JPH03236144A - 冷陰極画像表示装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、冷陰極尖端から放射された放射電子流を蛍光
体に照射し、この蛍光体からの光により画像を表示する
冷陰極画像表示装置に関するものである。

〔従来の技術〕

第２図は、アイイーイーイー　トランザクションズ　オ
ブ　エレクトロン　デバイシズ（ＩＥＥＥＴｒａｎｓａ
ｃｔｉｏｎｓ　ｏｆ　Ｅｌｅｃｔｒｏｎ　Ｄｅｖｉｃｅ
ｓ、　３６　［月（１９８９−１）、　Ｃ，Ａ、５ｐｉ
ｎｄｔ、　”Ｆｉｅｌｄ−Ｅｍｉｔｔｅｒ　Ａｒｒａｙ
ｓ＾ｐｐｌｉｅｄ　ｔｏ　Ｖａｃｕｕｎ＋　Ｆｌｕｏｒ
ｅｓｃｅｎｔ　Ｄｉｓｐｌａｙ”　Ｐ、２２５−２２７
　）に記載された従来の冷陰極画像表示装置の一部分を
示す構成図である。

第２図に示される従来の装置においては、酸化膜２で覆
われたＳｉ基板１上にベース電極（陰極）３が形成され
、その上に絶縁膜４を介してゲート電極５が形成されて
いる。そして、ゲート電極５に数十から数百個の電極孔
６が形成されており、電極孔６内には円錐突起状に形成
された冷陰極尖端（図示せず）が形成されている。

一方、スペーサ７を挾んで基板ｌに対向して配置された
透明な前面基板８は、基板１に対向する側の面上にＩＴ
Ｏ等よりなる透明導電膜（陽極）９を有し、その上に蛍
光色の異なる３種の蛍光体層１０が形成されている。

ここで第３図は、ジャーナル　オブ　アプライド　フィ
ジックス（Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　Ａｐｐｌｉｅｄ　Ｐ
ｈｙｓｉｃｓ、　４７　［１２］　（１９７６−１２）
　（米）ＡＩｌｅｒｉＣａｎ　Ｉｎ５ｔｉｔｕｔｅｏｆ
　ｐｈｙｓｉｃｓ、　Ｃ，Ａ、５ｐｉｎｄｔ、　　”Ｐ
ｈｙｓｉｃａｌ　ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓｏｆ　ｔｔｌｉ
ｎ−ｆｉｌｌｌ　ｆｉｅｌｄ　ｅｆｌｉｓｓｉＯｎ　Ｃ
ａｔｈＯｄｅＳｗｉｔｈＩＩｏｌｙｂｄｅｎｕｎ＋　ｃ
ｏｎｅｓ”、　Ｐ、５２４８−５２６３）に記載の冷陰
極画像表示装置の冷陰極尖端部分を示す断面図である。

そして、ここに示される冷陰極尖端は第２図では詳細が
示されていない符号６部分に適用できるものである。第
３図に示されているように、かかる装置においてはＳｉ
基板１１上に、５ｉ０２よりなる絶縁膜１２が形成され
、さらに絶縁膜１２の空洞部１２ａの中央に円錐突起状
の冷陰極尖端１３が形成されている。また、絶縁膜１２
上には冷陰極尖端１３の先端部分を囲う電極孔１４ａを
有するゲートｔｇｉｔ４が備えられている。

そして、第２図に示されるように、ゲート電極５のベー
ス電ｖｆ１３と交差する部分の電極孔内に形成された冷
陰極尖端１３から電子を放出させるなめに１０７Ｖ／ｃ
ｒｉ程度の強電界を印加して、冷陰極尖端１３から電子
流を放出させ、この放射電子流を透明導電膜（第２図の
符号９）で加速し集合させ蛍光体層（第２図の符号１０
）に照射して画像を表示している。

〔発明が解決しようとする課題〕

しかしながら、上記従来例において冷陰極尖端からゲー
ト電極５に流れ込む放射電子流を低減させるためにゲー
ト電極５の厚さを薄くする対策をとると（ゲート電極５
が厚い場合には、冷陰極尖端からの無指向性に近い放射
電子流がゲート電極５に流入される割合が大きくなる）
、ゲート電極５の抵抗値が増大し、ゲート電極５におけ
る伝送損失による輝度むらが生じて画質を低下させると
いう問題があった。

また、第２図に示されるように、従来の構造においては
、ゲート電極５とベース電極３との交差部の面積が大き
いので、この交差部における電極間の静電容量が大きく
なり、例えば、画素数が多く高画質化の図られた装置の
ように交差点数が多い場合には、直交する両電極間の結
合漏話が大きくなり画質に悪影響を与える問題があった
。

