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JPH0383335A - エッチング方法 - Google Patents

エッチング方法

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Publication number
JPH0383335A
JPH0383335A JP1218530A JP21853089A JPH0383335A JP H0383335 A JPH0383335 A JP H0383335A JP 1218530 A JP1218530 A JP 1218530A JP 21853089 A JP21853089 A JP 21853089A JP H0383335 A JPH0383335 A JP H0383335A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
gas
etching
film
etching method
etched
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP1218530A
Other languages
English (en)
Inventor
Takashi Fujii
敬 藤井
Hironori Kawahara
川原　博宣
Kazuo Takada
和男 高田
Masaharu Saikai
西海　正治
Noriaki Yamamoto
山本　則明
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Hitachi Kasado Engineering Co Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Hitachi Kasado Engineering Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd, Hitachi Kasado Engineering Co Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP1218530A priority Critical patent/JPH0383335A/ja
Priority to EP91300793A priority patent/EP0497023A1/en
Priority to US07/658,254 priority patent/US5110408A/en
Publication of JPH0383335A publication Critical patent/JPH0383335A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はエツチング方法に係り、特にゲート膜。
前記ゲート膜、シリコン基板等のエツチング処理に好適
なエツチング方法に関するものである。
る。
〔従来の技術〕
従来、ゲート膜のエツチング処理には、例えば特開昭６
２−１５４７３０号公報に記載のように、ポリシリコン
層、すなわち、ゲート膜のエツチングに、エツチング性
ガスとしてのＳＦＧやＮＦ３と堆積性ガスとしてのＣ，
ＣＱ□Ｆ３　（商品名：フロン−１１３）やフロン−１
１４（商品名）と化化合物処理ガスを用いるものがあっ
た。
また、シリコン基板のエツチング処理として。
特開昭６３−２９９３４３号公報に記載のように。
エツチングガスとしてＮＦ３もしくはＳＦ、を用い、堆
積ガスとしてＣＨＦ□、　ＣＨ２Ｆ２、　ＣＨ，Ｆ。
Ｃ，Ｈ２Ｆｚ、Ｃ２ＨＦ６、Ｃ，Ｈ，Ｆ、Ｃ２Ｈ，Ｆ。
