JPH03257430A - 光制御デバイス - Google Patents
光制御デバイスInfo
- Publication number
- JPH03257430A JPH03257430A JP5698490A JP5698490A JPH03257430A JP H03257430 A JPH03257430 A JP H03257430A JP 5698490 A JP5698490 A JP 5698490A JP 5698490 A JP5698490 A JP 5698490A JP H03257430 A JPH03257430 A JP H03257430A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- control electrode
- buffer layer
- optical
- crystal substrate
- optical waveguide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 66
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 31
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 26
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 14
- 230000008878 coupling Effects 0.000 abstract description 12
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 abstract description 12
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 abstract description 12
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 21
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 13
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 6
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 description 1
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 229910001635 magnesium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/29—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the position or the direction of light beams, i.e. deflection
- G02F1/31—Digital deflection, i.e. optical switching
- G02F1/313—Digital deflection, i.e. optical switching in an optical waveguide structure
- G02F1/3132—Digital deflection, i.e. optical switching in an optical waveguide structure of directional coupler type
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は光波の変調、光切り替えなどを行う光制御デバ
イスに関し、特に基板中に設けた光導波路を用いて制御
を行う導波形の光制御デバイスに関する。
イスに関し、特に基板中に設けた光導波路を用いて制御
を行う導波形の光制御デバイスに関する。
光通信システムの実用化が進むにつれ、さらに大容量や
多機能を持つ高度のシステムが求められており、高度の
光信号の発生や光伝送路の切り替え、交換などの新たな
機能の付加が必要とされている。従来の実用システムで
は光信号は直接半導体レーザや発光ダイオードの注入電
流を変調することによって得られているが、直接変調で
は緩和振動などの効果のため10GHz以上の高速変調
が難しいこと、波長変動が発生するためコヒーレント光
伝送方式には適用が難しいなどの欠点かある。これを解
決する手段としては、外部変調器を使用する方法があり
、特に基板中に形成した光導波路により構成した導波形
の光変調器は、小型高効玲、高速という特長がある。一
方、光伝送路の切り替えやネットワークの交換機能を得
る手段としては光スィッチが使用される。従来実用され
