JPH0320746A - フォトレジスト膜の除去方法 - Google Patents
フォトレジスト膜の除去方法Info
- Publication number
- JPH0320746A JPH0320746A JP15542589A JP15542589A JPH0320746A JP H0320746 A JPH0320746 A JP H0320746A JP 15542589 A JP15542589 A JP 15542589A JP 15542589 A JP15542589 A JP 15542589A JP H0320746 A JPH0320746 A JP H0320746A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- acid
- solution
- photoresist film
- aqueous solution
- peroxydisulfuric acid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 title claims description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 16
- JRKICGRDRMAZLK-UHFFFAOYSA-N peroxydisulfuric acid Chemical compound OS(=O)(=O)OOS(O)(=O)=O JRKICGRDRMAZLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 18
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims abstract description 15
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 12
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims abstract description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 22
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 6
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 claims 1
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 16
- 230000007423 decrease Effects 0.000 abstract description 4
- 230000005484 gravity Effects 0.000 abstract description 3
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 abstract description 3
- 239000002253 acid Substances 0.000 abstract description 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 8
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- RAHZWNYVWXNFOC-UHFFFAOYSA-N Sulphur dioxide Chemical compound O=S=O RAHZWNYVWXNFOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- AKEJUJNQAAGONA-UHFFFAOYSA-N sulfur trioxide Chemical compound O=S(=O)=O AKEJUJNQAAGONA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000011149 sulphuric acid Nutrition 0.000 description 2
- 101100366935 Caenorhabditis elegans sto-2 gene Proteins 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 1
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 1
- VFNGKCDDZUSWLR-UHFFFAOYSA-N disulfuric acid Chemical compound OS(=O)(=O)OS(O)(=O)=O VFNGKCDDZUSWLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 150000002926 oxygen Chemical class 0.000 description 1
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 1
- 238000002791 soaking Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、半導体装置の製造プロセスにおいて用いるフ
ォトレジスト膜の除去方法に関するものである。