さらに、上記従来例においてはベース電極３及びゲート
電極５と共に伝送線路を構成する他の対向電極はＳｉ基
板１とみなすことができるが（他の対向電極としては透
明導電膜９もあるが、透明導電膜９までの距離ｄはＳｉ
基板１までの距［ｄさが０．１μｍ程度であることを考
慮すると透明導電膜９が伝送特性に及ぼす影響は無視で
きるほど小さい）、ｓｉ基板の導電率は画像信号の最高
周波数が１０ＭＨｚ程度の場合に導電率が１０−２Ω・
Ｃ１１程度と小さいため（但し、Ｓｉ基板における表皮
効果深さδは２００μｍ程度であり画像信号がＳｉ基板
の厚さの全域に亘って流れるので導電率の低さは幾分緩
和される）、非常に大きな減衰が生じるという問題があ
った。

即ち、伝送線路の単位長さ当たりの抵抗値をＲ（Ω／Ｃ
１１）、伝送線路の特性インピーダンスを２０としたと
きに、次式（１）で与えられる減衰定数αが大きいとい
う問題があった。

α＝４．３５Ｒ／Ｚｏ　［ｄＢ／ｃ１１〕　　−・・式
（１）ここで、誘電体の厚さをｈ、伝送線路の幅をＷ、
基板導電体と伝送線路との間の誘電体層の比誘電・・・
式（２） さらにまた、例えば、ゲート電極５に伝送される信号に
対して流れるＳｉ基板１側の電流は、ゲート電極５を構
成する線路間隔よりもはるかに深い範囲にまで拡がって
おり、かかる電流の拡がりが両線路間に結合コンダクタ
ンスを形成することになり、これが両線路間の結合漏話
を引き起こす問題があった。

そこで、本発明は上記した従来技術の課題を解決するた
めになされたものであり、その目的とするところは、電
圧降下や結合漏話による画質の劣化の少ない高画質な表
示ができる冷陰極画像表示装置を提供することにある。

また、他の発明においては、電圧降下や結合漏話による
画質の劣化のさらに少ない高画質な表示ができる冷陰極
画像表示装置を提供することをも目的とする。

〔課題を解決するための手段〕

本発明に係る冷陰極画像表示装置は、第一の誘電＊層と
、上記第一の誘電体層上にストライプ状に備えられた複
数本のベース電極ストリップ線路と、上記第一の誘電体
層上であって、上記複数本のベース電極ストリップ線路
の間に備えられ、上記ベース電極ストリップ線路に接続
された複数のベース電極分岐部と、上記ベース電極分岐
部上に突起状に形成された冷陰極尖端と、上記冷陰極尖
端を囲う孔を有し、上記第一の誘電体層、上記ベース電
極ストリップ′ａ路、及び上記ベース電極分岐部上に備
えられた第二の誘電体層と、上記第二の誘電体層上に上
記ベース電極ストリップ線路に直交する方向に延びるス
トライプ状に備えられた複数本のゲート電極ストリップ
線路と、上記冷陰極尖端を囲うゲート電極孔を有し、上
記複数本のゲート電極ストリップ線路の間であって上記
ベース電極分岐部上に備えられ、上記ゲート電極ストリ
ップ線路に接続された複数のゲート電極分岐部と、所定
間隔をあけて上記冷陰極尖端に対向配置され、上記冷陰
極尖端から放射される電子流を所定方向に導く陽極電極
と、上記電子流が照射されることにより発光する蛍光体
とを有することによって構成されている。

また、他の発明に係る冷陰極画像表示装置は、導電性基
板と、上記導電性基板上に備えられた第一の誘電体層と
、上記第一の誘電体層上にストライプ状に備えられた複
数本のベース電極ストリップ線路と、上記第一の誘電体
層上であって、上記複数本のベース電極ストリップ線路
の間に備えられ、上記ベース電極ストリップ線路に接続
された複数のベース電極分岐部と、上記ベース電極分岐
部上に突起状に形成された冷陰極尖端と、上記冷陰極尖
端を囲う孔を有し、上記第一の誘電体層、上記ベース電
極ストリップ線路、及び上記ベース電極分岐部上に備え
られた第二の誘電体層と、上記第二の誘電体層上に上記
ベース電極ストリップ線路に直交する方向に延びるスト
ライプ状に備えられな複数本のゲート電極ストリップ線
路と、上記冷陰極尖端を囲うゲート電極孔を有し、上記
複数本のゲート電極ストリップ線路の間であって上記ベ
ース電極分岐部上に備えられ、上記ゲート電極ストリッ
プ線路に接続された複数のゲート電極分岐部と、所定間
隔をあけて上記冷陰極尖端に対向配置され、上記冷陰極
尖端から放射される電子流を所定方向に導く陽極電極と
、上記電子流が照射されることにより発光する蛍光体と
を有することによって構成されている。

