JPH0391128A - 光記録担体 - Google Patents
光記録担体Info
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- JPH0391128A JPH0391128A JP1226155A JP22615589A JPH0391128A JP H0391128 A JPH0391128 A JP H0391128A JP 1226155 A JP1226155 A JP 1226155A JP 22615589 A JP22615589 A JP 22615589A JP H0391128 A JPH0391128 A JP H0391128A
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- Pending
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Landscapes
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、レーザー光の照射により情報を記録。
再生する光記録ｆｆ１体に係り、特に光記録膜の膜構造
を改良した光記録担体に関する。
を改良した光記録担体に関する。
〔従来技術及び発明が解決しようとする課題〕近年、レ
ーザー光を用いて情報の記録、再生を行なう書替え可能
な情報記録担体（「光記録媒体」又は「光ディスク」と
も言う）の開発が精力的に進められている。これらの光
記録担体としては、レーザー光の熱により記録膜を部分
的に溶融あるいは昇華させてビットを形成する“穴あけ
型光記録媒体”や、熱により記録膜の複素屈折率を変化
させることにより情報を記録する“相変化型光記録媒体
”、あるいは熱により２種の記録層の界面に合金を形成
することにより情報を記録する“合金形成型光記録媒体
”が用いられてきたが、これらの媒体の初期反射率は高
々５０％である。そのため、再生専用の光ディスクと比
べて大きな再生パワー（レーザー光照射）を必要とし、
ドライブ間の負担が大きくなっている。また、記録部と
未記録部の反射率変化も２０％程度と低いので、再生出
力が大きくとれない。
ーザー光を用いて情報の記録、再生を行なう書替え可能
な情報記録担体（「光記録媒体」又は「光ディスク」と
も言う）の開発が精力的に進められている。これらの光
記録担体としては、レーザー光の熱により記録膜を部分
的に溶融あるいは昇華させてビットを形成する“穴あけ
型光記録媒体”や、熱により記録膜の複素屈折率を変化
させることにより情報を記録する“相変化型光記録媒体
”、あるいは熱により２種の記録層の界面に合金を形成
することにより情報を記録する“合金形成型光記録媒体
”が用いられてきたが、これらの媒体の初期反射率は高
々５０％である。そのため、再生専用の光ディスクと比
べて大きな再生パワー（レーザー光照射）を必要とし、
ドライブ間の負担が大きくなっている。また、記録部と
未記録部の反射率変化も２０％程度と低いので、再生出
力が大きくとれない。
記録媒体の初期反射率を高めるためには、記録膜の主成
分または添加物反射層に、Ａ ｇ 、 Ａ ｕ 。
分または添加物反射層に、Ａ ｇ 、 Ａ ｕ 。
ＡＪＩ、Ｃｕ、Ｒｈ等の高反射率金属を用いることが考
えられるが、これらの金属は、熱伝導度も大きいので、
レーザーに対する感度が低く、熱が拡がり易いため、良
好なビットが形成できない、また、熱伝導度の大きい金
属を用いずに、ディスクの初期反射率を増大させる手段
として干渉を利用する方法が考えられるが、単層の干渉
膜では顕著な改善が期待できない、そこで、高反射率金
属を用いることなく、従来の記録媒体の熱伝導度を維持
したまま、初期反射率及び記録前後の反射率変化を増大
させ得る媒体の開発が望まれている。
えられるが、これらの金属は、熱伝導度も大きいので、
レーザーに対する感度が低く、熱が拡がり易いため、良
好なビットが形成できない、また、熱伝導度の大きい金
属を用いずに、ディスクの初期反射率を増大させる手段
として干渉を利用する方法が考えられるが、単層の干渉
膜では顕著な改善が期待できない、そこで、高反射率金
属を用いることなく、従来の記録媒体の熱伝導度を維持
したまま、初期反射率及び記録前後の反射率変化を増大
させ得る媒体の開発が望まれている。
本発明は、ディスク基板上に複数の層が形成される光記
録担体の奇数層目には高屈折率誘電体層を、偶数層目に
は低屈折率誘電体層を形成してこれらを２層以上積層し
た後、レーザー照射により、複素屈折率が変化する物質
を用いて記録層を形成し、あるいは更にその上に、低屈
折率誘電体と高屈折率誘電体とを交互に積層したＪｌ！
４１１遣とした光記録担体を提供することにより、上記
問題点を解決した。
録担体の奇数層目には高屈折率誘電体層を、偶数層目に
は低屈折率誘電体層を形成してこれらを２層以上積層し
た後、レーザー照射により、複素屈折率が変化する物質
を用いて記録層を形成し、あるいは更にその上に、低屈
折率誘電体と高屈折率誘電体とを交互に積層したＪｌ！
４１１遣とした光記録担体を提供することにより、上記
問題点を解決した。
以下、本発明の光記録担体の具体例について、第５図、
第６図等を参照しながら説明する。
第６図等を参照しながら説明する。
〈実施例１〉
ＰＣディスク基板を１０−’Ｐａ程度まで排気した真空
チャンバー内で自公転させながら、真空蒸着法により、
第１層目及び第５層目にＺｎＳ１００ｎ１１を成膜し、
第２層目及び第４層目にＭ ｇ Ｆ ２１７０ｎｎ。
チャンバー内で自公転させながら、真空蒸着法により、
第１層目及び第５層目にＺｎＳ１００ｎ１１を成膜し、
第２層目及び第４層目にＭ ｇ Ｆ ２１７０ｎｎ。
第３層目にＺ ｎ Ｓ ２００ｎｍを成膜した５層の干
渉層を設け、その上にＴｅ系相変化型記録Ｊｌ１１００
ｎ１ｍを成膜した。
