JPH0378263A - Surface acoustic wave device package - Google Patents
Surface acoustic wave device packageInfo
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- JPH0378263A JPH0378263A JP1214076A JP21407689A JPH0378263A JP H0378263 A JPH0378263 A JP H0378263A JP 1214076 A JP1214076 A JP 1214076A JP 21407689 A JP21407689 A JP 21407689A JP H0378263 A JPH0378263 A JP H0378263A
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- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、弾性表面波素子フィルタ、弾性表面波素子共
振器などに用いられる弾性表面波素子パッケージに係り
、特に弾性表面波素子の設計精度の向上を図るに好適な
弾性表面波素子パッケージに関する。Detailed Description of the Invention [Field of Industrial Application] The present invention relates to a surface acoustic wave device package used for a surface acoustic wave device filter, a surface acoustic wave device resonator, etc. The present invention relates to a surface acoustic wave device package suitable for improving performance.
[従来の技術]
弾性表面波素子パッケージは、例えばセルラー方式の携
帯無線通信装置などにおいて、フィルタや共振器等に近
時多用されている。そして、弾性表面波素子の裏面は接
続用の端子ピンをもつ金属製のステムに載置・接着され
てパッケージ化されており1例えば、特開昭62−17
1311号公報に該種弾性表面波素子パッケージ(弾性
表面波素子の実装構造)が開示されている。[Prior Art] Surface acoustic wave device packages are recently frequently used in filters, resonators, etc., for example, in cellular type portable wireless communication devices. Then, the back side of the surface acoustic wave element is placed and glued on a metal stem having terminal pins for connection, and packaged.
No. 1311 discloses this type of surface acoustic wave device package (mounting structure for a surface acoustic wave device).
第8図〜第10図は、従来のこの種弾性表面波素子パッ
ケージを示す図で、第8図はその分解斜視図、第9図は
弾性表面波素子パッケージの断面図、第10図は第9図
の要部拡大図である。8 to 10 are views showing conventional surface acoustic wave device packages of this type, with FIG. 8 being an exploded perspective view thereof, FIG. 9 being a sectional view of the surface acoustic wave device package, and FIG. This is an enlarged view of the main part of FIG. 9.
同各回において、1は弾性表面波素子で、例えばリチウ
ムタンタレイト、リチウムナイオベート等からなる圧電
基板2と、該圧電基板2上に形成された薄膜櫛形電極3
とボンデングパッド(接続電極)4とを備えている。5
は金属製のステムで、ガラス樹脂6を介してその一部を
ステム5に埋設された金属製の端子ピン7を具備してい
る。そして、上記ステム5の上面(接着面)5aに、前
記弾性表面波素子1の裏面が適宜接着剤で固着されると
共に、ポンディングパッド4と端子ピン6とが、金属細
線8(例えばAu線)によってワイヤボンディングされ
ている。In each episode, 1 is a surface acoustic wave element, which includes a piezoelectric substrate 2 made of, for example, lithium tantalate, lithium niobate, etc., and a thin film comb-shaped electrode 3 formed on the piezoelectric substrate 2.
and a bonding pad (connection electrode) 4. 5
is a metal stem, and includes a metal terminal pin 7 that is partially embedded in the stem 5 through a glass resin 6. Then, the back surface of the surface acoustic wave element 1 is fixed to the upper surface (adhesive surface) 5a of the stem 5 with an appropriate adhesive, and the bonding pad 4 and the terminal pin 6 are attached to the thin metal wire 8 (for example, an Au wire). ) is wire bonded.
上記構成の弾性表面波素子パッケージは1例えば、図示
せぬプリント配線板に搭載されて、前記端子ピン6がプ
リント配線板の一面に形成した導電パターンと接続され
る。この際、前記ステム5の底面は、プリント配線板の
他面に形成されたアースパターンと密着・接続され、高
周波特性の安定・向上等を図るためのアース(シールド
)対策を施こされるようになっている。The surface acoustic wave device package having the above structure is mounted on, for example, a printed wiring board (not shown), and the terminal pins 6 are connected to a conductive pattern formed on one surface of the printed wiring board. At this time, the bottom surface of the stem 5 is closely connected to the ground pattern formed on the other surface of the printed wiring board, and earthing (shielding) measures are taken to stabilize and improve high frequency characteristics. It has become.