さらに他の発明に係る冷陰極画像表示装置は、導電性基
板と、上記導電性基板上に備えられた第一の誘電体層と
、上言己第−の誘電体層上にストライプ状に備えられた
複数本のベース電極ストリップ線路と、上記第一の誘′
ｆ４体層上であって、上記複数本のベース電極線路の間
に備えられ、上記ベース電極線路に接続された複数のベ
ース電極分岐部と、上記ベース電極分岐部上に突起状に
形成された冷陰極尖端と、上記冷陰極尖端を囲う孔を有
し、上記第一の誘電体層、上記ベース電極ストリップ線
路、及び上記ベース電極分岐部上に備えられた第二の誘
電体層と、上記第二の誘電体層上に上記ベース電極スト
リップ線路に直交する方向に延びるストライプ状に備え
られた複数本のゲート電極ストリップ線路と、上記冷陰
極尖端を囲うゲート電極孔を有し、上記複数本のゲート
電極ストリップ線路の間であって上記ベース電極分岐部
上に備えられ、上記ゲート電極ストリップ線路に接続さ
れた複数のゲート電極分岐部と、所定間隔をあけて上記
冷陰極尖端に対向配置され、上記冷陰極尖端から放射さ
れる電子流を所定方向に導く陽極電極と、上記電子流が
照射されることにより発光する蛍光体とを有し、上記導
電性基板を上記ゲート電極ストリップ線路と上記ベース
電極ストリップ線路に対応させた格子状に形成したこと
をすることによって構成されている。

〔作　用〕

本発明においては、第一の誘電体層上にストライプ状に
備えられた複数本のベース電極ストリップ線路と冷陰極
尖端を備えたベース電極分岐部とが別個に形成されてお
り、また、第二の誘電体層上に備えられるストライブ状
のゲート電極ストリップ線路とベース電極分岐部上に備
えられたゲート電極分岐部とが別個に形成されている。

このように、ゲート電極ストリップ線路と、冷陰極尖端
から電子流を放出させるゲート＄極分岐部とを別個に構
成したので、冷陰極尖端から流れ込むゲート電流の低減
を図る等の理由から伝送線路であるゲート＠極ストリッ
プ線路を薄く構成する必要はなく（ゲート電極分岐部の
みを薄く構成すればよい）、よって、ゲート電極ストリ
ップ線路における伝送損失を小さくでき、輝度むらを小
さくできる。

また、伝送線路と、電子流を放射する分岐部とを別個に
構成しているため、伝送線路の交差面積を小さくでき、
伝送線路としての特性インピーダンスを隣接線路間の結
合漏話を防止できる程度まで大きくすることができる。

さらに他の発明に係る冷陰極画像表示装置は、上記作用
に加えて、ゲート電極ストリップ線路とベース電極スト
リップ線路の信号の伝送において、それぞれの線路に対
向する他の対向電極としてグレーズ層を有する導電性の
基板を備えて減衰定数の一層の低減を図り、導電性の基
板を格子状に形成することにより、隣接する線路間の結
合漏話の低減を図っている。

〔実施例〕

以下に本発明を図示の実施例に基づいて説明する。

第１図は本発明に係る冷陰極画像表示装置の一実施例の
構成を示す分解斜視図である。

同図に示される装置においては、ステンレス等よりなる
導電性の金属基板２１上に、ガラス層を塗布・焼成して
形成された厚さ３０〜１００μｍ程度のグレーズ層（第
一の誘電体層）２２が備えられている。このグレーズ層
２２上にはストライブ状に備えられた複数本（図には１
本のみを示す）のベース電極ストリップ線路２３ａと、
このストリング１ｌＢ２３ａの間に位置しストリップ線
路２３ａに接続された複数のベース電極分岐部２３ｂと
が備えられている。そして、ベース電極分岐部２３ｂ上
には第３図に示されたような冷陰極尖端（第１図には図
示せず）が複数個備えられている。

尚、ベース電極２３（ベース電極ストリップ線路２３ａ
及びベース電極分岐部２３ｂ）は、例えば、厚さ１〜５
μｍ程度のＭｏ全面成膜の後に、リングラフ技術により
形成される。

