
まれた電磁波シールドボックスに備えるので、電磁波シ
ールドボックス内の熱をシールド効果を低減させること
無く放熱することができ、電磁波シールドボックス構造
内の温度上昇の低減と温度の安定化が可能となる。
In the electromagnetic wave shielding box structure according to the second aspect, since the heat pipe is provided in the electromagnetic wave shielding box surrounded by the electromagnetic wave shielding material, the heat in the electromagnetic wave shielding box is radiated without reducing the shielding effect. As a result, the temperature rise in the electromagnetic wave shielding box structure can be reduced and the temperature can be stabilized.

【0014】[0014]

【発明の実施の形態】以下、本発明に係る実施の形態を
図面を参照して説明する。図1は本発明に係る電磁波シ
ールドボックス構造の第1実施形態を示した断面図であ
り、図2はその斜視図である。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a sectional view showing a first embodiment of an electromagnetic wave shielding box structure according to the present invention, and FIG. 2 is a perspective view thereof.

【0015】第1実施形態の電磁波シールドボックス構
造では、ペルチェ効果を利用した半導体ヒートポンプを
用いて電磁波シールドボックス内の熱を電磁波シールド
ボックス外に放熱させるようにしたものである。
In the electromagnetic wave shielding box structure of the first embodiment, the heat in the electromagnetic wave shielding box is radiated outside the electromagnetic wave shielding box by using a semiconductor heat pump utilizing the Peltier effect.

【0016】ここでペルチェ効果を利用した半導体ヒー
トポンプを図3を参照して説明する。図3に示すように
半導体ヒートポンプは、n型半導体101とp型半導体
103の一方の面を金属105で接合し、n型半導体1
01の他方の面に正電極107を接合し、p型半導体の
他方の面に負電極109を接合したものであり、正電極
107から負電極109へ直流電流を流すと金属105
側の接合部が低温となり、この接合部で吸熱が起こる。
また、正電極、負電極側の接合部は高熱となり、この接
合部で発熱が起こる。尚、吸熱効果を上げるため、金属
105には熱伝導性グリース111を介して吸熱フィン
113が設けられている。また、放熱効果を上げるた
め、正電極107と負電極109には絶縁層115と熱
伝導性グリース117を介して放熱フィン119が設け
られている。
Here, a semiconductor heat pump utilizing the Peltier effect will be described with reference to FIG. As shown in FIG. 3, the semiconductor heat pump has one surface of an n-type semiconductor 101 and one surface of a p-type semiconductor
The positive electrode 107 is bonded to the other surface of the p-type semiconductor and the negative electrode 109 is bonded to the other surface of the p-type semiconductor.
The junction on the side cools down and heat is absorbed at this junction.
In addition, the junction between the positive electrode and the negative electrode has high heat, and heat is generated at this junction. In addition, in order to enhance the heat absorbing effect, the metal 105 is provided with a heat absorbing fin 113 via a heat conductive grease 111. Further, in order to enhance the heat radiation effect, heat radiation fins 119 are provided on the positive electrode 107 and the negative electrode 109 via the insulating layer 115 and the heat conductive grease 117.

【0017】この効果は、可逆的で電流の向きを逆にす
ると吸熱、発熱が逆になる。市販されているヒートポン
プには、吸急熱量が10(W)以上で冷蔵庫より温度低
減効果があるものもある。
This effect is reversible. When the direction of the current is reversed, heat absorption and heat generation are reversed. Some commercially available heat pumps have a heating and cooling heat of 10 (W) or more and have a temperature lowering effect than refrigerators.