Ｃ，Ｈ４Ｆ、を用い、少なくともこれらの１つを含有す
るエツチングガスと堆積ガスとの混合ガスによってエツ
チングする方法があった。
〔発明が解決しようとする課題〕
上記従来技術のゲート膜のエツチング処理には、フロン
−１１３やフロン−１１４といった近年フロン規制を受
けるガスが使用されており、今後の処理にはこれらのガ
スを使用することができないという問題があり、これら
規制を受けるガス種以外のガスによるプロセスの開発が
急務となった。
また、上記従来技術の後者には、フロン規制を受けない
ガスによるシリコン基板のエツチング処理が示されてい
る。しかし、Ｓｉのトレンチエツチングにおけるシリコ
ン基板に与える損傷については考慮されていたが、特に
ゲート膜加工でのエツチング性能の向上及び堆積物の低
減等についての配慮はなされておらず、十分なエツチン
グ性能がでないという問題があった。
すなわち、第１０図（ａ）ないしくｄ）゛に示すように
、従来の処理ガスでは、ゲート膜をエツチングすると、
エツチングの進行とともにゲートを構成する、例えば、
ＷＳｉｘ膜４の側壁にサイドウオール膜が徐々に堆積し
て、堆積物６がマスクのようになり、エツチングされる
ＷＳｉｘ膜４の幅が徐々に広がって、図（ｅ）に示すよ
うにアッシングを行ってマスク５を除去したときのＷＳ
ｉｘ膜４の形状はテーパ状となり、垂直なエツチングが
できないという問題があった。また、エツチングされる
底面においても、堆積物が発生してエツチング速度が向
上しないという問題があった。
本発明の第１の目的は、フロン規制を受けることなく、
エツチング性能を向上させることのできるエツチング方
法を提供することにある。
本発明の第２の目的は、精度良く異方性エツチングが行
えるエツチング方法を提供することにある。
〔課題を解決するための手段〕
上記第１の目的を達成するために、エツチング用処理ガ
スとして還元性フッ化化合物ガスとハイドロカーボン系
ガスと被エツチング材の原子径より大きいハロゲンガス
と化化合物ガスを用いてゲート膜または前記ゲート膜ま
たはシリコン基板をエツチング処理するようにしたもの
である。
る。
また、上記第１の目的を達成するために、エツチング用
処理ガスとして還元性フッ化化合物ガスとＣＱを含むハ
イドロカーボン系ガス化化合物ガスを用いてゲート膜ま
たは前記ゲート膜またはシリコン基板をエツチング処理
するようにしたものである。
さらに、上記第２の目的を達成するために、エツチング
性ガスにより被エツチング材を異方性エツチングする工
程と、堆積性ガスにより保護膜を形成する工程と、堆積
性ガスにより保護膜として形成する堆積物の過剰分を除
去する工程とを有するようにしたものである。
〔作　　用〕
ゲート膜や前記ゲート膜やシリコン基板のエツチングに
おいて、エツチング用処理ガスとして還元性フッ化化合
物ガスとハイドロカーボン系ガスと被エツチング材の原
子径より大きいハロゲンガスと化化合物ガス、またはエ
ツチング用処理ガスとして還元性フッ化化合物ガスとＣ
Ｑを含むハイドロカーボン系ガス化化合物ガスを用いる
。
る。
これにより、堆積性ガスであるハイドロカーボン系ガス
の作用によって、被エツチング材のエツチング面及び側
壁に堆積物が付着する。このような状態で、エツチング
性ガスである還元性フッ化化合物ガスの作用によって、
被エツチング材のエツチング面に付着した堆積物及び被
エツチング材のエツチング面が異方性エツチングされる
。さらに、ハロゲンガスやハイドロカーボン系ガスに含
まれているＣ息の作用により、被エツチング材の表面に
付いた堆積膜及び過剰に付いたサイドウオール膜が除去
される。
このように処理されるので、エツチング速度の向上及び
形状精度の良い異方性のエツチングが可能となり、エツ
