JPH1010556A

JPH1010556A - 液晶表示装置

Info

Publication number: JPH1010556A
Application number: JP16595496A
Authority: JP
Inventors: Shigeru Yanai; 滋谷内
Original assignee: Advanced Display Inc
Current assignee: Advanced Display Inc
Priority date: 1996-06-26
Filing date: 1996-06-26
Publication date: 1998-01-16

Abstract

(57)【要約】【課題】消費電力が低く、かつ、表示輝度の高い液晶
表示装置を提供する。【解決手段】互いに平行に対向しかつ液晶分子１１を
挟持してなる２枚の透明絶縁性基板と、一方の透明絶縁
性基板１０上に形成されるゲート信号線１と、絶縁膜９
を介してゲート信号線に直交するソース信号線２と、ゲ
ート信号が入力されるＴＦＴ４に接続される第１の画素
電極５と、ゲート信号線に対して平行に形成されるコモ
ン信号線３に接続される第２の画素電極６とからなり、
ゲート信号が入力されることによりＴＦＴのスイッチン
グが制御され、第１の画素電極と第２の画素電極とのあ
いだにおいて、透明絶縁性基板の表面に水平な方向に発
生する電界が制御されて、液晶分子が駆動される液晶表
示装置であって、第１の画素電極および第２の画素電極
のうち少なくとも一方が透明性導電膜で形成され、とき
にはＴＦＴがゲート信号線上に形成される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、携帯テレビ、壁掛
けテレビ、または携帯用ＯＡ機器に搭載される液晶表示
装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来の液晶表示装置は、通常、互いに平
行に対向する２枚の透明絶縁性基板（以下、単に「基
板」ともいう）のあいだに液晶分子が挟持され、該液晶
分子に選択的に電圧が印加されるように構成されてな
る。前記２枚の基板にはそれぞれ電極が形成されてお
り、たとえば２枚の基板のうち、少なくとも一方の基板
に形成された電極はマトリクス状に配列された画素電極
である。該画素電極に選択的に電圧が印加されることに
より、前記液晶分子に選択的に電圧が印加される。な
お、前記画素電極は液晶表示装置の各画素ごとに設けら
れている。前記画素電極には、画素電極ごとに選択的に
電圧が印加されるように、トランジスタなどのスイッチ
ング素子が設けられており、該スイッチング素子を介し
て画素電極に印加された電圧により、ある１つの画素内
の液晶分子全体として軸の向き、すなわち液晶分子の配
向が制御され、各画素ごとに光の透過率が制御される。

【０００３】従来の液晶表示装置においては、２枚の基
板にそれぞれ形成された電極間に電圧が印加されること
により、基板に対して垂直な方向に発生する電界によっ
て液晶分子の配向が制御されるような表示モードが主に
利用される。該表示モードの例としては、ツイストネテ
ィック（ＴＮ）モードがあげられる。しかし、かかる表
示モードにより液晶分子の配向を制御したばあい、各画
素間のコントラスト比が一定値以上確保できる視野角が
狭いので、多階調で表示を行ったばあいに階調反転が起
きることがあり問題となっている。

【０００４】かかる問題を解決するために、基板に対し
て水平な方向に発生する電界によって液晶分子の配向が
制御されるような表示モードが提案されている。該表示
モードは、アール．キーフェルら（Ｒ．Ｋｉｅｆｅｒ
ｅｔａｌ．）著「ネマティック液晶の平面内スイッチ
ング（Ｉｎ−ＰｌａｎｅＳｗｉｔｃｈｉｎｇｏｆＮ
ｅｍａｔｉｃＬｉｑｕｉｄＣｒｙｓｔａｌｓ）ジ
ャパンディスプレイ９２（ＪＡＰＡＮＤＩＳＰＬ
ＡＹ９２）広島」Ｐ．５４７−５５０において提案さ
れている。本明細書においては、かかる表示モードをＩ
ＰＳモードと称する。

【０００５】つぎに、前記ＩＰＳモードを利用して液晶
分子の配向を制御している従来の液晶表示装置として、
特開平７−１２８６８３号公報に記載されている液晶表
示装置について図面を参照しつつ説明する。