【0018】図1と図2に示すように、第1実施形態の
電磁波シールドボックス構造10Aは、n型半導体11
とp型半導体13とを非接触で配置し、このn型半導体
11とp型半導体13の一方の面に接合され、n型半導
体11とp型半導体13とを導通させる導電体15と、
n型半導体11の他方の面に接合される正電極17と、
p型半導体の他方の面に接合される負電極19と、この
正電極17と負電極19と接合する絶縁層21と、この
絶縁層21と接合される導電層として、シールド導電層
120aとから成る。
As shown in FIGS. 1 and 2, the electromagnetic shield box structure 10A of the first embodiment includes an n-type semiconductor 11
And a conductor 15 that is arranged in a non-contact manner with the p-type semiconductor 13 and is joined to one surface of the n-type semiconductor 11 and the p-type semiconductor 13 to conduct the n-type semiconductor 11 and the p-type semiconductor 13.
a positive electrode 17 joined to the other surface of the n-type semiconductor 11,
A negative electrode 19 joined to the other surface of the p-type semiconductor, an insulating layer 21 joined to the positive electrode 17 and the negative electrode 19, and a shield conductive layer 120a as a conductive layer joined to the insulating layer 21 Become.

【0019】また、吸熱効果を上げるため、導電体15
には吸熱フィン23が設けられている。さらに、放熱効
果を上げるため、シールド導電層120aの正電極17
と負電極19のはいちいちと対応する位置に放熱フィン
25が設けられている。尚、導電体15と吸熱フィン2
3との間と、絶縁層21とシールド導電層120aとの
間と、シールド導電層120aと放熱フィン25との間
には熱伝導性を上げるために熱伝導性グリースが介在さ
れる。
In order to enhance the heat absorbing effect, the conductor 15
Are provided with heat absorbing fins 23. Further, in order to enhance the heat radiation effect, the positive electrode 17 of the shield conductive layer 120a is formed.
The heat radiation fins 25 are provided at positions corresponding to each of the negative electrodes 19. The conductor 15 and the heat absorbing fin 2
3 and between the insulating layer 21 and the shield conductive layer 120a, and between the shield conductive layer 120a and the radiating fins 25, a thermal conductive grease is interposed to increase thermal conductivity.

【0020】このn型半導体11、p型半導体13、導
電体15、正電極17、負電極19、絶縁層21、シー
ルド導電層120a、吸熱フィン23および放熱フィン
25とにより半導体ヒートポンプを構成している。
A semiconductor heat pump is constituted by the n-type semiconductor 11, the p-type semiconductor 13, the conductor 15, the positive electrode 17, the negative electrode 19, the insulating layer 21, the shield conductive layer 120a, the heat absorbing fins 23 and the heat radiating fins 25. I have.

【0021】特に、第1実施形態の電磁波シールドボッ
クス構造10Aでは、電磁波シールドボックス構造10
Aの基本構成であるシールド材料としてのシールド導電
層120aを半導体ヒートポンプの導電層として用いる
ようにしている。
In particular, in the electromagnetic wave shielding box structure 10A of the first embodiment, the electromagnetic wave shielding box structure 10A
A shield conductive layer 120a as a shield material, which is a basic configuration of A, is used as a conductive layer of a semiconductor heat pump.

【0022】ここで、熱源として微弱な光を検出する図
4に示すような光(X線)検出器を例にして説明する。
図4(b)に示すように、光(X線)検出器は、微弱な
光を検出して電気信号に変換するフォトダイオード13
1と、フォトダイオード131により変換された電気信
号を蓄積する静電容量133と、静電容量からの信号読
み出しを切り換える薄膜トランジスタ135とから成る
アナログセンサー部を図4(a)に示すように複数整列
配置したものある。この光(X線)検出器では、走査線
137により所定の薄膜トランジスタ135がオンされ
ると、信号線139を介して電気信号が増幅器141に
転送され、検出信号(画像信号)に変換されて順次出力
される。
Here, a light (X-ray) detector as shown in FIG. 4 for detecting weak light as a heat source will be described as an example.
As shown in FIG. 4B, the photodetector (X-ray) detector detects the weak light and converts it into an electric signal.
As shown in FIG. 4 (a), a plurality of analog sensor units are arranged as shown in FIG. Some are arranged. In this light (X-ray) detector, when a predetermined thin film transistor 135 is turned on by a scanning line 137, an electric signal is transferred to an amplifier 141 via a signal line 139, converted into a detection signal (image signal), and sequentially. Is output.

