JPH03218042A - 高周波用固定カード - Google Patents
高周波用固定カードInfo
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- JPH03218042A JPH03218042A JP2013314A JP1331490A JPH03218042A JP H03218042 A JPH03218042 A JP H03218042A JP 2013314 A JP2013314 A JP 2013314A JP 1331490 A JP1331490 A JP 1331490A JP H03218042 A JPH03218042 A JP H03218042A
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- 239000000523 sample Substances 0.000 claims abstract description 31
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 26
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims abstract description 21
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 7
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 abstract description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 8
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 2
- 239000004840 adhesive resin Substances 0.000 description 2
- 229920006223 adhesive resin Polymers 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018594 Si-Cu Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910008465 Si—Cu Inorganic materials 0.000 description 1
- 241001333909 Soter Species 0.000 description 1
- 238000005422 blasting Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 208000010247 contact dermatitis Diseases 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 239000010979 ruby Substances 0.000 description 1
- 229910001750 ruby Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
- G01R1/02—General constructional details
- G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
- G01R1/067—Measuring probes
- G01R1/073—Multiple probes
- G01R1/07307—Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card
- G01R1/07342—Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card the body of the probe being at an angle other than perpendicular to test object, e.g. probe card
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
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- Measuring Leads Or Probes (AREA)
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
(産業上の利用分野)
本発明は、半導体基板に造込んだ能動素子及び受動素子
の一方または双方ならびに抵抗などの回路部品の試験工
程に利用するもので特に、いわゆるダイソータテスト(
Die Sorter Test)におけるブロービン
グ(Probing)に利用するものである。
の一方または双方ならびに抵抗などの回路部品の試験工
程に利用するもので特に、いわゆるダイソータテスト(
Die Sorter Test)におけるブロービン
グ(Probing)に利用するものである。
(従来の技術)
半導体基板に造込んた能動素子や受動素子更に、抵抗な
どの回路部品の試験工程には、いわゆるブローブカード
(Probe Card)か利用されており、絶縁性ボ
ー}”(Boad)にブローブ針(別名二一ドルNee
dle針)を設置して構成する。このブローブ針は、導
電性金属例えばAll)またはAg合金(AΩSi,A
Ω一Si−Cu)などで前記能動素子や受動素子更に、
回路部品などに対応して設けるパッド( Pad即ち電
極)数に応じて形成する。従って、被検査半導体基板に
造込んた能動素子、受動素子及び抵抗などの電気的特性
が検査可能となり、その要部を第1図a,b,cの上面
図及び断面図により説明する。第1図aの上面図及び第
1図bの断面図に明らかなように、透孔lを中央部に形
成した絶縁性ボード2では、透孔又は開口部1に向かっ
てプローブ針3−・を設置し、更に図示していないか絶
縁性ボード1の端部にICテスタ(Tester)との