【０００６】図８は従来の液晶表示装置の一例を示す説
明図である。図８（ａ）は、液晶表示装置の表示領域に
マトリクス状に形成された複数の画素のうち、ある１つ
の画素を示す平面説明図である。図８（ｂ）は、図８
（ａ）のＥ−Ｅ線断面を示す断面説明図である。図８
（ｃ）は、図８（ａ）の電気的等価回路を示す説明図で
ある。図８（ａ）には、互いに平行に対向する２枚の透
明絶縁性基板のうち、一方の透明絶縁性基板の表面の、
他方の透明絶縁性基板に対向する側の表面付近が示され
ている。図８において、１０は透明絶縁性基板、１は透
明絶縁性基板１０上に設けられたゲート信号線、９は透
明絶縁性基板１０およびゲート信号線１上に形成される
絶縁膜、２は絶縁膜９を介してゲート信号線１に直交す
るように形成されたソース信号線、３はゲート信号線１
に対して平行に形成されるコモン信号線、１４はゲート
信号線１を経て伝送されるゲート信号が入力される薄膜
トランジスタ（thin film transistor、以下、単に「Ｔ
ＦＴ」という）、１５はＴＦＴ１４に接続される第１の
画素電極、１６は絶縁膜９に形成されたコンタクトホー
ル８を介してコモン信号線３に接続される第２の画素電
極を示す。図８（ａ）において、絶縁膜９および透明絶
縁性基板１０は図示されていない。

【０００７】前記第１の画素電極１５は絶縁膜９上に形
成され、かつ、保持容量形成部７においてコモン信号線
３とのあいだに保持容量を形成する。また、前記第１の
画素電極１５および前記第２の画素電極１６は、チタン
またはアルミニウムからなる金属膜で形成される。前記
ＴＦＴ１４は、ゲート電極と、該ゲート電極上に形成さ
れるゲート絶縁膜と、該ゲート絶縁膜上に形成される半
導体の層と、該半導体の層上に形成され、かつ、前記ゲ
ート電極上部の一部分にそれぞれ形成されるソース電極
およびドレイン電極とからなる。前記ゲート電極はゲー
ト信号線１に接続され、前記ソース電極はソース信号線
２に接続され、前記ドレイン電極は第１の画素電極１５
に接続される。

【０００８】また、ゲート信号線１を経て伝送されるゲ
ート信号によりＴＦＴ１４のスイッチングが制御され、
ソース信号線２を経て伝送されるソース信号が前記ＴＦ
Ｔ１４を介して前記第１の画素電極１５に印加されて該
第１の画素電極１５の電位が制御される。前記ゲート信
号によりＴＦＴ１４のスイッチングが制御されることに
より、各画素ごとに形成される第１の画素電極のうち所
望の第１の画素電極のみに選択的にソース信号が印加さ
れ、所望の第１の画素電極のみに選択的に所望の大きさ
の電圧が印加される。なお、前記ソース信号は、液晶表
示装置の表示領域に所望の映像を表示するために必要な
所望の大きさの電圧値を有する。

【０００９】図８（ｃ）において、１１は液晶分子を示
し、液晶分子１１の配向は、第１の画素電極１５および
第２の画素電極１６間に発生する電界の大きさおよび極
性によって制御される。すなわち該電界の大きさおよび
極性によってどの程度の光が画素を透過するかが制御さ
れる。また、１２は第１の画素電極１５とコモン信号線
３とのあいだに形成される保持容量を示す。

【００１０】従来の液晶表示装置は前述のような構造と
なっているため、ゲート信号線１を経て伝送されるゲー
ト信号を所望の第１の画素電極に印加することができ、
該第１の画素電極と第２の画素電極とのあいだにおい
て、透明絶縁性基板に対して水平な方向に発生する電界
により、各画素ごとに液晶分子の配向を選択的に制御す
ることができ、液晶表示装置の表示領域に所望の映像を
表示することができる。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】液晶表示装置におい
て、２枚の透明絶縁性基板、該２枚の透明絶縁性基板に
挟持される液晶分子、および前記２枚の透明絶縁性基板
の表面上に形成される信号線やＴＦＴなどからなるパネ
ル自体は非発光素子であるので、通常、２枚の透明絶縁
性基板のうち一方の透明絶縁性基板の背面にバックライ
トを配置して、該バックライトからパネルに光を照射
し、前記パネルの表示領域に所望の映像を表示させてい
る。前記液晶表示装置の重要な表示性能の１つとして表
示輝度、すなわち液晶表示装置の表示領域の明るさがあ
る。最近では液晶表示装置の低消費電力化が要求されて
おり、そのためバックライトの輝度は限られている。し
たがって、液晶表示装置の表示輝度を高くするために
は、パネルの一方の面から照射された光のうちパネルを
透過する光をより多くすること、すなわちパネルの透過
率を向上させることが必要とされる。前記パネルの光の
透過率はパネルの表示領域の各画素の開口率と直接関係
している。なお、前記開口率とは、画素単位面積に対す
る有効光透過領域の割合を示す。