【0023】この場合、外部からのノイズを遮断するた
めに前記アナログセンサー部を継ぎ目のないシールドボ
ックス120内に格納する。また、フォトダイード13
1の感度を得るためと、増幅器141の高温による精度
低下を防止する目的で、前記半導体ヒートポンプの吸熱
フィン23を前記アナログセンサー部に近接させ、この
半導体ヒートポンプによってシールドボックス120内
を冷却する。
In this case, the analog sensor unit is stored in a seamless shield box 120 in order to block external noise. Also, Photo Died 13
In order to obtain a sensitivity of 1 and to prevent a decrease in accuracy due to a high temperature of the amplifier 141, the heat absorbing fins 23 of the semiconductor heat pump are brought close to the analog sensor unit, and the inside of the shield box 120 is cooled by the semiconductor heat pump.

【0024】第1実施形態の電磁波シールドボックス構
造10Aにおいて、半導体ヒートポンプの正電極17か
ら負電極19に直流電流を流すと、導電体15側が低温
となり、吸熱フィン23部で吸熱が起き、アナログセン
サー部と増幅器141の熱が吸熱され、また、正電極1
7、負電極19側は高熱となり、シールド導電層120
aおよび放熱フィン25で発熱が起き、前記吸熱された
熱が放熱されてシールドボックス120内が冷却され
る。
In the electromagnetic wave shield box structure 10A of the first embodiment, when a direct current is applied from the positive electrode 17 to the negative electrode 19 of the semiconductor heat pump, the temperature of the conductor 15 becomes low, heat is absorbed in the heat absorbing fins 23, and the analog sensor And the amplifier 141 absorbs heat, and the positive electrode 1
7. The negative electrode 19 side becomes hot, and the shield conductive layer 120
Heat is generated in the heat radiation fins 25 and the radiation fins 25, and the absorbed heat is radiated to cool the inside of the shield box 120.

【0025】このように、第1実施形態の電磁波シール
ドボックス構造10Aでは、シールド導電層120aを
半導体ヒートポンプの導電層として用いるように半導体
ヒートポンプを設けるようにしたので、シールドボック
ス120に放熱用の開口部を設ける必要が無く、シール
ドボックス120内の熱をシールド効果を低減させるこ
と無く放熱することができ、電磁波シールドボックス構
造10A内の温度上昇の低減と温度の安定化が可能とな
る。また、従来のシールドボックス120に半導体ヒー
トポンプを設けるのみで安価に本実施形態の電磁波シー
ルドボックス構造10Aを実現することができる。
As described above, in the electromagnetic wave shield box structure 10A of the first embodiment, the semiconductor heat pump is provided so that the shield conductive layer 120a is used as the conductive layer of the semiconductor heat pump. There is no need to provide any part, and the heat in the shield box 120 can be radiated without reducing the shielding effect, and the temperature rise in the electromagnetic wave shield box structure 10A can be reduced and the temperature can be stabilized. Further, the electromagnetic shield box structure 10A of the present embodiment can be realized at low cost only by providing the semiconductor heat pump in the conventional shield box 120.

【0026】尚、第1実施形態の電磁波シールドボック
ス構造10Aには、放熱フィン25が設けられている
が、シールド導電層120aのみで十分に放熱できるよ
うな場合は放熱フィン25は設けなくても良い。
Although the electromagnetic wave shielding box structure 10A of the first embodiment is provided with the radiation fins 25, the radiation fins 25 need not be provided when sufficient heat radiation is possible only with the shield conductive layer 120a. good.

【0027】図5は、本発明に係る電磁波シールドボッ
クス構造の第2実施形態を示した断面図である。尚、図
1、図2に示す第1実施形態の電磁波シールドボックス
構造10Aと同一部材には同一の符号を付して詳細な説
明は省略した。
FIG. 5 is a sectional view showing a second embodiment of the electromagnetic wave shielding box structure according to the present invention. The same members as those of the electromagnetic wave shielding box structure 10A of the first embodiment shown in FIGS. 1 and 2 are denoted by the same reference numerals, and detailed description is omitted.

