JPH03256003A - 反射防止層の形成法 - Google Patents
反射防止層の形成法Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は有機高分子基板上に耐汚染性に優れた反射防止
層を形成する方法に関する。有機高分子基板上に反射防
止層を有するものは眼鏡用レンズ、カメラ用レンズ等の
光学用レンズ、デイスプレーの前面板、計器類の前面板
、自動車用窓ガラス等への使用を目的としている。
層を形成する方法に関する。有機高分子基板上に反射防
止層を有するものは眼鏡用レンズ、カメラ用レンズ等の
光学用レンズ、デイスプレーの前面板、計器類の前面板
、自動車用窓ガラス等への使用を目的としている。
(従来の技術)
透明な材料を通して物を見る場合、その材料表面で反射
した光が強いと反射像が明確になってみたい物を良く見
ようとするのに障害となる。このような現象を避けるた
めに屈折率が基材とは異なる物質を基材表面に被覆して
反射防止層とすることが知られている。この反射防止層
としては、単層のものも、2層以上の層から形成される
多層の反射防止層も知られている。
した光が強いと反射像が明確になってみたい物を良く見
ようとするのに障害となる。このような現象を避けるた
めに屈折率が基材とは異なる物質を基材表面に被覆して
反射防止層とすることが知られている。この反射防止層
としては、単層のものも、2層以上の層から形成される
多層の反射防止層も知られている。
この反射防止層は金属酸化物や金属弗化物等を真空蒸着
することにより形成されている。
することにより形成されている。
これらには、反射防止層を有する積層体の基板として、
ガラスの他にプラスチック材料も用い得ることが記載さ
れており、このプラスチック材料は軽量、安全性、取扱
い性等の長所を有するものである。
ガラスの他にプラスチック材料も用い得ることが記載さ
れており、このプラスチック材料は軽量、安全性、取扱
い性等の長所を有するものである。
特開昭61−236501号公報や特開昭58−463
01号公報には最表層にシリカ微粒子を含ませて表面高
度を付与することが知られている。
01号公報には最表層にシリカ微粒子を含ませて表面高
度を付与することが知られている。
耐汚染性を考慮したものとしては特開昭62−1489
02号公報に無機物からなる単層又は多層の反射防止膜
の表面に末端シラノール有機ポリシロキサンからなる物
質による水に対する接触角が60”以上である層を形成
させたものが提案されている。
02号公報に無機物からなる単層又は多層の反射防止膜
の表面に末端シラノール有機ポリシロキサンからなる物
質による水に対する接触角が60”以上である層を形成
させたものが提案されている。
(発明が解決しようとする課題)
しかし、真空蒸着法によって形成された反射防止膜は主
として金属酸化物や金属弗化物からなり、特開昭61−
236501号公報や特開昭58−46301号公報に
よるものではシリカ微粒子が添加されているのでこれら
は高い表面硬度を有するが、いずれも指紋、手垢、汗等
によって汚染され易く、又、−旦付着した汚れの除去が
困難であるという問題があった。
として金属酸化物や金属弗化物からなり、特開昭61−
236501号公報や特開昭58−46301号公報に
よるものではシリカ微粒子が添加されているのでこれら
は高い表面硬度を有するが、いずれも指紋、手垢、汗等
によって汚染され易く、又、−旦付着した汚れの除去が
困難であるという問題があった。
又、特開昭62−148902号公報に開示された方法
によれば優れた耐汚染性のものが得られるが、汚染防止
層の耐摩耗性が充分とは言えないという問題があり、し
かもこれらの反射防止層は塩水に浸漬するとクラックが
生じるという問題があった。
によれば優れた耐汚染性のものが得られるが、汚染防止
層の耐摩耗性が充分とは言えないという問題があり、し
かもこれらの反射防止層は塩水に浸漬するとクラックが
生じるという問題があった。
(課題を解決するための手段)
本発明者らは、このような状況に鑑み鋭意検討した結果
、反射防止層の最外層の少なくとも表面あるいは反射防
止層の外側に珪素アルコキシドと特定のシラン化合物と
からなる組成物を加水分解、共縮合させてなる層を形成
させると反射防止性能を維持しつつ、汚染防止性を有し
、しかも耐摩耗性、耐塩水性を有するものとすることが
できることを見出し、本発明に到達した。
、反射防止層の最外層の少なくとも表面あるいは反射防
止層の外側に珪素アルコキシドと特定のシラン化合物と
からなる組成物を加水分解、共縮合させてなる層を形成
させると反射防止性能を維持しつつ、汚染防止性を有し
、しかも耐摩耗性、耐塩水性を有するものとすることが
できることを見出し、本発明に到達した。
即ち、本発明の要旨は有機高分子基板上に単層又は多層
の反射防止層を形成し、該反射防止層の最表層が珪素ア
ルコキシドと下記一般式(1)で表わされるシラン化合
物とを含む珪素アルコキシド混合物を部分加水分解、共
縮合せしめたものを塗布、加熱硬化してなり、水に対す
る静止接触角が60°以上であり、屈折率が1.5以下
であるものとすることを特徴とする反射防止層の形成法
にある。
の反射防止層を形成し、該反射防止層の最表層が珪素ア
ルコキシドと下記一般式(1)で表わされるシラン化合
物とを含む珪素アルコキシド混合物を部分加水分解、共
縮合せしめたものを塗布、加熱硬化してなり、水に対す
る静止接触角が60°以上であり、屈折率が1.5以下
であるものとすることを特徴とする反射防止層の形成法
にある。
S I R’aR”n (o R1)4−m−n
(1)(式中、R1,R2は各々独立にビニル基、アミ
ノ基、(メタ)アクリロイルオキシ基、メルカプト基、
エポキシ基、塩素及び弗素から選ばれる置換基を有して
いてもよい炭素数1〜6のアルキル基、炭素数1〜6の
アルケニル基又は炭素数6〜12のアリール基であり、
R1は炭素数1〜4の炭化水素基を示し、m及びnは0
11又は2であって、但し、m + nは1又は2を満
足するものである。)本発明において用いられる有機高
分子基板としては、その主要用途が光学用途であること
を勘案すると透明性、屈折率、分散等の光学特性の適切
なものであることが好ましく、このような有機高分子と
してはポリメチルメタクリレート及びその共重合体、ポ
リカーボネート、ジエチレングリコールビスアリルカー
ボネート、ポリスチレン、AS樹脂、塩化ビニル樹脂、
ポリエチレンテレフタレート等のポリエステル樹脂等を
例示できる。
(1)(式中、R1,R2は各々独立にビニル基、アミ
ノ基、(メタ)アクリロイルオキシ基、メルカプト基、
エポキシ基、塩素及び弗素から選ばれる置換基を有して
いてもよい炭素数1〜6のアルキル基、炭素数1〜6の
アルケニル基又は炭素数6〜12のアリール基であり、
R1は炭素数1〜4の炭化水素基を示し、m及びnは0
11又は2であって、但し、m + nは1又は2を満
足するものである。)本発明において用いられる有機高
分子基板としては、その主要用途が光学用途であること
を勘案すると透明性、屈折率、分散等の光学特性の適切
なものであることが好ましく、このような有機高分子と
してはポリメチルメタクリレート及びその共重合体、ポ
リカーボネート、ジエチレングリコールビスアリルカー
ボネート、ポリスチレン、AS樹脂、塩化ビニル樹脂、
ポリエチレンテレフタレート等のポリエステル樹脂等を
例示できる。
本発明における多層の反射防止層が機能を果たすために
は各層の膜厚と屈折率とが一定の条件の範囲内に制御さ
れていることが好ましい。反射防止層の層の数は、多い
ほど広い波長範囲で反射率を下げることが可能になるが
、暦数が多ければ多いほど製造工程が煩雑となり、あま
りに多い工程は実際的でなくなる。好ましい層の数とし
ては2〜8層であり、2〜6層であることがより好まし
い。層の数が3層以上である場合は基板側から最外層に
隣接する層まで順に屈折率が高くなっていることが好ま
しい。
は各層の膜厚と屈折率とが一定の条件の範囲内に制御さ
れていることが好ましい。反射防止層の層の数は、多い
ほど広い波長範囲で反射率を下げることが可能になるが
、暦数が多ければ多いほど製造工程が煩雑となり、あま
りに多い工程は実際的でなくなる。好ましい層の数とし
ては2〜8層であり、2〜6層であることがより好まし
い。層の数が3層以上である場合は基板側から最外層に
隣接する層まで順に屈折率が高くなっていることが好ま
しい。
以下、n+を基板側から1層目の層の屈折率、dIを基
板側から1層目の層の厚さ、aを正の整数、b、c、e
を正の奇数、えを可視周辺領域内で選ばれる任意の基準
波長(単位nm)、好ましくは500〜600nmの範
囲内の任意の波長として、2〜4層の場合を例に取り各
層の膜厚と屈折率の好ましい条件を示すと、 反射防止層が2層の場合: 1.55<ni <2.25.nr xd、4bX
λ/4.1.38<nx <1.50.n2 xd2=
fixλ/4の条件を満足することが好ましく、 3層の場合: 1.55<rz <1.85.ni xd、avb
Xλ/4.1.65<ni <2.25. ni X
di ’=aXλ/4.1.38<ns <1.50.