【００１２】従来の液晶表示装置では、第１の画素電極
と第２の画素電極がチタンまたはアルミニウムからなる
金属膜で形成されている。したがって、液晶表示装置の
表示輝度に関連する表示領域の各画素の開口率は、第１
の画素電極および第２の画素電極の幅に大きく依存す
る。理想的には、第１の画素電極および第２の画素電極
の幅が限りなく細いことが望ましいが、第１の画素電極
および第２の画素電極に断線が生じないためには、１０
μｍ程度の幅が限界とされる。また、ＴＦＴも表示領域
の各画素の開口率を低下させる原因となるため、ＴＦＴ
が画素の表面積の一部を占有していることも液晶表示装
置の表示輝度を低下させる原因となっている。

【００１３】たとえばパソコン用の液晶表示装置の表示
領域は、縦が３００μｍ、横が１００μｍ程度であり、
ここで、第１の画素電極および第２の画素電極を１０μ
ｍ程度とすると、表示領域の各画素の開口率は２５％程
度となる。なお、そのうちＴＦＴによる開口率の低下は
５％程度である。一方、ＴＮモードにより制御される従
来の液晶表示装置は、表示領域の開口率は５０％以上の
ものが製品化されている。

【００１４】したがって、ＩＰＳモードにより制御され
る液晶表示装置においては、表示領域の各画素の開口率
を上げることにより、液晶表示装置の表示輝度を高くす
ることが課題とされる。

【００１５】

【課題を解決するための手段】本発明の液晶表示装置
は、互いに平行に対向する２枚の透明絶縁性基板と、一
方の透明絶縁性基板上に形成されるゲート信号線と、該
ゲート信号線上に成膜される絶縁膜と、該絶縁膜を介し
てゲート信号線に直交するソース信号線と、前記ゲート
信号線に対して平行に形成されるコモン信号線と、前記
ゲート信号線を経て伝送されるゲート信号が入力される
薄膜トランジスタと、該薄膜トランジスタに接続される
第１の画素電極と、前記コモン信号線に接続される第２
の画素電極と、前記２枚の透明絶縁性基板のあいだに挟
持される液晶分子とからなり、前記ゲート信号が入力さ
れることにより前記薄膜トランジスタのスイッチングが
制御され、前記ソース信号線を経て伝送されるソース信
号が前記薄膜トランジスタを介して前記第１の画素電極
に印加されて該第１の画素電極の電位が制御され、か
つ、前記コモン信号線を経て伝送されるコモン信号が前
記第２の画素電極に印加されることにより、前記第１の
画素電極と前記第２の画素電極とのあいだで前記透明絶
縁性基板の表面に水平な方向に発生する電界が制御され
て、前記液晶分子が駆動される液晶表示装置であって、
前記ゲート信号線上に前記薄膜トランジスタが形成され
てなることを特徴とする。

【００１６】本発明の液晶表示装置は、互いに平行に対
向する２枚の透明絶縁性基板と、一方の透明絶縁性基板
上に形成されるゲート信号線と、該ゲート信号線上に成
膜される絶縁膜と、該絶縁膜を介してゲート信号線に直
交するソース信号線と、前記ゲート信号線に対して平行
に形成されるコモン信号線と、前記ゲート信号線を経て
伝送されるゲート信号が入力される薄膜トランジスタ
と、該薄膜トランジスタに接続される第１の画素電極
と、前記コモン信号線に接続される第２の画素電極と、
前記２枚の透明絶縁性基板のあいだに挟持される液晶分
子とからなり、前記ゲート信号が入力されることにより
前記薄膜トランジスタのスイッチングが制御され、前記
ソース信号線を経て伝送されるソース信号が前記薄膜ト
ランジスタを介して前記第１の画素電極に印加されて該
第１の画素電極の電位が制御され、かつ、前記コモン信
号線を経て伝送されるコモン信号が前記第２の画素電極
に印加されることにより、前記第１の画素電極と前記第
２の画素電極とのあいだで前記透明絶縁性基板の表面に
水平な方向に発生する電界が制御されて、前記液晶分子
が駆動される液晶表示装置であって、前記第１の画素電
極が透明性導電膜からなることを特徴とする。