【0028】図5に示すように、第2実施形態の電磁波
シールドボックス構造10Bは、図1、図2に示す第1
実施形態の電磁波シールドボックス構造10Aの吸熱フ
ィン23を無くし、熱源(フォトダイオード131、増
幅器141)を収納する基板145に導電層15を直に
接合させるようにしたものである。また、図1、図2に
示す第1実施形態の電磁波シールドボックス構造10A
の放熱フィン25を第2実施形態の電磁波シールドボッ
クス構造10Bでは無くしている。
As shown in FIG. 5, the electromagnetic wave shielding box structure 10B of the second embodiment is the same as the first embodiment shown in FIGS.
The heat absorbing fins 23 of the electromagnetic wave shield box structure 10A of the embodiment are eliminated, and the conductive layer 15 is directly bonded to the substrate 145 that houses the heat source (the photodiode 131 and the amplifier 141). Also, the electromagnetic wave shield box structure 10A according to the first embodiment shown in FIGS.
The heat radiation fins 25 are omitted in the electromagnetic wave shielding box structure 10B of the second embodiment.

【0029】このように、第2実施形態の電磁波シール
ドボックス構造10Bでは、熱源を収納する基板145
に半導体ヒートポンプの導電層15を直に接合させるよ
うにしているので、第1実施形態の電磁波シールドボッ
クス構造10Aの効果に加えて、構造を簡略化すること
ができ、第1実施形態の電磁波シールドボックス構造1
0Aに比べ、製造コストを下げることができる。
As described above, in the electromagnetic wave shielding box structure 10B of the second embodiment, the substrate 145 for storing the heat source is used.
Since the conductive layer 15 of the semiconductor heat pump is directly joined to the electromagnetic wave shield box structure 10A of the first embodiment, the structure can be simplified, and the electromagnetic wave shield box structure of the first embodiment can be simplified. Box structure 1
The manufacturing cost can be reduced as compared with OA.

【0030】尚、第2実施形態の電磁波シールドボック
ス構造10Bにもシールド導電層120aの半導体ヒー
トポンプの配置と対応する外側の位置に放熱フィンを設
けるようにしても良い。
Note that the electromagnetic wave shielding box structure 10B of the second embodiment may also be provided with radiation fins at positions outside the shield conductive layer 120a corresponding to the arrangement of the semiconductor heat pump.

【0031】図6は、本発明に係る電磁波シールドボッ
クス構造の第3実施形態を示した断面図である。尚、図
1、図2に示す第1実施形態の電磁波シールドボックス
構造10Aと同一部材には同一の符号を付して詳細な説
明は省略した。
FIG. 6 is a sectional view showing a third embodiment of the electromagnetic wave shielding box structure according to the present invention. The same members as those of the electromagnetic wave shielding box structure 10A of the first embodiment shown in FIGS. 1 and 2 are denoted by the same reference numerals, and detailed description is omitted.

【0032】第3実施形態の電磁波シールドボックス構
造10Cでは少なくとも1つのヒートパイプを利用して
電磁波シールドボックス内の熱を電磁波シールドボック
ス外に放熱させるようにしたものである。
In the electromagnetic shield box structure 10C of the third embodiment, heat in the electromagnetic shield box is radiated to the outside of the electromagnetic shield box by using at least one heat pipe.

【0033】ここでヒートパイプを図7に示す。図7に
示すように、ヒートパイプは内部151aを真空にした
アルミニウム、ステンレス鋼、銅等の金属パイプ151
の内側にガラス繊維や網状金属で作成した熱移動部15
3を設け、この熱移動部153内に水、アンモニア等の
熱媒体を入れたものである。
FIG. 7 shows the heat pipe. As shown in FIG. 7, the heat pipe is a metal pipe 151 made of aluminum, stainless steel, copper, or the like in which the inside 151a is evacuated.
Heat transfer part 15 made of glass fiber or mesh metal inside
3 is provided, and a heat medium such as water and ammonia is put in the heat transfer section 153.