接続用コネクター(Connector) も設置し、
プローブ針3と電気的に接続するのは勿論である。
どの回路部品の試験工程には、いわゆるブローブカード
(Probe Card)か利用されており、絶縁性ボ
ー}”(Boad)にブローブ針(別名二一ドルNee
dle針)を設置して構成する。このブローブ針は、導
電性金属例えばAll)またはAg合金(AΩSi,A
Ω一Si−Cu)などで前記能動素子や受動素子更に、
回路部品などに対応して設けるパッド( Pad即ち電
極)数に応じて形成する。従って、被検査半導体基板に
造込んた能動素子、受動素子及び抵抗などの電気的特性
が検査可能となり、その要部を第1図a,b,cの上面
図及び断面図により説明する。第1図aの上面図及び第
1図bの断面図に明らかなように、透孔lを中央部に形
成した絶縁性ボード2では、透孔又は開口部1に向かっ
てプローブ針3−・を設置し、更に図示していないか絶
縁性ボード1の端部にICテスタ(Tester)との
接続用コネクター(Connector) も設置し、
プローブ針3と電気的に接続するのは勿論である。
一方ダイソータ測定に備えて、第1図bに示すように、
絶縁性ボ〜ド2を貫通して形成した透孔1を囲んで金属
例えばAff製またはプラスチック(Plastic)
製の環状の固定リング(Ring) 4を配置する。こ
れには、絶縁性ホード2に施すいわゆるさくり工程を利
用し更に、固定リング4の配置面と同一面の絶縁性ボー
ト2にプローブ針3・・・を半田付けにより固着し更に
また、固定リング4に設置した傾斜而に沿わせると共に
特殊な接着剤層5により固定して一定の角度に維持する
のか一般的な方法である。この接着剤層5は、熱収縮率
が±5μm程度のものを使用して、パッドと接触する先
端の位置を厳しく制御するのに利用する。第1図C(固
定カードの半分しか書かれていない)に明らかなように
固定リング4より延長されたブローブ針3部分は、ビー
ム(Beam)長と呼ばれており、その長さは、5.5
±0.5mmとする。更に、固定リング4から鉛直方向
即ち下側のビームの高さを500μmに、更にまた、固
定リング4からブロー3先端までの高さを2500±3
00μm以上に規制しており、このような構造の断面図
を第1図Cに明らかにしている。しかも、ブローブ針3
・・・は、集積回路素子6に形成したパソド7に正確に
接触させて、ダイソータ測定を施すが、パッド数に合せ
たものを準備して測定するのは上記の通りである。
絶縁性ボ〜ド2を貫通して形成した透孔1を囲んで金属
例えばAff製またはプラスチック(Plastic)
製の環状の固定リング(Ring) 4を配置する。こ
れには、絶縁性ホード2に施すいわゆるさくり工程を利
用し更に、固定リング4の配置面と同一面の絶縁性ボー
ト2にプローブ針3・・・を半田付けにより固着し更に
また、固定リング4に設置した傾斜而に沿わせると共に
特殊な接着剤層5により固定して一定の角度に維持する
のか一般的な方法である。この接着剤層5は、熱収縮率
が±5μm程度のものを使用して、パッドと接触する先
端の位置を厳しく制御するのに利用する。第1図C(固
定カードの半分しか書かれていない)に明らかなように
固定リング4より延長されたブローブ針3部分は、ビー
ム(Beam)長と呼ばれており、その長さは、5.5
±0.5mmとする。更に、固定リング4から鉛直方向
即ち下側のビームの高さを500μmに、更にまた、固
定リング4からブロー3先端までの高さを2500±3
00μm以上に規制しており、このような構造の断面図
を第1図Cに明らかにしている。しかも、ブローブ針3
・・・は、集積回路素子6に形成したパソド7に正確に
接触させて、ダイソータ測定を施すが、パッド数に合せ
たものを準備して測定するのは上記の通りである。
(発明か解決しようとする課題)
最近の集積回路素子は、D−RAMに代表されるように
高集積化、高機能化された上に高速化が進んでいるため
に、ダイソータテストにあってもハイスピード(Hig
h Speed)や高周波測定が要求されている。しか
し、第1図bに明らかなようにブローブ針3・・・先端
は、集積回路素子のパッド位置に正しく接触させるため
に、放射状即ちプリントパターン(Print Pat
tern)が放射状に配置されている。従って、集積回
路素子のダイソータ測定に必要な周辺測定回路(Dev
ice Under Test略称DUT)から集積回
路素子のilll定位置であるパッドまでの距離か長い
ので高周波測定においては大きな問題となっており、品
種によっては測定ができない製品もあるのか実状である
。
高集積化、高機能化された上に高速化が進んでいるため
に、ダイソータテストにあってもハイスピード(Hig
h Speed)や高周波測定が要求されている。しか
し、第1図bに明らかなようにブローブ針3・・・先端
は、集積回路素子のパッド位置に正しく接触させるため
に、放射状即ちプリントパターン(Print Pat
tern)が放射状に配置されている。従って、集積回
路素子のダイソータ測定に必要な周辺測定回路(Dev
ice Under Test略称DUT)から集積回
路素子のilll定位置であるパッドまでの距離か長い
ので高周波測定においては大きな問題となっており、品
種によっては測定ができない製品もあるのか実状である
。
本発明は、このような事情により成されたもので、高周
波領域でのダイソータ7l11定可能とし、測定の信頼
性の向上更に、コスト(Cost)の削減を目的とする
ものである。
波領域でのダイソータ7l11定可能とし、測定の信頼
性の向上更に、コスト(Cost)の削減を目的とする
ものである。
(課題を解決するための手段)
透明な絶縁性基板と、透明な絶縁性基板表面に形成する
測定回路パターンと、透明な絶縁性基板の中央部に形成
する透孔と、透孔を囲む透明な絶縁性基板裏面に取付け
る環状固定リングと、透明な絶縁性基板裏面及び環状固
定リングに固着し透孔に対応する位置に延長し、前記測
定回路パターンと電気的に接続するブローブ針に本発明
に係わる高周波用固定カードの特徴かある。
測定回路パターンと、透明な絶縁性基板の中央部に形成