【００１７】前記ゲート信号線上に前記薄膜トランジス
タが形成されてなることが、より開口率を上げることが
できるため好ましい。

【００１８】本発明の液晶表示装置は、互いに平行に対
向する２枚の透明絶縁性基板と、一方の透明絶縁性基板
上に形成されるゲート信号線と、該ゲート信号線上に成
膜される絶縁膜と、該絶縁膜を介してゲート信号線に直
交するソース信号線と、前記ゲート信号線に対して平行
に形成されるコモン信号線と、前記ゲート信号線を経て
伝送されるゲート信号が入力される薄膜トランジスタ
と、該薄膜トランジスタに接続される第１の画素電極
と、前記コモン信号線に接続される第２の画素電極と、
前記２枚の透明絶縁性基板のあいだに挟持される液晶分
子とからなり、前記ゲート信号が入力されることにより
前記薄膜トランジスタのスイッチングが制御され、前記
ソース信号線を経て伝送されるソース信号が前記薄膜ト
ランジスタを介して前記第１の画素電極に印加されて該
第１の画素電極の電位が制御され、かつ、前記コモン信
号線を経て伝送されるコモン信号が前記第２の画素電極
に印加されることにより、前記第１の画素電極と前記第
２の画素電極とのあいだで前記透明絶縁性基板の表面に
水平な方向に発生する電界が制御されて、前記液晶分子
が駆動される液晶表示装置であって、前記第２の画素電
極が透明性導電膜からなることを特徴とする。

【００１９】前記ゲート信号線上に前記薄膜トランジス
タが形成されてなることが、より開口率を上げることが
できるため好ましい。

【００２０】本発明の液晶表示装置は、互いに平行に対
向する２枚の透明絶縁性基板と、一方の透明絶縁性基板
上に形成されるゲート信号線と、該ゲート信号線上に成
膜される絶縁膜と、該絶縁膜を介してゲート信号線に直
交するソース信号線と、前記ゲート信号線に対して平行
に形成されるコモン信号線と、前記ゲート信号線を経て
伝送されるゲート信号が入力される薄膜トランジスタ
と、該薄膜トランジスタに接続される第１の画素電極
と、前記コモン信号線に接続される第２の画素電極と、
前記２枚の透明絶縁性基板のあいだに挟持される液晶分
子とからなり、前記ゲート信号が入力されることにより
前記薄膜トランジスタのスイッチングが制御され、前記
ソース信号線を経て伝送されるソース信号が前記薄膜ト
ランジスタを介して前記第１の画素電極に印加されて該
第１の画素電極の電位が制御され、かつ、前記コモン信
号線を経て伝送されるコモン信号が前記第２の画素電極
に印加されることにより、前記第１の画素電極と前記第
２の画素電極とのあいだで前記透明絶縁性基板の表面に
水平な方向に発生する電界が制御されて、前記液晶分子
が駆動される液晶表示装置であって、前記第１の画素電
極および前記第２の画素電極が透明性導電膜からなるこ
とを特徴とする。

【００２１】前記ゲート信号線上に前記薄膜トランジス
タが形成されてなることが、より開口率を上げることが
できるため好ましい。

【００２２】

【発明の実施の形態】つぎに、図面を参照しながら本発
明の液晶表示装置について説明する。

【００２３】実施の形態１図１は本発明の液晶表示装置の一実施の形態を示す説明
図である。図１（ａ）は、液晶表示装置の表示領域にマ
トリクス状に形成された複数の画素のうち、ある１つの
画素を示す平面説明図である。図１（ｂ）は、図１
（ａ）のＡ−Ａ線断面を示す断面説明図である。図１
（ｃ）は、図１（ａ）の電気的等価回路を示す説明図で
ある。図１において、１はゲート信号線、２はソース信
号線、３はコモン信号線、４はＴＦＴ、９は絶縁膜、１
０は透明絶縁性基板、１５は第１の画素電極、１６は第
２の画素電極を示す。図１（ａ）において、絶縁膜９お
よび透明絶縁性基板１０は図示されていない。図１
（ｃ）において、１１は液晶分子を示し、また、１２は
第１の画素電極１５とコモン信号線３とのあいだに形成
される保持容量を示す。

【００２４】本発明の液晶表示装置は、互いに平行に対
向する２枚の透明絶縁性基板と、一方の透明絶縁性基板
１０上に形成されるゲート信号線１と、該ゲート信号線
１上に成膜される絶縁膜９と、該絶縁膜９を介してゲー
ト信号線１に直交するソース信号線２と、前記ゲート信
号線１に対して平行に形成されるコモン信号線３と、前
記ゲート信号線１を経て伝送されるゲート信号が入力さ
れるＴＦＴ４と、該ＴＦＴに接続される第１の画素電極
１５と、前記コモン信号線３に接続される第２の画素電
極１６と、前記２枚の透明絶縁性基板のあいだに挟持さ
れる液晶分子（図示せず）とからなる。なお、図１
（ａ）には、前記互いに平行に対向する２枚の透明絶縁
性基板のうち、一方の透明絶縁性基板１０の表面の、他
方の透明絶縁性基板に対向する側の表面付近が示されて
いる。