【0034】ヒートパイプでは、金属パイプ151の一
端が加熱されると前記熱媒体が蒸発してもう一方の端に
瞬時に熱を運び放熱し、凝縮して液体に戻り、熱移動部
153内を毛細管現象で環流する。この動作の繰り返し
で熱エネルギーの移動が行われる。
In the heat pipe, when one end of the metal pipe 151 is heated, the heat medium evaporates and instantaneously carries heat to the other end and dissipates heat, condenses and returns to a liquid, and flows through the heat transfer section 153. Reflux by capillary action. Heat energy is transferred by repeating this operation.

【0035】また、金属パイプ151の直径を3(mm)
程度にし、小形電子部品に適用できるようにしたヒート
パイプも開発されている。このヒートパイプは、水冷よ
りも大きな効果(低い熱抵抗値)を持ち、ヒートパイプ
1本当たり5(W)程度の熱輸送が可能である。
The diameter of the metal pipe 151 is set to 3 (mm).
Heat pipes have also been developed that can be applied to small electronic components. This heat pipe has a greater effect (lower heat resistance value) than water cooling, and can transport about 5 (W) heat per heat pipe.

【0036】図6に示すように、第3実施形態の電磁波
シールドボックス構造10Cは、シールドボックス12
0にヒートパイプ31を取り出す開口部120h(例え
ばヒートパイプ31に直径3(mm)のものを用いた場合
は直径3(mm)より若干大きい円状の孔)を設け、ヒー
トパイプ31の一方の端部を吸熱部として熱源、例えば
前記光(X線)検出器のアナログセンサー部と増幅器を
収納する基板や冷却板に近接させ、ヒートパイプ31の
他方の端部を放熱部として開口部120hからシールド
ボックス120外に引き出して構成される。尚、ヒート
パイプ31はシールド導電層120aの外側もしくは、
シールボックス120内、例えば基板145に固定され
る。
As shown in FIG. 6, an electromagnetic wave shield box structure 10C according to the third embodiment includes a shield box 12C.
An opening 120h for taking out the heat pipe 31 (for example, a circular hole slightly larger than the diameter 3 (mm) when the heat pipe 31 has a diameter of 3 (mm)) is provided on one side of the heat pipe 31. The end portion is used as a heat absorbing portion, and is brought close to a heat source, for example, a substrate or a cooling plate for housing the analog sensor portion of the light (X-ray) detector and the amplifier. It is configured to be drawn out of the shield box 120. The heat pipe 31 is located outside the shield conductive layer 120a or
It is fixed to the inside of the seal box 120, for example, to the substrate 145.

【0037】このとき、熱をシールド導電層120aに
逃がす場合は、開口部120hとヒートパイプ31との
隙間に半田33を付けて完全に隙間を無くすようにす
る。また、熱をシールド導電層120aに逃がしたくな
い場合は、開口部120hとヒートパイプとの隙間に断
熱材を詰め、ヒートパイプ31からシールド導電層12
0aへの熱伝導を防いでおく。
At this time, when releasing heat to the shield conductive layer 120a, solder 33 is attached to the gap between the opening 120h and the heat pipe 31 so that the gap is completely eliminated. If it is not desired to release heat to the shield conductive layer 120a, a gap between the opening 120h and the heat pipe is filled with a heat insulating material, and the heat pipe 31 is connected to the shield conductive layer 12a.
Heat conduction to Oa is prevented.

【0038】第3実施形態の電磁波シールドボックス構
造10Cにおいて、熱源から熱が発生すると、ヒートパ
イプ31の前記吸熱部側熱媒体が蒸発してシールドボッ
クス120外のヒートパイプ31の前記放熱部側に瞬時
に熱を運び放熱し、凝縮して液体に戻り、前記熱移動部
内を毛細管現象で環流する。この動作の繰り返しでシー
ルドボックス120内の熱を放熱する。
In the electromagnetic shield box structure 10C of the third embodiment, when heat is generated from a heat source, the heat medium on the heat absorbing portion side of the heat pipe 31 evaporates, and the heat medium on the heat radiating portion side of the heat pipe 31 outside the shield box 120. It instantaneously carries and dissipates heat, condenses and returns to liquid, and circulates through the heat transfer section by capillary action. The heat in the shield box 120 is radiated by repeating this operation.