する透孔と、透孔を囲む透明な絶縁性基板裏面に取付け
る環状固定リングと、透明な絶縁性基板裏面及び環状固
定リングに固着し透孔に対応する位置に延長し、前記測
定回路パターンと電気的に接続するブローブ針に本発明
に係わる高周波用固定カードの特徴かある。
(作 用)
本発明で採用する透明な絶縁性基板の一面には、測定回
路に対応する回路パターンを設け、これに電気的に接続
するブローブ針を透明な絶縁性基板の他面から導出して
、被測定回路パターンの基板の他面から導出して、彼測
定回路パターンの真上に位置される手法を採った。
路に対応する回路パターンを設け、これに電気的に接続
するブローブ針を透明な絶縁性基板の他面から導出して
、被測定回路パターンの基板の他面から導出して、彼測
定回路パターンの真上に位置される手法を採った。
(実施例)
本発明に係わる実施例を第2図a − gを参照して説
明する。即ち、高周波数用ブローブカードは、第2図a
に示すように硬質ガラス(Glass) 、石英ガラス
、ルビー(Ruby)、サファイヤ(Sapph i
re)または同等の材料などの単一材料かまたは、同様
な特性を示す複合材料から成る透明な絶縁性基板10を
用意し、その一面には、ダイソタテストに必要なDUT
回路11を形成する。更に、透明な絶縁性基板10には
、従来技術と異なり中央部分に透孔を設置せず、第2図
aに示すように被測定集積回路素子に設置したパッドに
対応する位置にプローブ針12(第2図d以降参照)が
挿入できる貫通孔13・・・を形成する。
明する。即ち、高周波数用ブローブカードは、第2図a
に示すように硬質ガラス(Glass) 、石英ガラス
、ルビー(Ruby)、サファイヤ(Sapph i
re)または同等の材料などの単一材料かまたは、同様
な特性を示す複合材料から成る透明な絶縁性基板10を
用意し、その一面には、ダイソタテストに必要なDUT
回路11を形成する。更に、透明な絶縁性基板10には
、従来技術と異なり中央部分に透孔を設置せず、第2図
aに示すように被測定集積回路素子に設置したパッドに
対応する位置にプローブ針12(第2図d以降参照)が
挿入できる貫通孔13・・・を形成する。
ところで、被測定集積回路素子に形成するパッドの寸法
は、100μm角のものが一般的であるが、最小では8
0μm角のものもある。これに対応してブローブ針の径
も小さくなる方向にあり事実20μm〜30μmのもの
も出現しており、ためにパッドに接触したブローブ針痕
を目視により判定するのか非常に困難になっている。勿
論、センサー(Sensor)を利用して自動化された
装置即ちブローハ(Prober)も開発されているも
のの針先にブラスト処理により梨地模様をわさわざ形成
して接触感度の向上に努めたものもある。このような自
動化されたブローバ装置でも、操作の一部にマニュアル
(Manual)操作即ち目視による判定業務が必要で
あるが、100μm以下時には僅か20μm〜30μm
のブローブ針痕を判断するのは非常に困難であり、しか
も、機械的な判定も勿論極めて困難であるばかりか、完
全自動化をするのに大幅な経費増大を招く。
は、100μm角のものが一般的であるが、最小では8
0μm角のものもある。これに対応してブローブ針の径
も小さくなる方向にあり事実20μm〜30μmのもの
も出現しており、ためにパッドに接触したブローブ針痕
を目視により判定するのか非常に困難になっている。勿
論、センサー(Sensor)を利用して自動化された
装置即ちブローハ(Prober)も開発されているも
のの針先にブラスト処理により梨地模様をわさわざ形成
して接触感度の向上に努めたものもある。このような自
動化されたブローバ装置でも、操作の一部にマニュアル
(Manual)操作即ち目視による判定業務が必要で
あるが、100μm以下時には僅か20μm〜30μm
のブローブ針痕を判断するのは非常に困難であり、しか
も、機械的な判定も勿論極めて困難であるばかりか、完
全自動化をするのに大幅な経費増大を招く。
しかし、本発明に係わる高周波数用ブローブカトでは、
集積回路素子のダイソータ高周波用測定における測定回
路と被測定物間の距離を最小にすると共に、透明な絶縁
性基板を利用することにより顕微鏡による判定作業をも
可能にしたものである。
集積回路素子のダイソータ高周波用測定における測定回
路と被測定物間の距離を最小にすると共に、透明な絶縁
性基板を利用することにより顕微鏡による判定作業をも
可能にしたものである。
ところで、上記のようにDUT回路11を一面に設置し
た透明な絶縁性基板10に形成した貫通孔13・・・に
は、第2図d−gに示すように各種のブローブ針12を
挿入配置して被測定集積回路素子のパッドの真上に配置
するようにする。即ち、第2図dには、スプリングピン
(Spring Pin)方式による例、第2図eに通
常のブローブ針12の例を示しており、いずれも半田層
14により固着する。第2図f, gは、テーバー(
Taper)付きのプローブ針12の例が明らかにされ
ており前者は、接着樹脂層15により固着し、後者では
スルーホール(Through Hole)にメッキ層
16を施してからテーバー付きプローブ針12を半田層
14により固着する。
た透明な絶縁性基板10に形成した貫通孔13・・・に
は、第2図d−gに示すように各種のブローブ針12を
挿入配置して被測定集積回路素子のパッドの真上に配置
するようにする。即ち、第2図dには、スプリングピン
(Spring Pin)方式による例、第2図eに通
常のブローブ針12の例を示しており、いずれも半田層
14により固着する。第2図f, gは、テーバー(
Taper)付きのプローブ針12の例が明らかにされ
ており前者は、接着樹脂層15により固着し、後者では
スルーホール(Through Hole)にメッキ層
16を施してからテーバー付きプローブ針12を半田層
14により固着する。
なお、第2図Cには、ブローブ針12を貫通孔l3に挿
入した状態を便宜的に示した図である。実際の測定に当
たっては、上記のように顕微鏡を利用するアニュアル操
作によりブローブ針12を被測定集積回路素子のパッド
の真上に移動後両者を接触させてダイソータ測定を実施