【００２５】前記ゲート信号が入力されることにより前
記ＴＦＴ４のスイッチングが制御され、前記ソース信号
線１を経て伝送されるソース信号が前記ＴＦＴ４を介し
て前記第１の画素電極１５に印加されて該第１の画素電
極１５の電位が制御され、かつ、前記コモン信号線３を
経て伝送されるコモン信号が前記第２の画素電極１６に
印加されることにより、前記第１の画素電極１５と前記
第２の画素電極１６とのあいだにおいて、前記透明絶縁
性基板の表面に水平な方向に電界が発生し、液晶分子の
配向が制御される。すなわち、前記電界により液晶分子
が駆動される。前記コモン信号線３はゲート信号線１と
同様に透明絶縁性基板１０上に形成される。

【００２６】本実施の形態において、前記ＴＦＴ４はゲ
ート信号線１上に形成される（図１（ａ）参照）。した
がって、従来の液晶表示装置の画素においてＴＦＴが形
成されていた部分に、第１の画素電極１５および第２の
画素電極１６を形成することができ、本発明の液晶表示
装置の表示領域の各画素の開口率は３０％程度となる。

【００２７】実施の形態２つぎに、本発明の液晶表示装置の他の実施の形態につい
て説明する。

【００２８】図２は本発明の液晶表示装置の他の実施の
形態を示す説明図である。図２（ａ）は、液晶表示装置
の表示領域にマトリクス状に形成された複数の画素のう
ち、ある１つの画素を示す平面説明図である。図２
（ｂ）は、図２（ａ）のＡ−Ａ線断面を示す断面説明図
である。図２（ｃ）は、図２（ａ）の電気的等価回路を
示す説明図である。図２において、従来の液晶表示装置
を示す図８に示した部分と同じ部分には同一の符号が用
いられる。

【００２９】従来の液晶表示装置と本実施の形態の液晶
表示装置とのあいだで異なっている点は、第１の画素電
極５が透明性導電膜で形成されることである。前記第１
の画素電極５は、たとえば酸化スズの膜または酸化イン
ジウム（ＩＴＯ）の膜などからなり、パターニング性が
容易であり、光透過率が高く、かつ、導電率が高いとい
う点でスパッタ法で形成された厚さ１０００Å程度、幅
１０μｍ程度のＩＴＯの膜からなることが最も好まし
い。第１の画素電極５が透明性導電膜で形成されること
により、画素のうち第１の画素電極５が形成される部分
にもバックライトから照射された光を透過させうる。そ
の結果、液晶表示装置の表示領域の各画素の開口率は４
０％程度となる。

【００３０】また、図２に示される液晶表示装置のＴＦ
Ｔを実施の形態１と同様にゲート信号線１上に形成して
もよい。かかる構造を有する液晶表示装置を図３に示
す。図３（ａ）は、液晶表示装置の表示領域にマトリク
ス状に形成された複数の画素のうち、ある１つの画素を
示す平面説明図である。図３（ｂ）は、図３（ａ）のＢ
−Ｂ線断面を示す断面説明図である。図３（ｃ）は、図
３（ａ）の電気的等価回路を示す説明図である。図３に
おいて、図２に示した部分と同じ部分には同一の符号が
用いられている。

【００３１】図３に示される液晶表示装置は、第１の画
素電極５が透明性導電膜で形成され、かつ、ＴＦＴ４が
ゲート信号線１上に形成されるため、図２に示される液
晶表示装置よりもさらに表示領域の各画素の開口率が上
がる。図３に示される液晶表示装置の表示領域の各画素
の開口率は４５％程度となる。

【００３２】実施の形態３つぎに、本発明の液晶表示装置の他の実施の形態につい
て説明する。

【００３３】図４は本発明の液晶表示装置の他の実施の
形態を示す説明図である。図４（ａ）は、液晶表示装置
の表示領域にマトリクス状に形成された複数の画素のう
ち、ある１つの画素を示す平面説明図である。図４
（ｂ）は、図４（ａ）のＣ−Ｃ線断面を示す断面説明図
である。図４（ｃ）は、図４（ａ）の電気的等価回路を
示す説明図である。図４において、従来の液晶表示装置
を示す図８に示した部分と同じ部分には同一の符号が用
いられる。

【００３４】従来の液晶表示装置と本実施の形態の液晶
表示装置とのあいだで異なっている点は、第２の画素電
極６が透明性導電膜で形成されることである。第２の画
素電極６は、たとえば酸化スズの膜またはＩＴＯの膜な
どからなり、パターニング性が容易であり、光透過率が
高く、かつ、導電率が高いという点でスパッタ法で形成
された厚さ１０００Å程度、幅１０μｍ程度のＩＴＯの
膜からなることが最も好ましい。第２の画素電極６が透
明性導電膜で形成されることにより、画素のうち第２の
画素電極６が形成される部分にもバックライトから照射
された光を透過させうる。その結果、液晶表示装置の表
示領域の各画素の開口率は３５％程度となる。