[発明が解決しようとする課題]
ところで上述した従来技術においては、弾性表面波素子
1の薄膜櫛形電極3およびポンディングパッド4と、金
属製のステム5との間のアース間容量についての配慮が
なされていなかった。すなわち、ステム5の接着面5a
はすべて金属面であるため、薄膜櫛形電極3およびポン
ディングパッド4とステム5との間には、第10図に示
したようなアース間容量(浮遊容量: 5tray e
apacit、y)Csが生じ、このアース間容量Cs
を回路設計上不要とする用途の弾性表面波素子には、第
8図〜第10図に示した弾性表面波素子パッケージが使
用できないという問題があった。また、上記アース間容
量Csを、弾性表面波素子の設計パラメータとして取り
入れた場合でも、容量調整が難かしいという問題があり
、総じて素子設計の自由度を大きく阻害していた。[Problems to be Solved by the Invention] In the above-mentioned conventional technology, consideration is not given to the ground capacitance between the thin film comb-shaped electrode 3 and the bonding pad 4 of the surface acoustic wave element 1 and the metal stem 5. It had not been done. That is, the adhesive surface 5a of the stem 5
are all metal surfaces, so there is a ground capacitance (stray capacitance: 5tray e
apacit, y) Cs occurs, and this ground capacitance Cs
There has been a problem in that the surface acoustic wave device packages shown in FIGS. 8 to 10 cannot be used for surface acoustic wave devices for applications in which circuit design does not require the following. Further, even when the ground capacitance Cs is incorporated as a design parameter of a surface acoustic wave device, there is a problem that it is difficult to adjust the capacitance, and as a whole, the degree of freedom in device design is greatly hindered.
本発明は上記の点に鑑みなされたもので、その目的とす
るところは、前記アース間容量をパッケージ側で制御可
能とし、アース間容量を必要としない箇所においてはこ
の容量を実用上無視できる程度に可及的に低減可能で、
素子設計の自由度を大きくできる弾性表面波素子パッケ
ージ(弾性表面波素子の実装構造)を提供することにあ
る。The present invention has been made in view of the above points, and its purpose is to make it possible to control the ground-to-ground capacitance on the package side, and to reduce this capacitance to a level that can be practically ignored in locations where no ground-to-ground capacitance is required. can be reduced as much as possible,
An object of the present invention is to provide a surface acoustic wave device package (mounting structure for a surface acoustic wave device) that can increase the degree of freedom in device design.
[課題を解決するための手段]
本発明は、上記した目的を達成するため、圧電基板上に
薄膜櫛形電極を設けてなる弾性表面波素子と、該弾性表
面波素子の裏面部が載置・接着される金属製のステムと
を備えた弾性表面波素子パッケージにおいて、前記ステ
ムにおける前記弾性表面波素子が密着する部位を非金属
材とするか、もしくは、前記ステムにおける前記弾性表
面波素子が密着する部位のうち、対アース間容量(浮遊
容量)を必要としない部分のみを非金属材とするように
、構成される。[Means for Solving the Problems] In order to achieve the above-mentioned objects, the present invention provides a surface acoustic wave device including a thin film comb-shaped electrode provided on a piezoelectric substrate, and a surface acoustic wave device on which a back surface portion of the surface acoustic wave device is mounted. In a surface acoustic wave device package including a metal stem to be bonded, a portion of the stem to which the surface acoustic wave device is in close contact is made of a non-metallic material, or a portion of the stem to which the surface acoustic wave device is in close contact is made of a non-metallic material. Among the parts that do not require ground-to-ground capacitance (stray capacitance), only those parts are made of non-metallic material.
[作 用コ
上述のように1弾性表面波素子の接着部位を非金属材、
例えばガラス樹脂で構成したステムを用いると、薄膜櫛
形電極およびポンディングパッドとステムの金属部分(
ステムの主体部)の浮遊容量(アース間容量)を可及的
に小さく(実用上無視できる程度に小さく)でき、素子
設計の自由度が大きくなる。[Function] As mentioned above, the adhesive part of the surface acoustic wave element is attached to a non-metallic material,
For example, if a stem made of glass resin is used, the metal part of the stem (
The stray capacitance (ground capacitance) of the main body of the stem can be made as small as possible (so small that it can be ignored in practical terms), and the degree of freedom in element design increases.