nm X da &、 CXλ/4、nl <nz の条件を満足することが好ましく、 4層の場合: 1.38<ni <1.65.nl xd、−=−
bXl/4.1.55< n2<1.85. nx
X d2 ”、 CXλ/4.1.65<ns <
2.40.ns xd、4aXλ/4.1.38<
n4<1.50. n−a X d4&、 e X
λ/4、nl <ni <ns の条件を満足することが好ましい。
板側から1層目の層の厚さ、aを正の整数、b、c、e
を正の奇数、えを可視周辺領域内で選ばれる任意の基準
波長(単位nm)、好ましくは500〜600nmの範
囲内の任意の波長として、2〜4層の場合を例に取り各
層の膜厚と屈折率の好ましい条件を示すと、 反射防止層が2層の場合: 1.55<ni <2.25.nr xd、4bX
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fixλ/4の条件を満足することが好ましく、 3層の場合: 1.55<rz <1.85.ni xd、avb
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nm X da &、 CXλ/4、nl <nz の条件を満足することが好ましく、 4層の場合: 1.38<ni <1.65.nl xd、−=−
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X d2 ”、 CXλ/4.1.65<ns <
2.40.ns xd、4aXλ/4.1.38<
n4<1.50. n−a X d4&、 e X
λ/4、nl <ni <ns の条件を満足することが好ましい。
なお、ここで「尋」は±15%の範囲内、好ましくは±
10%の範囲内にあることを示す。
10%の範囲内にあることを示す。
このような構成の反射防止層において最表層の組成が珪
素アルコキシドと上記一般式(1)で表わされるシラン
化合物とを含む珪素アルコキシド混合物を部分加水分解
、共縮合せしめたものを塗布、加熱硬化してなり、水に
対する静止接触角が60°以上、好ましくは75°以上
であり、屈折率が1.5以下であるものである必要があ
る。接触角が60°未満であると耐汚染性が不充分とな
り、屈折率が1.5より高いと反射防止硬化が不充分と
なる。
素アルコキシドと上記一般式(1)で表わされるシラン
化合物とを含む珪素アルコキシド混合物を部分加水分解
、共縮合せしめたものを塗布、加熱硬化してなり、水に
対する静止接触角が60°以上、好ましくは75°以上
であり、屈折率が1.5以下であるものである必要があ
る。接触角が60°未満であると耐汚染性が不充分とな
り、屈折率が1.5より高いと反射防止硬化が不充分と
なる。
珪素アルコキシドのアルコキシドとしては炭素数1〜5
のアルコキシドであることが好ましく、この範囲内であ
れば単一のアルコキシドであっても複数種のアルコキシ
ドの混合物であってもよい。
のアルコキシドであることが好ましく、この範囲内であ
れば単一のアルコキシドであっても複数種のアルコキシ
ドの混合物であってもよい。
炭素数6以上のアルコキシドを用いた珪素アルコキシド
を用いると水との相溶性が不充分でかつ粘度も高くなる
傾向にあり、外観の優れた薄膜が得られ難くなる傾向に
ある。このような珪素アルコキシドの具体例としてテト
ラメチルオルソシリケート、テトラエチルオルソシリケ
ート、テトラミープロピルオルソシリケート、テトラn
−ブチルオルソシリケート、テトラS−ブチルオルソシ
リケート、テトラt−ブチルオルソシリケート、テトラ
アミルオルソシリケート等を例示できる。
を用いると水との相溶性が不充分でかつ粘度も高くなる
傾向にあり、外観の優れた薄膜が得られ難くなる傾向に
ある。このような珪素アルコキシドの具体例としてテト
ラメチルオルソシリケート、テトラエチルオルソシリケ
ート、テトラミープロピルオルソシリケート、テトラn
−ブチルオルソシリケート、テトラS−ブチルオルソシ
リケート、テトラt−ブチルオルソシリケート、テトラ
アミルオルソシリケート等を例示できる。
式(1)で示されるシラン化合物としてはメチルトリメ
トキシシラン、エチルトリメトキシシラン等のアルキル
トリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、エチ
ルトリエトキシシラン等のアルキルトリエトキシシラン
、メチルトリブトキシシラン等のアルキルトリブトキシ
シラン、メチルトリアセトキシシラン等のアルキルトリ
アセトキシシラン、メチルトリ(メトキシエトキシ)シ
ラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシ
シラン、ビニルトリアセトキシシラン、ビニルトI)、
(メトキシエトキシ)シラン、フェニルトリメトキシシ
ラン、フェニルトリエトキシシラン、フェニルトリアセ
トキシシラン、γ−クロロプロピルトリメトキシシラン
、γ−クロロプロピルトリエトキシシラン、γ−クロロ
プロピルトリアセトキシシラン、3.3.3−トリフル
オロプロピルトリメトキシシラン、2.2.2−トリフ
ルオロエチルトリメトキシシラン、パーフルオロメチル
トリメトキシシラン、パーフルオロメチルトリエトキシ
シラン等のパーフルオロアルキル基を有するトリアルコ
キシシラン、γ−メタクリロイルオキシプロピルトリメ
トキシシラン、γ−アミノプロピルトリメトキシシラン
、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−メルカ
プトプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロ
ピルトリエトキシシラン、N−β−(アミノエチル)−
丁−アミノプロピルトリメトキシシラン、β−シアノエ
チルトリエトキシシラン、メチルトリフエノキシシラン
、クロロメチルトリメトキシシラン、クロロメチルトリ
エトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジメチル
ジェトキシシラン、フェニルメチルジメトキシシラン、
−フェニルメチルジェトキシシラン、γ−クロロプロピ
ルメチルジメトキシシラン、γ−クロロプロピルメチル
ジェトキシシラン、ジメチルジアセトキシシラン、γ−
メタクリロイルオキシプロピルメチルジメトキシシラン
、γ−メタクリロイルオキシプロピルメチルジェトキシ
シラン、γ−メルカプトプロピルメチルジメトキシシラ
ン、5−メルカプトプロピルメチルジェトキシシラン、
γ−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、γ−アミ
ノプロピルメチルジェトキシシラン、メチルビニルジメ
トキシシラン、メチルビニルジェトキシシラン、グリシ
ジルオキシメチルトリメトキシシラン、グリシジルオキ
シメチルトリエトキシシラン、β−グリシジルオキシエ
チルトリメトキシシラン、β−グリシジルオキシエチル