【００３５】また、図４に示される液晶表示装置のＴＦ
Ｔを実施の形態１と同様にゲート信号線１上に形成して
もよい。かかる構造を有する液晶表示装置を図５に示
す。図５（ａ）は、液晶表示装置の表示領域にマトリク
ス状に形成された複数の画素のうち、ある１つの画素を
示す平面説明図である。図５（ｂ）は、図５（ａ）のＣ
−Ｃ線断面を示す断面説明図である。図５（ｃ）は、図
５（ａ）の電気的等価回路を示す説明図である。図５に
おいて、図４に示した部分と同じ部分には同一の符号が
用いられている。

【００３６】図５に示される液晶表示装置は、第２の画
素電極６が透明性導電膜で形成され、かつ、ＴＦＴ４が
ゲート信号線１上に形成されるため、図４に示される液
晶表示装置よりもさらに表示領域の各画素の開口率が上
がる。図５に示される液晶表示装置の表示領域の各画素
の開口率は４０％程度となる。

【００３７】実施の形態４つぎに、本発明の液晶表示装置の他の実施の形態につい
て説明する。

【００３８】図６は本発明の液晶表示装置の他の実施の
形態を示す説明図である。図６（ａ）は、液晶表示装置
の表示領域にマトリクス状に形成された複数の画素のう
ち、ある１つの画素を示す平面説明図である。図６
（ｂ）は、図６（ａ）のＤ−Ｄ線断面を示す断面説明図
である。図６（ｃ）は、図６（ａ）の電気的等価回路を
示す説明図である。図６において、従来の液晶表示装置
を示す図８に示した部分と同じ部分には同一の符号が用
いられる。

【００３９】従来の液晶表示装置と本実施の形態の液晶
表示装置とのあいだで異なっている点は、第１の画素電
極５および第２の画素電極６が透明性導電膜で形成され
ることである。前記第１の画素電極５および第２の画素
電極６は、たとえば酸化スズの膜またはＩＴＯの膜など
からなり、パターニング性が容易であり、光透過率が高
く、かつ、導電率が高いという点でスパッタ法で形成さ
れた厚さ１０００Å程度、幅１０μｍ程度のＩＴＯの膜
からなることが最も好ましい。第１の画素電極５および
第２の画素電極６が透明性導電膜で形成されることによ
り、画素のうち第１の画素電極５および第２の画素電極
６が形成される部分にもバックライトから照射された光
を透過させうる。その結果、液晶表示装置の表示領域の
各画素の開口率は５０％程度となる。

【００４０】また、図６に示される液晶表示装置のＴＦ
Ｔを実施の形態１と同様にゲート信号線１上に形成して
もよい。かかる構造を有する液晶表示装置を図７に示
す。図７（ａ）は、液晶表示装置の表示領域にマトリク
ス状に形成された複数の画素のうち、ある１つの画素を
示す平面説明図である。図７（ｂ）は、図７（ａ）のＤ
−Ｄ線断面を示す断面説明図である。図７（ｃ）は、図
７（ａ）の電気的等価回路を示す説明図である。図７に
おいて、図６に示した部分と同じ部分には同一の符号が
用いられている。

【００４１】図７に示される液晶表示装置は、第１の画
素電極５および第２の画素電極６が透明性導電膜で形成
され、かつ、ＴＦＴ４がゲート信号線１上に形成される
ため、図６に示される液晶表示装置よりもさらに表示領
域の各画素の開口率が上がる。図７に示される液晶表示
装置の表示領域の各画素の開口率は５５％程度となる。