ォトレジスト膜の除去方法に関するものである。
従来の技術
半導体装置の製造プロセスにおいて、半導体ウェハ面上
の微小部分に選択的にエッチング，拡散，イオン注入を
行うために、フォトレジスト膜に穴あけした後に、不要
となった残存フォトレジストを除去することが行なわれ
ていた。このフォトレジスト膜の除去方法としては、濃
硫酸と約３０多以上の濃度の過酸化水素水との混合液中
に浸すことによシ、フォトレジスト膜を除去する方法が
多く用いられていた。
の微小部分に選択的にエッチング，拡散，イオン注入を
行うために、フォトレジスト膜に穴あけした後に、不要
となった残存フォトレジストを除去することが行なわれ
ていた。このフォトレジスト膜の除去方法としては、濃
硫酸と約３０多以上の濃度の過酸化水素水との混合液中
に浸すことによシ、フォトレジスト膜を除去する方法が
多く用いられていた。
発明が解決しようとする課題
しかし寿から、上記の方法では酸素の供給源である過酸
化水素が７ォトレジストの或分であるＣ，Ｈとの反応で
減少するために反応系の酸化力が低下し、長時間同じ液
を使用しているとフォトレジストが完全に除去できなく
なるという問題点があった。
化水素が７ォトレジストの或分であるＣ，Ｈとの反応で
減少するために反応系の酸化力が低下し、長時間同じ液
を使用しているとフォトレジストが完全に除去できなく
なるという問題点があった。
この理由について詳述する。濃硫酸（Ｈ２ＳＯ４）と過
酸化水素水（Ｈ２０２）を混合すると、発熱反応が生じ
て下記のごとく発生機の酸素（Ｏ）が作られる。
酸化水素水（Ｈ２０２）を混合すると、発熱反応が生じ
て下記のごとく発生機の酸素（Ｏ）が作られる。
Ｈ２ＳＯ４＋Ｈ２ｏ２−４Ｈ２ＳＯ４＋Ｈ２０＋（Ｏ）
↑この酸素は、（Ｃ，Ｈ）を成分とするフォトレジヌト
膜を分解して炭酸ガス（ＣＯ２）及び水（Ｈ２０）を生
じさせる。この場合炭酸ガスは空気中に散逸し水は硫酸
中に溶け込み硫酸を希釈する。この反応にかいては、過
酸化水素の還元によｂ水が生じて反応液を希釈する。こ
のため反応が進行するとともに硫酸の濃度及び過酸化水
素水の濃度が急速に減少する。したがって、反応液の寿
命が短かくせいぜい１５分程度であった。
↑この酸素は、（Ｃ，Ｈ）を成分とするフォトレジヌト
膜を分解して炭酸ガス（ＣＯ２）及び水（Ｈ２０）を生
じさせる。この場合炭酸ガスは空気中に散逸し水は硫酸
中に溶け込み硫酸を希釈する。この反応にかいては、過
酸化水素の還元によｂ水が生じて反応液を希釈する。こ
のため反応が進行するとともに硫酸の濃度及び過酸化水
素水の濃度が急速に減少する。したがって、反応液の寿
命が短かくせいぜい１５分程度であった。
この（Ｑの方法の問題を解決する手段として反応系に三
酸化硫黄を添加する方法が提案されているが、二酸化硫
黄を添加するだけでは、硫酸の濃度を一定に保つことだ
けが可能であシ、酸素の供給源である過酸化水素の補給
ができない。このため過酸化水素水の濃度の減少を防ぐ
ことができないという欠点がある。しかも過酸化水素水
を適時適量注入するという手間をかけたとしても、せい
ぜい反応液の寿命は８〜１６時間であった。
酸化硫黄を添加する方法が提案されているが、二酸化硫
黄を添加するだけでは、硫酸の濃度を一定に保つことだ
けが可能であシ、酸素の供給源である過酸化水素の補給
ができない。このため過酸化水素水の濃度の減少を防ぐ
ことができないという欠点がある。しかも過酸化水素水
を適時適量注入するという手間をかけたとしても、せい
ぜい反応液の寿命は８〜１６時間であった。
本発明は、フォトレジスト膜を除去する際に用いられる
反応物質の寿命を長くするようにしたフォトレジスト膜
の除去方法を提供することを目的とする。
反応物質の寿命を長くするようにしたフォトレジスト膜
の除去方法を提供することを目的とする。
課題を解決するための手段
この目的を達戒するために本発明は、フォトレジヌト膜
除去液として過オキシ二硫酸の水溶液を用いるようにし
、さらにこの溶液に過オキシ二硫酸を添加することによ
り反応液の寿命を長くしたものである。
除去液として過オキシ二硫酸の水溶液を用いるようにし
、さらにこの溶液に過オキシ二硫酸を添加することによ
り反応液の寿命を長くしたものである。
作 用
過オキシ二硫酸の水溶液を用いて半導体ウェハ表面に形
成されたＳｔｏ２上のフォトレジヌト膜を除去する方法
について詳細に説明する。
成されたＳｔｏ２上のフォトレジヌト膜を除去する方法
について詳細に説明する。
Ａ オキシニａ ｍ （ Ｈ ２ Ｓ ２ ０８ ）を
水（Ｈ２０）に溶解させると、発熱反応が生じて下記反
応がかこう発生機の酸素を生ずる。
水（Ｈ２０）に溶解させると、発熱反応が生じて下記反
応がかこう発生機の酸素を生ずる。
Ｈ２Ｓ２０８＋Ｈ２０→２Ｈ２ＳＯ４＋（Ｏ）↑この酸
素（０） Ｆｉ、（Ｃ，Ｈ）を或分とするフォトレジス
ト膜を炭酸ガス（Ｃｏ２）及び水（Ｈ２ｏ）に分解させ
る。この洗浄の方法は、従来の方法に比べて酸化剤の還
元にともなう水分子数の増加は一切な〈、この反応によ
る反応液に対する希釈作用は全くない。しかも過オキシ
二硫酸の添加のみで酸化作用を持続することができる。
素（０） Ｆｉ、（Ｃ，Ｈ）を或分とするフォトレジス
ト膜を炭酸ガス（Ｃｏ２）及び水（Ｈ２ｏ）に分解させ
る。この洗浄の方法は、従来の方法に比べて酸化剤の還
元にともなう水分子数の増加は一切な〈、この反応によ
る反応液に対する希釈作用は全くない。しかも過オキシ
二硫酸の添加のみで酸化作用を持続することができる。
この様にして適時過オキシ二硫酸を添加することによシ
