JPH036023A - 微細金属パターンの形成方法 - Google Patents
微細金属パターンの形成方法Info
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- JPH036023A JPH036023A JP14058389A JP14058389A JPH036023A JP H036023 A JPH036023 A JP H036023A JP 14058389 A JP14058389 A JP 14058389A JP 14058389 A JP14058389 A JP 14058389A JP H036023 A JPH036023 A JP H036023A
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Landscapes
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
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- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は微細金属パターンの形成方法に関する。
従来この種の微細金属パターン形成方法としてはめっき
用の下地金属をスパッタ等で基板全面に付着した後レジ
ストパターンを形成して、さらに下地金属と同種の金属
を電気めっき法でパターンめっきし、レジストパターン
を除去した後にイオンミリング、スパッタエッチあるい
は種々のエツチング液を用いたウェットエッチ法により
レジストパターンの下にあった不要部分の下地金属を除
去する手法がよく用いられている（例ば特開昭５０・９
５１４７）。
用の下地金属をスパッタ等で基板全面に付着した後レジ
ストパターンを形成して、さらに下地金属と同種の金属
を電気めっき法でパターンめっきし、レジストパターン
を除去した後にイオンミリング、スパッタエッチあるい
は種々のエツチング液を用いたウェットエッチ法により
レジストパターンの下にあった不要部分の下地金属を除
去する手法がよく用いられている（例ば特開昭５０・９
５１４７）。
上述した従来の微細金属パターン形成方法では、パター
ン幅が細い場合に下地金属の除去が困難になるという欠
点がある。特に線間隔が２μｍ以下、パターンの膜厚が
３μｍ以上となるような高密度配線パターンの場合は、
従来良く用いられているイオンミリングでは、ミリング
された金属の再付着などにより、下地金属の除去がほと
んどできないという欠点があった。
ン幅が細い場合に下地金属の除去が困難になるという欠
点がある。特に線間隔が２μｍ以下、パターンの膜厚が
３μｍ以上となるような高密度配線パターンの場合は、
従来良く用いられているイオンミリングでは、ミリング
された金属の再付着などにより、下地金属の除去がほと
んどできないという欠点があった。
本発明の微細パターン形成方法は金属膜を基板全体に付
着する工程とフォトレジストパターンを金属膜上に形成
する工程と、電気めっきにより該金属膜より電気化学的
に貴である金属パターンを該フォトレジストパターン以
外の該金属膜をウェットエツチングする工程とを含むこ
とを特徴とする。
着する工程とフォトレジストパターンを金属膜上に形成
する工程と、電気めっきにより該金属膜より電気化学的
に貴である金属パターンを該フォトレジストパターン以
外の該金属膜をウェットエツチングする工程とを含むこ
とを特徴とする。
Ｃ実施例〕
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例の工程の基板断面図の一部を
示す。
示す。
（ａ）はＳｉまたはＡ ！！ ２０３などの半導体もし
くは非導体の基板１の上にめっき下地膜３としてのＮｉ
を３０００人スパッタ法で付着した状態を示す。この上
にポジティブフォトレジストをマスクを通して露光・現
像して所望のコイルのネガ状態のレジストマスク４が（
ｂ）に示すように形成される。下地膜３をカソードする
ことによ１７Ｃｕが電気めっきされ（Ｃ）のようにＣｕ
コイルパターン５が形成される。（ｄ）に示すようにレ
ジストマスク４を剥離した後、３．５％塩化第２鉄水溶
液に浸す。
くは非導体の基板１の上にめっき下地膜３としてのＮｉ
を３０００人スパッタ法で付着した状態を示す。この上
にポジティブフォトレジストをマスクを通して露光・現
像して所望のコイルのネガ状態のレジストマスク４が（
ｂ）に示すように形成される。下地膜３をカソードする
ことによ１７Ｃｕが電気めっきされ（Ｃ）のようにＣｕ
コイルパターン５が形成される。（ｄ）に示すようにレ
ジストマスク４を剥離した後、３．５％塩化第２鉄水溶
液に浸す。
塩化第２鉄水溶液はＮｉもＣｕも溶かすがＮｉよりＣｕ
の方が電気化学的に貴であるためにＮｉの溶解が促進さ
れ（ｅ）に示すように不要部分の下地膜３が除去される
。
の方が電気化学的に貴であるためにＮｉの溶解が促進さ
れ（ｅ）に示すように不要部分の下地膜３が除去される
。
この手法はＮｉとＣｕだけでなく他の金属の組み合わせ
（ＡｕとＣｕなど）でも適用できる。
（ＡｕとＣｕなど）でも適用できる。
以上説明したように本発明は、めっき膜にめっき下地よ
り責な材料を用いることにより、下地膜のエツチングが
速やかに進行し、微細金属パターンを一容易に形成する
ことができる効果がある。
り責な材料を用いることにより、下地膜のエツチングが
速やかに進行し、微細金属パターンを一容易に形成する
ことができる効果がある。
第１図は本発明の一実施例の工程図を示す図である。
１・・・・・・基板、３・・・・・・下地膜、４・・・
・・・レジストマスク、５・・・・・・Ｃｕコイルパタ
ーン。
・・・レジストマスク、５・・・・・・Ｃｕコイルパタ
ーン。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 金属膜を基板全体に付着する工程と、 フォトレジストパターンを金属膜上に形成する工程と、 電気めっきにより前記金属膜より電気化学的に貴である
金属パターンを該フォトレジストパターン以外の該金属
膜上に形成する工程と、 前記フォトレジストパターン除去後露出した前記金属膜
をウェットエッチング除去する工程と、を含むことを特
徴とする微細金属パターンの形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14058389A JPH036023A (ja) | 1989-06-02 | 1989-06-02 | 微細金属パターンの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14058389A JPH036023A (ja) | 1989-06-02 | 1989-06-02 | 微細金属パターンの形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH036023A true JPH036023A (ja) | 1991-01-11 |
Family
ID=15272068
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14058389A Pending JPH036023A (ja) | 1989-06-02 | 1989-06-02 | 微細金属パターンの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH036023A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6117784A (en) * | 1997-11-12 | 2000-09-12 | International Business Machines Corporation | Process for integrated circuit wiring |
| KR100530737B1 (ko) * | 2000-01-27 | 2005-11-28 | 한국전자통신연구원 | 멀티 칩 모듈 기판 제조공정에서 전기 도금에 의한 금속배선 제조 방법 |
-
1989
- 1989-06-02 JP JP14058389A patent/JPH036023A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6117784A (en) * | 1997-11-12 | 2000-09-12 | International Business Machines Corporation | Process for integrated circuit wiring |
| KR100530737B1 (ko) * | 2000-01-27 | 2005-11-28 | 한국전자통신연구원 | 멀티 칩 모듈 기판 제조공정에서 전기 도금에 의한 금속배선 제조 방법 |
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