トリエトキシシラン、γ−グリシジルオキシプロビルト
リメトキシシラン、γ−グリシジルオキシブロビルトリ
エトキシシラン、γ−グリシジルオキシブロピルトリ(
メトキシエトキシ)シラン、γ−グリシジルオキシブロ
ビルトリアセトキシシラン、δ−グリシジルオキシブチ
ルトリメトキシシラン、δ−グリシジルオキシブチルト
リエトキシシラン、グリシジルオキシメチル(メチル)
ジメトキシシラン、グリシジルオキシメチル(メチル)
ジェトキシシラン、グリシジルオキシメチル(エチル)
ジメトキシシラン、グリシジルオキシメチル(フェニル
)ジメトキシシラン、グリシジルオキシメチル(ビニル
)ジメトキシシラン、グリシジルオキシメチル(ジメチ
ル)メトキシシラン、β−グリシジルオキシエチル(メ
チル)ジメトキシシラン、β−グリシジルオキシエチル
(エチル)ジメトキシシラン、β−グリシジルオキシエ
チル(ジメチル)メトキシシラン、γ−グリシジルオキ
シブロビル(メチル)ジメトキシシラン、γ−グリシジ
ルオキシブロビル(エチル)ジメトキシシラン、γ−グ
リシジルオキシブロビル(ジメチル)メトキシシラン、
δ−グリシジルオキシブチル(メチル)ジメトキシシラ
ン、δ−グリシジルオキシブチル(エチル)ジメトキシ
シラン、δ−グリシジルオキシブチル(ジメチル)メト
キシシラン、ビス(グリシジルオキシメチル)ジメトキ
シシラン、ビス(グリシジルオキシメチル)ジェトキシ
シラン、ビス(β−グリシジルオキシエチル)ジメトキ
シシラン、ビス(γ−グリシジルオキシプロビル)ジェ
トキシシラン、トリス(グリシジルオキシメチル)メト
キシシラン、トリス(グリシジルオキシメチル)エトキ
シシラン、トリス(β−グリシジルオキシエチル)メト
キシシラン、トリス(β−グリシジルオキシエチル)エ
トキシシラン、トリス(γ−グリシジルオキシブロビル
)メトキシシラン、トリス(γ−グリシジルオキシプロ
ビル)エトキシシラン、グリシジルメチルトリメトキシ
シラン、グリシジルメチルトリエトキシシラン、β−グ
リシジルエチルトリメトキシシラン、β−グリシジルエ
チルトリエトキシシラン、γ−グリシジルプロビルトリ
メトキシシラン、γ−グリシジルプロビルトリエトキシ
シラン、γグリシジルプロビルトリ(メトキシエトキシ
)シラン、γ−グリシジルプロビルトリアセトキシシラ
ン、3.4−エポキシシクロヘキシルメチルトリメトキ
シシラン、3.4−エポキシシクロヘキシルメチルトリ
エトキシシラン、3.4−エポキシシクロヘキシルエチ
ルトリメトキシシラン、3.4−エポキシシクロヘキシ
ルプロピルトリメトキシシラン、3.4−エポキシシク
ロへキシルブチルトリメトキシシラン等を例示できる。
トキシシラン、エチルトリメトキシシラン等のアルキル
トリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、エチ
ルトリエトキシシラン等のアルキルトリエトキシシラン
、メチルトリブトキシシラン等のアルキルトリブトキシ
シラン、メチルトリアセトキシシラン等のアルキルトリ
アセトキシシラン、メチルトリ(メトキシエトキシ)シ
ラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシ
シラン、ビニルトリアセトキシシラン、ビニルトI)、
(メトキシエトキシ)シラン、フェニルトリメトキシシ
ラン、フェニルトリエトキシシラン、フェニルトリアセ
トキシシラン、γ−クロロプロピルトリメトキシシラン
、γ−クロロプロピルトリエトキシシラン、γ−クロロ
プロピルトリアセトキシシラン、3.3.3−トリフル
オロプロピルトリメトキシシラン、2.2.2−トリフ
ルオロエチルトリメトキシシラン、パーフルオロメチル
トリメトキシシラン、パーフルオロメチルトリエトキシ
シラン等のパーフルオロアルキル基を有するトリアルコ
キシシラン、γ−メタクリロイルオキシプロピルトリメ
トキシシラン、γ−アミノプロピルトリメトキシシラン
、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−メルカ
プトプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロ
ピルトリエトキシシラン、N−β−(アミノエチル)−
丁−アミノプロピルトリメトキシシラン、β−シアノエ
チルトリエトキシシラン、メチルトリフエノキシシラン
、クロロメチルトリメトキシシラン、クロロメチルトリ
エトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジメチル
ジェトキシシラン、フェニルメチルジメトキシシラン、
−フェニルメチルジェトキシシラン、γ−クロロプロピ
ルメチルジメトキシシラン、γ−クロロプロピルメチル
ジェトキシシラン、ジメチルジアセトキシシラン、γ−
メタクリロイルオキシプロピルメチルジメトキシシラン
、γ−メタクリロイルオキシプロピルメチルジェトキシ
シラン、γ−メルカプトプロピルメチルジメトキシシラ
ン、5−メルカプトプロピルメチルジェトキシシラン、
γ−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、γ−アミ
ノプロピルメチルジェトキシシラン、メチルビニルジメ
トキシシラン、メチルビニルジェトキシシラン、グリシ
ジルオキシメチルトリメトキシシラン、グリシジルオキ
シメチルトリエトキシシラン、β−グリシジルオキシエ
チルトリメトキシシラン、β−グリシジルオキシエチル
トリエトキシシラン、γ−グリシジルオキシプロビルト
リメトキシシラン、γ−グリシジルオキシブロビルトリ
エトキシシラン、γ−グリシジルオキシブロピルトリ(
メトキシエトキシ)シラン、γ−グリシジルオキシブロ
ビルトリアセトキシシラン、δ−グリシジルオキシブチ
ルトリメトキシシラン、δ−グリシジルオキシブチルト
リエトキシシラン、グリシジルオキシメチル(メチル)
ジメトキシシラン、グリシジルオキシメチル(メチル)
ジェトキシシラン、グリシジルオキシメチル(エチル)
ジメトキシシラン、グリシジルオキシメチル(フェニル
)ジメトキシシラン、グリシジルオキシメチル(ビニル
)ジメトキシシラン、グリシジルオキシメチル(ジメチ
ル)メトキシシラン、β−グリシジルオキシエチル(メ
チル)ジメトキシシラン、β−グリシジルオキシエチル
(エチル)ジメトキシシラン、β−グリシジルオキシエ
チル(ジメチル)メトキシシラン、γ−グリシジルオキ
シブロビル(メチル)ジメトキシシラン、γ−グリシジ
ルオキシブロビル(エチル)ジメトキシシラン、γ−グ
リシジルオキシブロビル(ジメチル)メトキシシラン、
δ−グリシジルオキシブチル(メチル)ジメトキシシラ
ン、δ−グリシジルオキシブチル(エチル)ジメトキシ
シラン、δ−グリシジルオキシブチル(ジメチル)メト
キシシラン、ビス(グリシジルオキシメチル)ジメトキ
シシラン、ビス(グリシジルオキシメチル)ジェトキシ