チング性能を向上させることができる。
また、エツチング性ガスにより被エツチング材を異方性
エツチングする工程と、堆積性ガスにより保護膜を形成
する工程と、堆積性ガスにより保護膜として形成する堆
積物の過剰分を除去する工程とを有する処理とすること
により、 側壁に保護膜を形成するとともに保護膜として形成する
堆積物の過剰分を除去し、異方性エツチングを行うので
、精度の良い異方性エツチングを行うことができる。
〔実施例〕
以下、本発明の一実施例を第１図ないし第６図により説
明する。
第１図（ａ）（ｂ）は、エツチング用処理ガスとして、
還元性フッ化化合物ガス（例えばＳＦＩ、）と。
ハイドロカーボン系ガス（例えばＣＨ，Ｆ、）と、被エ
ツチング材の原子径より大きいハロゲンガス（例えばＣ
Ｑ２）化化合物ガスを用い、該処理ガスをプラズマ化し
てゲート膜をエツチング処理しているときの様子を示す
。この場合の被処理物としては、シリコン基板（上に絶
縁膜であるＳｉｎ、膜２を形成し、その上にＰｏｌｙ−
５ｉ膜３．Ｗｓｉｘ膜４を順次重ねたゲート膜を形成し
、ＷＳｉｘ膜４の上にマスク５を形成したものとなって
いる。
このようなゲート膜のエツチング中は、堆積性ガスであ
るハイドロカーボン系ガスの作用によって、第１図（ａ
）に示すＷＳｉｘ膜４のエツチングでは、被エツチング
材の表面１図中ではＷＳｉｘ膜４の平面及びＷＳｉｘ膜
４の側壁に堆積物６（Ｃ，Ｈ，Ｗ、Ｃｌ等）が付着する
。また、第１図（ｂ）に示すＰｏ１ｙ−３ｉ膜３のエツ
チングでは、被エツチング材の表面、図中でｔｔＰｏｌ
ｙ−５ｉ膜３の平面及びＷＳｉｘ膜４とＰｏ１ｙ−５ｉ
膜３との側壁に堆積物６　（Ｃ，Ｈ，Ｓｉ。
ＣＱ等）が付着する。
また、この間、エツチング性ガスであるＳＦ。
の作用によって、第１図（ａ）に示すＷＳｉｘ膜４のエ
ツチングでは、ＷＳｉｘ膜４の平面に付着した堆積物６
及びＷＳｉｘ膜４の平面がＷＦχ（χ＝１．２．３・・
・・）（以下ｒＷＦχ」と略）等となってエツチング除
去され、深さ方向にエツチングが進行する。また、第１
図（ｂ）に示すＰｏ１ｙ−５ｉ膜３のエツチングでは、
Ｐｏ１ｙ−８ｉ膜３の平面に付着した堆積物６及びＰｏ
１ｙ−８ｉ膜３の平面がＳｉＦχ（χ＝１．２．３・・
・）（以下ｒＳｉＦχ」と略）等となってエツチング除
去され、深さ方向にエツチングが進行する。
さらに、被エツチング材の原子径より大きいハロゲンガ
スであるＣＱ、の作用によって、主にプラズマ中のＣｌ
イオン７が、第１図（ａ）に示すＷＳｉｘ１ｌＩ４のエ
ツチングでは、ＷＳｉｘ膜４の平面方向に入射して、平
面上に付着した堆積物６と反応して、ＣＣｕ、ＨＣＱ、
Ｗ（ｌｙ　（：ｙ＝１．２゜３・・・）（以下ｒＷＣ１
２ｙＪと略）等となって堆積物６の除去を助け、ＳＦ、
による被エツチング材のエツチング速度を向上させてい
る。また、第１図（ｂ）に示すＰｏ１ｙ−８ｉ膜３のエ
ツチングでは、Ｐｏ１ｙ−８ｉ膜３の平面方向に入射し
て。
平面上に付着した堆積物６と反応して、ＣＣＱ。
ＨＣＱ、５ｉＣｆｆｉｙ　　（ｙ＝１．２．３・・・）
（以下ｒＳｉ（ｌｌｙＪと略）等となって堆積物６の除
去を助け、ＳＦ、による被エツチング材のエツチング速
度を向上させている。
また、プラズマ中のＣＤラジカル８が、第１図（ａ）に
示すＷＳｉｘ膜４のエツチングでは、被エツチング材の
サイドウオール膜となっている側壁部の堆積物６と反応
し、ＣＣＱ、Ｈ（１゜ＷＣＱｙ等となって堆積物６の除
去を行い、側壁部に付着する堆積物６の量が過剰になら
ないようにしている。また、第１図（ｂ）に示すＰｏ１
ｙ−３ｉ膜３のエツチングでは、被エツチング材のサイ
ドウオール膜となっている側壁部の堆積物６と反応し、
ＣＣＱ、ＨＣＱ、５ｉＣＱｙ等となって堆積物６の除去