ている光スィッチは、プリズム ミラー、ファイバーな
どを機械的に移動させるものであり、低速であること、
信頼性が不十分、形状が大きくマトリクス化に不適等の
欠点がある。これを解決する手段と1−て開発が進めら
れているものとして光導波路を用いた導波形の光スィッ
チがあり、高速、多素子の集積化が可能及び高信頼性等
の特長がある。特にニオブ酸リチウム(Linb03)
結晶との強誘電体材料を用いたものは、光吸収が小さく
低損失であること、大きな電気光学効果を有しているた
め高効率である等の特長があり、従来がらも方向性結合
器型光変調器・スイッチ、全反射型光スイッチ、マツハ
ツエンダ型光変調器等の種々の方式の光制御素子が報告
されている。このような導波形の光制御素子を実際の光
通信システムに適用する場合、低損失、高速性等の基本
的性能と同時に特に、動作特性の再現性における製造上
の高歩留り化が実用上不可欠である。
多機能を持つ高度のシステムが求められており、高度の
光信号の発生や光伝送路の切り替え、交換などの新たな
機能の付加が必要とされている。従来の実用システムで
は光信号は直接半導体レーザや発光ダイオードの注入電
流を変調することによって得られているが、直接変調で
は緩和振動などの効果のため10GHz以上の高速変調
が難しいこと、波長変動が発生するためコヒーレント光
伝送方式には適用が難しいなどの欠点かある。これを解
決する手段としては、外部変調器を使用する方法があり
、特に基板中に形成した光導波路により構成した導波形
の光変調器は、小型高効玲、高速という特長がある。一
方、光伝送路の切り替えやネットワークの交換機能を得
る手段としては光スィッチが使用される。従来実用され
ている光スィッチは、プリズム ミラー、ファイバーな
どを機械的に移動させるものであり、低速であること、
信頼性が不十分、形状が大きくマトリクス化に不適等の
欠点がある。これを解決する手段と1−て開発が進めら
れているものとして光導波路を用いた導波形の光スィッ
チがあり、高速、多素子の集積化が可能及び高信頼性等
の特長がある。特にニオブ酸リチウム(Linb03)
結晶との強誘電体材料を用いたものは、光吸収が小さく
低損失であること、大きな電気光学効果を有しているた
め高効率である等の特長があり、従来がらも方向性結合
器型光変調器・スイッチ、全反射型光スイッチ、マツハ
ツエンダ型光変調器等の種々の方式の光制御素子が報告
されている。このような導波形の光制御素子を実際の光
通信システムに適用する場合、低損失、高速性等の基本
的性能と同時に特に、動作特性の再現性における製造上
の高歩留り化が実用上不可欠である。
第5図(a)、(b)は従来の光制御デバイスの一例の
平面図及び断面図である。第5図<a)においてZ軸に
垂直に切り出したニオブ酸リチウム結晶基板1の上にチ
タンを拡散して屈折率を基板よりも大きくして形成した
帯状の光導波路2及び3が形成されており、光導波路2
及び3は基板の中央部で互いに数μm程度まで近接し、
方向性結合器4を形成している。また、方向性結合器4
を構成する光導波路上には制御電極による光吸収を防ぐ
ためのバッファ層6を介して制御電極5が形成されてい
る。第5図(b)は方向性結合器4の部分の光導波路2
,3に垂直な断面図を示している。
平面図及び断面図である。第5図<a)においてZ軸に
垂直に切り出したニオブ酸リチウム結晶基板1の上にチ
タンを拡散して屈折率を基板よりも大きくして形成した
帯状の光導波路2及び3が形成されており、光導波路2
及び3は基板の中央部で互いに数μm程度まで近接し、
方向性結合器4を形成している。また、方向性結合器4
を構成する光導波路上には制御電極による光吸収を防ぐ
ためのバッファ層6を介して制御電極5が形成されてい
る。第5図(b)は方向性結合器4の部分の光導波路2
,3に垂直な断面図を示している。
第5図において、光導波路2に入射した入射光7は方向
性結合器4の部分を伝搬するにしたがって近接した先導
波路3へ徐々に光りエネルギーが移り、方向性結合器4
を通過後は先導波路3にほぼ100%エネルギーが移っ
て出射光8となる。
性結合器4の部分を伝搬するにしたがって近接した先導
波路3へ徐々に光りエネルギーが移り、方向性結合器4
を通過後は先導波路3にほぼ100%エネルギーが移っ
て出射光8となる。
一方、制御電極5に電圧を印加した場合、電気光学効果
により制御電極下の光導波路の屈折率が変化し、光導波
路2と3を伝搬する導波モードの間に位相速度の不整合
が生じ、両者の間の結合状態は変化する。
により制御電極下の光導波路の屈折率が変化し、光導波
路2と3を伝搬する導波モードの間に位相速度の不整合
が生じ、両者の間の結合状態は変化する。
上述した従来の光制御デバイスにおいて、制御電極5は
、制御電極用膜を形成後マスクを用いたりソグラヒイ法
などにより制御電極以外の制御電極用膜をエツチングに
より除去して形成する。バッファ層6及び制御電極5の
