JPH0330332A - パターン形成方法 - Google Patents
パターン形成方法Info
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- JPH0330332A JPH0330332A JP16479289A JP16479289A JPH0330332A JP H0330332 A JPH0330332 A JP H0330332A JP 16479289 A JP16479289 A JP 16479289A JP 16479289 A JP16479289 A JP 16479289A JP H0330332 A JPH0330332 A JP H0330332A
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 20
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 18
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 9
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims description 8
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 9
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 abstract 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 7
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明はパターン形成方法、特に金属薄膜からなるパ
ターンの形成方法に関する。
ターンの形成方法に関する。
金属薄膜からなるパターンとして、半導体装置における
Ａｆパターン、例えば、第４図にみるように、絶縁基材
２１表面に形成された配線用ＡＮパターン２２がある。
Ａｆパターン、例えば、第４図にみるように、絶縁基材
２１表面に形成された配線用ＡＮパターン２２がある。
この場合、絶縁基材２１としては、半導体層の上に絶縁
層が形成されてなる基板が例示される。
層が形成されてなる基板が例示される。
このＡＩ （アルミニウム）パターン２２の形成方法の
ひとつとして従来、つぎのような方法がある。
ひとつとして従来、つぎのような方法がある。
まず、絶縁基材２１表面全面にＡＮ薄ＩＩｌ！（金属薄
膜）を形成する。ついで、このＡＩｌ薄膜の所定パター
ンに対応する部分をパターンマスクで覆う、その後、未
マスク部分のＡｌ薄膜をドライエツチング法のひとつで
あるＲＩＥ（反応性イオンチンチング＋ ＲｅａｃＬｉ
ｖｅ ｔｏｎ ｅｔｃｈｉｎｇ）法により選択的に除去
する。そうすれば、Ａｌパターン２２が完成する。この
ＲＩＥ法を用いた場合、湿式エツチング法を用いた場合
に比べ、パターン幅を細くすることができるという利点
がある。
膜）を形成する。ついで、このＡＩｌ薄膜の所定パター
ンに対応する部分をパターンマスクで覆う、その後、未
マスク部分のＡｌ薄膜をドライエツチング法のひとつで
あるＲＩＥ（反応性イオンチンチング＋ ＲｅａｃＬｉ
ｖｅ ｔｏｎ ｅｔｃｈｉｎｇ）法により選択的に除去
する。そうすれば、Ａｌパターン２２が完成する。この
ＲＩＥ法を用いた場合、湿式エツチング法を用いた場合
に比べ、パターン幅を細くすることができるという利点
がある。
しかしながら、パターン間の空きスペースの大きなとこ
ろがあると、その近傍のパターンの線幅が設針値よりも
ずっと小さくなりすぎて信頼性が低くなるという問題が
ある。第５図にみるように、大きな空きスペース近傍の
パターン２２の場合、パターンマスク２３の下までエツ
チングが進行（サイドエッチ）し、パターンが細ってし
まうのである。
ろがあると、その近傍のパターンの線幅が設針値よりも
ずっと小さくなりすぎて信頼性が低くなるという問題が
ある。第５図にみるように、大きな空きスペース近傍の
パターン２２の場合、パターンマスク２３の下までエツ
チングが進行（サイドエッチ）し、パターンが細ってし
まうのである。
この発明は、上記事情に鑑み、ドライエツチングを用い
て金属薄膜からなるパターンを形成する場合に、サイド
エッチを効果的に抑制することのできるパターン形成方
法を提供することを課題とする。
て金属薄膜からなるパターンを形成する場合に、サイド
エッチを効果的に抑制することのできるパターン形成方
法を提供することを課題とする。
前記課題を解決するため、この発明のパターン形成方法
では、パターンマスクを施す際にパターン間の空きスペ