シラン、ビス(β−グリシジルオキシエチル)ジメトキ
シシラン、ビス(γ−グリシジルオキシプロビル)ジェ
トキシシラン、トリス(グリシジルオキシメチル)メト
キシシラン、トリス(グリシジルオキシメチル)エトキ
シシラン、トリス(β−グリシジルオキシエチル)メト
キシシラン、トリス(β−グリシジルオキシエチル)エ
トキシシラン、トリス(γ−グリシジルオキシブロビル
)メトキシシラン、トリス(γ−グリシジルオキシプロ
ビル)エトキシシラン、グリシジルメチルトリメトキシ
シラン、グリシジルメチルトリエトキシシラン、β−グ
リシジルエチルトリメトキシシラン、β−グリシジルエ
チルトリエトキシシラン、γ−グリシジルプロビルトリ
メトキシシラン、γ−グリシジルプロビルトリエトキシ
シラン、γグリシジルプロビルトリ(メトキシエトキシ
)シラン、γ−グリシジルプロビルトリアセトキシシラ
ン、3.4−エポキシシクロヘキシルメチルトリメトキ
シシラン、3.4−エポキシシクロヘキシルメチルトリ
エトキシシラン、3.4−エポキシシクロヘキシルエチ
ルトリメトキシシラン、3.4−エポキシシクロヘキシ
ルプロピルトリメトキシシラン、3.4−エポキシシク
ロへキシルブチルトリメトキシシラン等を例示できる。
最表層の組成物中の珪素アルコキシドと式(1)で示さ
れるシラン化合物のモル比は珪素アルコキシド1モルあ
たり0.005〜0.5モルであることが好ましい。式
(1)で示されるシラン化合物のモル比が上記上限を越
えると耐擦傷性、耐候性及び透明性が不良となる傾向に
あり、上記下限以下であると汚染防止効果が不充分とな
る傾向にある。
れるシラン化合物のモル比は珪素アルコキシド1モルあ
たり0.005〜0.5モルであることが好ましい。式
(1)で示されるシラン化合物のモル比が上記上限を越
えると耐擦傷性、耐候性及び透明性が不良となる傾向に
あり、上記下限以下であると汚染防止効果が不充分とな
る傾向にある。
反射防止層の最表層の膜厚はその光学的膜厚が対象とす
る光波長の1/4あるいはその奇数倍の前後15%程度
であることが好ましく、同前後lO%程度であることが
より好ましい。
る光波長の1/4あるいはその奇数倍の前後15%程度
であることが好ましく、同前後lO%程度であることが
より好ましい。
本発明における反射防止層の最表層の形成にあたっては
、上述の珪素アルコキシドと一般式(1)で示されるシ
ラン化合物とを溶媒に溶解し、水と酸とを添加して部分
加水分解・縮合させたものを塗布し、加熱硬化させるこ
とにより形成させる。
、上述の珪素アルコキシドと一般式(1)で示されるシ
ラン化合物とを溶媒に溶解し、水と酸とを添加して部分
加水分解・縮合させたものを塗布し、加熱硬化させるこ
とにより形成させる。
この組成物に添加する水と酸とは上記組成物を加水分解
重縮合させるために添加するもので、水の添加量は水と
酸とを添加してなる混合物中3〜lO重量%であること
が好ましく、酸の添加量は0.3〜1重量%であること
が好ましい。この酸としては有機酸であっても無機酸で
あってもよく、無機酸としては塩酸、硫酸、硝酸、炭酸
等を例示でき、有機酸としては酢酸、乳酸等を例示でき
る。酸や水の添加量が上記の下限より少ない場合は形成
される層が不透明になり易く、水の量が上記上限より多
いとこの溶液を基板に塗布したときにはじきが生じて均
質な厚みの塗膜が得難くなる傾向にあり、酸の量が上記
上限より多いとこの層がもろくなる傾向にある。
重縮合させるために添加するもので、水の添加量は水と
酸とを添加してなる混合物中3〜lO重量%であること
が好ましく、酸の添加量は0.3〜1重量%であること
が好ましい。この酸としては有機酸であっても無機酸で
あってもよく、無機酸としては塩酸、硫酸、硝酸、炭酸
等を例示でき、有機酸としては酢酸、乳酸等を例示でき
る。酸や水の添加量が上記の下限より少ない場合は形成
される層が不透明になり易く、水の量が上記上限より多
いとこの溶液を基板に塗布したときにはじきが生じて均
質な厚みの塗膜が得難くなる傾向にあり、酸の量が上記
上限より多いとこの層がもろくなる傾向にある。
ここで用いられる溶媒としてはメタノール、エタノール
、プロパツール、ブタノール等のアルコール;n−ペン
タン、n−ヘキサン、n−へブタン、n−オクタン等の
炭水化物;アセトン、メチルアセトン、メチルエチルケ
トン等のケトン類;エチルエーテル、イソプロピルエー
テル、n−ブチルエーテル等のエーテル類;酢酸エチル
、酢酸ブチル等のエステル類;メチルセロソルブ、エチ
ルセロソルブ、ブチルセロソルブ等のセロソルブ類;塩
化メチル、塩化メチレン、クロロホルム、1,1.1−
トリクロロエタン等のハロゲン化炭化水素;蟻酸、酢酸
、プロピオン酸等のカルボン酸類;トルエン、キシレン
等の芳香族化合物を用いることができる。
、プロパツール、ブタノール等のアルコール;n−ペン
タン、n−ヘキサン、n−へブタン、n−オクタン等の
炭水化物;アセトン、メチルアセトン、メチルエチルケ
トン等のケトン類;エチルエーテル、イソプロピルエー
テル、n−ブチルエーテル等のエーテル類;酢酸エチル
、酢酸ブチル等のエステル類;メチルセロソルブ、エチ
ルセロソルブ、ブチルセロソルブ等のセロソルブ類;塩
化メチル、塩化メチレン、クロロホルム、1,1.1−
トリクロロエタン等のハロゲン化炭化水素;蟻酸、酢酸
、プロピオン酸等のカルボン酸類;トルエン、キシレン
等の芳香族化合物を用いることができる。
これらの中ではメタノール、エタノール、プロパツール
、ブタノール等の低級アルコール、メチルセロソルブ、
エチルセロソルブ、ブチルセロソルブ、蟻酸、酢酸、プ
ロピオン酸、トルエン、キシレン、酢酸エチル、酢酸ブ
チル類はこれらの混合物を好ましいものとして挙げるこ
とができる。
、ブタノール等の低級アルコール、メチルセロソルブ、
エチルセロソルブ、ブチルセロソルブ、蟻酸、酢酸、プ
ロピオン酸、トルエン、キシレン、酢酸エチル、酢酸ブ
チル類はこれらの混合物を好ましいものとして挙げるこ
とができる。
この溶液の粘度は塗布のし易さ、塗布された塗膜の均質
性の観点から20センチポアズ以下であることが好まし
く、10センチポアズ以下であることがより好ましい。
性の観点から20センチポアズ以下であることが好まし
く、10センチポアズ以下であることがより好ましい。
この溶液には必要に応じてキレート剤、界面活性剤、染
料等を添加してもよい。
料等を添加してもよい。
上述の基板上への塗布後の加水分解・共縮合は、塗布後
に溶剤を蒸発させ、次いで焼成あるいは活性エネルギー
照射による加熱硬化により行われる。
に溶剤を蒸発させ、次いで焼成あるいは活性エネルギー
照射による加熱硬化により行われる。
焼成の温度条件は60℃以上、かつ基板の熱変形温度よ
り低い温度であることが好ましい。
り低い温度であることが好ましい。
反射防止層の最表層以外の層としては前述の屈折率の範
囲になるように適宜層形成物質を選択すればよく、中・
高屈折率の層を形成するのに適した物質としては、Ti