形成時には各堆積膜と下地の物質の熱膨張係数の違い及
びポアソン比等の弾性定数の違いなどにより基板に対し
て歪が発生することが知られている。この状態では、成
膜時に有していた歪量は均一に誘電体結晶基板全体に分
布するため、先導波路及び誘電体結晶基板の屈折Wの絶
対値は変化しても、先導波路の誘電対結晶に対する屈折
率差は成膜前後において変化しない。従って、先導波路
特性は先導波路を誘電体結晶基板に形成したときの特性
を保持しており、方向性結合器の結合状態になんら変化
を与えない。しかし、その後制御電極用膜をエツチング
することで形成された制御電極部は弾性的に不連続であ
るため、制御電極形成時に変動する歪が制御電極近傍に
不均一に集中し局在する。この歪により強誘電体結晶基
板1ではピエゾ効果及び光弾性効果などにより屈折率の
変動をもならす。従って、この屈折率変動が制御電極近
傍に形成されている先導波路近傍にも影響を与え、先導
波路特性を変化させてしまう。その結果、方向性結合器
4の結合状態は変化するため、所望の光導波結合状態が
得られないという問題を有している。なお、この結合状
態の変化量はバッファ層膜及び制御電極用膜の成形のバ
ッチ毎に変化に差があり、所望の特性を高歩留りで製造
することができなかった。
、制御電極用膜を形成後マスクを用いたりソグラヒイ法
などにより制御電極以外の制御電極用膜をエツチングに
より除去して形成する。バッファ層6及び制御電極5の
形成時には各堆積膜と下地の物質の熱膨張係数の違い及
びポアソン比等の弾性定数の違いなどにより基板に対し
て歪が発生することが知られている。この状態では、成
膜時に有していた歪量は均一に誘電体結晶基板全体に分
布するため、先導波路及び誘電体結晶基板の屈折Wの絶
対値は変化しても、先導波路の誘電対結晶に対する屈折
率差は成膜前後において変化しない。従って、先導波路
特性は先導波路を誘電体結晶基板に形成したときの特性
を保持しており、方向性結合器の結合状態になんら変化
を与えない。しかし、その後制御電極用膜をエツチング
することで形成された制御電極部は弾性的に不連続であ
るため、制御電極形成時に変動する歪が制御電極近傍に
不均一に集中し局在する。この歪により強誘電体結晶基
板1ではピエゾ効果及び光弾性効果などにより屈折率の
変動をもならす。従って、この屈折率変動が制御電極近
傍に形成されている先導波路近傍にも影響を与え、先導
波路特性を変化させてしまう。その結果、方向性結合器
4の結合状態は変化するため、所望の光導波結合状態が
得られないという問題を有している。なお、この結合状
態の変化量はバッファ層膜及び制御電極用膜の成形のバ
ッチ毎に変化に差があり、所望の特性を高歩留りで製造
することができなかった。
第1の本発明の光制御デバイスは、電気光学効果を有す
る誘電体結晶基板に形成された光導波路と前記誘電体結
晶基板表面に堆積されたバッファ層とこのバッファ層の
上の前記先導波路の近傍に設けられた制御電極とを含ん
で構成される光制御デバイスにおいて、前記制御電極の
近傍の前記バッファ層に所定間隔の起伏を形成する。
る誘電体結晶基板に形成された光導波路と前記誘電体結
晶基板表面に堆積されたバッファ層とこのバッファ層の
上の前記先導波路の近傍に設けられた制御電極とを含ん
で構成される光制御デバイスにおいて、前記制御電極の
近傍の前記バッファ層に所定間隔の起伏を形成する。
第2の本発明の光制御デバイスは、電気光学効果を有す
る誘電体結晶基板に形成された先導波路と該光導波路の
近傍に設けられた制御電極とを含んで構成される光制御
デバイスにおいて、前記制御電極の近傍の前記誘電体結
晶基板に所定間隔の起伏を形成する。
る誘電体結晶基板に形成された先導波路と該光導波路の
近傍に設けられた制御電極とを含んで構成される光制御
デバイスにおいて、前記制御電極の近傍の前記誘電体結
晶基板に所定間隔の起伏を形成する。
本発明の光制御デバイスは、制御電極近傍のバッファ層
に周期的に直交した編目状の凹凸が形成されている。こ
のようにバッファ層に周期的に直交した編目状の凹凸を
形成することにより制御電極を形成した後に発生する方
向性結合器の結合状態の変化を抑制することが可能とな
る。これは、制御電極用膜及びバッファ層膜の堆積時に
誘電体結晶基板に与えていた歪が制御電極形成後に光導
波路近傍に形成された制御電極近傍に集中していたのを
、制御電極部と同様な弾性的不連続領域をバッファ層に
形成することで歪を分散させる効果があるためである。
に周期的に直交した編目状の凹凸が形成されている。こ
のようにバッファ層に周期的に直交した編目状の凹凸を
形成することにより制御電極を形成した後に発生する方
向性結合器の結合状態の変化を抑制することが可能とな
る。これは、制御電極用膜及びバッファ層膜の堆積時に
誘電体結晶基板に与えていた歪が制御電極形成後に光導
波路近傍に形成された制御電極近傍に集中していたのを