を行い、側壁部に付着する堆積物６の量が過剰にならな
いようにしている。このようにして第１図（ａ）（ｂ）
に示す堆積物６は、ＣＱの化合物９となって除去される
。
なお、ＣＱイオン７及びＣＤラジカル８もＷＳｉｘ膜４
やＰｏ１ｙ−８ｉｌｉｉ３のエツチングに寄与する。
次に、このようにエツチングを行う装置の例を第２図に
示す。
処理室１０の上部には石英製の放電管１１が設けてあり
、真空処理室を形成している。処理室１０には。
真空処理室内にエツチング用処理ガスを供給するガス供
給源（図示省略）につながるガス供給口１９が設けてあ
り、また、真空処理室内部を所定圧力に減圧・排気する
真空排気装置（図示省Ｉ［１８）につながる排気口１８
が設けである。処理室１０内には被エツチング材である
ウェハ１４を配置する試料台１２が設けである。試料台
１２には高周波電源１３が接続してあり、試料台１２に
高周波電力を印加可能になっている。放電管１１の外側
には放電管１１を囲んで導波管１５が設けてあり、さら
にその外側には放電管１１内に磁界を発生させるコイル
１７が設けである。導波管１５の端部にはマイクロ波を
発するマグネトロン１６が設けである。
このような装置では、ガス供給口１９から真空処理室内
にエツチング用処理ガスを供給するとともに、真空処理
室内を所定の圧力に減圧・排気し、導波管１５によって
マグネトロン１６からのマイクロ波を放電管１１内に導
入するとともに、コイル１７によって磁界を形成し、マ
イクロ波の電界とコイル１７による磁界との作用によっ
て、放電管１１内の処理ガスをプラズマ化する。さらに
、高周波電源１３によって試料台１２に高周波電力を印
加し、バイアス電圧を生じさせ、プラズマ中のイオンを
ウェハ１４側に引込み、異方性エツチングを行わせるよ
うにしている。
本装置を用いて上記のゲート膜のエツチングを行ったと
きの実験結果を第３図ないし第６図に示す。この場合の
条件は、被エツチング対象としてはＰｏ１ｙ−３ｉ膜で
、エツチング用処理ガスとして、ＳＦ、とＣＨ，Ｆ、と
ＣＱ、との混合ガスを用い１表１に示すケース１ないし
３で行った。
第３図に示すように、ケース１，２．３のようにＣＬ　
の量を増やしていくと、エツチング速度及び選択比が向
上し、寸法変換量（エツチング底部の幅　−マスク幅）
の減少、すなわち、テーバ上の末広がりの寸法が小さく
なることがわかる。
なお、第３図のエツチング速度比はＣＱ２のガス流量が
８０ｍｕ／ｗｉｎのときを基準とした。これは、第１図
（ｂ）で示したようにＣＱイオンやＣａラジカルの作用
によって、エツチング面及び側壁に付着した堆積物が効
率良く除去されるからと考えられる。
表１ をエツチングしたしたときのエツチング断面の形状であ
る。第４図（ｂ）はそれをアッシングしてマスク５を取
り除いたときの断面形状である。
第５図（ａ）はケース２で第１図に示す被処理物をエツ
チングしたしたときのエツチング断面の形状である。第
５図（ｂ）はそれをアッシングしてマスク５を取り除い
たときの断面形状である。これによると、ケース１のと
きよりもエツチングされた形状が改善されていることが
わかる。
第６図（ａ）はケース３で第１図に示す被処理物をエツ
チングしたしたときのエツチング断面の形状である。、
第６図（ｂ）はそれをアッシングしてマスク５を取り除
いたときの断面形状である。これによると、ケース２の
ときよりも、さらにエツチングされた形状が改善され、
垂直にエツチングされていることがわかる。
以上、本実施例によれば、ゲート膜をエツチング処理す
るにあたって、エツチング用処理ガスとして、ＳＦ、と
ＣＨ２Ｆ２とにＣＱ、を加えて用いることにより、堆積
物の過剰な付着を防止、すなわち、０党２ガスが被エツ