0g、 ZrO*、 Ce0z、 IngOs、 Hf
O*。
囲になるように適宜層形成物質を選択すればよく、中・
高屈折率の層を形成するのに適した物質としては、Ti
0g、 ZrO*、 Ce0z、 IngOs、 Hf
O*。
Y*Os、 Pr So l l 、 Taxes、
NdOs、 Sb*Ox、 Snow、 ZnO,Al
□os。
NdOs、 Sb*Ox、 Snow、 ZnO,Al
□os。
B110i 、 Eu1Os 、 Lag’s 、 C
eFs、 Mo5s、 MgO,Swans 、 5c
2ns *WO,Yb1Os、 LaFs、 LiF、
NdFs、 PbF*、 SmFm等を挙げることが
でき、低屈折率の層を形成するのに適した物質としては
AIFs、 BaFa、 CaFs、 CaF、 La
Fs、 LiF。
eFs、 Mo5s、 MgO,Swans 、 5c
2ns *WO,Yb1Os、 LaFs、 LiF、
NdFs、 PbF*、 SmFm等を挙げることが
でき、低屈折率の層を形成するのに適した物質としては
AIFs、 BaFa、 CaFs、 CaF、 La
Fs、 LiF。
MgFi、 Na5A1sFs、 NaJlsF l
11. NaF、 SrF*、 5to2等を挙げるこ
とができる。
11. NaF、 SrF*、 5to2等を挙げるこ
とができる。
又、これらの物質は混合して用いることもできる。
本発明の方法においては、最表層以外の層も適切な金属
アルコキシド又は金属アルコキシド混合物を部分加水分
解:縮合したものを塗布、加熱硬化したものであっても
よい。
アルコキシド又は金属アルコキシド混合物を部分加水分
解:縮合したものを塗布、加熱硬化したものであっても
よい。
金属アルコキシドのアルコキシドとしては前述の珪素ア
ルコキシドのアルコキシドについて述べたと同様のもの
が好ましく、溶剤の種類、酸、水の量、溶液に添加でき
るその他の成分についても上述の最表層について述べた
ものがそのまま準用できる。金属アルコキシド溶液中の
金属アルコキシド濃度は5〜40重量%であることが好
ましい。
ルコキシドのアルコキシドについて述べたと同様のもの
が好ましく、溶剤の種類、酸、水の量、溶液に添加でき
るその他の成分についても上述の最表層について述べた
ものがそのまま準用できる。金属アルコキシド溶液中の
金属アルコキシド濃度は5〜40重量%であることが好
ましい。
この溶液の粘度も20センチポアズ以下であることが好
ましく、10センチポアズ以下とすることがより好まし
い。
ましく、10センチポアズ以下とすることがより好まし
い。
又、高分子基板と反射防止層の熱膨張係数の差に由来す
るクラックの発生を防止するために基板と反射防止層の
間にアンダーコート層を設けてもよい。アンダーコート
層としては反射防止層の中量も基板に近い層の熱膨張係
数と基板の熱膨張係数の間の熱膨張係数を持つものが用
いられるが、このようなものとして反射防止層最表層の
形成に用いた珪素アルコキシドとコロイダルシリカを含
む溶液を部分加水分解・縮合させたものを塗布、加熱硬
化させたもの、上述の珪素アルコキシドと金属アルコキ
シドを部分加水分解・共縮合したものを塗布、加熱硬化
させたもの等を例示できる。
るクラックの発生を防止するために基板と反射防止層の
間にアンダーコート層を設けてもよい。アンダーコート
層としては反射防止層の中量も基板に近い層の熱膨張係
数と基板の熱膨張係数の間の熱膨張係数を持つものが用
いられるが、このようなものとして反射防止層最表層の
形成に用いた珪素アルコキシドとコロイダルシリカを含
む溶液を部分加水分解・縮合させたものを塗布、加熱硬
化させたもの、上述の珪素アルコキシドと金属アルコキ
シドを部分加水分解・共縮合したものを塗布、加熱硬化
させたもの等を例示できる。
コロイダルシリカの粒径としては100〜10oO人で
あることが好ましく、アンダーコート用溶液に用いる溶
剤は最表層形成に用いた溶剤と同様のものを用いること
ができる。
あることが好ましく、アンダーコート用溶液に用いる溶
剤は最表層形成に用いた溶剤と同様のものを用いること
ができる。
これらの加水分解物からなる層の厚みのコントロールは
塗布法が浸漬法であれば引き上げ速度で、スピンコード
法であれば回転数等を調節することにより行うことがで
きる。
塗布法が浸漬法であれば引き上げ速度で、スピンコード
法であれば回転数等を調節することにより行うことがで
きる。
(実施例)
以下に実施例を用いて本発明を説明する。
なお、実施例において下記の各評価項目は下記に従って
評価した。
評価した。
接触角:接触角計(協和科学社製)を用い、液滴法で測
定した。(測定温度24℃) 耐汚染性:反射防止層の最表層の上に水道水2mlを滴
下し、室温で24時間放置した後、乾燥した布でこれを
拭き取り、水垢が実質的に除去可能であった場合を良好
、困難であった場合を不良とした。
定した。(測定温度24℃) 耐汚染性:反射防止層の最表層の上に水道水2mlを滴
下し、室温で24時間放置した後、乾燥した布でこれを
拭き取り、水垢が実質的に除去可能であった場合を良好
、困難であった場合を不良とした。
密着性二反射防止層をカミソリでクロスカットして1
mmX 1 mmの升目を100個作り、その上に市販
のセロハン粘着テープにチバン405)を充分密着させ
た後、これを剥離することを3回繰り返し、剥離しない
で残った反射防止層の升目の数を密着性の尺度(%)と
した。
mmX 1 mmの升目を100個作り、その上に市販
のセロハン粘着テープにチバン405)を充分密着させ
た後、これを剥離することを3回繰り返し、剥離しない
で残った反射防止層の升目の数を密着性の尺度(%)と
した。
膜厚:エリプソメーター(溝尻光学工業所製)を用いて
測定した。
測定した。
粘度二回転粘度計(東京計器社製)を用いて測定した。
クラック二反射防止層におけるクラックの存在の有無を
光学顕微鏡(倍率400倍)で観察した。
光学顕微鏡(倍率400倍)で観察した。
全光線透過率: JIS K 7105に従って測定し
た。
た。
耐塩水性二反射防止層を形成した基板を24℃で5%の
塩水に24時間浸漬した後の外観を観察し、クラックの
有無を調べた。
塩水に24時間浸漬した後の外観を観察し、クラックの
有無を調べた。
耐摩耗性:反射防止層を有する板をビロード布(406
枚重ね、加重0.28kg/cm”、30往復/分、5
000回)で摩擦し、傷の発生の有無を調べた。
枚重ね、加重0.28kg/cm”、30往復/分、5
000回)で摩擦し、傷の発生の有無を調べた。
参考例1
10℃でγ−グリシドキシプロビルトリメトキシシラン
8.5gに0.05規定塩酸水溶液1.3gを滴下混合
し、滴下終了後、室温で更に1時間撹拌を行って、シラ
ン部分加水分解物を得た。
8.5gに0.05規定塩酸水溶液1.3gを滴下混合
し、滴下終了後、室温で更に1時間撹拌を行って、シラ
ン部分加水分解物を得た。
このシラン部分加水分解物にイソプロピルアルコールに