【００４２】前述の実施の形態１〜４において、透明絶
縁性基板は、石英基板またはガラス基板からなることが
好ましく、コストが低い点で厚さ１ｍｍ程度のガラス基
板からなることが最も好ましく、ゲート信号線は、たと
えばクロム（Ｃｒ）の膜、アルミニウム（Ａｌ）の膜ま
たはタンタル（Ｔａ）の膜などの材質からなり、平坦度
が良い点で厚さ３０００Å程度、幅２０μｍ程度の膜か
らなることが最も好ましく、絶縁膜は、窒化シリコン
（ＳｉＮ）の膜または酸化シリコン（ＳｉＯ₂）の膜か
らなることが好ましく、誘電率が高い点でプラズマＣＶ
Ｄ法で形成された厚さ３０００Å程度のＳｉＮの膜から
なることが最も好ましく、ソース信号線は、ＩＴＯの
膜、Ｃｒの膜またはＡｌの膜からなることが好ましく、
導電率が高い点でスパッタ法で形成された厚さ４０００
Å程度、幅１０μｍ程度のＡｌの膜からなることが最も
好ましく、コモン信号線は、たとえばＣｒの膜、Ａｌの
膜またはＴａの膜などの材質からなり、平坦度が良い点
で厚さ３０００Å程度、幅２０μｍ程度の膜からなるこ
とが最も好ましく、ＴＦＴは、エッチストッパ型ＴＦＴ
またはチャネルエッチ型ＴＦＴであることが好ましく、
製造工程数の低減という点でチャネルエッチ型ＴＦＴで
あることが最も好ましい。

【００４３】

【発明の効果】本発明の液晶表示装置は、前述のように
構成されてなるので、つぎに示すような効果を奏する。

【００４４】本発明の液晶表示装置は、ゲート信号線上
に薄膜トランジスタが形成されてなるため、各画素にお
いて光を透過しうる部分の表面積を大きくすることがで
き、高い表示輝度を有する液晶表示装置をうることがで
きる。

【００４５】本発明の液晶表示装置は、第１の画素電極
が透明性導電膜からなるため、各画素において第１の画
素電極が形成される部分にも光を透過させることがで
き、高い表示輝度を有する液晶表示装置をうることがで
きる。

【００４６】また、第１の画素電極が透明性導電膜から
なり、かつ、ゲート信号線上に薄膜トランジスタが形成
されてなることにより、より高い表示輝度を有する液晶
表示装置をうることができる。

【００４７】本発明の液晶表示装置は、第２の画素電極
が透明性導電膜からなるため、各画素において第２の画
素電極が形成される部分にも光を透過させることがで
き、高い表示輝度を有する液晶表示装置をうることがで
きる。

【００４８】また、第２の画素電極が透明性導電膜から
なり、かつ、ゲート信号線上に薄膜トランジスタが形成
されてなるため、より高い表示輝度を有する液晶表示装
置をうることができる。

【００４９】本発明の液晶表示装置は、第１の画素電極
および第２の画素電極が透明性導電膜からなるため、各
画素において第１の画素電極および第２の画素電極が形
成される部分にも光を透過させることができ、高い表示
輝度を有する液晶表示装置をうることができる。

【００５０】また、第１の画素電極および第２の画素電
極が透明性導電膜からなり、かつ、ゲート信号線上に薄
膜トランジスタが形成されてなるため、より高い表示輝
度を有する液晶表示装置をうることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の液晶表示装置の一実施の形態を示す説
明図である。

【図２】本発明の液晶表示装置の他の実施の形態を示す
説明図である。

【図３】本発明の液晶表示装置の他の実施の形態を示す
説明図である。

【図４】本発明の液晶表示装置の他の実施の形態を示す
説明図である。

【図５】本発明の液晶表示装置の他の実施の形態を示す
説明図である。

【図６】本発明の液晶表示装置の他の実施の形態を示す
説明図である。

【図７】本発明の液晶表示装置の他の実施の形態を示す
説明図である。

【図８】従来の液晶表示装置を示す説明図である。

【符号の説明】

１ゲート信号線２ソース信号線３コモン信号線４ＴＦＴ５第１の画素電極６第２の画素電極７保持容量形成部８コンタクトホール９絶縁膜１０透明絶縁性基板１１液晶分子１２保持容量