する。
入した状態を便宜的に示した図である。実際の測定に当
たっては、上記のように顕微鏡を利用するアニュアル操
作によりブローブ針12を被測定集積回路素子のパッド
の真上に移動後両者を接触させてダイソータ測定を実施
する。
ブローブ針12を彼4j定集積回路素子のパッドの真上
に位置させてダイソータ測定かでき、しかも透明な絶縁
性基板には、DUT回路が設置されているので、リード
(Lead)長を極端に短くすることができる。更に、
DUT回路における最終段抵抗、コンデンサー(Con
denser)などが被測定集積回路素子から最も近い
場所に取付けることができる。
に位置させてダイソータ測定かでき、しかも透明な絶縁
性基板には、DUT回路が設置されているので、リード
(Lead)長を極端に短くすることができる。更に、
DUT回路における最終段抵抗、コンデンサー(Con
denser)などが被測定集積回路素子から最も近い
場所に取付けることができる。
透明な絶縁性基板を使用しているために位置合せ及びブ
ローブ針合せが容易にできる。などにより高周波領域に
おける測定か可能になると共に測定精度の向上が得られ
る。
ローブ針合せが容易にできる。などにより高周波領域に
おける測定か可能になると共に測定精度の向上が得られ
る。
第1図a,b..cは、従来のブローブカードを示す上
面図及び断面図、第2図a − gは、本発明に係わる
高周波用ブローブカードの要部を示す上面図及び断面図
である。 1 ・透孔、 2、 3、12・・・ブローブ針、 4・・固定リング、 5・・樹脂層、 l4・・半田層、IO・・・透明
な絶縁性基板、 15・・接着樹脂層、 16・・・スル ホールメッキ層。
面図及び断面図、第2図a − gは、本発明に係わる
高周波用ブローブカードの要部を示す上面図及び断面図
である。 1 ・透孔、 2、 3、12・・・ブローブ針、 4・・固定リング、 5・・樹脂層、 l4・・半田層、IO・・・透明
な絶縁性基板、 15・・接着樹脂層、 16・・・スル ホールメッキ層。
Claims (1)
- 透明な絶縁性基板と、透明な絶縁性基板表面に形成する
測定回路パターンと、透明な絶縁性基板の中央部に形成
する透孔と、透孔を囲む透明な絶縁性基板裏面に取付け
る環状固定リングと、透明な絶縁性基板裏面及び環状固
定リングに固着し透孔に対応する位置に延長し、前記測
定回路パターンと電気的に接続するプローブ針を具備す
ることを特徴とする高周波用固定カード。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013314A JPH03218042A (ja) | 1990-01-23 | 1990-01-23 | 高周波用固定カード |
US07/644,437 US5220278A (en) | 1990-01-23 | 1991-01-22 | Fixing card for use with high frequency |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013314A JPH03218042A (ja) | 1990-01-23 | 1990-01-23 | 高周波用固定カード |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03218042A true JPH03218042A (ja) | 1991-09-25 |
Family
ID=11829711
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013314A Pending JPH03218042A (ja) | 1990-01-23 | 1990-01-23 | 高周波用固定カード |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5220278A (ja) |
JP (1) | JPH03218042A (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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US7956628B2 (en) | 2006-11-03 | 2011-06-07 | International Business Machines Corporation | Chip-based prober for high frequency measurements and methods of measuring |
CN112730925B (zh) * | 2019-10-14 | 2024-03-19 | 台湾中华精测科技股份有限公司 | 交错式探针卡 |
TWI709752B (zh) * | 2019-10-14 | 2020-11-11 | 中華精測科技股份有限公司 | 交錯式探針卡 |
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JPS612338A (ja) * | 1984-06-15 | 1986-01-08 | Hitachi Ltd | 検査装置 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
1990
- 1990-01-23 JP JP2013314A patent/JPH03218042A/ja active Pending
-
1991
- 1991-01-22 US US07/644,437 patent/US5220278A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5149688A (ja) * | 1974-10-25 | 1976-04-30 | Seiko Instr & Electronics | |
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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