チング材の表面に付いた堆積膜及び過剰に付いたサイド
ウオール膜を除去するので、エツチング形状の改善、す
なわち、異方性エツチングの高精度化及びエツチング速
度の向上が図れる。これにより、エツチング性能を向上
させることができる。
また、Ｃｐ２ガスが下地酸化膜（ＳｉＯ２膜）を削る還
元性のガス（Ｓ、Ｃ，Ｈ等）の濃度を希釈、すなわち、
ＣＱがＳ、Ｃ，Ｈ等と反応してＳ。
Ｃ，Ｈ等の濃度を希釈するので、５ｉｎ２膜のエツチン
グ速度を低下させることができ１選択比の向上が図れる
。
また、本実施例によれば、第２図に示すようにエツチン
グ処理中に生じる放電管１１内面への堆積物の付着もＣ
ａラジカルの作用によって、除去することができるので
、放電管１１の曇りを防止することができ、プラズマ中
の発光をモニターするのに採光量の低下がなくなり、エ
ツチング終点検出の際に再現性が良くなるという効果が
ある。また、クリーニング効果があるので、エツチング
の再現性が良くなるとともに、クリーニングの頻度も少
なくできるという効果がある。
なお、本−実施例では、還元性フン化化合物ガスとして
、ＳＦ、の場合について説明したが、この他にＮＦ、を
用いても同様に効果が得られる。
また、ハイドロカーボン系ガスとして、ＣＨ，Ｆ２の場
合について説明したが、この他のハイドロカーボン系ガ
スとしてハイドロフロロカーボン系ガス、例えば、ＣＨ
Ｆ６、ＣＨ，Ｆ、Ｃ２Ｈ，Ｆ、。
Ｃ，ＨＦ６、Ｃ２Ｈ，Ｆ、Ｃ２Ｈ，Ｆ、Ｃ２Ｈ４Ｆ、。
Ｃ２Ｈ，Ｆ、等を用いても良い、また、被エツチング材
の原子径より大きいハロゲンガスとして、ＣＱ２の場合
について説明したが、この他にＢｒ２．Ｉ、等を用いて
も良い、この場合は、ＢｒイオンやＢｒラジカルまたは
エイオンや■ラジカルがＣＱイオンやＣＱラジカルと同
様の作用をする。
また、本−実施例では、エツチング用処理ガスとして還
元性フッ化化合物ガスとハイドロカーボン系ガスと被エ
ツチング材の原子径より大きいハロゲンガス化化合物ガ
スを用いたが、ハイドロカーボン系ガスの代わりに、Ｃ
Ｑを含むハイドロカーボン系ガスとしても良い、また、
還元性フッ化化合物ガスとＣＱを含むハイドロカーボン
系ガス化化合物ガスとしても良い。この場合は、ハイド
ロカーボン系ガスに含まれたＣｆｌが、被エツチング材
の原子径より大きいハロゲンガスの役目をする。ＣＱを
含むハイドロカーボン系ガスとししては、ＣＨＣｌＦ２
．ＣＨＣＱ２Ｆ、ＣＨ，ＣＱ。
ＣＨ２Ｃ党２等がある。
また、本−実施例では、ゲート膜として、ＷＳｉｘ／Ｐ
ｏ１ｙ−３ｉ膜の場合について説明したが、この他にＰ
ｏ１ｙ　　Ｓｉ［ｌｊだけの場合でも良いことはいうま
でもないが、Ｗ膜でも良い。
このＷ膜の場合について以下説明する。
第７図にＷ膜のエツチング中の状態を示す。この場合の
処理ガスは、ＳＦ、とＣＨ２Ｆ、とＣｌ２との混合ガス
である。この場合の堆積物はＷ、Ｃ。
Ｈ，Ｃｆ１等の化合物であり、堆積物はｗｃｎ。
ＣＣＱ、ＨＣＱとなって除去される。Ｗ膜はＷＦｙ、Ｗ
Ｃ１１χ　となってエツチング除去される。
また、本−実施例では、ゲート膜として用いたＷＳｉｘ
／Ｐｏ１ｙ−５ｉ膜のＷ　Ｓ　ｉ　ｘ膜を前記ゲート膜
としてゲート膜以外に用いたものであってもエツチング
処理できることはいうまでもないが、この他の前記ゲー
ト膜としてＴｉＷ膜もエツチング処理することができる
。この場合の例について以下説明する。
ＬＳＩの多層配線において、従来、ＡＱまたはＡＱ合金
膜（ＡＱ−３ｉ、ＡＱ−Ｃｕ−５ｉ。
Ａｆｌ−Ｔｉ−３ｉ等）が適用されてきたが、微細化に
ともないストレスマイグレーション、エレクトロマイグ
レーション等によるＡＩ２系配線の断線が問題となって
きており、これを解決するものとしてＡｆ１合金とバリ