また、上記グレーズ層２２とベース電極２３上にはＳ　
ｘ　Ｏ２層（第二の誘電体層）２４が重ねて備えられ、
この３１０２層２４のベース電極分岐部２３ｂ上の部分
には冷陰極尖端を囲うように、第２図の符号１２ａ部分
と同様な孔が形成されている。尚、第１図では内部形状
を示すためにＳｉＯ２層２４をベース電極２３から離し
て描いているが、実際にはベース電極２３上にＣＶＤ法
によつＳ　ｉ　０２を堆積させて形成されており、電界
により電子を放射する上で必要なベース電極・ゲート電
極間距離（１〜２μｍ程凌）をＳｉＯ３層の厚さにより
確保している。また、このＳｉｏ２層を、例えば、ＡＪ
　　Ｏの第−層とＳｉＯ２の第３ 二層との複合層としてもよい。

さらに、上記３１０２層２４上にはベース電極ストリッ
プ線路２３ａと直交する方向に延びるようにストライプ
状に備えられた複数本のゲート電極ストリップ線路２５
ａが形成されている。そして、このゲート＠極ストリッ
プ線路２５ａの間であってベース電極分岐部２３ｂの上
にはＭＯよりなるゲート電極分岐部２５ａが備えられお
り、このゲート電極分岐部２５ａには上記冷陰極尖端を
囲う複数のゲート電極孔（第１図には図示せず）が形成
されている。尚、ゲート電極２３は例えば厚さ０．１〜
０．４μｍ程度のＭｏにより形成される。

さらにまた、第１図には示されていないが、上記冷陰極
尖端から所定間隔をあけて冷陰極尖端から放射される電
子流を所定方向に導く陽極電極としてのＩＴＯ膜が備え
られ、このＩＴＯ膜上には蛍光体が備えられており、冷
陰極尖端から放射される電子流が照射されることにより
蛍光体は発光する。

以上述べたように、本実施例においては、グレーズ層２
２上にストライプ状に備えられた複数本のベース電極ス
トリップ線路２３ａと冷陰極尖端を備えたベース電極分
岐部２３ｂとが別個に形成されており、ベース電極スト
リップ線路２３ａに伝送線路としての機能を持たせ、ベ
ース電極分岐部２３ｂに電子流を放射する表示画素とし
ての機能を持たせている。

また、Ｓ　１０２層２４上に備えられるストライプ状の
ゲート電極ストリップ線路２５ａとベース電極分岐部２
３ｂ上に備えられたゲート電極分岐部２５ｂも別個に形
成されており、ゲート電極ストリップ線路２５ａに伝送
線路としての機能を持たせ、ゲート電極分岐部２５ｂに
ベース電極分岐部２３ｂ上の冷陰極尖端から電子流を放
射させる機能を持たせている。

このように、ゲート電極ストリップ線路２５ａと、冷陰
極尖端から電子流を放出させるゲート電極分岐部２５ｂ
とを別個に構成したので、冷陰極尖端からゲート電極分
岐部２５ｂに流れ込むゲート電流の低減を図る等の理由
から伝送線路であるストリップ線路２５ａを薄く構成す
る必要はなく（ゲート電極分岐部２５ｂのみを薄く構成
すればよい）、ストリップ線路２５ａにおける伝送損失
を小さくできる。このため、画素間のＵ度むらを低減で
き画質の向上を図ることができる。

また、ゲート電極分岐部２３ｂを除外してゲート電極ス
トリップ線路２３ａ上にＣｕ等の導電性の高い金属層を
薄膜リフトオフ技術或いは選択メツキ技術で２〜５μｍ
厚程度形成した構成とすると減衰定数αの一層の低減を
図ることができる。

以下に示す式（３）と上記式（１）、（２）から得られ
る式（４）は減衰定数αが低減されることを示している
。

Ｒ＝ρ／（ｗ−ｔ）　　〔Ω／ｃｎ］　　　　・・・式
（３）ここで、ρはゲート電極線路の抵抗率、ｔは厚さ
、Ｗは福である。

この式（３）と上記式（１）、（２）からα １／２ ＝０．０１１５ρε　　　／　＜　ｈ　−ｔ　）　　ｉ
：ｄＢ／ｃｎ５１「 ・・・式（４） また、第２図の従来例では伝送線路自体に冷陰極尖端が
備えられており、伝送線路の幅を自由に狭めることはで
きなかっな。しかし、本実施例においては、伝送線路と
電子流を放射する分岐部とを別個に構成しているため、
伝送線路であるベース電極ストリップ線路２３ａとベー
ス電極ストリップ線路２５ａの幅を狭くすることができ
、これによりストリップ線路２３ａと２５ａとの交差面
積を小さくして、隣接線路間の結合漏話の低減を図るこ
とができる。