[実施例コ 以下、本発明を図示した各実施例によって説明する。[Example code] The present invention will be described below with reference to illustrated embodiments.
第1図〜第3図は本発明の第1実施例による弾性表面波
素子パッケージに係り、第1図は分解斜視図、第2図は
弾性表面波素子パッケージの断面図、第3図は第2図の
要部拡大図である。同各回において、1は弾性表面波素
子、2は圧電基板。1 to 3 relate to a surface acoustic wave device package according to a first embodiment of the present invention, in which FIG. 1 is an exploded perspective view, FIG. 2 is a sectional view of the surface acoustic wave device package, and FIG. 3 is a cross-sectional view of the surface acoustic wave device package. This is an enlarged view of the main parts of Figure 2. In each episode, 1 is a surface acoustic wave element and 2 is a piezoelectric substrate.
3は薄膜櫛形電極、4はボンデインパッド、5は金属製
のステム、6はガラス樹脂、7は端子ピン、8は金属細
線(ホンデイグツイヤ)で、これ等は前記した従来構成
と対応するので、その説明は重複を避けるため割愛する
。3 is a thin film comb-shaped electrode, 4 is a bonding pad, 5 is a metal stem, 6 is a glass resin, 7 is a terminal pin, and 8 is a thin metal wire (Hondaig Tsuya), which correspond to the conventional configuration described above. The explanation is omitted to avoid duplication.
この第1実施例においては、ステム5における弾性表面
波素子1の裏面(圧電基板2の裏面)が密着する部分全
体を、ステム5を貫通する形で抜き取り、代りに非金属
材9を充填しである。この非金属材9の材質は任意であ
るが、該実施例においては生産性を考慮して、前記端子
ピン7埋込み用のガラス樹脂6が用いられている。そし
て、上記非金属材9上に弾性表面波素子1が載置されて
適宜接着剤によって固着されると共に、前記ポンディン
グパッド4と端子ピン7とが、金属細線8によってワイ
ヤボンディングされるようになっている。In this first embodiment, the entire portion of the stem 5 that is in close contact with the back surface of the surface acoustic wave element 1 (the back surface of the piezoelectric substrate 2) is extracted so as to penetrate through the stem 5, and is filled with a non-metallic material 9 instead. It is. The material of this non-metallic material 9 is arbitrary, but in this embodiment, glass resin 6 for embedding the terminal pin 7 is used in consideration of productivity. Then, the surface acoustic wave element 1 is placed on the non-metallic material 9 and fixed with an appropriate adhesive, and the bonding pad 4 and the terminal pin 7 are wire-bonded using the thin metal wire 8. It has become.
斯様な構成をとる該実施例においては、第3図に示すよ
うに、弾性表面波素子1の薄膜櫛形電極3およびポンデ
ィングパッド4と金属製のステム5との間のアース間容
量(浮遊容量)Cs’は、極く微少なものとなり、回路
設計上無視できる程度に小さくなる。よって、浮遊容量
による制約を受けない弾性表面波素子パッケージ及びこ
れを用いた回路構築が可能となって、設計の自由度が大
幅に向上する。In this embodiment having such a configuration, as shown in FIG. The capacitance) Cs' is extremely small and can be ignored in terms of circuit design. Therefore, it becomes possible to construct a surface acoustic wave element package that is not restricted by stray capacitance and a circuit using the same, and the degree of freedom in design is greatly improved.
第4図および第5図は本発明の第2実施例に係り、第4
図は弾性表面波素子1とステム5とを分解して平面から
見て示す説明図、第5図は弾性表面波素子1をステム5
に実装した状態における第4図のA−A線断面図である
。この第2実施例においては、ステム5における弾性表
面波素子1が密着する領域S(図示点線でハツチングを
施こした領域)のうち、一部分を前記非金属材9で構成
しである。斯様な構成をとる該実施例においては、ステ
ム5との間にアース間容量を必要とする薄膜櫛形電極3
Aと、アース間容量を必要としない薄膜櫛形電極3Bと
を、同一ステム5上に混在させた弾性表面波素子パッケ
ージを作製でき、設計の自由度が大いに高まる。4 and 5 relate to the second embodiment of the present invention, and FIG.