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】互いに平行に対向する２枚の透明絶縁性
基板と、一方の透明絶縁性基板上に形成されるゲート信
号線と、該ゲート信号線上に成膜される絶縁膜と、該絶
縁膜を介してゲート信号線に直交するソース信号線と、
前記ゲート信号線に対して平行に形成されるコモン信号
線と、前記ゲート信号線を経て伝送されるゲート信号が
入力される薄膜トランジスタと、該薄膜トランジスタに
接続される第１の画素電極と、前記コモン信号線に接続
される第２の画素電極と、前記２枚の透明絶縁性基板の
あいだに挟持される液晶分子とからなり、前記ゲート信
号が入力されることにより前記薄膜トランジスタのスイ
ッチングが制御され、前記ソース信号線を経て伝送され
るソース信号が前記薄膜トランジスタを介して前記第１
の画素電極に印加されて該第１の画素電極の電位が制御
され、かつ、前記コモン信号線を経て伝送されるコモン
信号が前記第２の画素電極に印加されることにより、前
記第１の画素電極と前記第２の画素電極とのあいだで前
記透明絶縁性基板の表面に水平な方向に発生する電界が
制御されて、前記液晶分子が駆動される液晶表示装置で
あって、前記ゲート信号線上に前記薄膜トランジスタが
形成されてなることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】互いに平行に対向する２枚の透明絶縁性
基板と、一方の透明絶縁性基板上に形成されるゲート信
号線と、該ゲート信号線上に成膜される絶縁膜と、該絶
縁膜を介してゲート信号線に直交するソース信号線と、
前記ゲート信号線に対して平行に形成されるコモン信号
線と、前記ゲート信号線を経て伝送されるゲート信号が
入力される薄膜トランジスタと、該薄膜トランジスタに
接続される第１の画素電極と、前記コモン信号線に接続
される第２の画素電極と、前記２枚の透明絶縁性基板の
あいだに挟持される液晶分子とからなり、前記ゲート信
号が入力されることにより前記薄膜トランジスタのスイ
ッチングが制御され、前記ソース信号線を経て伝送され
るソース信号が前記薄膜トランジスタを介して前記第１
の画素電極に印加されて該第１の画素電極の電位が制御
され、かつ、前記コモン信号線を経て伝送されるコモン
信号が前記第２の画素電極に印加されることにより、前
記第１の画素電極と前記第２の画素電極とのあいだで前
記透明絶縁性基板の表面に水平な方向に発生する電界が
制御されて、前記液晶分子が駆動される液晶表示装置で
あって、前記第１の画素電極が透明性導電膜からなるこ
とを特徴とする液晶表示装置。
【請求項３】前記ゲート信号線上に前記薄膜トランジ
スタが形成されてなる請求項２記載の液晶表示装置。
【請求項４】互いに平行に対向する２枚の透明絶縁性
基板と、一方の透明絶縁性基板上に形成されるゲート信
号線と、該ゲート信号線上に成膜される絶縁膜と、該絶
縁膜を介してゲート信号線に直交するソース信号線と、
前記ゲート信号線に対して平行に形成されるコモン信号
線と、前記ゲート信号線を経て伝送されるゲート信号が
入力される薄膜トランジスタと、該薄膜トランジスタに
接続される第１の画素電極と、前記コモン信号線に接続
される第２の画素電極と、前記２枚の透明絶縁性基板の
あいだに挟持される液晶分子とからなり、前記ゲート信
号が入力されることにより前記薄膜トランジスタのスイ
ッチングが制御され、前記ソース信号線を経て伝送され
るソース信号が前記薄膜トランジスタを介して前記第１
の画素電極に印加されて該第１の画素電極の電位が制御
され、かつ、前記コモン信号線を経て伝送されるコモン
信号が前記第２の画素電極に印加されることにより、前
記第１の画素電極と前記第２の画素電極とのあいだで前
記透明絶縁性基板の表面に水平な方向に発生する電界が
制御されて、前記液晶分子が駆動される液晶表示装置で
あって、前記第２の画素電極が透明性導電膜からなるこ
とを特徴とする液晶表示装置。
【請求項５】前記ゲート信号線上に前記薄膜トランジ
スタが形成されてなる請求項４記載の液晶表示装置。
【請求項６】互いに平行に対向する２枚の透明絶縁性
基板と、一方の透明絶縁性基板上に形成されるゲート信
号線と、該ゲート信号線上に成膜される絶縁膜と、該絶
縁膜を介してゲート信号線に直交するソース信号線と、
前記ゲート信号線に対して平行に形成されるコモン信号
線と、前記ゲート信号線を経て伝送されるゲート信号が
入力される薄膜トランジスタと、該薄膜トランジスタに
接続される第１の画素電極と、前記コモン信号線に接続
される第２の画素電極と、前記２枚の透明絶縁性基板の
あいだに挟持される液晶分子とからなり、前記ゲート信
号が入力されることにより前記薄膜トランジスタのスイ
ッチングが制御され、前記ソース信号線を経て伝送され
るソース信号が前記薄膜トランジスタを介して前記第１
の画素電極に印加されて該第１の画素電極の電位が制御
され、かつ、前記コモン信号線を経て伝送されるコモン
信号が前記第２の画素電極に印加されることにより、前
記第１の画素電極と前記第２の画素電極とのあいだで前
記透明絶縁性基板の表面に水平な方向に発生する電界が
制御されて、前記液晶分子が駆動される液晶表示装置で
あって、前記第１の画素電極および前記第２の画素電極
が透明性導電膜からなることを特徴とする液晶表示装
置。
【請求項７】前記ゲート信号線上に前記薄膜トランジ
スタが形成されてなる請求項６記載の液晶表示装置。