ここで、第４図＜ａ）乃至（ｃ）は本実施例のベース電
極ストリップ線路２３ａとゲート電極ストリップ線路２
５ａと交差部における結合漏話の状態を示す説明図であ
る。そして、同図（ａ）は１本のベース電極ストリップ
線路２３ａとこれと直交する１本のゲート電極ストリッ
プ線路２５ａとの交差部には結合容量Ｃ６と結合コンダ
クタンスＧｏとが形成されることを示し、同図（ｂ）は
１本のベース電極ストリップ線路２３ａには交差部か３
×Ｎｐ２個あることを、同図（ｃ）は１本のゲート電極
ストリップ線路２５ａには交差部がＮ、１個あることを
示している。尚、すべての線路はそれぞれの終端で特性
インピーダンスＺ。１’　Ｚ０２の薄膜抵抗２６．２７
を備えており、各線路内における多重反射による定在波
の発生を阻止して各線路相互間での結合漏話を最小にし
ている。また、交差部における結合容量ＣＣは、ベース
電極分岐部とゲート電極分岐部の間と、ベース電極スト
リップ線路とゲート電極ストリップ線路の間の両方の静
電容量となるが、ストリップ線路の交差部の静電容量の
方がはるかに大きいことから、交差部面積の低減により
結合容量の低減を効果的に達成できる。また、交差部に
絶縁体層をさらに重ねて備え絶縁体の厚さを増加させれ
ば結合容量をさらに低減できる。

さらに、従来は導電率が１０−２Ω・Ｃ１１程度と低い
Ｓｔ基板上に伝送線路を形成していたので最高周波数を
１０ＭＨｚ程度とすると大きな減衰が生じていたが、本
実施例ではベース電極２３及びゲート電＆２５の双方に
対向する基板をグレーズ層２２を備えた導電性の金属基
板２１としたことにより従来の欠点とされｆＳ極めて低
い特性インピーダンスと大きな減衰の問題の解決が図ら
れている。

第５図（ａ）はストリ・Ｖプ線１Ｍ３３を流れる画像信
号に対応して流れる誘電体層３２と導電性基板３１側の
電流密度分布を示す説明図である。同図に示されるよう
に、ストリップ線路３３の幅Ｗの両側にそれぞれ誘電体
層３２の厚さｈと同程度の幅のフリンジング域Ｆか形成
されている。

同図（ｂ）は隣接している２条のストリップ線路と対向
する導電性基板３１の間に流れる電流の範囲を示す説明
図であるか、隣接している２条のストリップ線路間の結
合を防止するためには、導電体基板３１上で両ストライ
プに対応して流れる電流か重ならないようにする必要が
ある。このためには、ストリップ線路のストライプピッ
チＷｐと線路ｇＷと誘電体層厚さｈとの間に、ｈ≦（Ｗ
　　−Ｗ）、、’２　　　　　　　　・・・式（５）の
関係か成り立つことが要求される。

一方、式（４）からは減衰定数の低減のためにはｈを可
能な限り大きくすべきことが示されているので、結果と
して ｈ＝（Ｗ　　−Ｗ＞／２　　　　　　　　　・・・式（
６）がｈの許容限界を与えることになる。

この場合、上記式（−１）に式（６）を代入するとα １／２ 一〇、０２３１ρε　　（Ｗｐ、／ｌ　＞　、／ｆ１−
１ｃ　＞「 〔ｄＢ／ｃ＋３１ ・・・式（７） ％式％ ここでは、Ｋ＝Ｗ、／Ｗｐとし、ストリップ線路の間隔
（Ｗｐ−Ｗ）がストリップ線路の幅Ｗより広くなる粂件
（Ｗ、−Ｗ）≧Ｗを満たすこと、即ち、Ｋ≦１／２とす
ることがストリップ線路の交差面積の低減の面から適当
である。

第６図は本発明に係る冷陰極画像表示装置のさらに他の
実施例の構成を示す分解斜視図である。

尚、以下の説明では第１図と同一の構成部分には同一の
符号を用いる。

同図に示される装置においては、ガラス、セラミックス
等の絶縁体板２０上に銀パラジウム等の金属を塗布、焼
成して得られた格子状の導電体層２１上が備えられてい
る。そして絶縁体板２０及び格子状の導電体層２１上に
はガラス層を塗布・焼成して形成された厚さ３０〜１０
０μｍ程度のグレーズ層（第一の誘電体層）２２が備え
られている。尚、第５図では内部形状を示すためにグレ
ーズ層２２を導電体層２１から離して描いているが、実
際には絶縁体板２０及び導電体層２１上に接して形成さ
れている。