分散した平均粒径100〜200人のコロイダルシリカ
(触媒化成製オスカル1432、固形分32%)30g
とイソプロピルアルコール40gを添加し、1時間撹拌
混合してアンダーコート履用コーティング溶液を得た。
分散した平均粒径100〜200人のコロイダルシリカ
(触媒化成製オスカル1432、固形分32%)30g
とイソプロピルアルコール40gを添加し、1時間撹拌
混合してアンダーコート履用コーティング溶液を得た。
溶液の粘度は4.7センチボアズであった。
参考例2
参考例1と同様にしてγ−グリシドキシプロビルトリメ
トキシシランからのシラン部分加水分解物を得、別途、
テトライソブロビルオルソチタネー)−7,0gとアセ
チルアセトン5.0gとを混合してチタンキレート化合
物を調製し、この10.4gに上記のシラン部分加水分
解物2.6gとイソプロピルアルコール60.0gとを
滴下混合し、室温で10分間撹拌した後、更に水0.6
g、塩酸0.1g及びイソプロピルアルコール10.0
gを加えて室温で30分間撹拌してアンダーコート履用
コーティング溶液を得た。
トキシシランからのシラン部分加水分解物を得、別途、
テトライソブロビルオルソチタネー)−7,0gとアセ
チルアセトン5.0gとを混合してチタンキレート化合
物を調製し、この10.4gに上記のシラン部分加水分
解物2.6gとイソプロピルアルコール60.0gとを
滴下混合し、室温で10分間撹拌した後、更に水0.6
g、塩酸0.1g及びイソプロピルアルコール10.0
gを加えて室温で30分間撹拌してアンダーコート履用
コーティング溶液を得た。
溶液の粘度は2.7センチボアズであった。
参考例3
テトラエチルオルソシリケート20.8g、テトライソ
プロピルオルソチタネート18.0gとエチルアルコー
ル150m1の混合溶液に水4.8g、塩酸1g及びエ
チルアルコール125m1を添加し、室温で1時間撹拌
混合してSiO□/TiO□層用コーティング溶用コー
ティング溶液の粘度は1.9センチポアズであった。
プロピルオルソチタネート18.0gとエチルアルコー
ル150m1の混合溶液に水4.8g、塩酸1g及びエ
チルアルコール125m1を添加し、室温で1時間撹拌
混合してSiO□/TiO□層用コーティング溶用コー
ティング溶液の粘度は1.9センチポアズであった。
参考例4
テトライソプロピルオルソチタネート14.2g、イソ
プロピルアルコール25+nl及びn−ブチルアルコー
ル25m1の混合溶液に2規定の塩酸水溶液1.35g
、イソプロピルアルコール25m1及びn−ブチルアル
コール25m1の混合物を添加し、室温で1時間撹拌混
合してTi0g層用コーティング溶液を得た。この溶液
の粘度は3.5センチポアズであった。
プロピルアルコール25+nl及びn−ブチルアルコー
ル25m1の混合溶液に2規定の塩酸水溶液1.35g
、イソプロピルアルコール25m1及びn−ブチルアル
コール25m1の混合物を添加し、室温で1時間撹拌混
合してTi0g層用コーティング溶液を得た。この溶液
の粘度は3.5センチポアズであった。
参考例5
テトラエチルオルソシリケート19.8g 、オクチル
トリメトキシシラン(NUCシリコーン(Y−9187
))1.0g及びイソプロピルアルコール62.5ml
の混合溶液に水9g、塩酸1g及びイソプロピルアルコ
ール62、5011の混合物を添加し、室温で1時間撹
拌混合して最表層用コーティング溶液を得た。この溶液
の粘度は2.8センチポアズであった。
トリメトキシシラン(NUCシリコーン(Y−9187
))1.0g及びイソプロピルアルコール62.5ml
の混合溶液に水9g、塩酸1g及びイソプロピルアルコ
ール62、5011の混合物を添加し、室温で1時間撹
拌混合して最表層用コーティング溶液を得た。この溶液
の粘度は2.8センチポアズであった。
参考例6
テトラエチルオルソシリケートIL7g 、オクチルト
リメトキシシラン(NUCシリコーン(Y−9187)
)2.1g及びイソプロピルアルコール62.5mlの
混合溶液に水9g、塩酸1g及びイソプロピルアルコー
ル62、5mlの混合物を添加し、室温で1時間撹拌混
合して最表層用コーティング溶液を得た。この溶液の粘
度は2.8センチポアズであった。
リメトキシシラン(NUCシリコーン(Y−9187)
)2.1g及びイソプロピルアルコール62.5mlの
混合溶液に水9g、塩酸1g及びイソプロピルアルコー
ル62、5mlの混合物を添加し、室温で1時間撹拌混
合して最表層用コーティング溶液を得た。この溶液の粘
度は2.8センチポアズであった。
参考例7
テトラエチルオルソシリケートの量を20.7g 1オ
クチルトリメトキシシランの量をo、 Igとした以外
は参考例5と同様にして最表層用コーティング溶液を得
た。この溶液の粘度は2.8センチポアズであった。
クチルトリメトキシシランの量をo、 Igとした以外
は参考例5と同様にして最表層用コーティング溶液を得
た。この溶液の粘度は2.8センチポアズであった。
参考例8
テトラエチルオルソシリケート20.8gとイソプロピ
ルアルコール62.5mlの混合溶液に水9g、塩酸I
g及びイソプロピルアルコール62.5mlの混合物を
添加し、室温で1時間撹拌混合して比較例用最表層用コ
ーティング溶液を得た。この溶液の粘度は2.8センチ
ポアズであった。
ルアルコール62.5mlの混合溶液に水9g、塩酸I
g及びイソプロピルアルコール62.5mlの混合物を
添加し、室温で1時間撹拌混合して比較例用最表層用コ
ーティング溶液を得た。この溶液の粘度は2.8センチ
ポアズであった。
実施例1
ポリメチルメタクリレートAR板(三菱レイヨン株製、
屈折率1.49)に参考例1で合成したアンダーコート
用溶液を浸漬法で引き上げ速度30cm/minで塗布
した後、室温で5分間、更に80℃で1時間加熱して硬
化させた。この上に参考例3で合成したSiO□/Ti
0a層用コーティング溶用コーティング溶液げ速度13
cm/winで塗布した後、室温で5分間、更に80℃
で1時間加熱して硬化させた。更に、その上に参考例4
で合成したTiO□層用コーティング溶液を浸漬法で引
き上げ速度Is、 6cm/minで塗布した後、室温
で5分間、更に80℃で1時間加熱しして硬化させた。
屈折率1.49)に参考例1で合成したアンダーコート
用溶液を浸漬法で引き上げ速度30cm/minで塗布
した後、室温で5分間、更に80℃で1時間加熱して硬
化させた。この上に参考例3で合成したSiO□/Ti
0a層用コーティング溶用コーティング溶液げ速度13
cm/winで塗布した後、室温で5分間、更に80℃
で1時間加熱して硬化させた。更に、その上に参考例4
で合成したTiO□層用コーティング溶液を浸漬法で引
き上げ速度Is、 6cm/minで塗布した後、室温
で5分間、更に80℃で1時間加熱しして硬化させた。
次に、その上に参考例5で合成した最表層用コーティン
グ溶液を浸漬法で引き上げ速度6.5cm/winで塗