、制御電極部と同様な弾性的不連続領域をバッファ層に
形成することで歪を分散させる効果があるためである。
この結果、制御電極近傍への歪の集中が低減されるため
、光導波路近傍の誘電対結晶の屈折率変化が抑圧される
。従って、光導波路特性は光導波路を誘電体結晶基板に
形成したときの特性を保持しており、方向性結合器の結
合状態になんら変化を与えない。以上のことより、本発
明の光制御デバイスは、従来に比べて設計通りの特性を
歩留り良く、常に安定して得られる。
、光導波路近傍の誘電対結晶の屈折率変化が抑圧される
。従って、光導波路特性は光導波路を誘電体結晶基板に
形成したときの特性を保持しており、方向性結合器の結
合状態になんら変化を与えない。以上のことより、本発
明の光制御デバイスは、従来に比べて設計通りの特性を
歩留り良く、常に安定して得られる。
次に、本発明について図面を参照して説明する。第1図
(a)、(b)は本発明の第1の実施例の平面図及びA
−A′線断面図である。
(a)、(b)は本発明の第1の実施例の平面図及びA
−A′線断面図である。
第1図(a)、(b)において、Z軸に垂直に切り出し
なニオブ酸リチウム結晶の基板1の上にチタンを9oo
−:xxoo℃で数時間熱拡散して3〜10μmの厚さ
にし、屈折率を大きくした帯状の光導波路2及び3が形
成されており、光導波路2及び3は基板の中央部で互い
に数μm程度まで近接し、方向性結合器4を形成してい
る。また、方向性結合器4を構成する光導波路2及び3
上には制御電極5による光吸収を防ぐためのバッファ層
6を介して制御電極5が形成されている。
なニオブ酸リチウム結晶の基板1の上にチタンを9oo
−:xxoo℃で数時間熱拡散して3〜10μmの厚さ
にし、屈折率を大きくした帯状の光導波路2及び3が形
成されており、光導波路2及び3は基板の中央部で互い
に数μm程度まで近接し、方向性結合器4を形成してい
る。また、方向性結合器4を構成する光導波路2及び3
上には制御電極5による光吸収を防ぐためのバッファ層
6を介して制御電極5が形成されている。
先導波N2に入射した入射光7は方向性結合器4を伝搬
するにしたがって近接した先導波路3へ徐々に光りエネ
ルギーが移り、方向性結合器4を通過後は光導波路3に
ほぼ100%エネルギーが移って出射光8となる。一方
、制御電極5に電圧を印加した場合、電気光学効果によ
り制御電極5の下の光導波路2の屈折率が変化し、光導
波路2と3を伝搬する導波モードの間に位相速度の不整
合が生じ、両者の間の結合状態は変化する。凹凸部10
a、制御電極5から5〜500μm離れた位置からバッ
ファ層6を予め設定した間隔で編目状に起伏させて形成
する。
するにしたがって近接した先導波路3へ徐々に光りエネ
ルギーが移り、方向性結合器4を通過後は光導波路3に
ほぼ100%エネルギーが移って出射光8となる。一方
、制御電極5に電圧を印加した場合、電気光学効果によ
り制御電極5の下の光導波路2の屈折率が変化し、光導
波路2と3を伝搬する導波モードの間に位相速度の不整
合が生じ、両者の間の結合状態は変化する。凹凸部10
a、制御電極5から5〜500μm離れた位置からバッ
ファ層6を予め設定した間隔で編目状に起伏させて形成
する。
なお、編目状の突起部の幅とバッファ層6を削除した溝
の幅との比率は任意である。
の幅との比率は任意である。
第2図(a)、(b)は本発明の第2の実施例の平面図
及びB−B ’線断面図である。
及びB−B ’線断面図である。
第2図(a>、(b)において第1の実施例と異なる構
成は、基板1上に形成されたバッファ層6を制御電極5
から5〜500μmに離れた位置でかつ、予め設定され
た間隔でドツト状1円状矩形及び多角形状に起伏させて
形成する凹凸部10bを有することである。
成は、基板1上に形成されたバッファ層6を制御電極5
から5〜500μmに離れた位置でかつ、予め設定され
た間隔でドツト状1円状矩形及び多角形状に起伏させて
形成する凹凸部10bを有することである。
第3図<a)、(b)は本発明の第3の実施例の平面図
及びc−c’線断面図である。第3図(a)、(b)に
おいて、第1及び第2の実施例と異なる構成は、基板1
に光導波路2及び3を形成する前に予じめ設定された間
隔で起伏させたストライプ状の凹凸部10cが形成され
ていることである。この凹凸部10cは制御電極5から
5〜500μm離れたところから制御型[i5と平行に
形成される。このストライプ状の凹と凸との比は1であ
る必要はない。
及びc−c’線断面図である。第3図(a)、(b)に
おいて、第1及び第2の実施例と異なる構成は、基板1
に光導波路2及び3を形成する前に予じめ設定された間
隔で起伏させたストライプ状の凹凸部10cが形成され
ていることである。この凹凸部10cは制御電極5から
5〜500μm離れたところから制御型[i5と平行に
形成される。このストライプ状の凹と凸との比は1であ
る必要はない。