ースの大きなところにダミーマスクを施すようにしてい
る。
では、パターンマスクを施す際にパターン間の空きスペ
ースの大きなところにダミーマスクを施すようにしてい
る。
この発明における金属″”？ｌＪ膜としては、ＡＩ！薄
膜、銅薄膜、金薄膜、白金薄膜等が例示されるが、これ
らに限らない。
膜、銅薄膜、金薄膜、白金薄膜等が例示されるが、これ
らに限らない。
また、マスクとしては、例えば、感光性レジスト材等を
用いて形成したものが使われるが、これに限らない。
用いて形成したものが使われるが、これに限らない。
ドライエツチング法としては、例えば、ＲＩＥ（反応性
イオンチッチング： Ｒｅａｃｔｉｖｅ ｔｏｎ ｅｔ
ｃｈｉｎｇ）法等が例示されるが、これに限らない。
イオンチッチング： Ｒｅａｃｔｉｖｅ ｔｏｎ ｅｔ
ｃｈｉｎｇ）法等が例示されるが、これに限らない。
この発明にかかるパターン形成方法では、パターン間に
大きな空きスペースがあっても、そこにはダミーパター
ンが設けられているため、サイドエッチが進みにくり、
略設計通りの幅のパターンが得られる。
大きな空きスペースがあっても、そこにはダミーパター
ンが設けられているため、サイドエッチが進みにくり、
略設計通りの幅のパターンが得られる。
しかも、ダミーマスクをパターンマスクと同時に形成す
るために手間やコストが事実上変わらず、実施が極めて
容易である。
るために手間やコストが事実上変わらず、実施が極めて
容易である。
以下、この発明にかかるパターン形成方法の一実施例を
図面を参照しながら詳しく説明する。
図面を参照しながら詳しく説明する。
まず、第１図（ａ）、（ｂ）にみるように、絶縁基材１
表面全面にＡＩｔ薄１！！！ （金属薄膜）２を形成し
、ついで、感光性レジスト材等を用いてマスク３を形成
する。マスク３は、パターンマスク３ａとダミーマスク
３ｂ、３ｃとからなり、これらマスク３ａ％ ３ ｂｓ
３ ｃは全て同時形成されるものであることは前述の
通りである。パターンマスク３ａはＡｌ１１１１ｍ！２
の所定パターンに対応する部分を覆い、ダミーマスク３
ｂ、３ｃは、パターン間の空きスペースの大きなところ
を覆うように形成されている。
表面全面にＡＩｔ薄１！！！ （金属薄膜）２を形成し
、ついで、感光性レジスト材等を用いてマスク３を形成
する。マスク３は、パターンマスク３ａとダミーマスク
３ｂ、３ｃとからなり、これらマスク３ａ％ ３ ｂｓ
３ ｃは全て同時形成されるものであることは前述の
通りである。パターンマスク３ａはＡｌ１１１１ｍ！２
の所定パターンに対応する部分を覆い、ダミーマスク３
ｂ、３ｃは、パターン間の空きスペースの大きなところ
を覆うように形成されている。
マスク３を形成した後、未マスク部分のＡＪ薄膜をドラ
イエツチング法のひとつであるＲＩＥ （反応性イオン
チッチング： Ｒｅａｃｔｉｖｅ ｉｏｎ ｅｔｃｈｉ
ｎｇ）法により選択的に除去する。
イエツチング法のひとつであるＲＩＥ （反応性イオン
チッチング： Ｒｅａｃｔｉｖｅ ｉｏｎ ｅｔｃｈｉ
ｎｇ）法により選択的に除去する。
そうすれば、第２図にみるように、ＡＩパターン２ａお
よびダミーＡｌパターン２ｂ、２ｃが形成される。Ａ１
パターン２ａは、ダミーマスク３ｂ、３ｃがあるために
、第３図にみるように、サイドエッチが進み難く、略マ
スク幅通りのパターン幅となっている。
よびダミーＡｌパターン２ｂ、２ｃが形成される。Ａ１
パターン２ａは、ダミーマスク３ｂ、３ｃがあるために
、第３図にみるように、サイドエッチが進み難く、略マ
スク幅通りのパターン幅となっている。
なお、ダミーマスクの形状は実施例のものに限らず、適
宜に通光な形状のものを用いることができるし、ダミー
Ａｌパターンをこの後で必要に応じて除去するようにし
てもよい。
宜に通光な形状のものを用いることができるし、ダミー
Ａｌパターンをこの後で必要に応じて除去するようにし
てもよい。
以上述べたように、この発明にかかるパターン形成方法
では、パターンマスクを施す際にパターン間の空きスペ
ースの大きなところにダミーマスクも施すようにしてい
るため、ドライエ・７チングを用いて金属薄膜からなる
パターンを形成する場合にも、サイドエッチを効果的に
抑制することができ、略設計通りの幅のパターンが得ら
れるようになる。
では、パターンマスクを施す際にパターン間の空きスペ
ースの大きなところにダミーマスクも施すようにしてい
るため、ドライエ・７チングを用いて金属薄膜からなる
パターンを形成する場合にも、サイドエッチを効果的に
抑制することができ、略設計通りの幅のパターンが得ら
れるようになる。
第１図（ａ）、（ｂ）は、この発明のパターン形成方法
の一例におけるパターンマスクおよびダミーマスクのあ
る基材をあられす図面であって、図（ａ）は平面図であ
り、図（ｂ）は部分断面図である。第２図は、この−例