このグレーズ層２２上の上記格子状の導電体層２１上に
はストライプ状に備えられた複数本（図には１本のみを
示す）のベース電極ストリップ線路２３ａが備えられて
いる。また、このグレーズ層２２上のストリップ線路２
３ａの間にはストリップ線路２３ａに接続された複数の
ベース電極分岐部２３ｂとが備えられている。そして、
ベース電極分岐部２３ｂ上には第３図に示されたような
冷陰極尖端（第１図には図示せず）がａ２２層備えられ
ている。尚、ベース電極２３（ベース電極ストリップ線
路２３ａ及びベース電極分岐部２３ｂ）は、例えば、厚
さ１〜５μｍ程度のＭＯ全而面膜の後に、リングラフ技
術により形成される。

まな、上記グレーズ層２２とベース電極２３上にはＳ　
ｉＯ２層（第二の誘電体層）２４が重ねて備えられ、こ
の５／０２層２４のベース電極分岐部２３ｂ上の部分に
は冷陰極尖端を囲うように、第２図の符号１２ａ部分と
同様な孔が形成されている。尚、第６図では内部形状を
示すために５／０２層２４をベース電ｆ！２３から漏し
て描いているが、実際にはベース電極２，３上にＣＶＤ
法によりＳｉＯ２を堆積させて形成されており、電界に
より電子を放射する上で必要なベース電極・ゲート電極
間距離（１〜２μｍ程度）をＳ　１０２層の厚さにより
確保している。また、このＳｉＯ２層を、例えば、ＡＪ
　　Ｏの第−層と３１０２の第３ 二層との複合層としてもよい。

さらに、上記３１０２層２４上であって上記格子状の導
電体層２１上にはベース電極ストリップ線路２３ａと直
交する方向に延びるようにストライプ状に備えられた複
数本のゲート電極ストリップ線路２５ａが形成されてい
る。そして、このゲート電極ストリップ線路２５ａの間
であってベース電極分岐部２３ｂの上にはＭｏよりなる
ゲート電極分岐部２５ａか備えられおり、このゲート電
極分岐部２５ａには上記冷陰極尖端を囲う複数のゲート
電極孔が形成されている。尚、ゲート電極２３は例えば
厚さ０．１〜０．４μｍ程度の？ＶＩＯにより形成され
る。

さらにまた、第６図には示されていないが、上記冷陰極
尖端から所定間隔をあけて冷陰極尖端から放射される電
子流を所定方向に導く陽極電極としてのＩＴＯ［か備え
られ、このＩＴＯＭ上には蛍光体が備えられており、冷
陰極尖端から放射される電子流か照射されることにより
蛍光体は発光する。

以上述べたように、本実施例においては、グレーズ層２
２上にストライプ状に備えられた複数本のベース電極ス
トリップ線１２３ａと冷陰極尖端を備えたベース電極分
岐部２３ｂとが別個に形成されており、ベース電極スト
リップ線路２３ａに伝送線路としての機能を持たせ、ベ
ース電極分岐部２３ｂに電子流を放射する表示画素とし
ての機能を持たせている。

また、Ｓ　ｉＯ２層２４上に備えられるストライプ状の
ゲート電極ストリップ線路２５ａとベース電極分岐部２
３ｂ上に備えられたゲート電極分岐部２５ｂも別個に形
成されており、ゲート電極ストリップ線路２５ａに伝送
線路としての機能を持たせ、ゲート電極分岐部２５ｂに
ベース電極分岐部２３ｂ上の冷陰極尖端から電子流を放
射させる機能を持たせている。

このように、ゲート電極ストリップ線路２５ａと、冷陰
極尖端から電子流を放出させるゲート電極分岐部２５ｂ
とを別個に構成しなので、冷陰極尖端からゲート電極分
岐部２５ｂに流れ込むゲート電流の低減を図る等の理由
がら伝送線路であるストリップ線路２５ａを薄く構成す
る必要はなく（ゲート電極分岐部２５ｂのみを薄く構成
すればよい）、ストリップ線路２５ａにおける伝送損失
゛を小さくできる。このため、画素間の輝度むらと低減
でき画質の向上を図ることかできる。