このようにすると、第1〜第3の実施例において、第4
図に示すように制御電極5形成前後の方向性結合器4の
結合状態、すなわち方向性結合器4の分岐比の変化特性
(本結果はTE偏光に関するものである)は、本実施例
の方向性結合型光ス10 イッチの基本的な動作では従来例と同じであるが、光制
御デバイスでは制御電極5形成前後における方向性結合
器の分岐比の変化では従来のデバイスに比べ著しく小さ
くすることができる。
図に示すように制御電極5形成前後の方向性結合器4の
結合状態、すなわち方向性結合器4の分岐比の変化特性
(本結果はTE偏光に関するものである)は、本実施例
の方向性結合型光ス10 イッチの基本的な動作では従来例と同じであるが、光制
御デバイスでは制御電極5形成前後における方向性結合
器の分岐比の変化では従来のデバイスに比べ著しく小さ
くすることができる。
なお、バッファ層6にドツト状または編目状の凹凸部を
形成する方法としては、リソグラヒビ法を用いて凹凸に
対応するマスクパターンを形成した後、イオンビームエ
ツチング法、リアクティブイオンエツチング法、リアク
ティブイオンビームエツチング法などのドライエツチン
グ法、または、エツチング液を用いたケミカルなウェッ
トエツチング法を用いてバッファ層をエツチングする方
法の他、集束イオンビームエツチング法などを用いて凹
凸部を形成する方法がある。
形成する方法としては、リソグラヒビ法を用いて凹凸に
対応するマスクパターンを形成した後、イオンビームエ
ツチング法、リアクティブイオンエツチング法、リアク
ティブイオンビームエツチング法などのドライエツチン
グ法、または、エツチング液を用いたケミカルなウェッ
トエツチング法を用いてバッファ層をエツチングする方
法の他、集束イオンビームエツチング法などを用いて凹
凸部を形成する方法がある。
また、バッファ層としてはニオブ酸リチウム結晶基板1
より屈折率が小さく、かつ、光の吸収が小さいことが望
まれ、例えば、5i02.5iON、 MgF2 、S
i3 N4 、Al2O3が用いられる。
より屈折率が小さく、かつ、光の吸収が小さいことが望
まれ、例えば、5i02.5iON、 MgF2 、S
i3 N4 、Al2O3が用いられる。
また、ニオブ酸リチウム結晶の基板にストライプ状の凹
凸を形成する方法としては、リソグラヒビ法を用いて凹
凸に対応する周期的なマスクパターンを形成した後、イ
オンビームエツチング法、リアクティブイオンエツチン
グ法、リアクティブイオンビームエツチング法などのド
ライエツチング法、または、エツチング液を用いたケミ
カルなウェットエツチング法を用いてニオブ酸リチウム
結晶基板をエツチングする方法の他、集束イオンビーム
エツチング法などを用いてストライプ状の凹凸を形成す
る方法がある。
凸を形成する方法としては、リソグラヒビ法を用いて凹
凸に対応する周期的なマスクパターンを形成した後、イ
オンビームエツチング法、リアクティブイオンエツチン
グ法、リアクティブイオンビームエツチング法などのド
ライエツチング法、または、エツチング液を用いたケミ
カルなウェットエツチング法を用いてニオブ酸リチウム
結晶基板をエツチングする方法の他、集束イオンビーム
エツチング法などを用いてストライプ状の凹凸を形成す
る方法がある。
〔発明の効果〕
以上述べたように、本発明の光制御デバイスでは、電気
光学効果を有する誘電体結晶基板に形成された光導波路
と該光導波路の近傍に設けられた制御電極とこの制御電
極に隣接して突起部を設けることにより、所望の特性の
デバイスを歩留り良く製造することができる。
光学効果を有する誘電体結晶基板に形成された光導波路
と該光導波路の近傍に設けられた制御電極とこの制御電
極に隣接して突起部を設けることにより、所望の特性の
デバイスを歩留り良く製造することができる。
第1図(a)、(b)〜第3図(a>、(b)は本発明
の第1〜第3の実施例の平面図及び断面図、第4図は本
実施例を説明するための特性図、第5図(a)、(b)
は従来の光制御デバイスの一例を示す平面図及び断面図
である。 1・・・ニオブ酸リチウム結晶の基板、2.3・・・光
導波路、4・・・方向性結合器、5・・・制御電極、6
・・・バッファ層、7・・・入射光、8,9・・・出射
光、10a〜10c・・・凹凸部。
の第1〜第3の実施例の平面図及び断面図、第4図は本
実施例を説明するための特性図、第5図(a)、(b)
は従来の光制御デバイスの一例を示す平面図及び断面図
である。 1・・・ニオブ酸リチウム結晶の基板、2.3・・・光
導波路、4・・・方向性結合器、5・・・制御電極、6
・・・バッファ層、7・・・入射光、8,9・・・出射
光、10a〜10c・・・凹凸部。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、電気光学効果を有する誘電体結晶基板に形成された
光導波路と前記誘電体結晶基板表面に堆積されたバッフ