反応液の寿命を延ばすことができる。
反応液の寿命を延ばすことができる。
実施例
以下本発明の一実施例について、図面を参照しながら説
明する。
明する。
第１図は本発明の一実施例におけるフォトレジヌト膜の
除去方法を示すものである。第１図において、１は反応
容器、２は水、３は過オキシ二硫酸、４は半導体ウェハ
を示す。１ず、第１図（ａ）に示すように容器１に水２
と過オキシ二硫酸３をそれぞれ重量比（７：３）の割合
で水２を先にして入れ、過オキシ二硫酸の水溶液を作る
。そして第１図（ｂ） ， （Ｃ）に示すように約１Ｑ
分間半導体ウェハ４を浸した後これを取り出し水洗する
。その後反応液の比重を測定して比重の低下が認められ
たときには、再び第１図（ａ）に示すように過オキシニ
硫、酸３を追加し、フォトレジスト膜除去の処理を再〉
開する。な訃、反応速度を速くするため、容器１を加熱
して液温を約１ ００１：：に保っのが望！しい。
除去方法を示すものである。第１図において、１は反応
容器、２は水、３は過オキシ二硫酸、４は半導体ウェハ
を示す。１ず、第１図（ａ）に示すように容器１に水２
と過オキシ二硫酸３をそれぞれ重量比（７：３）の割合
で水２を先にして入れ、過オキシ二硫酸の水溶液を作る
。そして第１図（ｂ） ， （Ｃ）に示すように約１Ｑ
分間半導体ウェハ４を浸した後これを取り出し水洗する
。その後反応液の比重を測定して比重の低下が認められ
たときには、再び第１図（ａ）に示すように過オキシニ
硫、酸３を追加し、フォトレジスト膜除去の処理を再〉
開する。な訃、反応速度を速くするため、容器１を加熱
して液温を約１ ００１：：に保っのが望！しい。
上記実施例を用いることによう反応液の寿命は、２４〜
３２時間に延ばすことができた。″！た半導体クエハに
限らず、フォトマスク基板のフォトレジｚＦ−膜の除去
にも応用できる。
３２時間に延ばすことができた。″！た半導体クエハに
限らず、フォトマスク基板のフォトレジｚＦ−膜の除去
にも応用できる。
発明の効果
以上のように本発明は、半導体ウェハ又はフォトマスク
基板の洗浄溶液過オキン二硫酸の水溶液大幅に長くする
ことができ、酸化或分及び硫酸或分が安定して存在する
ために再現性のよいフォトレジスト膜の除去が実現でき
る。１た、過オキシ二硫酸は固体であるので計量や、運
搬の際の作業性がよい。
基板の洗浄溶液過オキン二硫酸の水溶液大幅に長くする
ことができ、酸化或分及び硫酸或分が安定して存在する
ために再現性のよいフォトレジスト膜の除去が実現でき
る。１た、過オキシ二硫酸は固体であるので計量や、運
搬の際の作業性がよい。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例に訃けるフォトレジスト膜の
除去方法を示す半導体洗浄過程図である。 １・・・・・・反応容器、２・・・・・・水、３・・・
・・・過オキシ二硫酸、４・・・・・・半導体ウェハ。 １−−−Ｎ 応 容 Ｓ ２一 水 ３−ｌ！＆方キシ：硫駿 ４一 半専悴ウェハ
除去方法を示す半導体洗浄過程図である。 １・・・・・・反応容器、２・・・・・・水、３・・・
・・・過オキシ二硫酸、４・・・・・・半導体ウェハ。 １−−−Ｎ 応 容 Ｓ ２一 水 ３−ｌ！＆方キシ：硫駿 ４一 半専悴ウェハ
Claims (2)
- （１）過オキシ二硫酸の水溶液中に、半導体ウェハ又は
フォトマスク基板を浸すことを特徴とするフォトレジス
ト膜の除去方法。 - （２）過オキシ二硫酸の水溶液が分解して生ずる発生機
の酸素を用いてフォトレジスト膜を除去する反応系にお
いて、過オキシ二硫酸を添加することにより、反応液の
寿命を長くするようにしたことを特徴とするフォトレジ
スト膜の除去方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15542589A JPH0320746A (ja) | 1989-06-16 | 1989-06-16 | フォトレジスト膜の除去方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15542589A JPH0320746A (ja) | 1989-06-16 | 1989-06-16 | フォトレジスト膜の除去方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0320746A true JPH0320746A (ja) | 1991-01-29 |
Family
ID=15605729
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15542589A Pending JPH0320746A (ja) | 1989-06-16 | 1989-06-16 | フォトレジスト膜の除去方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0320746A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1801265A1 (en) * | 2004-09-17 | 2007-06-27 | Kurita Water Industries Ltd. | Cleaning system of sulfuric acid recycling type and persulfuric acid feeder of sulfuric acid recycling type |