The figure is an explanatory diagram showing the surface acoustic wave element 1 and the stem 5 disassembled and viewed from the top, and FIG. 5 shows the surface acoustic wave element 1 and the stem 5.
FIG. 5 is a sectional view taken along the line A-A in FIG. 4 in a state where the device is mounted on the device; In this second embodiment, a portion of the region S (the region hatched with dotted lines in the figure) in which the surface acoustic wave element 1 is in close contact with the stem 5 is made of the non-metallic material 9. In this embodiment having such a configuration, the thin film comb-shaped electrode 3 which requires a ground capacitance between the stem 5 and the
A surface acoustic wave device package can be manufactured in which A and the thin film comb-shaped electrode 3B, which does not require a ground-to-ground capacitance, are mixed on the same stem 5, and the degree of freedom in design is greatly increased.
第6図および第7図は本発明の第3実施例に係り、第6
図はステム5の斜視図、第7図はステム5の断面図であ
る。この第3実施例においては、ステム5における弾性
表面波素子1が密着する部分を非金属材9とするも、該
非金属材9の厚みtを調整することで、薄膜櫛形電極3
およびポンディングパッド4と対向するステム5の金属
面までの距離を可変設定できるようにしである。斯様な
構成をとる該実施例によれば、薄膜櫛形電極3およびポ
ンディングパッド4と、金属製のステム5との間のアー
ス間容量(浮遊容量)を回路設計上必要とする所望値に
設定できる。6 and 7 relate to the third embodiment of the present invention, and FIG.
The figure is a perspective view of the stem 5, and FIG. 7 is a sectional view of the stem 5. In this third embodiment, although the portion of the stem 5 that the surface acoustic wave element 1 is in close contact with is made of a non-metallic material 9, by adjusting the thickness t of the non-metallic material 9, the thin film comb-shaped electrode 3
Also, the distance to the metal surface of the stem 5 facing the bonding pad 4 can be variably set. According to this embodiment having such a configuration, the ground capacitance (stray capacitance) between the thin film comb-shaped electrode 3 and the bonding pad 4 and the metal stem 5 can be set to a desired value required for circuit design. Can be set.
[発明の効果コ
以上のように本発明によれば、弾性表面波素子の薄膜櫛
形電極およびポンディングパッドと金属製ステムとの間
のアース間容量(浮遊容量)を容易に調整でき、このア
ース間容量を必要としないものについては、該容量を実
用上無視できる程度に可及的に低減可能となり、以って
1弾性表面波素子の素子設計およびこれを用いた回路設
計の自由度が大幅に向上し、また、回路動作精度も良好
なものとなる。[Effects of the Invention] As described above, according to the present invention, the ground capacitance (stray capacitance) between the thin film comb-shaped electrode and the bonding pad of the surface acoustic wave element and the metal stem can be easily adjusted, and the ground capacitance (stray capacitance) can be easily adjusted. For devices that do not require intermediate capacitance, this capacitance can be reduced as much as possible to the point where it can be ignored in practical terms, thereby greatly increasing the degree of freedom in element design of a single surface acoustic wave element and circuit design using this element. In addition, the accuracy of circuit operation is also improved.