ァ層とこのバッファ層の上の前記光導波路の近傍に設け
られた制御電極とを含んで構成される光制御デバイスに
おいて、前記制御電極の近傍の前記バッファ層に所定間
隔の起伏を形成することを特徴とする光制御デバイス。 2、電気光学効果を有する誘電体結晶基板に形成された
光導波路と該光導波路の近傍に設けられた制御電極とを
含んで構成される光制御デバイスにおいて、前記制御電
極の近傍の前記誘電体結晶基板に所定間隔の起伏を形成
することを特徴とする光制御デバイス。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5698490A JPH03257430A (ja) | 1990-03-07 | 1990-03-07 | 光制御デバイス |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5698490A JPH03257430A (ja) | 1990-03-07 | 1990-03-07 | 光制御デバイス |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03257430A true JPH03257430A (ja) | 1991-11-15 |
Family
ID=13042766
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5698490A Pending JPH03257430A (ja) | 1990-03-07 | 1990-03-07 | 光制御デバイス |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03257430A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06300994A (ja) * | 1993-04-13 | 1994-10-28 | Nec Corp | 導波形光デバイス |
-
1990
- 1990-03-07 JP JP5698490A patent/JPH03257430A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06300994A (ja) * | 1993-04-13 | 1994-10-28 | Nec Corp | 導波形光デバイス |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7292739B2 (en) | Optical modulator | |
Ohmachi et al. | Electro‐optic light modulator with branched ridge waveguide | |
US7509003B2 (en) | Optical waveguide, optical device, and manufacturing method of the optical waveguide | |
JP2001235714A (ja) | 進行波形光変調器およびその製造方法 | |
JP2940141B2 (ja) | 導波型光制御デバイス | |
JP2932742B2 (ja) | 導波路型光デバイス | |
JP2009265478A (ja) | 光導波路デバイスおよびその製造方法 | |
KR100288447B1 (ko) | 광강도변조기및그제조방법 | |
US5050947A (en) | Optical waveguide control device employing directional coupler on substrate | |
JPH03257430A (ja) | 光制御デバイス | |
JPH05303022A (ja) | 単一モード光学装置 | |
JPH01201609A (ja) | 光デバイス | |
JP4345490B2 (ja) | 光分岐素子 | |
JPH0381742A (ja) | 光制御デバイス | |
JPH02114243A (ja) | 光制御デバイス及びその製造方法 | |
JPH05224245A (ja) | ハイブリッド光回路およびマトリクス光スイッチ | |
JP2720654B2 (ja) | 光制御デバイス | |
JPH0351826A (ja) | 光制御デバイス | |
JP2606552B2 (ja) | 光制御デバイス | |
JP2643927B2 (ja) | 光分岐・光結合回路の製造方法 | |
JPH07168213A (ja) | 光制御デバイス | |
JP2912039B2 (ja) | 光制御デバイス | |
JPH03202816A (ja) | 光制御デバイスとその製造方法 | |
JPH03202817A (ja) | 光制御デバイス | |
JPH01252929A (ja) | 光制御デバイス |