により得られたパターンをあられす平面図、第３図は、
上記−例におけるドライエツチング直後の状態を説明す
るための部分断面図、第４図は、従来のパターン形成方
法の一例によりｉ４られたパターンをあられす平面図、
第５図は、この従来法におけるドライエツチング直後の
状態を説明するための部分断面図である。 １・・・絶縁基材（基材） ２・・・全屈薄膜（、ｌ
薄膜） ２ａ・・・ＡＮパターン ２ｂ、２Ｃ・・・
ダミーＡβパターン ３ａ・・・パターンマスク
３ｂ、３ｃ・・・ダミーマスク
の一例におけるパターンマスクおよびダミーマスクのあ
る基材をあられす図面であって、図（ａ）は平面図であ
り、図（ｂ）は部分断面図である。第２図は、この−例
により得られたパターンをあられす平面図、第３図は、
上記−例におけるドライエツチング直後の状態を説明す
るための部分断面図、第４図は、従来のパターン形成方
法の一例によりｉ４られたパターンをあられす平面図、
第５図は、この従来法におけるドライエツチング直後の
状態を説明するための部分断面図である。 １・・・絶縁基材（基材） ２・・・全屈薄膜（、ｌ
薄膜） ２ａ・・・ＡＮパターン ２ｂ、２Ｃ・・・
ダミーＡβパターン ３ａ・・・パターンマスク
３ｂ、３ｃ・・・ダミーマスク
Claims (1)
- １ 基材表面に形成された金属薄膜の所定パターンに対
応する部分をパターンマスクで覆っておいて、未マスク
部分の金属薄膜をドライエッチング法により選択的に除
去するパターン形成方法において、前記パターンマスク
を施す際にパターン間の空きスペースの大きなところに
ダミーマスクを施すようにすることを特徴とするパター
ン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16479289A JPH0330332A (ja) | 1989-06-27 | 1989-06-27 | パターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16479289A JPH0330332A (ja) | 1989-06-27 | 1989-06-27 | パターン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0330332A true JPH0330332A (ja) | 1991-02-08 |
Family
ID=15800030
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16479289A Pending JPH0330332A (ja) | 1989-06-27 | 1989-06-27 | パターン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0330332A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1043626A1 (en) * | 1999-04-06 | 2000-10-11 | STMicroelectronics S.r.l. | A method for improving the performance of photolithographic equipment and for increasing the lifetime of the optics thereof |
| US7063923B2 (en) | 2002-07-11 | 2006-06-20 | United Electronics Corp. | Optical proximity correction method |
-
1989
- 1989-06-27 JP JP16479289A patent/JPH0330332A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1043626A1 (en) * | 1999-04-06 | 2000-10-11 | STMicroelectronics S.r.l. | A method for improving the performance of photolithographic equipment and for increasing the lifetime of the optics thereof |
| US7063923B2 (en) | 2002-07-11 | 2006-06-20 | United Electronics Corp. | Optical proximity correction method |
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