第1図〜第3図は本発明の1実施例による弾性表面波素
子パッケージに係り、第1図はその分解斜視図、第2図
は弾性表面波素子パッケージの断面図、第3図は第2図
の要部拡大図、第4図および第5図は本発明の第2実施
例に係り、第4図は弾性表面波素子とステムとを分解し
て平面から見て示す説明図、第5図は弾性表面波素子を
ステムに実装した状態における第4図のA−A線断面図
、第6図および第7図は本発明の第3実施例に係り、第
6図はステムの斜視図、第7図はステムの断面図、第8
図〜第10図は従来例による弾性表面波素子パッケージ
に係り、第8図はその分解斜視図、第9図は弾性表面波
素子パッケージの断面図、第10図は第9図の要部拡大
図である。
1・・・・・・弾性表面波素子、2・・・・・・圧電基
板、3゜3A、3B・・・・・・薄膜櫛形電極、4・・
・・・・ポンディングパッド、5・・・・・・ステム、
6・・・・・・ガラス樹脂、7・・・・・・端子ピン、
ぎ・・・・・・金属細線(ボンディングワイヤ)、9・
・・・・・非金属材。
第6図
第7図
第
図
第1O図1 to 3 relate to a surface acoustic wave device package according to an embodiment of the present invention, FIG. 1 is an exploded perspective view thereof, FIG. 2 is a sectional view of the surface acoustic wave device package, and FIG. 2, and FIGS. 4 and 5 relate to the second embodiment of the present invention. FIG. 5 is a cross-sectional view taken along the line A-A in FIG. 4 in a state in which the surface acoustic wave element is mounted on the stem, FIGS. 6 and 7 relate to the third embodiment of the present invention, and FIG. 6 is a perspective view of the stem. Figure 7 is a sectional view of the stem, Figure 8 is a cross-sectional view of the stem.
Figures to Figures 10 relate to conventional surface acoustic wave device packages, where Figure 8 is an exploded perspective view thereof, Figure 9 is a sectional view of the surface acoustic wave element package, and Figure 10 is an enlarged view of the main part of Figure 9. It is a diagram. 1...Surface acoustic wave element, 2...Piezoelectric substrate, 3°3A, 3B...Thin film comb-shaped electrode, 4...
...Ponding pad, 5...Stem,
6...Glass resin, 7...Terminal pin,
G... Thin metal wire (bonding wire), 9.
...Non-metallic material. Figure 6 Figure 7 Figure 1O Figure
Claims (3)
素子と、該弾性表面波素子の裏面部が載置・接着される
金属製のステムとを備えた弾性表面波素子パツケージに
おいて、前記ステムにおける前記弾性表面波素子が密着
する部位を非金属材としたことを特徴とする弾性表面波
素子パツケージ。1. A surface acoustic wave device package comprising a surface acoustic wave device having thin film comb-shaped electrodes provided on a piezoelectric substrate, and a metal stem on which a back surface portion of the surface acoustic wave device is placed and bonded. A surface acoustic wave device package, characterized in that a portion to which the surface acoustic wave device is in close contact is made of a non-metallic material.
素子と、該弾性表面波素子の裏面部が載置・接着される
金属製のステムとを備えた弾性表面波素子パツケージに
おいて、前記ステムにおける前記弾性表面波素子が密着
する部位のうち、対アース間容量(浮遊容量)を必要と
しない部分のみを非金属材としたことを特徴とする弾性
表面波素子パッケージ。2. A surface acoustic wave device package comprising a surface acoustic wave device having thin film comb-shaped electrodes provided on a piezoelectric substrate, and a metal stem on which a back surface portion of the surface acoustic wave device is placed and bonded. A surface acoustic wave device package characterized in that, of the portions to which the surface acoustic wave device is in close contact, only those portions that do not require ground-to-ground capacitance (stray capacitance) are made of non-metallic material.
る前記弾性表面波素子が密着する部位に配設される前記
非金属材の厚みを可変設定可能としたことを特徴とする
弾性表面波素子パツケージ。3. 3. The surface acoustic wave device package according to claim 1, wherein the thickness of the non-metallic material disposed at a portion of the stem where the surface acoustic wave device is in close contact can be variably set.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1214076A JPH0378263A (en) | 1989-08-22 | 1989-08-22 | Surface acoustic wave device package |
Applications Claiming Priority (1)
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JP1214076A JPH0378263A (en) | 1989-08-22 | 1989-08-22 | Surface acoustic wave device package |
Publications (1)
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JPH0378263A true JPH0378263A (en) | 1991-04-03 |
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JP1214076A Pending JPH0378263A (en) | 1989-08-22 | 1989-08-22 | Surface acoustic wave device package |
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Country | Link |
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JP (1) | JPH0378263A (en) |
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1989
- 1989-08-22 JP JP1214076A patent/JPH0378263A/en active Pending
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