渉層を設け、その上にＴｅ系相変化型記録Ｊｌ１１００
ｎ１ｍを成膜した。
このディスクの膜構造を第２図に示す、また、この記録
層の相変化前後の分光反射率を第３図に示した。Ｔｅ系
相変化媒体は、通窩、初期反射率３０％、記録部分で５
０％程度であるが、かかる５層干渉層を設けたディスク
では、例えば８３０ｎｌｌの波長で観測した場合、初期
反射率は６１％であり、記録後は７８％となる。このよ
うに、相変化媒体の反射率変化を、５層干渉層により高
反射串間にシフトさせることができた。このディスクを
線速度１．３ｍ／ｓにおいて４５０ｋＨｚの単一周波数
を記録し、再生パワー０．３＋１Ｗで再生したところ、
４７ｄＢのＣ／Ｎを得た。
層の相変化前後の分光反射率を第３図に示した。Ｔｅ系
相変化媒体は、通窩、初期反射率３０％、記録部分で５
０％程度であるが、かかる５層干渉層を設けたディスク
では、例えば８３０ｎｌｌの波長で観測した場合、初期
反射率は６１％であり、記録後は７８％となる。このよ
うに、相変化媒体の反射率変化を、５層干渉層により高
反射串間にシフトさせることができた。このディスクを
線速度１．３ｍ／ｓにおいて４５０ｋＨｚの単一周波数
を記録し、再生パワー０．３＋１Ｗで再生したところ、
４７ｄＢのＣ／Ｎを得た。
〈実施例２〉
ＰＣ基板上に、実施例１に示した５層干渉層を成膜後、
第６層目にＴｅ系穴あけ媒体を２０ｎｌｌ形威した。か
かるディスクの第３層目のＺｎＳ膜厚を変化させた時の
膜厚と反射率の関係は第４図のようになる。第３層目の
膜厚を８０ｎｎとしたときは、未記録部分５０％、記録
部分８２％の反射率を持つｌｏｗ ｔｏ ｈｉａｈ型穴
あけ媒体として機能するが、第３層目を１６５ｎｎ程度
とした時は、未記録部分は３５％、記録部分では０％に
近く、ｈｉｇｈ ｔｏ ｌｏｗ型穴あけ媒体として機能
する。このように、多層干渉層の膜厚を加減することに
より、媒体の反射率変化の挙動を、見かけ上大きく変化
させることができる。
第６層目にＴｅ系穴あけ媒体を２０ｎｌｌ形威した。か
かるディスクの第３層目のＺｎＳ膜厚を変化させた時の
膜厚と反射率の関係は第４図のようになる。第３層目の
膜厚を８０ｎｎとしたときは、未記録部分５０％、記録
部分８２％の反射率を持つｌｏｗ ｔｏ ｈｉａｈ型穴
あけ媒体として機能するが、第３層目を１６５ｎｎ程度
とした時は、未記録部分は３５％、記録部分では０％に
近く、ｈｉｇｈ ｔｏ ｌｏｗ型穴あけ媒体として機能
する。このように、多層干渉層の膜厚を加減することに
より、媒体の反射率変化の挙動を、見かけ上大きく変化
させることができる。
〈実施例３〉
ＰＣ基板上に、第５図に示すように、第１層に高屈折率
誘電体層としてＺｎＳをｔｏｏｎｍ、第２層に低屈折率
誘電体層としてＭ ｇ Ｆ ２１７０ｎｌｌを成膜後、
相変化媒体記録層１００ｎ１１を設け、更に第４層目に
Ｍ ｇ Ｆ ２１７０ｎｌｌ、 ５層目にＺ ｎ Ｓ
１００ｎｆｌを成膜した。
誘電体層としてＺｎＳをｔｏｏｎｍ、第２層に低屈折率
誘電体層としてＭ ｇ Ｆ ２１７０ｎｌｌを成膜後、
相変化媒体記録層１００ｎ１１を設け、更に第４層目に
Ｍ ｇ Ｆ ２１７０ｎｌｌ、 ５層目にＺ ｎ Ｓ
１００ｎｆｌを成膜した。
そのディスクの初期反射率は３７％であり、記録後は２
６％増加して６３％となる（第６図参照）。
６％増加して６３％となる（第６図参照）。
ところが、干渉層を用いない相変化媒体単層のディスク
では、初期反射率が１２％、記録後は２７％と、１５％
の反射率増加にとどまる。
では、初期反射率が１２％、記録後は２７％と、１５％
の反射率増加にとどまる。
このように、多層干渉層を用いることにより、記録媒体
の初期反射率を増加させると共に、反射率変化も増加さ
せることができる。
の初期反射率を増加させると共に、反射率変化も増加さ
せることができる。
畝上の如く、本発明の光記録担体によれば、穴あけ型光
ディスクや相変化型光ディスク等において、初期反射率
及び反射率変化を増大させることができるという優れた
特長を有する。
ディスクや相変化型光ディスク等において、初期反射率
及び反射率変化を増大させることができるという優れた
特長を有する。
第１図、第２図及び第５図は本発明の光記録担体の拡大
部分断面図、第３図は第１実施例の光記録担体の分光反
射率特性図、第４図及び第６図は夫々第２実施例及び第
３実施例の媒体における記録膜の膜厚と反射率の関係を
示す特性図である。 １・・・記録層、２・・・高屈折率物質、３・・・低屈
折率物質、４・・・基板。
部分断面図、第３図は第１実施例の光記録担体の分光反
射率特性図、第４図及び第６図は夫々第２実施例及び第
３実施例の媒体における記録膜の膜厚と反射率の関係を
示す特性図である。 １・・・記録層、２・・・高屈折率物質、３・・・低屈
折率物質、４・・・基板。
Claims (2)
- （１）樹脂またはガラス製のディスク基板上に複数の層
が形成される光記録担体であつて、奇数層目にはＺｎＳ
、ＺｎＳｅ、ＴｉＯ＿２、ＣｅＯ＿２又はＨｆＯ＿２の
うちいずれかの高屈折率誘電体層を形成すると共に、偶
数層目にはＭｇＦ＿２、ＣａＦ＿３又はＮａＡｌＦ＿６
のうちいずれかの低屈折率誘電体層を形成してこれらを
２乃至７層積層し、更に、レーザー照射により、凹部又
は穴が形成される物質、もしくは複素屈折率が変化する
物質を用いて記録層を形成したことを特徴とする光記録
担体。 - （２）ディスク基板上に複数の層が形成される光記録担
体であつて、奇数層目には高屈折率誘電体層を、偶数層
目には低屈折率誘電体層を形成してこれらを２層以上積
層した後、レーザー照射により、複素屈折率が変化する
物質を用いて記録層を形成し、更にその上に、低屈折率
誘電体と高屈折率誘電体とを交互に積層した膜構造とし