【0039】このように、第3実施形態の電磁波シール
ドボックス構造10Cでは、ヒートパイプ31の一方の
端部を吸熱部として熱源に近接させ、ヒートパイプ31
の他方の端部を放熱部として開口部120hからシール
ドボックス120外に引き出しているので、シールドボ
ックス120内の熱をシールド効果を低減させること無
く放熱することができ、電磁波シールドボックス構造1
0C内の温度上昇の低減と温度の安定化が可能となる。
また、従来のシールドボックス120にヒートパイプ3
1を設けるのみで安価に本実施形態の電磁波シールドボ
ックス構造10Bを実現することができる。
As described above, in the electromagnetic wave shield box structure 10C of the third embodiment, one end of the heat pipe 31 is made to approach the heat source as a heat absorbing portion, and the heat pipe 31
Is drawn out of the shield box 120 from the opening 120h as a heat radiating part, the heat in the shield box 120 can be radiated without reducing the shielding effect, and the electromagnetic wave shield box structure 1
This makes it possible to reduce the temperature rise within 0C and stabilize the temperature.
In addition, the heat pipe 3
The electromagnetic wave shield box structure 10B of the present embodiment can be realized at low cost only by providing 1.

【0040】図8は、本発明に係る電磁波シールドボッ
クス構造の第4実施形態を示した断面図である。尚、図
6に示す第3実施形態の電磁波シールドボックス構造1
0Cと同一部材には同一の符号を付して詳細な説明は省
略した。
FIG. 8 is a sectional view showing a fourth embodiment of the electromagnetic wave shielding box structure according to the present invention. The electromagnetic wave shielding box structure 1 of the third embodiment shown in FIG.
The same reference numerals are given to the same members as 0C, and the detailed description is omitted.

【0041】図8に示すように、第4実施形態の電磁波
シールドボックス構造10Dは、図6に示す第3実施形
態の電磁波シールドボックス構造10Cのシールドボッ
クス120外のヒートパイプ31を放熱フィン35内に
挿入し、放熱効果を上げたものである。尚、放熱フィン
35はシールド導電層120aの外側に固定される。
As shown in FIG. 8, the electromagnetic wave shielding box structure 10D of the fourth embodiment includes a heat pipe 31 outside the shield box 120 of the electromagnetic wave shielding box structure 10C of the third embodiment shown in FIG. To improve the heat dissipation effect. Note that the radiation fins 35 are fixed outside the shield conductive layer 120a.

【0042】このように、第4実施形態の電磁波シール
ドボックス構造10Dでは、シールドボックス120外
のヒートパイプ31を放熱フィン35内に挿入している
ので、第3実施形態の効果に加えてさらに放熱効果を上
げることが可能となる。
As described above, in the electromagnetic shield box structure 10D of the fourth embodiment, the heat pipe 31 outside the shield box 120 is inserted into the radiating fin 35, so that in addition to the effect of the third embodiment, heat is further radiated. The effect can be improved.

【0043】[0043]

【発明の効果】以上説明したように請求項1記載の発明
によれば、ヒートポンプを電磁波シールドボックスに備
えるので、シールド効果を低減させること無く、シール
ドボックス構造内の温度上昇の低減と温度の安定化が可
能となる。また、請求項2記載の発明によれば、ヒート
パイプを電磁波シールドボックスに備えるので、シール
ド効果を低減させること無く、シールドボックス構造内
の温度上昇の低減と温度の安定化が可能となる。
As described above, according to the first aspect of the present invention, since the electromagnetic wave shielding box is provided with the heat pump, the temperature rise in the shield box structure can be reduced and the temperature can be stabilized without reducing the shielding effect. Is possible. According to the second aspect of the present invention, since the heat pipe is provided in the electromagnetic wave shielding box, it is possible to reduce the temperature rise in the shield box structure and stabilize the temperature without reducing the shielding effect.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明に係る第1実施形態の構成を示す断面図
である。
FIG. 1 is a cross-sectional view showing a configuration of a first embodiment according to the present invention.

【図2】本発明に係る第1実施形態の構成を示す斜視図
である。
FIG. 2 is a perspective view showing a configuration of a first embodiment according to the present invention.