布した後、室温で5分間、更に80℃で1時間加熱して
硬化させた。
グ溶液を浸漬法で引き上げ速度6.5cm/winで塗
布した後、室温で5分間、更に80℃で1時間加熱して
硬化させた。
得られた板のアンダーコート層の屈折率は1.49、膜
厚は1 μm 、 5in2/Ti1t層の屈折率は1
.58、膜厚は870人、TiO□層の屈折率は1.8
1.膜厚は1520入であり、最表層の屈折率は1.4
4、膜厚は955人であった。
厚は1 μm 、 5in2/Ti1t層の屈折率は1
.58、膜厚は870人、TiO□層の屈折率は1.8
1.膜厚は1520入であり、最表層の屈折率は1.4
4、膜厚は955人であった。
こうして得られた板の全光線透過率は98%であり、接
触角は99°、反射防止層にクラックは認められず、反
射防止層の密着性は100%であり、耐汚染性試験の結
果は良好であった。又、耐塩水性テストでクラックの発
生はなく、耐摩耗性も良好であった。
触角は99°、反射防止層にクラックは認められず、反
射防止層の密着性は100%であり、耐汚染性試験の結
果は良好であった。又、耐塩水性テストでクラックの発
生はなく、耐摩耗性も良好であった。
実施例2
実施例で用いたと同様のポリメチルメタクリレートAR
板に参考例2で合成したアンダーコート要用コーティン
グ溶液を浸漬法で引き上げ速度5、7cn+/minで
塗布した後、室温で5分間、更に80℃で1時間加熱し
て硬化させた。その上に参考例4で合成したTi0−履
用コーティング溶液を浸漬法で引き上げ速度15.6c
m/winで塗布した後、室温で5分間、更に80℃で
1時間加熱して硬化させた。
板に参考例2で合成したアンダーコート要用コーティン
グ溶液を浸漬法で引き上げ速度5、7cn+/minで
塗布した後、室温で5分間、更に80℃で1時間加熱し
て硬化させた。その上に参考例4で合成したTi0−履
用コーティング溶液を浸漬法で引き上げ速度15.6c
m/winで塗布した後、室温で5分間、更に80℃で
1時間加熱して硬化させた。
更に、その上に参考例5で合成した最表層用コーティン
グ溶液を浸漬法で引き上げ速度6.5cm/fiIin
で塗布した後、室温で5分間、更に80℃で1時間加熱
して硬化させた。
グ溶液を浸漬法で引き上げ速度6.5cm/fiIin
で塗布した後、室温で5分間、更に80℃で1時間加熱
して硬化させた。
得られた板のアンダーコート層の屈折率は1.58、膜
厚は870人、Ti0□層の屈折率は1.81.膜厚は
1520人であり、最表層の屈折率は1.44、膜厚は
955入であった。
厚は870人、Ti0□層の屈折率は1.81.膜厚は
1520人であり、最表層の屈折率は1.44、膜厚は
955入であった。
こうして得られた板の全光線透過率は98%であり、接
触角は99°、反射防止層にクラックは認められず、反
射防止層の密着性は100%であり、耐汚染性試験の結
果は良好であった。又、耐塩水性テストでクラックの発
生はなく、耐摩耗性も良好であった。
触角は99°、反射防止層にクラックは認められず、反
射防止層の密着性は100%であり、耐汚染性試験の結
果は良好であった。又、耐塩水性テストでクラックの発
生はなく、耐摩耗性も良好であった。
実施例3
オクチルトリメトキシシランの代わりに回置のフルオロ
アルキルトリメトキシシラン(XC95−418、東芝
シリコーン製)を用いた以外は実施例1と同様にした。
アルキルトリメトキシシラン(XC95−418、東芝
シリコーン製)を用いた以外は実施例1と同様にした。
最表層用コーティング溶液の粘度は2.8センチポアズ
であり、得られた板の全光線透過率は98%であり、最
表層の屈折率は1.44であり、膜厚は955人であり
、接触角は82°、反射防止層にクラックは認められず
、反射防止層の密着性は100%であり、耐汚染性試験
の結果は良好であった。又、耐塩水性テストでクラック
の発生はなく、耐摩耗性も良好であった。
であり、得られた板の全光線透過率は98%であり、最
表層の屈折率は1.44であり、膜厚は955人であり
、接触角は82°、反射防止層にクラックは認められず
、反射防止層の密着性は100%であり、耐汚染性試験
の結果は良好であった。又、耐塩水性テストでクラック
の発生はなく、耐摩耗性も良好であった。
実施例4
オクチルトリメトキシシランの代わりに同量のメチルト
リエトキシシランを用いた以外は実施例1と同様にした
。
リエトキシシランを用いた以外は実施例1と同様にした
。
最表層用コーティング溶液の粘度は2.8センチポアズ
であり、得られた板の全光線透過率は98%であり、最
表層の屈折率は1.44であり、膜厚は955人であり
、接触角は78°、反射防止層にクラックは認められず
、反射防止層の密着性は100%であり、耐汚染性試験
の結果は良好であった。反射防止層の密着性は100%
であり、耐汚染性試験の結果は良好であった。又、耐塩
水性テストでクラックの発生はなく、耐摩耗性も良好で
あった。
であり、得られた板の全光線透過率は98%であり、最
表層の屈折率は1.44であり、膜厚は955人であり
、接触角は78°、反射防止層にクラックは認められず
、反射防止層の密着性は100%であり、耐汚染性試験
の結果は良好であった。反射防止層の密着性は100%
であり、耐汚染性試験の結果は良好であった。又、耐塩
水性テストでクラックの発生はなく、耐摩耗性も良好で
あった。
実施例5
最表層用コーティング溶液として参考例6で合成したも
のを用いた以外は実施例1と同様にした。
のを用いた以外は実施例1と同様にした。
得られた板の全光線透過率は98%であり、最表層の屈
折率は1.44であり、膜厚は955人であり、接触角
は98°、反射防止層にクラックは認められず、反射防
止層の密着性は100%であり、耐汚染性試験の結果は
良好であった。又、耐塩水性テストでクラックの発生は
なく、耐摩耗性も良好であった。
折率は1.44であり、膜厚は955人であり、接触角
は98°、反射防止層にクラックは認められず、反射防
止層の密着性は100%であり、耐汚染性試験の結果は
良好であった。又、耐塩水性テストでクラックの発生は
なく、耐摩耗性も良好であった。
実施例6
最表層用コーティング溶液として参考例7で合成したも
のを用いた以外は実施例1と同様にした。
のを用いた以外は実施例1と同様にした。
得られた板の全光線透過率は98%であり、最表層の屈
折率は1.44であり、膜厚は955人であり、接触角
は85°、反射防止層にクラックは認められず、反射防
止層の密着性は100%であり、耐汚染性試験の結果は
良好であった。又、耐塩水性テストでクラックの発生は
なく、耐摩耗性も良好であった。
折率は1.44であり、膜厚は955人であり、接触角
は85°、反射防止層にクラックは認められず、反射防
止層の密着性は100%であり、耐汚染性試験の結果は
良好であった。又、耐塩水性テストでクラックの発生は
なく、耐摩耗性も良好であった。
比較例1