| US8992691B2 (en) | 2011-04-05 | 2015-03-31 | International Business Machines Corporation | Partial solution replacement in recyclable persulfuric acid cleaning systems |
-
1989
- 1989-06-16 JP JP15542589A patent/JPH0320746A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1801265A1 (en) * | 2004-09-17 | 2007-06-27 | Kurita Water Industries Ltd. | Cleaning system of sulfuric acid recycling type and persulfuric acid feeder of sulfuric acid recycling type |
| EP1801265A4 (en) * | 2004-09-17 | 2009-06-17 | Kurita Water Ind Ltd | CLEANING SYSTEM FROM THE SULFURIC ACID RECYCLING TYPE AND PERSONALIZED DOSAGE FROM THE SULFURIC ACID CYCLING TYPE |
| US9593424B2 (en) | 2004-09-17 | 2017-03-14 | Kurita Water Industries, Ltd. | Sulfuric acid recycling type cleaning system and a sulfuric acid recycling type persulfuric acid supply apparatus |
| US8992691B2 (en) | 2011-04-05 | 2015-03-31 | International Business Machines Corporation | Partial solution replacement in recyclable persulfuric acid cleaning systems |
| US9165801B2 (en) | 2011-04-05 | 2015-10-20 | International Business Machines Corporation | Partial solution replacement in recyclable persulfuric acid cleaning systems |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5051134A (en) | Process for the wet-chemical treatment of semiconductor surfaces | |
| US5632847A (en) | Film removing method and film removing agent | |
| US5378317A (en) | Method for removing organic film | |
| US20020088478A1 (en) | Method for removing organic contaminants from a semiconductor surface | |
| JPH11121417A (ja) | 半導体基板の処理システムおよび処理方法 | |
| KR20020009620A (ko) | 반도체 웨이퍼의 메가소닉 세정을 위한 탈이온수의 온도제어 가스화 | |
| JP2008016620A (ja) | 半導体製造装置及び半導体製造方法 | |
| JP4477704B2 (ja) | 半導体基板表面からの有機汚染物の除去方法 | |
| JP3039483B2 (ja) | 半導体基板の処理薬液及び半導体基板の薬液処理方法 | |
| JPH01189921A (ja) | レジスト除去装置 | |
| JPH0320746A (ja) | フォトレジスト膜の除去方法 | |
| Jones et al. | Chemical etching of silicon: smooth, rough, and glowing surfaces | |
| JP3405371B2 (ja) | 半導体基板のオゾン洗浄方法 | |
| JPH0315850A (ja) | フォトレジスト膜の除去方法 | |
| JP2000216130A (ja) | 電子材料用洗浄水及び電子材料の洗浄方法 | |
| JPH11166700A (ja) | 気体含有超純水供給装置 | |
| JPH02164035A (ja) | 半導体基板の洗浄方法 | |
| US20030084927A1 (en) | Washer and washing method | |
| JP3101307B2 (ja) | 有機物被膜の除去方法 | |
| JP2977868B2 (ja) | 表面処理剤の液管理方法 | |
| JPH04114428A (ja) | 洗浄法 | |
| JP2841529B2 (ja) | 金属膜の選択的形成方法 | |
| JPH0199221A (ja) | 半導体基板の洗浄方法 | |
| JPH09315806A (ja) | 硫酸および過酸化水素を含む廃液からの硫酸の回収方法 | |
| CN111105996B (zh) | 待清洗工件的清洗方法及清洗设备 |