また、上記式（４）から減衰定数が低減されることがわ
かる。

また、第２図の従来例では伝送線路自体に冷陰極尖端が
備えられており、伝送線路の幅を自由に狭めることはで
きなかったが、本実施例においては、伝送線路と電子流
を放射する分岐部とを別個に構成しているため、伝送線
路であるベース電極ストリップ線路２３ａとベース電極
ストリップ線路２５ａの幅を狭くすることができ、これ
によりストリップ線路２３ａと２５ａとの交差面積を小
さくして、隣接線路間の結合漏話を防止できる。

第７図＜ａ）はストリップ線路３３を流れる画像信号に
対応して流れる誘電体層３２と基板３１側の電流分布を
示す説明図である。同図に示されるように、ストリップ
線路３３の幅Ｗの両側にそれぞれ誘電体層３２の厚さｈ
と同程度の幅のフリンジングｊｊｌｉＦが形成されてい
る。

同図（ｂ）、（ｃ）は隣接している２条のストリップ線
路と対向する導電性基板３１（第１図の導電体層２１に
相当する）の間に流れる電流の範囲を示す説明図である
。格子状の導電体基板３１の交差部では同図（ｂ）に示
されるよう導電体基板３１は連続であるが、交差部以外
の部分では同図（Ｃ）のように分離した構成（幅Ｗｅ）
となっており、隣接している２条のストリップ線路がそ
れぞれ独立のストリップ線路を構成しているものとみな
せるので、結合漏話の低減効果は大きくなる。尚、結合
漏話を・防止するなめには、導電体基板３１上で両スト
ライプに対応して流れる電流が重ならないようにする必
要がある。このためには、ストリップ線路のストライプ
ピヴチＷ、と線路幅Ｗと誘電体層厚さｈとの間に、 上記式（７）の関係が成り立つことが要求される。

したがって、Ｋ＝Ｗ、／Ｗｐとし、ストリップ線路の間
隔（Ｗ　　−Ｗ）がストリップ線路の＠Ｗより広くなる
条件（Ｗｐ−Ｗ）≧Ｗを満たすこと、即ち、Ｋ≦１．／
２とすることがストリップ線路の交差面積の低減の面か
ら適当である。

〔発明の効果〕

以上説明したように、本発明によれば、ストリ・１７′
線路と、冷陰極尖端から電子流を放出させる電極分岐部
とを別個に構成しなので、冷陰極尖端からゲート電極分
岐部に流れ込むゲート電流の低減を図る等の理由からゲ
ート電極ストリップ線路を薄く構成する必要はなく、ゲ
ート電極線路における伝送損失を小さくでき、画素間の
輝度むらを低減でき画質の向上を図ることができる。

また、本発明においては、ストリップ線路と電子流を放
ｑ−ｔする分岐部とを別個に構成しているため、ストリ
ップ線路の幅を狭くすることができ、これによりベース
電極ストリップ線路とベース電極ストリップ線路との交
差面積を小さくすることで、伝送線路としての特性イン
ピーダンスを大きくして隣接線路間の結合漏話の低減を
図ることができる。

さらにまた、他の発明によれは、ストリップ線路を備え
る基板をグレーズ層を備えた導電性の基板としたので、
結合漏話及び減衰の影響を一層小さくすることができ、
このような低伝送損失、低結合漏話の特性により高走査
線数の大型画面表示においても均一な輝度及びコントラ
ストを実現でき、高品位な画像を提供できるという効果
がある。

さらに導電体層をストリップ線路に対向させて格子状に
形成した他の発明においては、結合漏話のより一層の低
減を図ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に係る冷陰極画像表示装置の一実施例の
構成を示す分解斜視図、 第２図は従来の冷陰極画像表示装置の一例を示す構成図
、 第３図は従来の冷陰極画像表示装置の冷陰極尖端部分を
示す断面図、 第４図（ａ＞乃至（ｃ）は本実施例のベース電極線路と
ゲート電極線路との交差部における結合漏話の状態を示
す説明図、 第５図＜ａ）、＜ｂ＞は本実施例のストリップ線路にお
ける電流分布を示す説明図、 第６図は他の発明に係る冷陰極画像表示装置の一実施例
の構成を示す分解斜視図、 第７図＜ａ＞乃至（ｃ）は第６図の実施例のストリップ
線路における電流分布を示す説明図である。 ２０・・・絶縁体基板 ２１・・・金属基板 ２２・・・グレーズ層（第一の誘電体層）２３・・・ベ
ース電極 ２３ａ・・・ベース電極ストリップ線路２３ｂ・・・ベ
ース電極分岐部 ２４・・・ＳｉＯ□層（第二の誘電体層）２５・・・ゲ
ート電極 ２５ａ・・・ゲート電極ストリップ線路２５ｂ・・・ゲ
ート電極分岐部