最表層用コーティング溶液として参考例8で合成したも
のを用いた以外は実施例1と同様にした。
のを用いた以外は実施例1と同様にした。
得られた板の全光線透過率は98%であり、最表層の屈
折率は1.44であり、膜厚は955人であり、接触角
は55@であった。反射防止層にクラックは認められず
、反射防止層の密着性は100%であったが、耐汚染性
試験の結果は不良であった。
折率は1.44であり、膜厚は955人であり、接触角
は55@であった。反射防止層にクラックは認められず
、反射防止層の密着性は100%であったが、耐汚染性
試験の結果は不良であった。
比較例2
実施例1で用いたと同様のポリメチルメタクリレート板
に蒸着法で膜厚955人のSi0g膜を形成させた。得
られた板の接触角は16°であり、Si0g膜の密着性
は100%であり、Si0g膜にクラックの発生は見ら
れなかったが、耐汚染性試験の結果は不良であった。
に蒸着法で膜厚955人のSi0g膜を形成させた。得
られた板の接触角は16°であり、Si0g膜の密着性
は100%であり、Si0g膜にクラックの発生は見ら
れなかったが、耐汚染性試験の結果は不良であった。
比較例3
ポリメチルメタクリレート板R板(三菱レイヨン■製、
屈折率1.49)に参考例1で合成したアンダーコート
用溶液を浸漬法で引き上げ速度30(:m/rninで
塗布した後、室温で5分間、更に80℃で1時間加熱し
て硬化させた。この板の接触角は51”であり、耐汚染
性試験の結果は不良であった。
屈折率1.49)に参考例1で合成したアンダーコート
用溶液を浸漬法で引き上げ速度30(:m/rninで
塗布した後、室温で5分間、更に80℃で1時間加熱し
て硬化させた。この板の接触角は51”であり、耐汚染
性試験の結果は不良であった。
の発生も少なく、反射防止膜の基板への密着性に優れ、
しかも、耐汚染性に優れた反射防止膜を形成することが
できるという優れた特徴を有する。
しかも、耐汚染性に優れた反射防止膜を形成することが
できるという優れた特徴を有する。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1)有機高分子基板上に単層又は多層の反射防止層を形
成し、該反射防止層の最表層が珪素アルコキシドと下記
一般式(1)で表わされるシラン化合物とを含む珪素ア
ルコキシド混合物を部分加水分解、共縮合せしめたもの
を塗布、加熱硬化してなり、水に対する静止接触角が6
0°以上であり、屈折率が1.5以下であるものとする
ことを特徴とする反射防止層の形成法。 SiR^1_mR^2_n(OR^2)_4_−_m_
−_n(1)(式中、R^1、R^2は各々独立にビニ
ル基、アミノ基、(メタ)アクリロイルオキシ基、メル
カプト基、エポキシ基、塩素及び弗素から選ばれる置換
基を有していてもよい炭素数1〜6のアルキル基、炭素
数1〜6のアルケニル基又は炭素数6〜12のアリール
基であり、R^2は炭素数1〜4の炭化水素基を示し、
m及びnは0、1又は2であって、但し、m+nは1又
は2を満足するものである。)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2055766A JPH03256003A (ja) | 1990-03-07 | 1990-03-07 | 反射防止層の形成法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2055766A JPH03256003A (ja) | 1990-03-07 | 1990-03-07 | 反射防止層の形成法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03256003A true JPH03256003A (ja) | 1991-11-14 |
Family
ID=13007985
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2055766A Pending JPH03256003A (ja) | 1990-03-07 | 1990-03-07 | 反射防止層の形成法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03256003A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2021210371A1 (ja) * | 2020-04-14 | 2021-10-21 | フクビ化学工業株式会社 | 反射防止積層体 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS51126505A (en) * | 1975-04-26 | 1976-11-04 | Shinpo Kogyo Kk | Rotor case for type eluid machines |
JPS578388A (en) * | 1980-06-16 | 1982-01-16 | Sanyo Electric Co Ltd | Rotary compressor |
JPS5853690A (ja) * | 1981-09-25 | 1983-03-30 | Jidosha Kiki Co Ltd | ベ−ンポンプ |
JPH01139091U (ja) * | 1988-03-17 | 1989-09-22 | ||
JPH0212088U (ja) * | 1988-07-08 | 1990-01-25 |
-
1990
- 1990-03-07 JP JP2055766A patent/JPH03256003A/ja active Pending
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS51126505A (en) * | 1975-04-26 | 1976-11-04 | Shinpo Kogyo Kk | Rotor case for type eluid machines |
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JPS5853690A (ja) * | 1981-09-25 | 1983-03-30 | Jidosha Kiki Co Ltd | ベ−ンポンプ |
JPH01139091U (ja) * | 1988-03-17 | 1989-09-22 | ||
JPH0212088U (ja) * | 1988-07-08 | 1990-01-25 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2021210371A1 (ja) * | 2020-04-14 | 2021-10-21 | フクビ化学工業株式会社 | 反射防止積層体 |
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