たことを特徴とする光記録担体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1226155A JPH0391128A (ja) | 1989-08-31 | 1989-08-31 | 光記録担体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1226155A JPH0391128A (ja) | 1989-08-31 | 1989-08-31 | 光記録担体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0391128A true JPH0391128A (ja) | 1991-04-16 |
Family
ID=16840725
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1226155A Pending JPH0391128A (ja) | 1989-08-31 | 1989-08-31 | 光記録担体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0391128A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5238656A (en) * | 1990-10-26 | 1993-08-24 | Tosoh Corporation | Treatment equipment of exhaust gas containing organic halogen compounds |
| EP1365394A2 (en) * | 2002-05-22 | 2003-11-26 | National Institute of Advanced Industrial Science and Technology | Flat-plate lens |
| WO2004084204A2 (en) * | 2003-03-18 | 2004-09-30 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Optical information carrier comprising thermochromic or photochromic material |
| US7358031B2 (en) * | 2003-07-01 | 2008-04-15 | Hitachi, Ltd. | Optical information recording medium, optical information recording device and manufacturing method of optical information medium |
| CN108003367A (zh) * | 2016-10-28 | 2018-05-08 | 珠海格力电器股份有限公司 | 具有贝壳和珍珠观感的塑料件、面板、家电及塑料件的制作方法 |
-
1989
- 1989-08-31 JP JP1226155A patent/JPH0391128A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5238656A (en) * | 1990-10-26 | 1993-08-24 | Tosoh Corporation | Treatment equipment of exhaust gas containing organic halogen compounds |
| EP1365394A2 (en) * | 2002-05-22 | 2003-11-26 | National Institute of Advanced Industrial Science and Technology | Flat-plate lens |
| EP1365394A3 (en) * | 2002-05-22 | 2005-12-21 | National Institute of Advanced Industrial Science and Technology | Flat-plate lens |
| US7099264B2 (en) | 2002-05-22 | 2006-08-29 | National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology | Flat-plate lens |
| WO2004084204A2 (en) * | 2003-03-18 | 2004-09-30 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Optical information carrier comprising thermochromic or photochromic material |
| WO2004084204A3 (en) * | 2003-03-18 | 2005-03-17 | Koninkl Philips Electronics Nv | Optical information carrier comprising thermochromic or photochromic material |
| US7358031B2 (en) * | 2003-07-01 | 2008-04-15 | Hitachi, Ltd. | Optical information recording medium, optical information recording device and manufacturing method of optical information medium |
| CN108003367A (zh) * | 2016-10-28 | 2018-05-08 | 珠海格力电器股份有限公司 | 具有贝壳和珍珠观感的塑料件、面板、家电及塑料件的制作方法 |
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