ヤーメタルの積Ｍ構造が採用されるようになった。この
バリヤーメタルとしては、ＷＳ　ｉ　ｘ、ＴｉＷ等の前
記ゲート膜が適用されている。この前記ゲート膜を塩素
系ガスプラズマ（例えば、ＢＣＱ３，５ｉＣｌ４゜ＣＱ
、等）で加工した場合、エツチング速度が遅くなるとい
う問題があった。また、ＳＦ、ガスプラズマで加工した
場合は、エツチング速度は向上するが、等方的なエツチ
ングになるという問題があった。
あった。
しかし１本実施例の処理ガスを用いることにより、バリ
ヤーメタルの前記ゲート膜を高速で異方性良くエツチン
グできる。前記ゲート膜のエツチング中の状態を第８図
に示す。この場合の処理ガスは、ＳＦＧとＣＨ，Ｆ２と
ＣＱ２との混合ガスである。この場合の堆積物はＷ、Ｃ
，Ｈ。
Ｃｌ等の化合物であり、堆積物はｗｃｎｙ。
ＣＣＱ、ＨＣＱとなって除去される。前記ゲート膜はＷ
Ｆχ、ＷＣｆｌｙとなってエツチング除去される。
さらに、本実施例の処理ガスは、Ｐｏ１ｙ−８ｉ膜のエ
ツチングできるように、シリコン基板のエツチングにつ
いても適用可能である。このシリコン基板の場合につい
て以下説明する。
第９図にシリコン基板のエツチング中の状態を示す、こ
の場合の処理ガスは、ＳＦｓとＣＨ２Ｆ２とＣｌ２との
混合ガスである。この場合の堆積物はＳｉ、Ｃ，Ｈ，Ｃ
Ｑ等の化合物であり、堆積物は５ｉＣＱｙ、ＣＣ党、Ｈ
Ｃｌ２となって除去される。シリコン基板はＳｉＦχ、
５ｉＣＱｙとなってエツチング除去される。
〔発明の効果〕
本発明によれば、フロン規制を受けることなく、エツチ
ング性能を向上させることができるという効果がある。
また、精度良く異方性エツチングが行えるという効果が
ある。
【図面の簡単な説明】
第↓図は本発明の一実施例であるエツチング方法による
処理中のエツチング断面を示す図、第２図は本発明を実
施するための装置の一例であるマイクロ波プラズマ処理
装置を示す縦断面図、第３図は、本発明の一例である処
理ガス流量を変えたときのエツチング性能を示す図、第
４図はＣＱ２ガスを４０ｍＱ／ｆｆ１ｉｎの流量で加え
て処理したときのエツチング処理後及びアッシング後の
エツチング断面を示す図、第５図はＣＱ２ガスを６０＋
Ｌ／＠ｉｎの流量で加えて処理したときのエツチング処
理後及びアッシング後のエツチング断面を示す図、第６
図はｃｕ、ガスを８０＊Ｑ／ｗｉｎの流量で加えて処理
したときのエツチング処理後及びアッシング後のエツチ
ング断面を示す図、第７図はＷ膜のエツチング状態を示
す図、第８図は前記ゲート膜のエツチング状態を示す図
、第９図はシリコン基板のエツチング状態を示す図、第
１０図は従来技術で処理したときの処理前、処理中及び
処理後のエツチング断面を示す図である。 １・・・・シリコン基板、２・・・・ＳｉＯ□膜、３・
・・・Ｐｏ１ｙ−３ｉ膜、４”ＷＳｉｘ膜、５　・−−
−マスク、６・・・・堆積物、７・・・・ＣＱイオン、
８・・・・０党ラジカル、９・・・・化合物、２０・・
・・Ｗ膜、２１・・・第２ 図 算３図 ＣＱ２　カ１スｚ−１：（？ＩＩＶｍｉ　Ｉ’ｌ　）ｆ
Ａ４図 昂５図 拓６図 ヌｒ７回 Ｖ１８０ 冨（：１図 第１０図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １、エッチング用処理ガスとして還元性フッ化化合物ガ
    スとハイドロカーボン系ガスと被エッチング材の原子径
    より大きいハロゲンガスを混合したガスを用いてゲート
    膜またはタングステン合金膜またはシリコン基板をエッ
    チング処理することを特徴とするエッチング方法。 ２、前記還元性フッ化化合物ガスは、ＳＦ＿６、または
    ＮＦ＿３である特許請求の範囲第１項記載のエッチング