【図3】半導体ヒートポンプを示す断面図である。FIG. 3 is a sectional view showing a semiconductor heat pump.

【図4】熱源である光(X線)検出器を示す図である。FIG. 4 is a diagram showing a light (X-ray) detector as a heat source.

【図5】本発明に係る電磁波シールドボックス構造の第
2実施形態を示した断面図である。
FIG. 5 is a sectional view showing a second embodiment of the electromagnetic wave shielding box structure according to the present invention.

【図6】本発明に係る電磁波シールドボックス構造の第
3実施形態を示した断面図である。
FIG. 6 is a sectional view showing a third embodiment of the electromagnetic wave shielding box structure according to the present invention.

【図7】ヒートパイプを示す断面図である。FIG. 7 is a sectional view showing a heat pipe.

【図8】本発明に係る電磁波シールドボックス構造の第
4実施形態を示した断面図である。
FIG. 8 is a cross-sectional view illustrating a fourth embodiment of the electromagnetic wave shielding box structure according to the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10A,10B,10C,10D 電磁波シールドボッ
クス構造 11 n型半導体 13 p型半導体 15 導電層 17 正電極 19 負電極 21 絶縁膜 23 吸熱フィン 25 放熱フィン 31 ヒートパイプ 33 半田 120a シールド導電層
10A, 10B, 10C, 10D Electromagnetic wave shield box structure 11 n-type semiconductor 13 p-type semiconductor 15 conductive layer 17 positive electrode 19 negative electrode 21 insulating film 23 heat absorbing fin 25 heat radiating fin 31 heat pipe 33 solder 120a shield conductive layer

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 電磁波をシールドする電磁波シールド材
料で囲まれた電磁波シールドボックス構造において、 ヒートポンプを備えることを特徴とする電磁波シールド
ボックス構造。
1. An electromagnetic wave shielding box structure surrounded by an electromagnetic wave shielding material for shielding an electromagnetic wave, comprising: a heat pump.
【請求項2】 電磁波をシールドする電磁波シールド材
料で囲まれた電磁波シールドボックス構造において、 ヒートパイプを備えることを特徴とする電磁波シールド
ボックス構造。
2. An electromagnetic wave shielding box structure surrounded by an electromagnetic wave shielding material for shielding an electromagnetic wave, comprising a heat pipe.
【請求項3】 前記ヒートポンプは、n型半導体とp型
半導体とを非接触で配置し、このn型半導体とp型半導
体の一方の面に接合され、n型半導体とp型半導体とを
導通させる導電体と、n型半導体の他方の面に接合され
る正電極と、p型半導体の他方の面に接合される負電極
と、この正電極と負電極と接合する絶縁層と、この絶縁
層と接合される導電層とから成り、前記電磁波シールド
ボックス構造を構成する前記シールド材料を前記ヒート
ポンプの導電層とすることを特徴とする請求項1記載の
電磁波シールドボックス構造。
3. The heat pump disposes an n-type semiconductor and a p-type semiconductor in a non-contact manner, is joined to one surface of the n-type semiconductor and the p-type semiconductor, and electrically connects the n-type semiconductor and the p-type semiconductor. A conductor to be bonded, a positive electrode bonded to the other surface of the n-type semiconductor, a negative electrode bonded to the other surface of the p-type semiconductor, an insulating layer bonded to the positive and negative electrodes, 2. The electromagnetic wave shielding box structure according to claim 1, wherein the shielding material constituting the electromagnetic wave shielding box structure is a conductive layer of the heat pump.
【請求項4】 前記ヒートパイプは、吸熱部と放熱部と
を有し、この吸熱部を前記電磁波シールドボックス内に
配置し、前記放熱部を前記電磁波シールドボックス外に
配置することを特徴とする請求項2記載の電磁波シール
ドボックス構造。
4. The heat pipe has a heat absorbing portion and a heat radiating portion, wherein the heat absorbing portion is arranged inside the electromagnetic wave shielding box, and the heat radiating portion is arranged outside the electromagnetic wave shielding box. The electromagnetic wave shield box structure according to claim 2.
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