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）第一の誘電体層と、 上記第一の誘電体層上にストライプ状に備えられた複数
   本のベース電極ストリップ線路と、上記第一の誘電体層
   上であって、上記複数本のベース電極ストリップ線路の
   間に備えられ、上記ベース電極ストリップ線路に接続さ
   れた複数のベース電極分岐部と、 上記ベース電極分岐部上に突起状に形成された冷陰極尖
   端と、 上記冷陰極尖端を囲う孔を有し、上記第一の誘電体層、
   上記ベース電極ストリップ線路、及び上記ベース電極分
   岐部上に備えられた第二の誘電体層と、 上記第二の誘電体層上に上記ベース電極ストリップ線路
   に直交する方向に延びるストライプ状に備えられた複数
   本のゲート電極ストリップ線路と、上記冷陰極尖端を囲
   うゲート電極孔を有し、上記複数本のゲート電極ストリ
   ップ線路の間であって上記ベース電極分岐部上に備えら
   れ、上記ゲート電極ストリップ線路に接続された複数の
   ゲート電極分岐部と、所定間隔をあけて上記冷陰極尖端
   に対向配置され、上記冷陰極尖端から放射される電子流
   を所定方向に導く陽極電極と、 上記電子流が照射されることにより発光する蛍光体とを
   有することを特徴とする冷陰極画像表示装置。
2. （２）導電性基板と、 上記導電性基板上に備えられた第一の誘電体層と、 上記第一の誘電体層にストライプ状に備えられた複数本
   のベース電極ストリップ線路と、上記第一の誘電体層上
   であつて、上記複数本のベース電極ストリップ線路の間
   に備えられ、上記ベース電極ストリップ線路に接続され
   た複数のベース電極分岐部と、 上記ベース電極分岐部上に突起状に形成された冷陰極尖
   端と、 上記冷陰極尖端を囲う孔を有し、上記第一の誘電体層、
   上記ベース電極ストリップ線路、及び上記ベース電極分
   岐部上に備えられた第二の誘電体層と、 上記第二の誘電体層上に上記ベース電極ストリップ線路
   に直交する方向に延びるストライプ状に備えられた複数
   本のゲート電極ストリップ線路と、上記冷陰極尖端を囲
   うゲート電極孔を有し、上記複数本のゲート電極ストリ
   ップ線路の間であつて上記ベース電極分岐部上に備えら
   れ、上記ゲート電極ストリップ線路に接続された複数の
   ゲート電極分岐部と、所定間隔をあけて上記冷陰極尖端
   に対向配置され、上記冷陰極尖端から放射される電子流
   を所定方向に導く陽極電極と、 上記電子流が照射されることにより発光する蛍光体とを
   有することを特徴とする冷陰極画像表示装置。
3. （３）導電性基板と、 上記導電性基板上に備えられた第一の誘電体層と、 上記第一の誘電体層にストライプ状に備えられた複数本
   のベース電極ストリップ線路と、上記第一の誘電体層上
   であって、上記複数本のベース電極ストリップ線路の間
   に備えられ、上記ベース電極ストリップ線路に接続され
   た複数のベース電極分岐部と、 上記ベース電極分岐部上に突起状に形成された冷陰極尖
   端と、 上記冷陰極尖端を囲う孔を有し、上記第一の誘電体層、
   上記ベース電極ストリップ線路、及び上記ベース電極分
   岐部上に備えられた第二の誘電体層と、 上記第二の誘電体層上に上記ベース電極ストリップ線路
   に直交する方向に延びるストライプ状に備えられた複数
   本のゲート電極ストリップ線路と、上記冷陰極尖端を囲
   うゲート電極孔を有し、上記複数本のゲート電極ストリ
   ップ線路の間であって上記ベース電極分岐部上に備えら
   れ、上記ゲート電極ストリップ線路に接続された複数の
   ゲート電極分岐部と、所定間隔をあけて上記冷陰極尖端
   に対向配置され、上記冷陰極尖端から放射される電子流
   を所定方向に導く陽極電極と、 上記電子流が照射されることにより発光する蛍光体とを
   有し、 上記導電性基板を上記ゲート電極ストリップ線路と上記
   ベース電極ストリップ線路に対応させた格子状に形成し
   たことを特徴とする冷陰極画像表示装置。