    方法。 ３、前記ハイドロカーボン系ガスは、ＣＨＦ＿３、ＣＨ
    ＿２Ｆ＿２、ＣＨ＿３Ｆ、Ｃ＿２Ｈ＿２Ｆ＿２、Ｃ＿２
    ＨＦ＿２、Ｃ＿２Ｈ＿３Ｆ、Ｃ＿２Ｈ＿５Ｆ、Ｃ＿２Ｈ
    ＿４Ｆ＿２、Ｃ＿２Ｈ＿３Ｆ＿３のいずれかである特許
    請求の範囲第１項記載のエッチング方法。 ４、前記ハロゲンガスは、Ｃｌ＿２、Ｂｒ＿２またはＩ
    ＿２のいずれかである特許請求の範囲第１項記載のエッ
    チング方法。 ５、前記ゲート膜はＷＳｉｘ／Ｐｏｌｙ−Ｓｉ膜、Ｐｏ
    ｌｙ−Ｓｉ膜、またはＷ膜である特許請求の範囲第１項
    記載のエッチング方法。 ６、タングステン合金膜は、ＷＳｉｘ膜、ＴｉＷ膜、Ｗ
    膜である特許請求の範囲第１項記載のエッチング方法。 ７、前記エッチング処理は、マイクロ波プラズマによっ
    て行い、被処理物を配置する試料台に高周波電力を印加
    して行う特許請求の範囲第１項記載のエッチング方法。 ８、エッチング用処理ガスとして還元性フッ化化合物ガ
    スとＣｌを含むハイドロカーボン系ガスを混合したガス
    を用いてゲート膜またはタングステン合金膜またはシリ
    コン基板をエッチング処理することを特徴とするエッチ
    ング方法。 ９、前記還元性フッ化化合物ガスは、ＳＦ＿６、または
    ＮＦ＿３である特許請求の範囲第８項記載のエッチング
    方法。 １０、前記Ｃｌを含むハイドロカーボン系ガスは、ＣＨ
    ＣｌＦ＿２、ＣＨＣｌ＿２Ｆ、ＣＨ＿３Ｃｌ、ＣＨ＿２
    Ｃｌ＿２いずれかである特許請求の範囲第８項記載のエ
    ッチング方法。 １１、前記ゲート膜はＷＳｉｘ／Ｐｏｌｙ−Ｓｉ膜、Ｐ
    ｏｌｙ−Ｓｉ膜、またはＷ膜である特許請求の範囲第８
    項記載のエッチング方法。 １２、タングステン合金膜は、ＷＳｉｘ膜、ＴｉＷ膜、
    Ｗ膜である特許請求の範囲第８項記載のエッチング方法
    。 １３、前記エッチング処理は、マイクロ波プラズマによ
    って行い、被処理物を配置する試料台に高周波電力を印
    加して行う特許請求の範囲第８項記載のエッチング方法
    。 １４、ガスプラズマによって被処理物をエッチングする
    方法において、エッチング性ガスにより被エッチング材
    を異方性エッチングする工程と、堆積性ガスにより保護
    膜を形成する工程と、該保護膜との反応性ガスにより該
    保護膜として形成する堆積物の過剰分を除去する工程と
    を有することを特徴とするエッチング方法。 １５、前記それぞれの工程は、同時に行われる特許請求
    の範囲第１４項記載のエッチング方法。 １６、前記被処理物は、ゲート膜またはタングステン合
    金膜またはシリコン基板である特許請求の範囲第１４項
    記載のエッチング方法。 １７、前記エッチング性ガスとして還元性フッ化化合物
    ガスを用い、前記堆積性ガスとしてとハイドロカーボン
    系ガスを用い、前記保護膜との反応性ガスとして被処理
    物の原子径より大きいハロゲンガスを用いる特許請求の
    範囲第１４項記載のエッチング方法。 １８、前記エッチング性ガスとして還元性フッ化化合物
    ガスを用い、前記堆積性ガスおよび前記保護膜との反応
    性ガスとしてとＣｌを含むハイドロカーボン系ガスを用
    いる特許請求の範囲第１４項記載のエッチング方法。 １９、前記エッチング処理は、マイクロ波プラズマによ
    って行い、被処理物を配置する試料台に高周波電力を印
    加して行う特許請求の範囲第１４項記載のエッチング方
    法。
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